JPH10101474A

JPH10101474A - 液相エピタキシャル成長装置

Info

Publication number: JPH10101474A
Application number: JP27701996A
Authority: JP
Inventors: Yuutoku Sekijima; 島雄徳関; Masaru Fujino; 野優藤; Takashi Fujii; 井高志藤
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1996-09-26
Filing date: 1996-09-26
Publication date: 1998-04-21
Anticipated expiration: 2016-09-26
Also published as: JP3804121B2

Abstract

(57)【要約】【課題】装置を大型化しても熱放散が大きくならず、
溶液表面近傍の温度勾配の小さい、液相エピタキシャル
成長装置を得る。【解決手段】液相エピタキシャル成長装置１０は、縦
型加熱炉１２を含む。縦型加熱炉１２は、炉心管１４を
有する。炉心管１４内には、坩堝１８が配置される。坩
堝１８は、基板ホルダに装着した単結晶基板を浸漬して
単結晶基板表面に単結晶薄膜をエピタキシャル成長させ
るための溶液が保持される。炉心管１４内の溶液の上方
には、熱遮蔽板２０が配置される。熱遮蔽板２０は、環
状円盤２０ａを含む。環状円盤２０ａは、炉心管１４の
内壁との間に隙間を有するよう形成される。この隙間
は、炉心管口径に対して２．５％以上１５％以下の範囲
で形成される。さらに、環状円盤２０ａから上方へ延び
出るようにして、突起部２０ｂが形成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は液相エピタキシャ
ル成長装置に関し、特にたとえば、ＹＩＧ薄膜などの酸
化物単結晶薄膜を液相中において単結晶基板表面にエピ
タキシャル成長させるための液相エピタキシャル成長装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体レーザや半導体集積回路素
子用の材料としてＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰ等の三
元および四元混晶半導体薄膜が用いられている。また、
磁気バブルや光アイソレータや静磁波素子用の材料とし
て磁性ガーネット（分子式Ｒ⁺³ ₃Ｍ⁺³ ₅Ｏ^-2 ₁₂；Ｒ＝Ｃ
ａ、Ｂｉ、Ｓｃ、Ｙ、希土類系列等あるいはこれらの混
合物；Ｍ＝ＦｅあるいはＦｅおよびＧａ、Ａｌ、Ｓｉ等
の混合物）単結晶薄膜が用いられている。これらの単結
晶薄膜の製造にはエピタキシャル成長法が用いられてい
る。

【０００３】従来の液相エピタキシャル法による単結晶
薄膜の育成方法について磁性ガーネット薄膜を例にとっ
て説明する。縦型加熱炉内に所定条件に設置された白金
製坩堝に、溶質としてのＹ₂Ｏ₃およびＦｅ₂Ｏ₃と、
溶媒としてのＰｂＯおよびＢ₂Ｏ₃とを適量充填し、約
１２００℃で溶融して均質化を行い溶液化する。次に、
この溶液を過冷却状態、すなわち液相線（Ｌｉｑｕｉｄ
ｕｓｌｉｎｅ）の下方近傍温度（約９００℃前後）に
保持した後、この溶液へ向かって基板ホルダーに固定さ
れた下地基板としてのＧｄ₃Ｇａ₅Ｏ₁₂（以下ＧＧＧと
記す）基板を下降させる。そして、基板を十分予熱した
後、溶液中に浸漬し、一定位置で回転させながら所定時
間エピタキシャル成長を行う。こうして、ＧＧＧ基板の
表面に磁性ガーネット膜が育成される。

