JP3514003B2

JP3514003B2 - 光ピックアップ及び相変化型光ディスク用の光ピックアップ

Info

Publication number: JP3514003B2
Application number: JP25315795A
Authority: JP
Inventors: 繁騎竹内
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-09-29
Filing date: 1995-09-29
Publication date: 2004-03-31
Anticipated expiration: 2015-09-29
Also published as: JPH0997443A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光素子、光ディスク等
への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ及び相変
化型光ディスク用の光ピックアップに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】以下従来の光ピックアップに用いられる
光ガイド部材の構成について図を参照しながら説明す
る。図１５は従来の光ガイド部材の組立図である。

【０００３】５４１は第一基板で、第一基板５４１は第
一面５４１ａ及び第二面５４１ｂを有している。そして
第一面５４１ａには回折格子５０６及び第一の張り合わ
せ位置決めマーカ５４４ａが形成してあり、第二面５４
１ｂには拡散角変換ホログラム５０７、第一のデプスマ
ーカ５４６ａ、第一のビームスプリッター膜５０９、第
二の張り合わせ位置決めマーカ５４４ｂが形成してあ
る。

【０００４】５４２は第二基板で、第二基板５４２は第
一面５４２ａ及び第二面５４２ｂを有している。そして
第一面５４２ａには反射膜５２５、第二のデプスマーカ
５４６ｂ、非点収差発生ホログラム５１０、第三の張り
合わせ位置決めマーカ５４４ｃが設けてあり、第二面５
４２ｂは第二のビームスプリッター膜５１１、反射膜５
２４、第四の張り合わせ位置決めマーカ５４４ｄが設け
てある。

【０００５】５４３は第三基板で、第三基板５４３は第
一面５４３ａ及び第二面５４３ｂを有している。そして
第一面５４３ａには第五の張り合わせ位置決めマーカ５
４４ｅ、第一のカッティングマーカ５４５ａ、第二のカ
ッティングマーカ５４５ｂが設けられており、第二面５
４３ｂには第六の張り合わせ位置決めマーカ５４４ｆが
設けられている。

【０００６】５３１は偏光面変換基板で、偏光面変換基
板５３１は、反射膜５２６，偏光分離膜５１２，第一面
５３１ｃに設けられた第七の張り合わせ位置決めマーカ
５４４ｇ及び第二面５３１ｄに設けられた第八の張り合
わせ位置決めマーカ５４４ｈとを有している。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、第一のビームスプリッター膜５０９及び
第二のビームスプリッター膜５１１を成膜する際のリフ
トオフ工程等で第一のビームスプリッター膜５０９及び
第二のビームスプリッター膜５１１の膜厚が減膜されて
しまい、所定の光学的特性が得られないという問題点を
有していた。

【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、ビー
ムスプリッター膜の膜厚の保全を図ることにより、光ガ
イド部材の光学的性能の劣化を防ぎ、よって信頼性の高
く、製品のばらつきの少ない光ピックアップ及び相変化
型光ディスク用の光ピックアップを提供することを目的
としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、光ガイド部材を構成する基板の屈折率に近い屈折率
を有する保護膜をビームスプリッター膜の上面に所定の
膜厚で成膜し、ビームスプリッター膜を保護し、ビーム
スプリッター膜は光ガイド部材の傾斜面の一部分に設け
られているという構成を有している。

【００１０】

【作用】この構成により、たとえリフトオフ工程等で保
護膜が減膜されたとしても、ビームスプリッター膜の光
学的特性がほとんど変化しないようにすることができ
る。

【００１１】

【実施例】以下本発明の一実施例における光ピックアッ
プのパッケージングについて図を参照しながら説明す
る。

【００１２】図１及び図２はともに本発明の一実施例に
おける光ピックアップのパッケージングの構成を示す断
面図である。

【００１３】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１４】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導率等を考慮するとＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧
着する方法を用いることが好ましい。また光源１とサブ
マウント２は略水平に取り付けなければ光学系の収差や
結合効率の低下等の原因になる。従って接合の際には光
源１はサブマウント２に所定の位置に所定の高さで略水
平にマウントされることが好ましい。さらにサブマウン
ト２の上面には光源１の下面と電気的に接触するように
電極面２ａが設けられている。この電極面２ａは光源１
の電源供給用のもので、電極面２ａを構成する金属膜と
しては導電性や耐食性を考慮してＡｕの薄膜を用いるこ
とが好ましい。更にサブマウント２は、光源１で発生す
る熱や光源１との取付等の問題から、熱伝導性が高く、
かつ、線膨張係数が光源１のそれ（約６．５×１０ ^-6／
℃）に近い材質が好ましい。具体的には線膨張係数が３
〜１０×１０^-6／℃で、熱伝導率が１００ｗ／ｍＫ以上
である物質、例えばＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ
／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特に高出力のレーザを用
いる場合で熱伝導率を非常に大きくしなければならない
ときにはダイアモンド等を用いることが好ましい。光源
１とサブマウント２の線膨張係数が同じか近い数値とな
るようにした場合、光源１とサブマウント２の間の歪み
の発生を抑制することができるので、光源１とサブマウ
ント２との取付部分が外れたり、光源１にクラックが入
る等の不都合を防止することができる。しかしながら本
範囲を外れた場合には、光源１とサブマウント２の間に
大きな歪みが生じてしまい、光源１とサブマウント２と
の取付部分が外れたり、光源１にクラック等を生じる可
能性が高くなる。またサブマウント２の熱伝導率をでき
るだけ大きく取ることにより、光源１で発生する熱を効
率よく外部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導
率が本限定以下の場合には、光源１で発生した熱が外部
に逃げ難くなるため、光源１の温度が上昇し、光源１の
出力が低下したり、光源１の寿命が短くなったり、最悪
の場合には光源１が破壊されてしまう等の不都合が発生
しやすくなる。本実施例では比較的安価で、これらの２
つの特性のどちらにも非常に優れたＡｌＮを用いた。更
にサブマウント２の上面には光源１との接合性を良くす
るために、サブマウント２から光源１に向かってＴｉ，
Ｐｔ，Ａｕの順に薄膜を形成することが好ましい。

