JPH10106927A

JPH10106927A - 露光装置及びデバイス製造方法

Info

Publication number: JPH10106927A
Application number: JP8260612A
Authority: JP
Inventors: Osamu Konouchi; 修此内; Naoto Sano; 直人佐野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-10-01
Filing date: 1996-10-01
Publication date: 1998-04-24
Anticipated expiration: 2016-10-01
Also published as: JP4154003B2

Abstract

(57)【要約】【課題】レーザーを用いる露光装置において照度むら
を軽減すること。【解決手段】露光用の光源であるエキシマレーザーの
共振器２０において、前側の共振用ミラーであるグレー
ティングミラー１の表面を光軸方向とＨ方向に平行な断
面（以下、「Ｈ断面」と記す）に関して凹面を有するシ
リンドリカルミラーとし、後側の共振用ミラー９を光軸
方向とＶ方向とに平行な断面（以下、「Ｖ断面」と記
す）に関して凹面を有するシリンドリカルミラーとする
ことによりＨ断面及びＶ断面の双方に関して安定型共振
器を構成し、これによりＨ方向とＶ方向の双方でレーザ
ー光の空間的コヒーレンスを小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置及びデバ
イス製造方法に関し、特にＩＣやＬＳＩ等の半導体デバ
イスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示デ
バイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に好適な
露光装置及びデバイス製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４はエキシマレーザーを露光用光源と
する縮小投影露光装置の一例を示す概略図である。図４
において１〜８及び３１によりエキシマレーザー２０が
構成されている。１、３１は夫々レーザー発振の為の後
側及び前側共振器ミラー（鏡）であり、これらのミラー
１、３１により例えば、ＫｒＦエキシマレーザーは次の
ようにレーザー発振がなされる。

【０００３】放電チャンバー６内部には、ネオン、クリ
プトン、フッ素が石英ガラス窓５、７で封入されてお
り、チャンバー６内部での横方向の電気的放電により励
起される。この現象によりＫｒＦ分子（エキシマ）が生
成され、ブロードバンド光（半値幅０．数ｎｍ程度のス
ペクトル線）が発生する。発生した光は、アパーチャー
４を通過し、ビームエクスパンダー３へと導光され、ビ
ーム径が拡大される。さらに、ビームエクスパンダー３
により光線の発散角も減少させられる。その後、発生し
た光はミラー２により反射され、後側共振器ミラーであ
るグレーティングミラー１へと入射する。グレーティン
グミラー１は、所望の波長のみを再びミラー２へ戻して
そこで元の光路に向けて反射させるように設計されてい
る。ミラー２からの反射光は、ビームエクスパンダー
３、アパーチャー４を逆行し再び放電チャンバー６へと
導かれる。この光は放電チャンバー６の内部で増幅され
た後、アパーチャー８を通過して、前側共振器ミラー３
１へと向かう。前側共振器ミラー３１では、入射光の約
９０％がミラー３１を透過し、残りの約１０％はミラー
３１で反射されて再び放電チャンバー６内で増幅され
る。この繰り返しにより２４８ｎｍのナローバンドのレ
ーザー光（０．００数ｎｍのスペクトル線）が発振す
る。

【０００４】ここでミラー２により反射されグレーティ
ングミラー１へ入射する光は、アパーチャー４、８での
回折、ミラー３１、２の製造誤差、ビームエクスパンダ
ー３の誤差により一般には極僅かに発散する光束とな
る。この時に波長選択性を良くするためには、例えばＵ
ＳＰ５０９５４９２にある様にグレーティングミラー１
は図３のＨ断面（光軸とＨ方向とに平行な断面）で曲率
が微小な凹面を有するシリンドリカル面とする。グレー
ティングミラー１をシリンドリカル面とすることにより
Ｈ断面に関して安定型共振器が構成される。

【０００５】この様にしてエキシマレーザー２０からナ
ローバンドのレーザー光が発され、このレーザー光がビ
ーム整形光学系１０により所望のビーム形状に整形さ
れ、ハエノ目レンズ（フライアイレンズ）等からなるオ
プティカルインテグレーター１１の光入射面１１ａに指
向される。オプティカルインテグレーター１１は複数の
微小レンズを２次元的に所定のピッチで配列して構成し
ており、その光出射面１１ｂ近傍に複数の２次光源を形
成している。１２はコンデンサーレンズである。コンデ
ンサーレンズ１２は、オプティカルインデグレーター１
１の光出射面１１ｂ近傍に形成した複数の２次光源から
の光束を複数の可動ブレードを有するマスキングブレー
ド１３上で重ね合わせてマスキングブレード１３をケ
ーラー照明している。

