JPH10106982A - 研磨方法 - Google Patents
研磨方法Info
- Publication number
- JPH10106982A JPH10106982A JP25913896A JP25913896A JPH10106982A JP H10106982 A JPH10106982 A JP H10106982A JP 25913896 A JP25913896 A JP 25913896A JP 25913896 A JP25913896 A JP 25913896A JP H10106982 A JPH10106982 A JP H10106982A
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- Japan
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- film
- polishing
- polished
- passivation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２種類以上の膜からなる形成膜を選択的に研
磨して、簡略及び高精度に絶縁膜等の形成膜を平坦化す
る方法を提供する。 【解決手段】 ある特定の層間絶縁膜や層間平坦化膜の
表面に、研磨剤粒子或いは研磨液組成物と膜組成物との
反応生成物からなる不動態膜を形成が形成されるため
に、その膜の研磨がほとんど進行しないという特性を利
用し、２以上の形成層のうちある特定の１種類の膜の表
面のみに研磨が進行しないような不動態膜を形成して、
その他の膜を選択的に研磨する。
磨して、簡略及び高精度に絶縁膜等の形成膜を平坦化す
る方法を提供する。 【解決手段】 ある特定の層間絶縁膜や層間平坦化膜の
表面に、研磨剤粒子或いは研磨液組成物と膜組成物との
反応生成物からなる不動態膜を形成が形成されるため
に、その膜の研磨がほとんど進行しないという特性を利
用し、２以上の形成層のうちある特定の１種類の膜の表
面のみに研磨が進行しないような不動態膜を形成して、
その他の膜を選択的に研磨する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体及び電子部
品作製プロセスに利用される半導体基板に形成された絶
縁膜等の基板の研磨方法を提供するものである。
品作製プロセスに利用される半導体基板に形成された絶
縁膜等の基板の研磨方法を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上にデバイス及び配線パター
ンを形成するプロセスに用いられる研磨工程において、
被研磨膜を平坦化の目的或いは不要な部分を除去する目
的で、化学的研磨作用と機械的研磨作用の複合効果を利
用した化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍ
ｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が適用され
始めた。現在、層間絶縁膜ＣＭＰの被研磨材としては、
ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ２であり、研磨剤とし
てはコロイダルシリカを分散させた研磨液が広く使われ
ている。また、一部で金属元素汚染の防止、研磨速度や
均一性の改善の目的で酸化セリウムを分散させた研磨液
も使われている（特開平５−３２６４６９号公報）。
ンを形成するプロセスに用いられる研磨工程において、
被研磨膜を平坦化の目的或いは不要な部分を除去する目
的で、化学的研磨作用と機械的研磨作用の複合効果を利
用した化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍ
ｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）が適用され
始めた。現在、層間絶縁膜ＣＭＰの被研磨材としては、
ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ２であり、研磨剤とし
てはコロイダルシリカを分散させた研磨液が広く使われ
ている。また、一部で金属元素汚染の防止、研磨速度や
均一性の改善の目的で酸化セリウムを分散させた研磨液
も使われている（特開平５−３２６４６９号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のコロイダルシリ
カ研磨液や酸化セリウム研磨液による研磨方法では、研
磨の終点管理は、時間管理或いは機械的硬度の高い物質
などで特別に形成したストッパーを用いた管理によるも
のであった。しかし、これらの方法では時間的に安定し
た一定の研磨速度が必要であったり、ストッパーパター
ン形成のための余分なプロセスが必要であり、管理の安
定性や技術開発、コストの面でプロセス導入に問題があ
った。そこで、手間のかかるストッパー形成に頼らず
に、かつ安定して管理することができる終点管理方法の
