JP2000328044A - セリウム化合物研磨剤及び基板の研磨法 - Google Patents
セリウム化合物研磨剤及び基板の研磨法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷が極めて少
なく研磨することが可能なセリウム化合物研磨剤及び被
研磨面を傷が極めて少なく研磨することが可能な半導体
素子等の基板の研磨法を提供する。 【解決手段】 ４価のセリウムイオンを含む溶液を処理
することにより得られるコロイドを含むセリウム化合物
研磨剤及びこのセリウム化合物研磨剤で、所定の基板を
研磨する基板の研磨法。
なく研磨することが可能なセリウム化合物研磨剤及び被
研磨面を傷が極めて少なく研磨することが可能な半導体
素子等の基板の研磨法を提供する。 【解決手段】 ４価のセリウムイオンを含む溶液を処理
することにより得られるコロイドを含むセリウム化合物
研磨剤及びこのセリウム化合物研磨剤で、所定の基板を
研磨する基板の研磨法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セリウム化合物研
磨剤及び基板の研磨法に関する。
磨剤及び基板の研磨法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
プラズマ−ＣＶＤ、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される
ＳｉＯ2絶縁膜等の無機絶縁膜層を平坦化するための化
学機械研磨剤としてコロイダルシリカ系の研磨剤が一般
的に検討されている。コロイダルシリカ系の研磨剤は、
シリカ粒子を四塩化珪酸を熱分解する等の方法で粒成長
させ、アンモニア等のアルカリ金属を含まないアルカリ
溶液でpH調整を行って製造している。しかしながら、こ
の様な研磨剤はコロイダルシリカの凝集が進み大粒子が
生じ、研磨誤の無機絶縁膜表面に研磨傷が発生するとい
う問題がある。
プラズマ−ＣＶＤ、低圧−ＣＶＤ等の方法で形成される
ＳｉＯ2絶縁膜等の無機絶縁膜層を平坦化するための化
学機械研磨剤としてコロイダルシリカ系の研磨剤が一般
的に検討されている。コロイダルシリカ系の研磨剤は、
シリカ粒子を四塩化珪酸を熱分解する等の方法で粒成長
させ、アンモニア等のアルカリ金属を含まないアルカリ
溶液でpH調整を行って製造している。しかしながら、こ
の様な研磨剤はコロイダルシリカの凝集が進み大粒子が
生じ、研磨誤の無機絶縁膜表面に研磨傷が発生するとい
う問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】請求項１〜７記載の発
明は、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷が極めて少なく
研磨することが可能なセリウム化合物研磨剤を提供する
ものである。請求項８〜９記載の発明は、被研磨面を傷
が極めて少なく研磨することが可能な半導体素子等の基
板の研磨法を提供するものである。
明は、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷が極めて少なく
研磨することが可能なセリウム化合物研磨剤を提供する
ものである。請求項８〜９記載の発明は、被研磨面を傷
が極めて少なく研磨することが可能な半導体素子等の基
板の研磨法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、４価のセリウ
ムイオンを含む溶液を処理することにより得られるコロ
イドを含むセリウム化合物研磨剤セリウム化合物研磨剤
に関する。また、本発明は４価のセリウムイオンを含む
溶液が、セリウム塩の水溶液である前記のセリウム化合
物研磨剤に関する。また、本発明は、セリウム塩が、硫
酸セリウム（IV）、硝酸セリウム（IV）、硫酸アンモニ
ウムセリウム（IV）、硝酸アンモニウムセリウム（IV）
及びそれらの水和物からなる群より選ばれる少なくとも
１種である前記のセリウム化合物研磨剤に関する。ま
た、本発明は、４価のセリウムイオンを含む溶液の処理
が、４価のセリウムイオンを含む溶液に塩基性物質を加
えることにより行われる前記のセリウム化合物研磨剤に
関する。
ムイオンを含む溶液を処理することにより得られるコロ
イドを含むセリウム化合物研磨剤セリウム化合物研磨剤
に関する。また、本発明は４価のセリウムイオンを含む
溶液が、セリウム塩の水溶液である前記のセリウム化合
物研磨剤に関する。また、本発明は、セリウム塩が、硫
酸セリウム（IV）、硝酸セリウム（IV）、硫酸アンモニ
ウムセリウム（IV）、硝酸アンモニウムセリウム（IV）
及びそれらの水和物からなる群より選ばれる少なくとも
１種である前記のセリウム化合物研磨剤に関する。ま
た、本発明は、４価のセリウムイオンを含む溶液の処理
が、４価のセリウムイオンを含む溶液に塩基性物質を加
えることにより行われる前記のセリウム化合物研磨剤に
関する。
【０００５】また、本発明は、塩基性物質がアンモニア
水溶液である前記のセリウム化合物研磨剤に関する。ま
た、本発明は、コロイドの分散媒が水である前記のセリ
ウム化合物研磨剤に関する。また、本発明は、コロイド
の分散媒が水である前記のセリウム化合物研磨剤に関す
る。また、本発明は、pHが７．０以上である前記のセリ
ウム化合物研磨剤に関する。
水溶液である前記のセリウム化合物研磨剤に関する。ま
た、本発明は、コロイドの分散媒が水である前記のセリ
ウム化合物研磨剤に関する。また、本発明は、コロイド
の分散媒が水である前記のセリウム化合物研磨剤に関す
る。また、本発明は、pHが７．０以上である前記のセリ
ウム化合物研磨剤に関する。
【０００６】また、本発明は、前記のセリウム化合物研
磨剤で、所定の基板を研磨する基板の研磨法に関する。
