JPH1010480A - 光変調装置 - Google Patents
光変調装置Info
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- JPH1010480A JPH1010480A JP8164475A JP16447596A JPH1010480A JP H1010480 A JPH1010480 A JP H1010480A JP 8164475 A JP8164475 A JP 8164475A JP 16447596 A JP16447596 A JP 16447596A JP H1010480 A JPH1010480 A JP H1010480A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 装置構成が簡単であって、３次相互変調歪成
分を実質的に除去することができる光変調装置を提供す
る。 【解決手段】 入力される光信号を所定の分波比で２分
波して第１と第２の光信号とし、第１の光信号を分波比
１で２分波して第３と第４の光信号とする。プッシュ・
プル型位相変調器は、第３の光信号を入力される電気信
号に従って所定の位相変調指数及び所定のバイアス位相
で光位相変調を行って出力するとともに、第４の光信号
を上記入力される電気信号に従って上記位相変調指数及
び上記バイアス位相でかつ上記光位相変調と逆相で光位
相変調を行って出力し、これら２つの光信号を合波して
出力して第５の光信号とする。さらに、第２の光信号
と、第５の光信号とを逆相で合波して出力して第６の光
信号とする。分波比と変調指数とバイアス位相とは第６
の光信号における３次相互変調歪が実質的に除去される
ように調整されて設定される。
分を実質的に除去することができる光変調装置を提供す
る。 【解決手段】 入力される光信号を所定の分波比で２分
波して第１と第２の光信号とし、第１の光信号を分波比
１で２分波して第３と第４の光信号とする。プッシュ・
プル型位相変調器は、第３の光信号を入力される電気信
号に従って所定の位相変調指数及び所定のバイアス位相
で光位相変調を行って出力するとともに、第４の光信号
を上記入力される電気信号に従って上記位相変調指数及
び上記バイアス位相でかつ上記光位相変調と逆相で光位
相変調を行って出力し、これら２つの光信号を合波して
出力して第５の光信号とする。さらに、第２の光信号
と、第５の光信号とを逆相で合波して出力して第６の光
信号とする。分波比と変調指数とバイアス位相とは第６
の光信号における３次相互変調歪が実質的に除去される
ように調整されて設定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マッハ・ツェンダ
（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）型光変調装置に関する。
（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）型光変調装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＣＡＴＶなどに代表される光ファイ
バを用いたサブキャリア伝送の研究が盛んになってき
た。現状の変調周波数は１ＧＨｚ程度と低いが、将来は
高速伝送や大容量伝送などを実現するためにミリ波など
の高い変調周波数が用いられると考えられる。このよう
な高い周波数ではＬｉＮｂＯ3基板を用いたマッハ・ツ
ェンダ型外部光変調器（ＭＺ−ＥＯＭ）を用いて光変調
を行う。サブキャリア伝送で多チャンネルの信号伝送を
行う場合には、３次相互変調歪（以下、ＩＭ3とい
う。）により発生する信号成分がチャンネル帯域内に入
るため、伝送路でのＩＭ3成分の抑制が極めて重要であ
る。従って、光ファイバケーブルを用いたサブキャリア
伝送では、光変調器の歪を低減することが重要になる。
マッハ・ツェンダ型外部光変調器は、変調特性がコサイ
ン２乗特性なので、ＩＭ3成分は詳細後述するように位
相変調指数ｍにより一意的に決定され、位相変調指数が
大きくするとＩＭ3成分は大きくなる。一方で、受光器
での受信信号強度は光信号の変調度の２乗に比例するた
め、受信信号強度を大きくするためには、位相変調指数
はあまり小さくすることができない。
バを用いたサブキャリア伝送の研究が盛んになってき
た。現状の変調周波数は１ＧＨｚ程度と低いが、将来は
高速伝送や大容量伝送などを実現するためにミリ波など
の高い変調周波数が用いられると考えられる。このよう
な高い周波数ではＬｉＮｂＯ3基板を用いたマッハ・ツ
ェンダ型外部光変調器（ＭＺ−ＥＯＭ）を用いて光変調
を行う。サブキャリア伝送で多チャンネルの信号伝送を
行う場合には、３次相互変調歪（以下、ＩＭ3とい
う。）により発生する信号成分がチャンネル帯域内に入
るため、伝送路でのＩＭ3成分の抑制が極めて重要であ
る。従って、光ファイバケーブルを用いたサブキャリア
伝送では、光変調器の歪を低減することが重要になる。
マッハ・ツェンダ型外部光変調器は、変調特性がコサイ
ン２乗特性なので、ＩＭ3成分は詳細後述するように位
相変調指数ｍにより一意的に決定され、位相変調指数が
大きくするとＩＭ3成分は大きくなる。一方で、受光器
での受信信号強度は光信号の変調度の２乗に比例するた
め、受信信号強度を大きくするためには、位相変調指数
はあまり小さくすることができない。
【０００３】このような問題を解決するために次に示す
いくつかの方法が提案されてきた。 （１）増幅器の非線形を補正するために行なわれている
方法を用いて入力信号にプリディストーション（前置補
償）を行う方法（以下、第１の方法という。）。 （２）２つの光変調器を並列に接続してＩＭ3成分をキ
ャンセルする方法（例えば、従来技術文献１「J.J.Pan
et al.,“Ultra-linear electro-optic modulators for
microwave fiber optic communications",Proceedings
of SPIE,OpticalTechnology for Microwave Applicati
ons V,Vol.1476,pp.32-43,1991年」参照。）（以下、第
２の方法という。）。 （３）２つの光変調器を直列に接続してＩＭ3成分をキ
ャンセルする方法（例えば、従来技術文献２「H. Skeie
et al.,“Linearization of Electro-optic Modulator
s by a Cascade Coupling of Phase Modulating Electr
odes,"Proceedings of SPIE,Integrated Optical Circu
its,Vol.1583,pp.153-164,1991年」参照。）（以下、第
３の方法という。）。
いくつかの方法が提案されてきた。 （１）増幅器の非線形を補正するために行なわれている
方法を用いて入力信号にプリディストーション（前置補
償）を行う方法（以下、第１の方法という。）。 （２）２つの光変調器を並列に接続してＩＭ3成分をキ
ャンセルする方法（例えば、従来技術文献１「J.J.Pan
et al.,“Ultra-linear electro-optic modulators for
microwave fiber optic communications",Proceedings
of SPIE,OpticalTechnology for Microwave Applicati
ons V,Vol.1476,pp.32-43,1991年」参照。）（以下、第
２の方法という。）。 （３）２つの光変調器を直列に接続してＩＭ3成分をキ
ャンセルする方法（例えば、従来技術文献２「H. Skeie
et al.,“Linearization of Electro-optic Modulator
s by a Cascade Coupling of Phase Modulating Electr
odes,"Proceedings of SPIE,Integrated Optical Circu
its,Vol.1583,pp.153-164,1991年」参照。）（以下、第
３の方法という。）。
【０００４】図２は、従来例のマッハ・ツェンダ型光変
調装置の平面図及びブロック図である。図２において、
電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3基板１０上に、光導
波路２１，２２，２３，３０と、光導波路を用いて構成
された光分波器１１と光合波器１４と、光位相変調器７
とが形成される。ここで、光位相変調器７は、公知の光
位相変調器であって、光導波路２２を、例えばコプレー
ナ線路の中心導体と接地導体である２つの電極で挟設し
て構成され、２つの電極間に印加する電界を変化するこ
とにより、当該光導波路２２を進行する光信号に対して
位相変調を行う。この従来例では、信号発生器２によっ
て発生される変調信号である電気信号Ｓ 0＝ｓｉｎωmｔ
に、可変直流電圧源８によって発生された直流バイアス
電圧を重畳させた信号に比例する位相偏移ｐ＝ｍｓｉｎ
ωmｔ＋ｐbiasに従って光信号を位相変調する。ここ
で、ｐbiasは直流バイアス電圧によって定まるバイアス
位相である。以下、本明細書において、光信号に対して
付したＥという符号はその電界値を示す。
調装置の平面図及びブロック図である。図２において、
