JPH0969236A - 光ピックアップ - Google Patents

光ピックアップ

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Publication number
JPH0969236A
JPH0969236A JP7223301A JP22330195A JPH0969236A JP H0969236 A JPH0969236 A JP H0969236A JP 7223301 A JP7223301 A JP 7223301A JP 22330195 A JP22330195 A JP 22330195A JP H0969236 A JPH0969236 A JP H0969236A
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JP
Japan
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light
optical
guide member
light guide
light source
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Application number
JP7223301A
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English (en)
Inventor
Iku Sato
郁 佐藤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ノイズレベルの低い、高性能な光ピックアッ
プを提供することを目的としている。 【構成】 拡散角変換ホログラム7及び第一のビームス
プリッター膜9の周辺部に適当な大きさで適当な膜厚の
反射膜130および133を設けることにより、光源1
からの出射光及び回折格子6からの回折光が光ガイド部
材5の反射光分離部の方向に進んで、光ガイド部材5の
反射光分離部に設けられている各種の光学素子や各斜面
等での反射や屈折等により受光素子13に入射して、ノ
イズの発生源となる可能性をほとんどなくすことができ
るという構成を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光素子、光ディスク等
への情報の記録又は再生を行う光ピックアップに関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来の光ピックアップについて図12を
参照しながら説明する。図12は従来の光ピックアップ
の光ガイド部材における出射光路付近の断面図である。
光源501から射出され光ガイド部材505に入射した
光は拡散角変換ホログラム507に入射し、ここで拡散
角を変換されて反射された光は回折格子506に入射す
る。回折格子506で回折されての三成分の光に分離さ
れた光はその後第一のビームスプリッター膜509でそ
のほとんどが反射されて光ガイド部材505から射出さ
れ、その後光媒体に導かれる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、光源501から射出された光のうち光ガ
イド部材505の内部に設けられた拡散角変換ホログラ
ム507に入射せずにその脇を通過した光は、はみ出し
光531となって、光ガイド部材505の反射光分離部
の方向に進んでいた。そしてはみ出し光531の一部
は、光ガイド部材505の反射光分離部に設けられてい
る各種の光学素子や各斜面等での反射や屈折等により受
光素子513に入射して、ノイズの発生源となることが
あった。
【0004】また光源501から出射され、拡散角変換
ホログラム507及び回折格子506で反射された光の
うち第一のビームスプリッター膜509に入射せずにそ
の脇を通過した光は、はみ出し光534となって、光ガ
イド部材5の反射光分離部の方向に進んでいた。そして
はみ出し光534の一部は、光ガイド部材505の反射
光分離部に設けられている各種の光学素子や各斜面等で
の反射や屈折等により受光素子513に入射して、ノイ
ズの発生源となる可能性を有していた。
【0005】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、拡散角変換ホログラム507及び第一のビームスプ
リッター膜509の周辺部に適当な大きさで適当な膜厚
の反射膜を設けることにより、光源501からの出射光
及び回折格子506からの回折光が光ガイド部材505
の反射光分離部の方向に進んで、光ガイド部材505の
反射光分離部に設けられている各種の光学素子や各斜面
等での反射や屈折等により受光素子513に入射して、
ノイズの発生源となる可能性をほとんどなくすことがで
きる、ノイズレベルの低い、高性能な光ピックアップを
提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、光源と、光源から照射された光の入射方向に対して
傾斜した複数の傾斜面を有し、それら複数の傾斜面に光
学素子を形成した光ガイド部材と、その光ガイド部材を
透過してきた光を電気信号に変換する受光手段とを備え
た光ピックアップであって、必要な光学素子の周辺部に
反射膜を設けるという構成を有している。
【0007】
【作用】この構成により、光学素子の周辺部に入射した
光をほとんど反射することができるので、ノイズの発生
源となる可能性のある光(迷光)の発生を抑制すること
ができる。
【0008】
【実施例】以下本発明の第一実施例における光ピックア
ップのパッケージングについて図を参照しながら説明す
る。
【0009】図1及び図2はともに本発明の第一実施例
における光ピックアップのパッケージングの構成を示す
断面図である。
【0010】1は光源で、光源1としては半導体レー
ザ,He−Ne等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数mW〜数十mW程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはAlGaAs,InGaAsP,I
nGaAlP,ZnSe,GaN等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なAlGaAsを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、AlGaA
sよりもさらに波長の短いInGaAlPやZnSe等
の半導体レーザを用いることが好ましい。
【0011】2はサブマウントで、サブマウント2はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
1が取り付けられている。このサブマウント2は光源1
を載置するとともに、光源1で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント2と光源1との接合には熱
伝導率等を考慮するとAu−Sn,Sn−Pb,Sn−
Pb−In等の箔(厚さ数μm〜数十μm)を高温で圧
着する方法を用いることが好ましい。また光源1とサブ
マウント2は略水平に取り付けなければ光学系の収差や
結合効率の低下等の原因になる。従って接合の際には光
源1はサブマウント2に所定の位置に所定の高さで略水
平にマウントされることが好ましい。さらにサブマウン
ト2の上面には光源1の下面と電気的に接触するように
電極面2aが設けられている。この電極面2aは光源1
の電源供給用のもので、電極面2aを構成する金属膜と
しては導電性や耐食性を考慮してAuの薄膜を用いるこ
とが好ましい。更にサブマウント2は、光源1で発生す
る熱や光源1との取付等の問題から、熱伝導性が高く、
かつ、線膨張係数が光源1のそれ(約6.5×10 -6
℃)に近い材質が好ましい。具体的には線膨張係数が3
〜10×10-6/℃で、熱伝導率が100W/mK以上
である物質、例えばAlN,SiC,T−cBN,Cu
/W,Cu/Mo,Si等を、特に高出力のレーザを用
いる場合で熱伝導率を非常に大きくしなければならない
ときにはダイアモンド等を用いることが好ましい。光源
1とサブマウント2の線膨張係数が同じか近い数値とな
るようにした場合、光源1とサブマウント2の間の歪み
の発生を抑制することができるので、光源1とサブマウ
ント2との取付部分が外れたり、光源1にクラックが入
る等の不都合を防止することができる。しかしながら本
範囲を外れた場合には、光源1とサブマウント2の間に
大きな歪みが生じてしまい、光源1とサブマウント2と
の取付部分が外れたり、光源1にクラック等を生じる可
能性が高くなる。またサブマウント2の熱伝導率をでき
