JPH0992638A - ウエット反応装置 - Google Patents
ウエット反応装置Info
- Publication number
- JPH0992638A JPH0992638A JP24756495A JP24756495A JPH0992638A JP H0992638 A JPH0992638 A JP H0992638A JP 24756495 A JP24756495 A JP 24756495A JP 24756495 A JP24756495 A JP 24756495A JP H0992638 A JPH0992638 A JP H0992638A
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- Japan
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- wet
- etching
- reaction
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエットエッチングや現像等のウエット反応
を行なう場合に、バラツキが生じ難いウエット反応装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 エッチング液や現像液等の反応液２を入
れる液槽１と、液槽１内の反応液２に渦を生じさせる渦
発生手段４と、渦発生手段４の上方に設けた筒状部材３
とを有し、渦発生手段４および筒状部材３により液槽１
内の反応液２を筒状部材３の外側から内側に向かって循
環させることにより、ウエットエッチングや現像等のウ
エット反応を行う。
を行なう場合に、バラツキが生じ難いウエット反応装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 エッチング液や現像液等の反応液２を入
れる液槽１と、液槽１内の反応液２に渦を生じさせる渦
発生手段４と、渦発生手段４の上方に設けた筒状部材３
とを有し、渦発生手段４および筒状部材３により液槽１
内の反応液２を筒状部材３の外側から内側に向かって循
環させることにより、ウエットエッチングや現像等のウ
エット反応を行う。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本願は、ウエットエッチングや現像
等のウエット反応を行うためのウエット反応装置に関す
る。
等のウエット反応を行うためのウエット反応装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の製造等に用いられる
ウエットエッチングにおいては、エッチング液が入った
角槽に半導体ウエハ等を浸し、一定時間経過した後に半
導体ウエハ等を取り出していた。
ウエットエッチングにおいては、エッチング液が入った
角槽に半導体ウエハ等を浸し、一定時間経過した後に半
導体ウエハ等を取り出していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来は
エッチング液が入った角槽に半導体ウエハ等を単に浸す
だけであったので、ジャストエッチまでの時間が半導体
ウエハ間やウエハ面内で異なり、その結果エッチングの
バラツキが生じるという問題点があった。
エッチング液が入った角槽に半導体ウエハ等を単に浸す
だけであったので、ジャストエッチまでの時間が半導体
ウエハ間やウエハ面内で異なり、その結果エッチングの
バラツキが生じるという問題点があった。
【０００４】また、従来は、フォトレジストの現像等を
行なう場合においても、現像液が入った角槽にフォトレ
ジストが塗布された半導体ウエハ等を単に浸すだけであ
ったので、やはり現像のバラツキが生じるという問題点
があった。
行なう場合においても、現像液が入った角槽にフォトレ
ジストが塗布された半導体ウエハ等を単に浸すだけであ
ったので、やはり現像のバラツキが生じるという問題点
があった。
【０００５】本願の目的は、ウエットエッチングや現像
等のウエット反応を行なう場合に、バラツキが生じ難い
ウエット反応装置を提供することである。
等のウエット反応を行なう場合に、バラツキが生じ難い
ウエット反応装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願に係わるウエット反
応装置は、エッチング液や現像液等の反応液を入れる液
槽と、上記液槽内の反応液に渦を生じさせる渦発生手段
と、上記渦発生手段の上方に設けた筒状部材とを有し、
上記渦発生手段および上記筒状部材により上記液槽内の
反応液を上記筒状部材の外側から内側に向かって循環さ
せることによりウエットエッチングや現像等のウエット
反応を行うことを特徴とする。
応装置は、エッチング液や現像液等の反応液を入れる液