【０００４】この場合において、良質な単結晶薄膜を育
成するためには、溶液表面近傍の温度勾配を溶液表面か
ら数ｃｍに渡って±１℃以内に抑える必要があることが
一般的に知られている（ＭａｒｋＨ．Ｒａｎｄｌｅ
ｓ；Ｃｒｙｓｔａｌｓ−Ｇｒｏｗｔｈ，Ｐｒｏｐｅｒｔ
ｉｅｓ，ａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ：１，“Ｌ
ｉｑｕｉｄＰｈａｓｅＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒｏ
ｗｔｈｏｆＭａｇｎｅｔｉｃＧａｒｎｅｔｓ”，
Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ，１９７８，ｐ８１−
ｐ８２）。その理由は次のように考えられている。すな
わち、溶液表面近傍に温度勾配がついている状態で溶液
内に下地基板を浸漬すると、溶液内の温度と基板周辺の
温度に差が生じて過冷却度がさらに大きくなってしま
う。そのため、基板温度が溶液温度と一致するまでの間
の成長初期段階の成長速度が速くなってしまい、単結晶
の成長速度が一定にならない。また、溶液内での自然核
発生が促進されてクラスターが発生し、このクラスター
が単結晶膜の成長時に単結晶膜内に取り込まれることで
ピットの原因となる。そのため、このようにして育成さ
れた単結晶薄膜は膜質が悪く、たとえば静磁波素子用磁
性ガーネット薄膜の性能指数である強磁性共鳴半値幅
（ΔＨ）が大きくなってしまい、電子部品としての使用
に耐えられないものになる。

【０００５】そこで、従来から一般的に図１５に示した
ような液相エピタキシャル装置が用いられている。この
液相エピタキシャル成長装置１は、縦型加熱炉２を含
む。縦型加熱炉２は、たとえば円筒状の炉心管３を有す
る。炉心管３の周囲には、加熱のための発熱体４が配置
される。炉心管３内には、坩堝５が配置される。坩堝５
は、単結晶基板表面に酸化物単結晶薄膜をエピタキシャ
ル成長させるための溶液を保持するためのものである。
エピタキシャル成長時には、坩堝５内に基板ホルダに保
持されたＧＧＧ基板（図示せず）が浸漬される。炉心管
３内において、坩堝５に入った溶液の上方には、複数枚
の熱遮蔽板６が炉心管３の上下方向に平行にかつ間隔を
おきながら、液面とほぼ水平に配置される。この熱遮蔽
板６は、それぞれ環状円盤の中央部に貫通孔を形成して
なるものである。熱遮蔽板６は、熱が輻射によって上方
に逃げるのを抑制する役割を持っていると理解されてい
る。熱遮蔽板６を設けることにより、坩堝５内の溶液表
面近傍の温度勾配が小さくなり、良質な単結晶膜を得る
ことができるようになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１６
は、図１５に示す従来の液相エピタキシャル成長装置１
を用いた場合の溶液表面近傍の温度分布を示したグラフ
である。○は口径１２０ｍｍφの炉心管における測定結
果を示し、●は口径１７０ｍｍφの炉心管における測定
結果を示す。なお、口径１２０ｍｍφの炉心管は、２″
φサイズの単結晶薄膜育成用のものであり、口径１７０
ｍｍφの炉心管は、３″φサイズの単結晶薄膜育成用の
ものである。

【０００７】図１６に示したグラフからわかるように、
口径１２０ｍｍφの炉心管では溶液表面近傍の温度分布
は均一であるが、口径１７０ｍｍφの炉心管では溶液表
面近傍に１０℃／ｃｍの温度勾配がついている。これ
は、液相エピタキシャル成長装置１を大型化すると縦型
加熱炉２の炉心管３の口径が広くなり熱放散が大きくな
るからであると考えられる。このように、従来の液相エ
ピタキシャル成長装置では、装置を大型化すると熱放散
が大きくなるため、溶液表面近傍の温度勾配が大きくな
り、良質な単結晶薄膜を得にくくなるという問題があっ
た。それゆえに、この発明の主たる目的は、装置を大型
化しても熱放散が大きくならず溶液表面近傍の温度勾配
の小さい、液相エピタキシャル成長装置を提供すること
である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明は、炉心管を有
する縦型加熱炉と、炉心管内に配置され、基板ホルダに
装着した単結晶基板を浸漬して単結晶基板表面に酸化物
単結晶薄膜をエピタキシャル成長させるための溶液を保
持するための坩堝と、炉心管内の溶液の上方に配置され
る熱遮蔽板とを含む液相エピタキシャル成長装置であっ
て、熱遮蔽板は、炉心管の内壁との間に隙間を有するよ
う形成された環状円盤を含み、かつ隙間は、炉心管口径
の２．５％以上１５％以下の範囲で形成されることを特
徴とする、液相エピタキシャル成長装置である。また、
上記の熱遮蔽板は、環状円盤から上方へ延び出るよう形
成された突起部を含むことが好ましい。

