JPH0967187A - 単結晶製造装置 - Google Patents
単結晶製造装置Info
- Publication number
- JPH0967187A JPH0967187A JP21732595A JP21732595A JPH0967187A JP H0967187 A JPH0967187 A JP H0967187A JP 21732595 A JP21732595 A JP 21732595A JP 21732595 A JP21732595 A JP 21732595A JP H0967187 A JPH0967187 A JP H0967187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- chamber
- quartz
- cooling cylinder
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 チャンバ１内の中央に坩堝２が配置さ
れ、その外周を囲むようにヒータ３が配置されている。
チャンバ１の頂部を貫通して冷却筒６が筒軸心方向を鉛
直方向にして設けられている。このチャンバ１の内面及
び冷却筒６の外周面を覆うように石英被覆された銀製反
射板７Ａ，７Ｂが着脱自在に取り付けられている。 【効果】 反射板の輻射率の経時変化がきわめて少なく
なり、製造される単結晶の品質が安定したものとなる。
また、電力原単位を減少させることもできる。
れ、その外周を囲むようにヒータ３が配置されている。
チャンバ１の頂部を貫通して冷却筒６が筒軸心方向を鉛
直方向にして設けられている。このチャンバ１の内面及
び冷却筒６の外周面を覆うように石英被覆された銀製反
射板７Ａ，７Ｂが着脱自在に取り付けられている。 【効果】 反射板の輻射率の経時変化がきわめて少なく
なり、製造される単結晶の品質が安定したものとなる。
また、電力原単位を減少させることもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン等の単結
晶を引き上げ法によって製造するための装置に係り、特
にチャンバ内面に反射板を取り付けた単結晶製造装置に
関する。
晶を引き上げ法によって製造するための装置に係り、特
にチャンバ内面に反射板を取り付けた単結晶製造装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】引き上げ法による単結晶製造装置とし
て、チャンバで囲まれた坩堝内の溶湯から冷却筒を通し
て単結晶を引き上げるようにしたものがある。（例え
ば、特開昭５７−２０５３９７号公報、特開平２−９７
４７９号公報） 特開平６−２９３５８７号公報には、チャンバ内面に凹
凸を付けることにより、チャンバのみかけの輻射率を高
め、引き上げ中の単結晶を冷却することが記載されてい
る。
て、チャンバで囲まれた坩堝内の溶湯から冷却筒を通し
て単結晶を引き上げるようにしたものがある。（例え
ば、特開昭５７−２０５３９７号公報、特開平２−９７
４７９号公報） 特開平６−２９３５８７号公報には、チャンバ内面に凹
凸を付けることにより、チャンバのみかけの輻射率を高
め、引き上げ中の単結晶を冷却することが記載されてい
る。
【０００３】特開昭５９−１９９５９８号公報には、こ
れとは逆に、チャンバ内面に銀メッキ層を形成するか、
銀メッキ鋼板を配設することにより熱線の反射層を形成
することが記載されている。
れとは逆に、チャンバ内面に銀メッキ層を形成するか、
銀メッキ鋼板を配設することにより熱線の反射層を形成
することが記載されている。
【０００４】特公昭５７−４０１１９号公報には、坩堝
内の溶湯上面を覆うように赤外線反射金属よりなるカバ
ーを設けることが記載されている。
内の溶湯上面を覆うように赤外線反射金属よりなるカバ
ーを設けることが記載されている。
【０００５】なお、特開平２−９７４７９号公報には、
冷却筒の内面に凹凸を形成して単結晶からの輻射熱を吸
収し、単結晶の冷却を促進することが記載されている。
冷却筒の内面に凹凸を形成して単結晶からの輻射熱を吸
収し、単結晶の冷却を促進することが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】チャンバ内部の温度が
不必要に上昇しないようにするためには、冷却筒外周面
及びチャンバ内面の輻射率を小さくするのが好ましく、
このために、上記特開昭５９−１９９５９８号公報の如
く、これらの面に反射板を設けることなどが行なわれて
いる。
不必要に上昇しないようにするためには、冷却筒外周面
及びチャンバ内面の輻射率を小さくするのが好ましく、
このために、上記特開昭５９−１９９５９８号公報の如
く、これらの面に反射板を設けることなどが行なわれて
いる。
【０００７】ところが、シリコン単結晶製造装置におい
ては、坩堝内の溶湯から蒸発するＳｉＯガスによって反
射板の板面が腐食され、反射板の輻射率が経時的に大き
くなる。これにより、得られる単結晶の品質が経時的に
変化してくる。
ては、坩堝内の溶湯から蒸発するＳｉＯガスによって反
射板の板面が腐食され、反射板の輻射率が経時的に大き
くなる。これにより、得られる単結晶の品質が経時的に
変化してくる。
【０００８】本発明は、チャンバ内面あるいは更に冷却
