JPH0964092A - デバイスの実装構造 - Google Patents
デバイスの実装構造Info
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- JPH0964092A JPH0964092A JP7221624A JP22162495A JPH0964092A JP H0964092 A JPH0964092 A JP H0964092A JP 7221624 A JP7221624 A JP 7221624A JP 22162495 A JP22162495 A JP 22162495A JP H0964092 A JPH0964092 A JP H0964092A
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- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】TCPデバイス10のリード12にかかる応力
を低減して信頼性の高い実装構造を提供する。 【解決手段】回路基板20のデバイスホール21に、テ
ープキャリヤパッケージデバイス10の半導体チップ1
1を収納するとともに、該テープキャリヤパッケージデ
バイス10のアウターリード12を、回路基板20の電
極22に接続するデバイスの実装構造において、前記デ
バイスホール21において、回路基板20とテープキャ
リヤパッケージデバイス10のサポートリング14と
を、固定用の樹脂材料41で固定し、この樹脂材料41
によって熱応力を分散してリード12にかかる応力を緩
和している。
を低減して信頼性の高い実装構造を提供する。 【解決手段】回路基板20のデバイスホール21に、テ
ープキャリヤパッケージデバイス10の半導体チップ1
1を収納するとともに、該テープキャリヤパッケージデ
バイス10のアウターリード12を、回路基板20の電
極22に接続するデバイスの実装構造において、前記デ
バイスホール21において、回路基板20とテープキャ
リヤパッケージデバイス10のサポートリング14と
を、固定用の樹脂材料41で固定し、この樹脂材料41
によって熱応力を分散してリード12にかかる応力を緩
和している。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、デバイスの実装構
造に関し、さらに詳しくは、テープキャリヤパッケージ
デバイス(以下「TCPデバイス」ともいう)のアウタ
ーリードを回路基板上に実装するのに好適な実装構造に
関するものである。
造に関し、さらに詳しくは、テープキャリヤパッケージ
デバイス(以下「TCPデバイス」ともいう)のアウタ
ーリードを回路基板上に実装するのに好適な実装構造に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化に対応
するために、半導体デバイスの高機能化、大容量化が進
められており、これに伴って、半導体デバイスの大型
化、多端子化が進み、これらデバイスを実装するための
色々な方法が検討されている。
するために、半導体デバイスの高機能化、大容量化が進
められており、これに伴って、半導体デバイスの大型
化、多端子化が進み、これらデバイスを実装するための
色々な方法が検討されている。
【0003】例えば、テープキャリヤパッケージ(Tape
Carrier Package)デバイスを用いたアウターリードボ
ンディング(Outer Lead Bonding)法は、多端子大型デ
バイスを高密度に実装できることから、実用化が進んで
来ている。
Carrier Package)デバイスを用いたアウターリードボ
ンディング(Outer Lead Bonding)法は、多端子大型デ
バイスを高密度に実装できることから、実用化が進んで
来ている。
【0004】図3は、従来のTCPデバイス10の最も
薄型の実装構造を示す断面図である。
薄型の実装構造を示す断面図である。
【0005】同図において、10はTCPデバイスであ
り、このTCPデバイス10は、保護樹脂15で覆われ
た半導体チップ11と、リード12を保持するためのサ
ポートリング14と、半導体チップ11のバンプ13を
介して接続されたリード12とを備えている。
り、このTCPデバイス10は、保護樹脂15で覆われ
た半導体チップ11と、リード12を保持するためのサ
ポートリング14と、半導体チップ11のバンプ13を
介して接続されたリード12とを備えている。
【0006】このTCPデバイス10は、その半導体チ
ップ11を、回路基板20に形成された収納穴としての
デバイスホール21に配置収納した状態で、回路基板2
