JPH098031A - 化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法 - Google Patents
化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法Info
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- JPH098031A JPH098031A JP7157587A JP15758795A JPH098031A JP H098031 A JPH098031 A JP H098031A JP 7157587 A JP7157587 A JP 7157587A JP 15758795 A JP15758795 A JP 15758795A JP H098031 A JPH098031 A JP H098031A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、埋め込み能力とギャップフィル能
力とを高い状態に保ってＳｉＯ2 よりも低い誘電率を有
する酸化シリコン系の絶縁膜の形成を図る。 【構成】 少なくともメチルフロロシランと水、または
メチルフロロシランと過酸化水素を含む原料ガスを用い
て、化学的気相成長法により絶縁膜１４を形成する方法
である。その原料ガスには、少なくとも、メチルシラン
と過酸化水素、メチルクロロシランと水、またはメチル
クロロシランと過酸化水素を含むものも用いることも可
能である。
力とを高い状態に保ってＳｉＯ2 よりも低い誘電率を有
する酸化シリコン系の絶縁膜の形成を図る。 【構成】 少なくともメチルフロロシランと水、または
メチルフロロシランと過酸化水素を含む原料ガスを用い
て、化学的気相成長法により絶縁膜１４を形成する方法
である。その原料ガスには、少なくとも、メチルシラン
と過酸化水素、メチルクロロシランと水、またはメチル
クロロシランと過酸化水素を含むものも用いることも可
能である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の絶縁膜の
形成技術に関し、特に、０．２５μｍ以下の設計ルール
のデバイスプロセスに用いられる化学的気相成長法によ
る絶縁膜の製造方法に関するものである。
形成技術に関し、特に、０．２５μｍ以下の設計ルール
のデバイスプロセスに用いられる化学的気相成長法によ
る絶縁膜の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化、低消費電力化およ
び高速化などの要求にともない、それらを実現するため
の手段の一つとして層間絶縁膜の低誘電率化が検討され
ている。現在開示されている低誘電率材料は、炭素原子
またはフッ素原子を含有することで誘電率を下げてい
る。現在のところ、誘電率１．５〜２．５程度のものが
実現されている。
び高速化などの要求にともない、それらを実現するため
の手段の一つとして層間絶縁膜の低誘電率化が検討され
ている。現在開示されている低誘電率材料は、炭素原子
またはフッ素原子を含有することで誘電率を下げてい
る。現在のところ、誘電率１．５〜２．５程度のものが
実現されている。
【０００３】炭素原子を含む低誘電率材料では、有機Ｓ
ＯＧ（ＳＯＧはSpin on glass の略）、ポリイミド、ポ
リパラキシリレンなどが知られている。これらの材料
は、炭素原子をアルキル基として含むことで、材料の密
度を下げること、および分子自身の分極率を低くするこ
とで、低誘電率になっているといわれている。また、こ
れらの材料は、単に誘電率が低いだけではなく、半導体
装置の材料として不可欠な耐熱性を有している。有機Ｓ
ＯＧはシロキサン構造を持つことで、ポリイミドはイミ
ド結合を有することで、ポリパラキシリレンはベンゼン
環を有することで、それぞれ耐熱性を有している。
ＯＧ（ＳＯＧはSpin on glass の略）、ポリイミド、ポ
リパラキシリレンなどが知られている。これらの材料
は、炭素原子をアルキル基として含むことで、材料の密
度を下げること、および分子自身の分極率を低くするこ
とで、低誘電率になっているといわれている。また、こ
れらの材料は、単に誘電率が低いだけではなく、半導体
装置の材料として不可欠な耐熱性を有している。有機Ｓ
ＯＧはシロキサン構造を持つことで、ポリイミドはイミ
ド結合を有することで、ポリパラキシリレンはベンゼン
環を有することで、それぞれ耐熱性を有している。
【０００４】フッ素原子を含む低誘電率材料は酸フッ化
シリコン（ＳｉＯＦ）が知られている。この材料はシリ
コン−酸素−シリコン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合をフッ素
（Ｆ）原子により終端することで、密度を下げること、
フッ素自身の分極率が低いことなどが原因で誘電率を下
げている。もちろん、この材料は耐熱性にも優れてい
る。
シリコン（ＳｉＯＦ）が知られている。この材料はシリ
コン−酸素−シリコン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合をフッ素
（Ｆ）原子により終端することで、密度を下げること、
フッ素自身の分極率が低いことなどが原因で誘電率を下
げている。もちろん、この材料は耐熱性にも優れてい
る。
【０００５】一方、低誘電率膜に限らず絶縁膜は、配線
間を埋め込むためにいわゆるギャップフィル能力および
グローバル平坦化能力が必要である。ギャップフィル能
力に優れている方法として注目されているのが、いわゆ
るＡＰＬ（Advanced Planarization Layerの略称）技術
である。このＡＰＬ技術は、原料ガスに用いている全て
のガスが沸点以下になるように基板温度を設定して、基
板表面で原料ガスを液状化させることによって、狭い配
線間に液体を流し込むようにして埋め込む方法である。
間を埋め込むためにいわゆるギャップフィル能力および
グローバル平坦化能力が必要である。ギャップフィル能
力に優れている方法として注目されているのが、いわゆ
るＡＰＬ（Advanced Planarization Layerの略称）技術
である。このＡＰＬ技術は、原料ガスに用いている全て
のガスが沸点以下になるように基板温度を設定して、基
板表面で原料ガスを液状化させることによって、狭い配
線間に液体を流し込むようにして埋め込む方法である。
【０００６】すなわち、原料ガスには、モノシラン（Ｓ
ｉＨ4 ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）とを用い、基板温度
を０℃前後に保持して化学的気相成長を行う方法であ
る。そのため、基板表面は、液体を滴下して盛った状態
のような形状に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁
膜が形成される。このＡＰＬ技術では、アスペクト比が
４程度の段差まで埋め込むギャップフィル能力があり、
１０μｍ平方をほぼ平坦に埋め込むグローバル平坦化能
力がある。そして基板温度を１０℃以上に上げると、液
体のような挙動を示さなくなるため、ギャップフィル能
