JPH0973612A - 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果ヘッドにおいて、狭ギャップ化
及び狭トラック化を可能とし、高密度記録を実現可能に
する。 【解決手段】 磁気抵抗効果を示す磁性薄膜層１４と、
トラック部１０に相当する距離離れて、磁性薄膜層１４
の表面上に電気的に接続されるように設けられる一対の
電極リード層１５ａ，１５ｂと、一対の電極リード層１
５ａ，１５ｂ間のトラック部１０に相当する領域に、電
極リード層１５ａ，１５ｂとほぼ同程度の厚みとなるよ
うに設けられる高抵抗層１５ｃと、磁性薄膜層１４及び
電極リード層１５ａ，１５ｂの上方に設けられる絶縁層
１６とを備えることを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を再生用ヘッド素子として備える磁気抵抗効果ヘッド及
びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果素子は、磁界強度に応じて
電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用した素子であ
り、波形歪みが少なく、かつ高い再生出力が得られるこ
とから、薄膜磁気ヘッドの再生用ヘッドとして注目を集
めている。磁気抵抗効果素子は、電気抵抗の変化を電圧
変化として読み取り磁界の変化を検出するため、素子に
電流を流すことが必要である。このため、磁気抵抗効果
素子においては、電極膜が形成され、この電極膜によっ
て磁気抵抗効果素子に電流が供給され、また電圧変化が
読み取られる。また磁気抵抗効果素子においては、磁気
抵抗効果素子以外への電流の分流を防ぐため絶縁層が形
成されている。この絶縁層は、一般に磁気抵抗効果素子
を挟み込むように磁気抵抗効果素子の上方及び下方に設
けられている。

【０００３】図１１は、従来の磁気抵抗効果ヘッドを示
す断面図である。図１１を参照して、アルチック（Ａｌ
₂ Ｏ₃ ＴｉＣ）などからなるセラミック基板１の上に
は、ＮｉＦｅ層などからなる下部シールド層２、Ａｌ₂
Ｏ₃ などからなる絶縁層３が順次形成されている。絶縁
層３の所定の領域上には、磁気抵抗効果を示す磁性薄膜
層４が設けられている。磁性薄膜層４の上には、磁性薄
膜層４に電流を供給し、電圧変化を検出するための一対
の電極リード層５ａ及び５ｂが設けられている。一対の
電極リード層５ａと５ｂの端部は、トラック部１０に相
当する距離離れるよう設けられている。このような電極
リード層５ａ，５ｂは、電極材料層を全面に形成した
後、トラック部１０に相当する領域を含む不要な領域を
エッチングすることにより形成することができる。

【０００４】電極リード層５ａ，５ｂ及び、電極リード
層５ａ，５ｂが設けられていないトラック部１０に相当
する磁性薄膜層４上を覆うように、Ａｌ₂ Ｏ₃ などから
なる絶縁層６が形成されている。絶縁層６の上には、上
部シールド層を兼ねるＮｉＦｅ層などからなる下部記録
コア層７が形成されている。下部記録コア層７の上に
は、Ａｌ₂ Ｏ₃ などからなる記録ギャップ層８を介して
上部記録コア層９が設けられている。上部記録コア層
９、記録ギャップ層８及び下部記録コア層７により、記
録用ヘッドとしての薄膜磁気ヘッドが構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図１１に示すような従
来の磁気ヘッドにおいては、一対の電極リード層５ａ及
び５ｂの端部において段差が形成されているため、この
上に形成される絶縁層６の段差部６ａ及び６ｂにおい
て、絶縁層６の絶縁被覆性が良好でないという問題、す
なわちステップカバレッジの問題を生じた。従って、絶
縁被覆性において、信頼性が低いという問題があった。

【０００６】特に、近年においては、高密度記録化が望
まれており、トラック部１０の幅を狭くする狭トラック
化が必要とされている。トラック幅を狭くすれば、さら
に絶縁層のステップカバレッジが問題となる。

【０００７】また高密度記録を実現するためには、狭ギ
ャップ化が必要であり、この狭ギャップ化からも絶縁層
の薄膜化が必要とされ、絶縁層が薄くなればなる程、上
記のステップカバレッジが問題となる。

