JPH10105114A - Ｐｄｐの電力回収装置 - Google Patents
Ｐｄｐの電力回収装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部電圧の印加を自由にして、負電圧に対し
ても電力の充放電を可能にしたＰＤＰの電力回収装置を
提供する。 【解決手段】 本発明によるＰＤＰの電力回収装置は、
正電圧を充電して次の電極放電時に充電正電圧を放電電
極に放電する正電圧充放電部、負電圧を充電して次の電
極放電時に充電負電圧を放電電極に放電する負電圧充放
電部、及び外部電圧の入力と正／負電圧充放電部の充放
電を制御する制御機を備える。
ても電力の充放電を可能にしたＰＤＰの電力回収装置を
提供する。 【解決手段】 本発明によるＰＤＰの電力回収装置は、
正電圧を充電して次の電極放電時に充電正電圧を放電電
極に放電する正電圧充放電部、負電圧を充電して次の電
極放電時に充電負電圧を放電電極に放電する負電圧充放
電部、及び外部電圧の入力と正／負電圧充放電部の充放
電を制御する制御機を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
ーパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の電力供給
装置に関し、より詳しくはＰＤＰの単位セルの各電極に
供給される外部電圧を充電し、これをＰＤＰ単位セルの
各電極に放電するＰＤＰの電力供給装置の電力回収装置
に関する。
ーパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）の電力供給
装置に関し、より詳しくはＰＤＰの単位セルの各電極に
供給される外部電圧を充電し、これをＰＤＰ単位セルの
各電極に放電するＰＤＰの電力供給装置の電力回収装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、陰極線管（Cathode Ray Tube：Ｃ
ＲＴ）の代わりに使用し得る表示装置が要望されてお
り、特に、表示面積が大きく、容積の小さい平面的表示
装置に関する研究が活発に行われている。
ＲＴ）の代わりに使用し得る表示装置が要望されてお
り、特に、表示面積が大きく、容積の小さい平面的表示
装置に関する研究が活発に行われている。
【０００３】かかる平面型の表示装置は能動素子と受動
素子とに大別される。能動素子としてはエレクトロルミ
ネセンス（Electro Luminescence）、発光ダイオード
（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）、ＰＤＰなどがあ
り、受動素子としては液晶表示装置（Liquid Crystal D
isplay：ＬＣＤ）、エレクトロクロミック表示装置（El
ectro Chromic Display：ＥＣＤ）などがある。
素子とに大別される。能動素子としてはエレクトロルミ
ネセンス（Electro Luminescence）、発光ダイオード
（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）、ＰＤＰなどがあ
り、受動素子としては液晶表示装置（Liquid Crystal D
isplay：ＬＣＤ）、エレクトロクロミック表示装置（El
ectro Chromic Display：ＥＣＤ）などがある。
【０００４】本発明は上記能動素子の一種であるＰＤＰ
を利用したディスプレー装置に関するもので、これは多
くの利点を持っている。即ち、パルスが入力されれば放
電を持続する記憶能力を持っており、マトリックス構造
で表示点が規定されているので、画像の歪みがない。ま
た、発光周波数が５０〜１００ｋＨｚと高くてちらつき
もなく、平面構造であるため小型化にも有利である。ま
た、放電に接する誘電体層の表面に放電による燃焼を少
なくする材料を使用することで寿命を延長することもで
きる。
を利用したディスプレー装置に関するもので、これは多
くの利点を持っている。即ち、パルスが入力されれば放
電を持続する記憶能力を持っており、マトリックス構造
で表示点が規定されているので、画像の歪みがない。ま
た、発光周波数が５０〜１００ｋＨｚと高くてちらつき
もなく、平面構造であるため小型化にも有利である。ま
た、放電に接する誘電体層の表面に放電による燃焼を少
なくする材料を使用することで寿命を延長することもで
きる。
【０００５】一方、ＰＤＰは外部から交番的に提供され
る正・負（plus、minus）の高電圧により、ペニング（P
enning）混合ガスで充たされたＰＤＰ放電電極が放電さ
れる。ここで、ペニング混合ガスはネオン（Ｎｅ）また
はヘリウム（Ｈｅ）などを主とした、ネオン（Ｎｅ）＋
アルゴン（Ａｒ）またはネオン（Ｎｅ）＋キセノン（Ｘ
ｅ）などの混合ガスである。このようなペニング混合ガ
スはネオン（Ｎｅ）ガスに比べて低い放電開始電圧を要
求する。
る正・負（plus、minus）の高電圧により、ペニング（P
enning）混合ガスで充たされたＰＤＰ放電電極が放電さ
れる。ここで、ペニング混合ガスはネオン（Ｎｅ）また
はヘリウム（Ｈｅ）などを主とした、ネオン（Ｎｅ）＋
アルゴン（Ａｒ）またはネオン（Ｎｅ）＋キセノン（Ｘ
ｅ）などの混合ガスである。このようなペニング混合ガ
スはネオン（Ｎｅ）ガスに比べて低い放電開始電圧を要
求する。
【０００６】また、放電時に発生した電子は誘電体によ
り遮断されて外部に流出せず、放電空間内に残余電子と
して存在することになる。この残余電子は電力を充電す
るのに利用できる。
り遮断されて外部に流出せず、放電空間内に残余電子と
して存在することになる。この残余電子は電力を充電す
るのに利用できる。
【０００７】図１は従来のＰＤＰの電力回収装置を示す
回路図である。同図に示すように、ＰＤＰの電力回収装
置は、維持パルス発生部１１０、電圧充電部１２０、及
び電極キャパシター（Ｃ）を含む。
回路図である。同図に示すように、ＰＤＰの電力回収装
置は、維持パルス発生部１１０、電圧充電部１２０、及
び電極キャパシター（Ｃ）を含む。
【０００８】維持パルス発生部１１０は、パルス発生部
（図示せず）から入力される所定レベルの入力制御信号
に応じて正の外部電圧（Ｂ＋）を電極キャパシター
（Ｃ）に流すスイッチング部を含んでいる。上記スイッ
チング部は金属酸化物半導体電界効果トランジスター
（Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transisto
r：ＭＯＳＦＥＴ）であって、第１ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１