力やグローバル平坦化能力は低下することが知られてい
る。
ｉＨ4 ）と過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）とを用い、基板温度
を０℃前後に保持して化学的気相成長を行う方法であ
る。そのため、基板表面は、液体を滴下して盛った状態
のような形状に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）からなる絶縁
膜が形成される。このＡＰＬ技術では、アスペクト比が
４程度の段差まで埋め込むギャップフィル能力があり、
１０μｍ平方をほぼ平坦に埋め込むグローバル平坦化能
力がある。そして基板温度を１０℃以上に上げると、液
体のような挙動を示さなくなるため、ギャップフィル能
力やグローバル平坦化能力は低下することが知られてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術で説明
したＡＰＬ技術は、成膜表面の形状に関しては優れた技
術ではあるが、低誘電率膜を形成するという点では不十
分である。ＡＰＬ技術によって形成した絶縁膜の比誘電
率は４〜５程度であるため、一般に知られているＳＯＧ
（Spin on glass ）膜やオゾン（Ｏ3 ）−テトラエトキ
シシラン（ＴＥＯＳ）を用いた化学的気相成長（以下Ｃ
ＶＤという、ＣＶＤはChemical Vapour Depositionの略
である）法によって成膜したシリコン系酸化膜と同程度
の比誘電率しか得られない。それは、ＡＰＬ技術によっ
て成膜された膜は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）であるた
め、理想的に誘電率を下げたとしても、３．８程度まで
しか比誘電率は下がらない。また、ＡＰＬ技術によって
成膜された膜は、膜中に比誘電率を高める効果を有する
水酸基（−ＯＨ）が含まれているため、当然のことなが
ら酸化シリコンより誘電率が高くなる。
したＡＰＬ技術は、成膜表面の形状に関しては優れた技
術ではあるが、低誘電率膜を形成するという点では不十
分である。ＡＰＬ技術によって形成した絶縁膜の比誘電
率は４〜５程度であるため、一般に知られているＳＯＧ
（Spin on glass ）膜やオゾン（Ｏ3 ）−テトラエトキ
シシラン（ＴＥＯＳ）を用いた化学的気相成長（以下Ｃ
ＶＤという、ＣＶＤはChemical Vapour Depositionの略
である）法によって成膜したシリコン系酸化膜と同程度
の比誘電率しか得られない。それは、ＡＰＬ技術によっ
て成膜された膜は酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）であるた
め、理想的に誘電率を下げたとしても、３．８程度まで
しか比誘電率は下がらない。また、ＡＰＬ技術によって
成膜された膜は、膜中に比誘電率を高める効果を有する
水酸基（−ＯＨ）が含まれているため、当然のことなが
ら酸化シリコンより誘電率が高くなる。
【０００８】そこでＳｉＯ2 膜の比誘電率を３．８より
低くするために、最近では、膜中にフッ素（Ｆ）原子を
混合させて比誘電率を３．０程度まで下げる技術が検討
されている。しかしながら、フッ素（Ｆ）が半導体デバ
イスに及ぼす影響が明らかになっていないため、フッ素
（Ｆ）を用いないでしかも埋め込み能力が高い絶縁膜の
形成技術が求められている。
低くするために、最近では、膜中にフッ素（Ｆ）原子を
混合させて比誘電率を３．０程度まで下げる技術が検討
されている。しかしながら、フッ素（Ｆ）が半導体デバ
イスに及ぼす影響が明らかになっていないため、フッ素
（Ｆ）を用いないでしかも埋め込み能力が高い絶縁膜の
形成技術が求められている。
【０００９】本発明は、埋め込み能力が高くかつ比誘電
率が低いいわゆる低誘電率膜を形成するのに優れた化学
的気相成長法による絶縁膜の製造方法を提供することを
目的とする。
率が低いいわゆる低誘電率膜を形成するのに優れた化学
的気相成長法による絶縁膜の製造方法を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたＣＶＤ法による絶縁膜の製造方法
である。すなわち、第１の方法は、少なくともメチルフ
ロロシランと水、またはメチルフロロシランと過酸化水
素を含む原料ガスを用いたＣＶＤ法による絶縁膜の製造
方法である。第２の方法は、少なくともメチルシランと
過酸化水素とを含む原料ガスを用いたＣＶＤ法による絶
縁膜の製造方法である。第３の方法は、少なくともメチ
ルクロロシランと水、またはメチルクロロシランと過酸
化水素を含む原料ガスを用いたＣＶＤ法による絶縁膜の
製造方法である。
成するためになされたＣＶＤ法による絶縁膜の製造方法
である。すなわち、第１の方法は、少なくともメチルフ
ロロシランと水、またはメチルフロロシランと過酸化水
素を含む原料ガスを用いたＣＶＤ法による絶縁膜の製造
方法である。第２の方法は、少なくともメチルシランと
過酸化水素とを含む原料ガスを用いたＣＶＤ法による絶
縁膜の製造方法である。第３の方法は、少なくともメチ
ルクロロシランと水、またはメチルクロロシランと過酸
化水素を含む原料ガスを用いたＣＶＤ法による絶縁膜の
製造方法である。
【００１１】
【作用】低誘電率膜の一つとして、有機ＳＯＧ（Spin o
n glass ）が知られている。これはシリコン（Ｓｉ）原
子の４つの結合手のうちの少なくとも一つをアルキル基
に置き換えたもので、いわゆるシリコーン樹脂である。
有機ＳＯＧが低誘電率になるのは、シリコン原子にアル
キル基が結合することによって結合のネットワークが断
ち切られ、分子間の電子の行き来がなくなるためであ
る。また、化学的な結合が切れるため、膜の密度も低く
なっている。前者は、電子分極率が小さくなることで、
後者は分極する単位体積当たりの分子数が少なくなるこ
とで、誘電率が低くなっている。
n glass ）が知られている。これはシリコン（Ｓｉ）原
子の４つの結合手のうちの少なくとも一つをアルキル基
に置き換えたもので、いわゆるシリコーン樹脂である。
有機ＳＯＧが低誘電率になるのは、シリコン原子にアル
キル基が結合することによって結合のネットワークが断
ち切られ、分子間の電子の行き来がなくなるためであ
る。また、化学的な結合が切れるため、膜の密度も低く
なっている。前者は、電子分極率が小さくなることで、
後者は分極する単位体積当たりの分子数が少なくなるこ
とで、誘電率が低くなっている。
【００１２】上記ＣＶＤ法による絶縁膜の製造方法は、
有機ＳＯＧをＣＶＤによって形成する方法であって、メ
チルフロロシラン、メチルシランまたはメチルクロロシ
ランを原料ガスに用いてＣＶＤにより成膜することか
ら、ギャップフィル能力とグローバル平坦化能力とを有
する低誘電率膜が形成される。すなわち、上記ＣＶＤに
よる絶縁膜の製造方法に用いる原料ガスにアルキル基を
含むガスが用いられることから、ＣＶＤ反応によってシ
リコン原子の４つの結合手のうちの少なくとも一つがア
ルキル基に置き換えられる。
有機ＳＯＧをＣＶＤによって形成する方法であって、メ
チルフロロシラン、メチルシランまたはメチルクロロシ
ランを原料ガスに用いてＣＶＤにより成膜することか