【００１５】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導等を考
慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同様
に、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の箔
（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着することが好ま
しい。

【００１６】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板４には
調整用の孔４ａが設けてある。ブロック３はロウ付け，
半田箔等により放熱板４の上面に固定される。放熱板４
の材質としては、熱伝導性が高いＣｕ，Ａｌ，Ｆｅ等が
考えられる。

【００１７】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００１８】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００１９】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００２０】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源から
射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所定
の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材５は
その側面でブロック３の突起部３ａの端面部３ｂに接着
されている。これに用いられる接合材には大きな接着強
度，任意の瞬間に固定できる作業性，硬化前と硬化後の
体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小さ
い即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たすこ
とにより作業性及び接合面の安定性等を向上させること
ができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照射
することにより瞬時に硬化するＵＶ接着剤を用いた。ま
た吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分な
取り付け強度を持つようにするためにブロック３と光ガ
イド部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とする
ことが好ましい。

【００２１】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板４に設けられた孔４ａを用いて
位置の調整を行う。受光素子１３と光ガイド部材５との
取り付けについては、大きな接着強度，任意の瞬間に固
定できる作業性，硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは紫
外線を照射することにより瞬時に硬化するため特に作業
性が良好なＵＶ接着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間
接着剤を用いても良い。また受光素子１３は光源１から
出射され、光ガイド部材５や記録媒体等で反射されて戻
ってきた光信号を受光する受光部を複数有している。こ
の受光部で検知された光信号は、その光量に応じて電気
信号に変換される。この電気信号は変換当初は電流値の
大きさである。しかしながらこの電流は非常に微弱であ
り、かつノイズを拾いやすいというデメリットがある。
このためここでは受光素子１３として、電流値を相関す
る電圧値に変換して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが
形成されているものを用いることが好ましい。ただし光
の入射周波数に対して出力電圧の応答が良好であること
が要求される。更に受光素子１３の表面には受光した情
報を信号として取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成され
た複数の電極１３ａが設けてある。

【００２２】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３から
の電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設けられ
た段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂ
と受光素子１３の表面に設けられている複数の電極１３
ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源１の電源供
給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
をワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウント２
の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた段差
１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂとを同
じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ１４の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆｅ等
の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡｕメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と放熱
板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い吸水
性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。

【００２３】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリプチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００２４】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，ＦＫ−１，Ｋ−３等の
ガラスや、ウレタン，ポリカーボネート，アクリル等の
光透過率の高い樹脂等を用いることがことが好ましい。
更にカバー部材１６の上下両面には反射防止のために反
射防止膜１６ａを形成することが好ましい。この反射防
止膜１６ａはＭｇＦ₂等の材質で形成することが好まし
い。

【００２５】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるを得ないくなってしまい、
ピックアップユニットの小型化に不利になるからであ
る。この様な構成を用いることにより光ピックアップの
高さをより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピ
ックアップユニットを小型化することができる。

【００２６】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００２７】なお光ピックアップの内部は光源１及び受
光素子１３の酸化防止や光ガイド部材５，カバー部材１
６での結露防止等の観点から、Ｎ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。

【００２８】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２箇所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００２９】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は３５℃／ｗ以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。次に本発明の一実施例における光ピックアップの動
作について、図面を参照しながら説明する。図３は本発
明の一実施例における光ピックアップの動作の概念図、
図４は本発明の一実施例における光ガイド部材の斜視図
である。

