JPH0997835A

JPH0997835A - 接続孔の製造方法

Info

Publication number: JPH0997835A
Application number: JP25263795A
Authority: JP
Inventors: Hirobumi Sumi; ▲博▼文角
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08

Abstract

(57)【要約】【課題】金属シリサイド上の絶縁膜をエッチングして
接続孔を形成する際に、接続孔底部の金属シリサイドが
エッチングされるためコンタクト抵抗の低減が図れな
い。また金属シリサイドが凝集するためシート抵抗の低
減が図れない。【解決手段】半導体基板11の半導体領域と金属とを反
応させて形成した金属反応膜15,16 を覆う第２絶縁膜17
を堆積した後、金属反応膜15,16 上の第２絶縁膜17に接
続孔19,20 を形成する方法であって、接続孔19,20 を形
成するエッチングを、第２絶縁膜17の構成原子の電子同
士の結合を切るエネルギー以上、金属反応膜15,16 をエ
ッチングしないエネルギー以下にイオンエネルギーを設
定して行うことで、金属反応膜のエッチングを防ぐ方法
である。また上記エッチングのエッチングガスと金属反
応膜15,16 とで反応生成物21,22 を形成することで、金
属反応膜15,16 を保護する方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の層間
絶縁膜に形成される接続孔の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】素子の微細化にともない、トランジスタ
の拡散層はますます浅い接合になっている。すなわち、
いわゆるシャロー化が進んでいる。一方、ゲート線幅が
縮小化しているので、拡散層の深さを浅くしないとショ
ートチャネル効果が増大する。例えばゲート線幅が０．
２５μｍのトランジスタに対しては拡散層の深さを０．
０８μｍ程度に浅くする必要がある。

【０００３】そして拡散層のいわゆるシャロー化にとも
ない、トランジスタのソース・ドレインのシート抵抗は
増大する。その結果、素子の応答速度が劣化するという
問題を発生する。いま、ゲート遅延時間をτpdとする
と、動作周波数ｆは１／τpdに関係することにより、応
答速度の劣化すると動作周波数の向上は望めない。これ
は、特に高速動作を要求されるマイクロプロセッサユニ
ット（ＭＰＵ）には不利になる。その対策として、ソー
ス・ドレイン上のみに選択的に低抵抗なチタンシリサイ
ド（ＴｉＳｉ₂）を形成するサリサイド（SALICIDE）プ
ロセスが注目されている。

【０００４】ここで、従来のＭＯＳＬＳＩプロセスの一
例を、図９の製造工程図によって説明する。

【０００５】図９の（１）に示すように、通常のＭＯＳ
（Metal-Oxide-Semiconductor ）トランジスタプロセス
によって、半導体基板１１１に、素子分離領域１１２を
形成した後、半導体基板１１１にゲート絶縁膜１１３を
介してゲート配線１１４を形成する。そしてゲート配線
１１３の両側にサイドウォール絶縁膜１１５，１１６を
形成し、さらにゲート配線１１３の両側の半導体基板１
１１にソース・ドレイン領域１１７，１１８を形成する
ことで、ＭＯＳトランジスタ１０１を形成する。

【０００６】次いで図９の（２）に示すように、上記半
導体基板１１１に対してフッ酸（ＨＦ）処理を施し、ソ
ース・ドレイン領域１１７，１１８上の自然酸化膜（図
示省略）を完全に除去する。その後、例えばスパッタリ
ングによって、全面にチタン（Ｔｉ）膜１１９を５０ｎ
ｍの厚さに形成する。その後、熱処理（第１熱処理は窒
素雰囲気中で６００℃の加熱、および第２熱処理は窒素
雰囲気中で８００℃の加熱）を施して、ゲート配線１１
３およびソース・ドレイン領域１１７，１１８のシリコ
ン（Ｓｉ）とチタン膜１１９のチタン（Ｔｉ）とを反応
させて低抵抗なチタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂）層１２
１，１２２，１２３を選択的に形成する。

【０００７】続いて上記半導体基板１１１を、例えばア
ンモニア過水に浸漬することで、未反応なチタン膜１１
９（２点鎖線で示す部分）を選択的にエッチングして除
去する。

【０００８】次いで図９の（３）に示すように、例えば
化学的気相成長（以下、ＣＶＤという）法によって、Ｍ
ＯＳトランジスタ１０１を覆う状態に、半導体基板１１
１上に酸化シリコンからなる層間絶縁膜１３１を形成し
た後、リソグラフィー技術とエッチング技術とによっ
て、例えばゲート配線１１３上およびソース・ドレイン
領域１１８上の層間絶縁膜１３１に接続孔１３２，１３
３を形成する。さらに通常のブランケットタングステン
プラグの形成方法によって、接続孔１３２，１３３の内
部に密着層１３４を介してタングステンプラグ１３５，
１３６を形成する。さらにそれらに接続する状態で層間
絶縁膜１３１上に、例えば、密着層（１４１）とアルミ
ニウム−シリコン膜からなる配線層（１４２）とを形成
する。そしてリソグラフィー技術とエッチング技術とに
よって、上記密着層（１４１）と配線層（１４２）とを
パターニングして配線１４３，１４４を形成する。

【０００９】上記プロセス例によって素子を形成した場
合には、ソース・ドレイン領域１１７，１１８の抵抗
が、従来のチタンシリサイドを形成しない構造のものよ
りも１桁程度低下する利点がある。

【００１０】そして素子の微細化にともない、拡散層領
域も微細化が進行している。そのため、拡散層（例えば
ソース・ドレイン領域）上に形成するチタンシリサイド
（ＴｉＳｉ₂）の膜厚も薄膜化する必要がある。例えば
デザインルールが０．２５μｍの製品ではチタンシリサ
イド膜の厚さは５０ｎｍ程度以下にしなければならな
い。このように薄膜化しないと接合リークが増大する原
因になる。

