JPH0983125A - 回路基板に部品をはんだ付けするための装置 - Google Patents
回路基板に部品をはんだ付けするための装置Info
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- JPH0983125A JPH0983125A JP8187752A JP18775296A JPH0983125A JP H0983125 A JPH0983125 A JP H0983125A JP 8187752 A JP8187752 A JP 8187752A JP 18775296 A JP18775296 A JP 18775296A JP H0983125 A JPH0983125 A JP H0983125A
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0646—Solder baths
- B23K3/0653—Solder baths with wave generating means, e.g. nozzles, jets, fountains
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/08—Soldering by means of dipping in molten solder
- B23K1/085—Wave soldering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/08—Auxiliary devices therefor
- B23K3/085—Cooling, heat sink or heat shielding means
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Molten Solder (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板と部品を効率的に冷却可能なはんだ
付け装置の提供 【解決手段】 はんだ付け装置は、予備加熱ゾーン１６
と、乱流ウエーブ１８および層流ウエーブ２０を含む溶
融はんだウエーブと、はんだウエーブの層流ウエーブか
ら出た基板１５が通過する冷却ゾーン２２とを通して基
板を搬送するためのコンベア１２をトンネル１４内に有
する。装置はさらに、圧力下の冷ガスを受け入れるため
の入口ポート２６と、冷ガスを基板に向けるための少な
くとも１つの出口ノズル２８とを有し、これにより基板
と部品とを急速に冷却する、トンネル内に装着された少
なくとも１つの分配マニフォルド２４を備える。
付け装置の提供 【解決手段】 はんだ付け装置は、予備加熱ゾーン１６
と、乱流ウエーブ１８および層流ウエーブ２０を含む溶
融はんだウエーブと、はんだウエーブの層流ウエーブか
ら出た基板１５が通過する冷却ゾーン２２とを通して基
板を搬送するためのコンベア１２をトンネル１４内に有
する。装置はさらに、圧力下の冷ガスを受け入れるため
の入口ポート２６と、冷ガスを基板に向けるための少な
くとも１つの出口ノズル２８とを有し、これにより基板
と部品とを急速に冷却する、トンネル内に装着された少
なくとも１つの分配マニフォルド２４を備える。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、回路基板を製造するため
の流動はんだ付け( ウエーブ・ソルダリング）装置に関
する。特に、本発明は、そのような基板に電気部品を機
械的にはんだ付けする前後に回路基板を冷却するための
装置に関する。
の流動はんだ付け( ウエーブ・ソルダリング）装置に関
する。特に、本発明は、そのような基板に電気部品を機
械的にはんだ付けする前後に回路基板を冷却するための
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】流動はんだ付けでは、回路基板が、ウエ
ーブ（溶融はんだの流動波）を通過する際に、数秒間に
わたって高温に晒される。感熱性部品の耐高温性は、温
度スパイクが加えられる期間に関連する。過度の熱が長
時間にわたって加えられると、部品は損傷を受ける可能
性がある。基板は、ウエーブを通過する前に、熱衝撃を
最小にするために加熱される。高温はんだ合金を使用す