【００３０】図３及び図４において放熱板４上にサブマ
ウント２及びブロック３を介して水平にマウントされた
光源１から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材
５に入射し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する（以下ＮＡを変換すると呼ぶ）機能を有する
反射型の拡散角変換ホログラム７に到達する。拡散角変
換ホログラム７によってＮＡを変換されかつ反射した光
は第一の斜面５ａに形成された反射型の回折格子６によ
って０次回折光（以下メインビームと呼ぶ）と±１次回
折光（以下サイドビームと呼ぶ）とに分けられる。回折
格子６によって発生するメインビーム及びサイドビーム
は第１の偏光選択性のあるビームスプリッター膜９（以
下単に第一のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射す
る。第一のビームスプリッター膜９は入射面に対して平
行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏光成分と呼ぶ）
に対してほぼ１００％の透過率を有し、垂直な振動成分
（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対しては一定の反射率
を有する。第一のビームスプリッター膜９に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜９を透過する光は光
源１からの射出光のモニター光として利用される。ま
た、第一のビームスプリッター膜９で反射されたＳ偏光
成分に直線偏光したメインビーム及びサイドビームは、
光ガイド部材５の面５ｅ及びカバー部材１６を透過、対
物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用によ
って記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像される。こ
の時、記録媒体面２７ａ上において２つのサイドビーム
のビームスポット２９ａ，２９ｃはメインビームのビー
ムスポット２９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像さ
れる。記録媒体面２７ａに対してメインビームのビーム
スポット２９ｂ及びサイドビームのビームスポット２９
ａ，２９ｃにより情報の記録または再生信号及びトラッ
キング、フォーカシングいわゆるサーボ信号の読みだし
を行う。

【００３１】拡散角変換ホログラム７は、光源１からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム７
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム７によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム７
によって図３に示されるように光ガイド部材５射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波３０となる。したがって、対物レンズ２６への
入射光は理想球面波３０となり、対物レンズ２６による
記録媒体２７でのビームスポット２９ａ，２９ｂ，２９
ｃはほぼ回折限界まで絞り込まれ理想的な大きさとな
り、情報の記録または再生を容易に行うとができる。

【００３２】記録媒体２７の情報記録面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６、光ガイド部材５の面５ｅを再び通過し、
光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成された第一のビ
ームスプリッター膜９に入射する。

【００３３】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９から透過する光は光ガイド部材５
の第一の斜面５ａに平行な第３の斜面５ｃ上に形成され
た第２の偏光選択性のあるビームスプリッター膜１１
（以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射
する。第二のビームスプリッター膜１１は第一のビーム
スプリッター膜９と同様にＰ偏光成分に対してほぼ１０
０％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。

【００３４】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層された偏光面変換
基板３１に入射する。

【００３５】図５は本発明の一実施例における偏光面変
換基板の斜視図、図６は本発明の一実施例における光ピ
ックアップの受光部配置及び信号処理を示す図である。
偏光面変換基板３１は第１のその他の斜面３１ａ（以下
単に第１他斜面と呼ぶ）とその第１他斜面３１ａに略平
行な第２のその他の斜面３１ｂ（以下単に第２他斜面と
呼ぶ）を有し、第１他斜面３１ａには反射膜１２６が、
第２他斜面３１ｂには偏光分離膜１２が夫々形成されて
いる。透過光１１７は第２他斜面３１ｂ上に形成された
偏光分離膜１２に入射する。第２他斜面３１ｂは透過光
１１７の偏光面１１７ａと入射面１２８とのなす角が略
４５×（２ｎ＋１）゜：（ｎは整数）になるように形成
されている。その結果透過光１１７のＰ偏光成分１１７
ｐとＳ偏光成分１１７ｓは略１：１の強度比を有するよ
うになる。入射面１２８と平行な偏光成分を有するＰ偏
光成分１１７ｐは偏光分離膜１２によってほぼ１００％
透過し、一方、入射面１２８に垂直な偏光成分を有する
Ｓ偏光成分１１７ｓは第２他斜面３１ｂ上の偏光分離膜
１２によって略１００％反射し第１他斜面３１ａ面上に
入射し、反射膜１２６によって反射され受光素子１３へ
導かれる。受光素子１３に導かれたＰ偏向成分１１７ｐ
は受光部１７０へ、同じくＳ偏向成分１１７ｓは受光部
１７１へ到達してＲＦ信号を作成する。

【００３６】次に図３中に示す第二のビームスプリッタ
ー膜１１に入射した光束のうち反射光１２３に関して説
明する。反射光１２３は第二の斜面５ｂ上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入
射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反
射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子１３上の受光部１７２に、サイドビームの戻り光は
受光素子１３上の受光部１７６及び受光部１７７に到達
する。

【００３７】次に本発明の一実施例において、特に相変
化型光ディスクに対応した光ピックアップの構成につい
て図を参照しながら説明する。相変化型光ディスクは光
を照射することで記録媒体中の結晶構造を変化させて情
報を記録するもので、結晶構造を変化させるために従来
の光記録再生装置に比べてより多くの光量を必要とする
ので、より効率の良い光学系を必要とする。図７は本発
明の一実施例における相変化型光ディスク用の光ピック
アップの構成図である。なお図１，図２及び図３に示し
たものと番号が同一の部材については、その働き及び構
成が同様であるので説明を省略する。