【００１１】上記のように薄いチタンシリサイド膜上の
層間絶縁膜に接続孔を形成するためのドライエッチング
条件は、通常、異方性エッチングの成分を高めるため
に、イオンエッチング成分を高めた条件を用いる。イオ
ンエッチング成分を高めるためには、アルゴン（Ａｒ）
等の不活性ガスをエッチングガス中に混入させる。ま
た、高いＶcdを加えることでイオンの加速性を高めた条
件で接続孔を形成すればよい。例えば、エッチングガス
に、流量が５０ｓｃｃｍ〔以下、ｓｃｃｍは標準状態に
おける体積流量（ｃｍ³／分）を表す〕のオクタフルオ
ロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）と流量が１００ｓｃｃｍの
アルゴン（Ａｒ）を用い、ＲＦパワーを１．２０ｋＷ、
エッチング雰囲気の圧力を１Ｐａに設定する。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
に示すように、サリサイド（SALICIDE）プロセスによっ
て形成したチタンシリサイド膜１２１，１２３上の層間
絶縁膜１３１に接続孔１３２，１３３を形成した場合、
層間絶縁膜１３１の膜厚が薄い部分に形成した接続孔１
３２内では、チタンシリサイド膜１２１までエッチング
されて、チタンシリサイド膜が無くなる問題が発生して
いる。この問題は、エッチングガス中にアルゴン（Ａ
ｒ）ガスが含まれているため、アルゴンのスパッタリン
グ作用によりチタンシリサイド膜１２１がエッチングさ
れることに起因する。

【００１３】特に、層間絶縁膜１３１の平坦化が進むに
つれて、層間絶縁膜１３１の厚い部分と薄い部分とが存
在するようになる。例えば層間絶縁膜１３１の厚い部分
に対して接続孔１３３が開口するまでエッチングを行う
と、層間絶縁膜１３１の薄い部分に形成した接続孔１３
２の底部はいわゆるオーバエッチング状態になる。すな
わち、接続孔１３２の底部はエッチングが過剰になっ
て、チタンシリサイド膜１２１がエッチング除去される
ことになる。その結果、接続孔１３２におけるコンタク
ト抵抗が上昇することになる。

【００１４】一方、図示はしないが、接続孔の形成時に
おけるオーバエッチングでは、接続孔の底部のチタンシ
リサイド層がエッチングされ、その膜厚が薄くなる。こ
の影響で、チタンシリサイドが凝集し易くなるので、シ
ート抵抗の低減化は望めなくなる。シート抵抗の増大ま
たはその原因となるシリサイドの凝集の原因は、（ａ）
チタン膜を形成する前に、シリコン基板上の自然酸化膜
の除去が不十分なため、もしくは、（ｂ）チタン膜を成
膜する前の前処理（通常はフッ酸によるエッチング処理
を行う）後、シリコン基板が大気中にさらされることに
より酸素（Ｏ₂）が吸着して不均一な自然酸化膜が形成
されるためである。このように自然酸化膜が形成された
状態でチタン膜を形成し、シリサイド化のための熱処理
を施すと、シリサイド化反応は不均一に進行する。その
結果、シリサイド形成後の熱処理で不均一に生じたシリ
サイドが再結晶化によって安定化しようとするため、シ
リサイドの凝集が発生し易くなるといえる。

【００１５】本発明は、シリサイド膜上の層間絶縁膜に
接続孔を形成する際に、接続孔底部にシリサイド膜を十
分に残す接続孔の製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた接続孔の製造方法である。すなわ
ち、基板の半導体領域と金属とを反応させて形成した金
属反応膜を覆う状態に、基板上に絶縁膜を堆積した後、
金属反応膜上の絶縁膜に接続孔を形成する接続孔の製造
方法において、接続孔を形成するエッチングのイオンエ
ネルギーは、絶縁膜の構成原子の電子同士の結合を切る
エネルギー以上、金属反応膜をエッチングしないエネル
ギー以下に設定する。

【００１７】さらには上記エッチングを行う前に、エッ
チングのイオンエネルギーを、絶縁膜が異方性エッチン
グされるエネルギーに設定したエッチングを行う。

【００１８】また、絶縁膜がエッチングされて金属反応
膜が部分的に表出した時点で、エッチングガスと金属反
応膜との反応生成物を金属反応膜上に形成する。その
後、接続孔を開口した後、エッチングによって反応生成
物を、例えば、不活性ガスをエッチング種に用いたイオ
ンエッチングで行う。

【００１９】上記接続孔の製造方法では、金属反応膜上
の絶縁膜に接続孔を形成する際のエッチングのイオンエ
ネルギーは、絶縁膜の構成原子の電子同士の結合を切る
エネルギー以上、金属反応膜をエッチングしないエネル
ギー以下に設定することから、絶縁膜はエッチングさ
れ、しかも金属反応膜はエッチングされない。そのた
め、例えば金属反応膜がシリサイドの場合には、接続孔
の底部にシリサイドが残されることになる。

【００２０】さらには上記エッチングを行う前に、エッ
チングのイオンエネルギーを、絶縁膜が異方性エッチン
グされるエネルギーに設定したエッチングを行うことか
ら、接続孔は金属反応膜の近傍まで異方性エッチングに
より形成される。そのため、接続孔のエッチングでは、
いわゆるサイドエッチング量が少なくなるので、微細な
径の接続孔の形成が可能となる。

【００２１】また、絶縁膜がエッチングされて金属反応
膜が部分的に表出した時点で、エッチングガスと金属反
応膜との反応生成物を金属反応膜上に形成する方法で
は、反応生成物によって金属反応膜が保護される。その
ため、接続孔のエッチングにおいてオーバエッチングを
行っても金属反応膜はエッチングされない。そして接続
孔を開口した後、エッチングによって反応生成物を、例
えば、不活性ガスをエッチング種に用いたイオンエッチ
ングで行うことから、不活性ガスのスパッタリング作用
によって反応生成物は除去される。

【００２２】

【発明の実施の形態】本発明に係わる第１の実施形態を
図１によって説明する。

【００２３】図１に示すように、半導体基板（例えば、
シリコン基板）１１上に第１絶縁膜１２を介して導電性
のポリシリコンからなる配線１３上を形成し、また半導
体基板１１に拡散層１４上を形成する。そして半導体領
域である配線１３および拡散層１４の各上部には、金属
反応膜〔例えばチタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂）膜〕１
５，１６を形成する。