電気光学効果を有するＬｉＮｂＯ3基板１０上に、光導
波路２１，２２，２３，３０と、光導波路を用いて構成
された光分波器１１と光合波器１４と、光位相変調器７
とが形成される。ここで、光位相変調器７は、公知の光
位相変調器であって、光導波路２２を、例えばコプレー
ナ線路の中心導体と接地導体である２つの電極で挟設し
て構成され、２つの電極間に印加する電界を変化するこ
とにより、当該光導波路２２を進行する光信号に対して
位相変調を行う。この従来例では、信号発生器２によっ
て発生される変調信号である電気信号Ｓ 0＝ｓｉｎωmｔ
に、可変直流電圧源８によって発生された直流バイアス
電圧を重畳させた信号に比例する位相偏移ｐ＝ｍｓｉｎ
ωmｔ＋ｐbiasに従って光信号を位相変調する。ここ
で、ｐbiasは直流バイアス電圧によって定まるバイアス
位相である。以下、本明細書において、光信号に対して
付したＥという符号はその電界値を示す。
【０００５】レーザダイオード１は所定の波長の無変調
光信号Ｅ10＝ｅｘｐ（ｊωｔ）（ここで、電界の振幅を
１としている。）を発生して、光ファイバケーブル５及
び光導波路２１を介して光分波器１１に入力される。光
分波器１１は入力された光信号を分波比１：１で２分波
して、一方の光信号Ｅ21＝｛１／√（２）｝・ｅｘｐ
（ｊωｔ）を光導波路２２を介して光位相変調器７に出
力する一方、他方の光信号Ｅ22＝｛１／√（２）｝・ｅ
ｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２３を介して光合波器１４に
出力する。光位相変調器７は、入力される光信号Ｅ
21を、電気信号Ｓ0＝ｓｉｎωmｔに、可変直流電圧源８
によって発生された直流バイアス電圧を重畳させた信号
に従って所定の位相偏移ｐで位相変調して、位相変調後
の光信号Ｅ40＝｛１／√（２）｝・ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ＋
ｐ）｝を光導波路２２を介して光合波器１４に出力す
る。さらに、光合波器１４は入力された２つの光信号Ｅ
22，Ｅ40を同相で合波して、同相合波後の光信号Ｅ60＝
ＥMZ-EOM＝ｃｏｓ（ｐ／２）ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ＋ｐ／
２）｝を光導波路３０及び光ファイバケーブル６を介し
て、例えばフォトダイオードである光電変換器３に出力
する。光電変換器３は入力される光信号を光電変換して
電気信号である光電変換出力信号Ｉｐｄ＝ＥMZ-EOM・Ｅ
MZ-EOM＊を出力する。ここで、ＥMZ-EOM＊は光信号の電
界ＥMZ-EOMの複素共役である。
光信号Ｅ10＝ｅｘｐ（ｊωｔ）（ここで、電界の振幅を
１としている。）を発生して、光ファイバケーブル５及
び光導波路２１を介して光分波器１１に入力される。光
分波器１１は入力された光信号を分波比１：１で２分波
して、一方の光信号Ｅ21＝｛１／√（２）｝・ｅｘｐ
（ｊωｔ）を光導波路２２を介して光位相変調器７に出
力する一方、他方の光信号Ｅ22＝｛１／√（２）｝・ｅ
ｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２３を介して光合波器１４に
出力する。光位相変調器７は、入力される光信号Ｅ
21を、電気信号Ｓ0＝ｓｉｎωmｔに、可変直流電圧源８
によって発生された直流バイアス電圧を重畳させた信号
に従って所定の位相偏移ｐで位相変調して、位相変調後
の光信号Ｅ40＝｛１／√（２）｝・ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ＋
ｐ）｝を光導波路２２を介して光合波器１４に出力す
る。さらに、光合波器１４は入力された２つの光信号Ｅ
22，Ｅ40を同相で合波して、同相合波後の光信号Ｅ60＝
ＥMZ-EOM＝ｃｏｓ（ｐ／２）ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ＋ｐ／
２）｝を光導波路３０及び光ファイバケーブル６を介し
て、例えばフォトダイオードである光電変換器３に出力
する。光電変換器３は入力される光信号を光電変換して
電気信号である光電変換出力信号Ｉｐｄ＝ＥMZ-EOM・Ｅ
MZ-EOM＊を出力する。ここで、ＥMZ-EOM＊は光信号の電
界ＥMZ-EOMの複素共役である。
【０００６】以下、当該光変調装置から出力される光信
号Ｅ60＝ＥMZ-EOMの各次数の信号成分を計算する。な
お、光信号の電界Ｅ60＝ＥMZ-EOMの２乗が光強度とな
る。当該計算は、実施の形態の最後の部分に、＜電界Ｅ
MZ-EOMの式の展開＞の項として示す。
号Ｅ60＝ＥMZ-EOMの各次数の信号成分を計算する。な
お、光信号の電界Ｅ60＝ＥMZ-EOMの２乗が光強度とな
る。当該計算は、実施の形態の最後の部分に、＜電界Ｅ
MZ-EOMの式の展開＞の項として示す。
【０００７】ＩＭ3成分は、増幅器のように伝達関数が
ｘのべき乗の多項式で表される場合には、３次高調波成
分とＩＭ3成分はともに３次の項により生じ、ＩＭ3成分
は３次高調波成分の３倍の強度を持つ。しかしながら、
従来例のマッハ・ツェンダ型光変調装置では、伝達関数
がベッセル関数となるため、３次高調波の強度とＩＭ3
の強度が単純な比例関係は成立しない。そのため、位相
偏移ｐ＝ｍ（ｓｉｎωm1ｔ＋ｓｉｎωm2ｔ＋ｐbias）の
ように、周波数ｆ1，ｆ2（ｆ1＝ω1／２π，ｆ2＝ω2／
２π）を有する２つの信号を変調信号として入力して、
先に示した式を展開する必要がある（ここで、ｍは位相
変調指数である。）。ここで、展開の部分は省略して、
光信号の無変調成分ＰoptDCと、光信号の基本信号成分
Ｐopt1stと、周波数（２ｆ1−ｆ2）を有する光信号のＩ
Ｍ3信号成分Ｐopt1-2との結果だけを以下に示す。詳細
計算は、実施の形態の最後の部分に、＜電界ＥMZ-EOMの
式の展開＞の項として示す。
ｘのべき乗の多項式で表される場合には、３次高調波成
分とＩＭ3成分はともに３次の項により生じ、ＩＭ3成分
は３次高調波成分の３倍の強度を持つ。しかしながら、
従来例のマッハ・ツェンダ型光変調装置では、伝達関数
がベッセル関数となるため、３次高調波の強度とＩＭ3
の強度が単純な比例関係は成立しない。そのため、位相
偏移ｐ＝ｍ（ｓｉｎωm1ｔ＋ｓｉｎωm2ｔ＋ｐbias）の
ように、周波数ｆ1，ｆ2（ｆ1＝ω1／２π，ｆ2＝ω2／
２π）を有する２つの信号を変調信号として入力して、
先に示した式を展開する必要がある（ここで、ｍは位相
変調指数である。）。ここで、展開の部分は省略して、
光信号の無変調成分ＰoptDCと、光信号の基本信号成分
Ｐopt1stと、周波数（２ｆ1−ｆ2）を有する光信号のＩ
Ｍ3信号成分Ｐopt1-2との結果だけを以下に示す。詳細
計算は、実施の形態の最後の部分に、＜電界ＥMZ-EOMの
式の展開＞の項として示す。
【０００８】
【数１】光信号の無変調成分 ＰoptDC＝１＋cos（ｐbias）・Ｊ0（ｍ）2
【数２】光信号の基本信号成分 Ｐopt1st＝２sin（ｐbias）・Ｊ0（ｍ）・Ｊ1（ｍ）
【数３】光信号のＩＭ3信号成分 Ｐopt2-1＝２sin（ｐbias）・Ｊ2（ｍ）・Ｊ1（ｍ）
【０００９】ここで、Ｊn（・）はｎ次のベッセル関数
である。この結果より、基本波成分と、周波数（２ｆ1
−ｆ2）を有するＩＭ3信号成分の比は、Ｊ0（ｍ）／Ｊ2
（ｍ）となり、バイアス位相ｐbiasによらず、光位相変
調器７の位相変調指数ｍのみにより一意的に決定され
る。
である。この結果より、基本波成分と、周波数（２ｆ1
−ｆ2）を有するＩＭ3信号成分の比は、Ｊ0（ｍ）／Ｊ2
（ｍ）となり、バイアス位相ｐbiasによらず、光位相変
調器７の位相変調指数ｍのみにより一意的に決定され
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の方法を用い
た装置は既に商品化もされているが、ダイオードなどの
非線形素子を用いた回路によりプリディストーションを
発生させるため、動作周波数に応じて各種パラメータの
最適化が不可欠であり、また、ミリ波などの高い周波数
では装置を実現することがやや困難である。さらに、第
２及び第３の方法では、２つの変調器を接続することが
必要で、高い変調周波数に対応するためには電極配置等
に工夫が必要であり、また、ミリ波などの高い周波数で
は高周波信号の位相を正確に制御して分配することが困
難であるなどの問題点がある。
た装置は既に商品化もされているが、ダイオードなどの
非線形素子を用いた回路によりプリディストーションを
発生させるため、動作周波数に応じて各種パラメータの
最適化が不可欠であり、また、ミリ波などの高い周波数
では装置を実現することがやや困難である。さらに、第
２及び第３の方法では、２つの変調器を接続することが
必要で、高い変調周波数に対応するためには電極配置等
に工夫が必要であり、また、ミリ波などの高い周波数で
は高周波信号の位相を正確に制御して分配することが困
難であるなどの問題点がある。
【００１１】図２に示した従来例のマッハ・ツェンダ型
光変調装置では、上述のように、基本波成分と、周波数
（２ｆ1−ｆ2）を有するＩＭ3信号成分の比は、光位相
変調器７の位相変調指数ｍのみにより一意的に決定され
るために、ＩＭ3信号成分を除去することはできない。
光変調装置では、上述のように、基本波成分と、周波数
（２ｆ1−ｆ2）を有するＩＭ3信号成分の比は、光位相