【０００６】１４はコリメーターレンズであり、マスキ
ングブレード１３を通過した光束を集光している。１５
はミラー、１６はリレーレンズであり、ミラー１５で反
射した光束をリレーレンズ１６により集光してレチクル
（マスク）１７面に照射し、レチクル１７面上にマスキ
ングブレード１３の開口と相似な照明域を形成してい
る。１８は投影光学系であり、レチクル１７面上の回路
パターンの縮小像を半導体基板としてのウェハ１９上に
投影している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
おける縮小投影露光装置においては以下のような問題が
あった。

【０００８】エキシマレーザー２０内部の平面ミラー３
１とグレーティングミラー１によるレーザー発振の際、
図中Ｈ断面に関しては、入射光に対してグレーティング
ミラー１の反射面が凹面で平面ミラー３１の反射面が平
面となっているため安定型共振器を構成している。一
方、Ｖ断面（光軸方向とＶ方向に平行な断面）に関して
は、入射光に対してグレーティングミラー１及びミラー
３１の双方共が平面となっている。このため、Ｖ方向の
場合はＨ方向のように空間的コヒーレンスが低くならな
い。また、例えばグレーティングミラー１、平面ミラー
３１の一方又は両方が入射光に対して凸面となるような
製造誤差を生じている場合、Ｖ断面に関しては不安定型
共振器が構成されることになる。その結果、Ｈ方向に関
しては、空間的コヒーレンスが低く、Ｖ方向に関しては
空間的コヒーレンスの高いレーザー光が形成される。

【０００９】このように、エキシマレーザー２０からの
レーザー光のＶ方向の空間的コヒーレンスが高くなる場
合、以下のような問題が生じる。

【００１０】照明光学系２内のハエノ目レンズ１１を構
成する各々の微小レンズの入射面１１ａにおける光強度
分布がマスキングブレード１３面上で重ね合わされるた
め、レーザー光の空間的コヒーレンスが高いとマスキン
グブレード１３近傍においてスペックル等の干渉パター
ンが発生する。

【００１１】マスキングブレード１３近傍でのスペック
ル等の干渉パターンは、マスキングブレード１３の共役
面であるレチクル１７、ウェハ１９近傍において照度ム
ラを発生させるので、投影レンズ１８によりウェハ１９
上に形成されるレチクル１７の回路パターン像の像性能
を劣化させる。

【００１２】そこで本発明の目的は、照度むらを軽減で
きる露光装置及び照度むらを軽減できるデバイス製造方
法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の第１の形態は、レーザーからのレーザー光で
マスクのパターンを照明することにより該マスクのパタ
ーンを介して被露光基板を露光する露光装置において、
前記レーザーは、互いに直交する２つの断面の夫々に関
して安定型共振器となる共振器を有する。この第１の露
光装置においては、前記レーザーがエキシマレーザーを
備える形態、前記共振器内に前記レーザー光のスペクト
ル線の半値幅を狭めるためのエタロン、プリズム、回折
格子等の分光手段を有する形態、前記回折格子の表面が
前記共振器の一対の共振用の鏡の一方を兼ねる形態、前
記回折格子が前記共振器の一対の共振用の鏡の間に設け
てあり前記回折格子の表面が前記一対の共振用の鏡の一
方からの光を他方へ反射する鏡を兼ねる形態、前記回折
格子の表面が前記２つの断面の一方に関して凹面を有し
前記共振用の鏡の一方が前記２つの断面の他方に関して
凹面を有する形態、前記凹面の夫々がシリンドリカルな
面である形態、前記回折格子の表面が前記２つの断面の
夫々に関して凹面を有する形態、前記共振器の一対の共
振用の鏡の少なくとも一方が前記２つの断面の夫々に関
して凹面を有する形態、前記共振器の一対の共振用の鏡
の間に一つの前記一対の共振用の鏡の一方からの光を他
方へ反射する第３の鏡を有し前記一対の共振用の鏡及び
前記第３の鏡の少なくとも一つが前記２つの断面の夫々
に関して凹面を有する形態、前記共振器の一対の共振用
の鏡の一方が前記２つの断面の一方に関して凹面を有し
前記一対の共振器の他方が前記２つの断面の他方に関し
て凹面を有する形態、前記共振器の一対の共振用の鏡の
間に一つの前記一対の共振用の鏡の一方からの光を他方
へ反射する第３の鏡を有し前記一対の共振用の鏡及び前
記第３の鏡の内の一つが前記２つの断面の一方に関して
凹面を有し前記一対の共振器及び前記第３の鏡の他の一
つが前記２つの断面の他方に関して凹面を有する形態、
前記凹面が球面である形態等がある。