る場合、予備加熱ゾーンも、より高い予備加熱値に加熱
される。これも部品の損傷を招く。
ーブ（溶融はんだの流動波）を通過する際に、数秒間に
わたって高温に晒される。感熱性部品の耐高温性は、温
度スパイクが加えられる期間に関連する。過度の熱が長
時間にわたって加えられると、部品は損傷を受ける可能
性がある。基板は、ウエーブを通過する前に、熱衝撃を
最小にするために加熱される。高温はんだ合金を使用す
る場合、予備加熱ゾーンも、より高い予備加熱値に加熱
される。これも部品の損傷を招く。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】より高温のはんだは、
より高いウエーブ温度を必要とする。したがって、環境
および信頼性を理由とする高温はんだへの移行は、流動
はんだ付けに温度上の新たな拘束を生じる。部品はこの
高温に短時間しか耐えることができない。したがって、
最小限に追加の不活性ガスを要する清潔で保守不要でエ
ネルギー効率的な冷却手段を提供するために、はんだ付
け直後に基板および部品の温度を下げることが望まし
い。
より高いウエーブ温度を必要とする。したがって、環境
および信頼性を理由とする高温はんだへの移行は、流動
はんだ付けに温度上の新たな拘束を生じる。部品はこの
高温に短時間しか耐えることができない。したがって、
最小限に追加の不活性ガスを要する清潔で保守不要でエ
ネルギー効率的な冷却手段を提供するために、はんだ付
け直後に基板および部品の温度を下げることが望まし
い。
【０００４】従来の方策の例が米国特許第４３６１９６
７号である。しかし、この文献は、はんだ付けウエーブ
に晒される前の冷却を示していない。
７号である。しかし、この文献は、はんだ付けウエーブ
に晒される前の冷却を示していない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の流動はんだ付け
装置は、回路基板に部品をはんだ付けするために使用さ
れる。従来と同様に、この装置は、予備加熱ゾーンと、
乱流領域および層流領域を含む溶融はんだウエーブと、
はんだウエーブの層流領域から出たときに基板が通過す
る冷却ゾーンとを通って基板を搬送するためにトンネル
内に配置されたコンベアを含んでいる。
装置は、回路基板に部品をはんだ付けするために使用さ
れる。従来と同様に、この装置は、予備加熱ゾーンと、
乱流領域および層流領域を含む溶融はんだウエーブと、
はんだウエーブの層流領域から出たときに基板が通過す
る冷却ゾーンとを通って基板を搬送するためにトンネル
内に配置されたコンベアを含んでいる。
【０００６】少なくとも１つの分配マニフォルドないし
プリナムがトンネル内に装着されている。各マニフォル
ドは、圧力下の冷ガスを受け入れるための入口ポート
と、冷ガスを回路基板の高温面に向けるための少なくと
も１の出口ノズルとを有し、これにより、回路基板と部
品とを急速に冷却する。
プリナムがトンネル内に装着されている。各マニフォル
ドは、圧力下の冷ガスを受け入れるための入口ポート
と、冷ガスを回路基板の高温面に向けるための少なくと
も１の出口ノズルとを有し、これにより、回路基板と部
品とを急速に冷却する。
【０００７】本発明の上記目的および他の目的、特徴な
らびに効果は、添付図面に関連して解釈すれば、本発明
を実施するための最良の形態に関する下記詳細な説明か
ら容易に明らかである。
らびに効果は、添付図面に関連して解釈すれば、本発明
を実施するための最良の形態に関する下記詳細な説明か
ら容易に明らかである。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１の図面をまず参照すると、部
品を回路基板１５にはんだ付けするための流動はんだ付
け装置１０が示されている。従来と同様に、この装置
は、予備加熱ゾーン１６を通して基板１５を搬送するよ
うにトンネル１４内に配置されたコンベア１２を含んで
いる。予備加熱ゾーン１６は、コンベア１２の下側に配
置された１つ乃至それ以上のヒーター３２を含んでい
る。各分配マニフォルド２４が、トンネル１４内におい
て予備加熱ゾーン１６内のコンベア１２の上側に装着さ
れている。各分配マニフォルド２４は回路基板面から約
１．３〜１５ｃｍ（０．５〜６．０インチ）内に装着さ
れるのが好ましい。そこから、基板１５ははんだ槽３４