【００２４】その後、通常の成膜方法（例えば、ＣＶＤ
法）によって、上記のような半導体基板１１の素子形成
領域側を覆う状態に酸化シリコンからなる第２絶縁膜１
７を形成する。

【００２５】次いでリソグラフィー技術によって、上記
第２絶縁膜１７上に、接続孔を形成するためのエッチン
グマスク１８を例えばレジストで形成する。その後、第
２絶縁膜１７の構成原子であるシリコン（Ｓｉ）と酸素
（Ｏ）との電子同士の結合を切るようなエネルギー以上
で、金属反応膜である上記金属反応膜１５，１６をエッ
チングしないエネルギー以下にイオンエネルギーを設定
したエッチングによって、上記第２絶縁膜１７に接続孔
１９，２０を形成する。

【００２６】上記エッチング条件の一例としては、エッ
チングガスに流量が２０ｓｃｃｍのオクタフルオロシク
ロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）またはパーフルオロプロパン（Ｃ
₃Ｆ ₈）と、流量が８０ｓｃｃｍの一酸化炭素（ＣＯ）
とを用い、ＲＦパワーを６００Ｗ、エッチング雰囲気の
圧力を２０Ｐａに設定する。したがって、このエッチン
グでは、ＲＦパワーによってイオンエネルギーを制御す
る。このエッチングにおけるＲＦパワーは、例えば、１
００Ｗ〜１．０ｋＷの範囲内に設定することが好まし
い。上記エッチングでは、エッチングガス中に含まれて
いるフッ素（Ｆ）と金属反応膜１５，１６のチタン（Ｔ
ｉ）とが反応して、接続孔１９，２０の底部に反応生成
物〔この場合は、フッ化チタン（ＴｉＦx ）膜〕２１，
２２を形成する。

【００２７】上記接続孔の製造方法では、エッチングガ
スにアルゴン（Ａｒ）のような金属反応膜１５，１６を
イオンエッチングする成分が含まれていないため、金属
反応膜１５，１６はエッチングされない。また、エッチ
ング中に、接続孔１９，２０の底部に反応生成物２１，
２２を形成するため、それによって金属反応膜１５，１
６が保護される。したがって、金属反応膜１５，１６上
に接続孔１９，２０を形成してもその底部には金属反応
膜１５，１６が残る。

【００２８】なお、上記反応生成物膜２１，２２は、そ
の後エッチング、またはスパッタリングに成膜時の逆ス
パッタリングによって除去される。また、上記エッチン
グマスク１８は、接続孔１９，２０を開口した後、通常
の除去方法（例えばアッシング、ウェットエッチング
等）によって除去される。

【００２９】次に第１実施形態に係わる実施例（以降、
第１実施例という）を、図２の接続孔の製造工程図によ
って説明する。図では、一例として、ＭＯＳトランジス
タを覆う層間絶縁膜に設けた接続孔の製造方法を示す。

【００３０】図２の（１）に示すように、通常のＭＯＳ
トランジスタプロセスによって、半導体基板１１に、素
子分離領域３１を形成した後、半導体基板１１上にゲー
ト絶縁膜３２を介してゲート配線３３（第１実施形態の
配線１３に相当）を形成し、さらにその両側にサイドウ
ォール３４，３５を形成した。そして例えばイオン注入
法によってゲート配線３３の両側における半導体基板１
１にソース・ドレイン領域３６，３７（第１実施形態の
拡散層１４に相当）を形成することで、ＭＯＳトランジ
スタ１を形成した。なお、上記半導体基板１１にはシリ
コン基板を用いた。

【００３１】続いて図２の（２）に示すように、ＩＣＰ
（Induction Coupled Plasma）ソフトエッチングを行っ
て、半導体基板１１上に形成された自然酸化膜（図示省
略）を除去した。上記ＩＣＰソフトエッチング条件は、
一例として、エッチングガス：アルゴン（Ａｒ）；１０ｓｃｃｍ〔以
下、ｓｃｃｍは標準状態における体積流量（ｃｍ³／
分）を表す〕、エッチング雰囲気の圧力：０．０６Ｐａ、Ｖdc：１００Ｖ、ＩＣＰパワー：１ｋＷ、に設定した。

【００３２】上記ＩＣＰソフトエッチングを行った直後
に、例えばスパッタリングによって、半導体基板１１上
の全面にチタン（Ｔｉ）膜４１を成膜した。上記スパッ
タリング条件は、一例として、スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；１００ｓｃｃ
ｍ、基板温度：１５０℃、スパッタリング雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ、に設定した。その結果、チタン（Ｔｉ）膜２０を３０ｎ
ｍの厚さに成膜した。

【００３３】次いでＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing
）によって、上記ゲート配線３３のシリコン（Ｓｉ）
および上記ソース・ドレイン領域３６，３７のシリコン
（Ｓｉ）と、上記チタン膜４１のチタン（Ｔｉ）とを反
応させて、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂）層４２，４
３，４４（第１実施形態の金属反応膜１５，１６に相
当）を形成した。上記ＲＴＡ条件は、一例として、熱処理の雰囲気：窒素（Ｎ₂）；５ｄｍ³／分、熱処理温度：６５０℃、熱処理時間：３０秒、に設定した。

【００３４】次いで、上記処理を行った半導体基板１１
をアンモニア過水に浸すことで未反応なチタン膜４１
（２点鎖線で示す部分）を選択的に除去した。

【００３５】続いて、熱処理を行って、上記チタンシリ
サイド層４２，４３，４４の安定化を図った。この熱処
理条件は、一例として、熱処理の雰囲気：窒素（Ｎ₂）；５ｄｍ³／分、熱処理温度：８００℃、熱処理時間：３０秒、に設定した。

【００３６】次いで図２の（３）に示すように、例えば
ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法によって、Ｍ
ＯＳトランジスタ１を覆う状態に、酸化シリコン膜から
なる層間絶縁膜５１（第１実施形態の第２絶縁膜１７に
相当）の成膜を行った。上記成膜条件は、一例として、成膜ガス：テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）；５０ｓ
ｃｃｍ、成膜雰囲気の温度：７２０℃、成膜雰囲気の圧力：４０Ｐａ、に設定した。そして上記層間絶縁膜５１を６００ｎｍの
厚さに成膜した。