１）及び第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１２）を含む。
（図示せず）から入力される所定レベルの入力制御信号
に応じて正の外部電圧（Ｂ＋）を電極キャパシター
（Ｃ）に流すスイッチング部を含んでいる。上記スイッ
チング部は金属酸化物半導体電界効果トランジスター
（Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transisto
r：ＭＯＳＦＥＴ）であって、第１ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１
１）及び第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１２）を含む。
【０００９】電圧充電部１２０は、パルス発生部（図示
せず）から入力される所定レベルの充電制御信号に応じ
てインダクター（Ｌ）及びダイオード（Ｄ１１）を通し
て入力される電圧（Ｂ＋）を外部容量性キャパシター
（Ｃｓ）に充電する第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１３）を含
む。また、パルス発生部（図示せず）から入力される所
定レベルの放電制御信号に応じてダイオード（Ｄ１２）
及びインダクター（Ｌ）を通して外部容量性キャパシタ
ー（Ｃｓ）に充電された電圧（Ｂ＋）をキャパシター
（Ｃ）に放電する第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１４）を含む。
せず）から入力される所定レベルの充電制御信号に応じ
てインダクター（Ｌ）及びダイオード（Ｄ１１）を通し
て入力される電圧（Ｂ＋）を外部容量性キャパシター
（Ｃｓ）に充電する第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１３）を含
む。また、パルス発生部（図示せず）から入力される所
定レベルの放電制御信号に応じてダイオード（Ｄ１２）
及びインダクター（Ｌ）を通して外部容量性キャパシタ
ー（Ｃｓ）に充電された電圧（Ｂ＋）をキャパシター
（Ｃ）に放電する第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１４）を含む。
【００１０】かかる構成を有する従来のＰＤＰの電力回
収装置は、外部充電装置に電力を充電及び放電すること
により、維持パルスの電流を低減する機能をする。
収装置は、外部充電装置に電力を充電及び放電すること
により、維持パルスの電流を低減する機能をする。
【００１１】しかし、従来のＰＤＰの電力回収装置で
は、外部電圧の正電圧に対してのみ充電及び放電が行わ
れるため、維持電圧の印加が不自由であるという欠点を
有していた。つまり、放電のための出力電圧が正の方向
でのみ行われるため、正負の両極性の電圧を印加する
時、負の方向に対しては電力供給及び電力回収がなされ
ないという欠点があった。
は、外部電圧の正電圧に対してのみ充電及び放電が行わ
れるため、維持電圧の印加が不自由であるという欠点を
有していた。つまり、放電のための出力電圧が正の方向
でのみ行われるため、正負の両極性の電圧を印加する
時、負の方向に対しては電力供給及び電力回収がなされ
ないという欠点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記のような
問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、
放電時に存在する残余電子による電力を正及び負の両極
性電圧として外部充電装置に充電しておき、次の放電時
にこれを供給するＰＤＰの電力回収装置を提供すること
にある。
問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、
放電時に存在する残余電子による電力を正及び負の両極
性電圧として外部充電装置に充電しておき、次の放電時
にこれを供給するＰＤＰの電力回収装置を提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明の構成は、次の通りである。
めの本発明の構成は、次の通りである。
【００１４】外部からの入力電圧をＰＤＰを構成する各
単位セルの電極に供給するＰＤＰの電力供給装置におい
て、上記外部電圧のうち正電圧を充電して次の放電時に
上記正電圧を上記電極に放電する正電圧充放電手段；上
記外部電圧のうち負電圧を充電して次の放電時に上記負
電圧を上記電極に放電する負電圧充放電手段；及び上記
外部電圧の上記電極、上記正電圧充放電手段、及び上記
負電圧充放電手段への供給を制御し、上記正電圧充放電
手段の充放電及び上記負電圧充放電手段の充放電を制御
する制御手段；を含む。
単位セルの電極に供給するＰＤＰの電力供給装置におい
て、上記外部電圧のうち正電圧を充電して次の放電時に
上記正電圧を上記電極に放電する正電圧充放電手段；上
記外部電圧のうち負電圧を充電して次の放電時に上記負
電圧を上記電極に放電する負電圧充放電手段；及び上記
外部電圧の上記電極、上記正電圧充放電手段、及び上記
負電圧充放電手段への供給を制御し、上記正電圧充放電
手段の充放電及び上記負電圧充放電手段の充放電を制御
する制御手段；を含む。
【００１５】また、本発明は、上記構成に維持パルス発
生手段をさらに含むことができる。上記維持パルス発生
手段は、上記正電圧を上記制御手段の正電圧入力制御信
号に応じて上記正電圧充放電手段、上記負電圧充放電手
段、及び上記電極に供給する第１スイッチング手段；及
び上記負電圧を上記制御手段の負電圧入力制御信号に応
じて上記正電圧充放電手段、上記負電圧充放電手段、及
び上記電極に供給する第２スイッチング手段；を含む。
生手段をさらに含むことができる。上記維持パルス発生
手段は、上記正電圧を上記制御手段の正電圧入力制御信
号に応じて上記正電圧充放電手段、上記負電圧充放電手
段、及び上記電極に供給する第１スイッチング手段；及
び上記負電圧を上記制御手段の負電圧入力制御信号に応
じて上記正電圧充放電手段、上記負電圧充放電手段、及
び上記電極に供給する第２スイッチング手段；を含む。
【００１６】かかる構成による本発明の作用は、次の通
りである。
りである。
【００１７】正電圧入力制御信号に応じて第１スイッチ
ング手段がスイッチングされ入力された外部正電圧は、
電極に入力されるとともに正電圧充電手段によって正電
圧キャパシターに充電され、電極での次の放電時に正電
圧放電手段により電極に放電される。また、負電圧入力
制御信号に応じて第２スイッチング手段がスイッチング
