JPH10107384A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
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- JPH10107384A JPH10107384A JP26191996A JP26191996A JPH10107384A JP H10107384 A JPH10107384 A JP H10107384A JP 26191996 A JP26191996 A JP 26191996A JP 26191996 A JP26191996 A JP 26191996A JP H10107384 A JPH10107384 A JP H10107384A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物基板の上に成長された窒化物半導体よ
りなる発光チップが、ヒートシンク、リードフレームの
ような支持体にフェースアップでダイボンディングされ
た発光素子を実現するに際し、チップの接着性が大き
く、かつ放熱性の高い発光素子を提供する。 【構成】 第１の主面と第２の主面とを有する酸化物基
板の第１の主面側に窒化物半導体が成長され、第２の主
面側に電気陰性度が２．０未満の金属を含む第１の薄膜
が形成された発光チップが、第１の薄膜と支持体表面と
が対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体に
ダイボンディングされていることにより、発光チップが
強固に接着されている。
りなる発光チップが、ヒートシンク、リードフレームの
ような支持体にフェースアップでダイボンディングされ
た発光素子を実現するに際し、チップの接着性が大き
く、かつ放熱性の高い発光素子を提供する。 【構成】 第１の主面と第２の主面とを有する酸化物基
板の第１の主面側に窒化物半導体が成長され、第２の主
面側に電気陰性度が２．０未満の金属を含む第１の薄膜
が形成された発光チップが、第１の薄膜と支持体表面と
が対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持体に
ダイボンディングされていることにより、発光チップが
強固に接着されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＥＤ、ＬＤ等の発光デ
バイスに使用される窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる発光素子
に関する。
バイスに使用される窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ
1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなる発光素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体よりなる光度１ｃｄ以上の
高輝度な青色、純緑色ＬＥＤは、最近実用化され、現在
本出願人により、製造、販売されて公知となっている。
それらのＬＥＤは単一量子井戸構造のＩｎＧａＮよりな
る活性層をＡｌＧａＮ及び／又はＧａＮで挟んだｐ−ｎ
接合を有するダブルへテロ構造を有し、窒化物半導体は
サファイア基板上に成長されている。サファイア基板に
成長された窒化物半導体発光チップはフェースアップ
（基板と支持体とが対向した状態）で、リードフレーム
のような支持体にダイボンディングされている。ダイボ
ンディング時の接着剤としては、例えば特開平７−８６
６４０号公報に記載されているように、有機物を含む透
明な絶縁性の接着剤が使用されている。
高輝度な青色、純緑色ＬＥＤは、最近実用化され、現在
本出願人により、製造、販売されて公知となっている。
それらのＬＥＤは単一量子井戸構造のＩｎＧａＮよりな
る活性層をＡｌＧａＮ及び／又はＧａＮで挟んだｐ−ｎ
接合を有するダブルへテロ構造を有し、窒化物半導体は
サファイア基板上に成長されている。サファイア基板に
成長された窒化物半導体発光チップはフェースアップ
（基板と支持体とが対向した状態）で、リードフレーム
のような支持体にダイボンディングされている。ダイボ
ンディング時の接着剤としては、例えば特開平７−８６
６４０号公報に記載されているように、有機物を含む透
明な絶縁性の接着剤が使用されている。
【０００３】一方、窒化物半導体よりなるＬＤ（レーザ
ダイオード）については、また本出願人が世界で初め
て、４１０ｎｍの室温でのパルス発振を報告した。（例
えば、日経エレクトロニクス 1996.1.15 (No.653) p13
〜ｐ15）。このレーザ素子もサファイア基板の上にＩｎ
ＧａＮを含む多重量子井戸構造よりなる活性層をＡｌＧ
ａＮ、ＧａＮ等で挟んだダブルへテロ構造を有してい
る。
ダイオード）については、また本出願人が世界で初め
て、４１０ｎｍの室温でのパルス発振を報告した。（例
えば、日経エレクトロニクス 1996.1.15 (No.653) p13
〜ｐ15）。このレーザ素子もサファイア基板の上にＩｎ
ＧａＮを含む多重量子井戸構造よりなる活性層をＡｌＧ
ａＮ、ＧａＮ等で挟んだダブルへテロ構造を有してい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】透明な絶縁性の接着剤
でダイボンディングされたＬＥＤは、接着剤自身が発光
を透過するために、ＬＥＤの外部量子効率を向上させる
上で非常に効果的である。しかし、有機物を含んでいる
ため、短波長による有機物の劣化と、長時間の使用によ
り接着剤が変色して外部量子効率を低下させる恐れがあ
る。また、基板と支持体との接着性が不十分であると、
ワイヤーボンディング時にチップが支持体から剥がれた
り、ずれたりする恐れがある。
でダイボンディングされたＬＥＤは、接着剤自身が発光
を透過するために、ＬＥＤの外部量子効率を向上させる
上で非常に効果的である。しかし、有機物を含んでいる
ため、短波長による有機物の劣化と、長時間の使用によ
り接着剤が変色して外部量子効率を低下させる恐れがあ
る。また、基板と支持体との接着性が不十分であると、
ワイヤーボンディング時にチップが支持体から剥がれた
り、ずれたりする恐れがある。
【０００５】一方、ＬＤの場合はパルス発振には成功し
たが、発光チップがヒートシンクのような支持体にダイ
ボンディングされた完成体は未だ開発されていない。Ｌ
Ｄの場合、ＬＥＤと異なり、チップの発熱量が桁違いに
大きい。そのため、発光チップをダイボンディングする
には熱伝導性に優れた接着剤を選択する必要がある。さ
らに、ワイヤーボンディング時に発光チップが支持体か