から放出される２つの溶融はんだウエーブを通過する。
これらのウエーブは乱流ウエーブ１８と層流ウエーブ２
０とを含んでいる。その後、基板は冷却ゾーン２２を通
過する。
品を回路基板１５にはんだ付けするための流動はんだ付
け装置１０が示されている。従来と同様に、この装置
は、予備加熱ゾーン１６を通して基板１５を搬送するよ
うにトンネル１４内に配置されたコンベア１２を含んで
いる。予備加熱ゾーン１６は、コンベア１２の下側に配
置された１つ乃至それ以上のヒーター３２を含んでい
る。各分配マニフォルド２４が、トンネル１４内におい
て予備加熱ゾーン１６内のコンベア１２の上側に装着さ
れている。各分配マニフォルド２４は回路基板面から約
１．３〜１５ｃｍ（０．５〜６．０インチ）内に装着さ
れるのが好ましい。そこから、基板１５ははんだ槽３４
から放出される２つの溶融はんだウエーブを通過する。
これらのウエーブは乱流ウエーブ１８と層流ウエーブ２
０とを含んでいる。その後、基板は冷却ゾーン２２を通
過する。
【０００９】基板は、乱流ウエーブ１８を通過する前
に、フラックススプレーユニット３８とヒーター３２と
を通過し、これらのヒーターは、基板がはんだ槽の乱流
および層流ウエーブ１８，２０に係合する前に、基板１
５の下側に熱エネルギーを供給する。
に、フラックススプレーユニット３８とヒーター３２と
を通過し、これらのヒーターは、基板がはんだ槽の乱流
および層流ウエーブ１８，２０に係合する前に、基板１
５の下側に熱エネルギーを供給する。
【００１０】回路基板に装着される感熱性部品が晒され
る、損傷を与える可能性がある高温を防止するために、
少なくとも１つの分配マニフォルドないしプリナム２４
がトンネル１４内に装着される。各マニフォルド２４は
圧力下の冷ガスを受け入れるための入口ポート２６（図
３）を有している。冷ガスは、この冷ガスを回路基板に
向けるための少なくとも１つの出口ノズル２８を介して
分配マニフォルド２４から放出され、これにより、回路
基板と部品とを急速に冷却する。このように、各出口ノ
ズル２８からのこの冷放出物は冷ガスナイフとして作用
する。
る、損傷を与える可能性がある高温を防止するために、
少なくとも１つの分配マニフォルドないしプリナム２４
がトンネル１４内に装着される。各マニフォルド２４は
圧力下の冷ガスを受け入れるための入口ポート２６（図
３）を有している。冷ガスは、この冷ガスを回路基板に
向けるための少なくとも１つの出口ノズル２８を介して
分配マニフォルド２４から放出され、これにより、回路
基板と部品とを急速に冷却する。このように、各出口ノ
ズル２８からのこの冷放出物は冷ガスナイフとして作用
する。
【００１１】図１を参照し続けると、開示されている流
動はんだ付け装置の実施例においては、２つの分配マニ
フォルド２４が予備加熱ゾーン１６内に設けられている
ことが分かる。望むならば、回路基板の冷却を補うため
に、１つ乃至それ以上の分配マニフォルド６６がトンネ
ル１４内の冷却ゾーンに装着される。これらのマニフォ
ルド６６は、コンベア１２および回路基板の上側または
下側、あるいは、上側および下側の双方に装着可能であ
る。選択的に、マニフォルド６６は、はんだリフロー後
に、回路基板１５の底側を冷却することができる。
動はんだ付け装置の実施例においては、２つの分配マニ
フォルド２４が予備加熱ゾーン１６内に設けられている
ことが分かる。望むならば、回路基板の冷却を補うため
に、１つ乃至それ以上の分配マニフォルド６６がトンネ
ル１４内の冷却ゾーンに装着される。これらのマニフォ
ルド６６は、コンベア１２および回路基板の上側または
下側、あるいは、上側および下側の双方に装着可能であ
る。選択的に、マニフォルド６６は、はんだリフロー後
に、回路基板１５の底側を冷却することができる。
【００１２】図１は、少なくとも１つの分配マニフォル
ド６６がはんだウエーブの層流ウエーブ２０の出口に近
接してトンネル１４内に装着されている流動はんだ付け
装置の構造を示している。少なくとも１つの分配マニフ
ォルド６６を配置するに際し、はんだウエーブを凍結な
いし冷さないように注意が必要である。実際上、層流ウ
エーブとマニフォルド６６との間が約３０ｃｍ（約１２
インチ）離れていれば十分である。したがって、冷却ゾ
ーン内に配置された分配マニフォルドは、はんだ接合部
を迅速かつ有効に冷却し、これにより、細粒化(small g