筒外周面の輻射率の経時変化が小さく、製造される単結
晶の品質の変化がきわめて小さい単結晶製造装置を提供
することを目的とする。
筒外周面の輻射率の経時変化が小さく、製造される単結
晶の品質の変化がきわめて小さい単結晶製造装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶製造装置
は、溶湯を保持する坩堝と、該坩堝を囲むチャンバと、
該坩堝の上方に上下方向に延設された冷却筒と、該冷却
筒を通して坩堝内の溶湯から単結晶を柱状に引き上げる
引上装置とを備えた単結晶製造装置において、該チャン
バの内面に、石英で被覆された反射板を着脱自在に取り
付けたことを特徴とするものである。
は、溶湯を保持する坩堝と、該坩堝を囲むチャンバと、
該坩堝の上方に上下方向に延設された冷却筒と、該冷却
筒を通して坩堝内の溶湯から単結晶を柱状に引き上げる
引上装置とを備えた単結晶製造装置において、該チャン
バの内面に、石英で被覆された反射板を着脱自在に取り
付けたことを特徴とするものである。
【００１０】本発明の単結晶製造装置は、冷却筒の外周
面にも石英で被覆された反射板を着脱自在に取り付ける
ことが好ましい。この反射板の輻射率は０．２以下であ
ることが好ましい。
面にも石英で被覆された反射板を着脱自在に取り付ける
ことが好ましい。この反射板の輻射率は０．２以下であ
ることが好ましい。
【００１１】かかる本発明の単結晶製造装置によると、
反射板が石英で被覆されているため、ＳｉＯのアタック
による反射板の輻射率の経時的な上昇が防止される。ま
た、バッチ毎に反射板を取り外して掃除したり、交換す
ることができる。
反射板が石英で被覆されているため、ＳｉＯのアタック
による反射板の輻射率の経時的な上昇が防止される。ま
た、バッチ毎に反射板を取り外して掃除したり、交換す
ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は実施例に係る単結晶製造装
置の断面図であり、チャンバ１内の中央にシリコン溶湯
保持用の坩堝２が配置され、その外周を囲むようにヒー
タ３が配置されている。ヒータ３の外周は保温筒４が囲
んでいる。チャンバ１内の底部にはスピルトレイ５が配
置されている。
置の断面図であり、チャンバ１内の中央にシリコン溶湯
保持用の坩堝２が配置され、その外周を囲むようにヒー
タ３が配置されている。ヒータ３の外周は保温筒４が囲
んでいる。チャンバ１内の底部にはスピルトレイ５が配
置されている。
【００１３】チャンバ１の頂部を貫通して冷却筒（本実
施例では水冷筒）６が筒軸心方向を鉛直方向にして設け
られている。引上装置（図示略）により、該冷却筒６を
通してシリコン単結晶が引き上げられる。
施例では水冷筒）６が筒軸心方向を鉛直方向にして設け
られている。引上装置（図示略）により、該冷却筒６を
通してシリコン単結晶が引き上げられる。
【００１４】反射板７Ａ，７Ｂがボルト留めにより着脱
自在に取り付けられている。反射板７Ａは、図２（ａ）
のように、略扇状の湾曲体よりなり、反射板７Ｂは、図
２（ｂ）のように円筒を長手方向に割断した形状のもの
である。複数枚（例えば４〜１６枚）の反射板７Ａ，７
Ａ……を、それらの側辺を当接させながらステンレス製
ボルトによりチャンバ１の内面に着脱自在に取り付け
る。
自在に取り付けられている。反射板７Ａは、図２（ａ）
のように、略扇状の湾曲体よりなり、反射板７Ｂは、図
２（ｂ）のように円筒を長手方向に割断した形状のもの
である。複数枚（例えば４〜１６枚）の反射板７Ａ，７
Ａ……を、それらの側辺を当接させながらステンレス製
ボルトによりチャンバ１の内面に着脱自在に取り付け
る。
【００１５】また、複数枚（例えば２〜８枚）の反射板
７Ｂ，７Ｂ……を、それらの側辺を当接させながら、冷
却筒６の外周面に取り付ける。
７Ｂ，７Ｂ……を、それらの側辺を当接させながら、冷
却筒６の外周面に取り付ける。
【００１６】なお、反射板７Ｂの下辺には、冷却筒６の
下端面に回り込む凸部７Ｃが設けられており、この凸部
７Ｃにボルト挿通孔が設けられている。反射板７Ｂは、
該ボルト挿通孔に挿通されたカーボンコンポジット製ボ
ルトにより、冷却筒６に着脱自在に取り付けられてい
る。
下端面に回り込む凸部７Ｃが設けられており、この凸部
７Ｃにボルト挿通孔が設けられている。反射板７Ｂは、
該ボルト挿通孔に挿通されたカーボンコンポジット製ボ
ルトにより、冷却筒６に着脱自在に取り付けられてい
る。
【００１７】図２（ｃ）の通り、この反射板７Ａ，７Ｂ
は、銀プレート７ａの表裏両面を石英層７ｂ，７ｃで被
覆したものである。炉内に面する表側の石英層７ｂを厚
肉とし、ＳｉＯガスによる劣化を防止している。また、
チャンバ又は冷却筒に対面する裏側の石英層７ｃは、冷
却効果を上げるために薄肉とされている。なお、この石
英層は、銀プレート７ａの端面も含めた全体を被覆して
いる。
は、銀プレート７ａの表裏両面を石英層７ｂ，７ｃで被
覆したものである。炉内に面する表側の石英層７ｂを厚
肉とし、ＳｉＯガスによる劣化を防止している。また、
チャンバ又は冷却筒に対面する裏側の石英層７ｃは、冷
却効果を上げるために薄肉とされている。なお、この石
英層は、銀プレート７ａの端面も含めた全体を被覆して
いる。
【００１８】本実施例では、反射板７Ａ，７Ｂの輻射率