【００３８】光源１から放出されたレーザ光は、平行な
複数の斜面を有する光ガイド部材４１の面４１ｆから光
ガイド部材４１に入射し、拡散角変換ホログラム７、回
折格子６及び偏光選択性のあるビームスプリッター膜３
５（以下ビームスプリッター膜と呼ぶ）を通って光ガイ
ド部材４１の面４１ｅから出射される。ここでビームス
プリッター膜３５は前述の実施例の場合とは異なりＳ偏
光成分の反射率は９５％以上でＰ偏光成分の反射率はお
よそ１％程度である。ビームスプリッター膜３５に入射
する光のうちビームスプリッター膜３５を透過する光
（Ｐ偏光成分で全光量の数パーセント程度）は光源１か
らの射出光のモニター光として利用される。光ガイド部
材４１の面４１ｅから出射された光はカバー部材１６に
設けられたλ／４板３３を透過する。図８はλ／４板の
概観図である。λ／４板３３は光ガイド部材４１からの
入射光偏光面に対して、その異常光軸がπ／４・（２ｍ
−１）；（ただしｍは自然数：以下同じ）の方向に設置
されており、入射光の異常光成分と常光成分の位相差を
π／２・（２ｍ−１）だけ発生させる機能を有してい
る。λ／４板３３を構成する材料としては一般に一軸性
結晶材料を用いる。その中でも低コストで、光透過性に
優れた水晶を用いることが好ましい。一軸性結晶では異
常光軸６１６と常光軸６１７があり、それぞれの光軸に
対して異常光屈折率ｎ_e及び常光屈折率ｎ_oと呼ばれる異
なる屈折率を有している。異常光と常光では光学的距離
が異なるので、λ／４板３３の基板厚をＱＤ，入射光波
長をλとして次の関係式で決まる位相差Δが発生する。
λ／４板３３の厚さＱＤはこの位相差Δがπ／２・（２
ｍ−１）となるように決定されている。

【００３９】Δ＝２π・（ｎ_e−ｎ_o）・ＱＤ／λ 本実施例では、波長λ＝７９０ｎｍ、異常光屈折率ｎ_e
＝１．５４７７、常光屈折率ｎ_o＝１．５３８８（ただ
し屈折率は基板の切り出し角で異なる。ここでは異常光
軸６１６及び常光軸６１７の双方の軸を含む平面に平行
に切り出した。）という条件に対してλ／４板３３の基
板厚は２１．９・（２ｍ−１）μｍとなる。この様な条
件にすることにより、直線偏光で入射角０度で入射して
きた光を円偏向の光に変換することができる。即ち光源
１から出射されたＳ偏向成分のみを含む直線偏光を円偏
光に変換することができる。なおここではλ／４板３３
としてカバー部材１６上に２１．９μｍの水晶を設けて
いたが、光ガイド部材４１の面４１ｅや対物レンズ２６
に設けることもある。

【００４０】λ／４板３３を透過して円偏向となった光
は対物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用
によって記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像され、
反射される。記録媒体面２７ａで反射された円偏光化し
た光はその回転方向が逆転するので、戻り光は対物レン
ズ２６を透過し、再びλ／４板３３を透過する際に、Ｐ
偏光成分のみを含む直線偏光に変換される。この様に変
換された戻り光は光ガイド部材４１の面４１ｅを再び通
過し、再び光ガイド部材４１の第二の斜面４１ｂに形成
されたビームスプリッター膜３５に入射する。前述のよ
うにビームスプリッター膜３５はＰ偏光成分に対してほ
ぼ１００％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対してはほぼ
１００％の反射率を有する。従ってＰ偏光成分しか有さ
ない戻り光はビームスプリッター膜３５をほぼ透過す
る。

【００４１】そして戻り光は光ガイド部材４１の第一の
斜面４１ａに平行な第三の斜面４１ｃ上に形成されたハ
ーフミラー３４に入射する。ハーフミラー３４は入射し
た光のうち所定の量を反射して、残りを透過する働きを
有している。

【００４２】ここでハーフミラー３４に入射した光束の
内、透過光１１７は受光素子３６上に設けられている受
光部３７（図９参照）へ導かれる。

【００４３】次に図７中に示すハーフミラー３４に入射
した光束のうち反射光１２３に関して説明する。図９は
本発明の一実施例における相変化型光ディスク用の光ピ
ックアップの受光素子に設けられた受光部の配置図であ
る。反射光１２３は第二の斜面４１ｂ上の反射型のホロ
グラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入射
する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０によ
って非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反射
膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光素
子３６上の受光部３８に、サイドビームの戻り光は受光
素子３６上の受光部３９及び受光部４０に到達する。

【００４４】以上のような構成を有する光ピックアップ
ではλ／４板３３をビームスプリッター膜３５と記録媒
体２７との間に設け、Ｓ偏光成分の直線偏光である出射
光を円偏光化した光に変換し、その後記録媒体２７で反
射され回転方向が逆転した円偏光化した光をＰ偏光成分
のみを有する直線偏光に変換してビームスプリッター膜
３５に入射させることにより記録媒体２７で反射された
光をほぼ１００％受光素子３６上に導くことができるの
で、ビームスプリッター膜３５のＳ偏光成分の反射率を
大幅に高くすることができ、従って記録媒体２７に照射
される光量を大きくすることができる。即ち限られた光
源１の出力を効率よく記録媒体２７に照射でき、かつ、
記録媒体２７からの反射光を効率よく受光素子３７に導
くことができる。

【００４５】次に本発明の一実施例における光ガイド部
材５を構成する複数の基板及び偏光面変換基板３１に設
けられる光学機能素子の製造方法について図を参照しな
がら説明する。