され入力された外部負電圧は、電極に入力されるととも
に負電圧充電手段によって負電圧キャパシターに充電さ
れ、電極での次の放電時に負電圧放電手段により電極に
放電される。
ング手段がスイッチングされ入力された外部正電圧は、
電極に入力されるとともに正電圧充電手段によって正電
圧キャパシターに充電され、電極での次の放電時に正電
圧放電手段により電極に放電される。また、負電圧入力
制御信号に応じて第２スイッチング手段がスイッチング
され入力された外部負電圧は、電極に入力されるととも
に負電圧充電手段によって負電圧キャパシターに充電さ
れ、電極での次の放電時に負電圧放電手段により電極に
放電される。
【００１８】従って、上記のように構成された本発明の
ＰＤＰの電力回収装置によれば、正／負両極性の維持パ
ルスに対する電力供給及び電力回収を行うことにより、
維持電圧の印加が自由に行える。また、同一の電力でＰ
ＤＰをより明るく駆動することができ、電力の消耗を最
小限にすることができるという効果がある。
ＰＤＰの電力回収装置によれば、正／負両極性の維持パ
ルスに対する電力供給及び電力回収を行うことにより、
維持電圧の印加が自由に行える。また、同一の電力でＰ
ＤＰをより明るく駆動することができ、電力の消耗を最
小限にすることができるという効果がある。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明によるＰＤＰの電力回収装置の望ましい一実施例を
より詳しく説明する。
発明によるＰＤＰの電力回収装置の望ましい一実施例を
より詳しく説明する。
【００２０】図２は本発明の望ましい一実施例によるＰ
ＤＰの電力回収装置を示す回路図である。本発明による
ＰＤＰの電力回収装置は、ＰＤＰを構成する単位セルの
放電電極（Ｃｐ）、パルス制御信号を発生する制御信号
発生部２１０、維持パルス発生部２２０、正電圧充放電
部２３０、及び負電圧充放電部２４０を含む。
ＤＰの電力回収装置を示す回路図である。本発明による
ＰＤＰの電力回収装置は、ＰＤＰを構成する単位セルの
放電電極（Ｃｐ）、パルス制御信号を発生する制御信号
発生部２１０、維持パルス発生部２２０、正電圧充放電
部２３０、及び負電圧充放電部２４０を含む。
【００２１】以下では、維持パルス発生部２２０の回路
の構成について説明する。維持パルス発生部２２０は、
正電圧維持パルス発生部２２２と負電圧維持パルス発生
部２２４とに区分される。正電圧維持パルス発生部２２
２は、正電圧（Ｂ＋）の入力される入力端を備え、放電
電極（Ｃｐ）、正電圧充放電部２３０、及び負電圧充放
電部２４０の各入力端と連結された出力端を備える第１
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）を含む。また正電圧維持パルス発
生部２２２は、制御信号発生部２１０から出力され第１
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電極に入力される正電圧
入力制御信号（Ｐ１）を増幅する第１増幅器（Ａ１）を
含む。負電圧維持パルス発生部２２４は、負電圧（Ｂ
−）の入力される入力端を備え、放電電極（Ｃｐ）、正
電圧充放電部２３０、及び負電圧充放電部２４０の各入
力端と連結された出力端を備える第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
２）を含む。また負電圧維持パルス発生部２２４は、制
御信号発生部２１０から出力され第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
２）のゲート電極に入力される負電圧入力制御信号（Ｐ
２）を増幅する第２増幅器（Ａ２）を含む。
の構成について説明する。維持パルス発生部２２０は、
正電圧維持パルス発生部２２２と負電圧維持パルス発生
部２２４とに区分される。正電圧維持パルス発生部２２
２は、正電圧（Ｂ＋）の入力される入力端を備え、放電
電極（Ｃｐ）、正電圧充放電部２３０、及び負電圧充放
電部２４０の各入力端と連結された出力端を備える第１
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）を含む。また正電圧維持パルス発
生部２２２は、制御信号発生部２１０から出力され第１
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）のゲート電極に入力される正電圧
入力制御信号（Ｐ１）を増幅する第１増幅器（Ａ１）を
含む。負電圧維持パルス発生部２２４は、負電圧（Ｂ
−）の入力される入力端を備え、放電電極（Ｃｐ）、正
電圧充放電部２３０、及び負電圧充放電部２４０の各入
力端と連結された出力端を備える第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
２）を含む。また負電圧維持パルス発生部２２４は、制
御信号発生部２１０から出力され第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
２）のゲート電極に入力される負電圧入力制御信号（Ｐ
２）を増幅する第２増幅器（Ａ２）を含む。
【００２２】次に、正電圧充放電部２３０の回路の構成
を説明する。正電圧充放電部２３０は、第１インダクタ
ー（Ｌ１）、正電圧充電部２３２、正電圧放電部２３
４、及び正電圧の充電される正電圧キャパシター（Ｃ
１）を含む。
を説明する。正電圧充放電部２３０は、第１インダクタ
ー（Ｌ１）、正電圧充電部２３２、正電圧放電部２３
４、及び正電圧の充電される正電圧キャパシター（Ｃ
１）を含む。
【００２３】第１インダクター（Ｌ１）の一端は放電電
極（Ｃｐ）の入力端、正電圧維持パルス発生部２２２の
出力端、及び負電圧維持パルス発生部２２４の出力端に
連結されている。第１インダクター（Ｌ１）の他端は正
電圧充電部２３２の充電入力端及び正電圧放電部２３４
の放電出力端に連結されている。
極（Ｃｐ）の入力端、正電圧維持パルス発生部２２２の
出力端、及び負電圧維持パルス発生部２２４の出力端に
連結されている。第１インダクター（Ｌ１）の他端は正
電圧充電部２３２の充電入力端及び正電圧放電部２３４
の放電出力端に連結されている。
【００２４】正電圧充電部２３２は第１インダクター
（Ｌ１）の他端に連結された入力端から入力される正電
圧を第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）の入力端の方向に流す第
１ダイオード（Ｄ１）及びスイッチング動作を行う第３
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）を備えている。第３ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ３）の入力端は第１ダイオード（Ｄ１）の出力端に
連結されており、第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）の出力端は
一端の接地されている正電圧キャパシター（Ｃ１）の入
出力端に連結されている。また、正電圧充電部２３２は
制御信号発生部２１０から出力され第３ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ３）のゲート電極に入力される正電圧充電制御信号
（Ｐ３）を増幅する第３増幅器（Ａ３）を含む。
（Ｌ１）の他端に連結された入力端から入力される正電
圧を第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）の入力端の方向に流す第
１ダイオード（Ｄ１）及びスイッチング動作を行う第３
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）を備えている。第３ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ３）の入力端は第１ダイオード（Ｄ１）の出力端に
連結されており、第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）の出力端は
一端の接地されている正電圧キャパシター（Ｃ１）の入
出力端に連結されている。また、正電圧充電部２３２は
制御信号発生部２１０から出力され第３ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ３）のゲート電極に入力される正電圧充電制御信号
（Ｐ３）を増幅する第３増幅器（Ａ３）を含む。
【００２５】正電圧放電部２３４は第４ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ４）の出力端から出力される充電正電圧を第１イン
ダクター（Ｌ１）の他端と連結された出力端の方向に流
す第２ダイオード（Ｄ２）及びスイッチング動作を行う
第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ４）を備えている。第４ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ４）の入力端は一端の接地されている正電圧キ
ャパシター（Ｃ１）の入出力端に連結されており、第４
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ４）の出力端は第２ダイオード（Ｄ
２）の入力端に連結されている。また、正電圧放電部２
３４は制御信号発生部２１０から出力され第４ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ４）のゲート電極に入力される正電圧放電制御
信号（Ｐ４）を増幅する第４増幅器（Ａ４）を含む。
（Ｔ４）の出力端から出力される充電正電圧を第１イン
ダクター（Ｌ１）の他端と連結された出力端の方向に流
す第２ダイオード（Ｄ２）及びスイッチング動作を行う
第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ４）を備えている。第４ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ４）の入力端は一端の接地されている正電圧キ
ャパシター（Ｃ１）の入出力端に連結されており、第４
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ４）の出力端は第２ダイオード（Ｄ
２）の入力端に連結されている。また、正電圧放電部２
３４は制御信号発生部２１０から出力され第４ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ４）のゲート電極に入力される正電圧放電制御
信号（Ｐ４）を増幅する第４増幅器（Ａ４）を含む。
【００２６】次に、負電圧充放電部２４０の回路の構成
を説明する。負電圧充放電部２４０は、第２インダクタ
ー（Ｌ２）、負電圧充電部２４２、負電圧放電部２４
４、及び負電圧の充電される負電圧キャパシター（Ｃ
２）を含む。
を説明する。負電圧充放電部２４０は、第２インダクタ
ー（Ｌ２）、負電圧充電部２４２、負電圧放電部２４
４、及び負電圧の充電される負電圧キャパシター（Ｃ
２）を含む。
【００２７】第２インダクター（Ｌ２）の一端は放電電
極（Ｃｐ）の入力端、正電圧維持パルス発生部２２２の
出力端、及び負電圧維持パルス発生部２２４の出力端に
連結されている。第２インダクター（Ｌ２）の他端は負
電圧充電部２４２の充電入力端及び負電圧放電部２４４
の放電出力端に連結されている。
極（Ｃｐ）の入力端、正電圧維持パルス発生部２２２の
出力端、及び負電圧維持パルス発生部２２４の出力端に
連結されている。第２インダクター（Ｌ２）の他端は負
電圧充電部２４２の充電入力端及び負電圧放電部２４４
の放電出力端に連結されている。
【００２８】負電圧充電部２４２は第２インダクター
（Ｌ２）の他端に連結された入力端から入力される負電
圧を第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）の入力端の方向に流す第
３ダイオード（Ｄ３）及びスイッチング動作を行う第５
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）を備えている。第５ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ５）の入力端は第３ダイオード（Ｄ３）の出力端に
連結されており、第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）の出力端は
一端の接地されている負電圧キャパシター（Ｃ２）の入
出力端に連結されている。また負電圧充電部２４２は、
制御信号発生部２１０から出力され第５ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ５）のゲート電極に入力される負電圧充電制御信号
（Ｐ５）を増幅する第５増幅器（Ａ５）を含む。
（Ｌ２）の他端に連結された入力端から入力される負電
圧を第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）の入力端の方向に流す第
３ダイオード（Ｄ３）及びスイッチング動作を行う第５