変調器７の位相変調指数ｍのみにより一意的に決定され
るために、ＩＭ3信号成分を除去することはできない。
【００１２】本発明の目的は以上の問題点を解決し、装
置構成が簡単であって、３次相互変調歪成分を実質的に
除去することができる光変調装置を提供することにあ
る。
置構成が簡単であって、３次相互変調歪成分を実質的に
除去することができる光変調装置を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１記
載の光変調装置は、入力される光信号を所定の分波比で
２分波する第１の光分波手段と、上記第１の光分波手段
から出力される一方の光信号を分波比１で２分波する第
２の光分波手段と、上記第２の光分波手段から出力され
る一方の光信号を、入力される電気信号に従って所定の
位相変調指数及び所定のバイアス位相で光位相変調を行
って出力するとともに、上記第２の光分波手段から出力
される他方の光信号を、上記入力される電気信号に従っ
て上記位相変調指数及び上記バイアス位相でかつ上記光
位相変調と逆相で光位相変調を行って出力する光位相変
調手段と、上記光位相変調手段から出力される２つの光
信号を合波して出力する第１の光合波手段と、上記第１
の光分波手段から出力される他方の光信号を所定の移相
値だけ移相する光移相手段と、上記第１の光合波手段か
ら出力される光信号と、上記光移相手段から出力される
光信号とを合波して出力する第２の光合波手段とを備
え、上記光移相手段の移相値は、上記第２の光合波手段
において、上記第１の光合波手段から出力される光信号
と、上記光移相手段から出力される光信号とが逆相で合
波されるような値に設定され、上記分波比と、上記変調
指数と、上記バイアス位相とは、上記第２の光合波手段
から出力される光信号の３次相互変調歪が実質的に除去
されるように調整されて設定されることを特徴とする。
載の光変調装置は、入力される光信号を所定の分波比で
２分波する第１の光分波手段と、上記第１の光分波手段
から出力される一方の光信号を分波比１で２分波する第
２の光分波手段と、上記第２の光分波手段から出力され
る一方の光信号を、入力される電気信号に従って所定の
位相変調指数及び所定のバイアス位相で光位相変調を行
って出力するとともに、上記第２の光分波手段から出力
される他方の光信号を、上記入力される電気信号に従っ
て上記位相変調指数及び上記バイアス位相でかつ上記光
位相変調と逆相で光位相変調を行って出力する光位相変
調手段と、上記光位相変調手段から出力される２つの光
信号を合波して出力する第１の光合波手段と、上記第１
の光分波手段から出力される他方の光信号を所定の移相
値だけ移相する光移相手段と、上記第１の光合波手段か
ら出力される光信号と、上記光移相手段から出力される
光信号とを合波して出力する第２の光合波手段とを備
え、上記光移相手段の移相値は、上記第２の光合波手段
において、上記第１の光合波手段から出力される光信号
と、上記光移相手段から出力される光信号とが逆相で合
波されるような値に設定され、上記分波比と、上記変調
指数と、上記バイアス位相とは、上記第２の光合波手段
から出力される光信号の３次相互変調歪が実質的に除去
されるように調整されて設定されることを特徴とする。
【００１４】また、本発明に係る請求項２記載の光変調
装置は、入力される光信号を所定の分波比で２分波する
第１の光分波手段と、上記第１の光分波手段から出力さ
れる一方の光信号を分波比１で２分波する第２の光分波
手段と、上記第２の光分波手段から出力される一方の光
信号を、入力される電気信号に従って所定の位相変調指
数及び所定のバイアス位相で光位相変調を行って出力す
るとともに、上記第２の光分波手段から出力される他方
の光信号を、上記入力される電気信号に従って上記位相
変調指数及び上記バイアス位相でかつ上記光位相変調と
逆相で光位相変調を行って出力する光位相変調手段と、
上記光位相変調手段から出力される２つの光信号を合波
して出力する第１の光合波手段と、上記第１の光合波手
段から出力される光信号と、上記第１の光分波手段から
出力される他方の光信号とを合波して出力する第２の光
合波手段とを備え、上記第２の光合波手段において、上
記第１の光合波手段から出力される光信号と、上記光移
相手段から出力される光信号とが逆相で合波されるよう
に設定され、上記分波比と、上記変調指数と、上記バイ
アス位相とは、上記第２の光合波手段から出力される光
信号の３次相互変調歪が実質的に除去されるように調整
されて設定されることを特徴とする。
装置は、入力される光信号を所定の分波比で２分波する
第１の光分波手段と、上記第１の光分波手段から出力さ
れる一方の光信号を分波比１で２分波する第２の光分波
手段と、上記第２の光分波手段から出力される一方の光
信号を、入力される電気信号に従って所定の位相変調指
数及び所定のバイアス位相で光位相変調を行って出力す
るとともに、上記第２の光分波手段から出力される他方
の光信号を、上記入力される電気信号に従って上記位相
変調指数及び上記バイアス位相でかつ上記光位相変調と
逆相で光位相変調を行って出力する光位相変調手段と、
上記光位相変調手段から出力される２つの光信号を合波
して出力する第１の光合波手段と、上記第１の光合波手
段から出力される光信号と、上記第１の光分波手段から
出力される他方の光信号とを合波して出力する第２の光
合波手段とを備え、上記第２の光合波手段において、上
記第１の光合波手段から出力される光信号と、上記光移
相手段から出力される光信号とが逆相で合波されるよう
に設定され、上記分波比と、上記変調指数と、上記バイ
アス位相とは、上記第２の光合波手段から出力される光
信号の３次相互変調歪が実質的に除去されるように調整
されて設定されることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る実施形態について説明する。図１は、本発明に係る一
実施形態であるマッハ・ツェンダ型光変調装置の平面図
及びブロック図である。この実施形態の光変調装置は、
図２の従来例に比較して、互いに逆相で光位相変調する
２つの光位相変調器７ａ，７ｂを備えて図７に示すごと
く構成されるプッシュ・プル型光位相変調器５０を用い
たことを特徴とする。
る実施形態について説明する。図１は、本発明に係る一
実施形態であるマッハ・ツェンダ型光変調装置の平面図
及びブロック図である。この実施形態の光変調装置は、
図２の従来例に比較して、互いに逆相で光位相変調する
２つの光位相変調器７ａ，７ｂを備えて図７に示すごと
く構成されるプッシュ・プル型光位相変調器５０を用い
たことを特徴とする。
【００１６】図１において、電気光学効果を有するＬｉ
ＮｂＯ3基板１０上に、光導波路２１，２２，２３，２
４，２５，２８，２９，３０と、光導波路を用いて構成
された光分波器１１，１２と光合波器１３，１４と、光
位相変調器７ａ，７ｂからなるプッシュ・プル型光位相
変調器５０とが形成される。ここで、光導波路２１，２
２，２３，２４，２５，２８，２９，３０の形成は、Ｌ
ｉＮｂＯ3基板１０上に公知の通りＴｉを熱拡散させる
ことによりＴｉ：ＬｉＮｂＯ3にてなる楕円断面形状の
薄膜光導波路を形成することにより行われる。
ＮｂＯ3基板１０上に、光導波路２１，２２，２３，２
４，２５，２８，２９，３０と、光導波路を用いて構成
された光分波器１１，１２と光合波器１３，１４と、光
位相変調器７ａ，７ｂからなるプッシュ・プル型光位相
変調器５０とが形成される。ここで、光導波路２１，２
２，２３，２４，２５，２８，２９，３０の形成は、Ｌ
ｉＮｂＯ3基板１０上に公知の通りＴｉを熱拡散させる
ことによりＴｉ：ＬｉＮｂＯ3にてなる楕円断面形状の
薄膜光導波路を形成することにより行われる。
【００１７】図７は、光位相変調器７ａ，７ｂを備えて
構成されるプッシュ・プル型光位相変調器５０の構成を
示す断面図である。図７において、ＬｉＮｂＯ3基板１
０上に互いに平行な２本の光導波路２４，２５が形成さ
れた後、中心導体とそれと所定の間隔だけそれぞれ離れ
てかつ互いに平行に形成された２つの接地導体４２，４
３とを備えたコプレーナ線路４０が形成される。ここ
で、光導波路２４と２５の間のＬｉＮｂＯ3基板１０上
に、中心導体４１が形成され、光導波路２４の図上左側
の外側のＬｉＮｂＯ3基板１０上に接地導体４２が形成
され、光導波路２５の図上右側の外側のＬｉＮｂＯ3基
板１０上に接地導体４３が形成される。ここで、信号発
生器２によって発生される変調信号である電気信号Ｓ0
＝ｓｉｎωmｔに、可変直流電圧源８ａによって発生さ
れた直流バイアス電圧を重畳させた信号（以下、印加信
号という。）が中心導体４１と接地導体４２，４３間に
印加され、当該印加信号によって、図７において矢印５
１，５２で示すように、光導波路２４，２５に対して互
いに逆相でかつ２分配されて電界が生じる。
構成されるプッシュ・プル型光位相変調器５０の構成を
示す断面図である。図７において、ＬｉＮｂＯ3基板１
０上に互いに平行な２本の光導波路２４，２５が形成さ
れた後、中心導体とそれと所定の間隔だけそれぞれ離れ
てかつ互いに平行に形成された２つの接地導体４２，４
３とを備えたコプレーナ線路４０が形成される。ここ
で、光導波路２４と２５の間のＬｉＮｂＯ3基板１０上
に、中心導体４１が形成され、光導波路２４の図上左側
の外側のＬｉＮｂＯ3基板１０上に接地導体４２が形成
され、光導波路２５の図上右側の外側のＬｉＮｂＯ3基
板１０上に接地導体４３が形成される。ここで、信号発