【００４６】図１０は本発明の一実施例における光ガイ
ド部材５の組立図である。２４１は第一基板で、第一基
板２４１は第一面２４１ａ及び第二面２４１ｂを有して
いる。そして第一面２４１ａには回折格子６及び第一の
張り合わせ位置決めマーカ２４４ａが形成してあり、第
二面２４１ｂには拡散角変換ホログラム７、第一のデプ
スマーカ２４６ａ、第一のビームスプリッター膜９及び
第一のビームスプリッター膜９の保護膜９ａ、第二の張
り合わせ位置決めマーカ２４４ｂが形成してある。

【００４７】２４２は第二基板で、第二基板２４２は第
一面２４２ａ及び第二面２４２ｂを有している。そして
第一面２４２ａには反射膜１２５、第二のデプスマーカ
２４６ｂ、非点収差発生ホログラム１０、第三の張り合
わせ位置決めマーカ２４４ｃが設けてあり、第二面２４
２ｂには第二のビームスプリッター膜１１及び第二のビ
ームスプリッター膜１１の保護膜１１ａ、反射膜１２
４、第四の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｄが設けて
ある。

【００４８】２４３は第三基板で、第三基板２４３は第
一面２４３ａ及び第二面２４３ｂを有している。そして
第一面２４３ａには第５の張り合わせ位置決めマーカ２
４４ｅ、第一のカッティングマーカ２４５ａ、第二のカ
ッティングマーカ２４５ｂが設けられており、第二面２
４３ｂには第六の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｆが
設けられている。

【００４９】３１は偏光面変換基板で、偏光面変換基板
３１は、図３及び図４に示した実施例で述べた光学部材
の他に、第一面３１ｃに設けられた第七の張り合わせ位
置決めマーカ２４４ｇ及び第二面３１ｄに設けられた第
八の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｈとを有してい
る。

【００５０】次にこれらの光学部材の中でも特に第一基
板２４１上に設けられた第一のビームスプリッター膜９
の形成方法について図を参照しながら説明する。

【００５１】図１１〜１４は本発明の一実施例における
ビームスプリッター膜の形成方法を示した図である。

【００５２】第一基板２４１には、図１１に示すよう
に、予め第一の張り合わせ位置決めマーカ２４４ａ及び
第二の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｂが形成されて
いる。

【００５３】まず最初に、図１２に示すように、第一基
板２４１上にリフトオフパターン３０１を形成する。こ
のリフトオフパターン３０１によって、第一のビームス
プリッター膜９を形成する膜形成面３０２が形成されて
いる。ここでリフトオフパターン３０１は膜形成面３０
２との境界部において逆テーパ形状に形成することが、
後のリフトオフ工程が行いやすくなるので好ましい。

【００５４】次に図１３に示すように第一のビームスプ
リッター膜９を形成する。第一のビームスプリッター膜
９はＳ偏光入射タイプでＰ偏光成分に対してほぼ１００
％の透過率を有し、Ｓ偏光に対して一定の透過率を有し
ている。更に第一のビームスプリッター膜９を透過した
Ｓ偏光成分とＰ偏光成分との間の相対位相差がほとんど
０であることが好ましい。これらの要件を満たす様に、
第一のビームスプリッター膜９は誘電体多層膜で形成さ
れることが好ましい。誘電体多層膜の構成材料として
は、成膜時に発生する内部応力特性が引っ張り応力と圧
縮応力を示すもので、かつ、多層膜形成時にお互いの内
部応力を打ち消し合うような組合せで構成され、更に形
成基板の膨張係数が組合せ材料の中間にあることが望ま
しい。この様な組合せ材料としてＴｉＯ₂／ＳｉＯ₂，Ｔ
ａ₂Ｏ₅／ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃／ＳｉＯ₂，ＺｎＳ／ＭｇＦ
₂等を用いることが好ましい。この様な材料を用いるこ
とにより、多層膜形成時の剥離、基板面精度の低下及び
クラックの発生等を防止することができ、光ガイド部材
５の信頼性を向上させることができる。これらの組合せ
は基板の屈折率や要求スペック等により適宜選択され
る。特に本実施例においては、入射角４５゜で、基板の
材料としてＢＫ−７（屈折率ｎ_g）を用いているので、
組合せ材料としてはＡｌ₂Ｏ₃／ＳｉＯ₂を用いることが
好ましい。この組合せを用いることにより、ブリュース
ター条件（式１）を満足することができ、Ｐ偏光成分の
第一のビームスプリッター膜９における透過率を略１０
０％にすることができる。（式１）（ｎ_g）²＝２×（ｎ_h）²×（ｎ_l）²／（（ｎ
_h）²＋（ｎ_l）²）ここで本実施例ではＢＫ−７の屈折率ｎ_g＝１．５１
１，Ａｌ₂Ｏ₃の屈折率ｎｈ＝１．５８０，ＳｉＯ₂の屈
折率ｎｌ＝１．４５０であり、（式１）を満足する。