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）を備えている。第５ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ５）の入力端は第３ダイオード（Ｄ３）の出力端に
連結されており、第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）の出力端は
一端の接地されている負電圧キャパシター（Ｃ２）の入
出力端に連結されている。また負電圧充電部２４２は、
制御信号発生部２１０から出力され第５ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ５）のゲート電極に入力される負電圧充電制御信号
（Ｐ５）を増幅する第５増幅器（Ａ５）を含む。
【００２９】負電圧放電部２４４は第６ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ６）の出力端から出力される充電負電圧を第２イン
ダクター（Ｌ２）の他端と連結された出力端の方向に流
す第４ダイオード（Ｄ４）及びスイッチング動作を行う
第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ６）を備えている。第６ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ６）の入力端は一端の接地されている負電圧キ
ャパシター（Ｃ２）の入出力端に連結されており、第６
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ６）の出力端は第４ダイオード（Ｄ
４）の入力端に連結されている。また負電圧放電部２４
４は、制御信号発生部２１０から出力され第６ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ６）のゲート電極に入力される負電圧放電制御
信号（Ｐ６）を増幅する第６増幅器（Ａ６）を含む。
（Ｔ６）の出力端から出力される充電負電圧を第２イン
ダクター（Ｌ２）の他端と連結された出力端の方向に流
す第４ダイオード（Ｄ４）及びスイッチング動作を行う
第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ６）を備えている。第６ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ６）の入力端は一端の接地されている負電圧キ
ャパシター（Ｃ２）の入出力端に連結されており、第６
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ６）の出力端は第４ダイオード（Ｄ
４）の入力端に連結されている。また負電圧放電部２４
４は、制御信号発生部２１０から出力され第６ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ６）のゲート電極に入力される負電圧放電制御
信号（Ｐ６）を増幅する第６増幅器（Ａ６）を含む。
【００３０】上記制御信号発生部２１０の制御信号入出
力関係は、次のようである。
力関係は、次のようである。
【００３１】制御信号発生部２１０から出力される制御
信号は正電圧入力制御信号（Ｐ１）、負電圧入力制御信
号（Ｐ２）、正電圧充電制御信号（Ｐ３）、正電圧放電
制御信号（Ｐ４）、負電圧充電制御信号（Ｐ５）、負電
圧放電制御信号（Ｐ６）を含む。正電圧入力制御信号
（Ｐ１）は第１増幅器（Ａ１）によって増幅された後、
第１ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）に入力され第１ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ１）をスイッチングする。負電圧入力制御信号（Ｐ
２）は第２増幅器（Ａ２）によって増幅された後、第２
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ２）に入力され第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
２）をスイッチングする。正電圧充電制御信号（Ｐ３）
は第３増幅器（Ａ３）によって増幅された後、第３ＭＯ
ＳＦＥＴ（Ｔ３）に入力され第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）
をスイッチングする。正電圧放電制御信号（Ｐ４）は第
４増幅器（Ａ４）によって増幅された後、第４ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ４）に入力され第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ４）をス
イッチングする。負電圧充電制御信号（Ｐ５）は第５増
幅器（Ａ５）によって増幅された後、第５ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ５）に入力され第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）をスイッ
チングする。負電圧放電制御信号（Ｐ６）は第６増幅器
（Ａ６）によって増幅された後、第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
６）に入力され第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ６）をスイッチン
グする。
信号は正電圧入力制御信号（Ｐ１）、負電圧入力制御信
号（Ｐ２）、正電圧充電制御信号（Ｐ３）、正電圧放電
制御信号（Ｐ４）、負電圧充電制御信号（Ｐ５）、負電
圧放電制御信号（Ｐ６）を含む。正電圧入力制御信号
（Ｐ１）は第１増幅器（Ａ１）によって増幅された後、
第１ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）に入力され第１ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ１）をスイッチングする。負電圧入力制御信号（Ｐ
２）は第２増幅器（Ａ２）によって増幅された後、第２
ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ２）に入力され第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
２）をスイッチングする。正電圧充電制御信号（Ｐ３）