ら、ギャップフィル能力とグローバル平坦化能力とを有
する低誘電率膜が形成される。すなわち、上記ＣＶＤに
よる絶縁膜の製造方法に用いる原料ガスにアルキル基を
含むガスが用いられることから、ＣＶＤ反応によってシ
リコン原子の４つの結合手のうちの少なくとも一つがア
ルキル基に置き換えられる。
【００１３】上記ＣＶＤ法による有機ＳＯＧ膜の形成過
程の一例を、メチルフロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ
2 〕と水（Ｈ2 Ｏ）とを用いた場合で以下に説明する。
原料ガスのメチルフロロシランおよびＨ2 Ｏは加熱して
気化させて別々に反応室に導入する。反応室中における
反応は、以下のようになる。
程の一例を、メチルフロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ
2 〕と水（Ｈ2 Ｏ）とを用いた場合で以下に説明する。
原料ガスのメチルフロロシランおよびＨ2 Ｏは加熱して
気化させて別々に反応室に導入する。反応室中における
反応は、以下のようになる。
【００１４】
【化１】 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 ＋２Ｈ2 Ｏ →Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＨ）2 ＋２ＨＦ↑ ・・・（１）
【００１５】
【化２】 ２Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＨ）2 →ＨＯＳｉ（ＣＨ3 ）2 ＯＳｉ（ＣＨ3 ）2 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ ・・・（２）
【００１６】またメチルシランと過酸化水素とを用いた
場合には以下のようになる。
場合には以下のようになる。
【００１７】
【化３】 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 ＋２Ｈ2 Ｏ2 →Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＨ）2 ＋２Ｈ2 Ｏ ・・・（３）
【００１８】
【化４】 ２Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＨ）2 →ＨＯＳｉ（ＣＨ3 ）2 ＯＳｉ（ＣＨ3 ）2 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ ・・・（４）
【００１９】またメチルクロロシランと水とを用いた場
合には以下のようになる。
合には以下のようになる。
【００２０】
【化５】 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 ＋２Ｈ2 Ｏ →Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＨ）2 ＋２ＨＣｌ↑ ・・・（５）
【００２１】
【化６】 ２Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＨ）2 →ＨＯＳｉ（ＣＨ3 ）2 ＯＳｉ（ＣＨ3 ）2 ＯＨ＋Ｈ2 Ｏ ・・・（６）
【００２２】このような重合反応を繰り返すことによっ
て、アルキル基（ここではメチル基）を含んだシリコン
系酸化膜が形成されることになる。このようにアルキル
基を含むため、このシリコン系酸化膜の比誘電率は、ア
ルキル基を含まない酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜よりも
低くなる。また上記重合反応は、比較的反応が遅いた
め、重合が進まないうちは、この膜は液体のうように振
る舞う。したがって、このＣＶＤ法では、ギャップフィ
ル能力とグローバル平坦化能力の両方を有することにな
る。上記説明では、Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 、Ｓｉ（ＣＨ
3 ）2 Ｈ2 、Ｓｉ（ＣＨ3）2 Ｃｌ2 に関して説明した
が、他にＳｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｆ 3 、
Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｈ3 等であっても同様の反応となる。
て、アルキル基（ここではメチル基）を含んだシリコン
系酸化膜が形成されることになる。このようにアルキル
基を含むため、このシリコン系酸化膜の比誘電率は、ア
ルキル基を含まない酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜よりも
低くなる。また上記重合反応は、比較的反応が遅いた
め、重合が進まないうちは、この膜は液体のうように振
る舞う。したがって、このＣＶＤ法では、ギャップフィ
ル能力とグローバル平坦化能力の両方を有することにな
る。上記説明では、Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 、Ｓｉ（ＣＨ
3 ）2 Ｈ2 、Ｓｉ（ＣＨ3）2 Ｃｌ2 に関して説明した
が、他にＳｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ3 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｆ 3 、
Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｈ3 等であっても同様の反応となる。
【００２３】また、水（Ｈ2 Ｏ）の代わりに過酸化水素
（Ｈ2 Ｏ2 ）を用いた場合には、（１）式においてはフ
ッ化水素（ＨＦ）とともに酸素（Ｏ2 ）が発生する。ま
た（５）式においては塩化水素（ＨＣｌ）とともに酸素
（Ｏ2 ）が発生する。
（Ｈ2 Ｏ2 ）を用いた場合には、（１）式においてはフ
ッ化水素（ＨＦ）とともに酸素（Ｏ2 ）が発生する。ま
た（５）式においては塩化水素（ＨＣｌ）とともに酸素
（Ｏ2 ）が発生する。
【００２４】
【実施例】第１発明の実施例として、本発明の低誘電率
な絶縁膜の製造方法とその前後のプロセス工程とを併せ
て、図１の製造工程図によって説明する。この図１は、
本発明の製造方法を用いて成膜した絶縁膜を用いた配線
構造の断面図である。
な絶縁膜の製造方法とその前後のプロセス工程とを併せ
て、図１の製造工程図によって説明する。この図１は、
本発明の製造方法を用いて成膜した絶縁膜を用いた配線
構造の断面図である。
【００２５】図１の（１）に示すように、配線材料の成
膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程等からな
る既知の配線形成技術によって、基板１１上に複数の配
線１２を形成した。上記基板１１は、例えば、半導体基
板上に素子（図示省略）が形成され、その素子を覆う状
態に絶縁膜（図示省略）が形成されたものである。続い
て各配線１２を覆う状態に保護膜１３を形成した。この