ら一部剥がれたり、ずれたりすると、接着剤と基板、若
しくは接着剤と支持体との間に空隙が存在し、密着性が
悪くなる。密着性が悪くなると、発光チップの発熱が十
分にヒートシンクに伝わらなくなるので、発振閾値が上
昇したり、発光チップの寿命を極端に短くする。
たが、発光チップがヒートシンクのような支持体にダイ
ボンディングされた完成体は未だ開発されていない。Ｌ
Ｄの場合、ＬＥＤと異なり、チップの発熱量が桁違いに
大きい。そのため、発光チップをダイボンディングする
には熱伝導性に優れた接着剤を選択する必要がある。さ
らに、ワイヤーボンディング時に発光チップが支持体か
ら一部剥がれたり、ずれたりすると、接着剤と基板、若
しくは接着剤と支持体との間に空隙が存在し、密着性が
悪くなる。密着性が悪くなると、発光チップの発熱が十
分にヒートシンクに伝わらなくなるので、発振閾値が上
昇したり、発光チップの寿命を極端に短くする。
【０００６】従って本発明の目的とするところは、酸化
物基板の上に成長された窒化物半導体よりなる発光チッ
プが、ヒートシンク、リードフレームのような支持体に
フェースアップでダイボンディングされた発光素子を実
現するに際し、チップの接着性が大きく、かつ放熱性の
高い発光素子を提供することにある。
物基板の上に成長された窒化物半導体よりなる発光チッ
プが、ヒートシンク、リードフレームのような支持体に
フェースアップでダイボンディングされた発光素子を実
現するに際し、チップの接着性が大きく、かつ放熱性の
高い発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】我々は窒化物半導体より
なる発光チップの基板側に数々の金属薄膜を形成して、
ダイボンディングすると接着強度が増大することを発見
し、さらに接着強度が強い金属のみを列挙してみたとこ
ろ、ある特定の金属元素に接着強度を増大させる傾向が
あることを見いだし、本発明をなすに至った。即ち、本
発明の窒化物半導体発光素子は、第１の主面と第２の主
面とを有する酸化物基板の第１の主面側に窒化物半導体
が成長され、第２の主面側に電気陰性度が２．０未満の
金属を含む第１の薄膜が形成された発光チップが、第１
の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着
剤を介して、支持体にダイボンディングされてなること
を特徴とする。なお電気陰性度はポーリング（L.Paulin
g）の値による。
なる発光チップの基板側に数々の金属薄膜を形成して、
ダイボンディングすると接着強度が増大することを発見
し、さらに接着強度が強い金属のみを列挙してみたとこ
ろ、ある特定の金属元素に接着強度を増大させる傾向が
あることを見いだし、本発明をなすに至った。即ち、本
発明の窒化物半導体発光素子は、第１の主面と第２の主
面とを有する酸化物基板の第１の主面側に窒化物半導体
が成長され、第２の主面側に電気陰性度が２．０未満の
金属を含む第１の薄膜が形成された発光チップが、第１
の薄膜と支持体表面とが対向した状態で、導電性の接着
剤を介して、支持体にダイボンディングされてなること
を特徴とする。なお電気陰性度はポーリング（L.Paulin
g）の値による。
【０００８】また、本発明の発光素子は、第１の薄膜が
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏよりなる群から選択され
た少なくとも一種の金属を含むことを特徴とする。
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏよりなる群から選択され
た少なくとも一種の金属を含むことを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明の発光素子は導電性接着剤
がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよりなる群から選択された少なくと
も一種の金属と、Ａｕとを含むことを特徴とし、例えば
Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅ等の導電性接着剤
を使用する。
がＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよりなる群から選択された少なくと
も一種の金属と、Ａｕとを含むことを特徴とし、例えば
Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅ等の導電性接着剤
を使用する。
【００１０】さらにまた、本発明の発光素子は、前記接
着剤と、第１の薄膜との間にＡｕよりも高融点を有する
金属よりなる第２の薄膜が形成されていることを特徴と
する。
着剤と、第１の薄膜との間にＡｕよりも高融点を有する
金属よりなる第２の薄膜が形成されていることを特徴と
する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る発光素子の一
構造を示す模式的な断面図であり、具体的には、レーザ
光の共振方向に垂直な方向で切断したレーザ素子の構造
を示している。発光チップの基本的な構造としては、酸
化物基板１の第１の主面上にｎ型層２、活性層３、ｐ型
層４が順に積層されたダブルへテロ構造を有しており、
さらにｐ型層から上をリッジ形状として、発光がｐ電極
１１の下に相当する活性層３に集中するようにされてい
る。発光チップはフェースアップの状態で支持体３０で
あるヒートシンク若しくはサブマウントに、導電性接着
剤２３を介してダイボンディングされており、酸化物基
板１の第２の主面側には導電性接着剤２３との接着性を
高める目的で、特定の金属よりなる第１の薄膜２１が形
成されている。なおｎ電極１０と、ｐ電極１１に電気的
に接続されたパッド電極１２とは、それぞれ金線（図で
はワイヤーと記載する。）でワイヤーボンディングされ
ている。
構造を示す模式的な断面図であり、具体的には、レーザ
光の共振方向に垂直な方向で切断したレーザ素子の構造
を示している。発光チップの基本的な構造としては、酸
化物基板１の第１の主面上にｎ型層２、活性層３、ｐ型
層４が順に積層されたダブルへテロ構造を有しており、
さらにｐ型層から上をリッジ形状として、発光がｐ電極
１１の下に相当する活性層３に集中するようにされてい
る。発光チップはフェースアップの状態で支持体３０で
あるヒートシンク若しくはサブマウントに、導電性接着
剤２３を介してダイボンディングされており、酸化物基
板１の第２の主面側には導電性接着剤２３との接着性を
高める目的で、特定の金属よりなる第１の薄膜２１が形