は第３増幅器（Ａ３）によって増幅された後、第３ＭＯ
ＳＦＥＴ（Ｔ３）に入力され第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）
をスイッチングする。正電圧放電制御信号（Ｐ４）は第
４増幅器（Ａ４）によって増幅された後、第４ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ４）に入力され第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ４）をス
イッチングする。負電圧充電制御信号（Ｐ５）は第５増
幅器（Ａ５）によって増幅された後、第５ＭＯＳＦＥＴ
（Ｔ５）に入力され第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）をスイッ
チングする。負電圧放電制御信号（Ｐ６）は第６増幅器
（Ａ６）によって増幅された後、第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
６）に入力され第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ６）をスイッチン
グする。
【００３２】以下では、図３のＡ〜Ｇを参照しながら、
上記のように構成された本発明によるＰＤＰの電力回収
装置の作用を説明する。
上記のように構成された本発明によるＰＤＰの電力回収
装置の作用を説明する。
【００３３】初期状態で、正電圧キャパシター（Ｃ１）
にはＢ＋／２の正電圧が、負電圧キャパシター（Ｃ２）
にはＢ−／２の負電圧が、それぞれ充電されていると想
定しよう。
にはＢ＋／２の正電圧が、負電圧キャパシター（Ｃ２）
にはＢ−／２の負電圧が、それぞれ充電されていると想
定しよう。
【００３４】図３のＡは、図２の点Ａでの正（Ｂ＋）／
負（Ｂ−）の外部電圧による維持パルスの出力波形を示
す波形図で、図３のＢ〜Ｇは図３のＡの出力波形に対応
して制御信号発生部２１０から発生する制御信号を示す
波形図である。
負（Ｂ−）の外部電圧による維持パルスの出力波形を示
す波形図で、図３のＢ〜Ｇは図３のＡの出力波形に対応
して制御信号発生部２１０から発生する制御信号を示す
波形図である。
【００３５】図３のＡに示すように、出力波形は制御信
号発生部２１０から発生して第１増幅器（Ａ１）及び第
２増幅器（Ａ２）により増幅された正電圧入力制御信号
（Ｐ１）及び負電圧入力制御信号（Ｐ２）によってスイ
ッチングされ、放電電極（Ｃｐ）、正電圧充放電部２３
０、及び負電圧充放電部２４０に提供される正電圧及び
負電圧維持パルスを表わす。
号発生部２１０から発生して第１増幅器（Ａ１）及び第
２増幅器（Ａ２）により増幅された正電圧入力制御信号
（Ｐ１）及び負電圧入力制御信号（Ｐ２）によってスイ
ッチングされ、放電電極（Ｃｐ）、正電圧充放電部２３
０、及び負電圧充放電部２４０に提供される正電圧及び
負電圧維持パルスを表わす。
【００３６】図３のＢの波形は正電圧維持パルスの立ち
上り時間（ｔ１）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、正電圧放電制御信号（Ｐ４）を表わ
す。正電圧放電制御信号（Ｐ４）が発生すれば、第４Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ４）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、正電圧キャパシター（Ｃ１）に充電されて
いた充電正電圧（Ｂ＋／２）が第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
４）、第２ダイオード（Ｄ２）、及び第１インダクター
（Ｌ１）を経て放電電極（Ｃｐ）に供給される。
上り時間（ｔ１）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、正電圧放電制御信号（Ｐ４）を表わ
す。正電圧放電制御信号（Ｐ４）が発生すれば、第４Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ４）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、正電圧キャパシター（Ｃ１）に充電されて
いた充電正電圧（Ｂ＋／２）が第４ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
４）、第２ダイオード（Ｄ２）、及び第１インダクター
（Ｌ１）を経て放電電極（Ｃｐ）に供給される。
【００３７】図３のＣの波形は正電圧維持パルスの定常
状態（ｔ２）で発生する制御信号発生部２１０の制御信
号であって、正電圧入力制御信号（Ｐ１）を表わす。正
電圧入力制御信号（Ｐ１）が発生すれば、第１ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ１）だけがスイッチングオン状態になる。この
時、正電圧（Ｂ＋）が第１ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）を経て
放電電極（Ｃｐ）に供給される。
状態（ｔ２）で発生する制御信号発生部２１０の制御信
号であって、正電圧入力制御信号（Ｐ１）を表わす。正
電圧入力制御信号（Ｐ１）が発生すれば、第１ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ１）だけがスイッチングオン状態になる。この
時、正電圧（Ｂ＋）が第１ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ１）を経て
放電電極（Ｃｐ）に供給される。
【００３８】図３のＤの波形は正電圧維持パルスの立ち
下り時間（ｔ３）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、正電圧充電制御信号（Ｐ３）を表わ
す。正電圧充電制御信号（Ｐ３）が発生すれば、第３Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ３）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、放電電極（Ｃｐ）に提供された正電圧（Ｂ
＋）が第１インダクター（Ｌ１）、第２ダイオード（Ｄ
２）、及び第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）を経て正電圧キャ
パシター（Ｃ１）に充電される。
下り時間（ｔ３）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、正電圧充電制御信号（Ｐ３）を表わ