るだけ大きく取ることにより、光源1で発生する熱を効
率よく外部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導
率が本限定以下の場合には、光源1で発生した熱が外部
に逃げ難くなるため、光源1の温度が上昇し、光源1の
出力が低下したり、光源1の寿命が短くなったり、最悪
の場合には光源1が破壊されてしまう等の不都合が発生
しやすくなる。本実施例では比較的安価で、これらの2
つの特性のどちらにも非常に優れたAlNを用いた。更
にサブマウント2の上面には光源1との接合性を良くす
るために、サブマウント2から光源1に向かってTi,
Pt,Auの順に薄膜を形成することが好ましい。
【0012】3はブロックで、ブロック3は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部3aを有してお
り、上面にはサブマウント2が取り付けられている。こ
のブロック3もまたサブマウント2と同様に、光源1で
発生する熱やサブマウント2との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント2に近
い材質、例えばサブマウント2の材質例で示したもの以
外にMo,Cu,Fe,コバール,42アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント2に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
AlNに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたCu,Mo等の材料でブロック3を形成した。また
ブロック3とサブマウント2との接合には熱伝導率等を
考慮すると、やはりサブマウント2と光源1の場合と同
様に、多少高価ではあるがAu−Sn,Sn−Pb,S
n−Pb−In等の箔(厚さ数μm〜数十μm)を高温
で圧着することが好ましい。
【0013】4は放熱板で、放熱板4は、光源1で発生
し、伝導によりサブマウント2,ブロック3を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板4には
調整用の孔4aが設けてある。ブロック3はロウ付け,
半田箔等により放熱板4の上面に固定される。放熱板4
の材質としては、熱伝導性が高いCu,Al,Fe等が
考えられる。
【0014】なおここではサブマウント2とブロック3
とを別体で形成していたが、光源1の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、AlN等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。
【0015】またブロック3はサブマウント2よりも大
きくして、放熱板4との接触面積を大きく取ることが望
ましい。
【0016】また光源1には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント2の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント2,ブロッ
ク3及び放熱板4の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。
【0017】5は光ガイド部材で、光ガイド部材5は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源から
射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所定
の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材5は
その側面でブロック3の突起部3aの端面部3bに接着
されている。これに用いられる接合材には大きな接着強
度,任意の瞬間に固定できる作業性,硬化前と硬化後の
体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小さ
い即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たすこ
とにより作業性及び接合面の安定性等を向上させること
ができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照射
することにより瞬時に硬化するUV接着剤を用いた。ま
た吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分な
取り付け強度を持つようにするためにブロック3と光ガ
イド部材5の間の接触面積(S)はS>1mm2とする
ことが好ましい。
【0018】13は受光素子で、受光素子13は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材5の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板4に設けられた孔4aを用いて
位置の調整を行う。受光素子13と光ガイド部材5との
取り付けについては、大きな接着強度,任意の瞬間に固
定できる作業性,硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは紫
外線を照射することにより瞬時に硬化するため特に作業
性が良好なUV接着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間
接着剤を用いても良い。また受光素子13は光源1から
出射され、光ガイド部材5や記録媒体等で反射されて戻
ってきた光信号を受光する受光部を複数有している。こ
の受光部で検知された光信号は、その光量に応じて電気
信号に変換される。この電気信号は変換当初は電流値の
大きさである。しかしながらこの電流は非常に微弱であ
り、かつノイズを拾いやすいというデメリットがある。
このためここでは受光素子13として、電流値を相関す
る電圧値に変換して増幅する働きを持つI−Vアンプが
形成されているものを用いることが好ましい。ただし光
の入射周波数に対して出力電圧の応答が良好であること
が要求される。更に受光素子13の表面には受光した情
報を信号として取り出すためのAl等の薄膜で構成され
た複数の電極13aが設けてある。
【0019】14はパッケージで、パッケージ14は、
放熱板4の上面に前述のブロック3や光ガイド部材5,
受光素子13等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子13からの電気信号取り出しや光源1の電
源供給等に用いられるリードフレーム14aがモールド
されている。このパッケージ14の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム1
4aがモールドされている側のパッケージ14の内面に
はリードフレームの足14bを露出するように段差14
cが設けてある。なおパッケージ14の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子13から
の電気信号を取り出すためにパッケージ14に設けられ
た段差14cに露出しているリードフレームの足14b
と受光素子13の表面に設けられている複数の電極13
aとをAuやAl等で形成されたワイヤ14dでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源1の電源供
給のため、光源1の上面とパッケージ14に設けられた
段差14cに露出しているリードフレームの足14bと
をワイヤ14dでボンディングし、更にサブマウント2
の上面に光源1の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面2aとパッケージ14に設けられた段差
14cに露出しているリードフレームの足14bとを同
じくワイヤ14dでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ14の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではICモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム14aの材質としてはCu,42アロイ,Fe等
の金属にAgやAu等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではCuにNiメッキをし、その上にAuメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ14と放熱
