JPH0964654A - 光電変換回路 - Google Patents
光電変換回路Info
- Publication number
- JPH0964654A JPH0964654A JP7242323A JP24232395A JPH0964654A JP H0964654 A JPH0964654 A JP H0964654A JP 7242323 A JP7242323 A JP 7242323A JP 24232395 A JP24232395 A JP 24232395A JP H0964654 A JPH0964654 A JP H0964654A
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- Japan
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- conversion circuit
- current
- photodiode
- emitter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 入力電流範囲を広くすることの可能な電流電
圧変換回路を備えた光電変換回路を提供する。 【解決手段】 フォトダイオード１と、エミッタを接地
しコレクタを抵抗負荷３に接続しベースを容量８を介し
てフォトダイオード１に接続したエミッタ接地増幅回路
として動作するｎｐｎトランジスタ２と、該トランジス
タ２のベース・エミッタ間に接続したバイアス抵抗９
と、コレクタを電源にベースをｎｐｎトランジスタ２の
コレクタにエミッタを抵抗負荷５に接続したエミッタフ
ォロアとして動作するｎｐｎトランジスタ４と、ｎｐｎ
トランジスタ２のベースとｎｐｎトランジスタ４のエミ
ッタの間に接続した電流電圧変換用の帰還抵抗６とで光
電変換回路を構成する。
圧変換回路を備えた光電変換回路を提供する。 【解決手段】 フォトダイオード１と、エミッタを接地
しコレクタを抵抗負荷３に接続しベースを容量８を介し
てフォトダイオード１に接続したエミッタ接地増幅回路
として動作するｎｐｎトランジスタ２と、該トランジス
タ２のベース・エミッタ間に接続したバイアス抵抗９
と、コレクタを電源にベースをｎｐｎトランジスタ２の
コレクタにエミッタを抵抗負荷５に接続したエミッタフ
ォロアとして動作するｎｐｎトランジスタ４と、ｎｐｎ
トランジスタ２のベースとｎｐｎトランジスタ４のエミ
ッタの間に接続した電流電圧変換用の帰還抵抗６とで光
電変換回路を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フォトダイオー
ドで受光した光電流を電圧に変換するようにした光電変
換回路に関し、特に光磁気ディスクやコンパクトディス
クの光ピックアップ等に用いられる高速用の光電変換回
路の改良に関する。
ドで受光した光電流を電圧に変換するようにした光電変
換回路に関し、特に光磁気ディスクやコンパクトディス
クの光ピックアップ等に用いられる高速用の光電変換回
路の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高い周波数帯域を要する光電変換
回路として、図４に示すようなエミッタ接地型の電流電
圧変換回路を備えた光電変換回路が、一般的に用いられ
ている。図４において、１はフォトダイオード、２はエ
ミッタが接地され、コレクタには抵抗負荷３が接続さ
れ、ベースを入力とするエミッタ接地増幅回路として動
作するｎｐｎトランジスタであり、４はエミッタフォロ
アとして動作するｎｐｎトランジスタ、５はエミッタフ
ォロアにバイアス電流を与える抵抗負荷である。そし
て、エミッタ接地及びエミッタフォロアの２段構成の増
幅回路の入出力間に電流電圧変換用の帰還抵抗６を設け
て、電流電圧変換回路を構成している。
回路として、図４に示すようなエミッタ接地型の電流電
圧変換回路を備えた光電変換回路が、一般的に用いられ
ている。図４において、１はフォトダイオード、２はエ
ミッタが接地され、コレクタには抵抗負荷３が接続さ
れ、ベースを入力とするエミッタ接地増幅回路として動
作するｎｐｎトランジスタであり、４はエミッタフォロ
アとして動作するｎｐｎトランジスタ、５はエミッタフ
ォロアにバイアス電流を与える抵抗負荷である。そし