また、本発明は、所定の基板が酸化珪素絶縁膜の形成さ
れた半導体素子である前記の基板の研磨法に関する。
磨剤で、所定の基板を研磨する基板の研磨法に関する。
また、本発明は、所定の基板が酸化珪素絶縁膜の形成さ
れた半導体素子である前記の基板の研磨法に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に使用される４価のセリウ
ムイオンを含む溶液としては、例えば、セリウム塩の水
溶液が挙げられ、セリウム塩としては、例えば、硫酸セ
リウム（IV）、硝酸セリウム（IV）、硫酸アンモニウム
セリウム（IV）、硝酸アンモニウムセリウム（IV）、そ
れらの水和物等が挙げられ、これらは単独で又は２種以
上を組み合わせて用いられる。
ムイオンを含む溶液としては、例えば、セリウム塩の水
溶液が挙げられ、セリウム塩としては、例えば、硫酸セ
リウム（IV）、硝酸セリウム（IV）、硫酸アンモニウム
セリウム（IV）、硝酸アンモニウムセリウム（IV）、そ
れらの水和物等が挙げられ、これらは単独で又は２種以
上を組み合わせて用いられる。
【０００８】４価のセリウムイオンを含む溶液の溶媒
は、特に制限はないが、水（特に、純水）が好ましく使
用される。
は、特に制限はないが、水（特に、純水）が好ましく使
用される。
【０００９】本発明に使用される塩基性化合物として
は、アンモニア（アンモニア水として使用してもよ
い）、オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミ
ン等のフェニル基等の芳香族基で置換されてもよいアル
キル基（置換基を除いて単素数１〜９であることが好ま
しい）を有するアルキルアミン、ジアルキルアミン若し
くはトリアルキルアミン、アニリン等のアリールアミン
（芳香族基を有するアミン化合物）などがあり、これら
は単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
は、アンモニア（アンモニア水として使用してもよ
い）、オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミ
ン等のフェニル基等の芳香族基で置換されてもよいアル
キル基（置換基を除いて単素数１〜９であることが好ま
しい）を有するアルキルアミン、ジアルキルアミン若し
くはトリアルキルアミン、アニリン等のアリールアミン
（芳香族基を有するアミン化合物）などがあり、これら
は単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。
【００１０】上記塩基性化合物はセリウム化合物研磨剤
のpHを調整できる。セリウム化合物研磨剤のpHは７．０
以上であることが好ましく、pH７．０未満では研磨剤の
研磨速度が低下する傾向がある。このpHの上限は１０．
０程度である。
のpHを調整できる。セリウム化合物研磨剤のpHは７．０
以上であることが好ましく、pH７．０未満では研磨剤の
研磨速度が低下する傾向がある。このpHの上限は１０．
０程度である。
【００１１】本発明のセリウム化合物研磨剤は、セリウ
ムイオン、塩基性物質、水のモル濃度が次のような範囲
として調整されることが好ましい。 セリウムイオン：０．０２９〜０．５モル／１リットル
（０．０２９以下では研磨速度が遅い傾向があり、０．
５を超えると増粘して取扱いが困難となる傾向があ
る）。 塩基性物質：０〜２×１０-5モル／１リットル（２×１
０-5を超えると必要とする研磨速度が得られない傾向が
ある） 水：５２．８〜５５．５モル／１リットル
ムイオン、塩基性物質、水のモル濃度が次のような範囲
として調整されることが好ましい。 セリウムイオン：０．０２９〜０．５モル／１リットル
（０．０２９以下では研磨速度が遅い傾向があり、０．
５を超えると増粘して取扱いが困難となる傾向があ
る）。 塩基性物質：０〜２×１０-5モル／１リットル（２×１
０-5を超えると必要とする研磨速度が得られない傾向が
ある） 水：５２．８〜５５．５モル／１リットル
【００１２】本発明のセリウム化合物研磨剤を用いて研
磨される被研磨対象の１つである無機絶縁膜は、定圧Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により得ることができる。
定圧ＣＶＤ法による酸化珪素絶縁膜形成は、Ｓｉ源とし
てモノシラン：ＳｉＨ4、酸素源として酸素：Ｏ2を用い
る。このＳｉＨ4−Ｏ2系酸化反応を、４００℃程度以下
の低温で行わせることにより得られる。高温リフローに
よる表面平坦化を図るために、リン：Ｐをドープすると
きには、ＳｉＨ4−Ｏ2−ＰＨ3系反応ガスを用いること
が好ましい。プラズマＣＤ法は、通常の熱平衡下では高
温を必要とする化学反応が低温できる利点を有する。
磨される被研磨対象の１つである無機絶縁膜は、定圧Ｃ
ＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により得ることができる。
定圧ＣＶＤ法による酸化珪素絶縁膜形成は、Ｓｉ源とし
てモノシラン：ＳｉＨ4、酸素源として酸素：Ｏ2を用い
る。このＳｉＨ4−Ｏ2系酸化反応を、４００℃程度以下
の低温で行わせることにより得られる。高温リフローに
よる表面平坦化を図るために、リン：Ｐをドープすると
きには、ＳｉＨ4−Ｏ2−ＰＨ3系反応ガスを用いること
が好ましい。プラズマＣＤ法は、通常の熱平衡下では高
温を必要とする化学反応が低温できる利点を有する。
【００１３】プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結
合型の２つが挙げられる。反応ガスとしては、Ｓｉ源と
してＳｉＨ4、酸素源としてＮ2Ｏを用いたＳｉＨ4−Ｎ2