0上の電極22とTCPデバイス10のリード12と
が、半田31によって電気的機械的に接続されている。
なお、23はソルダーレジストである。
ップ11を、回路基板20に形成された収納穴としての
デバイスホール21に配置収納した状態で、回路基板2
0上の電極22とTCPデバイス10のリード12と
が、半田31によって電気的機械的に接続されている。
なお、23はソルダーレジストである。
【0007】一般に、リード12の半導体チップ11と
接続されているサポートリング14から内側に延在する
リードをインナーリードといい、回路基板20と接続す
るためのサポートリング14から外側に延在するリード
をアウターリードという。
接続されているサポートリング14から内側に延在する
リードをインナーリードといい、回路基板20と接続す
るためのサポートリング14から外側に延在するリード
をアウターリードという。
【0008】この従来例の実装構造では、アウターリー
ド12のフォーミングを行わずにほぼ直線状態でデバイ
ス10を実装するものであり、半導体チップ11を、回
路基板20に形成されたデバイスホール21に配置収納
することにより、回路基板20の上面にデバイス10が
突き出た構造とならず、薄型実装が可能となるものであ
る。
ド12のフォーミングを行わずにほぼ直線状態でデバイ
ス10を実装するものであり、半導体チップ11を、回
路基板20に形成されたデバイスホール21に配置収納
することにより、回路基板20の上面にデバイス10が
突き出た構造とならず、薄型実装が可能となるものであ
る。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、リードフォ
ーミングを行わない従来例の実装構造では、アウターリ
ード12が直線状態であるため、実装時の加熱やデバイ
ス動作時の発熱等の温度変化に伴うTCPデバイス10
とこれを実装する回路基板20との熱膨張率の差異に起
因する熱応力によってリード12が破断し易いという問
題があった。
ーミングを行わない従来例の実装構造では、アウターリ
ード12が直線状態であるため、実装時の加熱やデバイ
ス動作時の発熱等の温度変化に伴うTCPデバイス10
とこれを実装する回路基板20との熱膨張率の差異に起
因する熱応力によってリード12が破断し易いという問
題があった。
【0010】つまり、それぞれの部材は、それぞれ固有
の熱膨張率を有しており、周囲温度が変わることによっ
て、それぞれの部材が膨張あるいは収縮する。
の熱膨張率を有しており、周囲温度が変わることによっ
て、それぞれの部材が膨張あるいは収縮する。
【0011】例えば、図3の実装構造においては、回路
基板20の熱膨張率がTCPデバイス10の熱膨張率よ
りも大きいとすると、周囲温度が高くなったときには、
回路基板20がより膨張しようとするために、TCPデ
バイス10には、リード12の延在する方向に引っ張り
応力が発生する。この応力によってTCPデバイス10
には、歪が発生するが、この歪は、最も強度の弱い点、
つまり、図3のセクションAの拡大図である図4に示さ
れるサポートリング14による補強がなされていないア
ウターリード12の半田31接続部近傍のチップ中心側
のリード部(矢符Bで示される部分)に最も多く発生す
る。このため、周囲温度の変化によりリード12が金属
疲労し、最終的にリード12が破断することになる。
基板20の熱膨張率がTCPデバイス10の熱膨張率よ
りも大きいとすると、周囲温度が高くなったときには、
回路基板20がより膨張しようとするために、TCPデ
バイス10には、リード12の延在する方向に引っ張り
応力が発生する。この応力によってTCPデバイス10
には、歪が発生するが、この歪は、最も強度の弱い点、
つまり、図3のセクションAの拡大図である図4に示さ
れるサポートリング14による補強がなされていないア
ウターリード12の半田31接続部近傍のチップ中心側
のリード部(矢符Bで示される部分)に最も多く発生す
る。このため、周囲温度の変化によりリード12が金属
疲労し、最終的にリード12が破断することになる。
【0012】このような問題を解決するための方法とし
て、特開平4−199647号公報に記載されているよ
うに、リードを屈曲させて応力緩和を図る提案がなされ
ている。
て、特開平4−199647号公報に記載されているよ
うに、リードを屈曲させて応力緩和を図る提案がなされ
ている。
【0013】しかしながら、この方法では、リードを屈
曲させるための領域が必要になり、実装密度が低下する
とともに、リード自体の長さが長くなるために、リード
の変形が発生し易く、微細ピッチでのリード接続が困難