【０００９】

【作用】この発明の液相エピタキシャル成長装置では、
熱遮蔽板と炉心管の内壁との間の隙間を炉心管口径の
２．５％以上１５％以下の範囲で形成することにより、
炉心管内の熱の流れが好ましく制御され、外部からの低
温気流の侵入が抑制されるので、炉心管内を均一温度帯
とすることができる。その結果、縦型加熱炉の炉心管の
口径が大きい場合にも、熱放散が低く抑えられ、溶液表
面近傍の温度勾配を±１℃以内に抑制することができ
る。

【００１０】

【発明の効果】この発明の液相エピタキシャル成長装置
によれば、縦型加熱炉の炉心管の口径が大きい場合に
も、熱放散が低く抑えられ、溶液表面近傍の温度勾配を
±１℃以内に抑制することができる。そのため、膜質の
良い単結晶薄膜を再現性よく製造することができる。

【００１１】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【００１２】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施の形態の一
例を示す図解図である。図２は図１に示す液相エピタキ
シャル成長装置に用いられる熱遮蔽板を示す斜視図であ
る。この液相エピタキシャル成長装置１０は、縦型加熱
炉１２を含む。縦型加熱炉１２は、炉心管１４を有す
る。炉心管１４の周囲には、加熱のための発熱体１６が
配置される。発熱体１６としては、たとえば抵抗加熱方
式のものでもよく、高周波加熱方式のものでもよい。発
熱体１６により、後述する坩堝１８内の液相温度が制御
される。

【００１３】炉心管１４内には、坩堝１８が配置され
る。坩堝１８は、単結晶基板表面に酸化物単結晶薄膜を
エピタキシャル成長させるための溶液を保持するための
ものである。エピタキシャル成長時には、坩堝１８内に
基板ホルダに保持されたＧＧＧ基板（図示せず）が浸漬
される。このとき、酸化物単結晶薄膜を均一に育成する
ために、従来から一般的に行われているように、ＧＧＧ
基板は溶液内の一定位置で回転されたり振動を与えられ
たりする。

【００１４】炉心管１４内において、坩堝１８に入った
溶液の上方には、複数枚の熱遮蔽板２０が炉心管１４の
上下方向に平行にかつ間隔をおきながら、液面とほぼ水
平に配置される。熱遮蔽板２０は、図２に示すように、
中央部に貫通孔を有する環状円盤２０ａからなる。

【００１５】発明者らは、この発明の課題を解決するた
めに熱遮蔽板２０の形状により溶液表面近傍の温度分布
が変化することを予測した。そこで、口径がそれぞれ７
２ｍｍ，１２０ｍｍ，１７０ｍｍの炉心管１４内に、そ
れぞれ外径の異なる複数の環状円盤２０ａからなる熱遮
蔽板２０を形成し、それぞれについて、溶液表面近傍の
温度分布測定を行ない、炉心管口径φに対する炉心管１
４内壁と熱遮蔽板２０との隙間ｄ（％）と、溶液表面近
傍の温度勾配との相関関係について調べた。図３は、そ
の結果を示すグラフである。図３において、○は口径７
２ｍｍφの炉心管での測定結果を示す。また、●は口径
１２０ｍｍφの炉心管での測定結果を示す。さらに、ｘ
は口径１７０ｍｍφの炉心管での測定結果を示す。

