JPH09511613A - フラットディスプレイスクリーンの組立方法 - Google Patents

フラットディスプレイスクリーンの組立方法

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JPH09511613A
JPH09511613A JP8515776A JP51577696A JPH09511613A JP H09511613 A JPH09511613 A JP H09511613A JP 8515776 A JP8515776 A JP 8515776A JP 51577696 A JP51577696 A JP 51577696A JP H09511613 A JPH09511613 A JP H09511613A
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リシャール ペピ
ミッシェル ガルシア
ジャン−フレデリク クレルク
オリヴィエ ハモン
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Abstract

(57)【要約】 プレートのガス抜き段階及び真空バーンイン段階を含んでおり、フラットディスプレイスクリーンの底面及び表面をそれぞれ形成する2つの平行のプレートの組み立てる方法。本方法は、バーンイン段階で第1のプレートを電子衝撃に受けさせる段階と、真空中で第2のプレートに対向するように第1のプレートを移動させる段階と、特別の周辺密封ジョイントを用いて2つのプレートを組み立てられる段階とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 フラットディスプレイスクリーンの組立方法 本発明は、フラットディスプレイスクリーンに関する。より詳細には、スクリ ーンの底面及び視覚表面からなるそれぞれ2つのプレートのアセンブリに関して おり、かつこれらの間には外面から絶縁された内部ギャップが設けられている。 従来、フラットディスプレイスクリーンは、例えばガラスからなる2つの外面 の長方形プレートから構成されている。一方のプレートはスクリーンの視覚表面 を形成し、他方のプレートは放射手段を有する底面を形成する。これら2つのプ レートは、密封ジョイントを用いて組み立てられ、かつ互いに間隔を保つ。プラ ズマディスプレイは2つのガラスプレート間のギャップが低い圧力ガスで満たさ れているのに対して、電界効果ディスプレイ(FED)、マイクロチップディス プレイ又は真空蛍光ディスプレイ(VFD)はギャップが真空排気される。 図1はマイクロチップを有する従来のフラットディスプレイスクリーンの構造 の一部分を表す概略的な断面図であり、図2は従来のマイクロチップフラットデ ィスプレイスクリーンの組立方法を表す概略的な断面図である。 このようなマイクロチップスクリーンは、主にアノー ドプレート2に対向するカソードプレート1からなる。 このようなマイクロチップスクリーンの1つの例の動作と詳しい構造は、コミ ッサリア・タ・レネルジー・アトミークに譲渡された米国特許第4,940,9 16号に記述されている。 カソードプレート1は、ガラス基板3上に、複数列に配列されるカソード導体 4からなる。カソード導体4は、電子放射の均一性のための抵抗層(図示なし) で覆われる。カソード導体4をゲート5から絶縁するために、カソードは絶縁層 6の挿入物を用いてゲート5に係合する。抵抗層上に形成されるマイクロチップ 7を収容するために、ホールはゲート層5及び絶縁層6にそれぞれ形成される。 ゲート5は複数行に配列され、ゲート5の1つの行とカソードの1つの列との交 点が画素を規定する。簡素化のために、数個のマイクロチップ7だけが図1に表 されている。実際には、画素当たり数千マイクロチップ7が存在する。 アノードプレート2は、電極9上にデポジットされる蛍光素子8を有する。こ れはインジウム及び酸化スズ(ITO)のような透過導電層からなり、基板10 上に形成される。 この装置は、カソード3とゲート5との間で、電子が真空ギャップ11を渡っ てアノードプレート2の適切なバイアスされる蛍光素子8へ向かってマイクロチ ップ7から抽出されるように発生された電界を用いる。 カソードプレート1及びアノードプレート2として構 成するために、カソード/ゲート及びアノードは2つの基板3及び10の上に個 々に形成される。これらプレートは、周辺密封ジョイント12(図2)を用いて 組み立てられる。