は０．１５となっており、冷却筒６の内周面の輻射率は
０．８となっている。チャンバ内面及び冷却筒外周面の
輻射率は、０．２以下であることが好ましく、本実施例
では０．１５となっている。
は０．１５となっており、冷却筒６の内周面の輻射率は
０．８となっている。チャンバ内面及び冷却筒外周面の
輻射率は、０．２以下であることが好ましく、本実施例
では０．１５となっている。
【００１９】図示はしないが、この反射板７Ａには覗き
窓及び直径制御用窓が設けられている。
窓及び直径制御用窓が設けられている。
【００２０】かかる単結晶製造装置によってシリコン単
結晶を引き上げた場合、ＳｉＯによる反射板７Ａ，７Ｂ
へのアタックが石英層７ａによって防止されるため、該
反射板７Ａ，７Ｂの輻射率の経時的変化がきわめて少な
い。これにより、得られるシリコン単結晶の品質の変動
もきわめて少ないものになる。また、輻射率の低減によ
り熱損も減少される。さらに、バッチ毎に反射板７Ａ，
７Ｂを取り外して反射板７Ａ，７Ｂを掃除したり、交換
したりすることが可能である。
結晶を引き上げた場合、ＳｉＯによる反射板７Ａ，７Ｂ
へのアタックが石英層７ａによって防止されるため、該
反射板７Ａ，７Ｂの輻射率の経時的変化がきわめて少な
い。これにより、得られるシリコン単結晶の品質の変動
もきわめて少ないものになる。また、輻射率の低減によ
り熱損も減少される。さらに、バッチ毎に反射板７Ａ，
７Ｂを取り外して反射板７Ａ，７Ｂを掃除したり、交換
したりすることが可能である。
【００２１】種々の実験の結果、本実施例によると、結
晶欠陥の発生率を従来例（石英被覆反射板７Ａ，７Ｂが
ない装置）に比べ１／１０以下にすることができ、ま
た、消費電力原単位を約３０％節減できた。
晶欠陥の発生率を従来例（石英被覆反射板７Ａ，７Ｂが
ない装置）に比べ１／１０以下にすることができ、ま
た、消費電力原単位を約３０％節減できた。
【００２２】
【発明の効果】以上の通り、本発明の単結晶製造装置に
よると、反射板の輻射率の経時変化がきわめて少なくな
り、製造される単結晶の品質が安定したものとなる。ま
た、電力原単位を減少させることもできる。
よると、反射板の輻射率の経時変化がきわめて少なくな
り、製造される単結晶の品質が安定したものとなる。ま
た、電力原単位を減少させることもできる。
【図１】実施例装置の断面図である。
【図２】反射板の構成図である。
１ チャンバ ２ 坩堝 ３ ヒータ ６ 冷却筒 ７Ａ，７Ｂ 反射板 ７ａ 銀プレート ７ｂ，７ｃ 石英層
Claims (2)
- 【請求項１】 溶湯を保持する坩堝と、該坩堝を囲むチ
ャンバと、該坩堝の上方に上下方向に延設された冷却筒
と、該冷却筒を通して坩堝内の溶湯から単結晶を柱状に
引き上げる引上装置とを備えた単結晶製造装置におい
て、 該チャンバの内面に、石英で被覆された反射板を着脱自
在に取り付けたことを特徴とする単結晶製造装置。 - 【請求項２】 請求項１において、さらに、前記冷却筒
の外周面に、石英で被覆された反射板を着脱自在に取り
付けたことを特徴とする単結晶製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21732595A JPH0967187A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 単結晶製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21732595A JPH0967187A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 単結晶製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0967187A true JPH0967187A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16702415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21732595A Withdrawn JPH0967187A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 単結晶製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0967187A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834573A (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-10 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Synthesis of trans-1,4-polybutadiene |
| US5854351A (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-29 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Radio frequency heating of trans-1, 4-polybutadiene |