rain size)を促進して疲労特性を改善する。典型的な冷
却速度は１秒当たり約２°〜１０℃である。
ド６６がはんだウエーブの層流ウエーブ２０の出口に近
接してトンネル１４内に装着されている流動はんだ付け
装置の構造を示している。少なくとも１つの分配マニフ
ォルド６６を配置するに際し、はんだウエーブを凍結な
いし冷さないように注意が必要である。実際上、層流ウ
エーブとマニフォルド６６との間が約３０ｃｍ（約１２
インチ）離れていれば十分である。したがって、冷却ゾ
ーン内に配置された分配マニフォルドは、はんだ接合部
を迅速かつ有効に冷却し、これにより、細粒化(small g
rain size)を促進して疲労特性を改善する。典型的な冷
却速度は１秒当たり約２°〜１０℃である。
【００１３】図２に示すように、冷ガスが渦式冷却装置
３０により供給される。図２の渦式装置は従来と同様
に、入口４０を有する渦式チューブを含み、このチュー
ブは渦式チューブ入口４０を介して典型的には約２１℃
（７０°Ｆ）である圧縮空気を受け入れる。流入空気が
渦発生チャンバに供給され、このチャンバから冷気が冷
流４２を通って典型的には約−４５．６℃（−５０°
Ｆ）で放出される。暖気が、渦式暖気出口４４から一般
的に約９３℃（約２００°Ｆ）で排出される。好適な渦
式チューブがオハイオ州、シンシナチのITW Vortec社か
ら入手可能である。他の好適な装置は、同じシンシナチ
のEXAIR Corporation 社から入手可能である。この構造
は軸を中心として回転する流体の渦原理で作動する。渦
式チューブは圧縮空気から渦を発生し、この渦を２つの
流れ、すなわち、高温流と冷流とに分離する。
３０により供給される。図２の渦式装置は従来と同様
に、入口４０を有する渦式チューブを含み、このチュー
ブは渦式チューブ入口４０を介して典型的には約２１℃
（７０°Ｆ）である圧縮空気を受け入れる。流入空気が
渦発生チャンバに供給され、このチャンバから冷気が冷
流４２を通って典型的には約−４５．６℃（−５０°
Ｆ）で放出される。暖気が、渦式暖気出口４４から一般
的に約９３℃（約２００°Ｆ）で排出される。好適な渦
式チューブがオハイオ州、シンシナチのITW Vortec社か
ら入手可能である。他の好適な装置は、同じシンシナチ
のEXAIR Corporation 社から入手可能である。この構造
は軸を中心として回転する流体の渦原理で作動する。渦
式チューブは圧縮空気から渦を発生し、この渦を２つの
流れ、すなわち、高温流と冷流とに分離する。
【００１４】作動時、圧縮空気または不活性ガスが円筒
状の発生器(generator) に供給され、この発生器は高温
（長尺）チューブより比例的に大きく、このチューブ内
で空気を回転させる。回転空気は、1,000,000 rpm に達
する速度で高温チューブの内壁に付勢される。
状の発生器(generator) に供給され、この発生器は高温
（長尺）チューブより比例的に大きく、このチューブ内
で空気を回転させる。回転空気は、1,000,000 rpm に達
する速度で高温チューブの内壁に付勢される。
【００１５】高温チューブの端部において、この空気の
少量が高温排気としてニードルバルブから排出される。
残りの空気はより遅い速度で流入空気流の中心に逆流さ
れる。より遅く移動する空気からの熱がより速く移動す
る流入空気に伝達される。過冷却された空気は発生器の
中心を通って流れ、冷気排出ポート４２から排出され
る。この結果、約１２１℃（２５０°Ｆ）までの空気が
チューブの一方の端部から放出され、約−４５．６℃
（−５０°Ｆ）の空気が他方の端部から放出される。チ
ューブは約７．０３ｋｇ／ｃｍ2 （１００ｐｓｉｇ）で
約２１℃（７０°Ｆ）のろ過された工場用圧縮空気で作
動する。ガスは約０．７０３〜８．４３６ｋｇ／ｃｍ2
（１０〜１２０ｐｓｉｇ）の圧力で渦式冷却装置３０に
供給されるのが好ましい。
少量が高温排気としてニードルバルブから排出される。
残りの空気はより遅い速度で流入空気流の中心に逆流さ
れる。より遅く移動する空気からの熱がより速く移動す
る流入空気に伝達される。過冷却された空気は発生器の
中心を通って流れ、冷気排出ポート４２から排出され
る。この結果、約１２１℃（２５０°Ｆ）までの空気が
チューブの一方の端部から放出され、約−４５．６℃