成されている。なおｎ電極１０と、ｐ電極１１に電気的
に接続されたパッド電極１２とは、それぞれ金線（図で
はワイヤーと記載する。）でワイヤーボンディングされ
ている。
【００１２】また基板１が酸化物基板であるので、基板
裏面（第２の主面）側にｎ電極を形成することができな
い。従って第１の主面側にある窒化物半導体層をエッチ
ングして、同一面側にｎ電極１０と、ｐ電極１１とを取
り出した構造としている。同一面側にｎ電極１０、ｐ電
極１１が形成された窒化物半導体レーザ素子では、この
図に示すように、レーザ光の共振方向に対して、ほぼ左
右対称にエッチングを行い、そのエッチング面にｎ電極
１０を左右対称に２ヶ所設けることにより、閾値電流が
低下する傾向にある。さらに、エッチングされて露出し
たｎ型層２のほぼ全面にｎ電極１０を設けると閾値電圧
も低下する傾向にある。
裏面（第２の主面）側にｎ電極を形成することができな
い。従って第１の主面側にある窒化物半導体層をエッチ
ングして、同一面側にｎ電極１０と、ｐ電極１１とを取
り出した構造としている。同一面側にｎ電極１０、ｐ電
極１１が形成された窒化物半導体レーザ素子では、この
図に示すように、レーザ光の共振方向に対して、ほぼ左
右対称にエッチングを行い、そのエッチング面にｎ電極
１０を左右対称に２ヶ所設けることにより、閾値電流が
低下する傾向にある。さらに、エッチングされて露出し
たｎ型層２のほぼ全面にｎ電極１０を設けると閾値電圧
も低下する傾向にある。
【００１３】さらに、ｐ電極１１に電気的に接続し、ｐ
電極よりも表面積が大きいワイヤーボンディング用のパ
ッド電極１２を形成している。パッド電極１２はエッチ
ングにより露出された窒化物半導体層の表面に形成され
た絶縁膜１３を介して形成する。ｐ電極１１はその表面
積がワイヤーボンドできるほど大きくない。従って、ｐ
電極１１と電気的に接続したパッド電極１２を設けるこ
とにより、ｐ電極にワイヤーボンディングできるように
している。なお、ｐ電極１１は最上層のｐ型層４にオー
ミック接触する必要があるため、その材料が限定される
が、パッド電極１２はｐ電極１１と強固に接着できて、
導電性の良好な材料であればどのような材料でもよい。
また、絶縁膜１３は例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ポリイミドのような絶縁性の材料で形成すること
ができ、例えば１００オングストローム〜５μｍ以下の
膜厚で、ｎ電極１０、ｐ電極１１を形成すべき窒化物半
導体層の表面を除いたほぼ全面に形成する。絶縁膜１３
はパッド電極１２がｎ型層２に接触してショートするの
を防止すると共に、発光チップ表面に傷が入って素子を
ダメにするのを防止する作用がある。
電極よりも表面積が大きいワイヤーボンディング用のパ
ッド電極１２を形成している。パッド電極１２はエッチ
ングにより露出された窒化物半導体層の表面に形成され
た絶縁膜１３を介して形成する。ｐ電極１１はその表面
積がワイヤーボンドできるほど大きくない。従って、ｐ
電極１１と電気的に接続したパッド電極１２を設けるこ
とにより、ｐ電極にワイヤーボンディングできるように
している。なお、ｐ電極１１は最上層のｐ型層４にオー
ミック接触する必要があるため、その材料が限定される
が、パッド電極１２はｐ電極１１と強固に接着できて、
導電性の良好な材料であればどのような材料でもよい。
また、絶縁膜１３は例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ
2Ｏ3、ポリイミドのような絶縁性の材料で形成すること
ができ、例えば１００オングストローム〜５μｍ以下の
膜厚で、ｎ電極１０、ｐ電極１１を形成すべき窒化物半
導体層の表面を除いたほぼ全面に形成する。絶縁膜１３
はパッド電極１２がｎ型層２に接触してショートするの
を防止すると共に、発光チップ表面に傷が入って素子を
ダメにするのを防止する作用がある。
【００１４】次に本発明の重要な点である酸化物基板
と、第１の薄膜との関係について述べる。本発明の発光
素子では基板に酸化物が用いられる。酸化物基板にはサ
ファイア（Ａｌ2Ｏ3）、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等の単結晶を
用いることができるが、一般的にはサファイア若しくは
スピネルを用いる。
と、第１の薄膜との関係について述べる。本発明の発光
素子では基板に酸化物が用いられる。酸化物基板にはサ
ファイア（Ａｌ2Ｏ3）、スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等の単結晶を
用いることができるが、一般的にはサファイア若しくは
スピネルを用いる。
【００１５】次に酸化物基板の第２の主面側に形成する
第１の薄膜２１は、電気陰性度が２．０未満の金属で、
空気中で安定な金属であればよく、例えばＡｌ＝１．
５、Ｔｉ＝１．５、Ｚｒ＝１．４、Ｃｒ＝１．６、Ｎｉ
＝１．８、Ｍｏ＝１．８、Ｗ＝１．７、Ｇｅ＝１．８、
Ｓｉ＝１．８、Ｓｎ＝１．８、Ｚｎ＝１．６、Ｃｕ＝
１．９、Ｍｎ＝１．５、Ｖ＝１．６、Ｎｂ＝１．６のよ
うに、アルカリ金属を除く金属で、融点が２００℃以上
の金属を使用することができ、その中でも最も好ましく
はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏよりなる群から選択さ
れた少なくとも一種の金属を第１の薄膜２１とする。第
１の薄膜２１は、蒸着、スパッタ等の通常のＣＶＤ装置
を用いて、通常５０オングストローム〜１０μｍの膜厚
で形成できる。この第１の薄膜を形成することにより、
酸化物基板１と導電性接着剤２３との接着性が良くな
り、さらに熱伝導性も向上する。
第１の薄膜２１は、電気陰性度が２．０未満の金属で、
空気中で安定な金属であればよく、例えばＡｌ＝１．
５、Ｔｉ＝１．５、Ｚｒ＝１．４、Ｃｒ＝１．６、Ｎｉ
＝１．８、Ｍｏ＝１．８、Ｗ＝１．７、Ｇｅ＝１．８、
Ｓｉ＝１．８、Ｓｎ＝１．８、Ｚｎ＝１．６、Ｃｕ＝
１．９、Ｍｎ＝１．５、Ｖ＝１．６、Ｎｂ＝１．６のよ
うに、アルカリ金属を除く金属で、融点が２００℃以上
の金属を使用することができ、その中でも最も好ましく
はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｍｏよりなる群から選択さ
れた少なくとも一種の金属を第１の薄膜２１とする。第
１の薄膜２１は、蒸着、スパッタ等の通常のＣＶＤ装置
を用いて、通常５０オングストローム〜１０μｍの膜厚
で形成できる。この第１の薄膜を形成することにより、
酸化物基板１と導電性接着剤２３との接着性が良くな
り、さらに熱伝導性も向上する。
【００１６】さらに、第１の薄膜２１と支持体３０とを