【００１６】図３からわかるように、いずれの場合にお
いても、隙間が炉心管の口径の２．５％以上１５％以下
の大きさのときには溶液表面近傍の温度勾配が±１℃以
内に抑制されている。それに対して、隙間ｄが炉心管の
口径の２．５％未満のときや、隙間が炉心管の口径の１
５％より大きいときには溶液表面近傍の温度勾配が急激
に大きくなっており好ましくない。

【００１７】図４は、環状円盤２０ａの外径の異なる熱
遮蔽板２０を用いた場合についての炉心管１４内の熱の
流れをシミュレーションした結果の図解図を示す。図４
（Ａ）は炉心管１４の内壁と熱遮蔽板２０との隙間ｄが
０ｍｍの場合の熱流の状態を示す図解図であり、図４
（Ｂ）は炉心管１４の内壁と熱遮蔽板２０との隙間ｄを
炉心管口径φに対して５％空けた場合の熱流の状態を示
す図解図であり、さらに、図４（Ｃ）は隙間ｄを炉心管
口径φに対して２０％空けた場合の熱流の状態を示す図
解図である。図４（Ａ）の場合では、熱の流れが一番下
の熱遮蔽板２０で妨げられ、その間で対流が生ずる形と
なり、上部から炉心管１４の中心部に低温の気流が流れ
込んでくる。しかし、図４（Ｂ）の場合では、熱流が炉
心管１４の内壁と熱遮蔽板２０の隙間から上昇し、途中
で熱遮蔽板２０によって熱流が分散して炉心管１４の中
心部に熱流の一部が流れ込んでいることが分かる。その
ため、この場合には、低温の気流が上部から炉芯管１４
内部に入り込むことが防がれる。その結果、炉心管１４
内に均一温度帯が形成され、溶液表面近傍の温度勾配が
±１℃以内に抑制されるものと考えられる。そのため、
この液相エピタキシャル成長装置１０によれば、膜質の
良い単結晶薄膜を再現性良く製造することが可能とな
る。一方、図４（Ｃ）の場合では熱流は全て炉心管１４
の内壁沿いに上部に流出し、逆に上部から炉心管１４の
中心部に低温気流が流れ込むという形で定常流が形成さ
れる。

【００１８】また、図５は、この発明の実施の形態の別
の例を示す図解図であり、図６（Ａ）は図５に示す液相
エピタキシャル成長装置に用いられる熱遮蔽板の斜視図
であり、図６（Ｂ）はその線ＶＩ（Ｂ）−ＶＩ（Ｂ）に
おける断面図である。この熱遮蔽板２０は、環状円盤２
０ａと突起部２０ｂとからなる。突起部２０ｂは、環状
円盤２０ａの上面から上方へ延び出るようにして一体に
形成される。なお、ここで上方とは、鉛直に設置される
炉心管１４の上下方向の上方のことをいい、言い換えれ
ば炉心管１４内において載置される坩堝１８に対する上
方をいう。そして、この熱遮蔽板２０を複数枚準備し、
それらを炉心管１４内に図５に示すように配置して、環
状円盤２０ａと炉心管１４の内壁との間の隙間と溶液表
面近傍の温度勾配との相関関係について測定を行った。
その結果、溶液表面近傍の温度勾配が図３のグラフに示
した突起部２０ｂの無い熱遮蔽板２０を用いた場合の結
果よりもさらに小さくなることが確認された。