真空チャンバ11は、電子がアノードへ向かって流れるようカ ソードから放出され得るように、2つのプレート1及び2の間に設けられる。 プレート1及び2は、従来、以下のように組み立てられる。 真空チャンバ11を規定するスペーサ(図示なし)は、ゲート5上に最初に接 着される。プレート1及び2の間のギャップ11が一定であるように、スペーサ は通常一様に分布されたガラスビーズからなる。 カソード/ゲートプレート1は、カソードをガス抜きしかつスペーサの接着剤 を蒸発するために、真空中で熱処理される。熱処理は、約10-8Paの気圧の中 で、約1時間、約450℃の温度で行われる。 濃酸素の雰囲気中で、同じ処理がアノードプレート2に適用される。この処理 は、アノードの蛍光素子8に含まれる残留有機化合物の蒸発を生じる。これら有 機化合物は、蛍光素子をデポジットする処理において増進剤として用いられたか 、又はその後の処理段階から生じる汚損物質であるかもしれない。 ポンピングチューブ13は、カソードプレート1の自由表面上に置かれる。チ ューブ13は、例えばガラスからなり、かつギャップ11へのバイアスを形成す るためにその開口端の一方がプレート1内に設けられた開口と 正確に合わせて密封されている。次にチューブ13は、ギャップ11内を真空に するためにパイプ14と対にして用いられる。チューブ13は、その有効表面の 外側のプレート1の角に置かれる。 例えば可溶性ガラスシームである密封ジョイント12は、プレート1又は2の 周辺にデポジットされる。 プレート1及び2は、シーム12を柔らかくするために適切な温度の熱さの気 圧の中で組み立てられる。この温度は、例えば450℃である。この密封は、真 空中で、約1時間、約10-8Paの気圧で行われる。 得られた構造は、チューブ13及びパイプ14を介して、ギャップ11のガス 抜きをするためにヒートポンピングされる。この段階は、約15時間、約360 ℃の温度で行われる。プレート1及び2の熱密封中にガスが発生されるので、ガ ス抜きが必要となる。 アノード2のバーンイン段階は、カソード1のマイクロチップ7を励起し、か つアノードの蛍光素子8から発生したガスをチューブ13を介してポンピングす ることによって行われる。バーンイン段階は、約20時間続く。 チューブ13は、ゲッタ要素(図示なし)の導入の後にその自由端で密封され る。ゲッタは、スクリーンのその後の動作中に発生するかもしれない不純物を吸 収する。ゲッタによって吸収されなければならない汚損物質は、主に溶融ガラス シーム12のガス抜けから、及びチューブ13が一度密封されても残留ガス抜け を起こす原因 となるアノード2のバーンイン段階中のカソード1のマイクロチップ7の汚損か ら発生する。 この方法の欠点は、スクリーンが受けさせられる熱処理工程及びガス抜き処理 工程が、全ての汚損要素を除去しないことである。従ってスクリーンの層は、ス クリーンの動作中に更にガス抜けする。アノード2の蛍光粒子8の表面が濃酸素 の雰囲気のアノードの熱処理工程によって除去されない有機素子(特に炭酸エス テル)を含むことに注目した。更により特にアノードが種々の処理段階の間で取 り巻く大気で処理されるとき、自然状態の空気中に現れる有機ガス(例えば、炭 酸ガスCO2、メタンCH4及び一酸化炭素CO)は、蛍光粒子によって吸収され やすい。 カソード1のマイクロチップ7の汚損物質は、主に、熱処理工程によって除去 されないアノード2の有機素子がバーンイン段階中に行われる電子衝撃によって イオン化されるという事実からなる。更に自由カーボン及び炭酸エステルは、チ ューブ13(真空アニーリング)を介してヒートポンピングにより真空排気され る。 汚損物質は、スクリーンの寿命期間中に発生し、かつポンピングチューブ13 内に置かれるゲッタによって完全に吸収され得ない。なぜならプレート1及び2 の間の距離(約0.2mm)は、自由カーボンのイオンの形態で最低電圧でマイ クロチップ7から更に衝撃される有機汚染物質を完全に吸収することができない ためである。これは所定のバイアスでマイクロチップ7から放射され た電子の数を著しく減らす。それによってスクリーンの明るさを減らす。 更にゲッタをポンピングしかつ受け入れるためのチューブの使用は、より粗大 なスクリーンになる。 本発明の目的は、より特に有機汚損物質を除去するフラットディスプレイスク リーンの組立方法を提供することによって前述の欠点を避けることであり、従っ てスクリーンの寿命期間を増加する。 