て、エミッタ接地及びエミッタフォロアの２段構成の増
幅回路の入出力間に電流電圧変換用の帰還抵抗６を設け
て、電流電圧変換回路を構成している。
【０００３】この構成の電流電圧変換回路において、フ
ォトダイオードをこの電流電圧変換回路の入力であるｎ
ｐｎトランジスタ２のベースに接続すれば、フォトダイ
オードで発生した光電流を電圧に変換できるが、直接ｎ
ｐｎトランジスタ２のベースにフォトダイオードを接続
すると、フォトダイオードの逆バイアスが低くなり、高
い周波数に対応できないため、容量８を介してＡＣ的に
ｎｐｎトランジスタ２のベースにフォトダイオード１を
接続すると共に、抵抗７によりフォトダイオード１のＤ
Ｃバイアスを与えるようにしている。このように構成す
ることにより、光電変換回路の出力ＶOUT には、フォト
ダイオード１の入射光の高周波成分のみが出力されるよ
うになっている。
ォトダイオードをこの電流電圧変換回路の入力であるｎ
ｐｎトランジスタ２のベースに接続すれば、フォトダイ
オードで発生した光電流を電圧に変換できるが、直接ｎ
ｐｎトランジスタ２のベースにフォトダイオードを接続
すると、フォトダイオードの逆バイアスが低くなり、高
い周波数に対応できないため、容量８を介してＡＣ的に
ｎｐｎトランジスタ２のベースにフォトダイオード１を
接続すると共に、抵抗７によりフォトダイオード１のＤ
Ｃバイアスを与えるようにしている。このように構成す
ることにより、光電変換回路の出力ＶOUT には、フォト
ダイオード１の入射光の高周波成分のみが出力されるよ
うになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の構成
の光電変換回路の出力電圧の範囲は、次のようになる。
すなわち、フォトダイオード１に交流成分がない場合、
出力ＶOUT の電圧は、エミッタ接地増幅回路として機能
するｎｐｎトランジスタ２の入力と同電位で、ＶBEとな
る。出力ＶOUT は交流成分の出力となるため、最大でも
±ＶBEの約1.4 ＶP-P 程度の出力範囲に収まる入力電流
にしか対応できない。そして実際には、直線性が得られ
る範囲を考えるため、入力電流の範囲は更に狭くなる。
の光電変換回路の出力電圧の範囲は、次のようになる。
すなわち、フォトダイオード１に交流成分がない場合、
出力ＶOUT の電圧は、エミッタ接地増幅回路として機能
するｎｐｎトランジスタ２の入力と同電位で、ＶBEとな
る。出力ＶOUT は交流成分の出力となるため、最大でも
±ＶBEの約1.4 ＶP-P 程度の出力範囲に収まる入力電流
にしか対応できない。そして実際には、直線性が得られ
る範囲を考えるため、入力電流の範囲は更に狭くなる。
【０００５】本発明は、従来の光電変換回路における上
記問題点を解消するためになされたもので、請求項１記
載の発明は、エミッタ接地型の電流電圧変換回路の出力
バイアスを適正にすることによって、入力電流範囲を広
げることを可能にした光電変換回路を提供することを目
的とする。また請求項２記載の発明は、フォトダイオー
ドをＤＣ的に直結接続しても、フォトダイオードの逆バ
イアスを大きくでき、且つ入力電流範囲を広くすること
が可能な光電変換回路を提供することを目的とする。更
にまた請求項３記載の発明は、入力電流が大きく変化し
た場合でも動作が可能な光電変換回路を提供することを
目的とする。
記問題点を解消するためになされたもので、請求項１記
載の発明は、エミッタ接地型の電流電圧変換回路の出力
バイアスを適正にすることによって、入力電流範囲を広
げることを可能にした光電変換回路を提供することを目
的とする。また請求項２記載の発明は、フォトダイオー
ドをＤＣ的に直結接続しても、フォトダイオードの逆バ
イアスを大きくでき、且つ入力電流範囲を広くすること
が可能な光電変換回路を提供することを目的とする。更
にまた請求項３記載の発明は、入力電流が大きく変化し
た場合でも動作が可能な光電変換回路を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、フォトダイオードと、該フ
ォトダイオードで発生した光電流を電圧出力に変換する
電流電圧変換回路とを備えた光電変換回路において、前
記電流電圧変換回路を、エミッタがグランド又は電源に
接地されコレクタに負荷が接続されベースを入力とする