になるという問題があった。本発明は、上述の点に鑑み
て為されたものであって、TCPデバイスのリードにか
かる応力を低減して信頼性の高い実装構造を提供するこ
とを目的としている。
曲させるための領域が必要になり、実装密度が低下する
とともに、リード自体の長さが長くなるために、リード
の変形が発生し易く、微細ピッチでのリード接続が困難
になるという問題があった。本発明は、上述の点に鑑み
て為されたものであって、TCPデバイスのリードにか
かる応力を低減して信頼性の高い実装構造を提供するこ
とを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、次のように構成している。
を達成するために、次のように構成している。
【0015】すなわち、本発明は、デバイスを収納する
収納穴が形成された回路基板の前記収納穴に、テープキ
ャリヤパッケージデバイスの半導体チップを収納すると
ともに、該テープキャリヤパッケージデバイスのアウタ
ーリードを、前記回路基板の電極に接続するデバイスの
実装構造において、前記回路基板の前記収納穴におい
て、該回路基板と前記テープキャリヤパッケージデバイ
スとが、固定用材料で固定されることを特徴としてい
る。
収納穴が形成された回路基板の前記収納穴に、テープキ
ャリヤパッケージデバイスの半導体チップを収納すると
ともに、該テープキャリヤパッケージデバイスのアウタ
ーリードを、前記回路基板の電極に接続するデバイスの
実装構造において、前記回路基板の前記収納穴におい
て、該回路基板と前記テープキャリヤパッケージデバイ
スとが、固定用材料で固定されることを特徴としてい
る。
【0016】前記テープキャリヤパッケージデバイスと
しては、リードフォーミングを行っていないアウターリ
ードがほぼ直線状態で延在するデバイスが好ましい。
しては、リードフォーミングを行っていないアウターリ
ードがほぼ直線状態で延在するデバイスが好ましい。
【0017】前記固定用材料は、絶縁性の樹脂材料であ
ってもよい。
ってもよい。
【0018】前記固定用材料の熱膨張率は、回路基板の
熱膨張率とテープキャリヤパッケージデバイスの熱膨張
率との間の値であるのが好ましい。
熱膨張率とテープキャリヤパッケージデバイスの熱膨張
率との間の値であるのが好ましい。
【0019】本発明のデバイスの実装構造によれば、T
CPデバイスのアウターリードにかかる熱応力を、回路
基板とTCPデバイスとを固定する固定用材料で分散し
て緩和することができ、これによって、リードの金属疲
労による破断を防止し、高い信頼性を実現することがで
きる。
CPデバイスのアウターリードにかかる熱応力を、回路
基板とTCPデバイスとを固定する固定用材料で分散し
て緩和することができ、これによって、リードの金属疲
労による破断を防止し、高い信頼性を実現することがで
きる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、図面によって本発明の実施
の形態について、詳細に説明する。
の形態について、詳細に説明する。
【0021】図1は、本発明の一実施例の実装構造を示
す断面図であり、上述の従来例に対応する部分には、同
一の参照符号を付す。
す断面図であり、上述の従来例に対応する部分には、同
一の参照符号を付す。
【0022】このTCPデバイス10は、保護樹脂15
で覆われた半導体チップ11と、リード12を保持する
ためのサポートリング14と、半導体チップ11のバン
プ13を介して接続されたリード12とを備えている。
で覆われた半導体チップ11と、リード12を保持する
ためのサポートリング14と、半導体チップ11のバン
プ13を介して接続されたリード12とを備えている。
【0023】このTCPデバイス10は、その半導体チ
ップ11を、回路基板20に形成されたデバイスホール
21に配置収納した状態で、回路基板20上の電極22
とTCPデバイス10のアウターリード12とが、半田
31によって電気的機械的に接続されている。なお、2
3はソルダーレジストである。
ップ11を、回路基板20に形成されたデバイスホール
21に配置収納した状態で、回路基板20上の電極22
とTCPデバイス10のアウターリード12とが、半田
31によって電気的機械的に接続されている。なお、2
3はソルダーレジストである。
【0024】TCPデバイス10のサポートリング14
の材質は、ポリイミド等の樹脂が使用され、図示しない
エポキシ樹脂等によってリード12を接着している。リ
ード12は、通常Cuが用いられるが、必要に応じてN
i、Au、Sn、Pb・Sn等の金属により1層あるい