接続する導電性接着剤２３は金属を含んだ熱伝導性に優
れた接着剤を使用でき、例えば銀ペースト、Ｉｎペース
ト、Ｐｔペースト、Ｐｂ−Ｓｎ半田、その他金属系接着
剤があるが、その中でも特にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよりなる
群から選択された少なくとも一種の金属と、Ａｕとを含
む導電性接着剤、具体的にはＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、
Ａｕ−Ｓｎ等を用いる。これら具体的接着剤の各金属の
組成比は特に規定しないが、通常はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよ
りもＡｕを多く含む方が、より強い接着力と高い熱伝導
性が得られる。なお、導電性接着剤２３は発光チップを
ダイボンディングする際に、５０オングストローム〜１
０μｍ程度の薄膜の状態で、予め第１の薄膜２１の表面
に形成することもできるし、また支持体側に形成するこ
ともできる。
接続する導電性接着剤２３は金属を含んだ熱伝導性に優
れた接着剤を使用でき、例えば銀ペースト、Ｉｎペース
ト、Ｐｔペースト、Ｐｂ−Ｓｎ半田、その他金属系接着
剤があるが、その中でも特にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよりなる
群から選択された少なくとも一種の金属と、Ａｕとを含
む導電性接着剤、具体的にはＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、
Ａｕ−Ｓｎ等を用いる。これら具体的接着剤の各金属の
組成比は特に規定しないが、通常はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよ
りもＡｕを多く含む方が、より強い接着力と高い熱伝導
性が得られる。なお、導電性接着剤２３は発光チップを
ダイボンディングする際に、５０オングストローム〜１
０μｍ程度の薄膜の状態で、予め第１の薄膜２１の表面
に形成することもできるし、また支持体側に形成するこ
ともできる。
【００１７】図２は本発明のレーザ素子に係る他の態様
を示す模式的な断面図であり、図１と同様に、レーザ素
子をレーザ光の共振方向に垂直な方向で切断した際の断
面を示しており、図１と同一符号は同一部材を示してい
る。この素子が図１の素子と異なる点は、第１の薄膜の
上に、Ａｕよりも高融点を有する金属よりなる第２の薄
膜２２を形成していることにある。この第２の薄膜２２
の作用は、ダイボンディング時の加熱により、導電性接
着剤２３が第１の薄膜２１に混入してきて合金化し、第
１の薄膜を変質させるのを防止する作用がある。つま
り、第２の薄膜２２は第１の薄膜２１と導電性接着剤２
３との間のバリア層として作用し、接着力が低下するの
を防止する作用がある。第２の薄膜の材料としては例え
ばＰｔ、Ｔｉ、Ｎｉ等を好ましく用いることができる。
また第２の薄膜の膜厚も特に限定するものではなく、第
１の薄膜とほぼ同じ膜厚か、それよりも厚くすることが
望ましい。
を示す模式的な断面図であり、図１と同様に、レーザ素
子をレーザ光の共振方向に垂直な方向で切断した際の断
面を示しており、図１と同一符号は同一部材を示してい
る。この素子が図１の素子と異なる点は、第１の薄膜の
上に、Ａｕよりも高融点を有する金属よりなる第２の薄
膜２２を形成していることにある。この第２の薄膜２２
の作用は、ダイボンディング時の加熱により、導電性接
着剤２３が第１の薄膜２１に混入してきて合金化し、第
１の薄膜を変質させるのを防止する作用がある。つま
り、第２の薄膜２２は第１の薄膜２１と導電性接着剤２
３との間のバリア層として作用し、接着力が低下するの
を防止する作用がある。第２の薄膜の材料としては例え
ばＰｔ、Ｔｉ、Ｎｉ等を好ましく用いることができる。
また第２の薄膜の膜厚も特に限定するものではなく、第
１の薄膜とほぼ同じ膜厚か、それよりも厚くすることが
望ましい。
【００１８】本発明の発光素子において、酸化物基板の
第２の主面にＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｂ等
の電気陰性度が２．０未満の金属薄膜を形成すると接着
力が向上するのかは定かではないが、他の２．０以上の
金属薄膜を形成した場合と明らかに差がある。この原因
は次のようなことが考えられる。発光チップをダイボン
ディングする際に導電性接着剤が数百℃に加熱される。
加熱時、熱は発光チップに形成された第１の薄膜、第２
の薄膜に伝わって、導電性接着剤に含まれる金属と、第
１の薄膜、第２の薄膜に含まれる金属とが一部、合金
化、若しくは共晶化する。この際に、酸化物基板の材料
と、第１の薄膜と、導電性接着剤との金属材料の組み合
わせで、何らかの物理的接着力、あるいは化学的接着力
が強まるのではないかと推察される。
第２の主面にＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｂ等
の電気陰性度が２．０未満の金属薄膜を形成すると接着
力が向上するのかは定かではないが、他の２．０以上の
金属薄膜を形成した場合と明らかに差がある。この原因
は次のようなことが考えられる。発光チップをダイボン
ディングする際に導電性接着剤が数百℃に加熱される。
加熱時、熱は発光チップに形成された第１の薄膜、第２
の薄膜に伝わって、導電性接着剤に含まれる金属と、第
１の薄膜、第２の薄膜に含まれる金属とが一部、合金
化、若しくは共晶化する。この際に、酸化物基板の材料
と、第１の薄膜と、導電性接着剤との金属材料の組み合
わせで、何らかの物理的接着力、あるいは化学的接着力
が強まるのではないかと推察される。
【００１９】
［実施例１］２インチφのサファイア基板Ｃ面（０００
１）の上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、
ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型光閉じこめ層と、ｎ型Ａｌ
ＧａＮよりなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性
層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型Ａｌ
ＧａＮよりなるｐ型光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりな
るｐ型コンタクト層とが積層されたレーザウェーハを用
意する。窒化物半導体の積層構造は単にレーザ発振する