【００１４】又、上記目的を達成するための本発明の第
２の形態は、レーザーからのレーザー光でマスクのパタ
ーンを照明することにより該マスクのパターンを介して
被露光基板を露光する露光装置において、前記レーザー
は、互いに直交する２つの断面の双方に関して凹面の第
１の鏡、又は前記２つの断面の一方の断面に関して凹面
の第２鏡及び前記２つの断面の他方の断面に関して凹面
の第３鏡の組、を備える共振器を有する。第２の露光装
置においては、前記レーザーがエキシマレーザーを備え
る形態、前記共振器内に前記レーザー光のスペクトル線
の半値幅を狭めるためのエタロン、プリズム、回折格子
等の分光手段を有する形態、前記回折格子の表面が前記
第１、第２又は第３の鏡の一つを兼ねる形態、前記回折
格子が前記共振器の一対の共振用の鏡の間に設けてあり
前記回折格子の表面が前記一対の共振用の鏡の一方から
の光を他方へ反射する鏡を兼ねる形態、前記回折格子の
表面が前記共振器の一対の共振用の鏡の一方を兼ねる形
態、前記第２及び第３の鏡の前記凹面が夫々シリンドリ
カルな面である形態、前記共振器の一対の共振用の鏡の
少なくとも一方が前記第１の鏡である形態、前記共振器
の一対の共振用の鏡の間に前記一対の共振用の鏡の一方
からの光を他方へ反射するリレー用の鏡を有し前記一対
の共振用の鏡と前記リレー用の鏡の少なくとも一つが前
記第１の鏡である形態、前記共振器の一対の共振用の鏡
の一方が前記第２の鏡であり前記一対の共振器の他方が
前記第３の鏡である形態、前記共振器の一対の共振用の
鏡の間に一つの前記一対の共振用の鏡の一方からの光を
他方へ反射するリレー用の鏡を有し前記一対の共振用の
鏡及び前記リレー用の鏡の内の一つが前記第２の鏡であ
り前記一対の共振器及び前記第３の鏡の他の一つが前記
第３の鏡である形態、前記凹面の夫々が球面である形態
がある。

【００１５】また、第１と第２の露光装置に共通して、
前記レーザーがＫｒＦエキシマレーザー又はＡｒＦエキ
シマレーザーである形態、前記レーザーからのレーザー
光を前記マスクに照射する照射光学系は前記レーザー光
の波面を分割するフライアイレンズを有する形態、前記
マスクのパターンの像を前記被露光基板上に投影する投
影光学系を有する形態等がある。

【００１６】また、本発明によれば、前記各形態の露光
装置を用いてデバイスパターンを基板上に転写する段階
を有するデバイス製造方法も提供される。

【００１７】また、本発明のエキシマレーザーは共振用
の鏡の一方をある断面に関して凹面の回折格子で構成し
たものにおいて、前記共振用の鏡の他方を前記断面に直
交する断面に関して凹面としたことを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例を示す概
略図である、発明の属する技術分野の項に記載の各種デ
バイスの製造に用いられる縮小投影露光装置の概略図で
ある。

【００１９】図１に示す露光装置は、図４で説明した露
光装置を改良したものであり、ここでは、改良点である
エキシマレーザー２０の後側（図の右側）共振器ミラー
９とその作用に関して説明し、図４の露光装置と同一の
部材とその作用については説明を省略し、図４の装置と
同一部材に同一の符番を付すだけにした。

