JPH0979760A - 焼結鉱の磁気浮上装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 焼結鉱の生産効率の向上。焼結鉱が電磁石に
吸着するのを防止すること。 【解決手段】 焼結鉱原料の点火位置(50)から焼結鉱排
出位置までの間で、焼結鉱の表層に対向する電磁石(M1
〜Mn)；これに電流を通電する通電手段(Co1〜Con)；焼
結鉱原料の、電磁石吸引方向の層厚(Dp)に対応する補正
値(Gd)を生成する手段(Mc)；および、該補正値(Gd)に対
応して、通電手段(Co1〜Con)を介して電磁石の通電電流
(i1〜in)を、層厚(Dp)が大きいと高く、小さいと低くす
る通電制御手段(Sc1〜Scn)；を備える。加えて、焼結鉱
原料の搬送速度(Vp)が高いと通電電流を高くする。電磁
石/焼結層間ギヤップが大きいと通電電流を高くする。
搬送方向の最高温度位置(RTs)が基準位置(Ps)より下流
であると、上流の電磁石の通電電流を高くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＬ式鉄鉱石焼結
機に関し、特に、パレット上の燃焼帯上に生成した焼結
鉱の通気性を高めるための磁気浮上装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＤＬ式鉄鉱石焼結機においては、粉鉱石
と石灰石とを主原料とし、これにコ−クスを混合して、
エンドレスに連結したパレット上に装入して搬送し、搬
送中に原料の表層に点火して原料層の上部の空気を下向
きに吸引しながら原料中に混合したコ−クスを燃焼させ
る。表層からの燃焼によりパレット上の原料は表層から
順次、下層に向けて焼結鉱となって行く（図４）。その
結果、気孔率が高く原料とは異なった鉱物組成を有する
焼結鉱が得られ、それを使用することにより高炉の生産
性が向上する。

【０００３】ところで、上部焼結鉱の荷重及び燃焼用空
気の下向き吸引の負圧により下部原料層が圧密化される
ため、通気性が悪く、原料の燃焼効率が低い。そこで、
燃焼帯の上方に出来た焼結層に上方から強磁界を加えて
焼結層を上吸引し、通気性を高めることが提案されてい
る。例えば、特開平０４−１２４２２５号公報及び特開
平０５−２５６８２号公報に、焼結層を磁力を利用して
非接触で保持・浮揚させることにより、焼結ベッドの下
層部にかかる荷重を軽減し、通気性を改善し、燃焼効率
を上げて生産性向上及びＮＯｘ発生量低減を実現させる
方法が記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、現在強磁界を
発生する手段として電磁石を使用するのが一般的である
が、この場合、焼結層を電磁力を利用して非接触で浮揚
保持させるには１Ｔｇ重（磁力に換算して１．５テス
ラ）程度の吸引力が必要である。ところで、焼結鉱の生
産効率は、単純に考えると焼結鉱原料層厚を厚くしかつ
搬送速度（パレット移動速度）を高くするほど高くなる
が、焼結鉱層厚が大きくなるに従がいまた搬送速度が速
くなるに従がい、焼結鉱原料の燃焼速度（特に、燃焼が
層表面側から底側へ推移する速度）を速くしなければ、
焼結鉱排出位置に到達するまでに燃焼が完全に底側に達
しない。未燃焼原料が残ると、その分焼結鉱製造品質が
低く、生産効率が低い、という結果となる。この燃焼速
度を速くするためには、焼結鉱の通気性を高くする必要
があるが、焼結鉱層厚が大きくなるほど通気性を高くし
にくい問題がある。

【０００５】一方、吸引力が強いほど、焼結層から分離
した焼結鉱が電磁石に吸引され付着する量が多く、電磁
石／焼結層間に団塊を生じてしまう。電磁石を焼結層か
ら２００mm以上離さなければ焼結層の表層の焼結鉱が電
磁石に吸着し、焼結層の表面の剥離につながる。ＤＬ式
鉄鉱石焼結機においては、燃焼帯上の焼結鉱に効果的に
磁束を与えるとともに、焼結層の表層の焼結鉱が電磁石
に吸着するのを極力少くする必要がある。

【０００６】本発明は、ＤＬ式鉄鉱石焼結機においてそ
の生産効率を向上することを第１の目的とし、焼結層表
層の焼結鉱が電磁石に吸着するのを防止することを第２
の目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

（１）本発明の第１態様の焼結鉱の磁気浮上装置は、焼
結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結されたパレット
(10)の、該焼結鉱原料の表層に点火する位置(50)から焼
結鉱排出位置までの間で、該パレット上に生成した焼結
鉱の表層に対向する電磁石(M1〜Mn)；前記電磁石に電流
を通電する通電手段(Co1〜Con)；焼結鉱原料の、前記電
磁石が吸引する方向の層厚(Dp)に対応する補正値(Gd)を
生成する手段(Mc)；および、該補正値(Gd)に対応して、
前記通電手段(Co1〜Con)を介して前記電磁石(M1〜Mn)の
通電電流(i1〜in)を、層厚(Dp)が厚いと高く、薄いと低
くする通電制御手段(Sc1〜Scn)；を備える。なお、理解
を容易にするためにカッコ内には、図面にて後述する実
施例の対応要素に付した記号を、参考までに付記した。

【０００８】これによれば、手段(Mc)が、焼結鉱原料
の、前記電磁石が吸引する方向の層厚(Dp)に対応する補
正値(Gd)を生成し、通電制御手段(Sc1〜Scn)が、該補正
値(Gd)に対応して、通電手段(Co1〜Con)を介して電磁石
(M1〜Mn)の通電電流(i1〜in)を、層厚(Dp)が厚いと高
く、薄いと低くする。したがって、焼結鉱原料の層厚(D
p)が厚く、焼結鉱荷重が大きいときには、電磁石(M1〜M
n)の焼結層吸引力が強く、焼結層が効果的に持ち上げら
れ、焼結層下の燃焼帯への通気性が高くなる。これによ
り、焼結鉱排出位置にパレット(10)が到達するまでに、
焼結鉱原料はその表層から底まで十分に燃焼させること
ができ、焼結鉱原料層厚(Dp)を厚くすることによる焼結
鉱生産効率の向上が保証される。焼結鉱原料層厚(Dp)が
薄いときには電磁石(M1〜Mn)の通電電流(i1〜in)が低い
ので、焼結層表層の焼結鉱が電磁石に吸着する可能性が
低く、層厚(Dp)が薄いことにより比較的に弱い吸引力で
十分な通気性が確保される。

【０００９】（２）本発明の第２態様の焼結鉱の磁気浮
上装置は、焼結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結さ
れたパレット(10)の、該焼結鉱原料の表層に点火する位
置(50)から焼結鉱排出位置までの間で、該パレット上に
生成した焼結鉱の表層に対向する電磁石(M1〜Mn)；前記
電磁石に電流を通電する通電手段(Co1〜Con)；焼結鉱原
料の搬送速度(Vp)に対応する補正値(Gv)を生成する手段
(Mc)；および、 該補正値(Gv)に対応して、前記通電手
段(Co1〜Con)を介して前記電磁石(M1〜Mn)の通電電流(i
1〜in)を、搬送速度(Vp)が高いと高く、低いと低くする
通電制御手段(Sc1〜Scn)；を備える。