は2層以上で被覆されている。
の材質は、ポリイミド等の樹脂が使用され、図示しない
エポキシ樹脂等によってリード12を接着している。リ
ード12は、通常Cuが用いられるが、必要に応じてN
i、Au、Sn、Pb・Sn等の金属により1層あるい
は2層以上で被覆されている。
【0025】回路基板20は、例えば紙−フェノール、
ガラス−エポキシあるいはセラミック等の基板であり、
この回路基板20上の電極22としては、少なくとも表
面に親半田金属を有する配線であり、例えばCu配線や
Au/Ni/Cu、Au/Cu/W等の多層配線等があ
る。
ガラス−エポキシあるいはセラミック等の基板であり、
この回路基板20上の電極22としては、少なくとも表
面に親半田金属を有する配線であり、例えばCu配線や
Au/Ni/Cu、Au/Cu/W等の多層配線等があ
る。
【0026】TCPデバイス10のリード12と回路基
板20の電極22とを接続している半田31は、Sn、
Pb、In、Sb、Zn、Ag等の金属単体もしくはこ
れらの合金が使用されるが、Pb・Snの合金が多く使
用される。
板20の電極22とを接続している半田31は、Sn、
Pb、In、Sb、Zn、Ag等の金属単体もしくはこ
れらの合金が使用されるが、Pb・Snの合金が多く使
用される。
【0027】この実施例のデバイスの実装構造では、ア
ウターリード12のフォーミングを行わずにほぼ直線状
態で実装するために、TCPデバイス10と回路基板2
0との熱膨張率の差異に起因する熱応力がリード12に
かかることになるが、この熱応力を低減して信頼性の高
い実装構造とするために、次のように構成している。
ウターリード12のフォーミングを行わずにほぼ直線状
態で実装するために、TCPデバイス10と回路基板2
0との熱膨張率の差異に起因する熱応力がリード12に
かかることになるが、この熱応力を低減して信頼性の高
い実装構造とするために、次のように構成している。
【0028】すなわち、回路基板20のデバイスホール
21の内周面とTCPデバイス10のサポートリング1
4とは、固定用の樹脂材料41によって固定されてい
る。
21の内周面とTCPデバイス10のサポートリング1
4とは、固定用の樹脂材料41によって固定されてい
る。
【0029】この固定用の樹脂材料41としては、例え
ば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂等の絶縁性の接着剤が使用される。
ば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ア
クリル樹脂等の絶縁性の接着剤が使用される。
【0030】また、樹脂材料41の強度や熱膨張率を調
整するために、SiO2、Al2O3等の無機物を混入さ
せてもよい。
整するために、SiO2、Al2O3等の無機物を混入さ
せてもよい。
【0031】この樹脂材料41の熱膨張率は、リード1
2にかかる熱応力を一層確実に緩和できるように、回路
基板20の熱膨張率とTCPデバイス10の熱膨張率と
の間の値になるように選ばれる。ここで、TCPデバイ
ス10の熱膨張率としては、例えば、該TCPデバイス
10の主要な構成部材である半導体チップ11、サポー
トリング14およびリード12等の熱膨張率およびそれ
ら構成部材11,14,12等のサイズを考慮して算出
し、あるいは、TCPデバイス10の熱膨張率を実際に
計測することによって得ることができる。
2にかかる熱応力を一層確実に緩和できるように、回路
基板20の熱膨張率とTCPデバイス10の熱膨張率と
の間の値になるように選ばれる。ここで、TCPデバイ
ス10の熱膨張率としては、例えば、該TCPデバイス
10の主要な構成部材である半導体チップ11、サポー
トリング14およびリード12等の熱膨張率およびそれ
ら構成部材11,14,12等のサイズを考慮して算出
し、あるいは、TCPデバイス10の熱膨張率を実際に
計測することによって得ることができる。
【0032】次に、本発明の実装プロセスを詳述する。
【0033】長尺のフィルムキャリヤテープから打ち抜
かれたTCPデバイス10のリード12は、デバイスホ
ール21を有する回路基板20の接続されるべき電極2
2と位置合わせして配置され、パルスヒートツール等の
加熱手段を用いて半田接続される。このとき、回路基板
20の電極22上もしくはTCPデバイス10のリード
12あるいはその両方に半田層が形成されている。ま
た、必要に応じて、フラックスの使用等の接続性を改善
するための補助的手段を用いることができる。
かれたTCPデバイス10のリード12は、デバイスホ
ール21を有する回路基板20の接続されるべき電極2
