JPH0997447A

JPH0997447A - 光ピックアップ及び相変化型光ディスク用の光ピックアップ

Info

Publication number: JPH0997447A
Application number: JP7253158A
Authority: JP
Inventors: Haruji Manabe; 晴二真鍋; Tatsuya Hiwatari; 竜也樋渡; Kazuyuki Nakajima; 一幸中島
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 1997-04-08
Anticipated expiration: 2015-09-29
Also published as: JP3520621B2

Abstract

(57)【要約】【目的】接合材の厚さを最適範囲にあるように制御す
ることにより、光ピックアップの組立工程での作業性を
良好にし、信頼性を非常に高める光ピックアップ及び相
変化型光ピックアップ用の光ピックアップを提供するこ
とを目的としている。【構成】部材同士を接合材にて接合する光ピックアッ
プであって、その接合材の硬化後の厚さ（ｔ）を１≦ｔ
≦３００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦３０（μｍ）、
更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とするという構成を
有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光素子、光ディスク等
への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ及び相変
化型光ディスク用の光ピックアップに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ光を利用して情報の記録や
再生を行う光ディスク装置の小型化が望まれており、光
学部品点数の削減等により光ピックアップの小型化及び
軽量化の試みが行われている。光ピックアップの小型・
軽量化は、装置全体の小型化だけでなく、アクセス時間
の短縮などの性能向上に有利となる。近年、光ピックア
ップの小型・軽量化の手段としてホログラム光ピックア
ップの利用が挙げられており、一部実用化に供してい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ピックアップにおいては、その組立の際に用いる接合
材について厳密な規定をしていなかったので、接合材の
硬化後の厚さが薄すぎてリンギングを起こしてしまい、
各部材の位置合わせが困難であると言った問題点や、逆
に接合材の厚さが厚すぎて接合部分の接合強度が不足し
てしない、各部材間の接合部分が解離してしまうといっ
た問題点を有していた。

【０００４】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、接合材の厚さを最適範囲にあるように制御すること
により、光ピックアップの組立工程での作業性を良好に
し、かつ、光ピックアップの信頼性を非常に高める光ピ
ックアップ及び相変化型光ディスク用の光ピックアップ
を提供することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、部材同士を接合材にて接合する光ピックアップであ
って、その接合材の硬化後の厚さ（ｔ）を１≦ｔ≦３０
０（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦３０（μｍ）、更に好
ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とするという構成を有して
いる。

【０００６】

【作用】この構成により、各部材間のリンギングの発生
を抑制することができると共に接合強度を十分に確保す
ることができる。

【０００７】

【実施例】以下本発明の第一実施例における光ピックア
ップのパッケージングについて図を参照しながら説明す
る。

【０００８】図１及び図２はともに本発明の第一実施例
における光ピックアップのパッケージングの構成を示す
断面図である。

【０００９】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１０】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導等を考慮すると、サブマウント２の上面に予めＡｕ
−Ｓｎなどの半田をメッキしておき、高温で半田付けす
る方法やＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等
の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着する方法を
用いることが好ましい。また光源１とサブマウント２は
略水平に取り付けなければ光学系の収差や結合効率の低
下等の原因になる。従って接合の際には光源１はサブマ
ウント２に所定の位置に所定の高さで略水平にマウント
されることが好ましい。さらにサブマウント２の上面に
は光源１の下面と電気的に接触するように電極面２ａが
設けられている。この電極面２ａは光源１の電源供給用
のもので、電極面２ａを構成する金属膜としては導電性
や耐食性を考慮してＡｕの薄膜を用いることが好まし
い。更にサブマウント２は、光源１で発生する熱や光源
１との取付等の問題から、熱伝導性が高く、かつ、線膨
張係数が光源１のそれ（約６．５×１０^-6／℃）に近い
材質が好ましい。具体的には線膨張係数が３〜１０×１
０^-6／℃で、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上である物
質、例えばＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ／Ｗ，Ｃ
ｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特に高出力のレーザを用いる場合
で熱伝導率を非常に大きくしなければならないときには
ダイアモンド等を用いることが好ましい。光源１とサブ
マウント２の線膨張係数が同じか近い数値となるように
した場合、光源１とサブマウント２の間の歪みの発生を
抑制することができるので、光源１とサブマウント２と
の取付部分が外れたり、光源１にクラックが入る等の不
都合を防止することができる。しかしながら本範囲を外
れた場合には、光源１とサブマウント２の間に大きな歪
みが生じてしまい、光源１とサブマウント２との取付部
分が外れたり、光源１にクラック等を生じる可能性が高
くなる。またサブマウント２の熱伝導率をできるだけ大
きく取ることにより、光源１で発生する熱を効率よく外
部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導率が本限
定以下の場合には、光源１で発生した熱が外部に逃げ難
くなるため、光源１の温度が上昇し、光源１の出力が低
下したり、光源１の寿命が短くなったり、最悪の場合に
は光源１が破壊されてしまう等の不都合が発生しやすく
なる。本実施例では比較的安価で、これらの２つの特性
のどちらにも非常に優れたＡｌＮを用いた。更にサブマ
ウント２の上面には光源１との接合性を良くするため
に、サブマウント２から光源１に向かってＴｉ，Ｐｔ，
Ａｕの順に薄膜を形成することが好ましい。

【００１１】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導等を考
慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同様
に、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の箔
（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着することが好ま
しい。

【００１２】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板４には
調整用の孔４ａが設けてある。ブロック３は予めロウ付
け，半田箔等により放熱板４の上面に固定されている。
放熱板４の材質としては、熱伝導性が高いＣｕ，Ａｌ，
Ｆｅ等が考えられる。

【００１３】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００１４】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００１５】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００１６】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源から
射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所定
の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材５は
その側面でブロック３の突起部３ａの端面部３ｂに接合
されている。ここで用いられる接合材としては、所定の
波長の光を照射することにより硬化する光硬化型の接着
剤を用いることが好ましい。それらの中でも特に発光が
容易な赤外線領域、紫外線領域、可視光領域の光を用い
ることが特に好ましい。このような接合材を用いること
により良好な作業性を簡単に得ることができ、更に接合
時間の短縮も、照射する光の量及びエネルギーを最適に
なるように制御することにより、簡単に可能となる。な
お吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。この場合に
も良好な作業性を簡単に得ることができる。

【００１７】また接合部分の接合強度はその接触面積に
比例し、接合層の厚さに反比例するので、その接触面積
をできるだけ広くすることもしくは接合材の層の厚さを
できるだけ薄くすることにより、接合強度を増大させる
ことができるので、結果的に光ピックアップの信頼性を
向上させることができ、好ましい。しかしながら接合材
の層の厚さをあまりにも薄くしすぎるとブロック３と光
ガイド部材５の間にリンギングが発生してしまい、両者
を接合する際の位置合わせを行うことが非常に困難とな
る。従って接合材の層の厚さにはある程度厚さを持たせ
る必要がある。

【００１８】また逆に接合材の層の厚さをあまり厚くし
すぎるとブロック３と光ガイド部材５の間の接合強度が
低下し、最悪の場合には光ガイド部材５がブロック３か
ら解離してしまう可能性がある。そこで本実施例では接
合面積（Ｓ）がＳ≧１ｍｍ²のときの接合材の層の硬化
後の厚さ（ｔ₁）を１≦ｔ₁≦１００（μｍ）とすること
が好ましい。このような範囲にあるように接合材の厚さ
を制御することにより、リンギングの発生を抑制するこ
とができると共にブロック３と光ガイド部材５との間の
接合強度を十分に確保することができるので、光ピック
アップの組立工程での作業性を良好にすることができ、
かつ、光ピックアップの信頼性を非常に高めることがで
きる。