【００１０】これによれば、手段(Mc)が、焼結鉱原料の
搬送速度(Vp)に対応する補正値(Gv)を生成し、通電制御
手段(Sc1〜Scn)が、補正値(Gv)に対応して、通電手段(C
o1〜Con)を介して電磁石(M1〜Mn)の通電電流(i1〜in)
を、搬送速度(Vp)が高いと高く、低いと低くする。した
がって、焼結鉱原料の搬送速度(Vp)が高いときには、電
磁石(M1〜Mn)の焼結層吸引力が強く、焼結層が効果的に
持ち上げられ、焼結層下の燃焼帯への通気性が高くな
る。これにより、焼結鉱原料の表層から底への焼燃の推
移(燃え拡がり)の速度が速く、焼結鉱排出位置にパレッ
ト(10)が到達するまでに、焼結鉱原料はその表層から底
まで十分に燃焼させることができ、焼結鉱原料の搬送速
度(Vp)を高くすることによる焼結鉱生産効率の向上が保
証される。焼結鉱原料の搬送速度(Vp)が遅いときには電
磁石(M1〜Mn)の通電電流(i1〜in)が低いので、焼結層表
層の焼結鉱が電磁石に吸着する可能性が低い。これによ
り通気性は向上せず、焼結鉱原料の表層から底への焼燃
速度は下がるが、焼結鉱原料の搬送速度が遅いので、焼
結鉱排出位置に到達するまでに、焼結鉱原料はその表層
から底まで十分に燃焼する。

【００１１】（３）本発明の第３態様の焼結鉱の磁気浮
上装置は、焼結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結さ
れたパレット(10)の、該焼結鉱原料の表層に点火する位
置(50)から焼結鉱排出位置までの間で、該パレット上に
生成した焼結鉱の表層に対向する電磁石(M1〜Mn)；前記
電磁石に電流を通電する通電手段(Co1〜Con)；電磁石と
それが吸引する焼結鉱原料の表層とのギャップ(s1〜sn)
を検出するギャップ検出手段(g1〜gn,d1〜dn)；およ
び、該ギャップ検出手段が検出したギャップ(s1〜sn)に
対応して、前記通電手段(Co1〜Con)を介して前記電磁石
(M1〜Mn)の通電電流(i1〜in)を、ギャップ(s1〜ｓｎ）
が大きいと高く、小さいと低くする通電制御手段（Ｓｃ
１〜Scn)；を備える。

【００１２】これによれば、通電制御手段(Sc1〜Scn)
が、電磁石(M1〜Mn)の通電電流(i1〜in)を、電磁石／焼
結鉱間のギャップ(s1〜sn)が大きいと高く、小さいと低
くする。これにより、電磁石／焼結鉱間のギャップ(s1
〜sn)が大きい（これにより焼結鉱に作用する吸引力は
弱い）ときには電磁石電流が大きくなって吸引力が上げ
られ、焼結鉱の通気性が高まる。電磁石／焼結鉱間のギ
ャップ(s1〜sn)が小さい（これにより焼結鉱に作用する
吸引力は強い）ときには電磁石電流が小さくなって吸引
力が下げられ、焼結層表層の焼結鉱が電磁石に吸着する
可能性が低い。 （４）本発明の第４態様の焼結鉱の磁気浮上装置は、焼
結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結されたパレット
(10)の、該焼結鉱原料の表層に点火する位置(50)から焼
結鉱排出位置までの間で、該パレット上に生成した焼結
鉱の表層に対向する電磁石(M1〜Mn)；前記電磁石に電流
を通電する通電手段(Co1〜Con)；焼結鉱原料の搬送方向
の温度分布を検出する温度分布検出手段(Ts1〜Tsn,M
c)；および、検出した温度分布の高温部(RTs)が基準位
置(Ps)よりも焼結鉱排出位置に近い位置にあれば、少く
とも基準位置(Ps)よりも搬送方向で上流側にある電磁石
の通電電流(i1〜in)を前記通電手段(Co1〜Con)を介して
高くし(図9の19〜23)、検出した温度分布の高温部(RTs)
が基準位置(Ps)よりも焼結鉱原料の表層に点火する位置
に近い位置にあれば、少くとも検出した温度分布の高温
部(RTs)よりも搬送方向で上流側にある電磁石の通電電
流(i1〜in)を低くする(図9の14〜18)通電制御手段(Mc,S
c1〜Scn)；を備える。

【００１３】上記「焼結鉱原料の搬送方向の温度分布」
の「高温部(RTs)」は、焼結鉱原料の着火位置から焼結
鉱排出位置の間の、焼結鉱原料の燃焼が最も盛んな位置
であり、これは、焼結鉱原料の組成，層厚，搬送速度お
よび着火位置／焼結鉱排出位置間の距離により、所定の
位置(基準位置Ps)となるべきである。例えば、高温部(R
Ts)がそれより下流側である(焼結鉱排出位置に近い)
と、燃焼速度が遅く焼結鉱排出位置で燃焼が完了してい
ない可能性が高い。高温部(RTs)が基準位置Psより上流
側である(着火位置に近い)と、燃焼むらを生じている可
能性(特に、部分的な高速燃焼による燃焼貫通)がある。

【００１４】上記第４態様によれば、燃焼速度が遅い
（検出した温度分布の高温部(RTs)が基準位置(Ps)より
も焼結鉱排出位置に近い位置にある）ときには、通電制
御手段(Mc,Sc1〜Scn)が、少くとも基準位置(Ps)よりも
搬送方向で上流側にある電磁石の通電電流(i1〜in)を通
電手段(Co1〜Con)を介して高くする(図9の19〜23)の
で、基準位置(Ps)よりも上流側の焼結層に及ぶ吸引力が
高くなって焼結層の浮上げが強くなり、その結果通気性
が高くなり、燃焼が盛んになる。これにより、焼結鉱原
料の温度分布の高温部(RTs)が、上流方向に移動する。
すなわち基準位置(Ps)に近くなる。

【００１５】燃焼速度が速い（検出した温度分布の高温
部(RTs)が基準位置(Ps)よりも着火位置に近い）ときに
は、通電制御手段(Mc,Sc1〜Scn)が、少くとも該高温部
(RTs)よりも搬送方向で上流側にある電磁石の通電電流
(i1〜in)を通電手段(Co1〜Con)を介して低くする(図9の
14〜18)ので、高温部(RTs)よりも上流側の焼結層に及ぶ
吸引力が低くなって、その結果通気性が低くなり、燃焼
が抑制される。これにより、焼結鉱原料の温度分布の高
温部(RTs)が、下流方向にシフトする。すなわち基準位
置(Ps)に近くなる。

【００１６】基準位置(Ps)を、焼結鉱排出位置では焼結
鉱原料のすべての均一な燃焼が完了している場合の高温
部位置(RTs)に設定することにより、高品質の焼結鉱が
効率良く生産される。

