JP2841885B2 - リフロー装置 - Google Patents

リフロー装置

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JP2841885B2
JP2841885B2 JP2075791A JP2075791A JP2841885B2 JP 2841885 B2 JP2841885 B2 JP 2841885B2 JP 2075791 A JP2075791 A JP 2075791A JP 2075791 A JP2075791 A JP 2075791A JP 2841885 B2 JP2841885 B2 JP 2841885B2
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省二 酒見
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリフロー装置に係り、加
熱室の出口側に設けられた噴出部から基板に向ってチッ
ソガスを噴出することにより、加熱処理が終了した基板
を急速冷却するとともに、チッソガスが加熱室外へ流出
するのを防止するようにしたものである。
【0002】
【従来の技術】電子部品実装装置により電子部品が搭載
された基板は、リフロー装置の加熱室へ送られ、電子部
品の電極を基板の回路パターンに接着する半田の加熱処
理が行われる。この加熱処理は、基板を常温から半田の
溶融温度(一般に約230℃)以上まで加熱した後、溶
融した半田を冷却して固化させるものであるが、従来、
半田は、加熱室の出口側に設けられたファンにより空冷
していた。また、上記のように基板を加熱すると、半
田、電子部品の電極、基板の回路パターンなどの金属部
分が酸化されることから、加熱室にチッソガスを送り、
チッソガス雰囲気中において、加熱処理を行うことが知
られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記半田の冷却は、速
かに急速冷却することが望ましいものであるが、上記従
来の冷却手段では、半田を急速冷却できない問題点があ
った。
【0004】また加熱室にチッソガスを送る従来手段に
あっては、チッソガスは加熱室の入口や出口から加熱室
外へ流出して無駄に消費され、このためランニングコス
トがきわめて高くなる問題点があった。
【0005】そこで本発明は、チッソガスを使用するリ
フロー装置において、チッソガスの無駄な消費を防止し
ながら、半田の冷却を有利に行える手段を提供すること
を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータが配設
された加熱室と、この加熱室内を電子部品が搭載された
基板を搬送するコンベヤと、この加熱室にチッソガスを
供給するチッソガス供給手段とから成るリフロー装置に
おいて、上記加熱室の出口側の上部と下部に、上記コン
ベヤにより搬送される基板の上面と下面へ向ってチッソ
ガスを噴出する噴出部を設けたものである。そして、噴
出部から基板の上面へ向って噴出されるチッソガスの風
圧を、下面へ向って噴出されるチッソガスの風圧よりも
大きくしたものである。
【0007】
【作用】上記構成において、基板はコンベヤにより搬送
されながら、半田の加熱処理が行われる。次いで基板は
加熱室から搬出されるが、その際、噴出部から基板の上
面と下面にチッソガスが吹き付けられ、半田は冷却され
る。
【0008】
【実施例】(実施例1)次に、図面を参照しながら本発
明の実施例を説明する。
【0009】図1はリフロー装置の側面図である。1は
加熱室であり、その内部にはヒータ2とファン3が配設
されている。4は電子部品Pが搭載された基板7を搬送
するコンベヤ、5は搬入コンベヤ、6は搬出コンベヤ、
8、9は加熱室1の入口と出口である。
【0010】10は液体チッソボンベやチッソ分離装置
のようなチッソガス供給手段であって、管路11を通し
て、加熱室1内にチッソガスを供給する。12は加熱室
1の出口側に設けられた出口ダクトであり、この出口ダ
クト12の内部は冷却ゾーンとなっている。この出口ダ
クト12の断面積は加熱室1の断面積よりもかなり小さ
く、その天井部12aと底部12bは、コンベヤ4によ
り搬送される基板7の上面と下面に接近している(図3
参照)。
【0011】図2は要部の斜視図、図3は断面図であ
る。13は出口ダクト12の天井部12aと底部12b
に装着されたボックスであり、上記管路11に連通して
いる。14はこのボックス13に設けられたノズル状の
噴出部であり、この噴出部14は、基板7の搬送方向に
沿って複数個設けられている。この噴出部14は、加熱
室1の内部側へ傾斜しており、その先端面にはスリット
状の噴出孔15a,15bが開孔されている。したがっ
て、この噴出孔15a,15bから基板7の上面と下面
へ向って、チッソガスが吹き付けられる。上方の噴出孔
15aは、下方の噴の噴出孔15bよりも細く開孔され