板4との間の取り付けには、大きな接着強度,低い吸水
性,高い気密性(低いリーク特性)等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面,接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。
【0020】15はシェルで、シェル15もまたパッケ
ージ14と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ14の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリブチレンテレフタレート(以
下PBTとする)を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、PBTよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたLCPを用いても
良い。そしてシェル15とパッケージ14との接着は、
前述のパッケージ14と放熱板4との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル1
5を用いる代わりにパッケージ14の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材5よりも高くなるようにして代替して
も良い。
【0021】16はカバー部材で、カバー部材16は光
ガイド部材5や受光素子13等にごみ,ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル15の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
16の材質としては、BK−7,コバールガラス等のガ
ラスを用いることがことが好ましい。更にカバー部材1
6の上下両面には反射防止のために反射防止膜16aを
形成することが好ましい。この反射防止膜16aはMg
2 等の材質で形成することが好ましい。
【0022】このカバー部材16と光ガイド部材5との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材5はカバー部材16の底部にエポキシ系の接
着剤やUV接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材16の厚さ(t1)を0.3≦t1≦3.0(m
m)とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
5等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
16が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材16は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材16とコリメータレンズ(無
限系光学系の場合)或いは対物レンズ(有限系光学系の
場合)との距離を長くせざるを得ないくなってしまい、
ピックアップユニットの小型化に不利になるからであ
る。この様な構成を用いることにより光ピックアップの
高さをより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピ
ックアップユニットを小型化することができる。
【0023】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材16の厚さ(t2)を0.1≦t2≦
3.0(mm),カバー部材16と光ガイド部材5との
間の距離(d)を同じく0.1≦d≦3.0(mm)と
することが好ましい。この理由はt2の下限については
前例とは違って光ガイド部材5が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またdについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を0.1mm以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材16が光ガ
イド部材5に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材5と、光源
1,サブマウント2,ブロック3の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック3若しくはサブマウント
2を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源1で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。
【0024】なお光ピックアップの内部は光源1及び受
光素子13の酸化防止や光ガイド部材5,カバー部材1
6での結露防止等の観点から、N2等のガスやAr,N
e,He等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板4と受光素子13との間に存在する隙間
17を小さな収縮率,低い吸水性,高い気密性(優れた
リーク特性)等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。
【0025】以上示してきた構成を用いることにより、
光源1で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計2個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源1,光ガイド部
材5及び受光素子13の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。
【0026】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は35℃/W以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。次に本発明の第一実施例における光ピックアップの
動作について、図面を参照しながら説明する。図3は本
発明の第一実施例における光ピックアップの動作の概念
図、図4は本発明の第一実施例における光ガイド部材の
斜視図である。
【0027】図3及び図4において放熱板4上にサブマ
ウント2及びブロック3を介して水平にマウントされた
光源1から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材5の面5fから光ガイド部材
5に入射し、光ガイド部材5の第二の斜面5bに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する(以下NAを変換すると呼ぶ)機能を有する
反射型の拡散角変換ホログラム7に到達する。拡散角変
換ホログラム7によってNAを変換されかつ反射した光
は第一の斜面5aに形成された反射型の回折格子6によ
って0次回折光(以下メインビームと呼ぶ)と±1次回
折光(以下サイドビームと呼ぶ)とに分けられる。回折
格子6によって発生するメインビーム及びサイドビーム
は第一の偏光選択性のあるビームスプリッター膜9(以
下単に第一のビームスプリッター膜と呼ぶ)に入射す
る。第一のビームスプリッター膜9は入射面に対して平
行な振動成分を有する光(以下単にP偏光成分と呼ぶ)
に対してほぼ100%の透過率を有し、垂直な振動成分
(以下単にS偏光成分と呼ぶ)に対しては一定の反射率
を有する。第一のビームスプリッター膜9に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜9を透過する光は光
源1からの射出光のモニター光として利用される。ま
た、第一のビームスプリッター膜9で反射されたS偏光
成分に直線偏光したメインビーム及びサイドビームは、
光ガイド部材5の面5e及びカバー部材16を透過、対
物レンズ26に入射し、対物レンズ26の集光作用によ
って記録媒体27の記録媒体面27aに結像される。こ
の時、記録媒体面27a上において2つのサイドビーム
のビームスポット29a及び29cはメインビームのビ
ームスポット29bを中心としてほぼ対称な位置に結像
される。記録媒体面27aに対してメインビーム及びサ
イドビームのビームスポット29b及び29a、29c
により情報の記録または再生信号及びトラッキング、フ
ォーカシングいわゆるサーボ信号の読みだしを行う。