保護膜１３は、その上面側に形成される本発明のシリコ
ン系酸化膜を形成する際に生成される水成分やアルコー
ル成分などから基板１１や配線１２を保護するもので、
それによって、例えばコロージョンの防止が図られ、ト
ランジスタのホットキャリア耐性が確保される。
膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程等からな
る既知の配線形成技術によって、基板１１上に複数の配
線１２を形成した。上記基板１１は、例えば、半導体基
板上に素子（図示省略）が形成され、その素子を覆う状
態に絶縁膜（図示省略）が形成されたものである。続い
て各配線１２を覆う状態に保護膜１３を形成した。この
保護膜１３は、その上面側に形成される本発明のシリコ
ン系酸化膜を形成する際に生成される水成分やアルコー
ル成分などから基板１１や配線１２を保護するもので、
それによって、例えばコロージョンの防止が図られ、ト
ランジスタのホットキャリア耐性が確保される。
【００２６】次に上記保護膜１３の製造方法の一例を説
明する。原料ガスにシリコン原子を含むガスとして例え
ばモノシラン（ＳｉＨ4 ）と酸素原子（Ｏ）を含むガス
として例えば酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）とを用い、それに希
釈（搬送）ガスとして例えばヘリウム（Ｈｅ）を混合し
て、容量結合型のプラズマＣＶＤ装置（図示省略）に導
入した。そしてプラズマＣＶＤ装置の電極間に高周波電
力を供給し、このプラズマＣＶＤ装置内に配置された上
記基板１１上に保護膜１３を例えば５０ｎｍの厚さに形
成した。保護膜１３の形成時は、このプラズマＣＶＤ装
置内の真空度は例えば１００Ｐａとし、基板１１は例え
ば３５０℃に加熱し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を
例えば１．０Ｗ／ｃｍ2 の密度で印加した。
明する。原料ガスにシリコン原子を含むガスとして例え
ばモノシラン（ＳｉＨ4 ）と酸素原子（Ｏ）を含むガス
として例えば酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）とを用い、それに希
釈（搬送）ガスとして例えばヘリウム（Ｈｅ）を混合し
て、容量結合型のプラズマＣＶＤ装置（図示省略）に導
入した。そしてプラズマＣＶＤ装置の電極間に高周波電
力を供給し、このプラズマＣＶＤ装置内に配置された上
記基板１１上に保護膜１３を例えば５０ｎｍの厚さに形
成した。保護膜１３の形成時は、このプラズマＣＶＤ装
置内の真空度は例えば１００Ｐａとし、基板１１は例え
ば３５０℃に加熱し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を
例えば１．０Ｗ／ｃｍ2 の密度で印加した。
【００２７】次に、上記保護膜１３上に本発明の方法に
よって酸化シリコン系の絶縁膜１４を形成した。
よって酸化シリコン系の絶縁膜１４を形成した。
【００２８】上記絶縁膜１４の製造方法の一例を説明す
る。原料ガスに、シリコン原子を含むガスとして例えば
メチルフロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 ，Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）Ｆ3 等〕、ハロゲンを分解するための物質として
例えば水（Ｈ2 Ｏ）とを混合したものを用い、その原料
ガスを一般の低圧ＣＶＤ装置（図示省略）に導入した。
上記原料ガスの流量は、ジメチルジフロロシラン〔Ｓｉ
（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 〕：２５ｓｃｃｍ、メチルトリフロロ
シラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｆ3 〕：２５ｓｃｃｍ、水（Ｈ
2 Ｏ）：２００ｓｃｃｍとした。以下、ｓｃｃｍは標準
状態における体積流量（ｃｍ3 ／分）を表す。
る。原料ガスに、シリコン原子を含むガスとして例えば
メチルフロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 ，Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）Ｆ3 等〕、ハロゲンを分解するための物質として
例えば水（Ｈ2 Ｏ）とを混合したものを用い、その原料
ガスを一般の低圧ＣＶＤ装置（図示省略）に導入した。
上記原料ガスの流量は、ジメチルジフロロシラン〔Ｓｉ
（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 〕：２５ｓｃｃｍ、メチルトリフロロ
シラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｆ3 〕：２５ｓｃｃｍ、水（Ｈ
2 Ｏ）：２００ｓｃｃｍとした。以下、ｓｃｃｍは標準
状態における体積流量（ｃｍ3 ／分）を表す。
【００２９】この低圧ＣＶＤ装置内には導入ガスを拡散
するための拡散板（図示省略）が設けられている。そし
て上記拡散板を例えば１００℃に保持して、絶縁膜１４
を例えば８００ｎｍの厚さに形成した。絶縁膜１４の形
成時には、低圧ＣＶＤ装置内の真空度を例えば２００Ｐ
ａとし、基板１１は０℃に冷却した。
するための拡散板（図示省略）が設けられている。そし
て上記拡散板を例えば１００℃に保持して、絶縁膜１４
を例えば８００ｎｍの厚さに形成した。絶縁膜１４の形
成時には、低圧ＣＶＤ装置内の真空度を例えば２００Ｐ
ａとし、基板１１は０℃に冷却した。
【００３０】このようにして成膜した絶縁膜１４におい
ては、シリコンにアルキル基（ここではメチル基）が結
合されたため、結合のネットワークが断ち切られるので
電子分極率が小さくなる。また膜の密度が低くなるた
め、分極する単位体積当たりの分子数が少なくなる。そ
れによって、膜の比誘電率が低くなる。また本発明の原
料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いため、重合
が進まないうちは、この膜は液体のうように振る舞う。
そのため、絶縁膜１４においては、比誘電率は２．５〜
３．５となり、ギャップフィル能力はアスペクト比＝４
まであり、グローバル平坦化度は配線間隔が１０μｍま
でほぼ平坦な形状を保つことができた。
ては、シリコンにアルキル基（ここではメチル基）が結
合されたため、結合のネットワークが断ち切られるので
電子分極率が小さくなる。また膜の密度が低くなるた
め、分極する単位体積当たりの分子数が少なくなる。そ
れによって、膜の比誘電率が低くなる。また本発明の原
料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いため、重合
が進まないうちは、この膜は液体のうように振る舞う。
そのため、絶縁膜１４においては、比誘電率は２．５〜
３．５となり、ギャップフィル能力はアスペクト比＝４
まであり、グローバル平坦化度は配線間隔が１０μｍま
でほぼ平坦な形状を保つことができた。