エミッタ接地型トランジスタを初段に有する増幅回路
と、該増幅回路の入出力間に設けられた電流電圧変換用
の帰還抵抗と、前記エミッタ接地型トランジスタのベー
スとエミッタ間に設けられたバイアス抵抗手段とで構成
するものである。
め、請求項１記載の発明は、フォトダイオードと、該フ
ォトダイオードで発生した光電流を電圧出力に変換する
電流電圧変換回路とを備えた光電変換回路において、前
記電流電圧変換回路を、エミッタがグランド又は電源に
接地されコレクタに負荷が接続されベースを入力とする
エミッタ接地型トランジスタを初段に有する増幅回路
と、該増幅回路の入出力間に設けられた電流電圧変換用
の帰還抵抗と、前記エミッタ接地型トランジスタのベー
スとエミッタ間に設けられたバイアス抵抗手段とで構成
するものである。
【０００７】このようにバイアス抵抗手段を設けること
により、帰還抵抗にバイアス電流を与え、出力バイアス
点を任意に設定することが可能となり、これにより出力
振幅を広くすることができ、入力電流の範囲を拡大する
ことができる。
により、帰還抵抗にバイアス電流を与え、出力バイアス
点を任意に設定することが可能となり、これにより出力
振幅を広くすることができ、入力電流の範囲を拡大する
ことができる。
【０００８】また請求項２記載の発明は、請求項１記載
の光電変換回路において、前記バイアス抵抗手段による
電流の向きをフォトダイオードの光電流の向きと反対の
方向となるように構成するものである。これにより、フ
ォトダイオードをＤＣ的に直結接続してもフォトダイオ
ードの逆バイアスを大きくすることができ、入力電流範
囲を拡大することが可能となる。また請求項３記載の発
明は、請求項１又は２記載の光電変換回路において、前
記バイアス抵抗手段の抵抗値をスイッチにより可変でき
るように構成するものである。これにより、入力電流が
大幅に変化した場合でも、動作を可能にすることができ
る。
の光電変換回路において、前記バイアス抵抗手段による
電流の向きをフォトダイオードの光電流の向きと反対の
方向となるように構成するものである。これにより、フ
ォトダイオードをＤＣ的に直結接続してもフォトダイオ
ードの逆バイアスを大きくすることができ、入力電流範
囲を拡大することが可能となる。また請求項３記載の発
明は、請求項１又は２記載の光電変換回路において、前
記バイアス抵抗手段の抵抗値をスイッチにより可変でき
るように構成するものである。これにより、入力電流が
大幅に変化した場合でも、動作を可能にすることができ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態及び実施例】次に実施例について説
明する。図１は、本発明に係る光電変換回路の第１実施
例を示す回路構成図で、図４に示した従来例と同一又は
対応する構成要素には同一符号を付して示し、その説明
を省略する。本実施例が図４に示した実施例と異なる点
は、エミッタ接地増幅回路として機能するｎｐｎトラン
ジスタ２のエミッタ・ベース間に、バイアス抵抗９を設
けた点である。
明する。図１は、本発明に係る光電変換回路の第１実施
例を示す回路構成図で、図４に示した従来例と同一又は
対応する構成要素には同一符号を付して示し、その説明
を省略する。本実施例が図４に示した実施例と異なる点
は、エミッタ接地増幅回路として機能するｎｐｎトラン
ジスタ２のエミッタ・ベース間に、バイアス抵抗９を設
けた点である。
【００１０】このバイアス抵抗９を設けることにより、
フォトダイオード１からの光電流が零のときでも、帰還
抵抗６にバイアス電流が流れ、出力バイアス点が上昇す
る。このバイアス電流ＩBIASは、ｎｐｎトランジスタ２
のベース電流を無視すると、次式（１）で表される。 ＩBIAS＝ＶBE／ＲB ・・・・・（１） したがって、フォトダイオード１の光電流が零のときの
出力バイアス点の電圧ＶOUT は、次式（２）で表され
る。 ＶOUT ＝ＶBE＋ＶBE×ＲT ／ＲB ・・・・・（２） ここで、ＶBEはｎｐｎトランジスタ２のベース・エミッ
タ間電圧、ＲB はバイアス抵抗９の抵抗値、ＲT は帰還
抵抗６の抵抗値を示している。
フォトダイオード１からの光電流が零のときでも、帰還
抵抗６にバイアス電流が流れ、出力バイアス点が上昇す
る。このバイアス電流ＩBIASは、ｎｐｎトランジスタ２
のベース電流を無視すると、次式（１）で表される。 ＩBIAS＝ＶBE／ＲB ・・・・・（１） したがって、フォトダイオード１の光電流が零のときの
出力バイアス点の電圧ＶOUT は、次式（２）で表され
る。 ＶOUT ＝ＶBE＋ＶBE×ＲT ／ＲB ・・・・・（２） ここで、ＶBEはｎｐｎトランジスタ２のベース・エミッ
タ間電圧、ＲB はバイアス抵抗９の抵抗値、ＲT は帰還
抵抗６の抵抗値を示している。
【００１１】また、出力の振幅範囲は、０〜（ＶCC−Ｖ
BE）であるので、上記（２）式で示した出力ＶOUT を、
出力振幅範囲の中間点、すなわち（ＶCC−ＶBE）／２と
するように、バイアス抵抗９の抵抗値ＲB を調整するこ
とによって、最大の入力電流範囲が設定できる。例え
ば、ＶCC（電源電圧）＝５Ｖ，ＶBE＝0.7 Ｖとすると、
出力振幅は4.3 ＶP-P となり、従来例の約３倍の入力電
流に対応できるようになる。
BE）であるので、上記（２）式で示した出力ＶOUT を、
出力振幅範囲の中間点、すなわち（ＶCC−ＶBE）／２と
するように、バイアス抵抗９の抵抗値ＲB を調整するこ
とによって、最大の入力電流範囲が設定できる。例え
ば、ＶCC（電源電圧）＝５Ｖ，ＶBE＝0.7 Ｖとすると、
出力振幅は4.3 ＶP-P となり、従来例の約３倍の入力電
流に対応できるようになる。
【００１２】上記第１実施例は、図４に示した従来例と
同様に、フォトダイオードの逆バイアスを大きくするた
め、フォトダイオードと電流電圧変換回路を容量を介し
て接続したものを示したが、本発明においては、フォト
ダイオードを電流電圧変換回路にＤＣ的に直接接続して
も、十分大きな逆バイアスを印加しながら、なお且つ入
力電流を広くとることが可能である。
同様に、フォトダイオードの逆バイアスを大きくするた
め、フォトダイオードと電流電圧変換回路を容量を介し
て接続したものを示したが、本発明においては、フォト
ダイオードを電流電圧変換回路にＤＣ的に直接接続して
も、十分大きな逆バイアスを印加しながら、なお且つ入
力電流を広くとることが可能である。
【００１３】図２は、フォトダイオードを電流電圧変換
回路にＤＣ的に直接接続して構成した第２実施例を示す
回路構成図である。この第２実施例では、図１に示した
第１実施例におけるｎｐｎトランジスタ２，４を、それ
ぞれｐｎｐトランジスタ10，11に置き換えることによっ
て、フォトダイオードに印加する逆バイアスを大きくし
ている。
回路にＤＣ的に直接接続して構成した第２実施例を示す
回路構成図である。この第２実施例では、図１に示した
第１実施例におけるｎｐｎトランジスタ２，４を、それ
ぞれｐｎｐトランジスタ10，11に置き換えることによっ
て、フォトダイオードに印加する逆バイアスを大きくし
ている。
【００１４】このように構成することにより、フォトダ
イオード１には、（ＶCC−ＶBE）の逆バイアスが印加さ
れるため、電源電圧に近い逆バイアスの印加が可能とな
る。この実施例におけるｐｎｐトランジスタには、縦型
の高速ｐｎｐトランジスタを用いるのが望ましい。ま
た、この実施例におけるバイアス抵抗９の抵抗値Ｒ
B は、出力ＶOUT が出力振幅の最低レベルとなる、すな
わちＶOUT ≒ＶBE程度になるように設定するのが、効率
がよい。
イオード１には、（ＶCC−ＶBE）の逆バイアスが印加さ
れるため、電源電圧に近い逆バイアスの印加が可能とな
る。この実施例におけるｐｎｐトランジスタには、縦型
の高速ｐｎｐトランジスタを用いるのが望ましい。ま
た、この実施例におけるバイアス抵抗９の抵抗値Ｒ
B は、出力ＶOUT が出力振幅の最低レベルとなる、すな
わちＶOUT ≒ＶBE程度になるように設定するのが、効率
がよい。
【００１５】次に、図２に示した第２実施例を光磁気デ
ィスク等に対応するために改良した第３実施例を、図３
に基づいて説明する。光磁気ディスクでは、ディスクの
書き換えを可能にするために、通常のディスクからの反
射光を読み込むリードモードと、ディスクのデータを消
去するイレースモードと、ディスクにデータを書き込む
ライトモードの各モードがある。この中、イレースモー
ド及びライトモード時は、リードモード時の５〜10倍程
度の光が照射されるため、極端に光電流が大きくなる。
これに対応するには、図３に示す第３実施例の構成を用
いればよい。
ィスク等に対応するために改良した第３実施例を、図３