【００１９】特に接合層の硬化後の厚さ（ｔ₁）が１≦
ｔ₁≦１００（μｍ）の範囲であっても、ブロック３と
光ガイド部材５との間の接合強度を要求される場合（例
えば当該光ピックアップが車載用もしくは携帯用に供さ
れる場合など）には、接合材の硬化後の厚さ（ｔ₂）
は、１≦ｔ₂≦１０（μｍ）とすることが好ましい。こ
のような範囲にあるように接合材の厚さを制御すること
により、リンギングの発生を抑制しつつブロック３と光
ガイド部材５との間の接合強度をさらに大きくすること
ができるので、多少の振動が加わっても両者の接合部分
が解離することがない信頼性の非常に高い光ピックアッ
プとすることができる。

【００２０】更に接合層の硬化後の厚さ（ｔ₂）が１≦
ｔ₂≦１０（μｍ）の範囲であっても、光ガイド部材５
とブロック３の位置合わせ（即ち光ガイド部材５と光源
１との間の位置合わせ）に非常に高い精度を要求され、
かつ、強固な接合強度を要求される場合には、接合材の
硬化後の厚さ（ｔ₃）は、３≦ｔ₃≦７（μｍ）とするこ
とが好ましい。

【００２１】接合材の硬化後の厚さ（ｔ₃）がｔ₃＜３
（μｍ）の場合にはリンギングの発生を完全に抑制する
ことができないので、非常に高い精度での位置の微調整
が困難になり、歩留まりの低下につながる。またｔ₃＞
７である場合には、接合材の硬化後に比較的大きな温度
変化があると比較的簡単に硬化した接合層の体積が増大
若しくは減少してしまうので、即ち接合層の膨張若しく
は収縮により接合層の厚みも変化するので、せっかく高
い精度で位置合わせをしてもその後に両者の位置関係に
狂いを生じる可能性があるからである。

【００２２】このようにｔ₃が３≦ｔ₃≦７（μｍ）の範
囲にあるように接合材の厚さを制御することにより、リ
ンギングの発生をほとんどなくすことができると共にブ
ロック３と光ガイド部材５との間の接合層の温度変化に
よる膨張によって発生すると思われる位置ずれの量を最
小限に抑えることができるので、光ピックアップの組立
工程での作業性を最良のものにすることができ、かつ、
光ピックアップの信頼性を非常に高めることができる。

【００２３】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板４に設けられた孔４ａを用いて
位置の調整を行う。受光素子１３と光ガイド部材５との
取り付けについては、大きな接着強度，任意の瞬間に固
定できる作業性，硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは所
定の波長の光を照射することにより硬化する光硬化型の
接着剤を用いることが好ましい。それらの中でも特に発
光が容易な赤外線領域、紫外線領域、可視光領域の光を
用いることが特に好ましい。このような接合材を用いる
ことにより良好な作業性を簡単に得ることができ、更に
接合時間の短縮も、照射する光の量及びエネルギーを最
適になるように制御することにより、簡単に可能とな
る。なお他の接合材として吸湿硬化型の瞬間接着剤を用
いても良い。この場合にも良好な作業性を簡単に得るこ
とができる。

【００２４】また接合部分の接合強度はその接触面積に
比例し、接合層の厚さに反比例するので、その接触面積
をできるだけ広くすること若しくは接合材の層の厚さを
できるだけ薄くすることにより、接合強度を増大させ、
結果的に光ピックアップの信頼性を向上させることがで
きるので、好ましい。しかしながらあまりにも薄くしす
ぎると光ガイド部材５と受光素子１３の間にリンギング
が発生してしまい、両者を接合する際の位置合わせを行
うことが非常に困難となる。従って接合材の層の厚さに
はある程度厚さを持たせる必要がある。また逆に接合材
の層の厚さがあまり厚すぎると光ガイド部材５と受光素
子１３との間の接合強度が低下するが、これについては
前述のブロック３と光ガイド部材５との間の場合と異な
り、接合するものが非常に軽量である受光素子１３なの
で、接合材の層の厚さ及び接合面の面積についてはそれ
ほど厳密に規定しなくとも必要な接合強度を得ることが
できる。そこで本実施例では接合面積（Ｓ）がＳ≧１ｍ
ｍ²のときの接合材の層の硬化後の厚さ（ｔ₁）を１≦ｔ
₁≦３００（μｍ）とすることが好ましい。このような
範囲にあるように接合材の厚さを制御することにより、
リンギングの発生を抑制することができると共に受光素
子１３と光ガイド部材５との間の接合強度を十分に確保
することができるので、光ピックアップの組立工程での
作業性を良好にすることができ、かつ、光ピックアップ
の信頼性を非常に高めることができる。

【００２５】特に接合層の硬化後の厚さ（ｔ₁）が１≦
ｔ₁≦３００（μｍ）の範囲であっても、ブロック３と
光ガイド部材５との間の接合強度を要求される場合（例
えば当該光ピックアップが車載用もしくは携帯用に供さ
れる場合など）には、接合材の硬化後の厚さ（ｔ₂）
は、１≦ｔ₂≦３０（μｍ）とすることが好ましい。こ
のような範囲にあるように接合材の厚さを制御すること
により、リンギングの発生を抑制しつつ受光素子１３と
光ガイド部材５との間の接合強度をさらに大きくするこ
とができるので、多少の振動が加わっても両者の接合部
分が解離することがない信頼性の非常に高い光ピックア
ップとすることができる。

【００２６】更に接合材の硬化後の厚さ（ｔ₂）が１≦
ｔ₂≦３０（μｍ）の範囲にあっても、光ガイド部材５
と受光素子１３の位置合わせに非常に高い精度を要求さ
れ、かつ、強固な接合強度を要求される場合には、接合
材の硬化後の厚さ（ｔ₃）は、３≦ｔ₃≦７（μｍ）とす
ることが好ましい。

【００２７】接合材の硬化後の厚さ（ｔ₃）がｔ₃＜３
（μｍ）の場合にはリンギングの発生を完全に抑制する
ことができないので、非常に高い精度での位置の微調整
が困難になり、歩留まりの低下につながる。またｔ₃＞
７である場合には、接合材の硬化後に比較的大きな温度
変化があると比較的簡単に硬化した接合層の体積が増大
若しくは減少してしまうので、即ち接合層の膨張若しく
は収縮により接合層の厚みも変化するので、せっかく高
い精度で位置合わせをしてもその後に両者の位置関係に
狂いを生じる可能性があるからである。

【００２８】このようにｔ３が３≦ｔ３≦７の範囲にあ
るように接合材の厚さを制御することにより、リンギン
グの発生をほとんどなくすことができると共に受光素子
１３と光ガイド部材５との間の接合層の温度変化による
膨張によって発生すると思われる位置ずれの量を最小限
に抑えることができるので、光ピックアップの組立工程
での作業性を最良のものにすることができ、かつ、光ピ
ックアップの信頼性を非常に高めることができる。