【００３７】次いでリソグラフィー技術（レジスト塗
布、露光、現像、ベーキング等の処理）によってレジス
ト膜からなるエッチングマスク５２を形成した。その
後、一酸化炭素（ＣＯ）を添加した高次フッ素化合物ガ
ス系を用いたエッチングによって、例えばゲート配線３
３上のチタンシリサイド層４２，ソース・ドレイン領域
３７上のチタンシリサイド層４４に通じる接続孔５３，
５４を形成した。このときのエッチング条件は、一例と
して、エッチングガス：オクタフルオロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ
₈）；２０ｓｃｃｍと一酸化炭素（ＣＯ）；８０ｓｃｃ
ｍ、ＲＦパワー：６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００３８】上記エッチングでは、エッチングガス（オ
クタフルオロシクロブタン）にフッ素が含まれているの
で、そのフッ素と下地のチタンシリサイド層４２，４３
のチタン（Ｔｉ）とが反応してできる反応生成物である
フッ化チタン（ＴｉＦx ）膜５５，５６が形成された。

【００３９】その後、上記エッチングマスク５２を、通
常の除去方法（例えばアッシング、ウェットエッチング
等）によって除去した。そして図２の（４）に示すよう
に、配線材料を形成した。まず、スパッタリングによっ
て、チタン（Ｔｉ）膜と窒化チタン（ＴｉＮ）膜とを成
膜して密着層６１を形成した。このときのアルゴン（Ａ
ｒ）の逆スパッタによって、フッ化チタン膜（５５，５
６）を除去された。このスパッタリング条件は、一例と
して、スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；１００ｓｃｃ
ｍ、スパッタパワー：８ｋＷ、基板温度：１５０℃、成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ、に設定した。そしてチタン膜を１０ｎｍの厚さに成膜し
た。

【００４０】続いてスパッタリングによって窒化チタン
膜を形成した。このスパッタリング条件は、一例とし
て、スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；４０ｓｃｃｍ
と窒素（Ｎ₂）；２０ｓｃｃｍ、成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ、に設定した。そして窒化チタン膜を７０ｎｍの厚さに成
膜した。

【００４１】次いでＣＶＤ法によって、タングステン
（Ｗ）膜を形成した。このタングステン膜の形成条件
は、一例として、反応ガス：アルゴン（Ａｒ）；２２００ｓｃｃｍ、窒素
（Ｎ₂）；３００ｓｃｃｍ、水素（Ｈ₂）；５００ｓｃ
ｃｍおよび六フッ化タングステン（ＷＦ₆）；７５ｓｃ
ｃｍ、成膜雰囲気の温度：４５０℃、成膜雰囲気の圧力：１０．６４ｋＰａ、に設定した。そしてタングステン膜を４００ｎｍの厚さ
に成膜した。

【００４２】続いて、上記タングステン膜をエッチバッ
クした。このエッチバック条件は、一例として、エッチングガス：六フッ化イオウ（ＳＦ₆）：５０ｓｃ
ｃｍ、ＲＦパワー：１５０Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：１．３３Ｐａ、に設定した。そして、接続孔５３，５４の内部にタング
ステンからなるプラグ６２，６３を形成した。

【００４３】その後、例えばスパッタリングによって、
密着層となるチタン膜６４と主配線材料となるアルミニ
ウム（Ａｌ）膜６５とからなる配線層を形成した。この
スパッタリング条件は、一例として、スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；１００ｓｃｃ
ｍ、スパッタパワー：４ｋＷ、基板温度：１５０℃、成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ、に設定した。そしてチタン膜６４を３０ｎｍの厚さに成
膜した。

【００４４】さらに例えばスパッタリングによって、ア
ルミニウム膜６５を成膜した。このスパッタリング条件
は、一例として、スパッタリングガス：アルゴン（Ａｒ）；５０ｓｃｃ
ｍ、スパッタパワー：２２．５ｋＷ、基板温度：１５０℃、成膜雰囲気の圧力：０．４７Ｐａ、に設定した。そしてアルミニウム膜６５を０．５μｍの
厚さに成膜した。

【００４５】その後、リソグラフィー技術とエッチング
技術とによって、プラグ６２，６３に接続するもので、
アルミニウム膜６５／チタン膜６４からなる配線６６，
６７を形成した。このエッチング条件は、一例として、エッチングガス：三塩化ホウ素（ＢＣｌ₃）；６０ｓｃ
ｃｍと塩素（Ｃｌ₂）；９０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワー：１ｋＷ、ＲＦパワー：５０Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：０．０１６Ｐａ、に設定した。

【００４６】この第１実施例の接続孔の製造方法では、
エッチングガスには、アルゴン（Ａｒ）のようなチタン
シリサイド層４２，（４３），４４をイオンエッチング
する成分が含まれていないため、チタンシリサイド層４
２，４４はエッチングされなかった。また、エッチング
中に、エッチングガス（オクタフルオロシクロブタン）
のフッ素）とチタンシリサイド層４２，，４４のチタン
とが反応して、接続孔５３，５４の底部にフッ化チタン
膜５５，５６を形成するため、それによってチタンシリ
サイド層４２，４４は保護された。したがって、チタン
シリサイド層４２，４４上に接続孔５３，５４を形成し
てもその底部にはチタンシリサイド層４２，４４は残っ
た。

【００４７】次に、本発明に係わる第２の実施形態を図
３によって説明する。なお、図３では、前記図１で説明
した構成部品と同様のものには同一符号を付す。

【００４８】図３に示すように、半導体基板（例えば、
シリコン基板）１１上に第１絶縁膜１２を介して導電性
のポリシリコンからなる配線１３上を形成し、また半導
体基板１１に拡散層１４上を形成する。そして配線１３
および拡散層１４の各上部には、シリサイド〔例えばチ
タンシリサイド（ＴｉＳｉ₂）〕層１５，１６を形成す
る。その後、通常の成膜方法（例えば、ＣＶＤ法）によ
って、上記のような半導体基板１１の素子形成領域側を
覆う状態に酸化シリコンからなる第２絶縁膜１７を形成
する。