ための一例を示したものであって、この構造に限定され
るものではない。
１）の上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、
ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型光閉じこめ層と、ｎ型Ａｌ
ＧａＮよりなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性
層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型Ａｌ
ＧａＮよりなるｐ型光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりな
るｐ型コンタクト層とが積層されたレーザウェーハを用
意する。窒化物半導体の積層構造は単にレーザ発振する
ための一例を示したものであって、この構造に限定され
るものではない。
【００２０】次に、このウェーハの窒化物半導体の最上
層に、所定の形状のマスクを形成した後、ＳｉＣｌ4ガ
ス、Ｃｌ2ガスを用いてＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）を行い、図１に示すような形状でｎ電極を形成すべ
きｎ型コンタクト層を露出させる。ｎ型コンタクト層露
出後、マスクを形成し、再度エッチングを行い。ｐ型コ
ンタクト層、ｐ型クラッド層の一部をエッチングし、図
１に示すように、ｐ型クラッド層から上をリッジ形状と
する。これらのエッチングにより、図１に示すように、
リッジ形状のストライプに対して左右対称なｎ型コンタ
クト層が露出される。
層に、所定の形状のマスクを形成した後、ＳｉＣｌ4ガ
ス、Ｃｌ2ガスを用いてＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）を行い、図１に示すような形状でｎ電極を形成すべ
きｎ型コンタクト層を露出させる。ｎ型コンタクト層露
出後、マスクを形成し、再度エッチングを行い。ｐ型コ
ンタクト層、ｐ型クラッド層の一部をエッチングし、図
１に示すように、ｐ型クラッド層から上をリッジ形状と
する。これらのエッチングにより、図１に示すように、
リッジ形状のストライプに対して左右対称なｎ型コンタ
クト層が露出される。
【００２１】ｎ型コンタクト層露出後、最上層のｐ型コ
ンタクト層と、ｎ電極を形成すべきｎ型コンタクト層の
表面を除く、窒化物半導体層の表面にＳｉＯ2よりなる
絶縁膜をＣＶＤ法を用いて１μｍの膜厚で形成する。絶
縁膜形成後、最上層のｐ型コンタクト層のほぼ全面に２
μｍのストライプ状のＮｉ−Ａｕよりなるｐ電極を形成
し、ｎ型コンタクト層のほぼ全面にストライプ状のＴｉ
−Ａｌよりなるｎ電極を形成する。そして、ｐ電極の上
には同じくＮｉ−Ａｕよりなるパッド電極を図１に示す
ように絶縁膜を介して形成する。
ンタクト層と、ｎ電極を形成すべきｎ型コンタクト層の
表面を除く、窒化物半導体層の表面にＳｉＯ2よりなる
絶縁膜をＣＶＤ法を用いて１μｍの膜厚で形成する。絶
縁膜形成後、最上層のｐ型コンタクト層のほぼ全面に２
μｍのストライプ状のＮｉ−Ａｕよりなるｐ電極を形成
し、ｎ型コンタクト層のほぼ全面にストライプ状のＴｉ
−Ａｌよりなるｎ電極を形成する。そして、ｐ電極の上
には同じくＮｉ−Ａｕよりなるパッド電極を図１に示す
ように絶縁膜を介して形成する。
【００２２】電極形成後、サファイア基板を８０μｍの
厚さまでラッピングと、ポリシングして研磨した後、そ
のポリシング面にＣＶＤ法を用いて、Ｔｉよりなる第１
の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成する。
厚さまでラッピングと、ポリシングして研磨した後、そ
のポリシング面にＣＶＤ法を用いて、Ｔｉよりなる第１
の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成する。
【００２３】続いてＴｉよりなる第１の薄膜の上に、Ａ
ｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層を
０．５μｍの膜厚で形成する。
ｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層を
０．５μｍの膜厚で形成する。
【００２４】導電性接着剤層形成後、基板を強制的に劈
開して、窒化物半導体の
開して、窒化物半導体の
【外１】 面に相当する面に共振面を作成し、バー状のレーザチッ
プを作製する。なお外１面とは窒化物半導体を六方晶系
で近似した際に表される六角柱の側面（四角形の面、Ｍ
面）に相当する面である。
プを作製する。なお外１面とは窒化物半導体を六方晶系
で近似した際に表される六角柱の側面（四角形の面、Ｍ
面）に相当する面である。
【００２５】次にバー状のレーザチップの共振面側に、
プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＯ2とＴｉＯ2よりな
る誘電体多層膜を形成して反射鏡を形成し、バー状のレ
ーザチップを今度はｎ電極に平行な位置でスクライブに
より分割して、３５０×５００μm角の矩形のレーザチ
ップを得る。
プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＯ2とＴｉＯ2よりな
る誘電体多層膜を形成して反射鏡を形成し、バー状のレ
ーザチップを今度はｎ電極に平行な位置でスクライブに
より分割して、３５０×５００μm角の矩形のレーザチ
ップを得る。
【００２６】以上のようにして得られたレーザチップ
を、４００℃に加熱したヒートシンクにフェースアップ
の状態でダイボンダーを用いてダイボンドする。ヒート
シンクにダイボンドされたレーザ素子を数千個作製し、
その中から１０００個をランダムに抜き取り、さらにｎ
電極とｐ電極とをそれぞれ金線でワイヤーボンディング
する。ワイヤーボンディング工程中、若しくはワイヤー
ボンディング後にレーザチップがヒートシンクから剥が
れたり、浮いたりしたものを取り除いたところ、歩留は
９９％以上あり、非常に強固にレーザ素子がダイボンド
されていることが判明した。さらに、このレーザ素子を
直流電流で発振させたところ、４１０ｎｍのレーザ発振
を示し、１時間以上の寿命であった。
を、４００℃に加熱したヒートシンクにフェースアップ
の状態でダイボンダーを用いてダイボンドする。ヒート
シンクにダイボンドされたレーザ素子を数千個作製し、
その中から１０００個をランダムに抜き取り、さらにｎ
電極とｐ電極とをそれぞれ金線でワイヤーボンディング
する。ワイヤーボンディング工程中、若しくはワイヤー