2と位置合わせして配置され、パルスヒートツール等の
加熱手段を用いて半田接続される。このとき、回路基板
20の電極22上もしくはTCPデバイス10のリード
12あるいはその両方に半田層が形成されている。ま
た、必要に応じて、フラックスの使用等の接続性を改善
するための補助的手段を用いることができる。
【0034】また、半田31の供給方法としては、電解
めっき法、無電解めっき法あるいは半田ペーストの印刷
法等の周知の技術を用いることができる。
めっき法、無電解めっき法あるいは半田ペーストの印刷
法等の周知の技術を用いることができる。
【0035】このようにしてTCPデバイス10が接続
された回路基板20の裏面から、デバイスホール21部
にTCPデバイス10と回路基板20とを固定するため
の樹脂材料41として接着剤を、供給し硬化する。この
ようにして、図1に示される実装構造を得ることができ
る。
された回路基板20の裏面から、デバイスホール21部
にTCPデバイス10と回路基板20とを固定するため
の樹脂材料41として接着剤を、供給し硬化する。この
ようにして、図1に示される実装構造を得ることができ
る。
【0036】このように回路基板20のデバイスホール
21において、回路基板20とTCPデバイス10のサ
ポートリング14とが、固定用の樹脂材料41によって
固定されるので、TCPデバイス10のアウターリード
12にかかる熱応力を、固定用の樹脂材料41に分散し
て緩和することができ、これによって、リード12の金
属疲労による破断を防止し、高い信頼性を実現すること
ができる。
21において、回路基板20とTCPデバイス10のサ
ポートリング14とが、固定用の樹脂材料41によって
固定されるので、TCPデバイス10のアウターリード
12にかかる熱応力を、固定用の樹脂材料41に分散し
て緩和することができ、これによって、リード12の金
属疲労による破断を防止し、高い信頼性を実現すること
ができる。
【0037】特に、本発明では、TCPデバイス10と
回路基板20との固定をデバイスホール21において行
っているために、確実にリード12にかかる熱応力を低
減できるものである。
回路基板20との固定をデバイスホール21において行
っているために、確実にリード12にかかる熱応力を低
減できるものである。
【0038】すなわち、通常、接続部のリードが、熱応
力により破断するような場合には、その接続部を樹脂材
料により固定する方法を用いる。しかしながら、この方
法を検討した結果、以下の点で問題があることがわかっ
た。
力により破断するような場合には、その接続部を樹脂材
料により固定する方法を用いる。しかしながら、この方
法を検討した結果、以下の点で問題があることがわかっ
た。
【0039】つまり、このような半田による接続におい
ては、通常、接続される電極やリードの表面の酸化物を
除去し、接続性を確保するためにフラックスを使用する
が、近年の環境問題によるフロン規制の観点およびその
使用性の容易さから、無洗浄タイプのフラックスが使用
されることが多い。
ては、通常、接続される電極やリードの表面の酸化物を
除去し、接続性を確保するためにフラックスを使用する
が、近年の環境問題によるフロン規制の観点およびその
使用性の容易さから、無洗浄タイプのフラックスが使用
されることが多い。
【0040】そして、この無洗浄タイプのフラックス
は、半田接続後においても、接続部に残部が付着した状
態となっており、このフラックスが付着した状態で接続
部を樹脂材料で補強すると、接続部は、フラックスを介
して樹脂材料で固定されることになり、このフラックス
は、本来接続部を補強する作用を考慮しておらず、熱応
力によりこの部分が破壊し易く、樹脂材料による固定の
効果が薄いことになる。
は、半田接続後においても、接続部に残部が付着した状
態となっており、このフラックスが付着した状態で接続
部を樹脂材料で補強すると、接続部は、フラックスを介
して樹脂材料で固定されることになり、このフラックス
は、本来接続部を補強する作用を考慮しておらず、熱応
力によりこの部分が破壊し易く、樹脂材料による固定の
効果が薄いことになる。
【0041】また、本発明では、固定用の樹脂材料41
を、デバイスホール21とサポートリング14で形成さ
れる隅部に設けているために、例えば、図4の破断し易
い接続部近傍Bに設けるような構成に比べて、未硬化状
態の樹脂材料41が流れ出して周辺の電極等を覆って不
良を発生させる虞れもない。
を、デバイスホール21とサポートリング14で形成さ
れる隅部に設けているために、例えば、図4の破断し易
い接続部近傍Bに設けるような構成に比べて、未硬化状