【0028】拡散角変換ホログラム7は、光源1からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム7へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム7
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム7によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム7
によって図3に示されるように光ガイド部材5射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波30となる。したがって、対物レンズ26への
入射光は理想球面波30となり、対物レンズ26による
記録媒体27でのビームスポットはほぼ回折限界まで絞
り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再生
を容易に行うとができる。
【0029】記録媒体27の情報記録面27aによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ26、光ガイド部材5の面5eを再び通過し、
光ガイド部材の第二の斜面5bに形成された第一のビー
ムスプリッター膜9に入射する。
【0030】記録媒体27からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜9から透過する光は光ガイド部材5
の第一の斜面5aに平行な第三の斜面5c上に形成され
た第二の偏光選択性のあるビームスプリッター膜11
(以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ)に入射
する。第二のビームスプリッター膜11は第一のビーム
スプリッター膜9と同様にP偏光成分に対してほぼ10
0%の透過率を有し、S偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。
【0031】ここで第二のビームスプリッター膜11に
入射した光束の内、透過光117に関して説明する。透
過光117は第三の斜面5c上に積層された偏光面変換
基板31に入射する。
【0032】図5は本発明の一実施例における偏光面変
換基板の斜視図、図6は本発明の一実施例における光ピ
ックアップの受光部配置及び信号処理を示す図である。
偏光面変換基板31は第1のその他の斜面31a(以下
単に第1他斜面と呼ぶ)とその第1他斜面31aに略平
行な第2のその他の斜面31b(以下単に第2他斜面と
呼ぶ)を有し、第1他斜面31aには反射膜126が、
第2他斜面31bには偏光分離膜12が夫々形成されて
いる。透過光117は第2他斜面31b上に形成された
偏光分離膜12に入射する。第2他斜面31bは透過光
117の偏光面117aと入射面128とのなす角が略
45×(2n+1)゜:(nは整数)になるように形成
されている。その結果透過光117のP偏光成分117
pとS偏光成分117sは略1:1の強度比を有するよ
うになる。入射面128と平行な偏光成分を有するP偏
光成分117pは偏光分離膜12によってほぼ100%
透過し、一方、入射面128に垂直な偏光成分を有する
S偏光成分117sは第2他斜面31b上の偏光分離膜
12によって略100%反射し第1他斜面31a面上に
入射し、反射膜126によって反射され受光素子13へ
導かれる。受光素子13に導かれたP偏光成分117p
は受光部170へ、同じくS偏光成分117sは受光部
171へ到達してRF信号を作成する。
【0033】次に図3中に示す第2のビームスプリッタ
ー膜11に入射した光束のうち反射光123に関して説
明する。反射光123は第二の斜面5b上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム10に入
射する。反射光123は非点収差発生ホログラム10に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜124,反
射膜125で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子13上の受光部172に、サイドビームの戻り光は
受光素子13上の受光部176及び177に到達する。
【0034】ここで拡散角変換ホログラム7及び第一の
ビームスプリッター膜9の周辺について説明する。図1
0は本発明の一実施例における光ガイド部材の出射光路
周辺の断面図である。
【0035】130は反射膜で、反射膜130は拡散角
変換ホログラム7の周辺部に設けられているもので、拡
散角変換ホログラム7の底部に設けられている反射膜
(図示せず)とは一体であっても良いし、別体であって
も良い。しかしながら一体で形成する方が、一工程で形
成できるので生産性が向上できるので好ましい。光源1
から出射された光は拡散角変換ホログラム7およびその
周辺部に入射する。このとき従来は反射膜130がなか
ったので、拡散角変換ホログラム7の周辺部に入射した
光は、はみ出し光131となり、拡散角変換ホログラム
7の脇をすり抜けて光ガイド部材5の反射光分離部の方
向に進んでいた。そしてはみ出し光131の一部は、光
ガイド部材5の反射光分離部に設けられている各種の光
学素子や各斜面等での反射や屈折等により受光素子13
に入射して、ノイズの発生源となる可能性を有してい
た。
【0036】しかしながら本実施例では、反射膜130
を設けたことによってこのようなはみ出し光131が反
射光分離部に入射することを防止する。即ち拡散角変換
ホログラム7の周辺部に反射膜130を設けることによ
り、光源1から射出された光のほとんどは拡散角変換ホ
ログラム7及び反射膜130により光ガイド部材5の面
5eの方向に反射されて、反射光分離部の方向へはほと
んど送出されない。更に反射膜130で反射されたはみ
出し光131は、はみ出し光132となり回折格子6の
脇を通過してその後光ガイド部材5の面5eから光ガイ
ド部材5の外部へ射出される。これにより光源1からの
出射光が光ガイド部材5の反射光分離部に入射すること
がほとんどないので、この光が光ガイド部材5の反射光
分離部に設けられている各種の光学素子や各斜面等での
反射や屈折等により受光素子13に入射して、ノイズの
発生源となる可能性をほとんどなくすことができる。
【0037】133も同じく反射膜で、反射膜133は
第一のビームスプリッター膜9の周辺部に設けられてい
るものである。光源1から出射され、拡散角変換ホログ
ラム7及び回折格子6で反射された光は第一のビームス
プリッター膜9およびその周辺部に入射する。このとき
従来は反射膜133がなかったので、第一のビームスプ
リッター膜9の周辺部に入射した光は、はみ出し光13
4となり、第一のビームスプリッター膜9の脇をすり抜
けて光ガイド部材5の反射光分離部の方向に進んでい
た。そしてはみ出し光134の一部は、光ガイド部材5
の反射光分離部に設けられている各種の光学素子や各斜
面等での反射や屈折等により受光素子13に入射して、
ノイズの発生源となる可能性を有していた。
【0038】反射膜133はこのようなはみ出し光13
4が反射光分離部に入射することを防止する働きを有し
ている。即ち第一のビームスプリッター膜9の周辺部に
反射膜133を設けることにより、光源1から射出さ
れ、拡散角変換ホログラム7及び回折格子6で反射され
た光のほとんどは第一のビームスプリッター膜9及び反
射膜133により光ガイド部材5の面5eの方向に反射
されて、反射光分離部の方向へはほとんど送出されな
い。更に反射膜133で反射されたはみ出し光134
は、光135となり光ガイド部材5の面5eから光ガイ
ド部材5の外部へ射出される。これにより光源1からの
出射され、拡散角変換ホログラム7及び回折格子6で反
射された光が、光ガイド部材5の反射光分離部に入射す
ることがほとんどないので、この光が光ガイド部材5の
反射光分離部に設けられている各種の光学素子や各斜面
等での反射や屈折等により受光素子13に入射して、ノ
イズの発生源となる可能性をほとんどなくすことができ
る。
【0039】次に反射膜130及び反射膜133を構成
する材料としてはAg,Cu,Al,Au等の高い反射
率を有する金属材料を用いることが好ましい。特にAg
は高反射率材料で、しかも使用する光の波長帯600〜
800(nm)付近において略5程度の優れた吸収係数
を有するので、極めて薄い膜厚で高反射率を実現でき、
かつ、コスト的にも優れており、更に製造工程中のリフ
トオフ工程においてはリフトオフパターンの形成が非常
に容易であるという多くの利点を有しているので非常に
好ましい材料である。
【0040】以上のような金属材料で構成された反射膜
130及び反射膜133の膜厚について説明する。図1
1は金属膜としてAgを用いた場合の膜厚と反射率との