（−５０°Ｆ）の空気が他方の端部から放出される。チ
ューブは約７．０３ｋｇ／ｃｍ2 （１００ｐｓｉｇ）で
約２１℃（７０°Ｆ）のろ過された工場用圧縮空気で作
動する。ガスは約０．７０３〜８．４３６ｋｇ／ｃｍ2
（１０〜１２０ｐｓｉｇ）の圧力で渦式冷却装置３０に
供給されるのが好ましい。
【００１６】この渦式冷却装置は渦式チューブ入口４０
を通って装置に流入するガスを変換する手段を意味す
る。このガスは、分配マニフォルド２４の入口ポート２
６（図３）に送られる冷流と、渦式温流排出出口ポート
４４（図２）から排出されてトンネル内の不活性ガス流
３６を増大し、これにより、はんだの酸化を最小にする
高温流とに変換される。典型的に使用される不活性ガス
は窒素とアルゴンと二酸化炭素とを含んでいる。
を通って装置に流入するガスを変換する手段を意味す
る。このガスは、分配マニフォルド２４の入口ポート２
６（図３）に送られる冷流と、渦式温流排出出口ポート
４４（図２）から排出されてトンネル内の不活性ガス流
３６を増大し、これにより、はんだの酸化を最小にする
高温流とに変換される。典型的に使用される不活性ガス
は窒素とアルゴンと二酸化炭素とを含んでいる。
【００１７】したがって、温流はシステムに流入する不
活性ガスを補充し、これにより、熱と不活性ガスとを有
効に使用する。
活性ガスを補充し、これにより、熱と不活性ガスとを有
効に使用する。
【００１８】これらの分配マニフォルドを通過する通常
の室温ガスでの初期試験の際、プリナムチャンバからの
温ガスは、トンネル内に含まれたガスと混合した際に回
路基板の上側の加熱を有効に増大する。本発明のこの特
徴は、回路基板上の熱的に密な大きな部品または回路基
板自体を加熱するのに有用である。大きな部材または大
きな部品を含む構造の場合、温度はより小さな部材の場
合ほど迅速に上昇しない。したがって、本発明は、望む
場合、基板の上側への熱の供給を増大するという特性を
有している。
の室温ガスでの初期試験の際、プリナムチャンバからの
温ガスは、トンネル内に含まれたガスと混合した際に回
路基板の上側の加熱を有効に増大する。本発明のこの特
徴は、回路基板上の熱的に密な大きな部品または回路基
板自体を加熱するのに有用である。大きな部材または大
きな部品を含む構造の場合、温度はより小さな部材の場
合ほど迅速に上昇しない。したがって、本発明は、望む
場合、基板の上側への熱の供給を増大するという特性を
有している。
【００１９】種々の条件下で、約２１℃（７０°Ｆ）の
温度低下が、渦式冷却装置３０に流入するガス温度とこ
の冷却装置を離れるガス温度との間で観察された。
温度低下が、渦式冷却装置３０に流入するガス温度とこ
の冷却装置を離れるガス温度との間で観察された。
【００２０】図１に示すように、冷却されたガスが少な
くとも１つの出口ノズル２８から放出されて、回路基板
に向けられたスプレーパターンを形成する。望む場合、
特定の領域または回路基板１５の全面に対するスプレー
パターン４６（図５）を制御または管理するために、ノ
ズル構造を選択することができる。
くとも１つの出口ノズル２８から放出されて、回路基板
に向けられたスプレーパターンを形成する。望む場合、
特定の領域または回路基板１５の全面に対するスプレー
パターン４６（図５）を制御または管理するために、ノ
ズル構造を選択することができる。
【００２１】次に、図５および図６を主に参照すると、
少なくとも１つの出口ノズル２８は、３列の出口ノズル
より成る。各列は３つのノズルを有している。各ノズル
は回路基板の面に所定形状で所定量のガスを放出する。
選択されたノズルに依り、この所定形状の所定量のガス
は、全体として、図示のような楕円形状に、または、望
む場合、矩形状にできる。このように、各ノズルから放
出された所定量のガスは、回路基板に衝突する所定形状
の分配パターン配列（図５）を形成する。
少なくとも１つの出口ノズル２８は、３列の出口ノズル
より成る。各列は３つのノズルを有している。各ノズル
は回路基板の面に所定形状で所定量のガスを放出する。
選択されたノズルに依り、この所定形状の所定量のガス
は、全体として、図示のような楕円形状に、または、望
む場合、矩形状にできる。このように、各ノズルから放
出された所定量のガスは、回路基板に衝突する所定形状
の分配パターン配列（図５）を形成する。