【００２０】図１では、図４の従来例の平面ミラー３１
がシリンドリカルミラー９に置き換えられている。図１
（Ｂ）は、図１（Ａ）のシリンドリカルミラー９を図１
の上下方向（Ｈ方向）から見た図である。図１（Ｂ）に
おいてはシリンドリカル面の曲率が誇張して描いてある
が、実際には曲率半径１０ｍ程度の曲率が微小な凹面で
ある。図１（Ｂ）に示すようなＶ断面に関して曲率を有
する（即ち凹面を有する）シリンドリカルミラーをエキ
シマレーザー２０の前側共振器ミラー９として用いるこ
とにより、Ｈ断面に関しては図４のレーザーと同じ通り
の安定型共振器であり、且つＶ断面に関しても、グレー
ティングミラー１の平面とシリンドリカルミラー９の凹
面により安定型共振器を構成する共振器とすることがで
きる。これは、シリンドリカルミラー９の凹面の作用に
よりＶ断面においてもレーザー光の発散が抑制されるか
らである。従って、図２の露光装置では、Ｖ、Ｈ方向の
双方において空間的コヒーレンスが低いレーザー光が得
られ、レチクル（マスク）１６面やウェハ１９面での照
度むらが軽減される。

【００２１】図１の露光装置において、シリンドリカル
ミラー９の代わりに、更にＨ断面に関してＶ断面とは異
なる曲率の凹面を有するトーリックミラーを用いること
もできる。また、グレーティングミラー１とリレー用ミ
ラー２の配置を逆にした構成も採れる。

【００２２】以上の実施例では、後側（光出射側）共振
器ミラーをＶ断面として本発明の目的を達成したが、後
側共振器ミラー９は平面ミラーとし、グレーティングミ
ラー１を、シリンドリカル凹面ミラーではなく、回転対
称な凹球面ミラーとしても良い。回転対象な凹球面ミラ
ーであれば、Ｈ断面とＶ断面の双方に関してグレーティ
ングミラー１の表面（反射面）を凹面とすることができ
る。また逆に、グレーティングミラー１を平面ミラーと
し、後側共振器ミラー９を回転対称な凹球面ミラーとし
ても良い。また、グレーティングミラー１と後側共振器
ミラー９を平面ミラーとし、リレー用ミラー２を回転対
称な凹球面ミラーとしたり、リレー用ミラー２をＨ、Ｖ
断面の一方に関して凹面とし、グレーティングミラー１
と後側共振器ミラー９の少なくとも一方をＨ、Ｖ断面の
他方又は双方に関して凹面としても良い。これら変形例
においてもシリンドリカル凹面ミラーや凹球面ミラーの
代わりにトーリック凹面ミラーを用いることができる。

【００２３】以上の実施例のエキシマレーザーはレーザ
ー光のスペクトル線の半値幅を狭める為の分光手段とし
てグレーティングミラー１を用いるタイプのレーザーで
あるが、本発明はこの分光手段としてエタロンやプリズ
ムを用いたレーザーや分光手段としてエタロンやプリズ
ムやグレーティングの内の複数の素子を組み合わせたレ
ーザーにも適用できる。この際前側共振器ミラーとして
グレーティングミラーを有しない構成では、前後の共振
器ミラーやリレー用ミラーの少なくとも一つに凹面を供
給することにより、共振器においてＨ断面、Ｖ断面の夫
々で凹面ミラーが生じるようにする。以上の実施例のエ
キシマレーザー２０は図４と同様にＫｒＦエキシマレー
ザーであるが、露光用の光源としてＡｒＦエキシマレー
ザー（中心波長１９３ｎｍ）を用いても良い。

【００２４】以上実施例の露光装置はレチクル１７のパ
ターン像の投影に投影レンズ１８を用いるものである
が、この種のレンズ系（複数のレンズのみの光学系）で
はなく、一個又は複数個の凹面ミラーを備える投影ミラ
ーを用いても良い。また、本発明はレチクル１７と半導
体基板１９（被露光基板、ウェハ）の間に投影光学系を
設けないで露光を行なうコンタクトタイプやプロキシミ
ティータイプの露光装置にも適用できる。尚、露光装置
の種類として、ステップ＆リピート露光タイプ、ステッ
プ＆スキャン露光タイプ、一括露光、（一括）スキャン
露光等があるが、本発明はいずれのタイプのものにも適
用できる。

【００２５】次に上記説明した露光装置を利用した半導
体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図２は半導
体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは
液晶パネルやＣＣＤ等）の製造のフローを示す。ステッ
プ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行な
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウ
ェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造
する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４
によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディ
ング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を
含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成
し、これが出荷（ステップ７）される。

【００２６】図３は上記ウェハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウェハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって露
光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）
では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステッ
プ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要と
なったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返
し行なうことによって、ウェハ上に多重に回路パターン
が形成される。