態の樹脂材料41が流れ出して周辺の電極等を覆って不
良を発生させる虞れもない。
【0042】なお、この実施例では、リード12と電極
22との接合方法として、半田付けを用いたけれども、
本発明は半田付けに限定されるものではなく、例えば、
樹脂マトリックス中に導電粒子を分散させた接着剤(異
方導電性接着剤)を回路基板20の電極22とリード1
2間に介在させてリード12を押圧することにより、リ
ード12と電極22間は導電粒子により電気的な接続を
得るとともに、樹脂硬化によって機械的な接続を行うこ
ともできる。
22との接合方法として、半田付けを用いたけれども、
本発明は半田付けに限定されるものではなく、例えば、
樹脂マトリックス中に導電粒子を分散させた接着剤(異
方導電性接着剤)を回路基板20の電極22とリード1
2間に介在させてリード12を押圧することにより、リ
ード12と電極22間は導電粒子により電気的な接続を
得るとともに、樹脂硬化によって機械的な接続を行うこ
ともできる。
【0043】図2は、本発明の他の実施例の図1に対応
する断面図であり、図1に対応する部分には、同一の参
照符号を付す。
する断面図であり、図1に対応する部分には、同一の参
照符号を付す。
【0044】この実施例では、固定用の樹脂材料41
を、デバイスホール21の全体に充填した構造となって
いる。この場合にも、上述の実施例と同様に、樹脂材料
41の熱膨張率を、回路基板20の熱膨張率とTCPデ
バイス10の熱膨張率との間の値に設定することによ
り、熱応力が全体に分散されて緩和されるので高信頼性
を実現できる。
を、デバイスホール21の全体に充填した構造となって
いる。この場合にも、上述の実施例と同様に、樹脂材料
41の熱膨張率を、回路基板20の熱膨張率とTCPデ
バイス10の熱膨張率との間の値に設定することによ
り、熱応力が全体に分散されて緩和されるので高信頼性
を実現できる。
【0045】上述の実施例では、固定用材料として樹脂
材料41を用いたけれども、本発明の他の実施例とし
て、シリコーンゴムやウレタンゴム等のゴム材料を用い
てもよい。また、この固定用材料は、絶縁性の材料に限
定されるものではない。
材料41を用いたけれども、本発明の他の実施例とし
て、シリコーンゴムやウレタンゴム等のゴム材料を用い
てもよい。また、この固定用材料は、絶縁性の材料に限
定されるものではない。
【0046】上述の実施例では、デバイスホール21
は、貫通孔であったけれども、本発明の他の実施例とし
て、未貫通孔すなわち凹部であってもよく、この場合に
は、固定用材料を回路基板の裏面から供給するための供
給用の孔を別途形成すればよい。
は、貫通孔であったけれども、本発明の他の実施例とし
て、未貫通孔すなわち凹部であってもよく、この場合に
は、固定用材料を回路基板の裏面から供給するための供
給用の孔を別途形成すればよい。
【0047】上述の実施例では、リードフォーミングが
されていないほぼ直線状態のアウターリード12のTC
Pデバイス10に適用して説明したけれども、本発明の
他の実施例として、アウターリードを屈曲させて熱応力
の緩和を図るTCPデバイスに適用してもよく、この場
合には、屈曲の度合いを少なくしても固定用材料による
熱応力の緩和と相まってリードの破断を防止して一層信
頼性を高めることができる。
されていないほぼ直線状態のアウターリード12のTC
Pデバイス10に適用して説明したけれども、本発明の
他の実施例として、アウターリードを屈曲させて熱応力
の緩和を図るTCPデバイスに適用してもよく、この場
合には、屈曲の度合いを少なくしても固定用材料による
熱応力の緩和と相まってリードの破断を防止して一層信
頼性を高めることができる。
【0048】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、回路基板
の収納穴において、前記回路基板とテープキャリヤパッ
ケージデバイスとを固定用材料により固定するので、T
CPデバイスのアウターリードにかかる熱応力を緩和
し、高信頼性の実装構造を実現することができる。
の収納穴において、前記回路基板とテープキャリヤパッ
ケージデバイスとを固定用材料により固定するので、T
CPデバイスのアウターリードにかかる熱応力を緩和
し、高信頼性の実装構造を実現することができる。
【0049】また、熱応力の緩和のために、アウターリ
ードを屈曲させなくてもよく、この場合には、接続に必
要な最小限の長さのアウターリードとすることができ、
実装密度を高くすることができ、さらに、アウターリー
ドが短くなることによって、リードの変形が少なくな
り、接続における位置ずれの問題が解消され、微小ピッ