開発が求められている。本発明は、ＳｉＯ2絶縁膜等の
被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能な酸化セリ
ウム研磨剤及び基板の研磨法を提供するものである。
カ研磨液や酸化セリウム研磨液による研磨方法では、研
磨の終点管理は、時間管理或いは機械的硬度の高い物質
などで特別に形成したストッパーを用いた管理によるも
のであった。しかし、これらの方法では時間的に安定し
た一定の研磨速度が必要であったり、ストッパーパター
ン形成のための余分なプロセスが必要であり、管理の安
定性や技術開発、コストの面でプロセス導入に問題があ
った。そこで、手間のかかるストッパー形成に頼らず
に、かつ安定して管理することができる終点管理方法の
開発が求められている。本発明は、ＳｉＯ2絶縁膜等の
被研磨面を傷なく高速に研磨することが可能な酸化セリ
ウム研磨剤及び基板の研磨法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の研磨方法は、基
板上に２種類以上の異なる膜からなる形成層を研磨する
方法であって、前記形成層のうちある特定の１種類の膜
の表面のみに研磨が進行しないような不動態膜を形成し
て、その他の膜を選択的に研磨することを特徴とするも
のである。
板上に２種類以上の異なる膜からなる形成層を研磨する
方法であって、前記形成層のうちある特定の１種類の膜
の表面のみに研磨が進行しないような不動態膜を形成し
て、その他の膜を選択的に研磨することを特徴とするも
のである。
【０００５】本発明の研磨方法は、ある特定の層間絶縁
膜や層間平坦化膜の表面に、研磨剤粒子或いは研磨液組
成物と膜組成物との反応生成物からなる不動態膜を形成
が形成されるために、その膜の研磨がほとんど進行しな
いという特性を利用したものである。本発明において、
不動態膜とは、元々の被研磨膜よりも研磨速度が遅くな
るような表面層をさす。この不動態膜が形成されるよう
な特定の層間絶縁膜や層間平坦化膜が、半導体チップの
パターン形成に使用される場合には、その上層に研磨が
進行する別の層間膜を形成することにより、下層の膜を
ストッパーとしてグローバルな平坦性を実現することが
可能になる。
膜や層間平坦化膜の表面に、研磨剤粒子或いは研磨液組
成物と膜組成物との反応生成物からなる不動態膜を形成
が形成されるために、その膜の研磨がほとんど進行しな
いという特性を利用したものである。本発明において、
不動態膜とは、元々の被研磨膜よりも研磨速度が遅くな
るような表面層をさす。この不動態膜が形成されるよう
な特定の層間絶縁膜や層間平坦化膜が、半導体チップの
パターン形成に使用される場合には、その上層に研磨が
進行する別の層間膜を形成することにより、下層の膜を
ストッパーとしてグローバルな平坦性を実現することが
可能になる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の研磨方法で使用される酸
化セリウム研磨剤は、水中に酸化セリウム粒子を分散さ
せたスラリーよりなるものであり、酸化セリウム粒子と
して、水中に分散された３価の非水溶性セリウム化合物
を酸化剤で酸化することによって得られる酸化セリウム
粒子が使用される。この酸化セリウム研磨剤は、半導体
基板上にＣＶＤ法等によって形成されるＳｉＯ2膜に対
しては、表面に不動態膜を形成するために研磨速度が非
常に遅いのに対し、有機ＳＯＧ膜に対しては高速研磨が
可能であるために、ＳｉＯ2膜に対し有機ＳＯＧ膜の選
択研磨が可能である。有機ＳＯＧ膜の一般的な使用法で
ある下層及び上層にＣＶＤ−ＳｉＯ2膜を形成する方法
では、下層のＳｉＯ2膜をストッパーとして有機ＳＯＧ
膜の平坦化が可能である。
化セリウム研磨剤は、水中に酸化セリウム粒子を分散さ
せたスラリーよりなるものであり、酸化セリウム粒子と
して、水中に分散された３価の非水溶性セリウム化合物
を酸化剤で酸化することによって得られる酸化セリウム
粒子が使用される。この酸化セリウム研磨剤は、半導体
基板上にＣＶＤ法等によって形成されるＳｉＯ2膜に対
しては、表面に不動態膜を形成するために研磨速度が非
常に遅いのに対し、有機ＳＯＧ膜に対しては高速研磨が
可能であるために、ＳｉＯ2膜に対し有機ＳＯＧ膜の選
択研磨が可能である。有機ＳＯＧ膜の一般的な使用法で
ある下層及び上層にＣＶＤ−ＳｉＯ2膜を形成する方法
では、下層のＳｉＯ2膜をストッパーとして有機ＳＯＧ
膜の平坦化が可能である。
【０００７】所定の半導体基板、すなわち回路素子と配
線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が
形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に形成さ
れた（下層にＣＶＤ−ＳｉＯ2膜を形成した）有機ＳＯ
Ｇ絶縁膜層を上記酸化セリウムスラリーで研磨する。有
機ＳＯＧ膜が除去され、下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が現れ