【００２７】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造するこ
とができる。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば
Ｖ、Ｈ両断面について安定型共振器を構成してＶ、Ｈ両
方向で空間的コヒーレンスの低い光を得ることができ、
その結果、レチクル（マスク）面上での照度ムラを軽減
し、安定した像性能を得ることができる露光装置とデバ
イス製造方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す図である。

【図２】半導体デバイスの製造フローを示す図である。

【図３】図２のウェハプロセスを示す図である。

【図４】従来の技術を示す図である。

【符号の説明】

１グレーティングミラー２ミラー３ビームエクスパンダー４アパーチャー５石英ガラス６放電チャンバー７石英ガラス８アパーチャー９前側共振器シリンドリカルミラー１０ビーム整形光学系１１オプティカルインテグレーター（フライアイレン
ズ）１１ａオプティカルインテグレーターの光入射面１１ｂオプティカルインテグレーター１１の光出射面１２コンデンサーレンズ１３マスキングブレード１４コリメーターレンズ１５ミラー１６リレーレンズ１７レチクル（マスク）１８投影レンズ１９半導体基板（ウェハ）２０エキシマレーザー２１照明光学系３１前側共振器平面ミラー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザーからのレーザー光でマスクのパ
ターンを照明することにより該マスクのパターンを介し
て被露光基板を露光する露光装置において、前記レーザ
ーは、互いに直交する２つの断面の夫々に関して安定型
共振器となる共振器を有することを特徴とする露光装
置。
【請求項２】前記レーザーがエキシマレーザーを備え
ることを特徴とする請求項１の露光装置。
【請求項３】前記共振器内に前記レーザー光のスペク
トル線の半値幅を狭めるための分光手段を有することを
特徴とする請求項２の露光装置。
【請求項４】前記分光手段が複数のエタロンを備える
ことを特徴とする請求項３の露光装置。
【請求項５】前記分光手段がプリズムを備えることを
特徴とする請求項３又は４の露光装置。
【請求項６】前記分光手段が回折格子を備えることを
特徴とする請求項３、４又は５の露光装置。
【請求項７】前記回折格子の表面が前記共振器の一対
の共振用の鏡の一方を兼ねることを特徴とする請求項６
の露光装置。
【請求項８】前記回折格子が前記共振器の一対の共振
用の鏡の間に設けてあり、前記回折格子の表面が前記一
対の共振用の鏡の一方からの光を他方へ反射する鏡を兼
ねることを特徴とする請求項６の露光装置。
【請求項９】前記回折格子の表面が前記２つの断面の
一方に関して凹面を有し、前記共振用の鏡の一方が前記
２つの断面の他方に関して凹面を有することを特徴とす
る請求項７又は８の露光装置。
【請求項１０】前記凹面の夫々がシリンドリカルな面
であることを特徴とする請求項９の露光装置。
【請求項１１】前記回折格子の表面が前記２つの断面
の夫々に関して凹面を有することを特徴とする請求項６
−９の露光装置。
【請求項１２】前記共振器の一対の共振用の鏡の少な
くとも一方が前記２つの断面の夫々に関して凹面を有す
ることを特徴とする請求項１−６の露光装置。
【請求項１３】前記共振器の一対の共振用の鏡の間に
一つの前記一対の共振用の鏡の一方からの光を他方へ反
射する第３の鏡を有し、前記一対の共振用の鏡及び前記
第３の鏡の少なくとも一つが前記２つの断面の夫々に関
して凹面を有することを特徴とする請求項１−６の露光
装置。
【請求項１４】前記共振器の一対の共振用の鏡の一方
が前記２つの断面の一方に関して凹面を有し、前記一対
の共振器の他方が前記２つの断面の他方に関して凹面を
有することを特徴とする請求項１−６の露光装置。
【請求項１５】前記共振器の一対の共振用の鏡の間に
一つの前記一対の共振用の鏡の一方からの光を他方へ反
射する第３の鏡を有し、前記一対の共振用の鏡及び前記
第３の鏡の内の一つが前記２つの断面の一方に関して凹
面を有し、前記一対の共振器及び前記第３の鏡の他の一
つが前記２つの断面の他方に関して凹面を有することを
特徴とする請求項１−６の露光装置。
【請求項１６】前記凹の曲面の夫々がシリンドリカル