間の関係を示している。図から明らかなように、膜厚5
00Åが境界となっており、それよりも薄い場合には急
激に反射率が減少していく。また膜厚を500Å以上と
しても反射率はほとんど変わらないことがわかる。反射
率は高ければ高いほど迷光が減少するので好ましいのだ
が、反射膜130及び反射膜133自体での吸収分があ
るので最大でも98%程度までしか反射率を高くするこ
とができない。そして反射率を98%近くにするために
は反射膜130及び反射膜133の膜厚を極端に厚くし
なければならず、コストが非常にかかり、実質的に不可
能である。従ってここでは反射膜130及び反射膜13
3について、比較的短時間で成膜でき、かつ、コストも
安く済む様な構成、即ち膜厚を400Å以上、反射率を
95%以上、好ましくは膜厚を1000Å以上、反射率
を97%以上とすることが、安定した反射率を確保でき
るので好ましい。
【0041】以上説明してきた様な構成を用いることに
より、光ガイド部材5中で発生する迷光を抑制すること
ができ、迷光に起因して発生するノイズを減少させるこ
とができる。従ってきわめてノイズの発生が少ない高品
質な光ピックアップを提供することができる。
【0042】なお本実施例では反射膜を拡散角変換ホロ
グラムと第一のビームスプリッター膜の両方に用いてい
たが、どちらか一方でも良いし、これら以外の光学素子
で用いても良い。
【0043】次に本発明の第二実施例において、特に相
変化型光ディスクに対応した光ピックアップの構成につ
いて図を参照しながら説明する。相変化型光ディスクは
光を照射することで記録媒体中の結晶構造を変化させて
情報を記録するもので、結晶構造を変化させるために従
来の光記録再生装置に比べてより多くの光量を必要とす
るので、より効率の良い光学系を必要とする。図7は本
発明の一実施例における相変化型光ディスク用の光ピッ
クアップの構成図である。なお図1,図2及び図3に示
したものと番号が同一の部材については、その働き及び
構成が同様であるので説明を省略する。
【0044】光源1から放出されたレーザ光は、平行な
複数の斜面を有する光ガイド部材41の面41fから光
ガイド部材41に入射し、拡散角変換ホログラム7、回
折格子6及び偏光選択性のあるビームスプリッター膜3
5(以下ビームスプリッター膜と呼ぶ)を通って光ガイ
ド部材41の面41eから出射される。ここでビームス
プリッター膜35は第一実施例の場合とは異なりS偏光
成分の反射率は95%以上でP偏光成分の反射率はおよ
そ1%程度である。ビームスプリッター膜35に入射す
る光のうちビームスプリッター膜35を透過する光(P
偏光成分で全光量の数パーセント程度)は光源1からの
射出光のモニター光として利用される。光ガイド部材4
1の面41eから出射された光はカバー部材16に設け
られたλ/4板33を透過する。図8は本発明の一実施
例におけるλ/4板の概観図である。λ/4板33は光
ガイド部材41からの入射光偏光面に対して、その異常
光軸がπ/4・(2m−1);(ただしmは自然数:以
下同じ)の方向に設置されており、入射光の異常光成分
と常光成分の位相差をπ/2・(2m−1)だけ発生さ
せる機能を有している。λ/4板33を構成する材料と
しては一般に一軸性結晶材料を用いる。その中でも低コ
ストで、光透過性に優れた水晶を用いることが好まし
い。一軸性結晶では異常光軸616と常光軸617があ
り、それぞれの光軸に対して異常光屈折率ne及び常光
屈折率noと呼ばれる異なる屈折率を有している。異常
光と常光では光学的距離が異なるので、λ/4板33の
基板厚をQD,入射光波長をλとして次の関係式で決ま
る位相差Δが発生する。λ/4板33の厚さQDはこの
位相差Δがπ/2・(2m−1)となるように決定され
ている。
【0045】Δ=2π・(ne−no)・QD/λ 本実施例では、波長λ=790nm、異常光屈折率ne
=1.5477、常光屈折率no=1.5388(ただ
し屈折率は基板の切り出し角で異なる。ここでは異常光
軸及び常光軸の双方の軸を含む平面に平行に切り出し
た。)という条件に対してλ/4板33の基板厚は2
1.9・(2m−1)μmとなる。この様な条件にする
ことにより、直線偏光で入射角0度で入射してきた光を
円偏光の光に変換することができる。即ち光源1から出
射されたS偏光成分のみを含む直線偏光を円偏光に変換
することができる。なおここではλ/4板33としてカ
バー部材16上に21.9μmの水晶を設けていたが、
光ガイド部材41の面41eや対物レンズ26に設ける
こともある。
【0046】λ/4板33を透過して円偏光となった光
は対物レンズ26に入射し、対物レンズ26の集光作用
によって記録媒体27の記録媒体面27aに結像され、
反射される。記録媒体面27aで反射された円偏光化し
た光はその回転方向が逆転するので、戻り光は対物レン
ズ26を透過し、再びλ/4板33を透過する際に、P
偏光成分のみを含む直線偏光に変換される。この様に変
換された戻り光は光ガイド部材41の面41eを再び通
過し、再び光ガイド部材41の第二の斜面41bに形成
されたビームスプリッター膜35に入射する。前述のよ
うにビームスプリッター膜35はP偏光成分に対してほ
ぼ100%の透過率を有し、S偏光成分に対してはほぼ
100%の反射率を有する。従ってP偏光成分しか有さ
ない戻り光はビームスプリター膜35をほぼ透過する。
【0047】そして戻り光は光ガイド部材41の第一の
斜面41aに平行な第三の斜面41c上に形成されたハ
ーフミラー34に入射する。ハーフミラー34は入射し
た光のうち所定の量を反射して、残りを透過する働きを
有している。
【0048】図9は本発明の一実施例における相変化型
光ディスク用の光ピックアップの受光素子に設けられた
受光部の配置図である。ここでハーフミラー34に入射
した光束の内、透過光117は受光素子36上に設けら
れている受光部37へ導かれる。
【0049】次に図7中に示すハーフミラー34に入射
した光束のうち反射光123に関して説明する。反射光
123は第二の斜面41b上の反射型のホログラムで形
成された非点収差発生ホログラム10に入射する。反射
光123は非点収差発生ホログラム10によって非点収
差を発生しつつ、さらに反射膜124,反射膜125で
反射されて、メインビームの戻り光は受光素子36上の
受光部38に、サイドビームの戻り光は受光素子36上
の受光部39及び40に到達する。
【0050】以上のような構成を有する光ピックアップ
ではλ/4板33をビームスプリッター膜35と記録媒
体27との間に設け、S偏光成分の直線偏光である出射
光を円偏光化した光に変換し、その後記録媒体27で反
射され回転方向が逆転した円偏光化した光をP偏光成分
のみを有する直線偏光に変換してビームスプリッター膜
35に入射させることにより記録媒体27で反射された
光をほぼ100%受光素子36上に導くことができるの
で、ビームスプリッター膜35のS偏光成分の反射率を
大幅に高くすることができ、従って記録媒体27に照射
される光量を大きくすることができる。即ち限られた光
源1の出力を効率よく記録媒体27に照射でき、かつ、
記録媒体27からの反射光を効率よく受光素子37に導
くことができる。
【0051】なお第一実施例中で述べた拡散角変換ホロ
グラム7および第一のビームスプリッター膜9の周囲に
それぞれ設けられていた反射膜130および反射膜13
3については、当然、本第二実施例においても同様の構
成で用いることが好ましい。
【0052】
【発明の効果】本発明は、光源と、光源から照射された
光の入射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、そ
れら複数の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材
と、その光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変
換する受光手段とを備えた光ピックアップであって、必
要な光学素子の周辺部に反射膜を設けるという構成とし
たことにより、光学素子の周辺部に入射した光をほとん
ど反射することができるので、ノイズの発生源となる可
能性のある光の発生を抑制することができ、ノイズレベ
ルの低い、高性能な光ピックアップとすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図
【図2】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図
【図3】本発明の一実施例における光ピックアップの動
作の概念図
【図4】本発明の一実施例における光ガイド部材の斜視
【図5】本発明の一実施例における光ピックアップの偏