本発明は更にポンピングチューブを使用しない組立方法を提供し、それによっ てスクリーンの全体のサイズを減少する。 これら目的を達成するために、本発明は、プレートのガス抜き段階と真空のバ ーンイン段階とを含むフラットディスプレイスクリーンの底面及び表面をそれぞ れ形成する2つの平行なプレートを組み立てる方法を提供し、 第1のプレートに電子衝撃によりバーンイン段階を受けさせる段階と、 第2のプレートに対向するように第1のプレートを真空中で移動させる段階と 、 特別の周辺密封ジョイントを用いて2つのプレートを組み立てる段階とを含む 。 本発明の1つの実施形態によれば、各プレートが、共に組み立てられる前にガ ス抜き熱処理工程に別個に受け、第1のプレートが熱処理工程の後にバーンイン 段階を受ける。 本発明の1つの実施形態によれば、プレートが、マイ クロチップスクリーンのカソード/ゲートアセンブリ及びアノードをそれぞれ支 持する。 本発明の1つの実施形態によれば、アノードのバーンイン段階が、続いて組み 立てられるカソードとは別の電子衝撃源によって達成される。 本発明の1つの実施形態によれば、電子衝撃源が電子銃である。 本発明の1つの実施形態によれば、電子衝撃源が、組み立てられたスクリーン のカソードからアノードを離隔する距離より著しく大きい距離だけアノードから 離れて配置された電子放射の専用マイクロチップカソードから形成され、バーン イン段階中に印加された前記アノード−カソード電圧が前記スクリーンの動作電 圧よりも実質的に高い。 本発明の1つの実施形態によれば、密封ジョイントが、プレートの内側表面上 に固定された2つの金属箔から形成されかつプレートの周辺から突出している。 その突出部が、プレートを共にプレスする前に金属箔を共に溶接する領域を形成 し、各金属箔はプレートのガス抜き熱処理段階の前にプレートの一方に溶接され る。 本発明の1つの実施形態によれば、各金属箔が、プレートの内側周辺上への金 属層のデポジションの後に、プレートに溶接される。 本発明の1つの実施形態によれば、密封ジョイントが、2つのプレートの間に 挿入され、かつ低温度で溶けることができる金属層によって該プレートに対向す る表面 が覆われた堅いフレーム(41)から形成され、密封がプレート(1、2)の材 料との該金属層の誘導熱溶融によって達成される。 本発明の1つの実施形態によれば、密封ジョイントが、プレートの間に挿入さ れた延性を有する金属からなるフレームから形成される。 本発明の1つの実施形態によれば、密封ジョイントは、その大きさがプレート の大きさよりもわずかに小さく、プレートの間に挿入された堅いフレームと、フ レームの自由表面とフレームに対するプレートの突出部とによって規定された容 積内に設けられた真空グリース層とからなる。 本発明の1つの実施形態によれば、真空グリース層が密封ジェルによってスク リーンの外側から離隔されることを特徴とする請求項11に記載の方法。 本発明の1つの実施形態によれば、プレートが密封ジョイント上をスライドす ることを防止する手段が、プレートの周囲に設けられる。 本発明の1つの実施形態によれば、電気的絶縁層が、密封ジョイントとプレー トの各々との間に挿入される。 本発明の1つの実施形態によれば、密封ジョイントの厚さが、密封の後に、プ レートの少なくとも1つの上に分布されたスペーサによって規定される内部プレ ートギャップの厚さに対応するように選択される。 本発明の1つの実施形態によれば、フラットディスプレイスクリーンの底面及 び視覚表面をそれぞれ構成する 2つの平行なプレートを組み立てるための装置であって、 不活性雰囲気内のチャンバ又は真空チャンバと連通する少なくとも1つの入力 エアロックチャンバと、 プレートのガス抜き熱処理のための少なくとも1つのトンネル炉と、 トンネル炉の外側から電子衝撃バーンイン部へ第1のプレートを真空中で移動 させる手段と、 バーンイン部から密封部へ第1のプレートを移動させる手段と、 熱処理部から密封部へ第2のプレート1を真空中で移動させる手段と、 大気に漸進的に変化するための少なくとも1つの出力エアロックチャンバとを 含む。 図1及び図2は、前述のような従来技術及び問題点を説明する。 図3は、本発明による方法を実現するための装置を概略的に表してる。 図4は、本発明の第1の実施形態によるマイクロチップスクリーンの密封ジョ イントの構造の部分的な断面図である。 図5は、本発明の第2の実施形態によるマイクロチップスクリーンの密封ジョ イントの構造の部分的な断面図である。 