チでの接続が容易となる。
ードを屈曲させなくてもよく、この場合には、接続に必
要な最小限の長さのアウターリードとすることができ、
実装密度を高くすることができ、さらに、アウターリー
ドが短くなることによって、リードの変形が少なくな
り、接続における位置ずれの問題が解消され、微小ピッ
チでの接続が容易となる。
【図1】本発明の一実施例の断面図である。
【図2】本発明の他の実施例の断面図である。
【図3】従来例の断面図である。
【図4】図3の一部拡大断面図である。
10 TCPデバイス 11 半導体チップ 12 リード 20 回路基板 21 デバイスホール 41 樹脂材料
Claims (4)
- 【請求項1】 デバイスを収納する収納穴が形成された
回路基板の前記収納穴に、テープキャリヤパッケージデ
バイスの半導体チップを収納するとともに、該テープキ
ャリヤパッケージデバイスのアウターリードを、前記回
路基板の電極に接続するデバイスの実装構造において、 前記回路基板の前記収納穴において、該回路基板と前記
テープキャリヤパッケージデバイスとが、固定用材料で
固定されることを特徴とするデバイスの実装構造。 - 【請求項2】 前記アウターリードは、ほぼ直線状態で
延在する請求項1記載のデバイスの実装構造。 - 【請求項3】 前記固定用材料は、絶縁性の樹脂材料で
ある請求項1または2に記載のデバイスの実装構造。 - 【請求項4】 前記固定用材料の熱膨張率が、前記回路
基板の熱膨張率と前記テープキャリヤパッケージデバイ
スの熱膨張率との間の値である請求項1ないし3のいず
れかに記載のデバイスの実装構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7221624A JPH0964092A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | デバイスの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7221624A JPH0964092A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | デバイスの実装構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964092A true JPH0964092A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16769686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7221624A Pending JPH0964092A (ja) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | デバイスの実装構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0964092A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100524480B1 (ko) * | 1998-07-29 | 2005-12-30 | 삼성전자주식회사 | 테이프캐리어패키지 |
US7408242B2 (en) * | 2001-05-15 | 2008-08-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Carrier with reinforced leads that are to be connected to a chip |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP7221624A patent/JPH0964092A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100524480B1 (ko) * | 1998-07-29 | 2005-12-30 | 삼성전자주식회사 | 테이프캐리어패키지 |
US7408242B2 (en) * | 2001-05-15 | 2008-08-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Carrier with reinforced leads that are to be connected to a chip |
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