【００５５】次に第一のビームスプリッター膜９の光学
的膜厚（ｄ）は、一般に中心波長λ ₀,屈折角θ_t及びＡ
ｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂との間の屈折率ｎ_H,_Lに対して、（式
２）を満足する様に決定される。（式２）ｎ_H,_L×ｄ＝λ₀／（４ｃｏｓθ_t）ここで屈折角θ_tと入射角θ₀及び屈折率ｎ_H,_L、ｎ_gとの
間の関係はスネルの法則（式３）より決定することがで
きる。（式３）ｎ_g×ｓｉｎθ₀＝ｎ_H,_L×ｓｉｎθ_t 更にこれらの膜厚は、Ｓ偏光成分の第一のビームスプリ
ッター膜９における反射率をどのように設定するかによ
っても当然変化する。以上説明してきたような材料を用
いて第一のビームスプリッター膜９を所定の膜厚（ｄ）
に成膜する。成膜方法としてここでは真空蒸着法等を用
いることが、質の良い膜を形成することができるので好
ましい。

【００５６】次に上記方法で成膜された第一のビームス
プリッター膜９の上面に保護膜９ａを形成する。この保
護膜９ａは第一のビームスプリッター膜９を保護するも
のである。即ち第一のビームスプリッター膜９の形成後
に行われる成膜、エッチング、リフトオフ等の各種の工
程により、第一のビームスプリッター膜９の表面が減膜
されたり、傷が入ったりして、第一のビームスプリッタ
ー膜９の中心波長における光学的特性が変化すること等
を防止する。この保護膜９ａの材質としてここではＳｉ
Ｏ₂を用いることが好ましい。即ちＳｉＯ₂の屈折率は第
一基板２４１のそれに非常に近いので、たとえ保護膜９
ａが後の工程等で減膜等のダメージを受けても、第一の
ビームスプリッター膜９の光学的特性の変化がほとんど
ないからである。

【００５７】この保護膜９ａの膜厚（ｄ₁）は（式４）
により決定される。（式４）ｎ_H,_L×ｄ₁＝ｍ×λ₀／（２×ｃｏｓθ_t）：
ただしｍは自然数また成膜方法としては、第一のビームスプリッター膜９
と同様に、真空蒸着法等を用いることが、質の良い膜を
形成することができるので好ましい。

【００５８】そして最後に図１４に示すようにリフトオ
フパターン３０１を有機溶剤やリムーバ液等を用いて取
り除いて、第一のビームスプリッター膜９及び保護膜９
ａが形成される。

【００５９】なお第二基板２４２に形成される第二のビ
ームスプリッター膜１１の成膜についても上述の方法と
同様に行うことが好ましい。

【００６０】以上示してきたように第一のビームスプリ
ッター膜９の上面に保護膜９ａを形成することにより、
たとえ保護膜９ａが後のリフトオフ工程等で減膜等のダ
メージを受けても、第一のビームスプリッター膜９の光
学的特性が変化することがほとんどない。従って保護膜
９ａを有する光ガイド部材５の光学的性能、信頼性を高
めることができ、かつ、製品のばらつきを最小限に抑え
ることができる。

【００６１】

【発明の効果】光源と、光源から照射された光の入射方
向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、傾斜面の一部
分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリッター膜
を備え、光源からの光を複数の傾斜面で反射させて光媒
体に導くとともに、光媒体から反射してきた光を受光手
段に導く光ガイド部材と、光を受光するとともに受光し
た光信号を電気信号に変換する受光手段と、光源と光ガ
イド部材と受光手段とを収納する収納部材とを備え、ビ
ームスプリッター膜の光が入射する面に保護膜が設けた
ことにより、従来のようにビームスプリッター膜が減膜
されることがないので、たとえリフトオフ工程等で保護
膜が減膜されたとしても、ビームスプリッター膜の光学
的特性がほとんど変化しないようにすることができるの
で、光ガイド部材の光学的性能の劣化を防ぎ、よって信
頼性の高く、製品のばらつきの少ない光ピックアップを
提供することできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施例における光ピックアップの動
作の概念図

【図４】本発明の一実施例における光ガイド部材の斜視
図

【図５】本発明の一実施例における偏光面変換基板の斜
視図

【図６】本発明の一実施例における光ピックアップの受
光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施例における相変化型光ディスク
用の光ピックアップの構成図