【００４９】次いでリソグラフィー技術によって、上記
第２絶縁膜１７上に、接続孔を形成するためのエッチン
グマスク１８を例えばレジストで形成する。

【００５０】その後、上記第２絶縁膜１７を異方性エッ
チングするイオンエネルギーに設定した第１のエッチン
グによって、接続孔１９，２０を形成する。この第１の
エッチングでは、接続孔１９，２０の例えば８０％〜９
０％程度（２点鎖線で示す部分）までエッチングする。

【００５１】上記第１のエッチング条件の一例として
は、エッチングガスに流量が２０ｓｃｃｍのオクタフル
オロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）と、流量が８０ｓｃｃｍ
の一酸化炭素（ＣＯ）と、流量が１００ｓｃｃｍのアル
ゴン（Ａｒ）とを用い、ＲＦパワーを１．２ｋＷ、エッ
チング雰囲気の圧力を２０Ｐａに設定する。したがっ
て、この第１のエッチングでは、ＲＦパワーによってイ
オンエネルギーを制御する。このエッチングにおけるＲ
Ｆパワーは、例えば、０．６ｋＷ〜１．６ｋＷの範囲内
に設定することが好ましい。

【００５２】その後、第２絶縁膜１７の構成原子である
シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との電子同士の結合を切
るようなエネルギー以上で、金属反応膜である上記金属
反応膜１５，１６をエッチングしないエネルギー以下に
イオンエネルギーを設定した第２のエッチングによっ
て、上記第２絶縁膜１７をエッチングして、接続孔１
９，２０を開口する。

【００５３】上記第２のエッチング条件の一例として
は、エッチングガスに流量が２０ｓｃｃｍのオクタフル
オロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）と、流量が８０ｓｃｃｍ
の一酸化炭素（ＣＯ）とを用い、ＲＦパワーを６００
Ｗ、エッチング雰囲気の圧力を２０Ｐａに設定する。し
たがって、この第２のエッチングでは、ＲＦパワーによ
ってイオンエネルギーを制御する。このエッチングにお
けるＲＦパワーは、例えば、１００Ｗ〜１．０ｋＷの範
囲内に設定することが好ましい。上記第２のエッチング
では、エッチングガス中に含まれているフッ素（Ｆ）と
金属反応膜１５，１６のチタン（Ｔｉ）とが反応して、
接続孔１９，２０の底部に反応生成物〔この場合はフッ
化チタン（ＴｉＦx ）膜〕２１，２２を形成する。

【００５４】上記接続孔の製造方法では、上記第１のエ
ッチングのエッチングガスにアルゴンが含まれているの
で、第２絶縁膜１７を異方性エッチングされる。また第
２のエッチングでは、エッチングガスにアルゴン（Ａ
ｒ）のような金属反応膜１５，１６をイオンエッチング
する成分が含まれていないため、金属反応膜１５，１６
はエッチングされない。また、第２のエッチング中に、
接続孔１９，２０の底部に反応生成物２１，２２を形成
するため、それによって金属反応膜１５，１６が保護さ
れる。したがって、金属反応膜１５，１６上に接続孔１
９，２０を形成してもその底部には金属反応膜１５，１
６が残る。

【００５５】なお、上記反応生成物２１，２２は、その
後エッチング、またはスパッタリングに成膜時の逆スパ
ッタリングによって除去される。

【００５６】次に第２実施形態に係わる実施例（以降、
第２実施例という）を、図４の接続孔の製造工程図によ
って説明する。図では、一例として、ＭＯＳトランジス
タを覆う層間絶縁膜に設けた接続孔の製造方法を示す。
なお、図４では、前記図２で説明した構成部品と同様の
ものには同一符号を付す。

【００５７】この第２実施例は、上記図２の（３）で説
明した工程のみの変更である。その他の工程は上記第１
実施例と同様である。

【００５８】まず上記図２の（１），（２）によって説
明した第１実施例の工程を行う。

【００５９】その後、図４の（１）に示すように、例え
ばＣＶＤ法によって、半導体基板１１上に酸化シリコン
膜からなる層間絶縁膜５１（第１実施形態の第２絶縁膜
１７に相当）を、例えば６００ｎｍの厚さに成膜した。
上記成膜条件は、第１実施例で説明したのと同様であ
る。次いでリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、
現像、ベーキング等の処理）によって、上記層間絶縁膜
５１上に、レジスト膜からなるエッチングマスク５２を
形成した。

【００６０】その後、一酸化炭素（ＣＯ）を添加した高
次フッ素化合物ガス系を用いた２段階のエッチングによ
って接続孔５３，５４を形成した。すなわち、図４の
（２）に示すように、第１のエッチングでは、層間絶縁
膜５１が薄い法に形成する接続孔５３の例えば８０％〜
９０％程度の深さに、接続孔５３，５４を形成した。

【００６１】第１のエッチング条件は、一例として、エッチングガス：オクタフルオロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ
₈）；２０ｓｃｃｍと一酸化炭素（ＣＯ）；８０ｓｃｃ
ｍとアルゴン（Ａｒ）；１００ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：１．２０ｋＷ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００６２】そして図４の（３）に示すように、第２の
エッチングでは、チタンシリサイド層４２，４４に達す
る状態に接続孔５３，５４を完全に開口した。

【００６３】第２のエッチング条件は、一例として、エッチングガス：オクタフルオロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ
₈）；２０ｓｃｃｍと一酸化炭素（ＣＯ）；８０ｓｃｃ
ｍ、ＲＦパワー：６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００６４】上記第１のエッチングでは、アルゴン（Ａ
ｒ）によって異方性が強められ、またアルゴン（Ａｒ）
による逆スパッタによってフッ化チタン（ＴｉＦx ）は
形成されない。このようなエッチングによって、層間絶
縁膜１７の８０％〜９０％をエッチングする。