に基づいて説明する。光磁気ディスクでは、ディスクの
書き換えを可能にするために、通常のディスクからの反
射光を読み込むリードモードと、ディスクのデータを消
去するイレースモードと、ディスクにデータを書き込む
ライトモードの各モードがある。この中、イレースモー
ド及びライトモード時は、リードモード時の５〜10倍程
度の光が照射されるため、極端に光電流が大きくなる。
これに対応するには、図３に示す第３実施例の構成を用
いればよい。
【００１６】図３に示す第３実施例が図２に示した第２
実施例と異なる点は、バイアス抵抗９と並列に、入力信
号ＳＷによりオン・オフ制御されるスイッチングトラン
ジスタ13を介して抵抗12を設けた点である。これによ
り、イレースモード時及びライトモード時には、スイッ
チングトランジスタ13をオンして、バイアス電流を大き
くすることにより、大なる入力電流にも対応可能とな
る。
実施例と異なる点は、バイアス抵抗９と並列に、入力信
号ＳＷによりオン・オフ制御されるスイッチングトラン
ジスタ13を介して抵抗12を設けた点である。これによ
り、イレースモード時及びライトモード時には、スイッ
チングトランジスタ13をオンして、バイアス電流を大き
くすることにより、大なる入力電流にも対応可能とな
る。
【００１７】また更に、帰還抵抗６に並列に、図示しな
いスイッチングトランジスタを介した抵抗を接続し、該
スイッチングトランジスタを入力信号ＳＷで制御される
スイッチングトランジスタ13と連動してオン・オフさせ
ることにより、より効果的に大なる入力電流に対応させ
ることができる。
いスイッチングトランジスタを介した抵抗を接続し、該
スイッチングトランジスタを入力信号ＳＷで制御される
スイッチングトランジスタ13と連動してオン・オフさせ
ることにより、より効果的に大なる入力電流に対応させ
ることができる。
【００１８】また、上記各実施例においては、エミッタ
接地増幅回路あるいはエミッタフォロアを構成するトラ
ンジスタとしてバイポーラトランジスタを用いたものを
示したが、ＭＯＳトランジスタを用い、ソース接地型入
力構成としても、全く同等の効果が得られる。
接地増幅回路あるいはエミッタフォロアを構成するトラ
ンジスタとしてバイポーラトランジスタを用いたものを
示したが、ＭＯＳトランジスタを用い、ソース接地型入
力構成としても、全く同等の効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
請求項１記載の発明によれば、出力バイアス点を任意に
設定できるため出力振幅を広くすることが可能となり、
入力電流範囲を拡大することができる。また請求項２記
載の発明によれば、フォトダイオードをＤＣ的に直結接
続してもフォトダイオードの逆バイアスを大きくするこ
とができ、且つ入力電流範囲を拡大することができる。
また請求項３記載の発明によれば、入力電流が大きく変
化する場合にも対応させることが可能となる。
請求項１記載の発明によれば、出力バイアス点を任意に
設定できるため出力振幅を広くすることが可能となり、
入力電流範囲を拡大することができる。また請求項２記
載の発明によれば、フォトダイオードをＤＣ的に直結接
続してもフォトダイオードの逆バイアスを大きくするこ
とができ、且つ入力電流範囲を拡大することができる。
また請求項３記載の発明によれば、入力電流が大きく変
化する場合にも対応させることが可能となる。
【図１】本発明に係る光電変換回路の第１実施例を示す
回路構成図である。
回路構成図である。
【図２】第２実施例を示す回路構成図である。
【図３】第３実施例を示す回路構成図である。
【図４】従来の光電変換回路の構成例を示す回路構成図
である。
である。
１ フォトダイオード ２ ｎｐｎトランジスタ ３ 抵抗負荷 ４ ｎｐｎトランジスタ ５ 抵抗負荷 ６ 帰還抵抗 ７ 抵抗 ８ 容量 ９ バイアス抵抗 10 ｐｎｐトランジスタ 11 ｐｎｐトランジスタ 12 抵抗 13 スイッチングトランジスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 フォトダイオードと、該フォトダイオー
ドで発生した光電流を電圧出力に変換する電流電圧変換
回路とを備えた光電変換回路において、前記電流電圧変
換回路を、エミッタがグランド又は電源に接地されコレ