【００２９】なお光ガイド部材５とブロック３との接合
及び光ガイド部材５と受光素子１３との間の接合に際
し、そのどちらにも接合材として光硬化型の接着剤を用
いる場合には、光ガイド部材５とブロック３との接合に
用いる光硬化型の接着剤を硬化させるのに必要な光の波
長を光ガイド部材５と受光素子１３との間の接合に用い
る光硬化型の接着剤を硬化させるのに必要な光の波長と
比べてより長くすることが好ましい。このようにする
と、予めどちらの接合部位にも接合材を塗布した状態
で、照射する光の波長を変えることによりそれぞれの接
合部位の接合を行うことが可能となる。従って従来のよ
うに一箇所の接合が終了する度に次の箇所へ接合材を塗
布する必要がなく、製造工程の削減及び製造時間の短縮
につながるので、非常に好ましい構成となる。

【００３０】更に受光素子１３は光源１から出射され、
光ガイド部材５や記録媒体等で反射されて戻ってきた光
信号を受光する受光部を複数有している。この受光部で
検知された光信号は、その光量に応じて電気信号に変換
される。この電気信号は変換当初は電流値の大きさであ
る。しかしながらこの電流は非常に微弱であり、かつノ
イズを拾いやすいというデメリットがある。このためこ
こでは受光素子１３として、電流値を相関する電圧値に
変換して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが形成されて
いるものを用いることが好ましい。ただし光の入射周波
数に対して出力電圧の応答が良好であることが要求され
る。更に受光素子１３の表面には受光した情報を信号と
して取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成された複数の電
極１３ａが設けてある。

【００３１】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３から
の電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設けられ
た段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂ
と受光素子１３の表面に設けられている複数の電極１３
ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源１の電源供
給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
をワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウント２
の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた段差
１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂとを同
じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ１４の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆｅ等
の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡｕメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と放熱
板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い吸水
性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。

【００３２】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリブチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００３３】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，コバールガラス等のガ
ラス位置決め用円板部４ｃを用いることがことが好まし
い。更にカバー部材１６の上下両面には反射防止のため
に反射防止膜１６ａを形成することが好ましい。この反
射防止膜１６ａはＭｇＦ₂等の材質で形成することが好
ましい。

【００３４】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるを得なくなってしまい、ピ
ックアップユニットの小型化に不利になるからである。
この様な構成を用いることにより光ピックアップの高さ
をより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピック
アップユニットを小型化することができる。

【００３５】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００３６】なお光ピックアップの内部は光源１及び受
光素子１３の酸化防止や光ガイド部材５，カバー部材１
６での結露防止等の観点から、Ｎ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。

【００３７】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００３８】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は３５℃／Ｗ以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。

【００３９】次に本発明の第一実施例における光ピック
アップの動作について、図面を参照しながら説明する。
図３は本発明の一実施例における光ピックアップの動作
の概念図、図４は本発明の第一実施例における光ガイド
部材の斜視図である。

【００４０】図３及び図４において放熱板４上にサブマ
ウント２及びブロック３を介して水平にマウントされた
光源１から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材
５に入射し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する（以下ＮＡを変換すると呼ぶ）機能を有する
反射型の拡散角変換ホログラム７に到達する。拡散角変
換ホログラム７によってＮＡを変換されかつ反射した光
は第一の斜面５ａに形成された反射型の回折格子６によ
って０次回折光（以下メインビームと呼ぶ）と±１次回
折光（以下サイドビームと呼ぶ）とに分けられる。回折
格子６によって発生するメインビーム及びサイドビーム
は第一の偏光選択性のあるビームスプリッター膜９（以
下単に第一のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射す
る。第一のビームスプリッター膜９は入射面に対して平
行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏光成分と呼ぶ）
に対してほぼ１００％の透過率を有し、垂直な振動成分
（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対しては一定の反射率
を有する。第一のビームスプリッター膜９に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜９を透過する光は光
源１からの射出光のモニター光として利用される。ま
た、第一のビームスプリッター膜９で反射されたＳ偏光
成分に直線偏光したメインビーム及びサイドビームは、
光ガイド部材５の面５ｅ及びカバー部材１６を透過、対
物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用によ
って記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像される。こ
の時、記録媒体面２７ａ上において２つのサイドビーム
のビームスポット２９ａ及び２９ｃはメインビームのビ
ームスポット２９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像
される。記録媒体面２７ａに対してメインビーム及びサ
イドビームのビームスポット２９ｂ及び２９ａ、２９ｃ
により情報の記録または再生信号及びトラッキング、フ
ォーカシングいわゆるサーボ信号の読みだしを行う。

【００４１】拡散角変換ホログラム７は、光源１からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム７
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム７によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム７
によって図３に示されるように光ガイド部材５射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波３０となる。したがって、対物レンズ２６への
入射光は理想球面波３０となり、対物レンズ２６による
記録媒体２７でのビームスポットはほぼ回折限界まで絞
り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再生
を容易に行うとができる。

【００４２】記録媒体２７の情報記録面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６、光ガイド部材５の面５ｅを再び通過し、
光ガイド部材の第二の斜面５ｂに形成された第一のビー
ムスプリッター膜９に入射する。

【００４３】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９から透過する光は光ガイド部材５
の第一の斜面５ａに平行な第三の斜面５ｃ上に形成され
た第二の偏光選択性のあるビームスプリッター膜１１
（以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射
する。第二のビームスプリッター膜１１は第一のビーム
スプリッター膜９と同様にＰ偏光成分に対してほぼ１０
０％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。

【００４４】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層された偏光面変換
基板３１に入射する。

【００４５】図５は本発明の一実施例における偏光面変
換基板の斜視図、図６は本発明の一実施例における光ピ
ックアップの受光部配置及び信号処理を示す図である。
偏光面変換基板３１は第１のその他の斜面３１ａ（以下
単に第１他斜面と呼ぶ）とその第１他斜面３１ａに略平
行な第２のその他の斜面３１ｂ（以下単に第２他斜面と
呼ぶ）を有し、第１他斜面３１ａには反射膜１２６が、
第２他斜面３１ｂには偏光分離膜１２が夫々形成されて
いる。透過光１１７は第２他斜面３１ｂ上に形成された
偏光分離膜１２に入射する。第２他斜面３１ｂは透過光
１１７の偏光面１１７ａと入射面１２８とのなす角が略
４５×（２ｎ＋１）゜：（ｎは整数）になるように形成
されている。その結果透過光１１７のＰ偏光成分１１７
ｐとＳ偏光成分１１７ｓは略１：１の強度比を有するよ
うになる。入射面１２８と平行な偏光成分を有するＰ偏
光成分１１７ｐは偏光分離膜１２によってほぼ１００％
透過し、一方、入射面１２８に垂直な偏光成分を有する
Ｓ偏光成分１１７ｓは第２他斜面３１ｂ上の偏光分離膜
１２によって略１００％反射し第１他斜面３１ａ面上に
入射し、反射膜１２６によって反射され受光素子１３へ
導かれる。受光素子１３に導かれたＰ偏光成分１１７ｐ
は受光部１７０へ、同じくＳ偏光成分１１７ｓは受光部
１７１へ到達してＲＦ信号を作成する。

【００４６】次に図３中に示す第２のビームスプリッタ
ー膜１１に入射した光束のうち反射光１２３に関して説
明する。反射光１２３は第二の斜面５ｂ上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入
射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反
射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子１３上の受光部１７２に、サイドビームの戻り光は
受光素子１３上の受光部１７６及び１７７に到達する。