【００１７】

【発明の実施の形態】

（５）上記第４態様の一実施例は、上述の第１態様の要
件をも備えるので、上記(4)に説明した作用および効果
に加えて、上記(1)に説明した作用および効果が同時
に、同様に実現する。

【００１８】（６）上記第４態様の一実施例は、上述の
第２態様の要件をも備えるので、上記(4)に説明した作
用および効果に加えて、上記(2)に説明した作用および
効果が同時に、同様に実現する。

【００１９】（７）上記第４態様の一実施例は、上述の
第３態様の要件をも備えるので、上記(4)に説明した作
用および効果に加えて、上記(3)に説明した作用および
効果が同時に、同様に実現する。

【００２０】（８）後述の第２実施例は、上記(1)〜(4)
の態様の要件をすべて備えるので、上記(1)〜(4)に説明
した作用および効果が同時に、同様に実現する。

【００２１】本発明の他の目的および特徴は、図面を参
照した以下の実施例の説明より明らかになろう。

【００２２】

【実施例】

−第１実施例− 図１に本発明の第１実施例の全体構成を示し、図３にＤ
Ｌ式鉄鉱石焼結機の全体構成図を示す。焼結層１１は、
パレット１０及び搬送ロールｒにより図１，図３紙面上
においてｙ方向右に搬送される。図１に示す電磁石Ｍ
１，Ｍ２，・・・・，Ｍｎは、それぞれが図３に示すＤ
Ｌ式鉄鉱石焼結機の、磁気浮上装置Ｍｉの１つのユニッ
トである。図３に示すＤＬ式鉄鉱石焼結機においては、
多数のパレット１０がエンドレスに連結され、連続的に
搬送駆動される。ホッパ−３０で焼結鉱原料がパレット
１０に連続的に挿入され、点火炉５０で原料の表面に着
火が行なわれる。

【００２３】図４に、図３に示す点火炉５０〜排鉱位置
までの、パレット１０上の原料の燃焼状態を、模式的に
示す。着火した原料は、排鉱位置に至るまでに、順次表
面から下方向に燃えて行き、ブロア吸引ダクト２０によ
る吸引圧によって原料の表層から下層に空気が吸引さ
れ、この空気が原料下層への燃焼の進行を助ける。排鉱
位置に到達するまでに原料は実質上すべて燃焼して焼結
鉱に変わっており、排鉱位置でパレット１０が下方向に
旋回するときにパレットから落下する。パレット１０上
の原料が表層から下層に燃焼が進行している行路上に磁
気浮上装置Ｍｉが配設されており、この装置Ｍｉの電磁
石Ｍ１〜Ｍｎのそれぞれが、原料の表層に出来た焼結鉱
に磁束を与え、上方に吸引する。

【００２４】再び図１を参照されたい。電磁石Ｍ１のコ
アＭ１ａにはコイルＭ１ｂが巻回されており、コイルＭ
１ｂには、コイルドライバＣｏ１が、指示されたレベル
の電流ｉ１を通電する。コイルドライバＣｏ１にはコン
トローラＳｃ１が接続されており、さらにコントローラ
Ｓｃ１には操作盤１００が接続されている。

【００２５】作業者が操作盤１００上の図示しない入力
キーにより基準吸引力指令ｉｓおよび基準ギャップ指令
ｓｇをコントローラＳｃ１に指示すると、コントローラ
Ｓｃ１はコイルドライバＣｏ１にレベル指令ｉｏ１を出
力する。コイルドライバＣｏ１は、コントローラＳｃ１
より出力されるレベル指令ｉｏ１に従ったレベルの電流
ｉ１を電磁石Ｍ１のコイルＭ１ｂに供給する。電磁石Ｍ
２〜Ｍｎの構成は電磁石Ｍ１に同じであり、コイルドラ
イバＣｏ２〜Ｃｏｎ，コントローラＳｃ２〜Ｓｃｎが接
続され、その機能はコイルドライバＣｏ１，コントロー
ラＳｃ１にそれぞれ準じている。以下に電磁石Ｍ１，コ
イルドライバＣｏ１及びコントローラＳｃ１の詳しい構
成及び機能を説明し、電磁石Ｍ２〜Ｍｎ及びそれに接続
されるコイルドライバＣｏ２〜Ｃｏｎ，コントローラＳ
ｃ２〜Ｓｃｎについての説明は省略する。

【００２６】電磁石Ｍ１の近傍には、ギャップセンサｇ
１が配置されている。本実施例において使用したギャッ
プセンサｇ１は、超音波発受信素子である。ギャップセ
ンサｇ１に接続された距離計ｄ１が所定周期でギャップ
センサｇ１に超音波発振パルスを与える。センサｇ１が
発信した超音波は、焼結層１１の表面，内部，底面（パ
レット１０上面）において反射し、それぞれ行路長対応
の遅れ時間の後にセンサｇ１で受信される。センサｇ１
は反射到来した超音波のレベルを表わす電気信号（受信
信号）を発生する。距離計ｄ１は、センサｇ１に超音波
発振パルスを与えてから計時を開始してセンサｇ１の受
信信号を監視し、反射第１波（焼結層１１の表面反射
波）が受信信号に現われたときの計時値を距離変換し
て、電磁石Ｍ１／焼結層１１間距離ｓ１を表わすデ−タ
を生成し、これを、コントロ−ラＳｃ１へのラッチにセ
ットする。距離計ｄ１は、この距離検出処理を、所定周
期で繰返す。コントロ−ラＳｃ１は、距離ｓ１が必要な
タイミングで、距離計ｄ１のラッチのデ−タ（距離ｓ
１）を読込む。

【００２７】コントローラＳｃ１は、作業者より操作盤
１００を介して与えられる基準ギャップ指令ｓｇと距離
情報ｓ１の差を補正値として基準吸引力指令ｉｓにフィ
ードバックすることによりレベル指令ｉｏ１の値をフィ
ードバック制御し、コイルドライバＣｏ１に出力する。

【００２８】図２に、コントローラＳｃ１の処理機能を
ブロック区分で示す。コントローラＳｃ１は、ＣＰＵ
（マイクロプロセッサ又はマイクロコンピュ−タ）を主
体とする電子処理装置（電子デバイス＋電気回路）であ
る。図２に示す処理機能は、プログラムで実行されるも
のであるが、説明および理解を簡単にするために、以
下、処理機能ブロックを、図２に示す要素表現に従って
説明する。なお、メモリ５は予め内容が登録されている
読み出し専用のメモリであり、ラッチＬ１〜Ｌ４は、実
際には、入力レジスタ（ＣＰＵの内部メモリの一領域）
である。