【００３１】次いで図１の（２）に示すように、上記絶
縁膜１４の上面に別の絶縁膜１５として、ＣＶＤ法によ
って、厚さが０．３μｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜
を形成した。この堆積方法としては、ＣＶＤ法以外にも
あり、例えばスパッタリング法または塗布法がある。
縁膜１４の上面に別の絶縁膜１５として、ＣＶＤ法によ
って、厚さが０．３μｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜
を形成した。この堆積方法としては、ＣＶＤ法以外にも
あり、例えばスパッタリング法または塗布法がある。
【００３２】次に、上記絶縁膜１４中の水分を除去する
ためにアニーリングを行った。このアニーリングでは、
例えば一般に用いられているファーネスアニール炉を用
い、不活性な雰囲気として例えば４００℃の窒素
（Ｎ2 ）雰囲気で１５分間のアニーリングを行った。
ためにアニーリングを行った。このアニーリングでは、
例えば一般に用いられているファーネスアニール炉を用
い、不活性な雰囲気として例えば４００℃の窒素
（Ｎ2 ）雰囲気で１５分間のアニーリングを行った。
【００３３】さらに多層配線を形成する場合には、概略
断面図で表した図２に示すように、上記図１で説明した
保護膜１３，絶縁膜１４および別の絶縁膜１５に、必要
に応じてコンタクトホール１６を開口する。続いてこの
コンタクトホール１６内に導電性のプラグ１７を形成す
る。次いで上記別の絶縁膜１５上に配線２１、保護膜２
２を上記図１を用いて説明したのと同様の方法によって
形成する。そして、本発明の方法によって絶縁膜２３
（図１の絶縁膜１４に相当）を形成する。続いて上記図
１の（２）を用いて説明したのと同様の方法によって別
の絶縁膜２４を形成する。その後アニーリングを行って
絶縁膜２３中の水分を除去する。このように、上記図１
で説明した工程を繰り返して行えば多層配線が形成でき
る。
断面図で表した図２に示すように、上記図１で説明した
保護膜１３，絶縁膜１４および別の絶縁膜１５に、必要
に応じてコンタクトホール１６を開口する。続いてこの
コンタクトホール１６内に導電性のプラグ１７を形成す
る。次いで上記別の絶縁膜１５上に配線２１、保護膜２
２を上記図１を用いて説明したのと同様の方法によって
形成する。そして、本発明の方法によって絶縁膜２３
（図１の絶縁膜１４に相当）を形成する。続いて上記図
１の（２）を用いて説明したのと同様の方法によって別
の絶縁膜２４を形成する。その後アニーリングを行って
絶縁膜２３中の水分を除去する。このように、上記図１
で説明した工程を繰り返して行えば多層配線が形成でき
る。
【００３４】上記第１の発明の実施例では、２種類のメ
チルフロロシランを用いたが、これは膜中のメチル基の
混合比を制御するためである。Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 を
増やせばメチル基の割合は増加して誘電率が下がるが、
その分、膜質は劣化する。一方、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｆ3 を
増やせばメチル基の割合は減少するが、膜質は良くな
る。さらに膜質が要求される場合は、四フッ化ケイ素
（ＳｉＦ4 ）を導入すればよい。また、ハロゲンを分解
するための物質として水（Ｈ2 Ｏ）を用いたが、例えば
過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を用いることも可能である。そ
のときの条件は水と同様である。
チルフロロシランを用いたが、これは膜中のメチル基の
混合比を制御するためである。Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｆ2 を
増やせばメチル基の割合は増加して誘電率が下がるが、
その分、膜質は劣化する。一方、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｆ3 を
増やせばメチル基の割合は減少するが、膜質は良くな
る。さらに膜質が要求される場合は、四フッ化ケイ素
（ＳｉＦ4 ）を導入すればよい。また、ハロゲンを分解
するための物質として水（Ｈ2 Ｏ）を用いたが、例えば
過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を用いることも可能である。そ
のときの条件は水と同様である。
【００３５】さらに上記基板温度を０℃に設定したが、
この基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類の
ガスが液状化する温度に設定されていればよい。したが
って、基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類
のガスの凝固点より高く設定され、上限は５０℃に設定
される。もし凝固点以下に設定された場合には、原料ガ
スは昇華して液状化しない。また５０℃より高い温度で
は気化して液状化しない。したがって、基板温度は上記
温度範囲に設定される。
この基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類の
ガスが液状化する温度に設定されていればよい。したが
って、基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類
のガスの凝固点より高く設定され、上限は５０℃に設定
される。もし凝固点以下に設定された場合には、原料ガ
スは昇華して液状化しない。また５０℃より高い温度で
は気化して液状化しない。したがって、基板温度は上記
温度範囲に設定される。
【００３６】次に第２発明の実施例を説明する。この実
施例は、上記図１によって説明した絶縁膜１４の製造方
法以外は、上記第１発明の実施例と同様なので、ここで
は、上記図１を用いて、絶縁膜１４の製造方法を説明
し、他の構成部品の説明は省略する。
施例は、上記図１によって説明した絶縁膜１４の製造方
法以外は、上記第１発明の実施例と同様なので、ここで
は、上記図１を用いて、絶縁膜１４の製造方法を説明
し、他の構成部品の説明は省略する。
【００３７】以下、絶縁膜１４の製造方法の一例を説明
する。原料ガスにシリコン原子を含むガスとして例えば
メチルシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3）2 Ｈ2 ，Ｓｉ（ＣＨ3 ）
Ｈ3 等〕、水素を酸化するための物質として例えば過酸
化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）とを混合したものを用い、その原料
ガスを一般の低圧ＣＶＤ装置（図示省略）に導入した。
上記原料ガスの流量は、メチルシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）
2 Ｈ2 〕：２５ｓｃｃｍ、メチルシラン〔Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）Ｈ3 〕：２５ｓｃｃｍ、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）：２００ｓｃｃｍとした。