【００４７】次に本発明の第一実施例において、特に相
変化型光ディスクに対応した光ピックアップの構成につ
いて図を参照しながら説明する。相変化型光ディスクは
光を照射することで記録媒体中の結晶構造を変化させて
情報を記録するもので、結晶構造を変化させるために従
来の光記録再生装置に比べてより多くの光量を必要とす
るので、より効率の良い光学系を必要とする。図２３は
本発明の一実施例における相変化型光ディスク用の光ピ
ックアップの構成図である。なお図１，図２及び図３に
示したものと番号が同一の部材については、その働き及
び構成が同様であるので説明を省略する。

【００４８】光源１から放出されたレーザ光は、平行な
複数の斜面を有する光ガイド部材４１の面４１ｆから光
ガイド部材４１に入射し、拡散角変換ホログラム７、回
折格子６及び偏光選択性のあるビームスプリッター膜３
５（以下ビームスプリッター膜と呼ぶ）を通って光ガイ
ド部材４１の面４１ｅから出射される。ここでビームス
プリッター膜３５は第一実施例の場合とは異なりＳ偏光
成分の反射率は９５％以上でＰ偏光成分の反射率はおよ
そ１％程度である。ビームスプリッター膜３５に入射す
る光のうちビームスプリッター膜３５を透過する光（Ｐ
偏光成分で全光量の数パーセント程度）は光源１からの
射出光のモニター光として利用される。光ガイド部材４
１の面４１ｅから出射された光はカバー部材１６に設け
られたλ／４板３３を透過する。図２４は本発明の一実
施例におけるλ／４板の概観図である。λ／４板３３は
光ガイド部材４１からの入射光偏光面に対して、その異
常光軸がπ／４・（２ｍ−１）；（ただしｍは自然数：
以下同じ）の方向に設置されており、入射光の異常光成
分と常光成分の位相差をπ／２・（２ｍ−１）だけ発生
させる機能を有している。λ／４板３３を構成する材料
としては一般に一軸性結晶材料を用いる。その中でも低
コストで、光透過性に優れた水晶を用いることが好まし
い。一軸性結晶では異常光軸６１６と常光軸６１７があ
り、それぞれの光軸に対して異常光屈折率ｎ_e及び常光
屈折率ｎ_oと呼ばれる異なる屈折率を有している。異常
光と常光では光学的距離が異なるので、λ／４板３３の
基板厚をＱＤ，入射光波長をλとして次の関係式で決ま
る位相差Δが発生する。λ／４板３３の厚さＱＤはこの
位相差Δがπ／２・（２ｍ−１）となるように決定され
ている。

【００４９】Δ＝２π・（ｎ_e−ｎ_o）・ＱＤ／λ 本実施例では、波長λ＝７９０ｎｍ、異常光屈折率ｎｅ
＝１．５４７７、常光屈折率ｎｏ＝１．５３８８（ただ
し屈折率は基板の切り出し角で異なる。ここでは異常光
軸及び常光軸の双方の軸を含む平面に平行に切り出し
た。）という条件に対してλ／４板３３の基板厚は２
１．９・（２ｍ−１）μｍとなる。この様な条件にする
ことにより、直線偏光で入射角０度で入射してきた光を
円偏光の光に変換することができる。即ち光源１から出
射されたＳ偏光成分のみを含む直線偏光を円偏光に変換
することができる。なおここではλ／４板３３としてカ
バー部材１６上に２１．９μｍの水晶を設けていたが、
光ガイド部材４１の面４１ｅや対物レンズ２６に設ける
こともある。

【００５０】λ／４板３３を透過して円偏光となった光
は対物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用
によって記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像され、
反射される。記録媒体面２７ａで反射された円偏光化し
た光はその回転方向が逆転するので、戻り光は対物レン
ズ２６を透過し、再びλ／４板３３を透過する際に、Ｐ
偏光成分のみを含む直線偏光に変換される。この様に変
換された戻り光は光ガイド部材４１の面４１ｅを再び通
過し、再び光ガイド部材４１の第二の斜面４１ｂに形成
されたビームスプリッター膜３５に入射する。前述のよ
うにビームスプリッター膜３５はＰ偏光成分に対してほ
ぼ１００％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対してはほぼ
１００％の反射率を有する。従ってＰ偏光成分しか有さ
ない戻り光はビームスプリター膜３５をほぼ透過する。

【００５１】そして戻り光は光ガイド部材４１の第一の
斜面４１ａに平行な第三の斜面４１ｃ上に形成されたハ
ーフミラー３４に入射する。ハーフミラー３４は入射し
た光のうち所定の量を反射して、残りを透過する働きを
有している。

【００５２】ここでハーフミラー３４に入射した光束の
内、透過光１１７は受光素子３６上に設けられている受
光部３７へ導かれる。

【００５３】次に図３中に示すハーフミラー３４に入射
した光束のうち反射光１２３に関して説明する。図２５
は本発明の一実施例における相変化型光ディスク用の光
ピックアップの受光素子に設けられた受光部の配置図で
ある。反射光１２３は第二の斜面４１ｂ上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入
射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反
射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子３６上の受光部３８に、サイドビームの戻り光は受
光素子３６上の受光部３９及び４０に到達する。

【００５４】以上のような構成を有する光ピックアップ
ではλ／４板３３をビームスプリッター膜３５と記録媒
体２７との間に設け、Ｓ偏光成分の直線偏光である出射
光を円偏光化した光に変換し、その後記録媒体２７で反
射され回転方向が逆転した円偏光化した光をＰ偏光成分
のみを有する直線偏光に変換してビームスプリッター膜
３５に入射させることにより記録媒体２７で反射された
光をほぼ１００％受光素子３６上に導くことができるの
で、ビームスプリッター膜３５のＳ偏光成分の反射率を
大幅に高くすることができ、従って記録媒体２７に照射
される光量を大きくすることができる。即ち限られた光
源１の出力を効率よく記録媒体２７に照射でき、かつ、
記録媒体２７からの反射光を効率よく受光素子３７に導
くことができる。

【００５５】次に以上示してきたような構成を有する光
ピックアップのパッケージングの製造方法について説明
する。

【００５６】図７〜図１１は本発明の第一実施例におけ
る光ピックアップのパッケージングの製造手順を示す図
である。まず最初に、光源１とサブマウント２及びブロ
ック３（以下ＬＤブロックと称す）を組み立てる。組み
立てる前には特にブロック３の突起部３ａの端面部３ｂ
が放熱板４に対して垂直になるようにきちんと加工して
おく必要がある。サブマウント２及びブロック３は予め
メッキしたＡｌＮの板を打ち抜いたり、ダイジングソー
等を用いて切り出すことにより作製される。その際面粗
度，平面度，垂直度が十分に出ていない場合にはラップ
加工等を行うことも考えられる。光源１をサブマウント
２の所定の位置に取り付ける。取り付けは予めＡｕ−Ｓ
ｎなどの半田をメッキされたサブマウント２の上面に高
温で光源１をマウントする方法や、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−
Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の数μｍ〜数十μｍの厚さの
箔等を用いてこれを高温で圧着する方法等により行う。
サブマウント２とブロック３の取り付けは前記の半田箔
を用いる方法で行う。しかしながら光源１とサブマウン
ト２の取り付けと、サブマウント２とブロック３との取
り付けを異なる方法で行う場合には、実施温度が高いも
のから順に取り付けていく必要がある。なおこれらの部
材の接合面にＴｉやＰｔの膜を形成して、更にその上に
Ａｕの膜を形成して、そこで接合することが好ましい。
特に光源１とサブマウント２との間の取り付けにはこの
方法を用いることが、光源１の信頼性の向上につながる
ので非常に好ましい。またこれらの部材の組み立てに際
しては、光の収差が大きくならないように、特に光源１
の発光面と、ブロック３の突起部３ａの端面部３ｂとが
略平行で、かつ両面の距離の誤差が１０μｍ以下となる
ように留意しなければならない。誤差の値をこの様にす
ることにより、拡散角変換ホログラム７に入射する光の
広がりのばらつきを抑えることができるので、製品の特
性のばらつきを抑えることができる。