【００２９】コントロ−ラＳｃ１は、操作盤１００より
与えられる基準ギャップ指令ｓｇおよび基準吸引力指令
ｉｓを、それらが操作盤１００より与えられる度に、ラ
ッチＬ２およびＬ１に格納する。操作盤１００よりスタ
−ト指令が到来すると、コントローラＳｃ１は、予めメ
モリ５に格納されているフィ−ドバックゲインｋｆをラ
ッチＬ４に格納する。フィ−ドバックゲインｋｆは、ギ
ャップ偏差を電磁石電流補正値に換算する係数である。
また、スタ−ト指令が到来し、ストップ指令が到来する
までは、距離計ｄ１の測定距離ｓ１の読込み，レベル指
令ｉｏ１の算出およびコイルドライバＣｏ１への出力、
でなる入出力処理（１回）を、所定周期（サンプリング
周期）で繰返し実行する。

【００３０】この入出力処理（１回）の内容をまず説明
する。コントロ−ラＳｃ１は、距離計ｄ１の測定距離ｓ
１をラッチＬ３にセットする。次に、測定距離ｓ１（ラ
ッチＬ３のデ−タ）の、基準ギャップｓｇ（ラッチＬ２
のデ−タ）に対する偏差 ｓｓ１＝ｓｇ−ｓ１ を、減算器ＡＲ１で算出する。

【００３１】次に、ラッチＬ１の基準指令ｉｓより、偏
差ｓｓ１を減算し、さらに乗算器ＭＲ１でラッチＬ４に
格納されたフィードバックゲインｋｆを乗算した電流指
令値ｓｐ ｓｐ＝ｉｓ−ｋｆ・ｓｓ１ ＝ｉｓ−ｋｆ・ｓｇ＋ｋｆ・ｓ１ を算出する。

【００３２】次に、電流指令値ｓｐをＰＷＭ変換器２
で、所定周期のパルス（Ｈ／Ｌ２の値信号）の、通電
（Ｈ）幅に変換して、電流指令値ｓｐが大きい値である
とＨ幅が広いＰＷＭパルスｉｍ１を生成し、このＰＷＭ
パルスｉｍ１を平滑回路３でその時系列平均値に変換し
て、これをレベル指令ｉｏ１としてコイルドライバＣｏ
１に与える。

【００３３】以上に説明した入，出力処理が所定周期で
繰返されることにより、ＰＷＭ変換器２が出力するＰＷ
Ｍパルスｉｍ１の通電（Ｈ）デュ−ティは、距離計ｄ１
の計測値ｓ１（電磁石Ｍ１／焼結層１１表面間距離）の
変動に対応して変動するが、平滑回路３の時定数が、上
述の入出力処理の繰返し周期よりも長いので、コイルド
ライバＣｏ１に与えられる電流指令ｉｏ１は、上述の入
出力処理の繰返し周期対応の変動を平滑化した緩やかな
変化を示すものとなる。

【００３４】コントロ−ラＳｃ１の以上に説明した処理
動作により、例えば、基準ギャップ指令ｓｇより距離情
報ｓ１の値が大きい場合においては、吸引力補正値ｓｓ
１は負値となり、電流指令値ｓｐ＝ｉｓ−ｋｆ・ｓｓ１
が大きくなって、コイルドライバＣｏ１は電磁石Ｍ１の
吸引力を高くする通電電流ｉ１をコイルＭ１ｂに通電す
るので、焼結層１０の表面が電磁石Ｍ１の下面にさらに
引きつけられて上昇する。逆に、基準ギャップ指令ｓｇ
より距離情報ｓ１の値が小さい場合においては、吸引力
補正値ｓｓ１は正の値となり、電流指令値ｓｐ＝ｉｓ−
ｋｆ・ｓｓ１が小さくなって、コイルドライバＣｏ１は
電磁石Ｍ１の吸引力を低くとする電流ｉ１をコイルＭ１
ｂに通電するので、焼結層１０の表面が電磁石Ｍ１の下
面より離れる方向に下降する。

【００３５】図５の（ａ）には電磁石（電磁石）Ｍ１の
吸引力の働く方向を示し、（ｂ）には、電磁石Ｍ１の電
流値を一定にしている場合の、ギャップ（距離情報ｓ
１）と、焼結層１１に作用する吸引力との関係を示す。
上述の第１実施例では、ギャップｓ１が大きくなる（吸
引力が低下する）ときには、電磁石Ｍ１の電流値を大き
くするので吸引力が増加し、これに伴って焼結層１１が
上移動してギャップが小さくなる。このギャップの減少
は吸引力の更なる増大をもたらすので、ギャップの拡大
に応じた電磁石Ｍ１の電流値のアップは、比較的に小さ
くても、大きな効果をもたらす。吸引力の増大により焼
結層１１が基準ギャップｓｇ以上に浮上するときは、電
磁石Ｍ１の電流値を小さくするので吸引力が低下し、こ
れに伴って焼結層１１が下移動してギャップが大きくな
る。このギャップの増大は吸引力の更なる低下をもたら
すので、ギャップの縮小に応じた電磁石Ｍ１の電流値の
低減は、比較的に小さくても、大きな効果をもたらす。
このような焼結層１１の運動は、振動的になり易い。こ
れを安定化するために、第１実施例では平滑回路３で、
ＰＷＭパルスを、その一周期よりも長い時定数で平滑化
している。

【００３６】なお、コイルドライバＣｏ１が、アナログ
指令入力のものであるので、ＰＷＭパルスを平滑化して
いるが、コイルドライバＣｏ１がデュ−ティを制御した
パルス通電（チョッピング）タイプのものであるときに
は、平滑化回路３を省略し、ＰＷＭパルスｉｍ１をコイ
ルドライバＣｏ１に与える。この場合、上述のギャップ
対応の電磁石通電電流補正はＰ（比例）制御のみである
が、これをＰＩ（比例，積分）制御あるいはＰＩＤ（比
例，積分，微分）制御に変更して、積分項により、通電
電流値の振動的変化を抑制する。上述の、アナログ指令
入力のコイルドライバＣｏ１および平滑回路３を用いる
態様でも、上述のギャップ対応の電磁石通電レベル補正
を、ＰＩ（比例，積分）制御あるいはＰＩＤ（比例，積
分，微分）制御に変更してもよい。

【００３７】本実施例によれば、ＤＬ式鉄鉱石焼結機に
おいて、生産量の変動に対応して吸引力を制御し、原料
の通気性を高く保ちながら、焼結鉱の電磁石への吸着を
抑制することができる。

【００３８】−第２実施例− 図６に本発明の第２実施例の全体構成を示す。図６に示
す電磁石Ｍ１，Ｍ２，・・・・，Ｍｎは、それぞれが第
１実施例と同様に図３に示すＤＬ式鉄鉱石焼結機の、磁
気浮上装置Ｍｉの１つのユニットであり、第１実施例の
ものと構造は同一である。

【００３９】図６を参照すると、第１実施例と同様に、
電磁石Ｍ１には、コイルドライバＣｏ１が指示電流ｉ１
を供給する。第１実施例と同様に、コイルドライバＣｏ
１にはコントローラＳｃ１が接続されており、さらにコ
ントローラＳｃ１には操作盤１００が接続されている。
他の電磁石Ｍ２〜Ｍｎに関しても同様である。 この第
２実施例では、これらのコントロ−ラＳｃ１〜Ｓｃｎに
加えて、それらに対して上位となるマスタコントロ−ラ
Ｍｃが備わっており、このマスタコントロ−ラＭｃが、
第１実施例にはない電磁力電流補正値Ｓｍ１〜Ｓｍｎの
それぞれを、各コントロ−ラＳｃ１〜Ｓｃｎに与えると
共に、全コントロ−ラＳｃ１〜Ｓｃｎに、演算ゲインＧ
ｖ，ＧｄおよびＧｇを与える。