【００１９】図７は、図６に示した熱遮蔽板を用いた場
合についての炉心管内の熱の流れをシミュレーションし
た結果の図解図である。この場合には、円筒状の突起部
２０ｂによって熱流がより炉心管１４の中心部へ分散さ
れるようになるので、低温気流の浸入がより困難にな
り、さらに有利に炉心管１４内に均一温度帯が形成され
る。図４および図７のシミュレーション結果から、炉心
管１４の内壁と熱遮蔽板２０との間に炉心管口径φの
２．５％以上１５％以下の範囲の隙間ｄを設け、かつ環
状円盤２０ａに突起部２０ｂを設けることがより好まし
いことがわかった。この場合には、炉心管１４内の熱の
流れが制御され、外部からの低温気流の侵入が抑制され
る。その結果、溶液表面近傍の温度勾配が±１℃以内に
抑制され、膜質の良い単結晶薄膜を再現性よく製造する
ことが可能になる。以下にこの発明の実施例を説明す
る。

【００２０】

【実施例】（実施例１）図８（Ａ）は、この発明の液相エピタキシ
ャル成長装置に用いられる熱遮蔽板の他の例を示す斜視
図であり、図８（Ｂ）はその線ＶＩＩＩ（Ｂ）−ＶＩＩ
Ｉ（Ｂ）における断面図である。この熱遮蔽板２０は、
外径１６０ｍｍφ，内径１００ｍｍφの環状円盤２０ａ
の上面から突き出すようにしてテーパ状の突起部２０ｂ
が一体に形成される。このテーパ状の突起部２０ｂは、
外周部の厚みが１ｍｍｔで、内周部の厚みが４０ｍｍｔ
に形成される。この熱遮蔽板２０を使用して溶液表面近
傍の温度勾配を測定したところ±０．４℃であった。そ
して、ＹＩＧ薄膜をＧＧＧ基板上に育成したところ良質
な膜が得られた。なお、この実施例１では熱遮蔽板２０
の突起部２０ｂの内厚みを４０ｍｍｔにしたが、内厚み
はこれに限ったものではない。また、図９（Ａ）および
図９（Ｂ）に示すように突起部２０ｂを外側に緩やかな
曲線を有するテーパ状に形成してもよい。さらに、図１
０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すように突起部２０ｂ
は上部に断面Ｓ字状の凹凸部２０ｃを有するよう形成し
てもよい。

【００２１】（実施例２）図１１（Ａ）は、この発明の
液相エピタキシャル成長装置に用いられる熱遮蔽板のさ
らに他の例を示す斜視図であり、図１１（Ｂ）はその線
ＸＩ（Ｂ）−ＸＩ（Ｂ）における断面図である。この熱
遮蔽板２０は、外径１６０ｍｍφ，内径１００ｍｍφの
環状円盤２０ａの内周部から１０ｍｍの位置に高さ４０
ｍｍｈの円筒状の突起部２０ｂが形成されてなる。この
熱遮蔽板２０を使用して溶液表面近傍の温度勾配を測定
したところ±０．５℃であった。そして、この液相エピ
タキシャル成長装置１０でＹＩＧ薄膜をＧＧＧ基板上に
育成したところ良質な膜が得られた。なお、この実施例
２では熱遮蔽板２０の円筒状の突起部２０ｂの高さを４
０ｍｍｔにしたが、高さはこれに限ったものではない。
また、突起部２０ｂを環状円盤２０ａの内周部より１０
ｍｍの位置に形成することに限ったものではない。

【００２２】（実施例３）図１２（Ａ）は、この発明に
用いられる熱遮蔽板のさらにまた他の例を示す斜視図で
あり、図１２（Ｂ）は、その線ＸＩＩ（Ｂ）−ＸＩＩ
（Ｂ）における断面図である。この熱遮蔽板２０は、外
径１６０ｍｍφ，内径１００ｍｍφの環状円盤２０ａに
外側から内側に向けて順次高さを高くしたたとえば３つ
の円筒状の突起部２０ｂ，２０ｂ，２０ｂが形成されて
なる。この熱遮蔽板２０を使用して溶液表面近傍の温度
勾配を測定したところ±０．５℃であり、この液相エピ
タキシャル成長装置１０でＹＩＧ薄膜をＧＧＧ基板上に
育成したところ良質な膜が得られた。なお、この実施例
３では複数の円筒状の突起部２０ｂの高さを外側から内
側に向けて順次高くしていったが、これに限らず、複数
の突起部２０ｂの頂点が断面でみたときに凹凸を形成す
るようにしてもよい。たとえば図１３（Ａ）および図１
３（Ｂ）に示すように、最も内周部の一つの突起部２０
ｂの高さを低く形成してもよく、また、図１４（Ａ）お
よび図１４（Ｂ）に示すように、複数の突起部２０ｂの
うちの中間のものを他のものより低く形成してもよい。