【００５７】ブロック３と放熱板４の接合は、光源１や
サブマウント２がブロック３に取り付けられる前に、Ａ
ｇロウ等でロウ付けされる。そのためブロック３の下面
にはＴｉ−Ｐｔ−ＡｕやＴｉ−Ｎｉ−Ａｕの放熱板４に
はＮｉ−Ａｕなどのメッキが施されていることが好まし
い。

【００５８】なお別の組立方法として、組み上がったＬ
Ｄブロック（光源１とサブマウント２とブロック３の組
立品）を放熱板４の所定の位置に、所定の状態で取り付
ける方法も考えられる。この場合、取り付けには半田付
けなどの方法が用いられるが、このときＬＤブロックの
組み立てに用いられている接合材が溶けて、組み立て精
度が悪くならないように注意する必要がある。溶けない
ようにすることによって初めて組み立て精度を維持する
ことができ、誤動作のない光ピックアップユニットの生
産が可能になる。この時にも同じく接合面にＴｉの膜
を、またその上にＮｉ若しくはＰｔの膜を形成して、更
にその上にＡｕの膜を形成して、そこで接合することが
好ましい。

【００５９】次にＬＤブロックの組み込まれた放熱板４
上にパッケージ１４を所定の位置に取り付ける。取り付
けにはエポキシ系の接着剤を用いる。そして受光素子１
３をパッケージ１４内に設置し、受光素子１３の各信号
取り出し電極とそれぞれに対応するリードフレームの足
１４ｂとをワイヤ１４ｄでワイヤボンディングする。こ
のときワイヤボンディングに用いるワイヤの長さは、後
で受光素子１３の位置を微調節する関係から、多少長め
にしておくことが好ましい。またこのとき同時に光源１
の電源用に、光源１の上面及びＡｕ面を介して光源１の
底面に接触しているサブマウント２の電極面２ａと、リ
ードフレームの足１４ｂとを同じくワイヤ１４ｄを用い
てワイヤボンディングしておく。尚このときは受光素子
１３はワイヤボンディングされているだけで放熱板４も
しくは光ガイド部材５には取り付け、固定はされていな
い。

【００６０】次に光ガイド部材５をブロック３の端面部
３ｂに取り付ける。この取り付けには非常に高い精度が
要求されるので、ここではその方法について図を参照し
ながら詳細に説明する。図１２は本発明の一実施例にお
けるＣＣＤで観察した０次光と１次光との不一致を示し
た概念図、図１３は本発明の一実施例におけるＣＣＤで
観察した０次光と１次光との一致を示した概念図、また
図１４は本発明の一実施例における観察実験の概念図を
示している。まずエアピンセット等で保持された光ガイ
ド部材５をブロック３の側面部に沿って移動させて、大
体の位置合わせを行う。このとき光ガイド部材５の側面
部若しくはブロック３の端面部３ｂの少なくともどちら
か一方に接合剤を塗布しておく。接合材としてここでは
所定の波長の光を照射することにより硬化する光硬化型
の接着剤を用いることが好ましい。それらの中でも一般
に光源を入手することが容易な赤外線領域、紫外線領
域、可視光領域の光を用いることが特に好ましい。この
ような接合材を用いることにより良好な作業性を簡単に
得ることができ、更に接合時間の短縮も、照射する光の
量及びエネルギーを最適になるように制御することによ
り、簡単に可能となる。なお他の接合材として吸湿硬化
型の瞬間接着剤を用いても良い。

【００６１】このとき接合材は、光ガイド部材５とブロ
ック３を接合させた後に、その硬化後の接合面積（Ｓ）
がＳ≧１ｍｍ²で、接合層の硬化後の厚さ（ｔ₁）を好ま
しくは１≦ｔ₁≦１００（μｍ）となるように、更に好
ましくは１≦ｔ₁≦１００（μｍ）であっても接合層の
厚さ（ｔ₂）を１≦ｔ₂≦１０（μｍ）となるように、最
も好ましくは１≦ｔ₂≦１０（μｍ）の範囲であっても
接合層の硬化後の厚さ（ｔ₃）を３≦ｔ₃≦７となるよう
に塗布されることが好ましい。このように接合材を塗布
することにより、リンギング等の発生がほとんどなくな
り、光ガイド部材５をブロック３の側面部に沿って移動
させることによる光ガイド部材５とブロック３との間の
位置合わせが容易にしかも確実に行えるようにできると
ともに、光ガイド部材５とブロック３との間の接合強度
も十分に確保することができる。

【００６２】膜厚の制御は接着剤の塗布量、粘度、押圧
力で行うことが好ましい。その後光源１に電源を供給し
て発光させて光ガイド部材５に光を導入する。光ガイド
部材５に導入された光は拡散角変換ホログラム７で０次
回折光と１次回折光とに分離されて、その後光ガイド部
材５の面５ｅから外部に出射される。出射された光はコ
リメータレンズ（図示せず）及び対物レンズ２６を通っ
て記録媒体２７があるはずの位置で結像する。このとき
もし光源１と光ガイド部材５との相対的位置が正しけれ
ば、拡散角変換ホログラム７で変換された０次回折光と
１次回折光とは焦点深度が異なるだけで、同じポイント
でフォーカスするので記録媒体２７上では、図９に示す
ように、同心円状に見える。またもし光源１と光ガイド
部材５との相対的位置が正しくなければ、拡散角変換ホ
ログラム７で変換された０次回折光と１次回折光とは焦
点深度もフォーカスポイントも異なるので、記録媒体２
７上では図８に示すように異なる２つの円となる。この
ことを利用して、記録媒体位置に電荷結合素子カメラ３
２（以下ＣＣＤとする）をセットして０次回折光と１次
回折光とのズレを測定し、そのズレ幅及びズレの方向を
フィードバックし、その量に合わせて光ガイド部材５を
ＣＣＤ３２で見た２つの成分の光の結像が同心円になる
ように移動させる。これにより光ガイド部材５の光源１
に対する位置を非常に精度良く定めることができる。こ
の様にして光ガイド部材５の位置決めをした後、紫外線
を照射してＵＶ接着剤を固化させる。

【００６３】また位置決めの方法として、１次回折光の
光学的収差を波面収差測定器等を用いて測定し、収差が
最小になるように位置決めするという方法も考えられ
る。ただしトラッキング信号検出方式として３ビーム法
を用いた場合にはサイドビームも波面収差測定器に入射
してしまうため、異なる３つの光を同時に測定してしま
うので、この方法を用いることは困難となる。

【００６４】次に受光素子１３を光ガイド部材５の所定
の位置に取り付ける。この場合もやはり記録媒体２７で
反射してきた光を正しく受光素子１３の各受光部上に導
かなくてはならないので、受光素子１３と光ガイド部材
５との精密な相対的な位置合わせが必要である。この位
置合わせの方法について説明する前に、受光素子１３に
おける非点収差法によるフォーカスエラー信号検出と本
実施例における非点収差の様子について図を用いて説明
する。