【００２２】図３に戻ると、各分配マニフォルド２４
に、スペースを形成する中空壁部５０を設けてもよく、
このスペースに冷却剤を通して、分配マニフォルド２４
の中央チャンバ５２を通過するガスの冷却または熱絶縁
を維持することができる。その代わりに、中央チャンバ
５２がトンネル内の高温により加熱されるのを保護する
熱バリアとして作用する真空状態を導入することができ
る。
に、スペースを形成する中空壁部５０を設けてもよく、
このスペースに冷却剤を通して、分配マニフォルド２４
の中央チャンバ５２を通過するガスの冷却または熱絶縁
を維持することができる。その代わりに、中央チャンバ
５２がトンネル内の高温により加熱されるのを保護する
熱バリアとして作用する真空状態を導入することができ
る。
【００２３】次に、図４を参照すると、他の実施例にお
ける流動はんだ付け装置１０は、第２の渦式冷却装置６
４を含んでもよく、この冷却装置は、プリナムの回りの
ジャケットチャンバに冷気を供給して外部の熱がプリナ
ム内の冷却スプレーに影響を及ぼすのを防止するため
に、分配マニフォルド２４の中空壁部５０に接続されて
いる。
ける流動はんだ付け装置１０は、第２の渦式冷却装置６
４を含んでもよく、この冷却装置は、プリナムの回りの
ジャケットチャンバに冷気を供給して外部の熱がプリナ
ム内の冷却スプレーに影響を及ぼすのを防止するため
に、分配マニフォルド２４の中空壁部５０に接続されて
いる。
【００２４】図３に示すように、少なくとも１つの分配
マニフォルド２４の各々は、壁部５０により形成された
中央チャンバ５２と、少なくとも１つの出口ノズル２８
が固着されている床部と、傾斜ルーフ５８とを有してい
る。傾斜ルーフ５８は壁部５４に対し下方に傾斜し、少
なくとも１つの出口ノズル２８から放出される前にチャ
ンバ５２全体にわたってガスの圧力分配を均一に促進す
るために、壁部５４に入口ポート２６が設けられてい
る。
マニフォルド２４の各々は、壁部５０により形成された
中央チャンバ５２と、少なくとも１つの出口ノズル２８
が固着されている床部と、傾斜ルーフ５８とを有してい
る。傾斜ルーフ５８は壁部５４に対し下方に傾斜し、少
なくとも１つの出口ノズル２８から放出される前にチャ
ンバ５２全体にわたってガスの圧力分配を均一に促進す
るために、壁部５４に入口ポート２６が設けられてい
る。
【００２５】望むならば、ガス分配スクリーンをマニフ
ォルド内に設けることができる。図３に示すように、ガ
ス分配スクリーン６０が床部５６に対しほぼ平行に設け
られている。その代わりに、或いはこれに加えて、ガス
分配スクリーンが、たとえば、直交するように、床部に
対して角度をなして設けられる。
ォルド内に設けることができる。図３に示すように、ガ
ス分配スクリーン６０が床部５６に対しほぼ平行に設け
られている。その代わりに、或いはこれに加えて、ガス
分配スクリーンが、たとえば、直交するように、床部に
対して角度をなして設けられる。
【００２６】図１と図３に最も良く見られるように、少
なくとも１つの出口ノズル２８は、回路基板の加熱面に
対して鋭角をなして傾斜した方向に沿って且つトンネル
１４内のコンベア１２に沿う基板１５の移動方向に対し
反対方向に、冷ガスを回路基板の加熱面に向ける。
なくとも１つの出口ノズル２８は、回路基板の加熱面に
対して鋭角をなして傾斜した方向に沿って且つトンネル
１４内のコンベア１２に沿う基板１５の移動方向に対し
反対方向に、冷ガスを回路基板の加熱面に向ける。
【００２７】作動時、開示された装置は、圧力下の冷ガ
スを受け入れるための入口ポートを有する分配マニフォ
ルドを提供し、冷ガス源を入口ポートに接続し、さら
に、冷ガスの放出物がノズルを離れたときに広がるよう
に、少なくとも１つの出口ノズルを介して冷ガスをマニ
フォルドから外方に分配し、これにより、回路基板と部
品とを急速に冷却するプロセス段階を含んでいる。
スを受け入れるための入口ポートを有する分配マニフォ
ルドを提供し、冷ガス源を入口ポートに接続し、さら
に、冷ガスの放出物がノズルを離れたときに広がるよう
に、少なくとも１つの出口ノズルを介して冷ガスをマニ
フォルドから外方に分配し、これにより、回路基板と部
品とを急速に冷却するプロセス段階を含んでいる。
【００２８】本発明を実施するための最良の形態につい
て詳細に説明したが、本発明が関連する技術に精通した