Ｏ系ガスとテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を、Ｓｉ
源に用いたＴＥＯＳ−Ｏ2系ガス（ＴＥＯＳ−プラズマ
ＣＶＤ法）が挙げられる。基板温度は２５０℃〜４００
℃、反応圧力は６７〜４００Paの範囲が好ましい。この
ように、酸化珪素絶縁膜にはリン、ホウ素等の元素がド
ープされていてもよい。
合型の２つが挙げられる。反応ガスとしては、Ｓｉ源と
してＳｉＨ4、酸素源としてＮ2Ｏを用いたＳｉＨ4−Ｎ2
Ｏ系ガスとテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を、Ｓｉ
源に用いたＴＥＯＳ−Ｏ2系ガス（ＴＥＯＳ−プラズマ
ＣＶＤ法）が挙げられる。基板温度は２５０℃〜４００
℃、反応圧力は６７〜４００Paの範囲が好ましい。この
ように、酸化珪素絶縁膜にはリン、ホウ素等の元素がド
ープされていてもよい。
【００１４】所定の基板としては、例えば、半導体基板
すなわち回路素子とアルミニウム配線が形成された段階
の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板
等の半導体基板上に酸化珪素絶縁膜層が形成された基板
等が挙げられる。このような半導体基板上に形成された
酸化珪素絶縁膜層を、本発明の酸化セリウム研磨剤で研
磨することによって、酸化珪素絶縁膜層表面の凹凸を解
消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とできる。
すなわち回路素子とアルミニウム配線が形成された段階
の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板
等の半導体基板上に酸化珪素絶縁膜層が形成された基板
等が挙げられる。このような半導体基板上に形成された
酸化珪素絶縁膜層を、本発明の酸化セリウム研磨剤で研
磨することによって、酸化珪素絶縁膜層表面の凹凸を解
消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とできる。
【００１５】ここで、研磨する装置としては、半導体基
板を保持するホルダーと研磨布（パッド）を貼り付けた
（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤
を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布として
は、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素
樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布に
はスラリーが溜まる様な溝加工を施すことが好ましい。
研磨条件には制限はないが、ホルダーと定盤の回転速度
は、半導体基板が飛び出さない様にそれぞれ１００rpm
以下の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力は、
研磨後に傷が発生しない様に１kgf/cm2以下が好まし
い。研磨している間、研磨布にはスラリーをポンプ等で
連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布
の表面が常にスラリーで覆われていることが好ましい。
板を保持するホルダーと研磨布（パッド）を貼り付けた
（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤
を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨布として
は、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素
樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布に
はスラリーが溜まる様な溝加工を施すことが好ましい。
研磨条件には制限はないが、ホルダーと定盤の回転速度
は、半導体基板が飛び出さない様にそれぞれ１００rpm
以下の低回転が好ましく、半導体基板にかける圧力は、
研磨後に傷が発生しない様に１kgf/cm2以下が好まし
い。研磨している間、研磨布にはスラリーをポンプ等で
連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布
の表面が常にスラリーで覆われていることが好ましい。
【００１６】研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く
洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着
した水滴を払い落としてから乾燥させることが好まし
い。このようにして平坦化された酸化珪素絶縁膜層の上
に、第２層目のアルミニウム配線を形成し、その配線間
及び配線上に再度上記方法により、酸化珪素絶縁膜を形
成後、上記酸化セリウム研磨剤を用いて研磨するとによ
って、絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡
って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことに
より、所望の層数の半導体を製造する。
洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着
した水滴を払い落としてから乾燥させることが好まし
い。このようにして平坦化された酸化珪素絶縁膜層の上
に、第２層目のアルミニウム配線を形成し、その配線間
及び配線上に再度上記方法により、酸化珪素絶縁膜を形
成後、上記酸化セリウム研磨剤を用いて研磨するとによ
って、絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡
って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことに
より、所望の層数の半導体を製造する。
【００１７】本発明のセリウム化合物研磨剤及び基板の
研磨法において所定の基板とは、半導体基板に形成され
た酸化珪素絶縁膜だけでなく、所定の配線を有する配線
板に形成された酸化珪素絶縁膜、ガラス、窒化ケイ素等
の無機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光
学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材
料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導
波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単
結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザ用ＬＥＤサファイ
ア基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、
磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を含む。
研磨法において所定の基板とは、半導体基板に形成され
た酸化珪素絶縁膜だけでなく、所定の配線を有する配線
板に形成された酸化珪素絶縁膜、ガラス、窒化ケイ素等
の無機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズム等の光
学ガラス、ＩＴＯ等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材
料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導
波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単
結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザ用ＬＥＤサファイ
ア基板、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡＳ等の半導体単結晶、
磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を含む。
【００１８】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳しく説明す
る。 実施例１ 硫酸セリウム（IV）四水和物の粉末を１１．７ｇ計り取
り、脱イオン水８００ｇに溶解させ、これを攪拌しなが
らpHメーターを用いて、pHが８．５になるまでアンモニ
ア５重量％水溶液を徐々に添加していき、その後、さら
に脱イオン水を加えて全量を１０００ｇにしスラリー
（セリウム化合物研磨剤）を得た。
る。 実施例１ 硫酸セリウム（IV）四水和物の粉末を１１．７ｇ計り取
り、脱イオン水８００ｇに溶解させ、これを攪拌しなが
らpHメーターを用いて、pHが８．５になるまでアンモニ
ア５重量％水溶液を徐々に添加していき、その後、さら
に脱イオン水を加えて全量を１０００ｇにしスラリー
（セリウム化合物研磨剤）を得た。
【００１９】ＴＥＯＳ−プラズマＣＶＤ法で作製した酸
化珪素絶縁膜を形成させたＳｉウエハをセットし、多孔
質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に、
絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工荷重が
３００gf/cm2になるように重しを載せた。上記作製の研
磨剤を攪拌しながらポンプで配管を通じて定盤上に供給
できるようにした。定盤上にスラリーを１００cc/minの
速度で滴下しながら、定盤を５０rpmで５分間回転さ
せ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取
り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさら
に２０分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤ
ーで水滴を除去し、１２０℃の乾燥機で１０分間乾燥さ
せた。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚
変化から研磨速度を算出した結果、５０nm/minであっ
た。また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したと
ころ、明確な傷は全く観察されなかった。
化珪素絶縁膜を形成させたＳｉウエハをセットし、多孔
質ウレタン樹脂製の研磨パッドを貼り付けた定盤上に、
絶縁膜面を下にしてホルダーを載せ、さらに加工荷重が
３００gf/cm2になるように重しを載せた。上記作製の研
磨剤を攪拌しながらポンプで配管を通じて定盤上に供給
できるようにした。定盤上にスラリーを１００cc/minの
速度で滴下しながら、定盤を５０rpmで５分間回転さ
せ、絶縁膜を研磨した。研磨後ウエハをホルダーから取
り外して、流水で良く洗浄後、超音波洗浄機によりさら
に２０分間洗浄した。洗浄後、ウエハをスピンドライヤ
ーで水滴を除去し、１２０℃の乾燥機で１０分間乾燥さ
せた。光干渉式膜厚測定装置を用いて、研磨前後の膜厚
変化から研磨速度を算出した結果、５０nm/minであっ
た。また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したと
ころ、明確な傷は全く観察されなかった。
【００２０】比較例１ シリカが分散されたシリカスラリーを研磨剤として用
い、実施例１と同様にして、Ｓｉウエハ表面にＴＥＯＳ
−ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2絶縁膜の研磨を行
った。このスラリーのpHは１０．３であり、ＳｉＯ2粒
子を１２．５重量％含んでいるものであった。また、研
磨条件は実施例と同一にした。研磨後の絶縁膜を観察し
たところ、研磨による傷が若干見られた。
い、実施例１と同様にして、Ｓｉウエハ表面にＴＥＯＳ
−ＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2絶縁膜の研磨を行
った。このスラリーのpHは１０．３であり、ＳｉＯ2粒
子を１２．５重量％含んでいるものであった。また、研
磨条件は実施例と同一にした。研磨後の絶縁膜を観察し
たところ、研磨による傷が若干見られた。
【００２１】
【発明の効果】請求項１〜７記載のセリウム化合物研磨
剤は、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷が極めて少なく
研磨することが可能なものである。請求項８〜９記載の
基板の研磨法は、半導体素子等の基板の被研磨面を傷が
極めて少なく研磨することが可能なものである。
剤は、酸化珪素絶縁膜等の被研磨面を傷が極めて少なく
研磨することが可能なものである。請求項８〜９記載の
基板の研磨法は、半導体素子等の基板の被研磨面を傷が
極めて少なく研磨することが可能なものである。
Claims (9)
- 【請求項１】 ４価のセリウムイオンを含む溶液を処理
することにより得られるコロイドを含むセリウム化合物
研磨剤。 - 【請求項２】 ４価のセリウムイオンを含む溶液が、セ
リウム塩の水溶液である請求項１記載のセリウム化合物
研磨剤。 - 【請求項３】 セリウム塩が、硫酸セリウム（IV）、硝
酸セリウム（IV）、硫酸アンモニウムセリウム（IV）、
硝酸アンモニウムセリウム（IV）及びそれらの水和物か
らなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項２記
載のセリウム化合物研磨剤。 - 【請求項４】 ４価のセリウムイオンを含む溶液の処理
が、４価のセリウムイオンを含む溶液に塩基性物質を加
えることにより行われる請求項１、２又は３記載のセリ
ウム化合物研磨剤。 - 【請求項５】 塩基性物質がアンモニア水溶液である請
求項４記載のセリウム化合物研磨剤。 - 【請求項６】 コロイドの分散媒が水である請求項１、
２、３、４又５記載のセリウム化合物研磨剤。 - 【請求項７】 pHが７．０以上である請求項１、２、
３、４、５又は６記載のセリウム化合物研磨剤。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５、６又は７記
載のセリウム化合物研磨剤で、所定の基板を研磨する基
板の研磨法。 - 【請求項９】 所定の基板が酸化珪素絶縁膜の形成され
た半導体素子である請求項８記載の基板の研磨法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13509899A JP4277243B2 (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | セリウム化合物研磨剤及び基板の研磨法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13509899A JP4277243B2 (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | セリウム化合物研磨剤及び基板の研磨法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000328044A true JP2000328044A (ja) | 2000-11-28 |
| JP4277243B2 JP4277243B2 (ja) | 2009-06-10 |
Family
ID=15143800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13509899A Expired - Lifetime JP4277243B2 (ja) | 1999-05-17 | 1999-05-17 | セリウム化合物研磨剤及び基板の研磨法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4277243B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002241739A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JPWO2002067309A1 (ja) * | 2001-02-20 | 2004-06-24 | 日立化成工業株式会社 | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
| WO2018179062A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 日立化成株式会社 | 研磨液、研磨液セット、添加液及び研磨方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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