光面変換基板の斜視図
【図6】本発明の一実施例における光ピックアップの受
光部配置及び信号処理を示す図
【図7】本発明の一実施例における相変化型光ディスク
用の光ピックアップの構成図
【図8】本発明の一実施例におけるλ/4板の概観図
【図9】本発明の一実施例における相変化型光ディスク
用の光ピックアップの受光素子に設けられた受光部の配
置図
【図10】本発明の一実施例における光ガイド部材の出
射光路周辺の断面図
【図11】反射膜の膜厚と反射率との間の関係を示す図
【図12】従来の光ピックアップの光ガイド部材におけ
る出射光路付近の断面図
【符号の説明】
1 光源 2 サブマウント 2a 電極面 3 ブロック 3a 突起部 3b 端面部 4 放熱板 4a 孔 5 光ガイド部材 5a 第一の斜面 5b 第二の斜面 5c 第三の斜面 5e 面 5f 面 6 回折格子 7 拡散角変換ホログラム 9 第一のビームスプリッター膜 10 非点収差発生ホログラム 11 第二のビームスプリッター膜 12 偏光分離膜 13 受光素子 13a 電極 14 パッケージ 14a リードフレーム 14b リードフレームの足 14c 段差 14d ワイヤ 15 シェル 16 カバー部材 16a 反射防止膜 17 隙間 26 対物レンズ 27 記録媒体 27a 記録媒体面 29a,29b,29c ビームスポット 30 理想球面波 31 偏光面変換基板 31a 第1他斜面 31b 第2他斜面 33 λ/4板 34 ハーフミラー 35 ビームスプリッター膜 36 受光素子 37,38,39,40 受光部 41 光ガイド部材 41a 第一の斜面 41b 第二の斜面 41c 第三の斜面 41e 面 41f 面 117 透過光 117a 偏光面 117s S偏光成分 117p P偏光成分 123 反射光 124 反射膜 125 反射膜 126 反射膜 128 入射面 130 反射膜 131 はみ出し光 132 はみ出し光 133 反射膜 134 はみ出し光 135 はみ出し光 170,171,172,172a,172b,172
c,172d,176,177 受光部 616 異常光軸 617 常光軸

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】光源と、前記光源から照射された光の入射
    方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数の
    傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガ
    イド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手
    段とを備えた光ピックアップであって、前記光学素子の
    周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする光ピックアッ
    プ。
  2. 【請求項2】光源と、前記光源から照射された光の入射
    方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数の
    傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガ
    イド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手
    段とを備えた光ピックアップであって、前記光学素子の
    うち、入射光の光軸が前記光ガイド部材の略中心方向に
    向かっていた光を反射して、その反射光の光軸の向きを
    前記光ガイド部材の外部に向かうように変換する光学素
    子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする光ピック
    アップ。
  3. 【請求項3】光源と、前記光源から照射された光の入射
    方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数の
    傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガ
    イド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手
    段とを備えた光ピックアップであって、前記光学素子の
    うち、光軸が前記光ガイド部材の光の入出射面に対して
    略平行な方向である入射光を反射して、光軸が前記入出
    射面に対して略垂直な方向である反射光に変換する光学
    素子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする光ピッ
    クアップ。
  4. 【請求項4】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
    前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
    複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面に光学素子を形
    成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過してき
    た光を電気信号に変換する受光手段とを備えた光ピック
    アップであって、前記光学素子の周辺部に反射膜を設け
    たことを特徴とする光ピックアップ。
  5. 【請求項5】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
    前記光源を保持する保持部材と、前記光源から照射され
    た光の入射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、
    前記複数の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材
    と、前記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変
    換する受光手段とを備えた光ピックアップであって、前
    記光学素子のうち、入射光の光軸が前記光ガイド部材の
    略中心方向に向かっていた光を反射して、その反射光の
    光軸の向きを前記光ガイド部材の外部に向かうように変
    換する光学素子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴と
    する光ピックアップ。
  6. 【請求項6】光源と、前記光源から照射された光の入射
    方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数の
    傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガ
    イド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手
    段とを備えた光ピックアップであって、前記光学素子の
    うち、光軸が前記光ガイド部材の光の入出射面に対して
    略平行な方向である入射光を反射して、光軸が前記入出
    射面に対して略垂直な方向である反射光に変換する光学
    素子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする光ピッ
    クアップ。
  7. 【請求項7】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
    前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
    複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面に光学素子を形
    成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過してき
    た光を電気信号に変換する受光手段と、前記光源と前記
    保持部材と前記光ガイド部材と前記受光手段とを収納す
    るとともに、開口部を有する収納部材と、前記収納部材
    の開口部を覆うカバー部材とを備えた光ピックアップで
    あって、前記光学素子の周辺部に反射膜を設けたことを
    特徴とする光ピックアップ。
  8. 【請求項8】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