者は、上記特許請求の範囲で定義された本発明を実施す
るための他の種々の構造および実施例を認識するであろ
う。
て詳細に説明したが、本発明が関連する技術に精通した
者は、上記特許請求の範囲で定義された本発明を実施す
るための他の種々の構造および実施例を認識するであろ
う。
【図１】本発明のはんだ付け装置の概略断面図。
【図２】はんだ付け装置内に配置された分配マニフォル
ドの下側と、分配マニフォルドに供給される冷却された
ガス流とはんだ付け装置内の不活性ガスを増大するため
の温流とを発生するための渦式冷却装置との斜視図。
ドの下側と、分配マニフォルドに供給される冷却された
ガス流とはんだ付け装置内の不活性ガスを増大するため
の温流とを発生するための渦式冷却装置との斜視図。
【図３】分配マニフォルドの断面図。
【図４】開示された発明の他の実施例を示す図。
【図５】分配マニフォルドに組み合わせた出口ノズルで
形成されるスプレーパターンを示す図。
形成されるスプレーパターンを示す図。
【図６】図５のスプレーパターンを生ずる出口ノズルの
位置を示す分配マニフォルドの底面図。
位置を示す分配マニフォルドの底面図。
１０ はんだ付け装置 １２ コンベア １４ トンネル １５ 回路基板 １６ 予備加熱ゾーン １８ 乱流ウエーブ ２０ 層流ウエーブ ２２ 冷却ゾーン ２４ 分配マニフォルド ２６ 入口ポート ２８ 出口ノズル ３０ 渦式冷却装置 ３２ ヒーター ３４ はんだ槽 ３８ フラックススプレーユニット ４０ 入口 ４２ 冷気排出ポート ４４ 暖気出口 ５０ 中空壁部 ５２ 中央チャンバ ５４ 壁部 ５６ 床部 ５８ 傾斜ルーフ ６０ ガス分配スクリーン ６４ 第２渦式冷却装置 ６６ マニフォルド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ティモシー ジョセフ ヤードン アメリカ合衆国ミシガン州ベレビル，ビレ ッジ グリーン ドライブ 46121，アパ ートメント 134
Claims (2)
- 【請求項１】 部品を回路基板にはんだ付けするための
装置であって、予備加熱ゾーンと、乱流ウエーブおよび
層流ウエーブを含む溶融はんだウエーブと、このはんだ
ウエーブの層流ウエーブから出たときに基板が通過する
冷却ゾーンとを通して基板を搬送するためのコンベアを
トンネル内に有する装置において、 加圧した冷ガスを受け入れるための入口ポートと、冷ガ
スを回路基板に向けるための少なくとも１つの出口ノズ
ルとを有し、これにより回路基板と部品を急速に冷却す
る、トンネル内に装着された少なくとも１つの分配マニ
フォルドを備えることを特徴とする、部品を回路基板に
はんだ付けするための装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置であって、圧力下
の冷ガスを供給するために前記分配マニフォルドの入口
ポートに接続された渦式冷却装置をさらに備える、部品
を回路基板にはんだ付けするための装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US524662 | 1983-08-19 | ||
| US08/524,662 US5685475A (en) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | Apparatus for cooling printed circuit boards in wave soldering |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983125A true JPH0983125A (ja) | 1997-03-28 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US5685475A (ja) |
| EP (1) | EP0761361B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0983125A (ja) |
| DE (1) | DE69616912T2 (ja) |
| ES (1) | ES2169212T3 (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050712 |