| CN108609864A (zh) * | 2016-12-12 | 2018-10-02 | 银川隆基硅材料有限公司 | 一种镀膜隔热反光石英热屏及其制备方法 |
| CN109937193A (zh) * | 2016-12-20 | 2019-06-25 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的制造方法 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21732595A patent/JPH0967187A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5834573A (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-10 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Synthesis of trans-1,4-polybutadiene |
| US5854351A (en) * | 1997-06-20 | 1998-12-29 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Radio frequency heating of trans-1, 4-polybutadiene |
| CN108609864A (zh) * | 2016-12-12 | 2018-10-02 | 银川隆基硅材料有限公司 | 一种镀膜隔热反光石英热屏及其制备方法 |
| CN109937193A (zh) * | 2016-12-20 | 2019-06-25 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的制造方法 |
| TWI802554B (zh) * | 2016-12-20 | 2023-05-21 | 日商日本電氣硝子股份有限公司 | 玻璃基板的製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI355674B (en) | Showerhead assembly and apparatus for manufacturin | |
| EP0591525B1 (en) | Device for pulling up single crystal | |
| KR100730817B1 (ko) | 열처리 장치 | |
| JP5163101B2 (ja) | 単結晶製造装置および製造方法 | |
| JPH0387372A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| KR20100139092A (ko) | 금-코팅된 폴리실리콘 반응기 시스템 및 방법 | |
| US3665139A (en) | Device for epitactic precipitation of semiconductor material | |
| JPH0967187A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| KR102295876B1 (ko) | 금속 증착용 도가니 | |
| JP2555062B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS59111997A (ja) | エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0967186A (ja) | 単結晶製造装置 | |
| JP5449645B2 (ja) | 熱処理用シリコンプレートの製造方法。 | |
| JPH0761889A (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法 | |
| JPS594434A (ja) | 気相反応装置 | |
| JPH07223894A (ja) | 半導体単結晶製造装置 | |
| JPH0820868A (ja) | 真空加熱均熱ヒーター | |
| JP3142054B2 (ja) | 化学気相堆積装置 | |
| JP2001002490A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2007262434A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| EP1293587A1 (en) | Vacuum coating apparatus with central heater | |
| JPH05117074A (ja) | 半導体単結晶製造方法および製造装置 | |
| JP2764416B2 (ja) | サセプタ | |
| JPH07147248A (ja) | Ｃｖｄ装置のガス吹き出しノズル | |
| JPH06293589A (ja) | 単結晶育成装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |