JPS59179788A - ケミカルエッチング装置 - Google Patents
ケミカルエッチング装置Info
- Publication number
- JPS59179788A JPS59179788A JP5362583A JP5362583A JPS59179788A JP S59179788 A JPS59179788 A JP S59179788A JP 5362583 A JP5362583 A JP 5362583A JP 5362583 A JP5362583 A JP 5362583A JP S59179788 A JPS59179788 A JP S59179788A
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- JP
- Japan
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- etching
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- tank
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１） 発明の技術分野
本発明は、ケミカルエツチングＩｌｌに関し、さらに詳
しく述べると、例えば化合物半導体結晶基板のような被
処理物の複数枚を同時に、しかもすべての表面を均一に
鏡面にエツチングすることが可能な改良されたケミカル
エツチング装置に関する。
しく述べると、例えば化合物半導体結晶基板のような被
処理物の複数枚を同時に、しかもすべての表面を均一に
鏡面にエツチングすることが可能な改良されたケミカル
エツチング装置に関する。
（２） 従来技術と間鴎点
周知の通り、いろいろなケミカルエツチンク方法が提案
され、実用されている。例えば、テフロンビーカーにエ
ツチング液を収容し、これＴｈｆｆ１拌しながらウェハ
を一枚ずつ処理する方法や、Ｎ２ガスを用いてバブルエ
ツチングを行なう方法、そしてエツチング液の液面と直
角をなす基板ホルダーを用いて複数枚の基板をエツチン
グする方法等が一般に行なわれている。ところが、上記
し、に第ｌの方法は、バッチ方式であるので、多量のウ
ェハを処理する場合にはあ１りにも時間がかかりすぎる
欠点がある。１に、第２のバブルエツチング法は、Ｎ２
ガスｔバブルしている定めに基板表面に気泡が出来
易く、表面が平滑になりにくいという欠点がある。さら
に、第３の方法は、結晶基板を立ててエツチングを行な
うのでエツチング液と基板との反応により生成した気泡
が上鰯方向に上昇し、よって、基板表面に縞＠様が出来
易いという欠点がある。このような欠点に加えて１例１
えばＨ２ＳＯ４系のような粘性の高いエツチング液を使
用すると、エツチング液の混合、攪拌がうまくいかない
ので、液の流れにそつに縞模様が基板表面上に出来上る
。
され、実用されている。例えば、テフロンビーカーにエ
ツチング液を収容し、これＴｈｆｆ１拌しながらウェハ
を一枚ずつ処理する方法や、Ｎ２ガスを用いてバブルエ
ツチングを行なう方法、そしてエツチング液の液面と直
角をなす基板ホルダーを用いて複数枚の基板をエツチン
グする方法等が一般に行なわれている。ところが、上記
し、に第ｌの方法は、バッチ方式であるので、多量のウ
ェハを処理する場合にはあ１りにも時間がかかりすぎる
欠点がある。１に、第２のバブルエツチング法は、Ｎ２
ガスｔバブルしている定めに基板表面に気泡が出来
易く、表面が平滑になりにくいという欠点がある。さら
に、第３の方法は、結晶基板を立ててエツチングを行な
うのでエツチング液と基板との反応により生成した気泡
が上鰯方向に上昇し、よって、基板表面に縞＠様が出来
易いという欠点がある。このような欠点に加えて１例１
えばＨ２ＳＯ４系のような粘性の高いエツチング液を使
用すると、エツチング液の混合、攪拌がうまくいかない
ので、液の流れにそつに縞模様が基板表面上に出来上る
。
（３） 発明の目的
本発明は、上記しにような被処理物表面の欠陥を伴なわ
ず、しかも多数枚の被処理物を一回の処理でエツチング
して被処理物表面を高均一な鏡面に仕上げることのでき
るケミカルエツチング装置を提供することを目的とする
。このケミカルエツチング装置は、当然のことながら、
構造簡単にして操作が容易でなければならない。
ず、しかも多数枚の被処理物を一回の処理でエツチング
して被処理物表面を高均一な鏡面に仕上げることのでき
るケミカルエツチング装置を提供することを目的とする
。このケミカルエツチング装置は、当然のことながら、
構造簡単にして操作が容易でなければならない。
（４）発明の構成
本発明者らは、このにひ、エツチング液槽に該エツチン
グ液槽内壁から略水平に延び且つ複数の孔を有する隔壁
が、前記エツチング液権内を下部領域と上部領域とと分
離する如く配設され、該下部領域にはエツチング液ケ攪
拌するマグネチソクスターラーが設けられ、該上部領域
には被処理物が略水平に且つ複数枚保持できる保持具が
設けられてなることを特徴とするケミカルエツチング装
覧が上記目的の達成に上用であることを見い出し７こ。
グ液槽内壁から略水平に延び且つ複数の孔を有する隔壁
が、前記エツチング液権内を下部領域と上部領域とと分
離する如く配設され、該下部領域にはエツチング液ケ攪
拌するマグネチソクスターラーが設けられ、該上部領域
には被処理物が略水平に且つ複数枚保持できる保持具が
設けられてなることを特徴とするケミカルエツチング装
覧が上記目的の達成に上用であることを見い出し７こ。
ここで、被処理物水平固定具は、それぞれが複数水の被
処理物ささえ棒ｋＱし、そのうちの少なくとも１本のさ
さえ棒が可動であることが好ましい、、例えば、４点支
承方式を採用し、４水のささえ棒から水平固建具紫措成
し、そのうちの１水のささえ棒？左右に任意に七二１１
可能とすることが推奨される。このようにすると、被処
理物のホルダーへのセントが容易であり、丑７ζ七れを
強固Ｖこ固足することができる。さらに、被処理物とし
て化合物半導体結晶基板τ使用する場合、その基板結晶
の表面を上向きにしてホルダーにセットするのが望まし
い。
処理物ささえ棒ｋＱし、そのうちの少なくとも１本のさ
さえ棒が可動であることが好ましい、、例えば、４点支
承方式を採用し、４水のささえ棒から水平固建具紫措成
し、そのうちの１水のささえ棒？左右に任意に七二１１
可能とすることが推奨される。このようにすると、被処
理物のホルダーへのセントが容易であり、丑７ζ七れを
強固Ｖこ固足することができる。さらに、被処理物とし
て化合物半導体結晶基板τ使用する場合、その基板結晶
の表面を上向きにしてホルダーにセットするのが望まし
い。
本発明の実施において、水ＸＦ−に延ひ１こ有孔隔壁を
有するエツチング液ＦＷとして例えは穴開き二蔗底石英
ビーカーなどを使用することができる。隔壁の孔のサイ
ズは、液相のマグネット回転領域でエツチング液を攪拌
し罠時にその液が隔壁の孔の部分ケ通り抜けて上昇し一
級処理物表面でなめらかに流れるような乱流が生じるよ
う、任意に選択することができる。一般には、この孔の
サイズを直径約８〜ｌＯｍとすることが好ブしい。
有するエツチング液ＦＷとして例えは穴開き二蔗底石英
ビーカーなどを使用することができる。隔壁の孔のサイ
ズは、液相のマグネット回転領域でエツチング液を攪拌
し罠時にその液が隔壁の孔の部分ケ通り抜けて上昇し一
級処理物表面でなめらかに流れるような乱流が生じるよ
う、任意に選択することができる。一般には、この孔の
サイズを直径約８〜ｌＯｍとすることが好ブしい。
本発明によるケミカルエツチング装に？、圀えばＡｔ、
Ｇａ、Ｉｎ等の周期告１１１１族金属、例えばＳｉ。
Ｇａ、Ｉｎ等の周期告１１１１族金属、例えばＳｉ。
Ｓｎ 、 Ｐｂ等の周期表第■族金属、そ［７て例えば
Ａｓ。
Ａｓ。
ｓｂ等の周期表第Ｖ族金属の化合物半導体結晶基板？汐
ｌえば）１２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２−Ｈ，２０系エツチング
液の使用にＬ９ケミカルエツチングするのに不利に利用
することができる。それというのも、第ｌｌｌ族〜第Ｖ
族化合物半導体結晶基板は表面が非常に軟らかく、ミラ
ーポリッシング等に原因する表面ダメージ１−や洗沖後
の汚れ等が表面に残っておジ、これらの表面欠陥？取り
除く罠めに約５〜１０μｍ程度のエツチングを要するか
らである。
ｌえば）１２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２−Ｈ，２０系エツチング
液の使用にＬ９ケミカルエツチングするのに不利に利用
することができる。それというのも、第ｌｌｌ族〜第Ｖ
族化合物半導体結晶基板は表面が非常に軟らかく、ミラ
ーポリッシング等に原因する表面ダメージ１−や洗沖後
の汚れ等が表面に残っておジ、これらの表面欠陥？取り
除く罠めに約５〜１０μｍ程度のエツチングを要するか
らである。
（５）発明の実施例
次に、添付の図面を参照しながら本発明によるケミカル
エツチング装置ｉ１Ｅ’に説明する。
エツチング装置ｉ１Ｅ’に説明する。
第１図には１本発明によるケミカルエツチング砂製の好
ましい一例が断面で示されている。図中のｌｌ’ｆｆマ
グネテックスクーラーであり、石英ビーカー２ビＳに収
容し罠エノナング液３をマグネット４の回転を辿じて入
念に攪拌することができる。その院５石英ビーカー２の
隔壁５には多数個ｊ例えば４０個程の孔が設けらｔして
お！ノ、−ぞＪしらの孔を仙る杜よいエツチング液の乱
流が形成でき、テフロン製エツチングホルダー６から放
射状（ｔこ派生した被処理物水平固定具７上の被処理物
（基板）８の表Ｉｆｒ］（Ｉ−エツチング液がなめるよ
うにいきわたる。
ましい一例が断面で示されている。図中のｌｌ’ｆｆマ
グネテックスクーラーであり、石英ビーカー２ビＳに収
容し罠エノナング液３をマグネット４の回転を辿じて入
念に攪拌することができる。その院５石英ビーカー２の
隔壁５には多数個ｊ例えば４０個程の孔が設けらｔして
お！ノ、−ぞＪしらの孔を仙る杜よいエツチング液の乱
流が形成でき、テフロン製エツチングホルダー６から放
射状（ｔこ派生した被処理物水平固定具７上の被処理物
（基板）８の表Ｉｆｒ］（Ｉ−エツチング液がなめるよ
うにいきわたる。
商、石英ビーカー２の大ささは木笑施例にあってｆ’！
、 縦１２ Ｃａｎ ’Ｊ −’ｊＡ ｌ ２ Ｌ ｃ
ｔｎ Ｊ−深さｉ。
、 縦１２ Ｃａｎ ’Ｊ −’ｊＡ ｌ ２ Ｌ ｃ
ｔｎ Ｊ−深さｉ。
〔Ｃｍ〕である。
図示の被処理物固定具７Ｆよ、第２図に示されるように
、４本の被処理物ささえ棒９、ｑ、９″及び９′から１
９、そのつらの】本であるきさえ棒９は矢印で示される
如く左右しこｉｊＪ を助である。ささえ俸９の左右動
け、例えば−弔３図シこ示をれるように、ネジ止めｌＯ
の調節によって遅成すゐことができる。被処理物水平固
定具７を上記のように構成し友ので２結晶基板８針ホル
ダーｔ５ＩＬセットするのが容易であり、丑ノζ、一度
七ソトＬｙｃ基板８全強固に固テすることができる。
、４本の被処理物ささえ棒９、ｑ、９″及び９′から１
９、そのつらの】本であるきさえ棒９は矢印で示される
如く左右しこｉｊＪ を助である。ささえ俸９の左右動
け、例えば−弔３図シこ示をれるように、ネジ止めｌＯ
の調節によって遅成すゐことができる。被処理物水平固
定具７を上記のように構成し友ので２結晶基板８針ホル
ダーｔ５ＩＬセットするのが容易であり、丑ノζ、一度
七ソトＬｙｃ基板８全強固に固テすることができる。
次に、第１図のケミカルエツチングＶｊ首の操作につい
て説明する、先ず、石英ビーカー２にエツチング液の一
足景３ヶ人ね、マグネテックスクーラーｉによって十分
に掬、拌しておく、次いで、基板ホルダー６のささえ棒
９〜９″で結晶基板８をその表面が上向きとなるように
セットし、エツチング液の攪拌を一度中断してから基板
ホルダー６をエツチングｉｌｌ［３中に浸漬し、再度エ
ツチング液の攪拌を開始する。石英ビーカー２の隔壁５
の孔の部分よりエツチング液に対流？おこさせ、結晶基
板表面１／ｉｎなめらかにエツチング液をいきわ１ζら
せる。
て説明する、先ず、石英ビーカー２にエツチング液の一
足景３ヶ人ね、マグネテックスクーラーｉによって十分
に掬、拌しておく、次いで、基板ホルダー６のささえ棒
９〜９″で結晶基板８をその表面が上向きとなるように
セットし、エツチング液の攪拌を一度中断してから基板
ホルダー６をエツチングｉｌｌ［３中に浸漬し、再度エ
ツチング液の攪拌を開始する。石英ビーカー２の隔壁５
の孔の部分よりエツチング液に対流？おこさせ、結晶基
板表面１／ｉｎなめらかにエツチング液をいきわ１ζら
せる。
なお、上記では結晶基板４枚を同時に処理することの例
ケ示したけれども、必仮ＶＣ応じて基板ホルダー等の４
’＋ｉ敗に若干の変更を加えて４枚以上の枚数の結晶基
板を同時にエツチングすることももちろん可能である。
ケ示したけれども、必仮ＶＣ応じて基板ホルダー等の４
’＋ｉ敗に若干の変更を加えて４枚以上の枚数の結晶基
板を同時にエツチングすることももちろん可能である。
（０）発明の効果
本発明によれば、複数板の結晶基板を簡単な操作だけで
１回のみてケミカルエツチングすることができ、葦１ζ
、均一性の高い鏡面材二の表面にイ８ることかできる。
１回のみてケミカルエツチングすることができ、葦１ζ
、均一性の高い鏡面材二の表面にイ８ることかできる。
し７こがって、エツチング結晶基板の高歩留ジ、そして
量肢化がＤＪ能である。
量肢化がＤＪ能である。
第１図は本発明によるケミカルエツチング装；区の好ま
しい一例を示し罠ｋＪ１面図、第２図はエツチングホル
ダーに結晶基板ｒセントし罠時の状態を示した平面図、
そして第３図は第２図の側凹図である。図中、■はマグ
ネテックスクーラー、２は石英ビーカー−３はエツチン
グ液、４はマグネット、５μＭ孔隔壁、６はエツチング
ホルダー、７は被処理物水平固定具、８μ被処理物、９
はささえ棒、そして１０はネジ止めである。 第１図 第２図 第３図
しい一例を示し罠ｋＪ１面図、第２図はエツチングホル
ダーに結晶基板ｒセントし罠時の状態を示した平面図、
そして第３図は第２図の側凹図である。図中、■はマグ
ネテックスクーラー、２は石英ビーカー−３はエツチン
グ液、４はマグネット、５μＭ孔隔壁、６はエツチング
ホルダー、７は被処理物水平固定具、８μ被処理物、９
はささえ棒、そして１０はネジ止めである。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １、エツチング液槽に該エツチング液槽内壁から略水平
に延び且つ複数の孔を有する隔壁が、前記エンチング液