【図８】本発明の一実施例におけるλ／４板の概観図

【図９】本発明の一実施例における相変化型光ディスク
用の光ピックアップの受光素子に設けられた受光部の配
置図

【図１０】本発明の一実施例における光ガイド部材の組
立図

【図１１】本発明の一実施例におけるビームスプリッタ
ー膜の形成方法を示した図

【図１２】本発明の一実施例におけるビームスプリッタ
ー膜の形成方法を示した図

【図１３】本発明の一実施例におけるビームスプリッタ
ー膜の形成方法を示した図

【図１４】本発明の一実施例におけるビームスプリッタ
ー膜の形成方法を示した図

【図１５】従来の光ガイド部材の組立図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ端面部４放熱板４ａ孔５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｅ面５ｆ面６回折格子７拡散角変換ホログラム９第一のビームスプリッター膜９ａ保護膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ記録媒体面２８第２のビームスプリッター膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１偏光面変換基板３１ａ第１他斜面３１ｂ第２他斜面３１ｃ第一面３１ｄ第二面３３ λ／４板３４ハーフミラー３５ビームスプリッター膜３６受光素子３７，３８，３９，４０受光部４１光ガイド部材４１ａ第一の斜面４１ｂ第二の斜面４１ｃ第三の斜面４１ｅ面４１ｆ面１１７透過光１１７ａ偏光面１１７ｓＳ偏光成分１１７ｐＰ偏光成分１２３反射光１２４反射膜１２５反射膜１２６反射膜１２８入射面１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部２４１第一基板２４１ａ第一面２４１ｂ第二面２４２第二基板２４２ａ第一面２４２ｂ第二面２４３第三基板２４３ａ第一面２４３ｂ第二面２４４ａ第一の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｂ第二の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｃ第三の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｄ第四の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｅ第五の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｆ第六の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｇ第七の張り合わせ位置決めマーカ２４４ｈ第八の張り合わせ位置決めマーカ２４５ａ第一のカッティングマーカ２４５ｂ第二のカッティングマーカ２４６ａ第一のデプスマーカ２４６ｂ第二のデプスマーカ３０１リフトオフパターン３０２膜形成面６１６異常光軸６１７常光軸

フロントページの続き (56)参考文献特開平６−203420（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−147106（ＪＰ，Ａ) 特開平４−295648（ＪＰ，Ａ) 特開平６−222212（ＪＰ，Ａ) 特開平７−94523（ＪＰ，Ａ) 特開平７−72313（ＪＰ，Ａ) 特開平５−144113（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/135