図6は、本発明の第3の実施形態によるマイクロチップスクリーンの密封ジョ イントの構造の部分的な断面図 である。 本発明の前述した及び他の目的、特徴、態様並びに効果は、添付図面に関連し た本発明の以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。 本発明による方法の独特な特徴は、バーンイン段階とカソードのアセンブリと の間でアノードに穴を開けなくてもよいと共に、その後に係合するカソードとは 別個の電子衝撃源を用いるアノードのバーンイン段階が可能なことである。 図3は、本発明による方法の実現を概略的に説明し、かつカソードプレートに 組み立てられるまでに、アノードプレートに適用されるべき処理を実現するため に用いられ得る装置の構造を表す。 本発明によれば、アノードプレート2は、トンネル炉22の入力エアロックチ ャンバ21へ誘導される。1つのエアロックチャンバ21のみが図3に表されて いるけれども、この誘導は複数の入力エアロックチャンバ内で漸進的に真空を作 ることにより行われるのが好ましい。エアロックチャンバ21内では、プレート 2は約10-8Paの高い真空中に置かれる。それによりプレート2は、適切なコ ンベア23によってトンネル炉22の第1の熱処理工程部24へ運ばれる。次に プレート2は、漸進的に約450℃に温度が上るようにトンネル炉22の内部へ 運ばれる。そして漸進的に炉22の最後部で100℃〜200℃に温度が下げら れる。トンネル炉22の使用は、互いの部分へ連続的に運ばれる複数のアノード プ レート2を逐次に処理することができる。 蛍光素子の有機汚損物質の一部を除去するために、真空又は酸素プラズマ内で 熱処理された後で、プレート2は電子衝撃部25へ運ばれる。この移動は、空気 中で自然に蛍光素子を汚損する有機汚損物質を妨げるために、真空中又は不活性 環境内で行われる。 発生すべき自由カーボン又は他の有機汚損物質を生じる電子衝撃の特徴は、ア ノードや独立源(図示なし)に係合するマイクロチップのカソードによってもは や達成されないという事実にある。例えば、特にこの機能を達成するように設計 された専用マイクロチップカソード又は従来の走査電子銃がなり得る。 このような電子衝撃の利点は、衝撃源からの有効距離(約数十cm)にアノー ドを置けることにより、アノードの最適のバーンイン性能にできることである。 従って銃又は専用カソードのマイクロチップのどちらからも放射される電子のエ ネルギは、非常により重要であり、これは早く(例えば約1時間)かつ有効でよ り効果的なバーンイン段階にできる。 専用マイクロチップカソードによって衝撃する場合、アノードとカソードとの 間の電圧差は、スクリーンの動作状態よりも著しく高くなる。アノードとバーン インカソードとの間の距離は、電気アークの発生のリスクなしにアノード−カソ ード電圧を増加できる。 電子銃によって衝撃する場合、アノードと銃との間の電圧差は約10kVであ る。 アノードと電子衝撃源との間の距離はまた、衝撃源の過大な汚損を生じること なしにバーンイン段階中に発生された化合物(自由カーボン及びその他)の吸引 により一層無視することもできる。 アノードのバーンイン段階の後で、プレート2は真空又は不活性環境内のまま で密封部26へ運ばれる。独立してガス抜き熱処理工程を真空にし、かつスペー サの接着剤の蒸発をさせるマイクロチップのカソード/ゲートのプレート1は、 密封部21へ導かれる。プレート1は、プレート2のようにその熱処理工程の後 で真空中で密封部26へ導かれる。カソード/ゲートのプレート1の熱処理工程 を、アノード2を処理するためにトンネル炉22と同様にトンネル炉(図示なし )の内側で行うことができる。 密封部26は、バーンイン部25に対応できる。密封部26は、プレスを有す る。カソード/ゲート及びアノードのプレート1及び2は、プレスのそれぞれの 顎部上に置かれる。 アセンブリは、そのバーンイン段階の後で、アノードを汚損しないように真空 中で行われる。可溶性ガラスシームを用いる従来の密封処理がアノードを汚損す る可溶性ガラスのガス抜きを生じる熱処理工程を必要とするために、本発明は2 つのプレートを共に密封する加熱しない新しい方法を提供する。 前述はアセンブリ装置内に運ばれるアノードのプレート2及びカソード/ゲー トのプレート1に言及している けれども、実際に適切な支持体上に置かれる複数のアノード及びカソード/ゲー トのプレートは、各部において同時に処理される。 プレート1及び2の密封のための種々の実施形態は、図4〜図6に説明される 。