【００６５】図１５〜図１７は各々記録媒体２７が合焦
位置にある場合、記録媒体２７が合焦点位置より近づい
た場合、記録媒体２７が合焦位置より遠ざかった場合の
非点収差光束の外観図である。また図１８〜図２０は各
々図１５〜図１７の場合の非点収差発生ホログラム１０
によって発生した光の受光素子１３上に設けられた受光
部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１７２ｄでのスポッ
ト形状を示した図である。

【００６６】非点収差発生ホログラム１０は記録媒体２
７が合焦位置にある場合受光部１７２に対して上流に第
１焦点１７８を受光部１７２に対して下流に第２焦点１
７９を発生させ、図１８〜図２０に示すようにＸ軸方向
とＹ軸方向をとると、第１焦点１７８の位置ではＹ軸方
向の線像を結び第２焦点１７９の位置ではＸ軸上の線像
を結ぶことになる。また記録媒体２７が合焦位置にある
場合、非点収差によって発生したＸ軸Ｙ軸方向のそれぞ
れのスポット径が等しくなり円形のスポット形状になる
位置に非点収差発生ホログラム１０は設計される。

【００６７】フォーカスエラー信号は受光部１７２ａ，
１７２ｂ，１７２ｃ，１７２ｄからの光電流（又はＩ−
Ｖアンプにより変換された電圧）をそれぞれＩ１７２
ａ，Ｉ１７２ｂ，Ｉ１７２ｃ，Ｉ１７２ｄとすれば図６
の回路図からもわかるように以下の式で表すことができ
る。

【００６８】Ｆ．Ｅ．＝（Ｉ１７２ａ＋Ｉ１７２ｃ）−
（Ｉ１７２ｂ＋Ｉ１７２ｄ）記録媒体２７が合焦位置にある場合、図１５、図２７か
らもわかるようにＸ軸Ｙ軸方向のそれぞれのスポット径
が等しくなり略円形のスポット形状になるため１７２ａ
と１７２ｃでの合計受光量と１７２ｂと１７２ｄでの合
計受光量が等しくなるためフォーカスエラー信号は以下
の式となる。

【００６９】Ｆ．Ｅ．＝０記録媒体２７が合焦位置より近づいた場合、図１６に示
すように非点収差発生ホログラム１０で発生した第１焦
点１７８と第２焦点１７９は焦点誤差検出素子から遠ざ
かるため受光部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１７２
ｄ上のスポット形状は図１９に示したようにＹ軸方向に
長軸を有する楕円光束となり受光部１７２ａ，１７２ｃ
の受光量が受光部１７２ｂ，１７２ｄの受光量に比べ多
くなりフォーカスエラー信号は以下の式となる。

【００７０】Ｆ．Ｅ＞０記録媒体２７が合焦位置より離れた場合、図１７に示す
ように非点収差発生ホログラム１０で発生した第１焦点
１７８と第２焦点１７９は非点収差発生ホログラム１０
に近づくため受光部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１
７２ｄ上のスポット形状は図２０に示したようにＸ軸方
向に長軸を有する楕円光束となり受光部１７２ｂ，１７
２ｄの受光量が受光部１７２ａ，１７２ｃの受光量に比
べ多くなりフォーカスエラー信号は以下の式となる。

【００７１】Ｆ．Ｅ＜０以上のようなフォーカスエラー信号検出方法は非点収差
法として知られている。

【００７２】そこで本実施例ではこの原理を用いて受光
素子１３の位置決めを行っている。放熱板４に設けられ
ている孔４ａから受光素子１３の背面を吸着するエアピ
ンセットを用いて受光素子１３を保持し、受光素子１３
を光ガイド部材に沿って移動させることにより、設置位
置の微調節を可能とし、さらに記録媒体２７の位置に反
射板（図示せず）を設置しておく。このとき光ガイド部
材５の底面若しくは受光素子１３の上面には予め所定の
接合材を塗布しておく。接合材としてここでは所定の波
長の光を照射することにより硬化する光硬化型の接着剤
を用いることが好ましい。それらの中でも容易に光源を
入手することができる赤外線領域、紫外線領域、可視光
領域の光を用いることが特に好ましい。このような接合
材を用いることにより良好な作業性を簡単に得ることが
でき、更に接合時間の短縮も、照射する光の量及びエネ
ルギーを最適になるように制御することにより、簡単に
可能となる。なお他の接合材として吸湿硬化型の瞬間接
着剤を用いても良い。

【００７３】このとき接合材は、光ガイド部材５と受光
素子１３を接合させた後に、その硬化後の接合面積
（Ｓ）がＳ≧１ｍｍ²で、接合層の硬化後の厚さ（ｔ₁）
を好ましくは１≦ｔ₁≦１００（μｍ）となるように、
更に好ましくは１≦ｔ₁≦１００（μｍ）にあっても接
合層の硬化後の厚さ（ｔ₂）を１≦ｔ₂≦１０（μｍ）と
なるように、最も好ましくは１≦ｔ₂≦１０（μｍ）の
範囲であっても接合層の硬化後の厚さ（ｔ₃）を３≦ｔ₃
≦７となるように塗布されることが好ましい。このよう
に接合材を塗布することにより、リンギング等の発生が
ほとんどなくなり、光ガイド部材５を受光素子１３の側
面部に沿って移動させることによる光ガイド部材５と受
光素子１３との間の位置合わせが容易にしかも確実に行
えるようにできるとともに、光ガイド部材５と受光素子
１３との間の接合強度も十分に確保することができる。

【００７４】膜厚の制御は接着剤の塗布量、粘度、押圧
力で行うことが好ましい。それから先ずは反射板で反射
されて戻ってきた光の強度を受光素子１３の受光部１７
０，１７１等でモニターし、その大まかな最適位置を決
定する。そして次に四分割されている受光部１７２のそ
れぞれの受光部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１７２
ｄからの電流若しくは電圧（受光量に比例）をそれぞれ
モニターしながら、反射板をピエゾ素子等を用いて故意
に光軸に平行に振動させる。これにより反射板は受光素
子１３に対して近づいたり、遠ざかったりすることにな
る。このとき受光部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１
７２ｄの光量がそれぞれほぼ等しくなるように受光素子
１３を移動させれば、光ガイド部材５に対する受光素子
１３の精密な位置決めが可能になる。このときの受光部
１７２ａ及び１７２ｂからの信号の様子を図２１、図２
２に示した。この様にして受光素子１３の位置決めをし
た後、例えば接合材として紫外線硬化型の接着剤（以下
ＵＶ接着剤と称す）を用いた場合には、紫外線を照射し
てＵＶ接着剤を固化させる。そしてその後エアピンセッ
ト用の孔４ａを封止するためにエポキシ系のポッティン
グ剤若しくは半田を用いて隙間１７を塞ぐ。

【００７５】またブロック３と光ガイド部材５との間の
接合、及び光ガイド部材５と受光素子１３との間の接合
の両方に光硬化型の接着剤を用いる場合には、硬化させ
る光の波長（即ちエネルギー）の異なる接着剤、例えば
光ガイド部材５と受光素子１３との間に紫外線以下のエ
ネルギーの光を照射することによって硬化するＵＶ接着
剤を、光ガイド部材５とブロック３の間に可視光線以上
のエネルギーを持つ光を照射することで硬化する可視光
接着剤を予め塗布しておいて、ブロック３（即ち光源
１）と光ガイド部材５との間の位置決めが終了した後、
可視光を照射して接合部を硬化させ、その後光ガイド部
材５と受光素子１３との間の位置決めが終了してから紫
外線を照射して光ガイド部材５と受光素子１３の間のＵ
Ｖ接着剤を硬化させることが好ましい。