【０００８】また、上記段差部分により、絶縁層の上部
に形成する記録用ヘッドの記録ギャップの幅の精度が低
下することも問題となっている。本発明の目的は、狭ギ
ャップ化及び狭トラック化を可能とし、高密度記録を実
現可能にする磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気抵抗効果ヘ
ッドは、磁気抵抗効果を示す磁性薄膜層と、互いに離間
して配置された一対の電極リード層と、該電極リード層
の上方に連なって積層された絶縁層とを有し、絶縁層の
表面が一対の電極リード層上を含んで一対の電極リード
層間上で平坦面であることを特徴としている。本発明に
おいて、絶縁層の上側表面を平坦面とする具体的な構成
としては、例えば、一対の電極リード層間に該電極リー
ド層とほぼ同程度の厚みを有する高抵抗層を設ける。

【００１０】すなわち本発明に従う特定の好ましい局面
において、磁気抵抗効果ヘッドは、磁気抵抗効果を示す
磁性薄膜層すなわちＭＲ層と、トラック部に相当する所
定の距離離れて磁性薄膜層の表面上に電気的に接続され
るように設けられる一対の電極リード層と、一対の電極
リード層間のトラック部に相当する領域に電極リード層
とほぼ同程度の厚みとなるように設けられる高抵抗層
と、磁性薄膜層及び電極リード層の上方に設けられる絶
縁層とを備えている。

【００１１】この好ましい局面における高抵抗層は、電
極リード層とほぼ同程度の厚みを有している。ここで、
ほぼ同程度の厚みとは、電極リード層の１／２〜３／２
程度の厚みであり、さらに好ましくは電極リード層の厚
みの±２０％程度の厚みであり、さらに好ましくは±１
０％程度の厚みである。また高抵抗層の抵抗は、少なく
とも磁性薄膜層の抵抗よりも高い抵抗であればよく、電
極リード層から供給される電流がほぼ磁性薄膜層内を流
れるような抵抗であればよい。例えば、磁性薄膜層の１
０倍以上の抵抗値を有していることが好ましい。

【００１２】本発明に従えば、一対の電極リード層の間
に高抵抗層を設けることなどにより、絶縁層の表面を平
坦化しているため、電極リード層による段差の発生を低
減することができる。このため、磁性薄膜層及び電極リ
ード層の上方に設けられる絶縁層における段差の程度が
小さくなり、ステップカバレッジ等の問題が少なくな
る。従って、絶縁層の薄膜化を図ることができ、ギャッ
プの狭少化を図ることができる。さらには、トラック部
の狭小化を図ることができ、高密度記録化を達成するこ
とができる。

【００１３】上記高抵抗層は、例えば、一対の電極リー
ド層となる電極材料層を形成した後、トラック部に相当
する領域を酸化することにより酸化物層とし、高抵抗層
とすることができる。このような酸化は、例えば酸素ガ
スを含んだ雰囲気中でレーザーを照射し、レーザーアニ
ールすることにより行うことができる。このようなレー
ザーアニールによる酸化は、マスクカバー等を用いるこ
とにより照射領域を制限し、酸化領域を一部の領域に限
定することができる。また照射時間を変化させることに
より、厚み方向の深さを制御することができる。

【００１４】また、高抵抗層の形成方法は上記の方法に
限定されるものではなく、例えば電極リード層を形成
し、トラック部相当領域をエッチングした後に、トラッ
ク部相当領域に電極リード層とほぼ同程度の厚みの高抵
抗層を堆積して形成してもよい。

【００１５】本発明において、一対の電極リード層とな
る電極材料は、特に限定されるものではないが、例えば
Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｗ、Ｃｕなどを用いることが
できる。電極材料層を酸化して高抵抗層を形成する場合
には、酸化され易く、かつ酸化物の絶縁性の高いものが
好ましい。このような観点からは、Ａｌが特に好まし
い。

【００１６】本発明における磁性薄膜層は、外部磁界の
強度に応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を示すも
のであれば特に限定されるものではない。例えば、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉを主成分とした合金の強磁性膜を用いる
ことができる。また巨大磁気抵抗効果を示すような積層
膜なども用いることができる。また必要に応じて磁区制
御膜、シャント膜などを積層させた磁性薄膜層を用いる
ことができる。