【００６５】上記第２エッチングでも、上記第１実施例
と同様に、エッチングガス（オクタフルオロシクロブタ
ン）にフッ素が含まれているので、そのフッ素と下地の
チタンシリサイド層４２，４３のチタンとが反応してフ
ッ化チタン（ＴｉＦx ）膜５５，５６が形成される。

【００６６】その後、前記第１実施例の図２の（４）で
説明したのと同様の工程を行えばよい。

【００６７】次に、本発明に係わる第３の実施形態を図
５によって説明する。なお、図５では、前記図１，図３
で説明した構成部品と同様のものには同一符号を付す。

【００６８】図５の（１）に示すように、半導体基板１
１上に形成された第２絶縁膜１７には接続孔１９，２０
が形成されている。各接続孔１９，２０の底部にはエッ
チング時に発生した反応生成物２１，２２が形成されて
いる。

【００６９】そこで図５の（２）に示すように、上記接
続孔１９，２０を開口した後、エッチングによって、２
点鎖線で示す上記反応生成物２１，２２を除去する。

【００７０】上記エッチングの一例としては、例えば、
エッチングガスに流量が１００ｓｃｃｍの塩素（Ｃ
ｌ₂）と流量が２０ｓｃｃｍの酸素（Ｏ₂）とを用い、
ＲＦパワーを６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力を２０
Ｐａに設定して、エッチングを行う。

【００７１】上記エッチングを行うことにより、接続層
１９，２０の各底部には、金属反応膜１５，１６が露出
する状態になりので、コンタクト抵抗が低減される。

【００７２】次に第３実施形態に係わる実施例（以降、
第３実施例という）を、図６の接続孔の製造工程図によ
って説明する。図では、一例として、ＭＯＳトランジス
タを覆う層間絶縁膜に設けた接続孔の製造方法を示す。
なお、図６では、前記図２，図４で説明した構成部品と
同様のものには同一符号を付す。

【００７３】この第３実施例は、接続孔５３，５４を形
成した後、フッ化チタン膜５５，５６を除去する工程を
付加した方法であって、他の工程は、上記第１，第２実
施例で説明したのとほぼ同様である。したがって、ここ
では層間絶縁膜１７を成膜する工程から配線層を形成す
る前までの工程を説明する。

【００７４】まず、図２の（１）および図２の（２）で
説明した第１実施例の工程を半導体基板（１１）に行っ
てＭＯＳトランジスタ１を形成した。その後図６の
（１）に示すように、例えばＣＶＤ法によって、上記Ｍ
ＯＳトランジスタ１を形成した半導体基板１１上に酸化
シリコン膜からなる層間絶縁膜５１を、例えば６００ｎ
ｍの厚さに成膜した。上記成膜条件は、第１実施例で説
明したのと同様である。

【００７５】次いでリソグラフィー技術によってレジス
ト膜からなるエッチングマスク５２を形成した。その
後、一酸化炭素（ＣＯ）を添加した高次フッ素化合物ガ
ス系を用いたエッチングによって接続孔５３，５４を形
成した。このときのエッチング条件は、一例として、エッチングガス：パーフルオロプロパン（Ｃ₃Ｆ₈）；
２０ｓｃｃｍと一酸化炭素（ＣＯ）；８０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００７６】上記エッチングでは、エッチングガスにフ
ッ化チタン等の反応生成物を形成し易いパーフルオロプ
ロパンが含まれているので、そのフッ素と下地のチタン
シリサイド層４２，４４のチタン（Ｔｉ）とが反応して
フッ化チタン膜５５，５６が形成され易くなった。

【００７７】なお、上記接続孔５３，５４の形成方法
は、上記エッチング方法に限定されることはなく、前記
第１，第２実施例で説明した方法によって形成してもよ
い。

【００７８】そして接続孔５３，５４を開口した後、図
６の（２）に示すように、塩素（Ｃｌ₂）ガスによるエ
ッチングによって、フッ化チタン膜５５，５６（２点鎖
線で示す部分）を除去した。その時のエッチング条件
は、一例として、エッチングガス：塩素（Ｃｌ₂）；１００ｓｃｃｍと酸
素（Ｏ₂）；２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００７９】その後、エッチングマスク５２を除去した
後、配線層を形成する工程として、前記図２の（４）ま
たは前記図４の（４）で説明した工程を行えばよい。

【００８０】上記第３実施例では、塩素（Ｃｌ₂）によ
るエッチングによって、接続層１９，２０の各底部に形
成されているフッ化チタン膜５５，５６が除去された。
そのため、チタンシリサイド層４２，４４が露出する状
態になるので、コンタクト抵抗が低減された。

【００８１】次に第３実施形態の別の実施例（以降、第
４実施例という）を、図７の製造工程図によって説明す
る。この第４実施例は、上記図４の（３）で説明した第
２実施例の工程において、エッチング条件を変更し、塩
素（Ｃｌ₂）によるフッ化チタン膜の除去を行ったもの
である。したがって、上記第１実施例で説明したのと同
様に、（１），（２）で説明した工程と同様の工程を行
う。

【００８２】図２の（１）および図２の（２）で説明し
た第１実施例の工程を半導体基板（１１）に行った後、
図７の（１）に示すように、例えばＣＶＤ法によって、
上記半導体基板１１上に、酸化シリコン膜からなる層間
絶縁膜５１を、例えば６００ｎｍの厚さに成膜した。上
記成膜条件は、第１実施例で説明したのと同様である。

【００８３】次いでリソグラフィー技術（例えば、レジ
スト塗布、露光、現像、ベーキング等の処理）によって
レジスト膜からなるエッチングマスク５２を形成した。

【００８４】その後、一酸化炭素（ＣＯ）を添加した高
次フッ素化合物ガス系を用いた２段階のエッチングによ
って接続孔５３，５４を形成した。すなわち、図７の
（２）に示すように、第１のエッチングでは、層間絶縁
膜５１の厚さが薄い部分に形成する接続孔５３の深さの
例えば８０％〜９０％の深さに、チタンシリサイド層４
２，４４上の層間絶縁膜５１に接続孔５３，５４を形成
した。