【００４０】図７に、コントロ−ラＳｃ１（他のＳｃ２
〜Ｓｃｎも同様な構成）の処理機能をブロック区分で示
す。コントローラＳｃ１は、ＣＰＵ（マイクロプロセッ
サ又はマイクロコンピュ−タ）を主体とする電子処理装
置（電子デバイス＋電気回路）である。図７に示す処理
機能は、プログラムで実行されるものであるが、説明お
よび理解を簡単にするために、以下、処理機能ブロック
を、図７に示す要素表現に従って説明する。なお、ラッ
チＬ１〜Ｌ７は、実際には、入力レジスタ（ＣＰＵの内
部メモリの一領域）である。

【００４１】コントロ−ラＳｃ１は、操作盤１００より
与えられる基準ギャップ指令ｓｇおよび基準吸引力指令
ｉｓを、それらが操作盤１００より与えらる度に、ラッ
チＬ２およびＬ１に格納する。また、マスタコントロ−
ラＭｃからデ−タ（電磁力電流補正値Ｓｍ１ならびに演
算ゲインＧｖ，ＧｄおよびＧｇ）の送信があると通信回
路４を介してそれらを受信し、ラッチＬ４〜Ｌ７に格納
する。

【００４２】第２実施例のコントロ−ラＳｃ１の機能概
要を説明する、第１実施例のコントロ−ラＳｃ１と比較
して、第２実施例のコントロ−ラＳｃ１は、マスタコン
トロ−ラＭｃから電磁力電流補正値Ｓｍ１ならびに演算
ゲインＧｖ，ＧｄおよびＧｇを受信するための通信回路
４を備える点、これらのデ−タを格納するラッチＬ４〜
Ｌ７を備える点、これらのデ−タを電磁石に対する通電
レベル指令ｉｏ１の算出に用いる点、ならびに、指令値
ｓｐの算出式にこれらのデ−タが用いられる点、が異な
る。

【００４３】すなわち、指令値ｓｐの算出式は、第１実
施例のコントロ−ラＳｃ１の場合、 ｓｐ＝ｉｓ−ｋ・ｓｓ１ ＝ｉｓ−ｋ・ｓｇ＋ｋ・ｓ１ であったところ、第２実施例のコントロ−ラＳｃ１の場
合は、 ｓｐ＝Ｇｖ・Ｇｄ・ｉｓ−Ｇｇ・ｓｓ１＋Ｓｍ１ ＝Ｇｖ・Ｇｄ・ｉｓ−Ｇｇ・ｓｇ＋Ｇｇ・ｓ１＋Ｓｍ１
である。その他の構成および機能は、第１実施例のコン
トロ−ラＳｃ１と同一である。

【００４４】「ｓｓ１」は、第１実施例の補正値「ｓｓ
１」と同一の補正値であり、「Ｓｍ１」は、焼結鉱原料
の、点火炉５０から焼結鉱排出位置までの温度分布の高
温部（ＲＴｓ）を、基準位置（Ｐｓ）にシフトするため
の、すなわち、点火炉５０から焼結鉱排出位置までの温
度分布を、基準パタ−ンに実質上合致させるための、電
磁石電流補正値であり、マスタコントロ−ラＭｃ（図
６）が与える。Ｇｖは、焼結鉱原料の搬送速度Ｖｐに対
応した、搬送速度Ｖｐが高いと大きい値のゲインであ
り、マスタコントロ−ラＭｃが与える。Ｇｄは、焼結鉱
と電磁石とのギャップｓ１（ｚ方向）に対応した、層厚
Ｄｐが大きいと大きい値のゲインであり、マスタコント
ロ−ラＭｃが与える。また、Ｇｇは、焼結鉱原料の層厚
Ｄｐ（ｚ方向）に対応した、ギャップｓ１が大きいと小
さい値のゲインであり、マスタコントロ−ラＭｃが与え
る。

【００４５】なお、層厚Ｄｐが大きいときには、電磁石
Ｍ１／焼結層１１間ギャップｓ１は小さい。大きい層厚
Ｄｐを浮上駆動するために、Ｇｄが大きく、電磁石電流
値が大きいので、これにギャップｓ１対応の電流値補正
が強く働くと、焼結層１１が電磁石Ｍ１に吸着する可能
性が高くなる。ゲインＧｇはこれを抑制するため、層厚
Ｄｐが大きいときにはギャップ対応の電流補正値を小さ
くするものである。

【００４６】次に、第２実施例のコントロ−ラＳｃ１の
処理機能を、図７を参照して詳細に説明する。操作盤１
００よりスタ−ト指令が到来し、ストップ指令が到来す
るまでは、距離計ｄ１の測定距離ｓ１の読込み，レベル
指令ｉｏ１の算出およびコイルドライバＣｏ１への出
力、でなる入出力処理（１回）を、所定周期（サンプリ
ング周期）で繰返し実行する。

【００４７】この入出力処理（１回）の内容をまず説明
する。コントロ−ラＳｃ１は、距離計ｄ１の測定距離ｓ
１をラッチＬ３に格納する。次に、測定距離ｓ１（ラッ
チＬ３のデ−タ）の、基準ギャップｓｇ（ラッチＬ２の
デ−タ）に対する偏差 ｓｓ１＝ｓｇ−ｓ１ を、減算器ＡＲ１で算出し、そして乗算器ＭＲ３で、算
出値に、ラッチＬ７のゲインＧｇを乗算する。すなわ
ち、 Ｇｇ・ｓｓ１＝Ｇｇ・（ｓｇ−ｓ１） を算出する。

【００４８】次に、ラッチＬ１の基準指令ｉｓに、乗算
器ＭＲ２，ＭＲ１でラッチＬ５およびＬ６のゲインＧ
ｖ，Ｇｄを乗算して、 Ｇｖ・Ｇｄ・ｉｓ を算出し、この算出値Ｇｖ・Ｇｄ・ｉｓより補正値Ｇｇ
・ｓｓ１を減算し、補正値Ｓｍ１を加算した電流指令値
ｓｐ ｓｐ＝Ｇｖ・Ｇｄ・ｉｓ−Ｇｇ・ｓｓ１＋Ｓｍ１ ＝Ｇｖ・Ｇｄ・ｉｓ−Ｇｇ・ｓｇ＋Ｇｇ・ｓ１＋Ｓｍ１ を算出する。

【００４９】次に、電流指令値ｓｐをＰＷＭ変換器２
で、所定周期のパルス（Ｈ／Ｌ２値信号）の、通電
（Ｈ）幅に変換して、電流指令値ｓｐが大きい値である
とＨ幅が広いＰＷＭパルスｉｍ１を生成し、このＰＷＭ
パルスｉｍ１を平滑回路３でその時系列平均値に変換し
て、これをレベル指令ｉｏ１としてコイルドライバＣｏ
１に与える。

【００５０】以上に説明した入，出力処理が所定周期で
繰返されることにより、ＰＷＭ変換器２が出力するＰＷ
Ｍパルスｉｍ１の通電（Ｈ）デュ−ティは、距離計ｄ１
の計測値ｓ１（電磁石Ｍ１／焼結層１１表面間距離）の
変動に対応して変動するが、平滑回路３の時定数が、上
述の入出力処理の繰返し周期よりも長いので、コイルド
ライバＣｏ１に与えられる電流指令ｉｏ１は、上述の入
出力処理の繰返し周期対応の変動を平滑化した緩やかな
変化を示すものとなる。

【００５１】再度図６を参照すると、ブロア吸引ダクト
２０には温度センサＴｓ１〜Ｔｓｎが電磁石Ｍ１〜Ｍｎ
に対向する吸気口２０ｐ１〜２０ｐｎの一つづつにそれ
ぞれ備えられている。温度センサＴｓ１〜Ｔｓｎは、各
吸気口２０ｐ１〜２０ｐｎのブロア吸気Ｐ１〜Ｐｎの温
度ｔｓ１〜ｔｓｎを測定してマスタコントローラＭｃに
出力する。検出温度ｔｓ１〜ｔｓｎは、電磁石Ｍ１〜Ｍ
ｎ直下の焼結鉱原料の燃焼ガス温度（ブロア吸引ガス温
度）を表わす。

【００５２】マスタコントローラＭｃは各温度ｔｓ１〜
ｔｓｎを比較してブロア吸気の温度が最も高温である吸
気口（高温吸気口２０ｐｔｓとする）を検索し、その位
置より焼結層１１中の焼結鉱の生成進行度合を推測す
る。つまり、高温吸気口２０ptsが作業者が設定した基
準吸気口（２０psとする）と比較して排鉱位置に近い位
置のものである程焼結鉱の生成効率が悪く、高温吸気口
２０ptsが基準吸気口２０psと比較して点火炉５０に近
い位置のものである程焼結鉱が急激に生成されていると
判定する。

【００５３】そしてマスタコントローラＭｃは、高温吸
気口２０ptsが基準吸気口２０psよりも排鉱位置に近い
場合には、焼結鉱の生成効率を上昇させる為に（燃焼速
度を高くするために）、基準吸気口２０ps直近およびそ
れより上流の電磁石の吸引力増大を指示する補正指令Ｓ
ｍ１〜ＳｍｎをコントローラＳｃ１〜Ｓｃｎに送信す
る。反対に、高温吸気口２０ptsが基準吸気口２０psよ
りも点火炉５０に近い場合には、マスタコントローラＭ
ｃは、高温吸気口２０pts直近およびそれより上流の電
磁石の吸引力低減を指示する補正指令Ｓｍ１〜Ｓｍｎを
コントローラＳｃ１〜Ｓｃｎに送信する。

【００５４】図８に、マスタコントローラＭｃの処理機
能をブロック区分で示す。マスタコントローラＭｃは、
ＣＰＵ６を主体とする電子処理装置（電子デバイス＋電
気回路）である。上述の温度センサＴｓ１〜Ｔｓｎは、
温度計（アナログ電気回路）Ｔ１〜Ｔｎに接続されてお
り、これらの温度計の、温度センサＴｓ１〜Ｔｓｎの検
出温度ｔｓ１〜ｔｓｎを表わすアナログ信号は、アナロ
グスイッチ７を介して選択的にＣＰＵ６のＡ／Ｄ変換入
力ポ−トに与えられる。ＣＰＵ６は、検出温度ｔｓ１〜
ｔｓｎが必要なとき、アナログスイッチ７に順次に温度
計Ｔ１〜Ｔｎを指定する制御信号を与え、各検出温度ｔ
ｓ１〜ｔｓｎを順次にＡ／Ｄ変換して読込む。

【００５５】図９及び図１０に、図８に示すマスタコン
トローラＭｃのＣＰＵ６の処理動作を示す。電源が投入
されるとＣＰＵ６はまず、初期化を行う。これにおい
て、入出力ポ−トを待機時の信号レベルに設定し、レジ
スタ（内部メモリの１領域）を初期値に設定し、カウン
タおよびタイマを初期化する（ステップ１）。以後、カ
ッコ内にはステップという言葉を省略してステップ番号
数字のみを記す。

【００５６】次にＣＰＵ６は、操作盤１００の作業者に
よる入力の読み取り（２）を行なう。ここで作業者が基
準吸気口２０pts直近の電磁石の番号Ｐｓを入力する
と、このＰｓをレジスタＲＰｓに格納する。

【００５７】作業者が焼結鉱原料層厚Ｄｐを入力する
と、関数演算テ−ブルｆｄ（Ｄｐ）よりＤｐ対応のゲイ
ンデ−タＧｄを読出してレジスタＲＧｄに格納する。な
お、関数演算テ−ブルｆｄ（Ｄｐ）は、Ｄｐをアドレス
とし、Ｄｐ対応のゲインデ−タＧｄを格納した、メモリ
領域（内部メモリの一領域）であり、Ｄｐ対応のゲイン
Ｇｄは、Ｄｐが大きいと大きい値となっている。ただ
し、Ｄｐの上限値以上では一定値（上飽和値）、Ｄｐの
下限値以下でも一定値（下飽和値）となっている。Ｄｐ
入力に対応してＣＰＵ６は更に、関数演算テ−ブルｆｇ
（Ｄｐ）よりＤｐ対応のゲインデ−タＧｇを読出してレ
ジスタＲＧｇに格納する。なお、関数演算テ−ブルｆｇ
（Ｄｐ）も、Ｄｐをアドレスとし、Ｄｐ対応のゲインデ
−タＧｇを格納した、メモリ領域（内部メモリの一領
域）であり、Ｄｐ対応のゲインＧｇは、Ｄｐが大きいと
小さい値となっている。ただし、Ｄｐの上限値以上では
一定値（下飽和値）、Ｄｐの下限値以下でも一定値（上
飽和値）となっている。

【００５８】作業者が焼結鉱原料の搬送速度Ｖｐを入力
すると、関数演算テ−ブルｆｖ（Ｖｐ）よりＶｐ対応の
ゲインデ−タＧｖを読出してレジスタＲＧｖに格納す
る。なお、関数演算テ−ブルｆｖ（Ｖｐ）も、Ｖｐをア
ドレスとし、Ｖｐ対応のゲインデ−タＧｖを格納した、
メモリ領域（内部メモリの一領域）であり、Ｖｐ対応の
ゲインＧｖは、Ｖｐが大きいと大きい値となっている。
ただし、Ｖｐの上限値以上では一定値（上飽和値）、Ｖ
ｐの下限値以下でも一定値（下飽和値）となっている。