【００１７】本発明に従う第１の局面においては、一対
の電極リード層及び高抵抗層が磁性薄膜層の上方に形成
されている。従って、上記高抵抗層の形成方法に従い、
電極リード層となる電極材料層のトラック部に相当する
領域を酸化することにより高抵抗層を形成する場合に
は、高抵抗層の下に磁性薄膜層が存在しているので、酸
化の際の加熱で磁性薄膜層が特性劣化しないように注意
する必要がある。従って、レーザーアニールにより熱酸
化する場合には、照射時間を厳密に制御し、高抵抗層の
厚み方向の深さを制御する。

【００１８】また、少なくとも磁性薄膜層の表面を構成
する材料と非固溶な金属からなる金属層を、一対の電極
リード層となる電極材料層と磁性薄膜層との間に設けて
もよい。電極リード層と磁性薄膜層の界面に、少なくと
も磁性薄膜層に対して非固溶な金属層を設けることによ
り、電極材料層を部分的に酸化して高抵抗層を形成する
際、界面の拡散及び磁性薄膜層の特性劣化を防止するこ
とができる。このような金属層としては、例えば、Ｔ
ａ、Ｃｏ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒなどの金属からなる金属層を
用いることができる。またこのような金属層を設けるこ
とにより、一対の電極リード層となる電極材料層と磁性
薄膜層の間の密着性及び付着性を改善することができ
る。

【００１９】また本発明の第１の局面においては、絶縁
層を、一対の電極リード層となる電極材料層の上方部分
を酸化することにより形成してもよい。この場合、電極
リード層に絶縁層を加えた厚みとなるように電極材料層
を形成し、絶縁層とすべき膜厚に相当する深さだけ、ま
ず電極材料層の上方部分を酸化する。この酸化も、酸素
含有雰囲気中でのレーザーアニールにより行うことがで
きる。電極材料層の上方部分を酸化することにより絶縁
層を形成した後、トラック部に相当する領域に限定し
て、さらに厚み方向に深く酸化を行い、高抵抗層に相当
する部分を形成する。この場合においても、電極材料層
と磁性薄膜層との間に非固溶な金属からなる金属層を設
けてもよい。

【００２０】本発明の第２の局面においては、一対の電
極リード層及び高抵抗層が、磁性薄膜層の下方に形成さ
れている。第２の局面に従えば、電極リード層となる電
極材料層を酸化することにより高抵抗層を形成する場
合、磁性薄膜層を形成する前に、酸化処理が行われるの
で、磁性薄膜層に酸化の際の熱劣化の影響等が生じるこ
とはない。従って、高抵抗層を形成する際の酸化処理を
より容易に行うことができる。

【００２１】本発明の製造方法は、互いに離間して配置
された一対の電極リード層を有する磁気抵抗効果ヘッド
の製造方法であり、基板の上方に一対の電極リード層と
なる電極材料層を形成する工程と、該電極材料層の一対
の電極リード層間に対応する部分を酸化し高抵抗層とす
る工程とを備えたことを特徴としている。

【００２２】本発明の第３の局面に従う製造方法は、本
発明の第１の局面に従う磁気抵抗効果ヘッドを製造する
ことができる方法の１つであり、基板の上方に磁気抵抗
効果を示す磁性薄膜層を形成する工程と、磁性薄膜層の
上に電極材料層を形成する工程と、電極材料層のトラッ
ク部に相当する領域、すなわち一対の電極リード層間に
対応する部分を酸化し高抵抗層とする工程とを備えてい
る。

【００２３】本発明の第４の局面に従う製造方法は、本
発明の第２の局面に従う磁気抵抗効果ヘッドを製造する
ことができる方法の１つであり、基板の上方に電極材料
層を形成する工程と、電極材料層のトラック部に相当す
る領域、すなわち一対の電極リード層間に対応する部分
を酸化し高抵抗層とする工程と、電極材料層及び高抵抗
層の上に磁気抵抗効果を示す磁性薄膜層を形成する工程
とを備えている。

【００２４】本発明の第５の局面に従う製造方法は、本
発明の第１の局面において、絶縁層を電極材料層の酸化
により形成した磁気抵抗効果ヘッドを製造することがで
きる方法の１つであり、基板の上方に磁気抵抗効果を示
す磁性薄膜層を形成する工程と、磁性薄膜層の上に電極
材料層を形成する工程と、電極材料層の上方部分を酸化
することにより絶縁層を形成する工程と、電極材料層の
トラック部に相当する領域、すなわち一対の電極リード
層間に対応する部分をさらに厚み方向に深く酸化し、高
抵抗層とする工程とを備えている。