生器２によって発生される変調信号である電気信号Ｓ0
＝ｓｉｎωmｔに、可変直流電圧源８ａによって発生さ
れた直流バイアス電圧を重畳させた信号（以下、印加信
号という。）が中心導体４１と接地導体４２，４３間に
印加され、当該印加信号によって、図７において矢印５
１，５２で示すように、光導波路２４，２５に対して互
いに逆相でかつ２分配されて電界が生じる。
【００１８】従って、図１において、光位相変調器７ａ
は、上記印加信号に比例する位相偏移ｐ＝ｍｓｉｎωm
ｔ＋ｐbiasの１／２に従って光信号を位相変調する一
方、光位相変調器７ｂは、上記印加信号の反転信号に比
例する位相偏移−ｐ＝ｍｓｉｎωmｔ＋ｐbiasの１／２
に従って光信号を位相変調する。すなわち、光位相変調
器７ｂは、光位相変調器７ａとは逆相で位相変調する。
ここで、光位相変調器７ａ，７ｂからなるプッシュ・プ
ル型光位相変調器５０において、可変直流電圧源８の直
流バイアス電圧を変化することにより、バイアス位相ｐ
biasを変化することができる。
は、上記印加信号に比例する位相偏移ｐ＝ｍｓｉｎωm
ｔ＋ｐbiasの１／２に従って光信号を位相変調する一
方、光位相変調器７ｂは、上記印加信号の反転信号に比
例する位相偏移−ｐ＝ｍｓｉｎωmｔ＋ｐbiasの１／２
に従って光信号を位相変調する。すなわち、光位相変調
器７ｂは、光位相変調器７ａとは逆相で位相変調する。
ここで、光位相変調器７ａ，７ｂからなるプッシュ・プ
ル型光位相変調器５０において、可変直流電圧源８の直
流バイアス電圧を変化することにより、バイアス位相ｐ
biasを変化することができる。
【００１９】図１において、レーザダイオード１は所定
の波長の無変調光信号Ｅ10＝ｅｘｐ（ｊωｔ）（ここ
で、電界の振幅を規格化して１としている。）を発生し
て、光ファイバケーブル５及び光導波路２１を介して光
分波器１１に入力される。光分波器１１は入力された光
信号を電力分波比ｒ：（１−ｒ）（以下、当該光分波器
１１の電力分波比をｒという。）（ここで、０＜ｒ＜１
である。）で２分波して、一方の光信号Ｅ21＝｛√
（ｒ）｝・ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２２を介して光
分波器１２に出力する一方、他方の光信号Ｅ22＝｛√
（１−ｒ）｝・ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２２、移相
値φ（ｒａｄ）だけ移相する光移相器９、光導波路２９
を介して光信号Ｅ23＝｛√（１−ｒ）｝・ｅｘｐ（ｊω
ｔ＋φ）として光合波器１４に出力する。一方、光分波
器１２は入力された光信号を電力分波比１：１で２分波
して、一方の光信号Ｅ31＝｛√（ｒ／２）｝・ｅｘｐ
（ｊωｔ）を光導波路２４を介して光位相変調器７ａに
出力するとともに、他方の光信号Ｅ32＝｛√（ｒ／
２）｝・ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２５を介して光位
相変調器７ｂに出力する。
の波長の無変調光信号Ｅ10＝ｅｘｐ（ｊωｔ）（ここ
で、電界の振幅を規格化して１としている。）を発生し
て、光ファイバケーブル５及び光導波路２１を介して光
分波器１１に入力される。光分波器１１は入力された光
信号を電力分波比ｒ：（１−ｒ）（以下、当該光分波器
１１の電力分波比をｒという。）（ここで、０＜ｒ＜１
である。）で２分波して、一方の光信号Ｅ21＝｛√
（ｒ）｝・ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２２を介して光
分波器１２に出力する一方、他方の光信号Ｅ22＝｛√
（１−ｒ）｝・ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２２、移相
値φ（ｒａｄ）だけ移相する光移相器９、光導波路２９
を介して光信号Ｅ23＝｛√（１−ｒ）｝・ｅｘｐ（ｊω
ｔ＋φ）として光合波器１４に出力する。一方、光分波
器１２は入力された光信号を電力分波比１：１で２分波
して、一方の光信号Ｅ31＝｛√（ｒ／２）｝・ｅｘｐ
（ｊωｔ）を光導波路２４を介して光位相変調器７ａに
出力するとともに、他方の光信号Ｅ32＝｛√（ｒ／
２）｝・ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２５を介して光位
相変調器７ｂに出力する。
【００２０】光位相変調器７ａは、入力される光信号Ｅ
31を、電気信号Ｓ0＝ｓｉｎωmｔに、可変直流電圧源８
ａによって発生された直流バイアス電圧を重畳させた信
号に従って所定の位相偏移ｐ／２で位相変調して、位相
変調後の光信号Ｅ41＝｛√（ｒ／２）｝・ｅｘｐ｛ｊ
（ωｔ＋ｐ／２）｝を光導波路２４を介して光合波器１
３に出力する。一方、光位相変調器７ｂは、入力される
光信号Ｅ32を、電気信号Ｓ0＝ｓｉｎωmｔの反転信号
に、可変直流電圧源８ｂによって発生された直流バイア
ス電圧を重畳させた信号の反転信号に従って所定の位相
偏移ｐ／２で、光位相変調器７ａと比較して逆相で位相
変調して、位相変調後の光信号Ｅ42＝｛√（ｒ／２）｝
・ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ−ｐ／２）｝を光導波路２５を介し
て光合波器１３に出力する。次いで、光合波器１３は入
力された２つの光信号Ｅ41，Ｅ42を同相で合波して、同
相合波後の光信号Ｅ50＝ＥMZ-EOM＝√（ｒ）ｃｏｓ（ｐ
／２）ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２８を介して光合波
器１４に出力する。さらに、光合波器１４は入力された
２つの光信号Ｅ50，Ｅ23を合波して、合波後の光信号Ｅ
60＝（Ｅ50＋Ｅ23）／√（２）を光導波路３０及び光フ
ァイバケーブル６を介して、例えばフォトダイオードで
構成されて例えば２乗検波特性を有する光電変換器３に
出力する。光電変換器３は入力される光信号を光電変換
して電気信号である光電変換出力信号Ｉｐｄ＝Ｅ60・Ｅ
60＊を出力する。ここで、Ｅ60＊は光信号の電界Ｅ60の
複素共役である。
31を、電気信号Ｓ0＝ｓｉｎωmｔに、可変直流電圧源８
ａによって発生された直流バイアス電圧を重畳させた信
号に従って所定の位相偏移ｐ／２で位相変調して、位相
変調後の光信号Ｅ41＝｛√（ｒ／２）｝・ｅｘｐ｛ｊ
（ωｔ＋ｐ／２）｝を光導波路２４を介して光合波器１
３に出力する。一方、光位相変調器７ｂは、入力される
光信号Ｅ32を、電気信号Ｓ0＝ｓｉｎωmｔの反転信号
に、可変直流電圧源８ｂによって発生された直流バイア
ス電圧を重畳させた信号の反転信号に従って所定の位相
偏移ｐ／２で、光位相変調器７ａと比較して逆相で位相
変調して、位相変調後の光信号Ｅ42＝｛√（ｒ／２）｝
・ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ−ｐ／２）｝を光導波路２５を介し
て光合波器１３に出力する。次いで、光合波器１３は入
力された２つの光信号Ｅ41，Ｅ42を同相で合波して、同
相合波後の光信号Ｅ50＝ＥMZ-EOM＝√（ｒ）ｃｏｓ（ｐ
／２）ｅｘｐ（ｊωｔ）を光導波路２８を介して光合波
器１４に出力する。さらに、光合波器１４は入力された
２つの光信号Ｅ50，Ｅ23を合波して、合波後の光信号Ｅ
60＝（Ｅ50＋Ｅ23）／√（２）を光導波路３０及び光フ
ァイバケーブル６を介して、例えばフォトダイオードで
構成されて例えば２乗検波特性を有する光電変換器３に
出力する。光電変換器３は入力される光信号を光電変換
して電気信号である光電変換出力信号Ｉｐｄ＝Ｅ60・Ｅ
60＊を出力する。ここで、Ｅ60＊は光信号の電界Ｅ60の
複素共役である。
【００２１】以上の実施形態において、光分波器１１の
電力分波比ｒは、予め決められて設定されるが、電力分
波比ｒを可変としてもよい。その場合、互いに平行配置
された２本の光導波路を備え２本の光導波路を伝搬する
２つの導波光の伝搬位相差Δβを変化することにより結
合量を変化して電力分波比ｒを変化することができる公
知の光方向性結合器を用いることができる。
電力分波比ｒは、予め決められて設定されるが、電力分
波比ｒを可変としてもよい。その場合、互いに平行配置
された２本の光導波路を備え２本の光導波路を伝搬する
２つの導波光の伝搬位相差Δβを変化することにより結
合量を変化して電力分波比ｒを変化することができる公
知の光方向性結合器を用いることができる。
【００２２】ところで、無線装置において、一般的な電
界の振幅変調＋整流検波の場合には、逆相の無変調波を
加えることにより、図３に示すように、単純に変調信号
の無変調成分が取り除かれることになるが、光装置の場
合には、強度変調＋２乗検波となるため電界の振幅は入
力信号の平方根に比例するため非線形性が表われ、単純
に無変調成分を取り除くことはできない。しかしなが
ら、この非線形性を利用することにより、本実施形態の
プッシュプル型光位相変調器５０に無変調の光信号を加
えるだけで、詳細後述するように、入射光信号を分波す
る光分波器１１の電力分波比ｒと、光位相変調器７ａ，
７ｂのバイアス位相ｐbiasと、位相変調指数ｍとを調整
することにより、ＩＭ3成分を除去することが可能とな
る。
界の振幅変調＋整流検波の場合には、逆相の無変調波を
加えることにより、図３に示すように、単純に変調信号
の無変調成分が取り除かれることになるが、光装置の場