槽内を下部領域と上部領域とを分離する如く配設され、
該下部領域ＶＣはエツチング液を攪拌するマグネチック
スターラーが設けられ、該上部領域には被処理物が略水
平に且つ複数枚保持できる保持具が設けられてなること
を特徴とするケミカルエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5362583A JPS59179788A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ケミカルエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5362583A JPS59179788A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ケミカルエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59179788A true JPS59179788A (ja) | 1984-10-12 |
| JPH0353393B2 JPH0353393B2 (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=12948085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5362583A Granted JPS59179788A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | ケミカルエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59179788A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162527U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-24 | ||
| JPH0276229A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| CN103762160A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-30 | 北京华力创通科技股份有限公司 | 深硅刻蚀方法及其装置 |
| CN111379009A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-07-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法 |
| KR102417059B1 (ko) * | 2021-12-22 | 2022-07-06 | 램테크놀러지 주식회사 | 식각액 검증을 위한 배치형 식각 장치 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5362583A patent/JPS59179788A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63162527U (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-24 | ||
| JPH0276229A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-15 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| CN103762160A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-30 | 北京华力创通科技股份有限公司 | 深硅刻蚀方法及其装置 |
| CN103762160B (zh) * | 2014-01-28 | 2017-05-10 | 北京华力创通科技股份有限公司 | 深硅刻蚀方法 |
| CN111379009A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-07-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置及其抛光方法 |
| KR102417059B1 (ko) * | 2021-12-22 | 2022-07-06 | 램테크놀러지 주식회사 | 식각액 검증을 위한 배치형 식각 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0353393B2 (ja) | 1991-08-14 |
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