【００２５】上記本発明の製造方法において、電極材料
層の酸化は、例えば酸素含有雰囲気中でのレーザーアニ
ールにより行うことができる。本発明に従えば、電極リ
ード層の端部による段差部分を小さくすることができ、
電極リード層の上に積層する膜の特性の改善を図ること
ができる。特に絶縁層の被覆性が改善されるので、絶縁
層の薄膜化を達成することができる。また絶縁層の被覆
性が改善されるので、一対の電極リード層間のトラック
部の狭小化を図ることができる。また絶縁層の薄膜化を
図ることができるので、狭ギャップ化も図ることがで
き、高密度記録が可能になる。

【００２６】また記録ヘッドにおけるトラック部分が平
坦化されるので、記録ギャップのトラック幅方向の精度
も向上する。また上部磁気シールド層、下部記録ヘッド
コア層（上記磁気シールド層と兼用される場合もあ
る）、記録ヘッドギャップ、上部記録ヘッドコア層など
の下地となる層の平坦化を図ることができるので、各積
層膜における特性の改善を図ることができる。

【００２７】

【発明の実施の形態】実施形態１ 図１は、本発明の第１の局面に従う実施形態の磁気抵抗
効果ヘッドを示す断面図である。図１を参照して、アル
チック（Ａｌ₂ Ｏ₃ ＴｉＣ）などからなる基板１１の上
に、ＮｉＦｅ層などからなる下部磁気シールド層１２が
例えば膜厚２．５μｍとなるように形成されている。下
部磁気シールド層１２の上には、アルミナ（Ａｌ
₂ Ｏ₃ ）などからなる絶縁層１３が例えば膜厚０．１μ
ｍとなるように形成されている。絶縁層１３の上には、
ＮｉＦｅ膜などからなる磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を有
する磁性薄膜層１４が形成されている。磁性薄膜層１４
は、例えば幅１０μｍ、長さ４μｍ、厚み０．０２５μ
ｍとなるように形成されている。磁性薄膜層１４の上に
は、トラック部１０の距離隔てて離れるように、一対の
電極リード層１５ａ及び１５ｂが例えば膜厚０．２μｍ
となるように設けられている。電極リード層１５ａ及び
１５ｂは、本実施形態においてはＡｌから形成されてい
る。一対の電極リード層１５ａ及び１５ｂの間のトラッ
ク部１０には、高抵抗層１５ｃが形成されている。この
高抵抗層１５ｃは、本実施形態においては、電極リード
層１５ａ及び１５ｂとなる電極材料層を酸化することに
より形成されている。

【００２８】図２は、この酸化工程を説明するための断
面図である。絶縁層１３及び磁性薄膜層１４の上には、
電極リード層となる電極材料層１５が幅方向の全面に形
成されている。電極材料層１５は本実施形態においては
Ａｌから形成されている。このような電極材料層１５を
形成した後に、電極材料層１５の上にマスクカバー３０
を配置する。マスクカバー３０は、ガラス基板３１（例
えば厚み０．５ｍｍ以下）の上に、Ａｕなどからなる金
属薄膜３２（例えば膜厚０．３μｍ）を設けることによ
り構成されている。このマスクカバー３０においては、
金属薄膜３２をガラス基板３１上に全面にスパッタリン
グにより形成した後、レジストを塗布し、エッチングす
ることにより、トラック部の領域に相当する領域３２ａ
の金属薄膜部分が除去されている。この除去部分３２ａ
を、電極材料層１５のトラック部に対応する領域に位置
決めし、レーザー光を除去部分３２ａを通して電極材料
層１５に照射する。これにより、電極材料層１５のトラ
ック部に対応する領域がレーザーアニールにより熱酸化
され、酸化物となり、高抵抗層となる。

【００２９】酸化の際の雰囲気としては、酸素ガス含有
雰囲気（酸素ガス分圧５０Ｐａ）中で行い、レーザーと
してはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用
いることができる。なお、本実施形態では、トラック部
の幅が３μｍとなるように部分的な酸化を行った。