た部分では、その部分に不動態膜が形成され、全体の研
磨速度が急激に低下するとともに、基盤のキャリアや定
盤の回転トルク（モーター消費電流）が変化する。研磨
速度の変化によりストッパーとして、或いは回転トルク
の変化により終点検出の手段として終点管理を行うこと
により、下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が現れた高さで有機Ｓ
ＯＧ層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平
滑な面とする。ここで、研磨する装置としては、半導体
基板を保持するキャリアと研磨パッドを貼り付けた（回
転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤を有
する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとして
は、一般的な不職布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素
樹脂などが使用でき、特に制限は無い。また、研磨布に
はスラリーが留まる様な溝加工を施すことが好ましい。
線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が
形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に形成さ
れた（下層にＣＶＤ−ＳｉＯ2膜を形成した）有機ＳＯ
Ｇ絶縁膜層を上記酸化セリウムスラリーで研磨する。有
機ＳＯＧ膜が除去され、下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が現れ
た部分では、その部分に不動態膜が形成され、全体の研
磨速度が急激に低下するとともに、基盤のキャリアや定
盤の回転トルク（モーター消費電流）が変化する。研磨
速度の変化によりストッパーとして、或いは回転トルク
の変化により終点検出の手段として終点管理を行うこと
により、下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が現れた高さで有機Ｓ
ＯＧ層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平
滑な面とする。ここで、研磨する装置としては、半導体
基板を保持するキャリアと研磨パッドを貼り付けた（回
転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤を有
する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとして
は、一般的な不職布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素
樹脂などが使用でき、特に制限は無い。また、研磨布に
はスラリーが留まる様な溝加工を施すことが好ましい。
【０００８】有機ＳＯＧ膜とは、例えばアルコキシシラ
ン及びアルキルアルコキシシランをアルコールなどの有
機溶媒中で水及び触媒を添加することにより加水分解し
て得られる塗布液をスピンコート法などにより基板に塗
布後、加熱処理により硬化さたものである。このような
絶縁膜において、絶縁中のシロキサン結合に由来するＳ
ｉ原子数とアルキル基に由来するＣ原子数が、 Ｃ原子数／（Ｓｉ原子数＋Ｃ原子数）≧０．１ の関係にある絶縁膜が好ましい。
ン及びアルキルアルコキシシランをアルコールなどの有
機溶媒中で水及び触媒を添加することにより加水分解し
て得られる塗布液をスピンコート法などにより基板に塗
布後、加熱処理により硬化さたものである。このような
絶縁膜において、絶縁中のシロキサン結合に由来するＳ
ｉ原子数とアルキル基に由来するＣ原子数が、 Ｃ原子数／（Ｓｉ原子数＋Ｃ原子数）≧０．１ の関係にある絶縁膜が好ましい。
【０００９】研磨条件には制限は無いが、定盤の回転速
度は半導体基板が飛び出さないように１００ｒｐｍ以下
の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力は研磨後
に傷が発生しないように１Ｋｇ／ｃｍ2以下が好まし
い。研磨している間、研磨布にはスラリーをポンプ等で
連続的に供給する。この時の供給量には制限は無いが、
研磨パッドの表面が常にスラリーで覆われていることが
好ましい。
度は半導体基板が飛び出さないように１００ｒｐｍ以下
の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力は研磨後
に傷が発生しないように１Ｋｇ／ｃｍ2以下が好まし
い。研磨している間、研磨布にはスラリーをポンプ等で
連続的に供給する。この時の供給量には制限は無いが、
研磨パッドの表面が常にスラリーで覆われていることが
好ましい。
【００１０】研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く