【００７６】このようにすると、予めどちらの接合部位
にも接合材を塗布した状態で、照射する光の波長を変え
るだけでそれぞれの接合部位の接合を行うことが可能と
なる。従って従来のように一箇所の接合が終了する度に
次の箇所へ接合材を塗布する必要がなく、製造工程の削
減及び製造時間の短縮につながり、ひいてはコストの削
減につながるので、非常に好ましい製造方法となる。

【００７７】なお反射板を設置せずに実際に記録媒体２
７を配置し、記録媒体２７を回転させて面振れを発生さ
せて、それにより位置調整を行っても良い。更にここで
は光源１と光ガイド部材５の位置決め、及び光ガイド部
材５と受光素子１３との間の位置決めの方法について光
源１を発光させて行う方法を記してきたが、他の方法と
して各部品をＣＣＤ等を用いて画像認識し、それらの部
品と基準になる位置を認識して、相対位置寸法が所定の
寸法になるように位置させるという方法も考えられる。

【００７８】最後に予め別工程で、エポキシ系の接着剤
を用いてシェル１５の上面にカバー部材１６を取り付け
ておき、この一体化された部材の底面をパッケージ１４
の上面に取り付ける。取り付けには主にエポキシ系の接
着剤を用いる。更にこの作業をＮ₂，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ
等の乾燥した酸化防止ガス雰囲気中で行うことにより、
光ピックアップのパッケージング内をパージすることが
できる。

【００７９】以上説明してきたような製造方法により、
光ピックアップのパッケージングが完成する。このよう
な製造方法を用いることにより、このような形状の光ガ
イド部材５を搭載した光ピックアップのパッケージング
を、より簡単且つ精密に行うことが出来、歩留まりを向
上させることが出来る。

【００８０】以上説明してきたような製造方法により、
光ピックアップのパッケージングが完成する。このよう
な製造方法を用いることにより、このような形状の光ガ
イド部材５を搭載した光ピックアップのパッケージング
を、より簡単且つ精密に行うことが出来、歩留まりを向
上させることが出来る。

【００８１】

【発明の効果】本発明は、部材同士を接合材で接合する
光ピックアップにおいて、その接合材の硬化後の厚さ
（ｔ）を１≦ｔ≦３００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦
３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とす
ることにより、各部材間のリンギングの発生を抑制する
ことができると共に接合強度を十分に確保することがで
きるので、光ピックアップの組立工程での作業性を良好
にし、かつ、光ピックアップの信頼性を非常に高めるこ
とが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施例における光ピックアップの動
作の概念図

【図４】本発明の一実施例における光ガイド部材の斜視
図

【図５】本発明の一実施例における光ピックアップの偏
光面変換基板の斜視図

【図６】本発明の一実施例における光ピックアップの受
光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの製造手順を示す図

【図８】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの製造手順を示す図

【図９】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの製造手順を示す図

【図１０】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図１１】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図１２】本発明の一実施例におけるＣＣＤで観察した
０次光と１次光との不一致を示した概念図