する。原料ガスにシリコン原子を含むガスとして例えば
メチルシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3）2 Ｈ2 ，Ｓｉ（ＣＨ3 ）
Ｈ3 等〕、水素を酸化するための物質として例えば過酸
化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）とを混合したものを用い、その原料
ガスを一般の低圧ＣＶＤ装置（図示省略）に導入した。
上記原料ガスの流量は、メチルシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）
2 Ｈ2 〕：２５ｓｃｃｍ、メチルシラン〔Ｓｉ（Ｃ
Ｈ3 ）Ｈ3 〕：２５ｓｃｃｍ、過酸化水素（Ｈ
2 Ｏ2 ）：２００ｓｃｃｍとした。
【００３８】この低圧ＣＶＤ装置内には導入ガスを拡散
するための拡散板（図示省略）が設けられている。そし
て上記拡散板を例えば１００℃に保持して、絶縁膜１４
を例えば８００ｎｍの厚さに形成した。絶縁膜１４の形
成時には、低圧ＣＶＤ装置内の真空度を例えば２００Ｐ
ａとし、基板１１は０℃に冷却した。
するための拡散板（図示省略）が設けられている。そし
て上記拡散板を例えば１００℃に保持して、絶縁膜１４
を例えば８００ｎｍの厚さに形成した。絶縁膜１４の形
成時には、低圧ＣＶＤ装置内の真空度を例えば２００Ｐ
ａとし、基板１１は０℃に冷却した。
【００３９】このようにして成膜した絶縁膜１４におい
ては、シリコンにアルキル基（ここではメチル基）が結
合されたため、結合のネットワークが断ち切られるので
電子分極率が小さくなる。また膜の密度が低くなるた
め、分極する単位体積当たりの分子数が少なくなる。そ
れによって、膜の比誘電率が低くなる。また本発明の原
料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いため、重合
が進まないうちは、この膜は液体のうように振る舞う。
そのため、絶縁膜１４においては、比誘電率は２．５〜
３．５となり、ギャップフィル能力はアスペクト比＝４
まであり、グローバル平坦化度は配線間隔が１０μｍま
でほぼ平坦な形状を保つことができた。
ては、シリコンにアルキル基（ここではメチル基）が結
合されたため、結合のネットワークが断ち切られるので
電子分極率が小さくなる。また膜の密度が低くなるた
め、分極する単位体積当たりの分子数が少なくなる。そ
れによって、膜の比誘電率が低くなる。また本発明の原
料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いため、重合
が進まないうちは、この膜は液体のうように振る舞う。
そのため、絶縁膜１４においては、比誘電率は２．５〜
３．５となり、ギャップフィル能力はアスペクト比＝４
まであり、グローバル平坦化度は配線間隔が１０μｍま
でほぼ平坦な形状を保つことができた。
【００４０】以下、上記図１によって説明したのと同様
にして、例えばＣＶＤ法によって、絶縁膜１４の上面に
別の絶縁膜１５として厚さが０．３μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）膜を形成した。この堆積方法としては、Ｃ
ＶＤ法以外にもあり、例えばスパッタリング法または塗
布法がある。
にして、例えばＣＶＤ法によって、絶縁膜１４の上面に
別の絶縁膜１５として厚さが０．３μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）膜を形成した。この堆積方法としては、Ｃ
ＶＤ法以外にもあり、例えばスパッタリング法または塗
布法がある。
【００４１】次に、上記絶縁膜１４中の水分を除去する
ためにアニーリングを行った。このアニーリングでは、
例えば一般に用いられているファーネスアニール炉を用
い、不活性な雰囲気として例えば４００℃の窒素
（Ｎ2 ）雰囲気で１５分間のアニーリングを行った。
ためにアニーリングを行った。このアニーリングでは、
例えば一般に用いられているファーネスアニール炉を用
い、不活性な雰囲気として例えば４００℃の窒素
（Ｎ2 ）雰囲気で１５分間のアニーリングを行った。
【００４２】そして多層配線を形成する場合には、上記
説明した工程を繰り返して行えばよい。その結果、上記
図２に示したような構造の多層配線構造が形成できる。
説明した工程を繰り返して行えばよい。その結果、上記
図２に示したような構造の多層配線構造が形成できる。
【００４３】上記第２発明の実施例では、２種類のメチ
ルシランを用いたが、これは膜中のメチル基の混合比を
制御するためである。Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 を増やせば
メチル基の割合は増加して誘電率が下がるが、その分、
膜質は劣化する。一方、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｈ3 を増やせば
メチル基の割合は減少するが、膜質は良くなる。さらに
膜質が要求される場合は、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ4 ）
を導入すればよい。
ルシランを用いたが、これは膜中のメチル基の混合比を
制御するためである。Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｈ2 を増やせば
メチル基の割合は増加して誘電率が下がるが、その分、
膜質は劣化する。一方、Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｈ3 を増やせば
メチル基の割合は減少するが、膜質は良くなる。さらに
膜質が要求される場合は、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ4 ）
を導入すればよい。
【００４４】さらに上記基板温度を０℃に設定したが、
この基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類の
ガスが液状化する温度に設定されていればよい。したが
って、基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類
のガスの凝固点より高く設定され、上限は５０℃に設定
される。もし凝固点以下に設定された場合には、原料ガ
スは昇華して液状化しない。また５０℃より高い温度で
は気化して液状化しない。したがって、基板温度は上記
温度範囲に設定される。
この基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類の
ガスが液状化する温度に設定されていればよい。したが
って、基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類
のガスの凝固点より高く設定され、上限は５０℃に設定
される。もし凝固点以下に設定された場合には、原料ガ
スは昇華して液状化しない。また５０℃より高い温度で