    前記光源を保持する保持部材と、前記光源から照射され
    た光の入射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、
    前記複数の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材
    と、前記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変
    換する受光手段と、前記光源と前記保持部材と前記光ガ
    イド部材と前記受光手段とを収納するとともに、開口部
    を有する収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバ
    ー部材とを備えた光ピックアップであって、前記各種光
    学素子のうち、入射光の光軸が前記光ガイド部材の略中
    心方向に向かっていた光を反射して、その反射光の光軸
    の向きを前記光ガイド部材の外部に向かうように変換す
    る光学素子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする
    光ピックアップ。
  9. 【請求項9】光源と、前記光源から照射された光の入射
    方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数の
    傾斜面に各種光学素子を形成した光ガイド部材と、前記
    光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受
    光手段と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材
    と前記受光手段とを収納するとともに、開口部を有する
    収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材と
    を備えた光ピックアップであって、前記各種光学素子の
    うち、光軸が前記光ガイド部材の光の入出射面に対して
    略平行な方向である入射光を反射して、光軸が前記入出
    射面に対して略垂直な方向である反射光に変換する光学
    素子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする光ピッ
    クアップ。
  10. 【請求項10】光学素子として少なくともホログラムと
    ビームスプリッター膜のどちらか一つを備えていること
    を特徴とする請求項1〜9いずれか1記載の光ピックア
    ップ。
  11. 【請求項11】光源と、前記光源を保持する保持部材
    と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
    した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面の光源から
    の光の出射経路中に拡散角変換素子とビーム分離素子の
    少なくとも一方を備えた光ガイド部材と、前記光ガイド
    部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手段
    と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記
    受光手段とを収納するとともに、開口部を有する収納部
    材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材とを備え
    た光ピックアップであって、前記拡散角変換素子と前記
    ビーム分離素子の少なくともいずれか一方の周辺部に反
    射膜を設けたことを特徴とする光ピックアップ。
  12. 【請求項12】拡散角変換素子をホログラムで形成する
    ことを特徴とする請求項11記載の光ピックアップ。
  13. 【請求項13】反射膜における光の反射率を95%以
    上、好ましくは97%以上とすることを特徴とする請求
    項1〜12いずれか1記載の光ピックアップ。
  14. 【請求項14】反射膜の膜厚を500Å以上、好ましく
    は1000Å以上とすることを特徴とする請求項1〜1
    3いずれか1記載の光ピックアップ。
  15. 【請求項15】光源と、前記光源から照射された光の入
    射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数
    の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光
    ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光
    手段とを備えた相変化型光ディスク用の光ピックアップ
    であって、前記光学素子の周辺部に反射膜を設けたこと
    を特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
  16. 【請求項16】光源と、前記光源から照射された光の入
    射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数
    の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光
    ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光
    手段とを備えた相変化型光ディスク用の光ピックアップ
    であって、前記光学素子のうち、入射光の光軸が前記光
    ガイド部材の略中心方向に向かっていた光を反射して、
    その反射光の光軸の向きを前記光ガイド部材の外部に向
    かうように変換する光学素子の周辺部に反射膜を設けた
    ことを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックアッ
    プ。
  17. 【請求項17】光源と、前記光源から照射された光の入
    射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数
    の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光
    ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光
    手段とを備えた相変化型光ディスク用の光ピックアップ
    であって、前記光学素子のうち、光軸が前記光ガイド部
    材の光の入出射面に対して略平行な方向である入射光を
    反射して、光軸が前記入出射面に対して略垂直な方向で
    ある反射光に変換する光学素子の周辺部に反射膜を設け
    たことを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックア
    ップ。
  18. 【請求項18】光源と、前記光源を保持する保持部材
    と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
    した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面に光学素子
    を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過し
    てきた光を電気信号に変換する受光手段とを備えた相変
    化型光ディスク用の光ピックアップであって、前記光学
    素子の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする相変化
    型光ディスク用の光ピックアップ。
  19. 【請求項19】光源と、前記光源を保持する保持部材
    と、前記光源を保持する保持部材と、前記光源から照射
    された光の入射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有
    し、前記複数の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部
    材と、前記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に
    変換する受光手段とを備えた相変化型光ディスク用の光
    ピックアップであって、前記光学素子のうち、入射光の
    光軸が前記光ガイド部材の略中心方向に向かっていた光
    を反射して、その反射光の光軸の向きを前記光ガイド部