【００８５】第１のエッチング条件は、一例として、エッチングガス：オクタフルオロシクロブタン（Ｃ₄Ｆ
₈）；２０ｓｃｃｍと一酸化炭素（ＣＯ）；８０ｓｃｃ
ｍとアルゴン（Ａｒ）；１００ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：１．２０ｋＷ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００８６】そして図７の（３）に示すように、第２の
エッチングでは、層間絶縁膜５１に接続孔５３，５４を
完全に開口した。この第２のエッチングによって、接続
孔５３，５４の各底部には反応生成物のフッ化チタン膜
５５，５６が形成された。

【００８７】第２のエッチング条件は、一例として、エッチングガス：パーフルオロプロパン（Ｃ₃Ｆ₈）；
２０ｓｃｃｍと一酸化炭素（ＣＯ）；８０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００８８】なお、接続孔５３，５４の製造方法は、上
記方法に限定されることはなく、上記第１〜第３実施例
で説明した方法によって形成してもよい。

【００８９】そして第３のエッチングとして、図７の
（４）に示すように、エッチングによって、フッ化チタ
ン膜５５，５６の除去を行った。

【００９０】第３のエッチング条件は、一例として、エッチングガス：塩素（Ｃｌ₂）；１００ｓｃｃｍと酸
素（Ｏ₂）；２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：６００Ｗ、エッチング雰囲気の圧力：２０Ｐａ、に設定した。

【００９１】上記第１のエッチングでは、アルゴン（Ａ
ｒ）によって異方性エッチングの成分が強められた。ま
たアルゴン（Ａｒ）による逆スパッタ作用によってフッ
化チタン膜は形成されなかった。このようなエッチング
によって、層間絶縁膜５１に接続孔５３，５４が途中ま
で形成された。

【００９２】上記第２エッチングでは、フッ素を含むエ
ッチングガス（オクタフルオロシクロブタン）を用いた
ことから、そのフッ素と下地のチタンシリサイド層４
２，４４のチタン（Ｔｉ）とが反応してフッ化チタン膜
５５，５６が形成された。そして、フッ素原子の含有量
が相対的に多いガス系でエッチングを施したことから、
フッ化チタン膜は形成され易くなった。ここでは、炭素
（Ｃ）原子の含有量を調整することでフッ素原子の含有
量を相対的に多くした。すなわち、オクタフルオロシク
ロブタン（Ｃ₄Ｆ₈）からパーフルオロプロパン（Ｃ₃
Ｆ₈）にした。そして接続孔５３，５４をエッチングし
ている間にフッ化チタン膜５５，５６が除去されないよ
うにするため、パワーを低減（１．２０ｋｅＶから６０
０ｅＶに低減）してイオンエッチングの成分を弱めた。

【００９３】そして上記第３のエッチングでは、塩素
（Ｃｌ₂）によってフッ化チタン膜５５，５６が除去さ
れた。そのため、チタンシリサイド層４２，４４が露出
する状態になるので、コンタクト抵抗が低減された。

【００９４】その後、エッチングマスク５２を除去し
て、前記第１実施例の図２の（４）で説明したのと同様
の工程を行えばよい。

【００９５】次に第３実施形態の別の実施例（以降、第
５実施例という）を、図８の製造工程図によって説明す
る。図では、上記図２，図４で説明したのと同様の構成
部品には同一符号を付す。

【００９６】この第５実施例は、上記図２の（３）で説
明した第１実施例の工程において、接続孔５３，５４を
形成するエッチングを行った後、不活性ガスを用いたイ
オンエッチングによってフッ化チタン膜の除去を行った
ものである。

【００９７】図８の（１）に示すように、まず、前記図
２の（１）および図２の（２）で説明した第１実施例の
工程を半導体基板１１に行った。その後前記図２の
（３）で説明したのと同様にして、上記半導体基板１１
上に、酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜５１を、例え
ば６００ｎｍの厚さに成膜した。次いで、層間絶縁膜５
１上にエッチングマスク５２を形成した。その後、一酸
化炭素（ＣＯ）を添加した高次フッ素化合物ガス系を用
いたエッチングによって接続孔５３，５４を形成した。
このときのエッチング条件は、第１実施例と同様であ
る。

【００９８】上記エッチングでは、エッチングガス（オ
クタフルオロシクロブタン）にフッ素が含まれているの
で、そのフッ素と下地のチタンシリサイド層４２，４４
のチタンとが反応してできる反応生成物であるフッ化チ
タン膜５５，５６が形成される。

【００９９】なお、接続孔５３，５４の製造方法は、上
記方法に限定されることはなく、上記第２〜第４実施例
で説明した方法によって形成してもよい。

【０１００】そして図８の（２）に示すように、接続孔
５３，５４を開口した後、不活性ガスによるイオンエッ
チングによって、フッ化チタン膜５５，５６（２点鎖線
で示す部分）の除去を行った。その時のエッチング条件
は、一例として、エッチングガス：アルゴン（Ａｒ）；１０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：１．００ｋＷ、エッチング雰囲気の圧力：２Ｐａ、に設定した。

【０１０１】その後、配線層を形成する工程として、前
記図２の（４）または前記図４の（４）で説明した工程
を行えばよい。

【０１０２】上記第５実施例では、不活性ガスをエッチ
ング種に用いたイオンエッチングを行うことから、不活
性ガスのスパッタリング作用によって反応生成物である
フッ化チタン膜５５，５６は除去される。そのため、チ
タンシリサイド層４２，４３，４４が露出する状態にな
るので、コンタクト抵抗が低減される。

【０１０３】なお、上記第５実施例によって説明したの
と同様に、前記実施例４においても、塩素（Ｃｌ₂）を
用いたエッチングの代わりに、上記不活性ガスを用いた
イオンエッチングによって、フッ化チタン膜５５，５６
を除去することも可能である。また、上記不活性ガスに
は、アルゴン（Ａｒ）の他に、例えばヘリウム（Ｈ
ｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）およびキセ
ノン（Ｘｅ）のうちのいずれかを用いることが可能であ
る。

【０１０４】また、上記金属反応膜は、チタンシリサイ
ドの他に、例えば、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ハフ
ニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐ
ｔ）、金（Ａｕ）、および銅（Ｃｕ）のうちのいずれか
を用いることが可能である。