クタに負荷が接続されベースを入力とするエミッタ接地
型トランジスタを初段に有する増幅回路と、該増幅回路
の入出力間に設けられた電流電圧変換用の帰還抵抗と、
前記エミッタ接地型トランジスタのベースとエミッタ間
に設けられたバイアス抵抗手段とで構成したことを特徴
とする光電変換回路。 - 【請求項２】 前記バイアス抵抗手段による電流の向き
を、フォトダイオードの光電流の向きと反対方向とする
ように構成したことを特徴とする請求項１記載の光電変
換回路。 - 【請求項３】 前記バイアス抵抗手段は、スイッチによ
り抵抗値を可変できるように構成されていることを特徴
とする請求項１又は２記載の光電変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7242323A JPH0964654A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 光電変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7242323A JPH0964654A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 光電変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964654A true JPH0964654A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=17087505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7242323A Pending JPH0964654A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 光電変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964654A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008022249A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Dx Antenna Co Ltd | 増幅器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367107A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Ricoh Co Ltd | 光検出回路 |
| JPH06120743A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | 光受信用前置増幅器および光受信装置 |
| JPH07212147A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-08-11 | Fujitsu Ltd | 電流電圧変換回路 |
-
1995
- 1995-08-29 JP JP7242323A patent/JPH0964654A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04367107A (ja) * | 1991-06-14 | 1992-12-18 | Ricoh Co Ltd | 光検出回路 |
| JPH06120743A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | 光受信用前置増幅器および光受信装置 |
| JPH07212147A (ja) * | 1994-01-19 | 1995-08-11 | Fujitsu Ltd | 電流電圧変換回路 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2008022249A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Dx Antenna Co Ltd | 増幅器 |
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