【００２３】なお、上述の説明においては、単結晶薄膜
として磁性ガーネット単結晶薄膜を育成したが、これに
限らず、半導体薄膜や酸化物強誘電性薄膜等液相エピタ
キシャル法全てにこの発明が適用できることは当然であ
る。また、環状円盤枚数，口径は使用する炉やウェハー
の大きさにより変えることが出来る。また、突起部は環
状円盤の上側ではなく下側に設けてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態の一例を示す図解図であ
る。

【図２】図１に示す装置に用いられる熱遮蔽板を示す斜
視図である。

【図３】炉心管口径に対する炉心管内壁と熱遮蔽板との
隙間の割合と、溶液表面近傍の温度勾配との相関関係を
示すグラフである。

【図４】図４（Ａ）は炉心管の内壁と熱遮蔽板との隙間
が０ｍｍの場合の熱流の状態を示す図解図である。ま
た、図４（Ｂ）は炉心管の内壁と熱遮蔽板との隙間を炉
心管口径φに対して５％空けた場合の熱流の状態を示す
図解図である。さらに、図４（Ｃ）は隙間を炉心管口径
φに対して２０％空けた場合の熱流の状態を示す図解図
である。

【図５】この発明の実施の形態の別の例のを示す図解図
である。

【図６】図５に示す液相エピタキシャル成長装置に用い
られる熱遮蔽板の斜視図である。

【図７】図６に示した熱遮蔽板を用いた場合についての
炉心管内の熱の流れをシミュレーションした結果の図解
図である。

【図８】この発明の液相エピタキシャル成長装置に用い
られる熱遮蔽板の他の例を示す斜視図である。

【図９】図８に示した熱遮蔽板の変形例を示す斜視図で
ある。

【図１０】図８に示した熱遮蔽板の別の変形例を示す斜
視図である。

【図１１】この発明の液相エピタキシャル成長装置に用
いられる熱遮蔽板のさらに他の例を示す斜視図である。

【図１２】この発明に用いられる熱遮蔽板のさらにまた
他の例を示す斜視図である。

【図１３】図１２に示した熱遮蔽板の変形例を示す斜視
図である。

【図１４】図１２に示した熱遮蔽板の別の変形例を示す
斜視図である。

【図１５】従来の液相エピタキシャル成長装置を示す図
解図である。

【図１６】従来の液相エピタキシャル成長装置を用いた
場合の溶液表面近傍の温度分布を示したグラフである。

【符号の説明】

１０エピタキシャル成長装置１２縦型加熱炉１４炉心管１６発熱体１８坩堝２０熱遮蔽板２０ａ環状円盤２０ｂ突起部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】炉心管を有する縦型加熱炉、前記炉心管内に配置され、基板ホルダに装着した単結晶
基板を浸漬して前記単結晶基板表面に単結晶薄膜をエピ
タキシャル成長させるための溶液を保持するための坩
堝、および前記炉心管内の前記溶液の上方に配置される
熱遮蔽板を含む液相エピタキシャル成長装置であって、前記熱遮蔽板は、前記炉心管の内壁との間に隙間を有す
るよう形成された環状円盤を含み、かつ前記隙間は、前
記炉心管口径の２．５％以上１５％以下の範囲で形成さ
れることを特徴とする、液相エピタキシャル成長装置。
【請求項２】前記熱遮蔽板は、前記環状円盤から上方
へ延び出るよう形成された突起部を含む、請求項１に記
載の液相エピタキシャル成長装置。