ボンディング後にレーザチップがヒートシンクから剥が
れたり、浮いたりしたものを取り除いたところ、歩留は
９９％以上あり、非常に強固にレーザ素子がダイボンド
されていることが判明した。さらに、このレーザ素子を
直流電流で発振させたところ、４１０ｎｍのレーザ発振
を示し、１時間以上の寿命であった。
【００２７】［実施例２］実施例１において、Ｔｉより
なる第１の薄膜の上に、Ｐｔよりなる第２の薄膜を０．
２μｍの膜厚で形成し、その第２の薄膜の上にＡｕ−Ｓ
ｉよりなる導電性接着剤層を同様に形成する。その他は
実施例１と同様にしてレーザチップをダイボンドした
後、電極をワイヤーボンドしたところ、歩留は９９．５
％以上であり、レーザチップがヒートシンクから剥がれ
たものは発見されなかった。さらにレーザ素子の寿命も
実施例１とほぼ同等の寿命であった。
なる第１の薄膜の上に、Ｐｔよりなる第２の薄膜を０．
２μｍの膜厚で形成し、その第２の薄膜の上にＡｕ−Ｓ
ｉよりなる導電性接着剤層を同様に形成する。その他は
実施例１と同様にしてレーザチップをダイボンドした
後、電極をワイヤーボンドしたところ、歩留は９９．５
％以上であり、レーザチップがヒートシンクから剥がれ
たものは発見されなかった。さらにレーザ素子の寿命も
実施例１とほぼ同等の寿命であった。
【００２８】［実施例３］実施例１において、基板にス
ピネル基板を用い、スピネル基板の第１の主面に窒化物
半導体を成長させ、成長後、研磨したスピネル基板の第
２の主面側にＣｒよりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜
厚で形成し、そのＣｒよりなる第１の薄膜の上にＡｕ−
Ｇｅ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層を同じ
く０．５μｍの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチ
ップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同
じく歩留は９９％以上であり、レーザ素子の寿命も実施
例１のものとほぼ同等であった。
ピネル基板を用い、スピネル基板の第１の主面に窒化物
半導体を成長させ、成長後、研磨したスピネル基板の第
２の主面側にＣｒよりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜
厚で形成し、そのＣｒよりなる第１の薄膜の上にＡｕ−
Ｇｅ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層を同じ
く０．５μｍの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチ
ップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同
じく歩留は９９％以上であり、レーザ素子の寿命も実施
例１のものとほぼ同等であった。
【００２９】［実施例４］実施例３において、Ｃｒより
なる第１の薄膜の上に、Ｗよりなる第２の薄膜を０．２
μｍの膜厚で形成し、その第２の薄膜の上にＡｕ−Ｓｉ
よりなる導電性接着剤層を同様に形成する。その他は実
施例１と同様にしてレーザチップをダイボンドした後、
電極をワイヤーボンドしたところ、歩留は９９．５％以
上であり、レーザチップがヒートシンクから剥がれたも
のは発見されなかった。さらにレーザ素子の寿命も実施
例１とほぼ同等の寿命であった。
なる第１の薄膜の上に、Ｗよりなる第２の薄膜を０．２
μｍの膜厚で形成し、その第２の薄膜の上にＡｕ−Ｓｉ
よりなる導電性接着剤層を同様に形成する。その他は実
施例１と同様にしてレーザチップをダイボンドした後、
電極をワイヤーボンドしたところ、歩留は９９．５％以
上であり、レーザチップがヒートシンクから剥がれたも
のは発見されなかった。さらにレーザ素子の寿命も実施
例１とほぼ同等の寿命であった。
【００３０】［実施例５］実施例１において、基板にス
ピネル基板を用い、スピネル基板の第１の主面に窒化物
半導体を成長させ、成長後、研磨したスピネル基板の第
２の主面側にＮｉよりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜
厚で形成し、そのＮｉよりなる第１の薄膜の上にＡｕ−
Ｓｉ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層を同じ
く０．５μｍの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチ
ップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同
じく歩留は９９％以上であり、レーザ素子の寿命も実施
例１のものとほぼ同等であった。
ピネル基板を用い、スピネル基板の第１の主面に窒化物
半導体を成長させ、成長後、研磨したスピネル基板の第
２の主面側にＮｉよりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜
厚で形成し、そのＮｉよりなる第１の薄膜の上にＡｕ−
Ｓｉ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層を同じ
く０．５μｍの膜厚で形成する他は同様にしてレーザチ
ップを得て、ワイヤーボンディングを行ったところ、同
じく歩留は９９％以上であり、レーザ素子の寿命も実施
例１のものとほぼ同等であった。
【００３１】［実施例６］実施例１において、研磨した
サファイア基板の第２の主面側にＺｒよりなる第１の薄
膜を０．１μｍの膜厚で形成し、そのＺｒよりなる第１
の薄膜の上にＡｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導
電性接着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は
同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディング
を行ったところ、同じく歩留は９９％以上であり、レー
ザ素子の寿命も実施例１のものとほぼ同等であった。
サファイア基板の第２の主面側にＺｒよりなる第１の薄
膜を０．１μｍの膜厚で形成し、そのＺｒよりなる第１
の薄膜の上にＡｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導
電性接着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は