な面であることを特徴とする請求項１４又は１５の露光
装置。
【請求項１７】前記凹面が球面であることを特徴とす
る請求項９−１６の露光装置。
【請求項１８】前記レーザーがＫｒＦエキシマレーザ
ー又はＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする
請求項２−１７の露光装置。
【請求項１９】前記レーザーからのレーザー光を前記
マスクに照射する照射光学系は前記レーザー光の波面を
分割するフライアイレンズを有することを特徴とする請
求項１−１８の露光装置。
【請求項２０】前記マスクのパターンの像を前記被露
光基板上に投影する投影光学系を有することを特徴とす
る請求項１−１９の露光装置。
【請求項２１】レーザーからのレーザー光でマスクの
パターンを照明することにより該マスクのパターンを介
して被露光基板を露光する露光装置において、前記レー
ザーは、互いに直交する２つの断面の双方に関して凹面
の第１の鏡、又は前記２つの断面の一方の断面に関して
凹面の第２鏡及び前記２つの断面の他方の断面に関して
凹面の第３鏡の組、を備える共振器を有することを特徴
とする露光装置。
【請求項２２】前記レーザーがエキシマレーザーを備
えることを特徴とする請求項２１の露光装置。
【請求項２３】前記共振器内に前記レーザー光のスペ
クトル線の半値幅を狭めるための分光手段を有すること
を特徴とする請求項２２の露光装置。
【請求項２４】前記分光手段が複数のエタロンを備え
ることを特徴とする請求項２３の露光装置。
【請求項２５】前記分光手段がプリズムを備えること
を特徴とする請求項２３又は２４の露光装置。
【請求項２６】前記分光手段が回折格子を備えること
を特徴とする請求項３、２４又は２５の露光装置。
【請求項２７】前記回折格子の表面が前記第１、第２
又は第３の鏡の一つを兼ねることを特徴とする請求項２
６の露光装置。
【請求項２８】前記回折格子が前記共振器の一対の共
振用の鏡の間に設けてあり、前記回折格子の表面が前記
一対の共振用の鏡の一方からの光を他方へ反射する鏡を
兼ねることを特徴とする請求項２７の露光装置。
【請求項２９】前記回折格子の表面が前記共振器の一
対の共振用の鏡の一方を兼ねることを特徴とする請求項
２７の露光装置。
【請求項３０】前記第２及び第３の鏡の前記凹面が夫
々シリンドリカルな面であることを特徴とする請求項２
１−２９の露光装置。
【請求項３１】前記共振器の一対の共振用の鏡の少な
くとも一方が前記第１の鏡であることを特徴とする請求
項２１−２９の露光装置。
【請求項３２】前記共振器の一対の共振用の鏡の間に
前記一対の共振用の鏡の一方からの光を他方へ反射する
リレー用の鏡を有し、前記一対の共振用の鏡と前記リレ
ー用の鏡の少なくとも一つが前記第１の鏡であることを
特徴とする請求項２１−２９の露光装置。
【請求項３３】前記共振器の一対の共振用の鏡の一方
が前記第２の鏡であり、前記一対の共振器の他方が前記
第３の鏡であることを特徴とする請求項２１−３０の露
光装置。
【請求項３４】前記共振器の一対の共振用の鏡の間に
一つの前記一対の共振用の鏡の一方からの光を他方へ反
射するリレー用の鏡を有し、前記一対の共振用の鏡及び
前記リレー用の鏡の内の一つが前記第２の鏡であり、前
記一対の共振器及び前記第３の鏡の他の一つが前記第３
の鏡であることを特徴とする請求項２１−３０の露光装
置。
【請求項３５】前記凹面の夫々が球面であることを特
徴とする請求項２１−３４の露光装置。
【請求項３６】前記レーザーがＫｒＦエキシマレーザ
ー又はＡｒＦエキシマレーザーであることを特徴とする
請求項２１−３５の露光装置。
【請求項３７】前記レーザーからのレーザー光を前記
マスクに照射する照射光学系は前記レーザー光の波面を
分割するフライアイレンズを有することを特徴とする請
求項２１−３６の露光装置。
【請求項３８】前記マスクのパターンの像を前記被露
光基板上に投影する投影光学系を有することを特徴とす
る請求項２１−３７の露光装置。
【請求項３９】請求項１乃至請求項３８のいずれかの
露光装置を用いてデバイスパターンを基板上に転写する
段階を有するデバイス製造方法。
【請求項４０】共振用の鏡の一方をある断面に関して
凹面の回折格子で構成したエキシマレーザーにおいて、
前記共振用の鏡の他方を前記断面に直交する断面に関し
て凹面としたことを特徴とするエキシマレーザー。