ており、したがって上方の噴出部15aは、下方の噴出
部15bよりも勢いよくチッソガスを噴出する。図2に
おいて、Sは半田である。
【0012】このリフロー装置は上記のような構成より
成り、電子部品Pが搭載された基板7は、コンベヤ4に
より搬送されながら、半田Sの加熱処理が行われる。半
田Sは230℃程度まで加熱されることにより溶融し、
次いで基板7は出口ダクト12内を通過する。
【0013】その際、噴出部14から基板7へチッソガ
スが吹き付けられ、基板7は急速に冷却されて半田Sは
速やかに硬化する。この場合、図3に示すように、ノズ
ル14は加熱室1の内部側へ傾斜しているので、チッソ
ガスは加熱室1の内部側へ向かって斜方向に噴出され、
チッソガスが出口9から不要に流出するのを抑制でき
る。すなわちこの噴出部14は、加熱室1内のチッソガ
スが加熱室外へ流出するのを防止する気体シャッタ手段
を兼務している。また噴出部14を基板7の搬送方向に
沿って複数個設けることにより、チッソガスを基板7に
長時間吹き付けて、冷却効果をあげることができる。
【0014】また上述のようにチッソガスを斜方向に噴
出させることにより、チッソガスを基板7の上面と下面
に沿って流し、基板全面の冷却効果をあげることができ
る。また上方の噴出孔15aを、下方の噴出孔15bよ
りも細く開孔したことにより、基板7の上面に吹き付け
られる風圧を、基板7の下面に吹き付けられる風圧より
も大きくし、基板7が下方から吹き付けられるチッソガ
スにあおられてコンベヤ4から脱落するのを防止でき
る。
【0015】また、液体チッソボンベ内の液体チッソ
は、−200℃であり、気化することにより、0℃のチ
ッソガスとなる。したがってチッソガス供給手段10と
してチッソガスボンベを使用すれば、噴出部14から低
温のチッソガスを吹き付けて、半田Sを速やかに急速冷
却させることができる。またチッソガス供給手段10と
して、チッソ分離器などを使用する場合も、チッソガス
の温度はかなり低く、上記従来手段よりも急速冷却する
ことができる。
【0016】(実施例2)図4において、上方の噴出部
14は4個、下方の噴出部14は2個設けられている。
したがってこのものも、上方の風圧は下方の風圧よりも
大きく、下方から吹き付けられるチッソガスにより基板
7があおられてコンベヤ4から脱落するのを防止でき
る。このように、基板7がチッソガスにあおられるのを
防止する手段は種々考えられるのであって、要は上方の
噴出部から吹き出されるチッソガスの風圧を、下方の噴
出部から吹き出されるチッソガスの風圧よりも大きくす
ればよい。また、噴出部の数も限定されるものではな
く、何個でもよいものである。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ヒータが
配設された加熱室と、この加熱室内を電子部品が搭載さ
れた基板を搬送するコンベヤと、この加熱室にチッソガ
スを供給するチッソガス供給手段とから成り、上記加熱
室の出口側の上部と下部に、上記コンベヤにより搬送さ
れる基板の上面と下面へ向ってチッソガスを噴出する噴
出部を設けているので、チッソガス雰囲気中で半田の加
熱処理を行うために加熱室に供給されるチッソガスによ
り、基板の急速冷却を行うことができ、且つチッソガス
が加熱室外へ不要に流出するのを防止することができ
る。また噴出部から基板の上面へ向って噴出されるチッ
ソガスの風圧を、下面へ向って噴出されるチッソガスの
風圧よりも大きくしているので、基板が下方から吹き付
けられるチッソガスにあおられてコンベヤから脱落する
のを防止し、安定したリフロー処理を行うことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】リフロー装置の側面図
【図2】同部分傾斜図
【図3】同要部断面図
【図4】他の実施例の断面図
【符号の説明】
1 加熱室 2 ヒータ 4 コンベヤ 7 基板 10 チッソガス供給手段 14 噴出部

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ヒータが配設された加熱室と、この加熱室
    内を電子部品が搭載された基板を搬送するコンベヤと、
    この加熱室にチッソガスを供給するチッソガス供給手段
    とから成り、上記加熱室の出口側の上部と下部に、上記
    コンベヤにより搬送される基板の上面と下面へ向ってチ
    ッソガスを噴出する噴出部を設けたリフロー装置におい
    て、上記噴出部から基板の上面へ向って噴出されるチッ
    ソガスの風圧を、下面へ向って噴出されるチッソガスの
    風圧よりも大きくしたことを特徴とするリフロー装置。
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JPH04262862A JPH04262862A (ja) 1992-09-18
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