す。正電圧充電制御信号（Ｐ３）が発生すれば、第３Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ３）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、放電電極（Ｃｐ）に提供された正電圧（Ｂ
＋）が第１インダクター（Ｌ１）、第２ダイオード（Ｄ
２）、及び第３ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ３）を経て正電圧キャ
パシター（Ｃ１）に充電される。
【００３９】ここで、制御信号発生部２１０から何の制
御信号も発生しない時間（ｔ４）が存在するが、この
時、放電電極（Ｃｐ）に供給される電圧は０Ｖとなる。
御信号も発生しない時間（ｔ４）が存在するが、この
時、放電電極（Ｃｐ）に供給される電圧は０Ｖとなる。
【００４０】図３のＥの波形は負電圧維持パルスの立ち
上り時間（ｔ５）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、負電圧放電制御信号（Ｐ６）を表わ
す。負電圧放電制御信号（Ｐ６）が発生すれば、第６Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ６）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、負電圧キャパシター（Ｃ２）に充電されて
いた充電負電圧（Ｂ−／２）が第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
６）、第４ダイオード（Ｄ４）、及び第２インダクター
（Ｌ２）を経て放電電極（Ｃｐ）に供給される。
上り時間（ｔ５）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、負電圧放電制御信号（Ｐ６）を表わ
す。負電圧放電制御信号（Ｐ６）が発生すれば、第６Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ６）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、負電圧キャパシター（Ｃ２）に充電されて
いた充電負電圧（Ｂ−／２）が第６ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ
６）、第４ダイオード（Ｄ４）、及び第２インダクター
（Ｌ２）を経て放電電極（Ｃｐ）に供給される。
【００４１】図３のＦの波形は負電圧維持パルスの定常
状態（ｔ６）で発生する制御信号発生部２１０の制御信
号であって、負電圧入力制御信号（Ｐ２）を表わす。負
電圧入力制御信号（Ｐ２）が発生すれば、第２ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ２）だけがスイッチングオン状態になる。この
時、負電圧（Ｂ−）が第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ２）を経て
放電電極（Ｃｐ）に供給される。
状態（ｔ６）で発生する制御信号発生部２１０の制御信
号であって、負電圧入力制御信号（Ｐ２）を表わす。負
電圧入力制御信号（Ｐ２）が発生すれば、第２ＭＯＳＦ
ＥＴ（Ｔ２）だけがスイッチングオン状態になる。この
時、負電圧（Ｂ−）が第２ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ２）を経て
放電電極（Ｃｐ）に供給される。
【００４２】図３のＧの波形は負電圧維持パルスの立ち
下り時間（ｔ７）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、負電圧充電制御信号（Ｐ５）を表わ
す。負電圧充電制御信号（Ｐ５）が発生すれば、第５Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ５）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、放電電極（Ｃｐ）に提供された負電圧（Ｂ
−）が第２インダクター（Ｌ２）、第３ダイオード（Ｄ
３）、及び第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）を経て負電圧キャ
パシター（Ｃ２）に充電される。
下り時間（ｔ７）に発生する制御信号発生部２１０の制
御信号であって、負電圧充電制御信号（Ｐ５）を表わ
す。負電圧充電制御信号（Ｐ５）が発生すれば、第５Ｍ
ＯＳＦＥＴ（Ｔ５）だけがスイッチングオン状態にな
る。この時、放電電極（Ｃｐ）に提供された負電圧（Ｂ
−）が第２インダクター（Ｌ２）、第３ダイオード（Ｄ
３）、及び第５ＭＯＳＦＥＴ（Ｔ５）を経て負電圧キャ
パシター（Ｃ２）に充電される。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＰＤＰの
電力回収装置によれば、正／負両極性の外部電圧に対し
て電力供給及び電力回収を行うことで、外部電圧を自由
に印加することができる。また、同一の電力でＰＤＰを
より明るく駆動することができ、しかも少ない電力をも
って所望の明るさを得ることができるので、電力の効率
的な利用が図れる。
電力回収装置によれば、正／負両極性の外部電圧に対し
て電力供給及び電力回収を行うことで、外部電圧を自由
に印加することができる。また、同一の電力でＰＤＰを
より明るく駆動することができ、しかも少ない電力をも
って所望の明るさを得ることができるので、電力の効率
的な利用が図れる。
【００４４】以上、本発明を望ましい実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更及び改
良が可能なことは勿論である。
具体的に説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で変更及び改
良が可能なことは勿論である。
【図１】従来のＰＤＰの電力回収装置を示す回路図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例によるＰＤＰの電力回収装置
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図３】Ａは図２の点Ａからの出力波形を示す波形図
で、Ｂ〜ＧはＡの出力波形に対応して制御信号発生部か
ら発生する制御信号を示す波形図である。
で、Ｂ〜ＧはＡの出力波形に対応して制御信号発生部か