洗浄後、表面に付着した酸化セリウム粒子を除去するた
めに、過酸化水素の存在下で硝酸、硫酸、過酸化水素、
炭酸アンモニウム水溶液それぞれの単独液及び混合液中
に浸漬してから再度水洗し、乾燥する。ここで、浸漬時
間には特に制限は無いが、酸化セリウム粒子の溶解によ
って生じる気泡が発生しなくなる時点で処理の終了を判
断することができる。また、浸漬温度には特に制限は無
いが、過酸化水素水などの自己分解性を示すものを用い
る場合には、４０℃以下で処理することが好ましい。水
洗後は、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着
した水滴を払い落としてから乾燥させることが好まし
い。
洗浄後、表面に付着した酸化セリウム粒子を除去するた
めに、過酸化水素の存在下で硝酸、硫酸、過酸化水素、
炭酸アンモニウム水溶液それぞれの単独液及び混合液中
に浸漬してから再度水洗し、乾燥する。ここで、浸漬時
間には特に制限は無いが、酸化セリウム粒子の溶解によ
って生じる気泡が発生しなくなる時点で処理の終了を判
断することができる。また、浸漬温度には特に制限は無
いが、過酸化水素水などの自己分解性を示すものを用い
る場合には、４０℃以下で処理することが好ましい。水
洗後は、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着
した水滴を払い落としてから乾燥させることが好まし
い。
【００１１】このようにして平坦化された有機ＳＯＧ絶
縁膜層の上にＣＶＤ−ＳｉＯ2膜、そして第２層目のア
ルミニウム配線を形成し、その配線間及び配線上に再
度、下層ＣＶＤ−ＳｉＯ2薄膜及び有機ＳＯＧ絶縁膜を
形成後、上記酸化セリウムスラリーを用いて研磨するこ
とによって、絶縁膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板
全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返
すことにより、所望の層数の半導体を製造する。
縁膜層の上にＣＶＤ−ＳｉＯ2膜、そして第２層目のア
ルミニウム配線を形成し、その配線間及び配線上に再
度、下層ＣＶＤ−ＳｉＯ2薄膜及び有機ＳＯＧ絶縁膜を
形成後、上記酸化セリウムスラリーを用いて研磨するこ
とによって、絶縁膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板
全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返
すことにより、所望の層数の半導体を製造する。
【００１２】本発明の実施形態としてこの他に、磁気ヘ
ッド、磁気ディスクや半導体光部品などの２種類以上の
異なる膜からなる形成層を研磨する場合が考えられる。
ッド、磁気ディスクや半導体光部品などの２種類以上の
異なる膜からなる形成層を研磨する場合が考えられる。
【００１３】
【実施例】保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り
付けたキャリアに（下層にＣＶＤ−ＳｉＯ2薄膜層を含
む）有機ＳＯＧ層を形成させたＳｉウエハーをセット
し、多孔質フッ素樹脂製の研磨パッドを貼り付けた（回
転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）直径２２
インチ定盤上に直径６インチＳｉウエハー面を下にして
ホルダーを載せ、トータル１５０ｇ／ｃｍ2の荷重をか
けた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリーを２００ｃ
ｃ／分で滴下しながら、定盤を５０ｒｐｍで４分間回転
させ、有機ＳＯＧ膜を研磨した。研磨後、Ｓｉウエハー
をホルダーから外して、流水中で良く洗浄後、硝酸を入
れたビーカの中に浸し、このビーカを超音波洗浄機中に
セットして１０分間洗浄した。酸化セリウムの溶解に伴
う発泡が収まったことを確認後、ビーカ中からＳｉウエ
ハーを取りだし、スピンドライヤで水滴を除去後、１２
０℃の乾燥機で１０分間乾燥させた。自動エリプソメー
タを用いて研磨前後の膜厚変化を測定した結果、この研
磨により最初に下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が現れるまでの
約４０００Åの有機ＳＯＧ絶縁層が削られ、Ｓｉウエハ
ー全面に渡ってほぼ均一の厚みになっていることが分っ
た。研磨時間を３分、５分にして同様に研磨及び後洗浄
を行った結果、同様に下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が露出す
るまでの約４０００Åだけが研磨によって除去され、Ｓ
ｉウエハー全面に渡ってほぼ均一の厚みになっているこ
とが分った。これは、下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2膜表面に
研磨層度が急激に低下するような不動態膜が形成される
ことにより、それが研磨の進行を抑えるストッパーの役
割を果たしたためである。この工程を６回繰り返して６
層配線を形成させたが、その断面のＳＥＭ観察から、各
層においてＳｉ基板全面に渡りその表面の段差がほとん
ど認められず、配線パターンも精度良く切れていること
が分った。
付けたキャリアに（下層にＣＶＤ−ＳｉＯ2薄膜層を含
む）有機ＳＯＧ層を形成させたＳｉウエハーをセット
し、多孔質フッ素樹脂製の研磨パッドを貼り付けた（回
転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）直径２２
インチ定盤上に直径６インチＳｉウエハー面を下にして
ホルダーを載せ、トータル１５０ｇ／ｃｍ2の荷重をか
けた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリーを２００ｃ
ｃ／分で滴下しながら、定盤を５０ｒｐｍで４分間回転
させ、有機ＳＯＧ膜を研磨した。研磨後、Ｓｉウエハー
をホルダーから外して、流水中で良く洗浄後、硝酸を入
れたビーカの中に浸し、このビーカを超音波洗浄機中に
セットして１０分間洗浄した。酸化セリウムの溶解に伴
う発泡が収まったことを確認後、ビーカ中からＳｉウエ
ハーを取りだし、スピンドライヤで水滴を除去後、１２
０℃の乾燥機で１０分間乾燥させた。自動エリプソメー
タを用いて研磨前後の膜厚変化を測定した結果、この研
磨により最初に下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が現れるまでの
約４０００Åの有機ＳＯＧ絶縁層が削られ、Ｓｉウエハ
ー全面に渡ってほぼ均一の厚みになっていることが分っ
た。研磨時間を３分、５分にして同様に研磨及び後洗浄
を行った結果、同様に下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が露出す
るまでの約４０００Åだけが研磨によって除去され、Ｓ
ｉウエハー全面に渡ってほぼ均一の厚みになっているこ
とが分った。これは、下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2膜表面に
研磨層度が急激に低下するような不動態膜が形成される
ことにより、それが研磨の進行を抑えるストッパーの役
割を果たしたためである。この工程を６回繰り返して６
層配線を形成させたが、その断面のＳＥＭ観察から、各
層においてＳｉ基板全面に渡りその表面の段差がほとん
ど認められず、配線パターンも精度良く切れていること
が分った。
【００１４】比較例 実施例と同様にして半導体基板に下層にＣＶＤ−ＳｉＯ
2薄膜層を含む有機ＳＯＧ絶縁膜層を形成し、酸化セリ
ウムスラリーを用いた研磨をせずに、アンモニア水溶媒
系のコロイダルシリカスラリー（ＳＳ−２２５、Ｃａｂ
ｏｔ社製商品名）を用いて試みた。実施例と同様に直径
２２インチ定盤上に直径６インチＳｉウエハー面を下に
してホルダーを載せ、トータル１５０ｇ／ｃｍ2の荷重
をかけた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリーを２０
０ｃｃ／分で滴下しながら、５０ｒｐｍで３０分間研磨
したところ、約８０００Åが除去された。しかし、部分
的に下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が完全に除去され、下のＡ
ｌ配線が露出したり、断線している箇所が見受けられ
た。このように、研磨速度が小さいためにＳｉウエハー
全面に渡って平坦化するには効率が悪く、また、研磨の
終点制御が非常に難しいことがが分った。
2薄膜層を含む有機ＳＯＧ絶縁膜層を形成し、酸化セリ
ウムスラリーを用いた研磨をせずに、アンモニア水溶媒
系のコロイダルシリカスラリー（ＳＳ−２２５、Ｃａｂ
ｏｔ社製商品名）を用いて試みた。実施例と同様に直径
２２インチ定盤上に直径６インチＳｉウエハー面を下に
してホルダーを載せ、トータル１５０ｇ／ｃｍ2の荷重
をかけた。定盤上に上記の酸化セリウムスラリーを２０
０ｃｃ／分で滴下しながら、５０ｒｐｍで３０分間研磨
したところ、約８０００Åが除去された。しかし、部分
的に下層のＣＶＤ−ＳｉＯ2が完全に除去され、下のＡ
ｌ配線が露出したり、断線している箇所が見受けられ
た。このように、研磨速度が小さいためにＳｉウエハー
全面に渡って平坦化するには効率が悪く、また、研磨の
終点制御が非常に難しいことがが分った。
【００１５】
【発明の効果】本発明の研磨方法を利用した２種類以上
の膜からなる形成膜を研磨して目的とする構造を形成す
るプロセスにおいて、選択研磨を利用した平坦化によっ
て、プロセスの簡略化及び高精度化を実現することがで
きる。
の膜からなる形成膜を研磨して目的とする構造を形成す
るプロセスにおいて、選択研磨を利用した平坦化によっ
て、プロセスの簡略化及び高精度化を実現することがで