明確にするために、カソード/ゲート1及びアノード2のアセンブリの詳細な 構造は、図に層31及び32として単に記号で表されている。 図4は、アノードプレート2及びカソードプレート1のそれぞれの密封ジョイ ントの第1の実施形態を説明する。密封は、堅い周辺フレーム41によって得ら れる。フレーム41は、例えば金属からなり、低温度で溶融する金属からなる層 42及び43を用いてプレート1及び2に接触するようにされた両表面上を覆わ れる。堅いフレームの厚さ(例えば0.2mm)は、実質的にゲート上に分布さ れるスペーサ(図示なし)の高さに対応する。層42及び43の厚さは、例えば 約2μm〜5μmの範囲である。 プレート1及び2が密封部26内に提供されるプレスによってフレーム41を 押し付けてプレスされたときに、それらは周辺で層42及び43を溶融するべく 誘導的に熱せられる。 好ましくは、絶縁層(図示なし)はフレーム41とプレート1及び2との間に 挿入される。絶縁層は、フレーム41からカソード4、ゲート5及びアノード9 の導体のそれぞれの電気的接続パスを絶縁する。絶縁層は、例えば酸化ケイ素( SiO2)からなり、化学デポジショ ンでデポジットされる。 密封が完成された際に、スクリーンは組み立てられかつガス抜きされる。真空 チャンバからの除去は、密封部26の真空を汚損しないように、複数のエアロッ クチャンバを介して、漸進的に作られるのが好ましい。 スクリーンが真空チャンバから除去されたときに、フレーム41上をプレート 1及び2がスライドするのを防ぐために周辺ベルト又はクリップ44を追加する こともできる。この非スライド機能はまた、可溶性金属層42及び43によって も達成される。これらがプレスによって平坦にされたとき、受面を形成する突起 45ができるためである。 図5は、本発明による密封ジョイントの第2の実施形態を説明する。例えばス テンレススチールからなる2つの周辺金属箔51及び52は、これらが真空チャ ンバ内をガス抜きして誘導される前に、プレート1及び2の内側の表面上にそれ ぞれ固定される。金属箔51及び52は、プレート1及び2の周辺に予め設けら れる金属デポジション(図示なし)上に溶接し又は接合するガラス金属によって 、プレート1及び2に密封される。金属箔51及び52は、プレート1及び2の 全周辺上に突出するように密封される。各金属箔51又は52の厚さは、スクリ ーンのプレート1と2との間の所望の距離の半分に対応し、かつゲート5上に分 布されるスペーサにより規定される。アノード2又はカソード1についてあり得 る汚損物質を形成するかもしれない化合物は、プレート1 又は2が真空又は酸素プラズマ中で受けさせるように熱処理段階中に除去される 。 プレート1及び2が密封部26内で共にプレスされるときに、プレート1及び 2の表面から突出する金属箔51及び52の部分は、例えばレーザ融合によって 共に溶接(52)される。従って金属箔が周辺で密封され、かつ内部電極ギャッ プ11が外側から絶縁される。スクリーンは、図4について開示されたように真 空チャンバから除去され得る。 カソード、ゲート及びアノードの導体の電気的な接続パスから金属箔51及び 52を電気的に絶縁するために、絶縁している周辺層(図示なし)を、それらに 係合する各金属箔とプレート1又は2との間に挿入できる。 図6は、本発明による密封ジョイントの第3の実施形態を説明する。真空中で ガス抜けしない堅い材料からなるフレーム61は、このフレームに対して突出し たプレート1及び2の間に挿入される。フレーム61は、例えばステンレススチ ール金属箔又はガラスからなる。フレーム61は、プレート1及び2を共にプレ スする前に取り付けられる。 プレート1及び2がフレーム61を押し付けてプレスされるときに、真空グリ ース62は、フレーム61の外側の自由表面と、フレーム61に対するプレート 1及び2の突出部とにより規定されたギャップ内へデポジットされる。真空グリ ース62は、フレーム61に沿ったマイクロ漏れをできるだけ避けるために十分 に流動性のも のが選択される。好ましくは、真空グリース62は、真空と両立できるようにか つ安定空気(stable au contact de l'air)のように選択される。真空グリース が安定空気でないなら、例えばシリコンを含む接着剤からなる密封ジェル63を 使用することにより、空気から真空グリース62を遮断できる。 フレーム61が導電材からなる場合、絶縁層64がフレーム61とプレート1 及び2の接触領域との間に挿入される。絶縁層64の役割は、カソード導体4、 ゲート5及びアノード導体9のそれぞれの電気的接続パスからフレーム61を電 気的に絶縁することにある。 図4に関して開示されているように達成される真空チャンバからのスクリーン の除去は、差を圧縮するために、更にプレート1及び2の場合に維持する。スク リーンの内部電極真空ギャップとスクリーンの外側との間の相対的な圧力差は、 フレーム61に押し付けてプレスされたプレート1及び2を維持し、従って内部 電極ギャップ11と外側との間の密封を保証する。ベルト又はクリップはまた、 フレーム上でプレート1及び2がスライドしないためにも設けられる。 本発明によれば、密封ジョイントの第4の実施形態(図示なし)は、アニール された銅又は銀のような延性を有する金属で組立製造される周辺ジョイントを備 える。このジョイントがプレート1及び2の間に挿入され、かつ密封部26のプ レスでプレスされる。好ましくは、絶縁層は、密封ジョイントからカソード、ゲ ート及びアノ ード導体の電気的接続パスを絶縁するために、ジョイントとプレートとの間に挿 入される。 ジョイントがプレスされるときに、組み立てられるスクリーンは、図4につい て開示されるように、空気を閉ざす。第3の実施形態の場合のように、スクリー ンの内部電極真空ギャップ及びスクリーンの外側との間の相対的な圧力差は、プ レスされたジョイントを維持し、内部電極ギャップと外側との間の気密を保証す る。 周辺のベルト又はクリップはまた、ジョイント上でプレート1及び2がスライ ドしないように適用することもできる。 本発明の実現は、スクリーンの動作中アノードのガス抜けを実質的に避けるこ とによって、スクリーンの寿命期間を増加する。本発明はまた、有機化合物がプ レートのアセンブリの前に除去されることにより、カソードの汚損を避けること でスクリーンの明るさを増加する。更に本発明による方法は、真空を作るために ポンピングチューブを必要とせず、かつ内部電極ギャップのガス抜きができ、ス クリーン全体の大きさを著しく減らす。ガス抜きのその後のリスクの除去は、更 にゲッタを除去することができる。 本発明により組み立てる方法は、従来の処理よりも非常に早い。より特にアノ ードのバーンイン段階が組み立てる前に専用衝撃源によって行われる。 当業者によれば明らかであるように、前述した好ましい実施形態について、種 々の変更を行うことができる。 より特に、密封ジョイントについて説明される各部品は、同じ機能を実行する1 つ以上の構成要素で置き換えることができる。 更に説明はマイクロチップスクリーンに言及しているが、本発明はまた、ガス 抜き段階を必要としかつ真空中か又は低い圧力のガスで満たされる内部チャンバ を含む任意のフラットディスプレイスクリーンにも適用する。 2つのプレートが受けねばならない詳細な処理は、スクリーンの型に依存しか つ当業者によって行われ得る。より特に真空又はプラズマ中の熱処理工程の間で の選択は、ガス抜き段階中に発生した化合物に依存する。同様に電子衝撃による アノードのバーンイン段階をまた、処理を早くするためにより高温で行うことも できる。 更に、それらの装置に依存する取付の種々の部分の間のプレートの真空中又は 不活性雰囲気中の移動の間の選択は、プレートが種々の部分の間の空気を閉ざす ことを提供する。例えば、プレートは手動で移動され又は処理されなければなら ない。好ましくは、移動はグローブボックス内で処理することができる不活性雰 囲気中で行われる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クレルク ジャン−フレデリク フランス国,38120 サン−エグレーブ, アベニュ ドゥ ルロープ,18番地 (72)発明者 ハモン オリヴィエ フランス国,38340 ヴォレペ,アベニュ アンリ−シャペイ,258番地

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.プレート(1、2)のガス抜き段階と真空のバーンイン段階とを含んでおり 、フラットディスプレイスクリーンの底面及び表面をそれぞれ形成する2つの平 行な該プレート(1、2)を組み立てる方法であって、 第1のプレート(2)に電子衝撃によりバーンイン段階を受けさせる段階と、 第2のプレート(1)に対向するように前記第1のプレートを真空中で移動さ せる段階と、 特別の周辺密封ジョイントを用いて前記2つのプレート(1、2)を組み立て る段階とを含むことを特徴とする方法。 2.