同様にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディング
を行ったところ、同じく歩留は９９％以上であり、レー
ザ素子の寿命も実施例１のものとほぼ同等であった。
【００３２】［実施例７］実施例１において、研磨した
サファイア基板の第２の主面側にＭｏよりなる第１の薄
膜を０．１μｍの膜厚で形成し、Ｍｏよりなる第１の薄
膜の上にＡｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導電性
接着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様
にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行
ったところ、同じく歩留は９９％以上であり、レーザ素
子の寿命も実施例１のものとほぼ同等であった。
サファイア基板の第２の主面側にＭｏよりなる第１の薄
膜を０．１μｍの膜厚で形成し、Ｍｏよりなる第１の薄
膜の上にＡｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導電性
接着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様
にしてレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行
ったところ、同じく歩留は９９％以上であり、レーザ素
子の寿命も実施例１のものとほぼ同等であった。
【００３３】［実施例８〜１６］実施例１において、研
磨したサファイア基板の第２の主面側に、それぞれＡｌ
（例８）、Ｗ（例９）、Ｓｉ（例１０）、Ｓｎ（例１
１）、Ｚｎ（例１２）、Ｃｕ（例１３）、Ｍｎ（例１
４）、Ｖ（例１５）、Ｎｂ（例１６）よりなる第１の薄
膜を０．１μｍの膜厚で形成し、その第１の薄膜の上に
Ａｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層
を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様にしてレ
ーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったとこ
ろ、それぞれ歩留は実施例１に比較して９３〜９５％以
上とやや低下したが、レーザ素子の寿命は実施例１のも
のとほぼ同等であった。
磨したサファイア基板の第２の主面側に、それぞれＡｌ
（例８）、Ｗ（例９）、Ｓｉ（例１０）、Ｓｎ（例１
１）、Ｚｎ（例１２）、Ｃｕ（例１３）、Ｍｎ（例１
４）、Ｖ（例１５）、Ｎｂ（例１６）よりなる第１の薄
膜を０．１μｍの膜厚で形成し、その第１の薄膜の上に
Ａｕ−Ｓｎ（７０％−３０％）よりなる導電性接着剤層
を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様にしてレ
ーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行ったとこ
ろ、それぞれ歩留は実施例１に比較して９３〜９５％以
上とやや低下したが、レーザ素子の寿命は実施例１のも
のとほぼ同等であった。
【００３４】［比較例１］実施例１において、研磨した
サファイア基板の第２の主面側にＰｄ（電気陰性度＝
２．２よりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成
し、その第１の薄膜の上にＡｕ−Ｓｎ（７０％−３０
％）よりなる導電性接着剤層を同じく０．５μｍの膜厚
で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤ
ーボンディングを行ったところ、同じく歩留は８５％に
低下した。
サファイア基板の第２の主面側にＰｄ（電気陰性度＝
２．２よりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成
し、その第１の薄膜の上にＡｕ−Ｓｎ（７０％−３０
％）よりなる導電性接着剤層を同じく０．５μｍの膜厚
で形成する他は同様にしてレーザチップを得て、ワイヤ
ーボンディングを行ったところ、同じく歩留は８５％に
低下した。
【００３５】［比較例２］実施例１において、研磨した
サファイア基板の第２の主面側にＰｔ（電気陰性度＝
２．２よりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成
し、その第１の薄膜の上に銀ペーストよりなる導電性接
着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様に
してレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行っ
たところ、歩留は６０％に低下した。
サファイア基板の第２の主面側にＰｔ（電気陰性度＝
２．２よりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成
し、その第１の薄膜の上に銀ペーストよりなる導電性接
着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様に
してレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行っ
たところ、歩留は６０％に低下した。
【００３６】［比較例３］実施例１において、研磨した
サファイア基板の第２の主面側にＡｕ（電気陰性度＝
２．４）よりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成
し、その第１の薄膜の上にＡｕ−Ｇｅよりなる導電性接
着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様に
してレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行っ
たところ、歩留は８８％に低下した。
サファイア基板の第２の主面側にＡｕ（電気陰性度＝
２．４）よりなる第１の薄膜を０．１μｍの膜厚で形成
し、その第１の薄膜の上にＡｕ−Ｇｅよりなる導電性接
着剤層を同じく０．５μｍの膜厚で形成する他は同様に
してレーザチップを得て、ワイヤーボンディングを行っ
たところ、歩留は８８％に低下した。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化物半
導体素子では、窒化物半導体層を形成していない基板側
に、特定の金属よりなる薄膜を形成し、この特定の金属
を形成した状態で、支持体に加熱しながらＡｕ−Ｓｎ等
の導電性接着剤を介してボンディングすることにより、