【図１３】本発明の一実施例におけるＣＣＤで観察した
０次光と１次光との一致を示した概念図

【図１４】本発明の一実施例における観察実験の概念図

【図１５】本発明の一実施例における非点収差光束の外
観図

【図１６】本発明の一実施例における非点収差光束の外
観図

【図１７】本発明の一実施例における非点収差光束の外
観図

【図１８】本発明の一実施例における受光部上でのビー
ムのスポット形状を示した図

【図１９】本発明の一実施例における受光部上でのビー
ムのスポット形状を示した図

【図２０】本発明の一実施例における受光部上でのビー
ムのスポット形状を示した図

【図２１】本発明の一実施例における受光部上でのセン
サ光量を示した図

【図２２】本発明の一実施例における受光部上でのセン
サ光量を示した図

【図２３】本発明の一実施例における相変化型光ディス
ク用の光ピックアップの構成図

【図２４】本発明の一実施例におけるλ／４板の概観図

【図２５】本発明の一実施例における相変化型光ディス
ク用の光ピックアップの受光素子に設けられた受光部の
配置図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ端面部４放熱板４ａ孔５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｅ面５ｆ面６回折格子７拡散角変換ホログラム９第一のビームスプリッター膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ記録媒体面２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１偏光面変換基板３１ａ第１他斜面３１ｂ第２他斜面３２ＣＣＤ３３ λ／４板３４ハーフミラー３５ビームスプリッター膜３６受光素子３７，３８，３９，４０受光部４１光ガイド部材４１ａ第一の斜面４１ｂ第二の斜面４１ｃ第三の斜面４１ｅ面４１ｆ面１１７透過光１１７ａ偏光面１１７ｓＳ偏光成分１１７ｐＰ偏光成分１２３反射光１２４反射膜１２５反射膜１２６反射膜１２８入射面１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部６１６異常光軸６１７常光軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段とを備え、部材同士を接合材にて接
合した光ピックアップであって、前記接合材の硬化後の
厚さ（ｔ）を１≦ｔ≦３００（μｍ）、好ましくは１≦
ｔ≦３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）
とすることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイド
部材とを接合材を用いて所定の位置関係に接合する光ピ
ックアップであって、前記接合材の硬化後の厚さ（ｔ）
を１≦ｔ≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦１０
（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とするこ
とを特徴とする光ピックアップ。
【請求項３】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイド
部材との少なくともどちらか一方に塗布された接合材を
用いて、前記光源と前記光ガイド部材とを直接接合する
光ピックアップであって、前記接合材の硬化後の厚さ
（ｔ）を１≦ｔ≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦
１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とす
ることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光すると
ともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手段と
を備え、前記保持部材と前記光ガイド部材の少なくとも
どちらか一方に塗布された接合材を用いて、前記保持部
材と前記光ガイド部材とを接合する光ピックアップであ
って、前記接合材の硬化後の厚さ（ｔ）を１≦ｔ≦１０
０（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦１０（μｍ）、更に好
ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とすることを特徴とする光
ピックアップ。
【請求項５】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段とを備え、前記受光手段と前記光ガ
イド部材の少なくともどちらか一方に塗布された接合材
を用いて、前記受光手段と前記光ガイド部材とを接合す
る光ピックアップであって、前記接合材の硬化後の厚さ
（ｔ）を１≦ｔ≦３００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦
３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とす
ることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイド
部材の少なくともどちらか一方に塗布された第一の接合
材を用いて、前記光源と前記光ガイド部材とを所定の位
置関係に接合するとともに前記受光手段と前記光ガイド
部材の少なくともどちらか一方に塗布された第二の接合
材を用いて、前記受光手段と前記光ガイド部材とを接合
する光ピックアップであって、前記第一の接合材の硬化
後の厚さ（ｔ₁）を１≦ｔ₁≦１００（μｍ）、好ましく
は１≦ｔ₁≦１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₁≦７
（μｍ）とし、前記第二の接合材の硬化後の厚さ
（ｔ₂）を１≦ｔ₂≦３００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ
₂≦３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₂≦７（μｍ）
とすることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項７】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイド
部材の少なくともどちらか一方に塗布された第一の接合
材を用いて、前記光源と前記光ガイド部材とを直接接合
するとともに前記受光手段と前記光ガイド部材の少なく
ともどちらか一方に塗布された第二の接合材を用いて、
前記受光手段と前記光ガイド部材とを接合する光ピック
アップであって、前記第一の接合材の硬化後の厚さ（ｔ
₁）を１≦ｔ₁≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ₁≦
１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₁≦７（μｍ）と
し、前記第二の接合材の硬化後の厚さ（ｔ₂）を１≦ｔ₂
≦３００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ₂≦３０（μ
ｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₂≦７（μｍ）とすること
を特徴とする光ピックアップ。
【請求項８】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光すると
ともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手段と
を備え、前記保持部材と前記光ガイド部材の少なくとも
どちらか一方に塗布された第一の接合材を用いて接合す
るとともに前記受光手段と前記光ガイド部材の少なくと
もどちらか一方に塗布された第二の接合材を用いて、前
記受光手段と前記光ガイド部材とを接合する光ピックア
ップであって、前記第一の接合材の硬化後の厚さ
（ｔ₁）を１≦ｔ₁≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ
₁≦１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₁≦７（μｍ）
とし、前記第二の接合材の硬化後の厚さ（ｔ₂）を１≦
ｔ ₂≦３００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ₂≦３０（μ
ｍ）、更に好ましくは３≦ｔ ₂≦７（μｍ）とすること
を特徴とする光ピックアップ。
【請求項９】接合材として光硬化型の接着剤を用いるこ
とを特徴とする請求項１から８いずれか１記載の光ピッ
クアップ。
【請求項１０】接合材として光硬化型の接着剤を用いる
場合、第二の接合材は、第一の接合材に比べて、より波
長の長い光を照射することによって硬化することを特徴
とする請求項６から８いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項１１】接合材として吸湿硬化型の接着剤を用い
ることを特徴とする請求項１から１０いずれか１記載の
光ピックアップ。
【請求項１２】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段とを備え、部材同士を接合材にて
接合した光ピックアップであって、前記接合材の硬化後
の厚さ（ｔ）を１≦ｔ≦３００（μｍ）、好ましくは１
≦ｔ≦３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μ
ｍ）とすることを特徴とする相変化型光ディスク用の光
ピックアップ。
【請求項１３】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイ
ド部材とを接合材を用いて所定の位置関係に接合する光
ピックアップであって、前記接合材の硬化後の厚さ
（ｔ）を１≦ｔ≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦
１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とす
ることを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックア
ップ。
【請求項１４】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイ
ド部材の少なくともどちらか一方に塗布された接合材を
用いて、前記光源と前記光ガイド部材とを直接接合する
光ピックアップであって、前記接合材の硬化後の厚さ
（ｔ）を１≦ｔ≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ≦
１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μｍ）とす
ることを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックア
ップ。
【請求項１５】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光す
るとともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手
段とを備え、前記保持部材と前記光ガイド部材の少なく
ともどちらか一方に塗布された接合材を用いて、前記保
持部材と前記光ガイド部材とを接合する相変化型光ディ
スク用の光ピックアップであって、前記接合材の硬化後
の厚さ（ｔ）を１≦ｔ≦１００（μｍ）、好ましくは１
≦ｔ≦１０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ≦７（μ
ｍ）とすることを特徴とする相変化型光ディスク用の光
ピックアップ。
【請求項１６】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段とを備え、前記受光手段と前記光
ガイド部材の少なくともどちらか一方に塗布された接合
材を用いて、前記受光手段と前記光ガイド部材とを接合
する相変化型光ディスク用の光ピックアップであって、
前記接合材の硬化後の厚さ（ｔ）を１≦ｔ≦３００（μ
ｍ）、好ましくは１≦ｔ≦３０（μｍ）、更に好ましく
は３≦ｔ≦７（μｍ）とすることを特徴とする相変化型
光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１７】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイ
ド部材の少なくともどちらか一方に塗布された第一の接
合材を用いて、前記光源と前記光ガイド部材とを所定の
位置関係に接合するとともに前記受光手段と前記光ガイ
ド部材の少なくともどちらか一方に塗布された第二の接
合材を用いて、前記受光手段と前記光ガイド部材とを接
合する相変化型光ディスク用の光ピックアップであっ
て、前記第一の接合材の硬化後の厚さ（ｔ₁）を１≦ｔ₁
≦１００（μｍ）、好ましくは１≦ｔ₁≦１０（μ
ｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₁≦７（μｍ）とし、前記
第二の接合材の硬化後の厚さ（ｔ₂）を１≦ｔ₂≦３００
（μｍ）、好ましくは１≦ｔ ₂≦３０（μｍ）、更に好
ましくは３≦ｔ₂≦７（μｍ）とすることを特徴とする
相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１８】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段とを備え、前記光源と前記光ガイ
ド部材の少なくともどちらか一方に塗布された第一の接
合材を用いて、前記光源と前記光ガイド部材とを直接接
合するとともに前記受光手段と前記光ガイド部材の少な
くともどちらか一方に塗布された第二の接合材を用い
て、前記受光手段と前記光ガイド部材とを接合する相変
化型光ディスク用の光ピックアップであって、前記第一
の接合材の硬化後の厚さ（ｔ₁）を１≦ｔ₁≦１００（μ
ｍ）、好ましくは１≦ｔ₁≦１０（μｍ）、更に好まし
くは３≦ｔ₁≦７（μｍ）とし、前記第二の接合材の硬
化後の厚さ（ｔ₂）を１≦ｔ₂≦３００（μｍ）、好まし
くは１≦ｔ₂≦３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₂≦
７（μｍ）とすることを特徴とする相変化型光ディスク
用の光ピックアップ。
【請求項１９】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光す
るとともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手
段とを備え、前記保持部材と前記光ガイド部材の少なく
ともどちらか一方に塗布された第一の接合材を用いて接
合するとともに前記受光手段と前記光ガイド部材の少な
くともどちらか一方に塗布された第二の接合材を用い
て、前記受光手段と前記光ガイド部材とを接合する相変
化型光ディスク用の光ピックアップであって、前記第一
の接合材の硬化後の厚さ（ｔ₁）を１≦ｔ₁≦１００（μ
ｍ）、好ましくは１≦ｔ₁≦１０（μｍ）、更に好まし
くは３≦ｔ₁≦７（μｍ）とし、前記第二の接合材の硬
化後の厚さ（ｔ₂）を１≦ｔ₂≦３００（μｍ）、好まし
くは１≦ｔ₂≦３０（μｍ）、更に好ましくは３≦ｔ₂≦
７（μｍ）とすることを特徴とする相変化型光ディスク
用の光ピックアップ。
【請求項２０】接合材として光硬化型の接着剤を用いる
ことを特徴とする請求項１２から１９いずれか１記載の
相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項２１】接合材として光硬化型の接着剤を用いる
場合、第二の接合材は、第一の接合材に比べて、より波
長の長い光を照射することによって硬化することを特徴
とする請求項１７から１９いずれか１記載の相変化型光
ディスク用の光ピックアップ。
【請求項２２】接合材として吸湿硬化型の接着剤を用い
ることを特徴とする請求項１２から２１いずれか１記載
の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項２３】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間
にλ／４板を設け、前記λ／４板と光の光軸とが略垂直
であることを特徴とする請求項１２〜２２いずれか１記
載の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項２４】光を透過若しくは反射の少なくとも一方
を行う導光手段を傾斜面に備え、前記傾斜面を介して、
光媒体からの反射光を受光手段に導くことを特徴とする
請求項１２〜２３いずれか１記載の相変化型光ディスク
用の光ピックアップ。
【請求項２５】導光手段がハーフミラーであることを特
徴とする請求項２４記載の相変化型光ディスク用の光ピ
ックアップ。