槽と、上記液槽内の反応液に渦を生じさせる渦発生手段
と、上記渦発生手段の上方に設けた筒状部材とを有し、
上記渦発生手段および上記筒状部材により上記液槽内の
反応液を上記筒状部材の外側から内側に向かって循環さ
せることによりウエットエッチングや現像等のウエット
反応を行うことを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は、本願に係わる実施の形態
を示した説明図である。以下、フォトレジスタパターン
が形成された半導体ウエハをエッチングする場合を例に
とって説明を行なう。
を示した説明図である。以下、フォトレジスタパターン
が形成された半導体ウエハをエッチングする場合を例に
とって説明を行なう。
【０００８】角槽１は所定量のエッチング液２を入れる
ためものである。角槽１の内側には筒状部材３（図２参
照）が図示しない固定手段により固定されている。この
筒状部材３は、壁部３ａおよび３ｂによって囲まれてお
り、その上下方向が貫通した構成となっている。壁部３
ａは壁部３ｂよりも低く形成されており、壁部３ａの上
部には斜め下に向かって傾斜したガイド部３ｃが形成さ
れている。筒状部材３の貫通部分の下側にはプロペラ４
が設けてあり、筒状部材３およびプロペラ４により、角
槽１内のエッチング液２が筒状部材３の外側から内側に
向かって循環するようになっている。
ためものである。角槽１の内側には筒状部材３（図２参
照）が図示しない固定手段により固定されている。この
筒状部材３は、壁部３ａおよび３ｂによって囲まれてお
り、その上下方向が貫通した構成となっている。壁部３
ａは壁部３ｂよりも低く形成されており、壁部３ａの上
部には斜め下に向かって傾斜したガイド部３ｃが形成さ
れている。筒状部材３の貫通部分の下側にはプロペラ４
が設けてあり、筒状部材３およびプロペラ４により、角
槽１内のエッチング液２が筒状部材３の外側から内側に
向かって循環するようになっている。
【０００９】つぎに、図１に示したウエット反応装置に
よって半導体ウエハをエッチングする場合の動作につい
て説明する。
よって半導体ウエハをエッチングする場合の動作につい
て説明する。
【００１０】角槽１内にエッチング液２を満たした状態
でプロペラ４を一定方向に一定速度で回転させる。プロ
ペラ４の回転により渦が生じ、プロペラ４の上部すなわ
ち筒状部材３の貫通部分において上方から下方に向かう
エッチング液２の流れが生じる。エッチング液２は筒状
部材３に沿って下方から上方へと流れ、筒状部材３の上
方から筒状部材３の貫通部分へと流れ込む。壁部３ａが
壁部３ｂよりも低く形成されており、壁部３ａの上部に
は斜め下に向かって傾斜したガイド部３ｃが形成されて
いるため、エッチング液２は主として壁部３ａに沿って
下方から上方へと流れ、ガイド部３ｃに導かれて筒状部
材３の内側へと流れ込む。このように角槽１内のエッチ
ング液２が筒状部材３の外側から内側に向かって循環し
ている状態で、所定枚数の半導体ウエハ５がセットされ
たキャリア６を角槽１内に浸す。このとき、各半導体ウ
エハ５を壁部３ａに沿う方向に順次並べ、各半導体ウエ
ハ５の面が壁部３ａの面と垂直になるようにする。すな
わち、各半導体ウエハ５の面がエッチング液２の流れに
沿うように配置し、効率的かつ均一なエッチングが行な
われるようにするわけである。一定時間経過後、キャリ
ア６を取り出してエッチングが終了する。
でプロペラ４を一定方向に一定速度で回転させる。プロ
ペラ４の回転により渦が生じ、プロペラ４の上部すなわ
ち筒状部材３の貫通部分において上方から下方に向かう
エッチング液２の流れが生じる。エッチング液２は筒状
部材３に沿って下方から上方へと流れ、筒状部材３の上
方から筒状部材３の貫通部分へと流れ込む。壁部３ａが
壁部３ｂよりも低く形成されており、壁部３ａの上部に
は斜め下に向かって傾斜したガイド部３ｃが形成されて
いるため、エッチング液２は主として壁部３ａに沿って
下方から上方へと流れ、ガイド部３ｃに導かれて筒状部
材３の内側へと流れ込む。このように角槽１内のエッチ
ング液２が筒状部材３の外側から内側に向かって循環し
ている状態で、所定枚数の半導体ウエハ５がセットされ
たキャリア６を角槽１内に浸す。このとき、各半導体ウ
エハ５を壁部３ａに沿う方向に順次並べ、各半導体ウエ
ハ５の面が壁部３ａの面と垂直になるようにする。すな
わち、各半導体ウエハ５の面がエッチング液２の流れに
沿うように配置し、効率的かつ均一なエッチングが行な
われるようにするわけである。一定時間経過後、キャリ
ア６を取り出してエッチングが終了する。
【００１１】以上述べたように、エッチング液２を角槽
１内で循環させるとともに、半導体ウエハ５の面がエッ
チング液２の流れに沿うようにしてエッチングを行なう