【００５９】ＣＰＵ６は、スタ−ト指示の入力があるの
を待ち（３）、スタート指示があれば、ステップ４に進
むが、スタート指示が無ければ再び操作盤１００の入力
読み取り（２）に戻り、スタート指示が到来するまでこ
れを繰り返しており、スタート入力の待機状態にある
（３）。

【００６０】スタート入力が到来するとＣＰＵ６は、時
限値ＰｔのタイマＰｔをスタートする（４）。そして、
温度計Ｔ１〜Ｔｎの検出温度ｔｓ１〜ｔｓｎを順次に読
込む（５〜７，１１，１２および７，１１，１２の繰返
し）。このとき検出温度ｔｓ１〜ｔｓｎの最高温度を判
定して（８）レジスタＲＭｔに格納し（９）、かつ、最
高温度を示した温度計Ｔｉの番号デ−タｉをレジスタＲ
Ｔｓに書込む（１０）。

【００６１】なお、温度センサＴｓ１〜Ｔｓｎの数字
（１〜ｎ），それが接続された温度計Ｔ１〜Ｔｎの数字
（１〜ｎ）および電磁石Ｍ１〜Ｍｎの数字（１〜ｎ）
は、焼結鉱原料の搬送方向で、上流側が小さい値を示す
数字になっており、温度センサＴｓｉと電磁石Ｍｉと
は、焼結鉱原料の搬送方向ｙで実質上同一位置にある。
操作盤１００を介してマスタコントロ−ラＭｃに入力さ
れる基準位置デ−タＰｓは、いずれかの電磁石Ｍｊの位
置を、該Ｍｊのｊを表わすデ−タと規定されているもの
である。

【００６２】ＣＰＵ６は次に、最高温度位置（レジスタ
ＲＴｓのデ−タＲＴｓ）が、基準位置Ｐｓ（レジスタＲ
Ｐｓのデ−タ）よりも上流側（Ｐｓ−ＲＴｓ＞０）か、
下流側（Ｐｓ−ＲＴｓ＜０）か、あるいは同一位置（Ｐ
ｓ−ＲＴｓ＝０）かをチェックする。

【００６３】最高温度位置（ＲＴｓ）が基準位置Ｐｓよ
りも上流側（Ｐｓ−ＲＴｓ＞０）である（最高温度位置
ＲＴｓおよびそれより上流側の燃焼速度が高過ぎる：焼
結層の通気性が高い）と、ＣＰＵ６は、最高温度位置Ｒ
Ｔｓの電磁石への補正値を、基準位置Ｐｓに対する最高
温度位置ＲＴｓの差に、１単位当りの補正値ΔＳｍを乗
算した値（負値：電磁石電流値低減量）に設定し（１
５）、この電磁石より１つ上流の電磁石への補正値を、
更に１単位大きい値（負値）に設定し、順次このように
上流の電磁石への今回の補正値を、１単位づつ大きい値
（負値）に設定する（１５〜１８）。最高温度位置ＲＴ
ｓの電磁石よりも下流の電磁石への補正値は０とする
（１９）。

【００６４】最高温度位置（ＲＴｓ）が基準位置Ｐｓよ
りも下流側（Ｐｓ−ＲＴｓ＜０）である（少くとも基準
位置Ｐｓおよびそれより上流側の燃焼速度が低過ぎる：
焼結層の通気性が低い）と、ＣＰＵ６は、基準位置Ｐｓ
の電磁石宛ての今回の補正値を、基準位置Ｐｓに対する
最高温度位置ＲＴｓの差に、１単位補正値ΔＳｍを乗算
した値（正値：電磁石電流値増加量）に設定し（２
０）、この電磁石より１つ上流の電磁石への補正値を、
更に１単位大きい値（正値）に設定し、順次このように
上流の電磁石への補正値を、１単位づつ大きい値（正
値）に設定する（２０〜２３）。基準位置Ｐｓの電磁石
よりも下流の電磁石への補正値は０とする（２４）。

【００６５】最高温度位置（ＲＴｓ）が基準位置Ｐｓと
合致している（Ｐｓ−ＲＴｓ＝０）と、これは、焼結鉱
原料の燃焼が、作業者がＰｓで指定したｙ方向温度分布
（ｙ位置をパラメ−タとするｙ位置各所の燃焼速度の分
布）と実質上合致するパタ−ンで進行している（最適）
と見なせる。このときにはＣＰＵ６は、全電磁石への補
正値を０に設定する（１４）。

【００６６】上述のように今回の補正値を設定するとＣ
ＰＵ６は、各電磁石宛ての今回の補正値のそれぞれを、
各電磁石の直前までの補正値の累算値ＲＳｍ１〜Ｒｓｍ
ｎのそれぞれに加え、得た和（補正値が負値であると減
算と同義）をレジスタＲＳｍ１〜Ｒｓｍｎに更新格納す
る（２５〜２８）。

【００６７】次にＣＰＵ６は、レジスタＲＧｄ，ＲＧｇ
およびＲＧｖのゲインデ−タＧｄ，ＧｇおよびＧｖと、
レジスタＲＳｍ１〜ＲＳｍｎのデ−タＳｍ１〜Ｓｍｎそ
れぞれとを、コントロ−ラＳｃ１〜Ｓｃｎのそれぞれに
送信する（２９）。したがって、コントロ−ラＳｃ１
は、デ−タＧｄ，ＧｇおよびＧｖとデ−タＳｍ１を受信
して、それぞれラッチＬ６，Ｌ７およびＬ５とラッチＬ
４に格納する。コントロ−ラＳｃ２は、一般にはＳｃ１
と異なったデ−タＧｄ，ＧｇおよびＧｖとデ−タＳｍ２
を受信してラッチに格納する。他のコントロ−ラＳｃ３
〜Ｓｃｎも同様である。

【００６８】ＣＰＵ６は次に、再び操作盤１００の入力
読み取り（３０）に戻り、ストップが指示されていれ
ば、ステップ２に戻り、再びスタート指示がされるのを
待つ（３１，２）が、ストップ指示が指定されていなけ
れば、タイマＰｔがタイムオーバとなるまで待機し、デ
−タ入力があれば、それを該当のレジスタに更新書込み
する。タイマＰｔがタイムオ−バすると、ステップ４に
戻り再び以上の動作（４〜３２）を実行する。以下、ス
トップ指示があるまで、ステップ４〜３２の処理を、タ
イマＰｔの設定周期で繰り返す。

【００６９】この第２実施例では、第１実施例と同様
に、焼結層上面と電磁石との距離に対応して、それが大
きいと電磁石の通電電流を大きくし、小さいと小さくす
るので、焼結層に、所定量に浮上するよう吸引力が加わ
り、焼結層の通気性が確保される。また、電磁石への焼
結鉱の吸着が少くなる。

【００７０】第２実施例では更に、焼結鉱原料の層厚Ｄ
ｐが大きいと、電磁石の吸引力通電指令値ｓｐ（＝ｉｓ
・Ｇｄ・Ｇｖ−ｓｓ１＋Ｓｍ１）の補正値Ｇｄを大きく
するので、各種層厚Ｄｐのそれぞれにおいて、焼結層を
所定量浮上するよう吸引力が加わり十分な通気性が確保
される。したがって、生産性向上のための層厚Ｄｐの増
加が容易である。

【００７１】第２実施例では更に、焼結鉱原料の搬送速
度Ｖｐが高いと、電磁石の吸引力指令値ｓｐの補正値Ｇ
ｖを大きくするので、通気性が高くなり、搬送速度Ｖｐ
を高くしても焼結鉱排出位置に到達するまでに焼結鉱原
料の燃焼がその底に達し、未燃原料の残留を実質上生じ
ない。したがって、生産性向上のための搬送速度Ｖｐの
増速が容易である。

【００７２】第２実施例では更に、焼結鉱原料の搬送方
向の温度分布を検出して、最高温度位置（燃焼が最も盛
んな位置）ＲＴｓが、基準位置Ｐｓより下流であると、
少くとも基準位置Ｐｓおよびそれより上流の電磁石の吸
引力指令値ｓｐの補正値Ｓｍ１を大きくして、それらの
電磁石の通電電流値を大きくするので、基準位置Ｐｓお
よびそれより上流において焼結層の通気性が高くなり、
最高温度位置Ｒｔｓが上流側に移動する。これにより、
焼結鉱排出位置に到達するまでに焼結鉱原料の燃焼がそ
の底に達し、未燃原料の残留を実質上生じない。したが
って焼結鉱の生産性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施例の全体構成を示すブロッ
ク図である。

【図２】 図１に示すコントローラＳｃ１の機能を示す
ブロック図である。

【図３】 図１に示す電磁石Ｍ１〜Ｍｎを装備したＤＬ
式鉄鉱石焼結機の概要を示す側面図である。

【図４】 図３に示すパレット１０上の焼結鉱原料の縦
断面であり、該原料の燃焼帯の、パレット搬送方向の分
布を示す。

【図５】 （ａ）は図１に示す電磁石Ｍ１の吸引力の働
く方向を示す拡大縦断図であり、（ｂ）は電磁石Ｍ１と
焼結層との間のギャップと焼結層に作用する吸引力の関
係を示すグラフである。

【図６】 本発明の第２実施例の全体構成を示すブロッ
ク図である。

【図７】 図６に示すコントローラＳｃ１の機能を示す
ブロック図である。

【図８】 図６に示すマスタコントローラＭｃの構成を
示すブロック図である。

【図９】 図８に示すＣＰＵ６の制御動作の一部を示す
フローチャートである。

【図１０】 図８に示すＣＰＵ６の制御動作の残部を示
すフローチャートである。

【符号の説明】 １０：パレット ２０：ブロア吸引ダ
クト 20p1〜20pn：吸気口 ｇ１〜ｇｎ：ギャ
ップセンサ Ｍ１〜Ｍｎ：電磁石 Ｍ１ａ：コア Ｍ１ｂ：コイル Pi,P1〜Pn：ブロア
吸引 ｒ：搬送ロール Ts1〜Tsn：温度セン
サ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤 平 幸 一 千葉県富津市新富20−１ 新日本製鐵株式 会社技術開発本部内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】焼結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結
   されたパレットの、該焼結鉱原料の表層に点火する位置
   から焼結鉱排出位置までの間で、該パレット上に生成し
   た焼結鉱の表層に対向する電磁石；前記電磁石に電流を
   通電する通電手段；焼結鉱原料の、前記電磁石が吸引す
   る方向の層厚に対応する補正値を生成する手段；およ
   び、 該補正値に対応して、前記通電手段を介して前記電磁石
   の通電電流を、層厚が厚いと高く、薄いと低くする通電
   制御手段；を備える焼結鉱の磁気浮上装置。
2. 【請求項２】焼結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結
   されたパレットの、該焼結鉱原料の表層に点火する位置
   から焼結鉱排出位置までの間で、該パレット上に生成し
   た焼結鉱の表層に対向する電磁石；前記電磁石に電流を
   通電する通電手段；焼結鉱原料の搬送速度に対応する補
   正値を生成する手段；および、 該補正値に対応して、前記通電手段を介して前記電磁石
   の通電電流を、搬送速度が高いと高く、低いと低くする
   通電制御手段；を備える焼結鉱の磁気浮上装置。
3. 【請求項３】焼結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結
   されたパレットの、該焼結鉱原料の表層に点火する位置
   から焼結鉱排出位置までの間で、該パレット上に生成し
   た焼結鉱の表層に対向する電磁石；前記電磁石に電流を
   通電する通電手段；電磁石とそれが吸引する焼結鉱原料
   の表層とのギャップを検出するギャップ検出手段；およ
   び、 該ギャップ検出手段が検出したギャップに対応して、前
   記通電手段を介して前記電磁石の通電電流を、ギャップ
   が大きいと高く、小さいと低くする通電制御手段；を備
   える焼結鉱の磁気浮上装置。
4. 【請求項４】焼結鉱原料を搬送する、エンドレスに連結
   されたパレットの、該焼結鉱原料の表層に点火する位置
   から焼結鉱排出位置までの間で、該パレット上に生成し
   た焼結鉱の表層に対向する、搬送方向に配列された複数
   個の電磁石；それぞれが各電磁石に電流を通電する複数
   個の通電手段；焼結鉱原料の搬送方向の温度分布を検出
   する温度分布検出手段；および、 検出した温度分布の高温部が基準位置よりも焼結鉱排出
   位置に近い位置にあれば、少くとも基準位置よりも搬送
   方向で上流側にある電磁石の通電電流レベルを前記通電
   手段を介して高くし、検出した温度分布の高温部が基準
   位置よりも焼結鉱原料の表層に点火する位置に近い位置
   にあれば、少くとも検出した温度分布の高温部よりも搬
   送方向で上流側にある電磁石の通電電流レベルを低くす
   る通電制御手段；を備える焼結鉱の磁気浮上装置。
5. 【請求項５】焼結鉱原料の、前記電磁石が吸引する方向
   の層厚に対応する補正値を生成する手段；および、該補
   正値に対応して、前記通電手段を介して前記電磁石の通
   電電流を、層厚が厚いと高く、薄いと低くする層厚対応
   の通電電流補正手段；を更に備える、請求項４記載の焼
   結鉱の磁気浮上装置。
6. 【請求項６】焼結鉱原料の搬送速度に対応する補正値を
   生成する手段；および、該補正値に対応して、前記通電
   手段を介して前記電磁石の通電電流を、搬送速度が高い
   と高く、低いと低くする速度対応の通電電流補正手段；
   を更に備える、請求項４又は請求項５記載の焼結鉱の磁
   気浮上装置。
7. 【請求項７】電磁石とそれが吸引する焼結鉱原料の表層
   とのギャップを検出するギャップ検出手段；および、該
   ギャップ検出手段が検出したギャップに対応して、前記
   通電手段を介して前記電磁石の通電電流を、ギャップが
   大きいと高く、小さいと低くするギャップ対応の通電電
   流補正手段；を更に備える、請求項４，請求項５又は請
   求項６記載の焼結鉱の磁気浮上装置。