JPH0992698A - スクリーニング方法および半導体装置 - Google Patents

スクリーニング方法および半導体装置

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JPH0992698A
JPH0992698A JP24721195A JP24721195A JPH0992698A JP H0992698 A JPH0992698 A JP H0992698A JP 24721195 A JP24721195 A JP 24721195A JP 24721195 A JP24721195 A JP 24721195A JP H0992698 A JPH0992698 A JP H0992698A
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JP
Japan
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screening
insulating film
semiconductor device
gate insulating
gate electrode
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Pending
Application number
JP24721195A
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English (en)
Inventor
Toru Takahashi
徹 高橋
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Hitachi Instruments Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Instruments Engineering Co Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置製造中にゲート絶縁膜をスクリーニ
ングすることで、スクリーニング時間の短縮および不良
品に対しての組み立て工程の不要化を図る。 【解決手段】配線材を成膜した後、配線材が全てのゲー
ト電極と接している。ここで配線材とシリコン基板との
間に電界をかける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程中にゲート絶縁膜のスクリーニングを行う方法および
半導体製造工程中にゲート絶縁膜のスクリーニングをす
ることができる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ゲート絶縁膜のスクリーニングは
シリコンウエハ上に半導体装置を完成した後、もしくは
個々の半導体装置に組み立てた後に行っていた。完成後
の半導体装置はゲート絶縁膜が素子として完全に分離し
ているため、全ゲート絶縁膜を短時間にかつ均等にスク
リーニングすることは困難であり、従来数時間という長
い単位でスクリーニングを行っていた。例えば、メモリ
ＬＳＩではゲート電極を構成している多数本のワード線
に順次高電圧を印加することでゲート絶縁膜のスクリー
ニングを行っていた。またロジックＬＳＩでは高電圧で
長時間テストパターンを印加することでスクリーニング
をしており、全てのゲート絶縁膜に対し均等にスクリー
ニングを行うことが困難であった。さらに従来は組み立
て工程後にスクリーニングを行うことがほとんどであ
り、スクリーニングによりゲート絶縁膜が破壊し不良品
となった場合、組み立て等の工程が無駄になっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明によれば半導体
装置の製造工程中にゲート絶縁膜のスクリーニングを行
うため、全ゲート絶縁膜を一括してスクリーニングがで
き、スクリーニング効率の向上およびスクリーニング時
間の短縮が図れる。さらに製品完成前にゲート絶縁膜破
壊による不良化ができるため、不良品に対しての組み立
てが不要となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】ゲート電極材もしくは配
線材を半導体装置に生膜した後、ゲート電極材もしくは
配線材と基板との間に電界をかけることで、半導体装置
の製造工程中にゲート絶縁膜のスクリーニングを行うこ
とができる。
【０００５】図３は本発明の基本原理説明用の半導体装
置の断面図である。図中、１はゲート電極材、２はゲー
ト絶縁膜、３はシリコン基板を示す。ゲート絶縁膜両端
であるゲート電極材およびシリコン基板に電界をかける
ことで製造工程中にゲート絶縁膜のスクリーニングを行
うことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１はシリコンウエハを示してい
る。半導体製造工程を経てシリコンウエハ上には多数の
半導体装置が形成されていく。
【０００７】図２はゲート電極材を生膜した後の図１の
Ａ−Ａ断面図であり、この時点でゲート絶縁膜およびゲ
ート電極材は一つの生膜として存在する。
【０００８】図３は図２のゲート電極材とシリコン基板
との間に電界をかけることでゲート絶縁膜を一度にスク
リーニングしている様を表している。
【０００９】図４は図２からさらに工程を進行し、配線
材を生膜した後の図１のＡ−Ａ断面図を示している。こ
の時点でゲート絶縁膜およびゲート電極は素子分離され
ている。
【００１０】図５は図４の配線材とシリコン基板との間
に電界をかけることでゲート絶縁膜を一度にスクリーニ
ングしている様を表している。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば半導体装置の製造工程中
に一括してゲート絶縁膜のスクリーニングを行うことが
でき、スクリーニング時間の短縮および不良品に対して
の組み立て工程が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シリコンウエハの平面図。
【図２】ゲート電極材生膜後の図１の断面図。
【図３】図２の状態でのスクリーニングの説明図。
【図４】配線材生膜後の図１の断面図。
【図５】図４の状態でのスクリーニングの説明図。
【符号の説明】
１…シリコンウエハ、２…ゲート電極材、３…ゲート絶
縁膜、４…シリコン基板、５…配線材、６…層間絶縁
膜、７…コンタクト、８…ゲート電極、９…スクリーニ
ング用電源。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体装置の製造工程中にゲート絶縁膜の
    スクリーニングを行う方法。
  2. 【請求項２】製造工程中にゲート絶縁膜のスクリーニン
    グをすることができる半導体装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013183143A (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 Toyota Motor Corp 半導体装置を製造する方法、及び、半導体装置
JPWO2016147529A1 (ja) * 2015-03-16 2017-06-22 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018133559A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 エイブリック株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN108461401A (zh) * 2017-02-17 2018-08-28 艾普凌科有限公司 半导体装置的制造方法以及半导体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013183143A (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 Toyota Motor Corp 半導体装置を製造する方法、及び、半導体装置
JPWO2016147529A1 (ja) * 2015-03-16 2017-06-22 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018133559A (ja) * 2017-02-17 2018-08-23 エイブリック株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN108461401A (zh) * 2017-02-17 2018-08-28 艾普凌科有限公司 半导体装置的制造方法以及半导体装置

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