きる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺崎 裕樹 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社筑波開発研究所内 (72)発明者 丹野 清仁 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に２種類以上の異なる膜からなる
形成層を研磨する方法であって、前記形成層のうちある
特定の１種類の膜の表面のみに研磨が進行しないような
不動態膜を形成して、その他の膜を選択的に研磨するこ
とを特徴とする研磨方法。 - 【請求項２】 基板上に２種類以上の異なる膜からなる
形成層を研磨する方法であって、前記形成層のうちある
特定の１種類の膜の表面のみに研磨が進行しないような
不動態膜を形成して、その不動態膜が形成された膜部分
をストッパーとして、その他の膜を選択的に研磨するこ
とにより前記形成層を平坦化することを特徴とする研磨
方法。 - 【請求項３】 酸化セリウムを主成分とする研磨剤で研
磨する請求項１又は２記載の研磨方法。 - 【請求項４】 基板が半導体基板であり、その上の形成
層が有機ＳＯＧ膜及び化学気相堆積や熱酸化によって形
成されたＳｉＯ2膜であり、不動態膜が形成される膜が
ＳｉＯ2膜で、選択的に研磨される膜が有機ＳＯＧ膜で
ある請求項１〜３各項記載の研磨方法。
Priority Applications (26)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25913896A JPH10106982A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 研磨方法 |
| KR1020077015361A KR100775228B1 (ko) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 산화세륨 연마제 및 기판의 연마법 |
| DE69739413T DE69739413D1 (de) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Schleifmittel aus cerium oxid und verfahren zum schleifen von substraten |
| KR1020067021503A KR100761636B1 (ko) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 산화세륨 입자 |
| CNB031198198A CN1323124C (zh) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法 |
| US09/269,650 US6221118B1 (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| CA002263241A CA2263241C (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Cerium oxide abrasive and method of abrading substrates |
| EP97941287A EP0939431B1 (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Cerium oxide abrasive and method of abrading substrates |
| EP05106514A EP1610367B1 (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| KR1020027006123A KR100622519B1 (ko) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 산화세륨 입자 |
| CNB97199370XA CN1282226C (zh) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法 |
| KR1020067021504A KR100759182B1 (ko) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | 산화세륨 입자 |
| EP07109339.7A EP1833084B1 (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| EP09178160A EP2164095A1 (en) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| RU99109040/28A RU2178599C2 (ru) | 1996-09-30 | 1997-09-30 | Абразив из оксида церия и способ полирования подложек |
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