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記傾斜面
の一部分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリッ
ター膜を備え、前記光源からの光を前記複数の傾斜面で
反射させて光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射
してきた光を所定の位置に導く光ガイド部材と、光を受
光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する受
光手段と、前記光源と前記光ガイド部材と前記受光手段
とを収納する収納部材とを備え、前記ビームスプリッタ
ー膜の光が入射する面に保護膜が設けられていることを
特徴とする光ピックアップ。
【請求項２】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記傾斜面
の一部分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリッ
ター膜を備えた光ガイド部材と、光を受光するとともに
受光した光信号を電気信号に変換する受光手段と、前記
光源と前記光ガイド部材と前記受光手段とを収納すると
ともに開口部を有する収納部材と、前記収納部材の開口
部を覆うカバー部材とを備え、前記光ガイド部材は前記
光源からの光を前記複数の傾斜面で反射させて前記カバ
ー部材を介して光媒体に導くとともに、前記光媒体から
反射してきた光を前記受光手段に導く光ピックアップで
あって、前記ビームスプリッター膜の光が入射する面に
保護膜が設けられていることを特徴とする光ピックアッ
プ。
【請求項３】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記傾斜面
の一部分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリッ
ター膜を備え、前記光源からの光を前記複数の傾斜面で
反射させて光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射
してきた光を所定の位置に導く光ガイド部材と、光を受
光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する受
光手段と、前記光源と前記光ガイド部材と前記受光手段
とを収納する収納部材と、前記収納部材を載置する基台
とを備え、前記ビームスプリッター膜の光が入射する面
に保護膜が設けていることを特徴とする光ピックアッ
プ。
【請求項４】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
複数の傾斜面を有し、前記傾斜面の一部分に設けられた
偏光選択性のあるビームスプリッター膜を備えた光ガイ
ド部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気
信号に変換する受光手段と、前記光源と前記保持部材と
前記光ガイド部材と前記受光手段とを収納するとともに
前記光ガイド部材において光媒体に光を出射したり光媒
体からの反射光を入射する入出射部分との対向する部分
に開口部を有した収納部材と、前記開口部を覆うカバー
部材とを備え、前記光ガイド部材は前記光源からの光を
前記複数の傾斜面で反射させて前記カバー部材を介して
光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射してきた光
を前記受光手段に導く光ピックアップであって、前記ビ
ームスプリッター膜の光が入射する面に保護膜が、設け
られていることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項５】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ略平
行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光学素
子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過
してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記受光
手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、前記
光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光手段
と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有する収
納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材とを
備えた光ピックアップであって、前記光学素子の少なく
とも一つを前記傾斜面の一部分に設けられた偏光選択性
のあるビームスプリッター膜とし、前記ビームスプリッ
ター膜の光が入射する面に保護膜が設けられていること
を特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】光源と、前記光源を保持する保持部材と、
前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜した
複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ略平
行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光学素
子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過
してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記受光
手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、前記
光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光手段
と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有する収
納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材と、
前記収納部材を載置する基台とを備えた光ピックアップ
であって、前記光学素子のうちの少なくとも一つを偏光
選択性のあるビームスプリッター膜とし、前記ビームス
プリッター膜の光が入射する面に保護膜が設けられてい
ることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項７】ビームスプリッター膜の屈折率をｎ_H,_L、
ｍを自然数、光の中心波長をλ₀、ビームスプリッター
膜の屈折率をθ_tとするとき、保護膜の膜厚（ｄ₁）がほ
ぼ以下の式を満たすように形成されていることを特徴と
する請求項１〜６いずれか１記載の光ピックアップ。ｄ₁≒ｍ×λ₀／（２×ｃｏｓθ_t×ｎ_H,_L）
【請求項８】保護膜をＳｉＯ₂で形成したことを特徴と
する請求項１〜７いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項９】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記傾斜面
の一部分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリッ
ター膜を備え、前記光源からの光を前記複数の傾斜面で
反射させて光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射
してきた光を所定の位置に導く光ガイド部材と、光を受
光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する受
光手段と、前記光源と前記光ガイド部材と前記受光手段
とを収納する収納部材とを備え、前記ビームスプリッタ
ー膜の光が入射する面に保護膜が設けられていることを
特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１０】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記傾斜
面の一部分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリ
ッター膜を備えた光ガイド部材と、光を受光するととも
に受光した光信号を電気信号に変換する受光手段と、前
記光源と前記光ガイド部材と前記受光手段とを収納する
とともに開口部を有する収納部材と、前記収納部材の開
口部を覆うカバー部材とを備え、前記光ガイド部材は前
記光源からの光を前記複数の傾斜面で反射させて前記カ
バー部材を介して光媒体に導くとともに、前記光媒体か
ら反射してきた光を前記受光手段に導く光ピックアップ
であって、前記ビームスプリッター膜の光が入射する面
に保護膜が設けられていることを特徴とする相変化型光
ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１１】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有し、前記傾斜
面の一部分に設けられた偏光選択性のあるビームスプリ
ッター膜を備え、前記光源からの光を前記複数の傾斜面
で反射させて光媒体に導くとともに、前記光媒体から反
射してきた光を所定の位置に導く光ガイド部材と、光を
受光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する
受光手段と、前記光源と前記光ガイド部材と前記受光手
段とを収納する収納部材と、前記収納部材を載置する基
台とを備え、前記ビームスプリッター膜の光が入射する
面に保護膜が設けていることを特徴とする相変化型光デ
ィスク用の光ピックアップ。
【請求項１２】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有し、前記傾斜面の一部分に設けら
れた偏光選択性のあるビームスプリッター膜を備えた光
ガイド部材と、光を受光するとともに受光した光信号を
電気信号に変換する受光手段と、前記光源と前記保持部
材と前記光ガイド部材と前記受光手段とを収納するとと
もに前記光ガイド部材において光媒体に光を出射したり
光媒体からの反射光を入射する入出射部分との対向する
部分に開口部を有した収納部材と、前記開口部を覆うカ
バー部材とを備え、前記光ガイド部材は前記光源からの
光を前記複数の傾斜面で反射させて前記カバー部材を介
して光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射してき
た光を前記受光手段に導く光ピックアップであって、前
記ビームスプリッター膜の光が入射する面に保護膜が、
設けられていることを特徴とする相変化型光ディスク用
の光ピックアップ。
【請求項１３】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ
略平行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光
学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を
透過してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記
受光手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、
前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光
手段と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有す
る収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材
とを備えた光ピックアップであって、前記光学素子の少
なくとも一つを前記傾斜面の一部分に設けられた偏光選
択性のあるビームスプリッター膜とし、前記ビームスプ
リッター膜の光が入射する面に保護膜が設けられている
ことを特徴とする相変化型光ディスク用の光ピックアッ
プ。
【請求項１４】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ
略平行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光
学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を
透過してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記
受光手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、
前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光
手段と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有す
る収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材
と、前記収納部材を載置する基台とを備えた光ピックア
ップであって、前記光学素子のうちの少なくとも一つを
前記傾斜面の一部分に設けられた偏光選択性のあるビー
ムスプリッター膜とし、前記ビームスプリッター膜の光
が入射する面に保護膜が設けられていることを特徴とす
る相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１５】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間
にλ／４板を設け、前記λ／４板と光の光軸とが略垂直
であることを特徴とする請求項１０，１２，１３，１４
いずれか１記載の相変化型光ディスク用の光ピックアッ
プ。
【請求項１６】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間
にλ／４板を設け、前記λ／４板と光の光軸とが略垂直
であることを特徴とする請求項９，１１いずれか１記載
の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１７】λ／４板がカバー部材上に設けられてい
ることを特徴とする請求項１５記載の相変化型光ディス
ク用の光ピックアップ。
【請求項１８】光を透過若しくは反射の少なくとも一方
を行う導光手段を介して、光媒体からの反射光を受光手
段に導くことを特徴とする請求項９〜１７いずれか１記
載の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１９】導光手段がハーフミラーであることを特
徴とする請求項１８記載の相変化型光ディスク用の光ピ
ックアップ。
【請求項２０】ビームスプリッター膜の屈折率を
ｎ_H,_L、ｍを自然数、光の中心波長をλ₀、ビームスプリ
ッター膜の屈折率をθ_tとするとき、保護膜の膜厚
（ｄ₁）がほぼ以下の式を満たすように形成されている
ことを特徴とする請求項９〜１９いずれか１記載の相変
化型光ディスク用の光ピックアップ。ｄ₁≒ｍ×λ₀／（２×ｃｏｓθ_t×ｎ_H,_L）
【請求項２１】保護膜をＳｉＯ₂で形成したことを特徴
とする請求項９〜２０いずれか１記載の相変化型光ディ
スク用の光ピックアップ。