は気化して液状化しない。したがって、基板温度は上記
温度範囲に設定される。
【００４５】次に第３発明の実施例を説明する。この実
施例は、上記図１によって説明した絶縁膜１４の製造方
法以外は、上記第１発明の実施例と同様なので、ここで
は、上記図１を用いて、絶縁膜１４の製造方法を説明
し、他の構成部品の説明は省略する。
施例は、上記図１によって説明した絶縁膜１４の製造方
法以外は、上記第１発明の実施例と同様なので、ここで
は、上記図１を用いて、絶縁膜１４の製造方法を説明
し、他の構成部品の説明は省略する。
【００４６】以下、絶縁膜１４の製造方法の一例を説明
する。原料ガスにシリコン原子を含むガスとして例えば
メチルクロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 〕と、ハ
ロゲンを分解するための物質として例えば水（Ｈ2 Ｏ）
とを混合したものを用い、その原料ガスを一般の低圧Ｃ
ＶＤ装置（図示省略）に導入した。上記原料ガスの流量
は、メチルクロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 〕：
５０ｓｃｃｍ、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）：２００ｓｃｃ
ｍとした。
する。原料ガスにシリコン原子を含むガスとして例えば
メチルクロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 〕と、ハ
ロゲンを分解するための物質として例えば水（Ｈ2 Ｏ）
とを混合したものを用い、その原料ガスを一般の低圧Ｃ
ＶＤ装置（図示省略）に導入した。上記原料ガスの流量
は、メチルクロロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 〕：
５０ｓｃｃｍ、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）：２００ｓｃｃ
ｍとした。
【００４７】この低圧ＣＶＤ装置内には導入ガスを拡散
するための拡散板（図示省略）が設けられている。そし
て上記拡散板を例えば１００℃に保持して、絶縁膜１４
を例えば８００ｎｍの厚さに形成した。絶縁膜１４の形
成時には、低圧ＣＶＤ装置内の真空度を例えば２００Ｐ
ａとし、基板１１は０℃に冷却した。
するための拡散板（図示省略）が設けられている。そし
て上記拡散板を例えば１００℃に保持して、絶縁膜１４
を例えば８００ｎｍの厚さに形成した。絶縁膜１４の形
成時には、低圧ＣＶＤ装置内の真空度を例えば２００Ｐ
ａとし、基板１１は０℃に冷却した。
【００４８】このようにして成膜した絶縁膜１４におい
ては、シリコンにアルキル基（ここではメチル基）が結
合されたため、結合のネットワークが断ち切られるので
電子分極率が小さくなる。また膜の密度が低くなるた
め、分極する単位体積当たりの分子数が少なくなる。そ
れによって、膜の比誘電率が低くなる。また本発明の原
料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いため、重合
が進まないうちは、この膜は液体のうように振る舞う。
そのため、絶縁膜１４においては、比誘電率は２．５〜
３．５となり、ギャップフィル能力はアスペクト比＝４
まであり、グローバル平坦化度は配線間隔が１０μｍま
でほぼ平坦な形状を保つことができた。
ては、シリコンにアルキル基（ここではメチル基）が結
合されたため、結合のネットワークが断ち切られるので
電子分極率が小さくなる。また膜の密度が低くなるた
め、分極する単位体積当たりの分子数が少なくなる。そ
れによって、膜の比誘電率が低くなる。また本発明の原
料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いため、重合
が進まないうちは、この膜は液体のうように振る舞う。
そのため、絶縁膜１４においては、比誘電率は２．５〜
３．５となり、ギャップフィル能力はアスペクト比＝４
まであり、グローバル平坦化度は配線間隔が１０μｍま
でほぼ平坦な形状を保つことができた。
【００４９】以下、上記図１によって説明したのと同様
にして、例えばＣＶＤ法によって、絶縁膜１４の上面に
別の絶縁膜１５として厚さが０．３μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）膜を形成した。この堆積方法としては、Ｃ
ＶＤ法以外にもあり、例えばスパッタリング法または塗
布法がある。
にして、例えばＣＶＤ法によって、絶縁膜１４の上面に
別の絶縁膜１５として厚さが０．３μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）膜を形成した。この堆積方法としては、Ｃ
ＶＤ法以外にもあり、例えばスパッタリング法または塗
布法がある。
【００５０】次に、上記絶縁膜１４中の水分を除去する
ためにアニーリングを行った。このアニーリングでは、
例えば一般に用いられているファーネスアニール炉を用
い、不活性な雰囲気として例えば４００℃の窒素
（Ｎ2 ）雰囲気で１５分間のアニーリングを行った。
ためにアニーリングを行った。このアニーリングでは、
例えば一般に用いられているファーネスアニール炉を用
い、不活性な雰囲気として例えば４００℃の窒素
（Ｎ2 ）雰囲気で１５分間のアニーリングを行った。
【００５１】そして多層配線を形成する場合には、上記
説明した工程を繰り返して行えばよい。その結果、上記
図２に示したような構造の多層配線構造が形成できる。
説明した工程を繰り返して行えばよい。その結果、上記
図２に示したような構造の多層配線構造が形成できる。
【００５２】この第３発明の実施例では、１種類のメチ
ルクロロシランを用いたが、例えば２種類のメチルクロ
ロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 とＳｉ（ＣＨ3 ）Ｃ
ｌ3〕を用いることも可能である。これは膜中のメチル
基の混合比を制御するためであり、Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ
ｌ2 を増やせばメチル基の割合は増加して誘電率が下が
るが、その分、膜質は劣化する。一方、Ｓｉ（ＣＨ3 ）
Ｃｌ3 を増やせばメチル基の割合は減少して膜質は良く
なるが、塩素（Ｃｌ）によって誘電率が高くなる。さら
に膜質が要求される場合は、四フッ化ケイ素（Ｓｉ
Ｆ4 ）を導入すればよい。また、ハロゲンを分解するた
めの物質として水（Ｈ2 Ｏ）を用いたが、例えば過酸化
水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を用いることも可能である。そのとき
の条件は水と同様である。
ルクロロシランを用いたが、例えば２種類のメチルクロ
ロシラン〔Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ2 とＳｉ（ＣＨ3 ）Ｃ
ｌ3〕を用いることも可能である。これは膜中のメチル
基の混合比を制御するためであり、Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃ
ｌ2 を増やせばメチル基の割合は増加して誘電率が下が
るが、その分、膜質は劣化する。一方、Ｓｉ（ＣＨ3 ）
Ｃｌ3 を増やせばメチル基の割合は減少して膜質は良く
なるが、塩素（Ｃｌ）によって誘電率が高くなる。さら
に膜質が要求される場合は、四フッ化ケイ素（Ｓｉ
Ｆ4 ）を導入すればよい。また、ハロゲンを分解するた
めの物質として水（Ｈ2 Ｏ）を用いたが、例えば過酸化
水素（Ｈ2 Ｏ2 ）を用いることも可能である。そのとき
の条件は水と同様である。
【００５３】さらに上記基板温度を０℃に設定したが、
この基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類の
ガスが液状化する温度に設定されていればよい。したが
って、基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類
のガスの凝固点より高く設定され、上限は５０℃に設定
される。もし凝固点以下に設定された場合には、原料ガ
スは昇華して液状化しない。また５０℃より高い温度で
は気化して液状化しない。したがって、基板温度は上記
温度範囲に設定される。
この基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類の
ガスが液状化する温度に設定されていればよい。したが
って、基板温度は、原料ガスのうちの少なくとも１種類
のガスの凝固点より高く設定され、上限は５０℃に設定
される。もし凝固点以下に設定された場合には、原料ガ
スは昇華して液状化しない。また５０℃より高い温度で
は気化して液状化しない。したがって、基板温度は上記
温度範囲に設定される。
【００５４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ＣＶＤ法においてアルキル基を有する原料ガスを用いた
め、シリコン原子にアルキル基が結合することによって
低い比誘電率の絶縁膜を形成することができる。また本
発明の原料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いた
め、重合反応が進まないうちは、この膜は液体のうよう
に振る舞う。そのため、ギャップフィル能力およびグロ
ーバル平坦化能力に優れた絶縁膜を形成することができ
る。したがって、本発明の絶縁膜は埋め込み能力が優れ
ているので、半導体装置の絶縁膜として歩留りおよび信
頼性の向上が図れ、また比誘電率が低いため、半導体装
置の配線間容量を低減することができるので素子の高速
化、低消費電力化が図れる。
ＣＶＤ法においてアルキル基を有する原料ガスを用いた
め、シリコン原子にアルキル基が結合することによって
低い比誘電率の絶縁膜を形成することができる。また本
発明の原料ガスによるＣＶＤ反応は比較的反応が遅いた
め、重合反応が進まないうちは、この膜は液体のうよう
に振る舞う。そのため、ギャップフィル能力およびグロ
ーバル平坦化能力に優れた絶縁膜を形成することができ
る。したがって、本発明の絶縁膜は埋め込み能力が優れ
ているので、半導体装置の絶縁膜として歩留りおよび信
頼性の向上が図れ、また比誘電率が低いため、半導体装
置の配線間容量を低減することができるので素子の高速
化、低消費電力化が図れる。
【図１】本発明の実施例の製造工程図である。
【図２】多層配線の形成例の説明図である。
１４ 絶縁膜
Claims (6)
- 【請求項１】 化学的気相成長法による絶縁膜の製造方
法において、 前記化学的気相成長法で用いる原料ガスは、少なくとも
メチルフロロシランと水、またはメチルフロロシランと
過酸化水素を含むことを特徴とする化学的気相成長法に
よる絶縁膜の製造方法。 - 【請求項２】 化学的気相成長法による絶縁膜の製造方
法において、 前記化学的気相成長法で用いる原料ガスは、少なくとも
メチルシランと過酸化水素とを含むことを特徴とする化
学的気相成長法による絶縁膜の製造方法。 - 【請求項３】 化学的気相成長法による絶縁膜の製造方
法において、 前記化学的気相成長法で用いる原料ガスは、少なくとも
メチルクロロシランと水、またはメチルクロロシランと
過酸化水素を含むことを特徴とする化学的気相成長法に
よる絶縁膜の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の化学的気相成長法による
絶縁膜の製造方法において、 前記化学的気相成長法における基板温度は前記原料ガス
のうちの１種類のガスの凝固点より高く５０℃以下に設
定されることを特徴とする化学的気相成長法による絶縁
膜の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の化学的気相成長法による
絶縁膜の製造方法において、 前記化学的気相成長法における基板温度は前記原料ガス
のうちの１種類のガスの凝固点より高く５０℃以下に設
定されることを特徴とする化学的気相成長法による絶縁
膜の製造方法。 - 【請求項６】 請求項３記載の化学的気相成長法による
絶縁膜の製造方法において、 前記化学的気相成長法における基板温度は前記原料ガス
のうちの１種類のガスの凝固点より高く５０℃以下に設
定されることを特徴とする化学的気相成長法による絶縁
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15758795A JP3463416B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 絶縁膜の製造方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15758795A JP3463416B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 絶縁膜の製造方法および半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098031A true JPH098031A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3463416B2 JP3463416B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=15652971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15758795A Expired - Fee Related JP3463416B2 (ja) | 1995-06-23 | 1995-06-23 | 絶縁膜の製造方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3463416B2 (ja) |
Cited By (16)
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|---|---|---|---|---|
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