【０１０５】したがって、上記反応生成物は、上記コバ
ルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍ
ｏ）、タングステン（Ｗ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジル
コニウム（Ｚｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）または銅
（Ｃｕ）のシリサイドの場合には、それぞれのシリサイ
ドの金属のフッ化物になる。

【０１０６】上記層間絶縁膜５１は、酸化シリコンに限
定されることはなく、例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯ
Ｎ）または窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）であってもよ
い。

【０１０７】上記各実施例の説明では、チタンシリサイ
ド層４２，４４上の層間絶縁膜５１に接続孔５３，５４
を形成した状態を説明したが、当然のことながら、チタ
ンシリサイド層４３上の層間絶縁膜５１に接続孔を形成
した場合も同様の効果が得られる。

【０１０８】上記説明したように、本発明は上記実施例
に限定されることはなく、上記方法を実現できるもので
あれば、どのような方法であってもよい。上記エッチン
グ方法で用いることができるはエッチング装置は、例え
ば、平行平板型のダイオードエッチング装置およびマグ
ネトロンエッチング装置の他に、例えば、ＥＣＲ（Elec
tron Cycrotron Resonance）エッチング装置、ＩＣＰ
（Induction Coupled Plasma）エッチング装置およびヘ
リコン波エッチング装置等の高密度プラズマの発生源を
有するエッチング装置を用いることも可能である。

【０１０９】また、プロセス例として、ＭＯＳデバイス
への適用例を説明したが、他のデバイス、例えばバイポ
ーラトランジスタ、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device ）
等にも適用することが可能である。さらに、上記説明で
は、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ₂）層を例に挙げた
が、例えば、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐ
ｔ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）等の
いわゆる高融点金属シリサイドを有する電子装置にも、
上記説明と同様にして適用できる。

【０１１０】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
金属反応膜上の絶縁膜に接続孔を形成する際のエッチン
グのイオンエネルギーは、絶縁膜の構成原子の電子同士
の結合を切るエネルギー以上、金属反応膜をエッチング
しないエネルギー以下に設定されるので、金属反応膜を
エッチングすることなく絶縁膜をエッチングして接続孔
を形成することができる。よって、接続孔内に形成した
配線のコンタクト抵抗の低減が図れる。

【０１１１】また、絶縁膜の構成原子の電子同士の結合
を切るエネルギー以上、金属反応膜をエッチングしない
エネルギー以下のイオンエネルギーによるエッチングを
行う前に、絶縁膜が異方性エッチングされるエネルギー
でエッチングを行う方法によれば、接続孔は金属反応膜
の近傍まで異方性エッチングにより形成することができ
る。よって、微細な径の接続孔を形成できる。

【０１１２】また、接続孔を形成する際に、反応生成物
を金属反応膜上に形成する方法によれば、反応生成物に
よって金属反応膜を保護することができる。そして接続
孔を開口した後、エッチングによって反応生成物を除去
するので、接続孔内に金属反応膜を表出することがで
き、接続孔内に形成した配線のコンタクト抵抗を低減す
ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる第１の実施形態の説明図であ
る。

【図２】第１実施例の接続孔の製造工程図である。

【図３】本発明に係わる第２の実施形態の説明図であ
る。

【図４】第２実施例の接続孔の製造工程図である。

【図５】本発明に係わる第３の実施形態の説明図であ
る。

【図６】第３実施例の接続孔の製造工程図である。

【図７】第４実施例の接続孔の製造工程図である。

【図８】第５実施例の接続孔の製造工程図である。

【図９】従来のＭＯＳＬＳＩプロセス例を示す製造工程
図である。

【図１０】課題の説明図である。

【符号の説明】

１１半導体基板１５，１６金属反応膜１７第２絶縁膜１９，２０接続孔２１，２２反応生成物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の半導体領域と金属とを反応させて
形成した金属反応膜を覆う状態に、該基板上に絶縁膜を
堆積した後、該金属反応膜上の該絶縁膜に接続孔を形成
する接続孔の製造方法において、前記接続孔を形成するエッチングは、前記絶縁膜の構成
原子の電子同士の結合を切るイオンエネルギー以上、金
属反応膜をエッチングしないイオンエネルギー以下のイ
オンエネルギーを有するエッチングにより行うことを特
徴とする接続孔の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の接続孔の製造方法におい
て、前記絶縁膜の構成原子の電子同士の結合を切るエネルギ
ー以上、金属反応膜をエッチングしないエネルギー以下
に設定したエッチングを行う前に、エッチングのイオンエネルギーを前記絶縁膜を異方性エ
ッチングするエネルギーに設定したエッチングを行うこ
とを特徴とする接続孔の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の接続孔の製造方法におい
て、前記エッチング中に、前記絶縁膜がエッチングされて金
属反応膜が部分的に表出した時点で、エッチングガスと
金属反応膜との反応生成物を金属反応膜上に形成するこ
とを特徴とする接続孔の製造方法。
【請求項４】請求項２記載の接続孔の製造方法におい
て、前記エッチング中に、前記絶縁膜がエッチングされて金
属反応膜が部分的に表出した時点で、エッチングガスと
金属反応膜との反応生成物を金属反応膜上に形成するこ
とを特徴とする接続孔の製造方法。
【請求項５】請求項３記載の接続孔の製造方法におい
て、前記接続孔を開口した後、エッチングによって前記反応
生成物を除去することを特徴とする接続孔の製造方法。
【請求項６】請求項４記載の接続孔の製造方法におい
て、前記接続孔を開口した後、エッチングによって前記反応
生成物を除去することを特徴とする接続孔の製造方法。
【請求項７】請求項５記載の接続孔の製造方法におい
て、前記反応生成物の除去は、不活性ガスをエッチング種に
用いたイオンエッチングで行うことを特徴とする接続孔
の製造方法。
【請求項８】請求項６記載の接続孔の製造方法におい
て、前記反応生成物の除去は、不活性ガスをエッチング種に
用いたイオンエッチングで行うことを特徴とする接続孔
の製造方法。