合には、強度変調＋２乗検波となるため電界の振幅は入
力信号の平方根に比例するため非線形性が表われ、単純
に無変調成分を取り除くことはできない。しかしなが
ら、この非線形性を利用することにより、本実施形態の
プッシュプル型光位相変調器５０に無変調の光信号を加
えるだけで、詳細後述するように、入射光信号を分波す
る光分波器１１の電力分波比ｒと、光位相変調器７ａ，
７ｂのバイアス位相ｐbiasと、位相変調指数ｍとを調整
することにより、ＩＭ3成分を除去することが可能とな
る。
【００２３】以上の実施形態において、光移相器９を用
いて、光合波器１４において、入力される２つの光信号
Ｅ50，Ｅ23が互いに逆相（φ＝π）で合波されるように
光移相器９の移相値が設定されるが、本発明はこれに限
らず、光移相器９を設けず、光導波路２３と光導波路２
９とを直結し、光合波器１４において、入力される２つ
の光信号Ｅ50，Ｅ23が互いに逆相（φ＝π）で合波され
るように、光導波路２３と光導波路２９又は光導波路２
８の線路長を調整して設定してもよい。また、上記逆相
の合波又は逆相の合波のための線路調整に代えて、プッ
シュプル型光位相変調器５０の２つの光位相変調器７
ａ，７ｂに対して同相で直流バイアス電圧を印加するこ
とにより、プッシュプル型光位相変調器５０の合波器１
３の出力位相を変化させて、光合波器１４において、入
力される２つの光信号Ｅ50，Ｅ23が互いに逆相で合波さ
せてもよい。
いて、光合波器１４において、入力される２つの光信号
Ｅ50，Ｅ23が互いに逆相（φ＝π）で合波されるように
光移相器９の移相値が設定されるが、本発明はこれに限
らず、光移相器９を設けず、光導波路２３と光導波路２
９とを直結し、光合波器１４において、入力される２つ
の光信号Ｅ50，Ｅ23が互いに逆相（φ＝π）で合波され
るように、光導波路２３と光導波路２９又は光導波路２
８の線路長を調整して設定してもよい。また、上記逆相
の合波又は逆相の合波のための線路調整に代えて、プッ
シュプル型光位相変調器５０の２つの光位相変調器７
ａ，７ｂに対して同相で直流バイアス電圧を印加するこ
とにより、プッシュプル型光位相変調器５０の合波器１
３の出力位相を変化させて、光合波器１４において、入
力される２つの光信号Ｅ50，Ｅ23が互いに逆相で合波さ
せてもよい。
【００２４】以下、以上のように構成された光変調装置
について、光信号の電界の簡単計算より各周波数成分の
信号強度の計算を行い、その結果を用いて、各パラメー
タを変化させた場合の相互変調歪、変調効率の計算を行
うことにする。図２の従来例においては、２つの光導波
路の一方のみに位相変調を行っている。この場合、上述
のように、位相変調を行うことにより強度だけでなく位
相も変調される。一方、本実施形態の光変調装置では、
同相分波された２つの光信号Ｅ31，Ｅ32に対して互いに
逆相で位相変調を行って合波することにより、強度のみ
の変調となるように、上記プッシュ・プル型光位相変調
器５０を用いた。このプッシュ・プル型光位相変調装置
５０の出力部（すなわち、光合波器１３の出力）での電
界値Ｅ50＝ＥMZ-EOMは、次式で表される。
について、光信号の電界の簡単計算より各周波数成分の
信号強度の計算を行い、その結果を用いて、各パラメー
タを変化させた場合の相互変調歪、変調効率の計算を行
うことにする。図２の従来例においては、２つの光導波
路の一方のみに位相変調を行っている。この場合、上述
のように、位相変調を行うことにより強度だけでなく位
相も変調される。一方、本実施形態の光変調装置では、
同相分波された２つの光信号Ｅ31，Ｅ32に対して互いに
逆相で位相変調を行って合波することにより、強度のみ
の変調となるように、上記プッシュ・プル型光位相変調
器５０を用いた。このプッシュ・プル型光位相変調装置
５０の出力部（すなわち、光合波器１３の出力）での電
界値Ｅ50＝ＥMZ-EOMは、次式で表される。
【００２５】
【数４】 ＥMZ-EOM ＝(１／２){exp(ｊωｔ−ｐ／２)＋exp(ｊωｔ＋ｐ／２)} ＝cos（ｐ／２）exp（ｊωｔ）
【００２６】数４から明らかなように、従来例とは異な
り、変調信号により電界強度のみが変調され、位相変調
は生じないことがわかる。当該光変調装置の出力、すな
わち光合波器１４の出力Ｅout＝Ｅ60では、上記電界Ｅ
MZ-EOMに逆相の光信号Ｅ23が加えられて合成する。ここ
で、光分波器１１の電力分波比（又は光強度分波比）を
ｒとすると、電界Ｅoutは、次式で表される。
り、変調信号により電界強度のみが変調され、位相変調
は生じないことがわかる。当該光変調装置の出力、すな
わち光合波器１４の出力Ｅout＝Ｅ60では、上記電界Ｅ
MZ-EOMに逆相の光信号Ｅ23が加えられて合成する。ここ
で、光分波器１１の電力分波比（又は光強度分波比）を
ｒとすると、電界Ｅoutは、次式で表される。
【００２７】
【数５】 Ｅout ＝√（ｒ）ＥMZ-EOM＋√（１−ｒ）exp（ｊ（ωｔ＋π））
【００２８】ここで、位相偏移ｐ＝ｍｓｉｎωmｔ＋ｐ
biasとすると、電界Ｅoutとその複素共役の積である光
強度（光電力）Ｐoptは、次式で表される。
biasとすると、電界Ｅoutとその複素共役の積である光
強度（光電力）Ｐoptは、次式で表される。
【００２９】
【数６】
【００３０】ＩＭ3成分の計算は従来例と同様に、２つ
の周波数ｆ1，ｆ2を有する変調信号を入力することを仮
定し、位相偏移ｐ＝ｍ（ｓｉｎωm1ｔ＋ｓｉｎωm2ｔ＋
ｐbias）を代入して計算すると、光信号の無変調成分Ｐ
optDCと、光信号の基本信号成分Ｐopt1stと、周波数
（２ｆ1−ｆ2）を有する光信号のＩＭ3信号成分Ｐ
opt1-2は、次式のようになる。
の周波数ｆ1，ｆ2を有する変調信号を入力することを仮
定し、位相偏移ｐ＝ｍ（ｓｉｎωm1ｔ＋ｓｉｎωm2ｔ＋
ｐbias）を代入して計算すると、光信号の無変調成分Ｐ
optDCと、光信号の基本信号成分Ｐopt1stと、周波数
（２ｆ1−ｆ2）を有する光信号のＩＭ3信号成分Ｐ
opt1-2は、次式のようになる。
【００３１】
【数７】ＰoptDC＝１−２√(ｒ(１−ｒ))cos(ｐbias／
２)・Ｊ0 2(ｍ／２)＋ｒ・cos（ｐbias）・Ｊ0 2（ｍ）
２)・Ｊ0 2(ｍ／２)＋ｒ・cos（ｐbias）・Ｊ0 2（ｍ）
【数８】Ｐopt1st＝４√(２ｒ(１−ｒ))sin(ｐbias／
２)・Ｊ0(ｍ／２)・Ｊ1(ｍ／２)−２ｒ・sin(ｐbias)・
Ｊ0(ｍ)・Ｊ1(ｍ)
２)・Ｊ0(ｍ／２)・Ｊ1(ｍ／２)−２ｒ・sin(ｐbias)・
Ｊ0(ｍ)・Ｊ1(ｍ)
【数９】Ｐopt2-1＝４√(２ｒ(１−ｒ))sin(ｐbias／
２)・Ｊ1(ｍ／２)・Ｊ2(ｍ／２)−２ｒsin（ｐbias）・
Ｊ1(ｍ)・Ｊ2(ｍ)
２)・Ｊ1(ｍ／２)・Ｊ2(ｍ／２)−２ｒsin（ｐbias）・
Ｊ1(ｍ)・Ｊ2(ｍ)
【００３２】上記数９で、Ｐopt2-1＝０を満たす光分波
器１１の電力分波比ｒ、変調指数ｍ及び位相バイアスｐ
biasを設定することにより、ＩＭ3成分信号を除去する
ことができる。
器１１の電力分波比ｒ、変調指数ｍ及び位相バイアスｐ
biasを設定することにより、ＩＭ3成分信号を除去する
ことができる。
【００３３】
【実施例】本発明者は、上記の式に基づいて、位相変調
指数ｍと、光分波器１１の電力分波比ｒと、バイアス位
相ｐbiasの３つを変数として、諸特性の計算を行った。
以下その結果について説明する。
指数ｍと、光分波器１１の電力分波比ｒと、バイアス位
相ｐbiasの３つを変数として、諸特性の計算を行った。
以下その結果について説明する。
【００３４】図４は、従来例（ｐbias＝π／２）に対す
る実施形態における３次相互変調歪（ＩＭ3）成分と基
本波成分の比の改善度ＩＰＤ１（ｄＢ）を、光分波器１
１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメータと
して２次元の等高線図として示すグラフである。ここ
で、位相変調指数ｍ＝０．３（ｒａｄ）とした。図４か
ら明らかなように、バイアス位相ｐbiasと電力分波比ｒ
の変数領域の中で、電力分波比ｒが小さいか、バイアス
位相ｐbiasがπに近くて電力分波比ｒが大きい領域にお
いて、帯状にＩＭ3成分が除去されている領域が存在
し、その付近では、４０ｄＢ以上のかなり高い改善度が
得られる。この領域では出力される光強度の絶対値は小
さくなっているが、光強度の不足分は光増幅器などによ
り容易に補うことができる。
る実施形態における３次相互変調歪（ＩＭ3）成分と基
本波成分の比の改善度ＩＰＤ１（ｄＢ）を、光分波器１
１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメータと
して２次元の等高線図として示すグラフである。ここ
で、位相変調指数ｍ＝０．３（ｒａｄ）とした。図４か
ら明らかなように、バイアス位相ｐbiasと電力分波比ｒ
の変数領域の中で、電力分波比ｒが小さいか、バイアス
位相ｐbiasがπに近くて電力分波比ｒが大きい領域にお
いて、帯状にＩＭ3成分が除去されている領域が存在
し、その付近では、４０ｄＢ以上のかなり高い改善度が
得られる。この領域では出力される光強度の絶対値は小
さくなっているが、光強度の不足分は光増幅器などによ
り容易に補うことができる。
【００３５】図５は、従来例（ｐbias＝π／２）に対す
る実施形態における光変調度の改善度ＩＰＤ２（ｄＢ）