    材の外部に向かうように変換する光学素子の周辺部に反
    射膜を設けたことを特徴とする相変化型光ディスク用の
    光ピックアップ。
  20. 【請求項20】光源と、前記光源から照射された光の入
    射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数
    の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部材と、前記光
    ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光
    手段とを備えた相変化型光ディスク用の光ピックアップ
    であって、前記光学素子のうち、光軸が前記光ガイド部
    材の光の入出射面に対して略平行な方向である入射光を
    反射して、光軸が前記入出射面に対して略垂直な方向で
    ある反射光に変換する光学素子の周辺部に反射膜を設け
    たことを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックア
    ップ。
  21. 【請求項21】光源と、前記光源を保持する保持部材
    と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
    した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面に光学素子
    を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過し
    てきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記光源と
    前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光手段とを収
    納するとともに、開口部を有する収納部材と、前記収納
    部材の開口部を覆うカバー部材とを備えた相変化型光デ
    ィスク用の光ピックアップであって、前記光学素子の周
    辺部に反射膜を設けたことを特徴とする相変化型光ディ
    スク用の光ピックアップ。
  22. 【請求項22】光源と、前記光源を保持する保持部材
    と、前記光源を保持する保持部材と、前記光源から照射
    された光の入射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有
    し、前記複数の傾斜面に光学素子を形成した光ガイド部
    材と、前記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に
    変換する受光手段と、前記光源と前記保持部材と前記光
    ガイド部材と前記受光手段とを収納するとともに、開口
    部を有する収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカ
    バー部材とを備えた相変化型光ディスク用の光ピックア
    ップであって、前記各種光学素子のうち、入射光の光軸
    が前記光ガイド部材の略中心方向に向かっていた光を反
    射して、その反射光の光軸の向きを前記光ガイド部材の
    外部に向かうように変換する光学素子の周辺部に反射膜
    を設けたことを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピ
    ックアップ。
  23. 【請求項23】光源と、前記光源から照射された光の入
    射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記複数
    の傾斜面に各種光学素子を形成した光ガイド部材と、前
    記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する
    受光手段と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部
    材と前記受光手段とを収納するとともに、開口部を有す
    る収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材
    とを備えた相変化型光ディスク用の光ピックアップであ
    って、前記各種光学素子のうち、光軸が前記光ガイド部
    材の光の入出射面に対して略平行な方向である入射光を
    反射して、光軸が前記入出射面に対して略垂直な方向で
    ある反射光に変換する光学素子の周辺部に反射膜を設け
    たことを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックア
    ップ。
  24. 【請求項24】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間
    にλ/4板を設け、前記λ/4板と光の光軸とが略垂直
    であることを特徴とする請求項15〜20いずれか1記
    載の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
  25. 【請求項25】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間
    にλ/4板を設け、前記λ/4板と光の光軸とが略垂直
    であることを特徴とする請求項21〜23いずれか1記
    載の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
  26. 【請求項26】λ/4板がカバー部材上に設けられてい
    ることを特徴とする請求項25記載の相変化型光ディス
    ク用の光ピックアップ。
  27. 【請求項27】光を透過若しくは反射の少なくとも一方
    を行う導光手段を介して、光媒体からの反射光を受光手
    段に導くことを特徴とする請求項15〜26いずれか1
    記載の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
  28. 【請求項28】導光手段がハーフミラーであることを特
    徴とする請求項27記載の相変化型光ディスク用の光ピ
    ックアップ。
  29. 【請求項29】光学素子として少なくともホログラムと
    ビームスプリッター膜のどちらか一つを備えていること
    を特徴とする請求項15〜28いずれか1記載の相変化
    型光ディスク用の光ピックアップ。
  30. 【請求項30】光源と、前記光源を保持する保持部材
    と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
    した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面の光源から
    の光の出射経路中に拡散角変換素子とビーム分離素子の
    少なくとも一方を備えた光ガイド部材と、前記光ガイド
    部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手段
    と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記
    受光手段とを収納するとともに、開口部を有する収納部
    材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材とを備え
    た相変化型光ディスク用の光ピックアップであって、前
    記拡散角変換素子と前記ビーム分離素子の少なくともい
    ずれか一方の周辺部に反射膜を設けたことを特徴とする
    相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
  31. 【請求項31】拡散角変換素子をホログラムで形成する
    ことを特徴とする請求項30記載の相変化型光ディスク
    用の光ピックアップ。
  32. 【請求項32】反射膜における光の反射率を95%以
    上、好ましくは97%以上とすることを特徴とする請求
    項15〜31いずれか1記載の相変化型光ディスク用の
    光ピックアップ。
  33. 【請求項33】反射膜の膜厚を500Å以上、好ましく
    は1000Å以上とすることを特徴とする請求項15〜
    32いずれか1記載の相変化型光ディスク用の光ピック
    アップ。
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