【００３０】図１を再び参照して、以上のようにして形
成した高抵抗層１５ｃ、及び電極リード層１５ａ及び１
５ｂの上に、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）などからなる絶縁
層１６を、例えば膜厚０．１μｍとなるように形成す
る。さらにこの上に、ＮｉＦｅ層などからなる上部磁気
シールド層を兼ねる下部記録コア層１７を例えば膜厚
２．５μｍとなるように形成する。この上にアルミナな
どからなる記録ギャップ層１８を例えば膜厚０．３μｍ
となるように形成し、この記録ギャップ層１８の上に上
部記録コア層１９をパターン化して形成する。

【００３１】本実施形態では、図１に示されるように、
電極リード層１５ａ及び１５ｂの間に、ほぼ同程度の厚
みを有する高抵抗層１５ｃが形成されており、これによ
って電極リード層１５ａ及び１５ｂが電気的に分離され
ている。そして、このような高抵抗層１５ｃ及び電極リ
ード層１５ａ及び１５ｂの上に絶縁層１６が形成されて
いるため、絶縁層１６のトラック部近傍に段差部分が存
在していない。従って、絶縁層１６による被覆性が改善
され、絶縁性が高められている。

【００３２】このような本実施形態に従う絶縁層の絶縁
特性を評価するため、図９に示すようなサンプル構造の
ものを作製した。図９に示すサンプル構造においては、
図１に示す実施形態と同様に基板１１上に、下部磁気シ
ールド層１２、及び絶縁層１３を形成した後、磁性薄膜
層１４を形成し、図１に示す実施形態と同様にして電極
リード層１５ａ及び１５ｂ、並びに高抵抗層１５ｃを形
成し、さらにはこれらの上に絶縁層１６を形成してい
る。この絶縁層１６の上には、測定用電極２７を形成し
ている。

【００３３】以上のようにして得られたサンプル構造に
おいて、測定用電極２７と電極リード層１５ａ，１５ｂ
の間に１Ｖの電圧を印加し、これらの電極の間に流れる
透過電流を測定した。なおサンプル構造においても、図
１に示す実施形態と同様にトラック部の幅は３μｍとな
るようにした。

【００３４】なお、図１１に示す従来例と同様の構造を
有する透過電流測定用の比較サンプルとして、図１０に
示すサンプル構造のものを作製した。図１０に示すよう
に、絶縁層６の上に測定用電極２７を形成した。図９に
示すサンプルと同様に測定用電極２７と電極リード層１
５ａ，１５ｂの間に１Ｖの電圧を印加して、透過電流を
測定した。なおトラック部分の幅は、図９に示すサンプ
ルと同様に３μｍとした。

【００３５】図９に示すサンプル（本発明例）において
は、絶縁層１６の膜厚を０．１、０．０９、０．０８、
及び０．０７μｍと変化させたものをそれぞれ作製し、
透過電流を測定した。図１０に示す比較サンプル（従来
例）では、絶縁層６の膜厚を０．１μｍとした。測定結
果を表１に示す。

【００３６】

【表１】

【００３７】なお、電極リード層の材質としては、従来
例も本発明例も、Ａｌを用いた。表１の結果から明らか
なように、膜厚０．１μｍにおいて、従来例では１×１
０^-2Ａの透過電流であったものが、本発明例では、４×
１０^-3Ａであり、絶縁性が高められていることが確認さ
れた。さらに、膜厚を０．０８μｍと薄くしたものが透
過電流１×１０^-2Ａであり、従来例の膜厚０．１μｍの
透過電流と同程度であった。このことから、トラック幅
３μｍにおいて、従来例と比較し、約２０％程度の薄膜
化が可能であることがわかった。

【００３８】以上のように、本発明に従えば、トラック
幅３μｍにおいて、２０％程度の薄膜化が可能であるこ
とが確認された。従って、さらにトラック幅の狭い高密
度記録に対応した磁気抵抗効果ヘッド、例えばトラック
幅１μｍの磁気抵抗効果ヘッドにおいては、さらに薄膜
化の効果が顕著に現れるものと思われる。

【００３９】実施形態２ 図３は、本発明の第２の局面に従う実施形態を示す断面
図である。図３に示すように、絶縁層１３の上には、電
極リード層１５ａ及び１５ｂが設けられている。また電
極リード層１５ａ及び１５ｂの間には、高抵抗層１５ｃ
が設けられている。この高抵抗層１５ｃは、図１に示す
実施形態と同様にして、電極材料層のトラック部に相当
する領域をレーザーアニール等により酸化することによ
り形成することができる。電極リード層１５ａ，１５ｂ
及び高抵抗層１５ｃの上には、磁性薄膜層１４が設けら
れている。そして、この磁性薄膜層１４の上に絶縁層１
６が形成されている。その他の構成は、図１に示す実施
形態と同様にして構成することができるので、同一の参
照番号を付して説明を省略する。

【００４０】本実施形態においては、電極リード層１５
ａ及び１５ｂ並びに高抵抗層１５ｃを、磁性薄膜層１４
の下方に配置している。従って、磁性薄膜層１４を形成
する前に、電極材料層を酸化処理し、高抵抗層１５ｃを
形成することができる。高抵抗層１５ｃを形成する際、
その下地層は絶縁層１３であるので、例えばレーザーア
ニールで加熱し熱酸化により高抵抗層１５ｃを形成する
場合においても、熱の影響による特性劣化を生じること
がない。本実施形態においては、例えば酸素ガス分圧３
０Ｐａの雰囲気中で、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１
９３ｎｍ）を用いてレーザーアニールすることができ
る。

【００４１】本実施形態においても、絶縁層１６におい
て段差部分が存在しておらず、図１に示す実施形態１と
同様の優れた絶縁被覆性を得ることができ、絶縁膜を薄
膜化することができる。

【００４２】実施形態３ 図４は、本発明の第１の局面に従う他の実施形態を示す
断面図である。基板１１上には、図１に示す実施形態と
同様に、下部磁気シールド層１２、絶縁層１３、及び磁
性薄膜層１４が順次形成されている。磁性薄膜層１４の
上には、一対の電極リード層１５ａ及び１５ｂが、トラ
ック部の幅の距離隔てて設けられている。電極リード層
１５ａと１５ｂの間には高抵抗層１５ｃが設けられてい
る。電極リード層１５ａ及び１５ｂと高抵抗層１５ｃの
上には、絶縁層１５ｄが設けられている。高抵抗層１５
ｃ及び絶縁層１５ｄは、電極リード層１５ａ及び１５ｂ
となる電極材料層を酸化することにより形成されてい
る。

【００４３】図５及び図６は、電極材料層を酸化し、絶
縁層及び高抵抗層を形成する工程を説明するための断面
図である。まず、図５に示すように、磁性薄膜層１４の
上に、Ａｌからなる電極材料層１５を例えば膜厚０．３
μｍとなるように形成する。

【００４４】次に、図６に示すように、膜厚約０．１μ
ｍに相当する電極材料層１５の上方部分を酸化すること
により絶縁層１５ｄを形成する。この電極材料層１５の
酸化は、酸素ガス分圧３０Ｐａの雰囲気中で、ＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用いることによ
り、電極材料層の表面の全面をレーザー照射することに
より行うことができる。

【００４５】次に、図２に示すのと同様のマスクカバー
を用いて、トラック部に相当する領域にのみレーザーを
照射し、さらに膜厚方向に深く酸化処理を施す。これに
より、図４に示すような高抵抗層１５ｃが形成される。

【００４６】以上のようにして形成した絶縁層１５ｄの
上に、図１に示す実施形態と同様にして下部記録コア層
１７、記録ギャップ層１８及び上部記録コア層１９を形
成する。本実施形態の絶縁層１５ｄも、図１に示す実施
形態と同様に段差がなく、良好な絶縁被覆性を示す。

【００４７】実施形態４ 図７は、本発明の第１の局面に従うさらに他の実施形態
を示す断面図である。図７を参照して、本実施形態にお
いては、図１に示す実施形態と同様にして、基板１１上
に、下部シールド層１２、絶縁層１３、磁性薄膜層１４
が形成されている。本実施形態においては、磁性薄膜層
１４及び、磁性薄膜層１４が設けられていない絶縁層１
３の上に、Ｔａ層２０が例えば膜厚３０Åとなるように
設けられている。このＴａ層２０の上に、図１に示す実
施形態と同様に、電極リード層１５ａ及び１５ｂと高抵
抗層１５ｃが形成されている。これらの上には、図１に
示す実施形態と同様に絶縁層１６、下部記録コア層１
７、記録ギャップ層１８及び上部記録コア層１９が形成
されている。

【００４８】本実施形態では、磁性薄膜層１４の上にＴ
ａ層が設けられているので、電極材料層を形成し、電極
材料層のトラック部に対応する領域を酸化する際、電極
材料層から磁性薄膜層１４への熱拡散を抑制することが
できる。本実施形態において、電極材料層はＡｌから形
成され、磁性薄膜層１４はＮｉＦｅから形成され、Ｔａ
は磁性薄膜層に対して非固溶な金属材料である。従っ
て、レーザーアニール等により加熱酸化する際、Ｔａ層
を設けることにより、熱拡散を抑制することができ、磁
性薄膜層１４の性能低下を抑制し、出力の増大を図るこ
とができる。本実施形態では、酸素ガス分圧３０Ｐａの
雰囲気中で、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）を用いて高抵抗素子１５ｃを形成することができ
る。

【００４９】図１に示す実施形態の磁気抵抗効果ヘッド
に比べ、本実施形態の磁気抵抗効果ヘッドでは５％の出
力向上が確認された。また、図１に示す実施形態と同様
に、絶縁層１６は優れた絶縁被覆性を示す。

【００５０】実施形態５ 図８は、本発明の第１の局面に従うさらに他の実施形態
を示す断面図である。図１に示す実施形態と同様に、基
板１１上に、下部磁気シールド層１２、絶縁層１３、磁
性薄膜層１４を形成する。磁性薄膜層１４の上に、Ｃｕ
からなる電極材料層を例えば膜厚０．２μｍとなるよう
に形成する。図１に示す実施形態と同様にして、マスク
カバーを用いて、トラック部に相当する電極材料層の部
分を、酸素ガス分圧５０Ｐａの雰囲気中で、ＡｒＦエキ
シマレーザー（波長１９３ｎｍ）を用いてレーザーアニ
ールすることにより、高抵抗層２５ｃを形成する。この
高抵抗層２５ｃの形成により、電極材料層を電気的に分
離し、一対の電極リード層２５ａ及び２５ｂとする。

【００５１】次に、この上に図１に示す実施形態と同様
にして、絶縁層１６、下部記録コア層１７、記録ギャッ
プ層１８及び上部記録コア層１９を順次形成する。本実
施形態においては、電極リード層の電極材料として、Ｃ
ｕを用いている。図１に示す実施形態においては、Ａｌ
を電極材料として用いている。出力特性の比較において
は、図１に示す実施形態の場合、本実施形態に比べ約１
０％高い出力が得られている。この原因としては、Ａｌ
層がレーザーアニールにより部分的に酸化された際、半
透明なアルミナ膜となるのに対し、Ｃｕ層は酸化により
不透明な黒化したＣｕＯ膜となるため、表層部から深層
部に至る間でレーザー光が吸収され、膜中の酸化による
絶縁化がＡｌ層に比べ不十分になるためと考えられる。
従って、Ｃｕ層を用いる場合には、電極材料層の膜厚を
薄くすることが好ましく、０．１５μｍ以下の膜厚とす
ることが望ましい。またレーザーアニールの際のレーザ
ー強度を高めることにより、望ましくは２０％以上高め
ることにより、本実施形態のような０．２μｍのＣｕ層
を、Ａｌ層と同程度に酸化し、同程度の出力特性を得る
ことができる。

【００５２】

【発明の効果】本発明に従い、電極リード層の間のトラ
ック部に相当する領域に電極リード層とほぼ同程度の厚
みの高抵抗層を設けるなどにより、絶縁層の上方表面を
平坦化することによって、電極リード層の上方に積層す
る膜の平坦化を図ることができる。従って、絶縁層の絶
縁被覆性を向上させることができる。これにより、絶縁
層を薄膜化し、狭ギャップ化を図ることができる。また
絶縁層の絶縁被覆性を向上させることができるので、ト
ラック幅を狭くすることができ、狭トラック化を図るこ
とができる。従って、本発明によれば、高密度記録を実
現することができる。

【００５３】また、電極リード層の上方の積層膜の平坦
化を図ることができるので、記録ヘッド部における記録
ギャップ幅の精度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の磁気抵抗効果ヘッドを示
す断面図。

【図２】図１に示す実施形態の磁気抵抗効果ヘッドを製
造する工程を示す断面図。

【図３】本発明に従う他の実施形態の磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す断面図。

【図４】本発明に従う他の実施形態の磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す断面図。

【図５】図４に示す実施形態を製造する工程を示す断面
図。

【図６】図４に示す実施形態を製造する工程を示す断面
図。

【図７】本発明に従う他の実施形態の磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す断面図。

【図８】本発明に従う他の実施形態の磁気抵抗効果ヘッ
ドを示す断面図。

【図９】図１に示す実施形態における絶縁層の絶縁被覆
性を評価するためのサンプル構造を示す図。

【図１０】図１１に示す従来の磁気抵抗効果ヘッドにお
ける絶縁層の絶縁被覆性を評価するためのサンプル構造
を示す断面図。

【図１１】従来の磁気抵抗効果ヘッドを示す断面図。

【符号の説明】

１０…トラック幅 １１…基板 １２…下部シールド層 １３…絶縁層 １４…磁性薄膜層（磁気抵抗効果膜） １５…電極材料層 １５ａ，１５ｂ…電極リード層 １５ｃ…高抵抗層 １６…絶縁層 １７…下部記録コア層 １８…記録ギャップ層 １９…上部記録コア層 ２５ａ，２５ｂ…電極リード層 ２５ｃ…高抵抗層 ３０…マスクカバー ３１…ガラス基板 ３２…金属薄膜

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果を示す磁性薄膜層と、互い
   に離間して配置された一対の電極リード層と、該電極リ
   ード層の上方に連なって積層された絶縁層とを有する磁
   気抵抗効果ヘッドであり、 前記絶縁層の表面が、前記一対の電極リード層上を含ん
   で一対の電極リード層間上で、平坦面であることを特徴
   とする磁気抵抗効果ヘッド。
2. 【請求項２】 前記一対の電極リード層間に、該電極リ
   ード層とほぼ同程度の厚みを有する高抵抗層を設けたこ
   とを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッド。
3. 【請求項３】 前記高抵抗層が、前記一対の電極リード
   層となる層のトラック部に相当する領域を酸化すること
   により形成した層である請求項２に記載の磁気抵抗効果
   ヘッド。
4. 【請求項４】 前記一対の電極リード層及び前記高抵抗
   層が、前記磁性薄膜層の上方に形成されている請求項２
   または３に記載の磁気抵抗効果ヘッド。
5. 【請求項５】 前記一対の電極リード層及び前記高抵抗
   層と、前記磁性薄膜層との間に、少なくとも前記磁性薄
   膜層の表面を構成する材料に対し非固溶な金属からなる
   金属層が設けられている請求項２〜４のいずれか１項に
   記載の磁気抵抗効果ヘッド。
6. 【請求項６】 前記絶縁層が、前記一対の電極リード層
   となる層の上方部分を酸化することにより形成した層で
   ある請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果
   ヘッド。
7. 【請求項７】 前記一対の電極リード層及び前記高抵抗
   層が、前記磁性薄膜層の下方に形成されている請求項
   ２、３、または５に記載の磁気抵抗効果ヘッド。
8. 【請求項８】 互いに離間して配置された一対の電極リ
   ード層を有する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であり、 基板の上方に、前記一対の電極リード層となる電極材料
   層を形成する工程と、 該電極材料層の、前記一対の電極リード層間に対応する
   部分を酸化し、高抵抗層とする工程と、 を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造方
   法。
9. 【請求項９】 磁気抵抗効果を示す磁性薄膜層と、該磁
   性薄膜層上に、互いに離間して配置された一対の電極リ
   ード層と、該電極リード層上に連なって積層された絶縁
   層とを有する磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であり、 基板の上方に前記磁性薄膜層を形成する工程と、 前記磁性薄膜層上に、前記一対の電極リード層となる電
   極材料層を形成する工程と、 前記電極材料層の上方部分を酸化し、前記絶縁層とする
   工程と、 前記電極材料層の、前記一対の電極リード層間に対応す
   る部分をさらに厚み方向に深く酸化し、高抵抗層とする
   工程と、 を備える磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記電極材料層の酸化を、酸素含有雰
    囲気中でのレーザーアニールにより行う請求項８または
    ９に記載の磁気抵抗効果ヘッドの製造方法。