発光チップの接着性が向上する。さらに、第１の薄膜の
上に高融点金属よりなる第２の薄膜を形成すると、バリ
ア効果が高まりさらに接着性が向上する。さらにまた、
本発明の発光素子ではボンディング材料がすべて金属を
含む熱伝導性のよい材料を使用しているために、特にレ
ーザ素子のような放熱性を要求される発光デバイスに使
用すると、素子の寿命を向上させる上でも非常に都合が
よい。以上、本発明の発光素子ではレーザ素子について
説明したが、本発明はレーザ素子だけではなく、ＬＥＤ
素子にも適用することも可能である。
導体素子では、窒化物半導体層を形成していない基板側
に、特定の金属よりなる薄膜を形成し、この特定の金属
を形成した状態で、支持体に加熱しながらＡｕ−Ｓｎ等
の導電性接着剤を介してボンディングすることにより、
発光チップの接着性が向上する。さらに、第１の薄膜の
上に高融点金属よりなる第２の薄膜を形成すると、バリ
ア効果が高まりさらに接着性が向上する。さらにまた、
本発明の発光素子ではボンディング材料がすべて金属を
含む熱伝導性のよい材料を使用しているために、特にレ
ーザ素子のような放熱性を要求される発光デバイスに使
用すると、素子の寿命を向上させる上でも非常に都合が
よい。以上、本発明の発光素子ではレーザ素子について
説明したが、本発明はレーザ素子だけではなく、ＬＥＤ
素子にも適用することも可能である。
【図１】 本発明の発光素子に係る一構造を示す模式断
面図。
面図。
【図２】 本発明の発光素子に係る他の構造を示す模式
断面図。
断面図。
【符号の説明】 １・・・・酸化物基板 ２・・・・ｎ型層 ３・・・・活性層 ４・・・・ｐ型層 １０・・・・ｎ電極 １１・・・・ｐ電極 １２・・・・パッド電極 １３・・・・絶縁膜 ２１・・・・第１の薄膜 ２２・・・・第２の薄膜 ２３・・・・導電性接着剤 ３０・・・・支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸岡 亜寿佳 徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化 学工業株式会社内 (72)発明者 吉田 妃呂子 徳島県阿南市上中町岡491番地100 日亜化 学工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 第１の主面と第２の主面とを有する酸化
物基板の第１の主面側に窒化物半導体が成長され、第２
の主面側に電気陰性度が２．０未満の金属を含む第１の
薄膜が形成された発光チップが、第１の薄膜と支持体表
面とが対向した状態で、導電性の接着剤を介して、支持
体にダイボンディングされてなることを特徴とする窒化
物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記金属薄膜はＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚ
ｒ、Ｍｏよりなる群から選択された少なくとも一種の金
属を含むことを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導
体発光素子。 - 【請求項３】 前記接着剤はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎよりなる
群から選択された少なくとも一種の金属と、Ａｕとを含
むことを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半
導体発光素子。 - 【請求項４】 前記接着剤と、第１の薄膜との間にＡｕ
よりも高融点を有する金属よりなる第２の薄膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれ
か１項に記載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26191996A JP3495853B2 (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | 窒化物半導体レーザ |
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|---|---|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001375085A Division JP3620498B2 (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 窒化物半導体レーザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107384A true JPH10107384A (ja) | 1998-04-24 |
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Family
ID=17368557
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|---|---|---|---|
| JP26191996A Expired - Fee Related JP3495853B2 (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | 窒化物半導体レーザ |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332343A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2002094117A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-29 | Renyu Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード素子及びその製造方法 |
| JP2008060167A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置 |
| JP2013016871A (ja) * | 2012-10-24 | 2013-01-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子、並びにそれを用いた発光装置 |
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1996
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