を、光分波器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbias
をパラメータとして２次元の等高線図として示すグラフ
である。ここで、光変調度ＭＯＤは、位相変調指数とは
異なり、光信号に含まれる基本波信号成分の割合を示
す。ここで、光変調度ＭＯＤの計算では位相変調指数ｍ
を０．１（ｒａｄ）とかなり小さな値で計算を行った。
位相変調指数ｍを変化させた場合には、グラフの形状は
あまり変化しないが、位相変調指数ｍが大きくなるに従
って、光変調度ＭＯＤの改善度は小さくなっていった。
図５から明らかなように、電力分波比ｒが大きく、バイ
アス位相ｐbiasがπ付近で、６ｄＢ以上の光変調度ＭＯ
Ｄの改善が見られた。この光変調度ＭＯＤの６ｄＢの改
善量は、電気信号での搬送波電力対雑音電力比（Ｃ／
Ｎ）に換算にすれば、１２ｄＢの改善量に相当する（な
お、レーザの相対強度雑音（ＲＩＮ）が一番大きな主要
な雑音成分のとき）。
る実施形態における光変調度の改善度ＩＰＤ２（ｄＢ）
を、光分波器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbias
をパラメータとして２次元の等高線図として示すグラフ
である。ここで、光変調度ＭＯＤは、位相変調指数とは
異なり、光信号に含まれる基本波信号成分の割合を示
す。ここで、光変調度ＭＯＤの計算では位相変調指数ｍ
を０．１（ｒａｄ）とかなり小さな値で計算を行った。
位相変調指数ｍを変化させた場合には、グラフの形状は
あまり変化しないが、位相変調指数ｍが大きくなるに従
って、光変調度ＭＯＤの改善度は小さくなっていった。
図５から明らかなように、電力分波比ｒが大きく、バイ
アス位相ｐbiasがπ付近で、６ｄＢ以上の光変調度ＭＯ
Ｄの改善が見られた。この光変調度ＭＯＤの６ｄＢの改
善量は、電気信号での搬送波電力対雑音電力比（Ｃ／
Ｎ）に換算にすれば、１２ｄＢの改善量に相当する（な
お、レーザの相対強度雑音（ＲＩＮ）が一番大きな主要
な雑音成分のとき）。
【００３６】図６は、実施形態の光変調度ＭＯＤ（％）
を、光分波器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbias
をパラメータとして２次元の等高線図として示すグラフ
である。図６から明らかなように、位相変調指数ｍとし
てはわずか０．１ｒａｄであるにもかかわらず、光変調
度ＭＯＤとしては１０乃至５０％と極めて高い値を得る
ことができる。これは、ミリ波など高出力高線形増幅器
の製造が困難な周波数でも低い位相変調指数ｍで高い光
変調度を得ることができることを示している。単に変調
効率を改善する方法としては、従来例においてバイアス
位相ｐbiasを大きくする方法が提案されている（例え
ば、従来技術文献３「M.L.Farwell,et al.,“Increased
Linear Dynamic Range by Low Biasing the Mach-Zehe
nder Modulator",IEEE Photonics Technology Letters,
Vol.5,No.7,pp.779-782,1993年」参照。）。しかしな
がら、この方法ではＩＭ3成分が発生するのに対して、
本実施形態の光変調装置では高効率変調のできる領域に
おいても、ＩＭ3成分が実質的に除去できる領域が存在
し、図６に示すように、基本波成分／ＩＭ3成分＞８０
ｄＢｃ（キャリア信号比）の領域を容易に達成できる。
を、光分波器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbias
をパラメータとして２次元の等高線図として示すグラフ
である。図６から明らかなように、位相変調指数ｍとし
てはわずか０．１ｒａｄであるにもかかわらず、光変調
度ＭＯＤとしては１０乃至５０％と極めて高い値を得る
ことができる。これは、ミリ波など高出力高線形増幅器
の製造が困難な周波数でも低い位相変調指数ｍで高い光
変調度を得ることができることを示している。単に変調
効率を改善する方法としては、従来例においてバイアス
位相ｐbiasを大きくする方法が提案されている（例え
ば、従来技術文献３「M.L.Farwell,et al.,“Increased
Linear Dynamic Range by Low Biasing the Mach-Zehe
nder Modulator",IEEE Photonics Technology Letters,
Vol.5,No.7,pp.779-782,1993年」参照。）。しかしな
がら、この方法ではＩＭ3成分が発生するのに対して、
本実施形態の光変調装置では高効率変調のできる領域に
おいても、ＩＭ3成分が実質的に除去できる領域が存在
し、図６に示すように、基本波成分／ＩＭ3成分＞８０
ｄＢｃ（キャリア信号比）の領域を容易に達成できる。
【００３７】なお、本実施形態の光変調装置において
は、従来例（バイアス位相ｐbias＝π／２）において見
られない２次相互変調歪ＩＭ2が発生し、ここで、最も
強度が高いのは、周波数（ｆ1＋ｆ2）成分である。本発
明者の計算（図示せず。）によれば、バイアス位相ｐ
bias＝π／２のとき、２次相互変調歪ＩＭ2成分は最小
となる。また、電力分波比ｒが小さくなるにつれて、Ｉ
Ｍ2成分の強度が弱い領域が広くなっている。なお、ミ
リ波帯でのサブキャリア伝送のように、１オクターブ以
下の伝送帯域であれば、ＩＭ2成分を無視することがで
きると考えられる。
は、従来例（バイアス位相ｐbias＝π／２）において見
られない２次相互変調歪ＩＭ2が発生し、ここで、最も
強度が高いのは、周波数（ｆ1＋ｆ2）成分である。本発
明者の計算（図示せず。）によれば、バイアス位相ｐ
bias＝π／２のとき、２次相互変調歪ＩＭ2成分は最小
となる。また、電力分波比ｒが小さくなるにつれて、Ｉ
Ｍ2成分の強度が弱い領域が広くなっている。なお、ミ
リ波帯でのサブキャリア伝送のように、１オクターブ以
下の伝送帯域であれば、ＩＭ2成分を無視することがで
きると考えられる。
【００３８】以上説明したように、光位相変調器７ａ，
７ｂからなるプッシュ・プル型光位相変調器５０にバイ
パス用光導波路２３，２９を付加した導波路付加型光変
調装置の構成及びその動作について種々の計算を行っ
た。その結果、従来例に比較して簡単な構成でＩＭ3成
分を実質的に除去できることが計算により示された。ま
た、低い高周波入力電力でも（すなわち、位相変調指数
ｍが小さくても）高い光変調度を得ることができ、従っ
て、従来例に比較して線形性と変調効率を大幅に改善す
ることができる。これにより、従来必要であった高出力
高線形の増幅器が不要となり、当該光変調装置は、ミリ
波などの高い周波数を用いたサブキャリア伝送に極めて
有効であるという利点がある。
７ｂからなるプッシュ・プル型光位相変調器５０にバイ
パス用光導波路２３，２９を付加した導波路付加型光変
調装置の構成及びその動作について種々の計算を行っ
た。その結果、従来例に比較して簡単な構成でＩＭ3成
分を実質的に除去できることが計算により示された。ま
た、低い高周波入力電力でも（すなわち、位相変調指数
ｍが小さくても）高い光変調度を得ることができ、従っ
て、従来例に比較して線形性と変調効率を大幅に改善す
ることができる。これにより、従来必要であった高出力
高線形の増幅器が不要となり、当該光変調装置は、ミリ
波などの高い周波数を用いたサブキャリア伝送に極めて
有効であるという利点がある。
【００３９】以上の実施形態において、光位相変調器７
ａ，７ｂからなるプッシュ・プル型光位相変調器５０を
用いているが、本発明はこれに限らず、公知の２つの光
位相変調器７を備え、一方の光位相変調器７に対して信
号Ｓ0に直流バイアス電圧を重畳させた電圧信号を印加
する一方、他方の一方の光位相変調器７に対して信号Ｓ
0を反転増幅器で反転させた信号に直流バイアス電圧を
重畳させた電圧信号を印加するように構成してもよい。
ａ，７ｂからなるプッシュ・プル型光位相変調器５０を
用いているが、本発明はこれに限らず、公知の２つの光
位相変調器７を備え、一方の光位相変調器７に対して信
号Ｓ0に直流バイアス電圧を重畳させた電圧信号を印加
する一方、他方の一方の光位相変調器７に対して信号Ｓ
0を反転増幅器で反転させた信号に直流バイアス電圧を
重畳させた電圧信号を印加するように構成してもよい。
【００４０】＜電界ＥMZ-EOMの式の展開＞マッハ・ツェ
ンダ型外部光変調装置から出力される電界ＥMZ-EOMの式
の展開を以下に示す。分岐部では光強度が等分配されて
１／２となるので、電界は１／√（２）となる。また、
合波部では導波路に結合する同相モードと導波路に結合
しない異相モードの２つが存在し、等強度分配されるた
め電界としては１／√（２）となるため、最終的に合波
された電界ＥMZ-EOMは、次式で表される。
ンダ型外部光変調装置から出力される電界ＥMZ-EOMの式
の展開を以下に示す。分岐部では光強度が等分配されて
１／２となるので、電界は１／√（２）となる。また、
合波部では導波路に結合する同相モードと導波路に結合
しない異相モードの２つが存在し、等強度分配されるた
め電界としては１／√（２）となるため、最終的に合波
された電界ＥMZ-EOMは、次式で表される。
【００４１】
【数１０】 電界ＥMZ-EOM ＝（１／２）｛ｅｘｐ（ｊωｔ）＋ｅｘｐ（ｊ（ωｔ＋ｐ））｝ ＝ｃｏｓ（ｐ／２）・ｅｘｐ｛ｊ（ωｔ＋ｐ／２）｝
【００４２】上記数１０より電界は変調信号により強度
だけでなく位相も変調されていることがわかる。光強度
Ｐoptは電界ＥMZ-EOMとその複素共役ＥMZ-EOM＊の積と
なり、次式で表される。
だけでなく位相も変調されていることがわかる。光強度
Ｐoptは電界ＥMZ-EOMとその複素共役ＥMZ-EOM＊の積と
なり、次式で表される。
【００４３】
【数１１】 Ｐopt ＝ＥMZ-EOM・ＥMZ-EOM＊ ＝ｃｏｓ2（ｐ／２） ＝（１／２）（１＋ｃｏｓｐ）
【００４４】ここで、位相偏移ｐ＝ｍｓｉｎωmｔ＋ｐ
bias（ここで、ｍは位相変調指数である。）として、式
を変形すると、次式を得る。
bias（ここで、ｍは位相変調指数である。）として、式
を変形すると、次式を得る。
【００４５】
【数１２】 Ｐopt ＝（１／２）｛１＋ｃｏｓ（ｍ・ｓｉｎωmｔ＋ｐbias）｝ ＝（１／２）｛１＋ｃｏｓ（ｐbias）・ｃｏｓ（ｍ・ｓｉｎωmｔ） −ｓｉｎ（ｐbias）・ｓｉｎ（ｍ・ｓｉｎωmｔ）
【００４６】さらに、次式を用いて展開する。
【００４７】
【数１３】
【数１４】
【００４８】ここで、Ｊn（・）はｎ次のベッセル関数
である。上記数１２の光強度Ｐoptを上記数１３及び数
１４を用いて展開すると、次式のようになる。
である。上記数１２の光強度Ｐoptを上記数１３及び数
１４を用いて展開すると、次式のようになる。
【００４９】
【数１５】
【００５０】数１５から明らかなように、一般的に用い
られるバイアス位相ｐbias＝π／２では偶数次の項が無
くなり、奇数次項のみが残り、マッハ・ツェンダ型光変
調装置でよく見られる数式となる。
られるバイアス位相ｐbias＝π／２では偶数次の項が無
くなり、奇数次項のみが残り、マッハ・ツェンダ型光変
調装置でよく見られる数式となる。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る請求項
１記載の光変調装置においては、入力される光信号を所
定の分波比で２分波する第１の光分波手段と、上記第１
の光分波手段から出力される一方の光信号を分波比１で
２分波する第２の光分波手段と、上記第２の光分波手段
から出力される一方の光信号を、入力される電気信号に
従って所定の位相変調指数及び所定のバイアス位相で光
位相変調を行って出力するとともに、上記第２の光分波
手段から出力される他方の光信号を、上記入力される電
気信号に従って上記位相変調指数及び上記バイアス位相
でかつ上記光位相変調と逆相で光位相変調を行って出力
する光位相変調手段と、上記光位相変調手段から出力さ
れる２つの光信号を合波して出力する第１の光合波手段
と、上記第１の光分波手段から出力される他方の光信号
を所定の移相値だけ移相する光移相手段と、上記第１の
光合波手段から出力される光信号と、上記光移相手段か
ら出力される光信号とを合波して出力する第２の光合波
手段とを備え、上記光移相手段の移相値は、上記第２の
光合波手段において、上記第１の光合波手段から出力さ
れる光信号と、上記光移相手段から出力される光信号と
が逆相で合波されるような値に設定され、上記分波比
と、上記変調指数と、上記バイアス位相とは、上記第２
の光合波手段から出力される光信号の３次相互変調歪が
実質的に除去されるように調整されて設定される。
１記載の光変調装置においては、入力される光信号を所
定の分波比で２分波する第１の光分波手段と、上記第１
の光分波手段から出力される一方の光信号を分波比１で
２分波する第２の光分波手段と、上記第２の光分波手段
から出力される一方の光信号を、入力される電気信号に
従って所定の位相変調指数及び所定のバイアス位相で光
位相変調を行って出力するとともに、上記第２の光分波
手段から出力される他方の光信号を、上記入力される電
気信号に従って上記位相変調指数及び上記バイアス位相
でかつ上記光位相変調と逆相で光位相変調を行って出力
する光位相変調手段と、上記光位相変調手段から出力さ
れる２つの光信号を合波して出力する第１の光合波手段
と、上記第１の光分波手段から出力される他方の光信号
を所定の移相値だけ移相する光移相手段と、上記第１の
光合波手段から出力される光信号と、上記光移相手段か
ら出力される光信号とを合波して出力する第２の光合波
手段とを備え、上記光移相手段の移相値は、上記第２の
光合波手段において、上記第１の光合波手段から出力さ
れる光信号と、上記光移相手段から出力される光信号と
が逆相で合波されるような値に設定され、上記分波比
と、上記変調指数と、上記バイアス位相とは、上記第２
の光合波手段から出力される光信号の３次相互変調歪が
実質的に除去されるように調整されて設定される。
【００５２】従って、従来例に比較して簡単な構成でＩ
Ｍ3成分を実質的に除去できることが計算により示され
た。また、低い高周波入力電力でも（すなわち、位相変
調指数ｍが小さくても）高い光変調度を得ることがで
き、従って、従来例に比較して線形性と変調効率を大幅
に改善することができる。これにより、従来必要であっ
た高出力高線形の増幅器が不要となり、当該光変調装置
は、ミリ波などの高い周波数を用いたサブキャリア伝送
に極めて有効であるという利点がある。
Ｍ3成分を実質的に除去できることが計算により示され
た。また、低い高周波入力電力でも（すなわち、位相変
調指数ｍが小さくても）高い光変調度を得ることがで
き、従って、従来例に比較して線形性と変調効率を大幅
に改善することができる。これにより、従来必要であっ
た高出力高線形の増幅器が不要となり、当該光変調装置
は、ミリ波などの高い周波数を用いたサブキャリア伝送
に極めて有効であるという利点がある。
【００５３】また、本発明に係る請求項２記載の光変調
装置においては、入力される光信号を所定の分波比で２
分波する第１の光分波手段と、上記第１の光分波手段か
ら出力される一方の光信号を分波比１で２分波する第２
の光分波手段と、上記第２の光分波手段から出力される
一方の光信号を、入力される電気信号に従って所定の位
相変調指数及び所定のバイアス位相で光位相変調を行っ
て出力するとともに、上記第２の光分波手段から出力さ
れる他方の光信号を、上記入力される電気信号に従って
上記位相変調指数及び上記バイアス位相でかつ上記光位
相変調と逆相で光位相変調を行って出力する光位相変調
手段と、上記光位相変調手段から出力される２つの光信
号を合波して出力する第１の光合波手段と、上記第１の
光合波手段から出力される光信号と、上記第１の光分波
手段から出力される他方の光信号とを合波して出力する
第２の光合波手段とを備え、上記第２の光合波手段にお
いて、上記第１の光合波手段から出力される光信号と、
上記光移相手段から出力される光信号とが逆相で合波さ
れるように設定され、上記分波比と、上記変調指数と、
上記バイアス位相とは、上記第２の光合波手段から出力
される光信号の３次相互変調歪が実質的に除去されるよ
うに調整されて設定される。
装置においては、入力される光信号を所定の分波比で２
分波する第１の光分波手段と、上記第１の光分波手段か
ら出力される一方の光信号を分波比１で２分波する第２
の光分波手段と、上記第２の光分波手段から出力される
一方の光信号を、入力される電気信号に従って所定の位
相変調指数及び所定のバイアス位相で光位相変調を行っ
て出力するとともに、上記第２の光分波手段から出力さ
れる他方の光信号を、上記入力される電気信号に従って
上記位相変調指数及び上記バイアス位相でかつ上記光位
相変調と逆相で光位相変調を行って出力する光位相変調
手段と、上記光位相変調手段から出力される２つの光信
号を合波して出力する第１の光合波手段と、上記第１の
光合波手段から出力される光信号と、上記第１の光分波
手段から出力される他方の光信号とを合波して出力する
第２の光合波手段とを備え、上記第２の光合波手段にお
いて、上記第１の光合波手段から出力される光信号と、
上記光移相手段から出力される光信号とが逆相で合波さ
れるように設定され、上記分波比と、上記変調指数と、
上記バイアス位相とは、上記第２の光合波手段から出力
される光信号の３次相互変調歪が実質的に除去されるよ
うに調整されて設定される。
【００５４】従って、従来例に比較して簡単な構成でＩ
Ｍ3成分を実質的に除去できることが計算により示され
た。また、低い高周波入力電力でも（すなわち、位相変
調指数ｍが小さくても）高い光変調度を得ることがで
き、従って、従来例に比較して線形性と変調効率を大幅
に改善することができる。これにより、従来必要であっ
た高出力高線形の増幅器が不要となり、当該光変調装置
は、ミリ波などの高い周波数を用いたサブキャリア伝送
に極めて有効であるという利点がある。
Ｍ3成分を実質的に除去できることが計算により示され
た。また、低い高周波入力電力でも（すなわち、位相変
調指数ｍが小さくても）高い光変調度を得ることがで
き、従って、従来例に比較して線形性と変調効率を大幅
に改善することができる。これにより、従来必要であっ
た高出力高線形の増幅器が不要となり、当該光変調装置
は、ミリ波などの高い周波数を用いたサブキャリア伝送
に極めて有効であるという利点がある。
【図１】 本発明に係る一実施形態であるマッハ・ツェ
ンダ型光変調装置の平面図及びブロック図である。
ンダ型光変調装置の平面図及びブロック図である。
【図２】 従来例のマッハ・ツェンダ型光変調装置の平
面図及びブロック図である。
面図及びブロック図である。
【図３】 無線装置において一般的な電界の振幅変調と
整流検波との組み合わせた場合における無変調成分の除
去を示す波形図であって、（ａ）は一般的な電界の振幅
変調信号の光強度を示す波形図であり、（ｂ）は（ａ）
の振幅変調信号を整流検波したときの信号の光強度を示
す波形図である。
整流検波との組み合わせた場合における無変調成分の除
去を示す波形図であって、（ａ）は一般的な電界の振幅
変調信号の光強度を示す波形図であり、（ｂ）は（ａ）
の振幅変調信号を整流検波したときの信号の光強度を示
す波形図である。
【図４】 従来例（ｐbias＝π／２）に対する実施形態
における３次相互変調歪（ＩＭ3）成分と基本波成分の
比の改善度ＩＰＤ１（ｄＢ）を、光分波器１１の電力分
波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメータとして２次元
の等高線図として示すグラフである。
における３次相互変調歪（ＩＭ3）成分と基本波成分の
比の改善度ＩＰＤ１（ｄＢ）を、光分波器１１の電力分
波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメータとして２次元
の等高線図として示すグラフである。
【図５】 従来例（ｐbias＝π／２）に対する実施形態
における光変調度の改善度ＩＰＤ２（ｄＢ）を、光分波
器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメー
タとして２次元の等高線図として示すグラフである。
における光変調度の改善度ＩＰＤ２（ｄＢ）を、光分波
器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメー
タとして２次元の等高線図として示すグラフである。
【図６】 実施形態の光変調度ＭＯＤ（％）を、光分波
器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメー
タとして２次元の等高線図として示すグラフである。
器１１の電力分波比ｒとバイアス位相ｐbiasをパラメー
タとして２次元の等高線図として示すグラフである。
【図７】 図１のプッシュ・プル型光位相変調器の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１…レーザーダイオード、 ２…信号発生器、 ３…光電変換器、 ５，６…光ファイバケーブル、 ７ａ，７ｂ…光位相変調器、 ８…可変直流電圧源、 ９…光移相器、 １０…ＬｉＮｂＯ3基板、 １１，１２…光分波器、 １３，１４…光合波器、 ２１，２２，２３，２４，２５，２８，２９，３０…光
導波路、 ４０…コプレーナ線路、 ４１…中心導体、 ４２，４３…接地導体、 ５０…プッシュ・プル型光位相変調器。
導波路、 ４０…コプレーナ線路、 ４１…中心導体、 ４２，４３…接地導体、 ５０…プッシュ・プル型光位相変調器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲垣 惠三 京都府相楽郡精華町大字乾谷小字三平谷５ 番地 株式会社エイ・ティ・アール環境適 応通信研究所内 (72)発明者 今井 伸明 京都府相楽郡精華町大字乾谷小字三平谷５ 番地 株式会社エイ・ティ・アール環境適 応通信研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 入力される光信号を所定の分波比で２分
波する第１の光分波手段と、 上記第１の光分波手段から出力される一方の光信号を分
波比１で２分波する第２の光分波手段と、 上記第２の光分波手段から出力される一方の光信号を、
入力される電気信号に従って所定の位相変調指数及び所
定のバイアス位相で光位相変調を行って出力するととも
に、上記第２の光分波手段から出力される他方の光信号
を、上記入力される電気信号に従って上記位相変調指数
及び上記バイアス位相でかつ上記光位相変調と逆相で光
位相変調を行って出力する光位相変調手段と、 上記光位相変調手段から出力される２つの光信号を合波
して出力する第１の光合波手段と、 上記第１の光分波手段から出力される他方の光信号を所
定の移相値だけ移相する光移相手段と、 上記第１の光合波手段から出力される光信号と、上記光
移相手段から出力される光信号とを合波して出力する第
２の光合波手段とを備え、 上記光移相手段の移相値は、上記第２の光合波手段にお
いて、上記第１の光合波手段から出力される光信号と、
上記光移相手段から出力される光信号とが逆相で合波さ
れるような値に設定され、 上記分波比と、上記変調指数と、上記バイアス位相と
は、上記第２の光合波手段から出力される光信号の３次
相互変調歪が実質的に除去されるように調整されて設定
されることを特徴とする光変調装置。 - 【請求項２】 入力される光信号を所定の分波比で２分
波する第１の光分波手段と、 上記第１の光分波手段から出力される一方の光信号を分
波比１で２分波する第２の光分波手段と、 上記第２の光分波手段から出力される一方の光信号を、
入力される電気信号に従って所定の位相変調指数及び所
定のバイアス位相で光位相変調を行って出力するととも
に、上記第２の光分波手段から出力される他方の光信号
を、上記入力される電気信号に従って上記位相変調指数
及び上記バイアス位相でかつ上記光位相変調と逆相で光
位相変調を行って出力する光位相変調手段と、 上記光位相変調手段から出力される２つの光信号を合波
して出力する第１の光合波手段と、 上記第１の光合波手段から出力される光信号と、上記第
１の光分波手段から出力される他方の光信号とを合波し
て出力する第２の光合波手段とを備え、 上記第２の光合波手段において、上記第１の光合波手段
から出力される光信号と、上記光移相手段から出力され
る光信号とが逆相で合波されるように設定され、 上記分波比と、上記変調指数と、上記バイアス位相と
は、上記第２の光合波手段から出力される光信号の３次
相互変調歪が実質的に除去されるように調整されて設定
されることを特徴とする光変調装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8164475A JP2824420B2 (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 光変調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8164475A JP2824420B2 (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 光変調装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010480A true JPH1010480A (ja) | 1998-01-16 |
| JP2824420B2 JP2824420B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=15793891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8164475A Expired - Lifetime JP2824420B2 (ja) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | 光変調装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2824420B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008763A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調デバイス及び光半導体装置 |
| JP2010501892A (ja) * | 2006-08-24 | 2010-01-21 | イーオースペース，インコーポレイテッド | 位相変調と同調可能な光学フィルターを用いる高いダイナミックレンジのアナログ光ファイバーリンク |
| US7869668B2 (en) | 2004-03-22 | 2011-01-11 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Method for generating carrier residual signal and its device |
-
1996
- 1996-06-25 JP JP8164475A patent/JP2824420B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7869668B2 (en) | 2004-03-22 | 2011-01-11 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Method for generating carrier residual signal and its device |
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| JP2010008763A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 光変調デバイス及び光半導体装置 |
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