前記各プレート(1、2)が、共に組み立てられる前にガス抜き熱処理工程 に別個に受け、前記第1のプレート(2)が熱処理工程の後にバーンイン段階を 受けることを特徴とする請求項1に記載の方法。 3.前記プレート(1、2)が、マイクロチップスクリーンのカソード/ゲート アセンブリ及びアノードをそれぞれ支持することを特徴とする請求項1又は2に 記載の方法。 4.前記アノードの前記バーンイン段階が、続いて組み立てられるカソードとは 別の電子衝撃源によって達成されることを特徴とする請求項3に記載の方法。 5.前記電子衝撃源が電子銃であることを特徴とする請 求項4に記載の方法。 6.前記電子衝撃源が、組み立てられたスクリーンの前記カソードから前記アノ ードを離隔する距離より著しく大きい距離だけ前記アノードから離れて配置され た電子放射の専用マイクロチップカソードから形成され、前記バーンイン段階中 に印加された前記アノード−カソード電圧が前記スクリーンの動作電圧よりも実 質的に高いことを特徴とする請求項4に記載の方法。 7.前記密封ジョイントが、前記プレート(1、2)の内側表面上に固定された 2つの金属箔(51、52)から形成されかつ前記プレートの周辺から突出して おり、該突出部が前記プレートを共にプレスする前に該金属箔を共に溶接する領 域(53)を形成し、前記各金属箔は前記プレートのガス抜き熱処理段階の前に 前記プレートの一方に溶接されることを特徴とする請求項1から6のいずれか1 項に記載の方法。 8.前記各金属箔(51、52)が、前記プレートの内側周辺上への金属層のデ ポジションの後に、プレート(1、2)に溶接されることを特徴とする請求項7 に記載の方法。 9.前記密封ジョイントが、2つの前記プレート(1、2)の間に挿入され、か つ低温度で溶けることができる金属層(42、43)によって該プレートに対向 する表面が覆われた堅いフレーム(41)から形成され、前記密封が前記プレー ト(1、2)の材料との該金属層の誘導熱溶融によって達成されることを特徴と する請求項1 から6のいずれか1項に記載の方法。 10.前記密封ジョイントが、前記プレート(1、2)の間に挿入された延性を 有する金属からなるフレームから形成される請求項1から6のいずれか1項に記 載の方法。 11.前記密封ジョイントは、その大きさが前記プレート(1、2)の大きさよ りもわずかに小さく、前記プレート(1、2)の間に挿入された堅いフレーム( 61)と、前記フレームの自由表面とフレームに対するプレートの突出部とによ って規定された容積内に設けられた真空グリース層(62)とからなることを特 徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。 12.前記真空グリース層(62)が密封ジェル(63)によってスクリーンの 外側から離隔されることを特徴とする請求項11に記載の方法。 13.前記プレート(1、2)が前記密封ジョイント(41、61)上をスライ ドすることを防止する手段(44)が、プレートの周囲に設けられることを特徴 とする請求項10から12のいずれか1項に記載の方法。 14.電気的絶縁層(64)が、前記密封ジョイントと前記プレート(1、2) の各々との間に挿入されることを特徴とする請求項7から13のいずれか1項に 記載の方法。 15.前記密封ジョイントの厚さが、密封の後に、前記プレート(1、2)の少 なくとも1つの上に分布されたスペーサによって規定される内部プレートギャッ プ(1 1)の厚さに対応するように選択されることを特徴とする請求項7から14のい ずれか1項に記載の方法。 16.フラットディスプレイスクリーンの底面及び視覚表面をそれぞれ構成する 2つの平行なプレート(1、2)を組み立てるための装置であって、 不活性雰囲気内のチャンバ又は真空チャンバと連通する少なくとも1つの入力 エアロックチャンバ(21)と、 前記プレート(1、2)のガス抜き熱処理のための少なくとも1つのトンネル 炉(22)と、 前記トンネル炉の外側から電子衝撃バーンイン部(25)へ前記第1のプレー ト(2)を真空中で移動させる手段(23)と、 前記バーンイン部(25)から密封部(26)へ前記第1のプレート(2)を 移動させる手段(23)と、 熱処理部から密封部(26)へ前記第2のプレート1を真空中で移動させる手 段と、 大気に漸進的に変化するための少なくとも1つの出力エアロックチャンバとを 含むことを特徴とする装置。
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