ら発生する制御信号を示す波形図である。
２１０ 制御信号発生部 ２２０ 維持パルス発生部 ２３０ 正電圧充放電部 ２４０ 負電圧充放電部
Claims (9)
- 【請求項１】 外部からの入力電圧をＰＤＰの各単位セ
ルの電極に供給するＰＤＰの電力供給装置において、 上記外部電圧のうち正電圧を充電し、上記充電正電圧を
上記電極に放電する正電圧充放電手段；上記外部電圧の
うち負電圧を充電し、上記充電負電圧を上記電極に放電
する負電圧充放電手段；及び上記外部電圧の上記電極へ
の供給、上記外部電圧が正電圧の場合は上記正電圧充放
電手段における上記正電圧の充放電、及び上記外部電圧
が負電圧の場合は上記負電圧充放電手段における上記負
電圧の充放電を制御する制御手段；を含むことを特徴と
するＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項２】 上記正電圧充放電手段は、一端は上記電
極の一端と連結され、上記正電圧の経由するインダクタ
ー；一端は接地され、上記正電圧を貯蔵する正電圧キャ
パシター；一端は上記インダクターの他端と連結され他
端は上記正電圧キャパシターの他端と連結されて、上記
制御手段の正電圧充電制御信号に応じて上記正電圧を上
記正電圧キャパシターに充電する正電圧充電手段；及び
一端は上記インダクターの他端と連結され他端は上記正
電圧キャパシターの他端と連結されて、上記制御手段の
正電圧放電制御信号に応じて上記充電正電圧を上記電極
に放電する正電圧放電手段を含むことを特徴とする請求
項１に記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項３】 上記正電圧充電手段は、一端は上記イン
ダクターの他端と連結され、上記正電圧を他端に流すダ
イオード；及び一端は上記ダイオードの他端と連結され
他端は上記正電圧キャパシターの他端と連結されて、上
記正電圧を上記正電圧充電制御信号により上記正電圧キ
ャパシターに流すスイッチ；を含むことを特徴とする請
求項２に記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項４】 上記正電圧放電手段は、一端は上記正電
圧キャパシターの他端と連結され、上記充電正電圧を上
記制御手段の正電圧放電制御信号に応じて他端に流すス
イッチ；及び一端は上記スイッチの他端と連結され他端
は上記インダクターの他端と連結されて、上記充電正電
圧を他端に流すダイオード；を含むことを特徴とする請
求項２に記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項５】 上記負電圧充放電手段は、一端は上記電
極の一端と連結され、上記負電圧の経由するインダクタ
ー；一端は接地され、上記負電圧を貯蔵する負電圧キャ
パシター；一端は上記インダクターの他端と連結され他
端は上記負電圧キャパシターの他端と連結されて、上記
制御手段の負電圧充電制御信号に応じて上記負電圧を上
記負電圧キャパシターに充電する負電圧充電手段；及び
一端は上記インダクターの他端と連結され他端は上記負
電圧キャパシターの他端と連結されて、上記制御手段の
負電圧放電制御信号に応じて上記充電負電圧を上記電極
に放電する負電圧放電手段；を含むことを特徴とする請
求項１に記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項６】 上記負電圧充電手段は、一端は上記イン
ダクターの他端と連結され、上記負電圧を他端に流すダ
イオード；及び一端は上記ダイオードの他端と連結され
他端は上記負電圧キャパシターの他端と連結されて、上
記負電圧を上記制御手段の負電圧充電制御信号に応じて
上記負電圧キャパシターに流すスイッチ；を含むことを
特徴とする請求項５に記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項７】 上記負電圧放電手段は、一端は上記負電
圧キャパシターの他端と連結され、上記充電負電圧を上
記制御手段の負電圧放電制御信号に応じて流すスイッ
チ；及び一端は上記スイッチの他端と連結され他端は上
記インダクターの他端と連結されて、上記充電負電圧を
他端に流すダイオード；を含むことを特徴とする請求項
５に記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項８】 上記外部電圧による維持パルスを上記制
御手段の入力制御信号に応じて上記正電圧充放電手段、
上記負電圧充放電手段、及び上記電極に供給する維持パ
ルス発生手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に
記載のＰＤＰの電力回収装置。 - 【請求項９】 上記維持パルス発生手段は、上記正電圧
を上記制御手段の正電圧入力制御信号に応じて、上記正
電圧充放電手段、上記負電圧充放電手段、及び上記電極
に供給する第１スイッチ；及び上記負電圧を上記制御手
段の負電圧入力制御信号に応じて、上記正電圧充放電手
段、上記負電圧充放電手段、及び上記電極に供給する第
２スイッチを含むことを特徴とする請求項８に記載のＰ
ＤＰの電力回収装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR42494/96 | 1996-09-25 | ||
| KR1019960042494A KR19980023076A (ko) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 피디피(pdp)의 전력회수장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10105114A true JPH10105114A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=19475345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9259750A Withdrawn JPH10105114A (ja) | 1996-09-25 | 1997-09-25 | Ｐｄｐの電力回収装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10105114A (ja) |
| KR (1) | KR19980023076A (ja) |
| CN (1) | CN1198564A (ja) |
| GB (1) | GB2317736A (ja) |
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