ことにより、効率的かつ均一なエッチングを行なうこと
が可能となる。したがって、ジャストエッチまでの時間
が半導体ウエハ間やウエハ面内で異なるという問題を低
減することが可能となる。
１内で循環させるとともに、半導体ウエハ５の面がエッ
チング液２の流れに沿うようにしてエッチングを行なう
ことにより、効率的かつ均一なエッチングを行なうこと
が可能となる。したがって、ジャストエッチまでの時間
が半導体ウエハ間やウエハ面内で異なるという問題を低
減することが可能となる。
【００１２】なお、上記実施の形態においては半導体ウ
エハをエッチングする場合を例にとって説明したが、半
導体ウエハ上のフォトレジストを現像する場合等におい
ても本ウエット反応装置を適用することができる。
エハをエッチングする場合を例にとって説明したが、半
導体ウエハ上のフォトレジストを現像する場合等におい
ても本ウエット反応装置を適用することができる。
【００１３】
【発明の効果】本願に係わる発明では、渦発生手段およ
び筒状部材により液槽内の反応液を筒状部材の外側から
内側に向かって循環させるので、ウエットエッチングや
現像等のウエット反応を行う際にバラツキを減少させる
ことが可能となる。
び筒状部材により液槽内の反応液を筒状部材の外側から
内側に向かって循環させるので、ウエットエッチングや
現像等のウエット反応を行う際にバラツキを減少させる
ことが可能となる。
【図１】本願に係わるウエット反応装置の実施の形態を
示した説明図
示した説明図
【図２】図１の一部を示した説明図
１……角槽（液槽） ２……エッチング液（反応液） ３……筒状部材 ３ａ…第１壁部 ３ｂ…第２壁部 ３ｃ…ガイド部 ４……プロペラ（渦発生手段）
Claims (4)
- 【請求項１】 エッチング液や現像液等の反応液を入れ
る液槽と、上記液槽内の反応液に渦を生じさせる渦発生
手段と、上記渦発生手段の上方に設けた筒状部材とを有
し、上記渦発生手段および上記筒状部材により上記液槽
内の反応液を上記筒状部材の外側から内側に向かって循
環させることによりウエットエッチングや現像等のウエ
ット反応を行うことを特徴とするウエット反応装置。 - 【請求項２】 上記渦発生手段はプロペラであることを
特徴とする請求項１に記載のウエット反応装置。 - 【請求項３】 上記筒状部材は対向する第１壁部および
対向する第２壁部とを有し、上記第１壁部は上記第２壁
部よりも低く形成されていることを特徴とする請求項１
に記載のウエット反応装置。 - 【請求項４】 上記筒状部材は壁部と該壁部の上部に設
けたガイド部とを有し、上記ガイド部は斜め下に向かっ
て傾斜したものであることを特徴とする請求項１に記載
のウエット反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24756495A JPH0992638A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | ウエット反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24756495A JPH0992638A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | ウエット反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992638A true JPH0992638A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17165376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24756495A Withdrawn JPH0992638A (ja) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | ウエット反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014082234A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ディップ式現像装置及び半導体ウェーハの現像方法 |
-
1995
- 1995-09-26 JP JP24756495A patent/JPH0992638A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014082234A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ディップ式現像装置及び半導体ウェーハの現像方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |