JPH09510025A - 光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明の光投射システムは、能動マトリックス５２と、近位端及び遠位端を有し、上面及び下面を有するＭ×Ｎ個の弾性部のアレイ５３と、各組が各弾性部の第１及び第２タップ部分の上部に各々位置し、バイアス電極、薄膜変形層及び信号電極を有するＭ×Ｎ個の駆動構造のアレイ５５と、各弾性部５４を支持するＭ×Ｎ組の支持部のアレイ５８と、各ミラー６２が弾性部５４の上部に位置し、バイアス電極と同一の物質からなり、駆動構造の組が電気信号によって変形される際、上部に駆動構造を有する弾性部の第１及び第２タップ部分が曲がるようになり、弾性部の残り部分とその上に形成されたミラーが平面を維持し、入射する光ビームがミラーの全ての部分から反射されるＭ×Ｎ個のミラーのアレイ６１とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】 光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法 技術分野 本発明は、光投射システムに関し、特に、そのシステムに用いるＭ×Ｎ個の薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法に関する。 背景技術 多様なビデオ表示システムの中、光投射システムが大画面で高精度にディスプ レイし得るものとして知られている。このような光投射システムにおいて、ラン プからの光が、例えば、Ｍ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラーのアレイに一様に 照射される。ここで、各々のミラーは、各々のアクチュエータに接続されている 。アクチュエータは、印加された電界に応じて変形する電歪物質または圧電物質 のような電気的に変形可能な物質からなる。 各ミラーから反射された光ビーム（以下、「反射光ビーム」と称す）は、例え ば、光学バッフルの開口上に入射する。各アクチュエータに電気信号が印加され ると、各ミラーの相対的な位置は変わり、入射された光ビームが変化することに よって各ミラーからの反射光ビームの光路が変わる。各反射光ビームの光路が変 わるにつれて、光学装置の開口を通る光ビームの量が変わることにより、光ビー ムの強さが調節される。開口を通過した調節された光ビームは、投射レンズのよ うな適当な光学デバイスを通じて投射スクリーン上に投射されて、その上に像を 表す。 図１及び図２は、光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー １１のアレイ１０の断面図及び斜視図を各々示す。このアレイ１０は、本願特許 出願と出願人を同じくする米国特許出願第08/340,762号明細書に“ARRAY OF THI N FILM ACTUATED MIRRORS FOR USE IN AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM AND METH OD FOR THE MANUFACTURE THEREOF”の名称で開示されており、能動マトリックス １２、Ｍ×Ｎ個の薄膜駆動構造１４のアレイ１３、Ｍ×Ｎ個の支持部１６のアレ イ１５及びＭ×Ｎ個のミラー層１８のアレイ１７を含む。 能動マトリックス１２は、基板１９、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）の アレイ及びＭ×Ｎ個の接続端子２１のアレイ２０を含む。アレイ１０の各能動マ トリックス１４には第１駆動部２２ａ及び第２駆動部２２ｂが設けられている。 ここで、両駆動部２２ａ及び２２ｂは同一の構造であり、少なくとも例えば、圧 電物質のような変形物質からなり上面２４及び下面２５を有する薄膜層２３と、 下面２５を有する弾性層２６と、第１電極２８及び第２電極２９とを含む。弾性 層２９は、薄膜変形層２３の下面２１に位置する。第１電極２８は薄膜変形層２ ３の上面２４に、第２電極２９は薄膜変形層２３の下面２５に各々位置する。こ こで、第１電極２８と第２電極２９との間に位置する薄膜変形層２３に印加され た電気信号は、薄膜変形層２３のみならず両駆動部２２ａ、２２ｂの変形を起こ す。各支持部１６は各駆動構造１３を支持すること以外に、各駆動構造１４を能 動マトリックス１２に電気的に接続するのに用いられる。各ミラー層１８は、図 ２に示すように、第１面３０と、第２反対面３１と、これらの間に設けられる中 央部分３２とを含む。ここで、各ミラー層１８の第１面３０及び第２反対面３１ は、各駆動構造１４の第１駆動部２２ａ及び第２駆動部２２ｂの上部に各々設け られ、各駆動構造１３の第１駆動部２２ａ及び第２駆動部２２ｂが電気信号によ って変形する際に対応するミラー層１８の中央部分３２は平形を維持しながら斜 めになり、全ての中央部分３２が入射する光ビームを反射するようになって光効 率を増加させる。 説明した薄膜アクチュエータミラーアレイ１０には多くの問題点がある。第一 に、各駆動構造１４のみならずその上に設けられたミラー層１８は、制限された 傾斜角を有する。このアレイ１０において、各駆動構造１４が３°以上上方に傾 くごとに各駆動構造１４の一部分が能動マトリックス１２と接触するようになっ て、各駆動構造１４の駆動範囲が限定される。更に、第２電極２９が各駆動構造 １４の各駆動部２２ａ及び２２ｂの薄膜変形層２３の下面２５を部分的に覆って いて変形層２３の部分が弾性層２６と接触し得るようになっており、弾性層２６ 及び変形層２３を構成する各物質が異なる熱膨張係数を有しているため、過多の ストレスが変形層２３と弾性層２６との間に発生し、結果としてこれらが分離し 、亀裂が発生するかまたは各ミラー層１８の非平坦化が誘発されることによって 、アレイ１０の光効率が低下する。 発明の開示 従って、本発明の主な目的は、増加した傾斜角を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチ ュエータミラーアレイを提供することである。 本発明の他の目的は、増加した光効率を有するＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエータ ミラーアレイを提供することである。 本発明のさらに他の目的は、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエータミラーアレイの製 造方法を提供することである。 上記の目的を達成するために、本発明の一実施例によれば、光投射システムに 用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整 数）であって、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及び前記トランジスタに電気的に接続 されたＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動マトリックスと、 各々が近位端及び遠位端を設けられ上面及び下面を有する弾性部のアレイであ って、前記近位端がそれらの間の凹部分によって分離されている第１及び第２タ ップ部分を有し、前記遠位端が突出部分を有し、各弾性部の突出部分が連続する 弾性部の前記凹部分に挟まれて形成される前記Ｍ×Ｎ個の弾性部のアレイと、 各組が前記各弾性部の第１及び第２タップ部分の上部に各々位置し、バイアス 電極、薄膜変形層及び信号電極を有する駆動構造のアレイであって、前記バイア ス電極及び信号電極が前記薄膜変形層の上部及び下部に各々位置し、前記バイア ス電極が導電性且つ光反射性物質からなり、前記各組の各駆動構造の信号電極が 能動マトリックスの対応するトランジスタに電気的に接続され、各駆動構造のバ イアス電極と信号電極との間の前記薄膜変形層に印加された電気信号によって前 記薄膜変形層のみならず前記駆動構造の変形を起こせる、前記Ｍ×Ｎ組の駆動構 造のアレイと、 前記各弾性部を支持する支持部であって、前記各弾性部の第１及び第２タップ 部分が各組の各支持部に各々形成される、前記Ｍ×Ｎ組の支持部のアレイと、 各ミラーが弾性部の上部に位置し、前記バイアス電極と同一の物質からなり、 前記駆動構造の組が前記電気信号によって変形する際、上部に駆動構造を有する 弾性部の第１及び第２タップ部分が曲がるようになり、弾性部の残り部分とその 上に形成されたミラーが平面を維持するようになり、入射する光ビームがミラー の全ての部分から反射されるＭ×Ｎ個のミラーのアレイとを含む。 本発明の他の実施例によれば、光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜ア クチュエーテッドミラーアレイ（Ｍ及びＮは正の整数）であって、 上面を有し、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及び前記上面にＭ×Ｎ組 の接続端子のアレイを有する能動マトリックスを準備する第１過程と、 前記Ｍ×Ｎ組の接続端子のアレイを完全に覆うように、前記能動マトリックス の上面に犠牲層を形成する第２過程と、 前記各接続端子を囲む前記犠牲層を除去する第３過程と、 前記各接続端子の周りに支持部を形成する第４過程と、 前記犠牲層及び前記支持部の上部に弾性層を形成する第５過程と、 前記弾性層の上部から前記各支持部を貫通して前記各接続端子まで延在させて 形成されるＭ×Ｎ組のコンジットのアレイを形成する第６過程と、 前記弾性層の上部に、前記各コンジット及び前記各接続端子に電気的に接続さ れるようにＭ×Ｎ組の信号電極のアレイを形成する第７過程と、 前記各信号電極の上部に薄膜変形層を形成する第８過程と、 前記薄膜変形層及び前記弾性層の上部に導電性且つ光反射性物質からなる層を 堆積して、未完成構造のアクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第９過程 と、 前記未完成構造のアクチュエーテッドミラーのアレイをＭ×Ｎ個のアクチュエ ーテッドミラーのアレイにパターニングする第１０過程であって、前記各アクチ ュエーテッドミラー構造が一対の支持部、犠牲層及びその上部に一対の駆動構造 及び導電性且つ光反射性物質からなるミラーを有する弾性部を含み、前記各駆動 構造が導電性且つ光反射性物質からなる前記バイアス電極、前記薄膜変形層及び 前記信号電極を有し、前記弾性部が近位端及び遠位端と上面及び下面とを更に有 し、前記近位端がそれらの間の凹部分によって分離される第１及び第２タップ部 分からなり前記遠位端が突出部分を含み、前記各駆動構造が第１及び第２タップ 部分の上部に各々位置し、弾性部のみならずアクチュエーテッドミラーアレイの 突出部分を、連続する弾性部のみならず連続するアクチュエーテッドミラーアレ イの凹部分に挟んで形成する、前記第１０過程と、 前記犠牲層を除去してＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形成 する第１１過程とを含む。 図面の簡単な説明 図１は、従来のＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの断面図であ る。 図２は、図１に示すアレイを構成する薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの 斜視図である。 図３は、本発明の一実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーア レイの断面図である。 図４は、図２に示す薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの詳細な断面図であ る。 図５は、図３に示す薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの平面図である。 図６は、本発明の他実施例による薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの平面 図である。 図７Ａ〜図７Ｊは、本発明第１実施例による製造過程を説明する概略的な断面 図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の好適実施例について図面を参照しながらより詳しく説明する。 図３〜図７は、本発明の好適な実施例に基づいて、光投射システム用Ｍ×Ｎ個 の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法を説明するための概略 的な断面図及び平面図を表したものである（ここで、ＭとＮは正の整数）。ここ で、図３〜図７に示した同一の部分には同一の参照番号を付けて示したことに注 目されたい。 図３を参照すれば、本発明の一実施例によるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッ ドミラー５１のアレイ５０の断面図が示されている。このアレイ５０は、能動マ トリックス５２、Ｍ×Ｎ個の弾性部５４のアレイ５３、Ｍ×Ｎ組の能動構造５７ のアレイ５５、Ｍ×Ｎ組の支持部６０のアレイ５８及びＭ×Ｎ個のミラー６２の アレイ６１を含む。 図４及び図５は、図３に示すアレイ５０を構成する薄膜アクチュエーテッドミ ラー５１の詳細な断面図及び平面図を各々示す。能動マトリックス５２は、基板 ６３、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のアレイ及びＭ×Ｎ組の接続端子６ ６のアレイ６４を含む。ここで、各組の接続端子６６は、各トランジスタに電気 的に接続されている。各弾性部５４は、０．７−２μｍの厚さを有し、Ｓｉ₃Ｎ₄ 、ＳｉＯ₂または多結晶シリコンなどのセラミックからなり、遠位端６７及び近 位端６８が設けられ、上面６９及び下面７０を有する。図５に示すように、近位 端６８は第１タップ７１及び第２タップ７２を含み、両タップはこれらの間に設 けられた凹部７３によって分離され、遠位部６７は、突出部７４を有し、各弾性 部５４の凹部分７３に挟まれるように形成されている。 各組の各駆動構造５７は、各弾性部５４の第１タップ７１及び第２タップ７２ の上部に各々設けられ、バイアス電極７７、薄膜変形層７５及び信号電極７６を 含む。バイアス電極７７及び信号電極７６は、薄膜変形層７５の上部及び下部に 位置する。バイアス電極７７は、５００−２０００Åの厚さを有し、Ａｇまたは Ａｌなどの導電性且つ光反射性物質からなり、信号電極７６は、５００−２００ ０Åの厚さを有し、ＰｔまたはＰｔ／Ｔｉなどの導電性物質からなり、薄膜変形 層７５は、０．７−２μｍの厚さを有し、ＢａＴｉＯ₃（barium titanate）など の圧電物質またはＰＭＮ(lead magnesium niobate)などの電歪物質からなる。 各信号電極７６及びその上に形成された変形層７５の周りに設けられた絶縁部 １０６は、バイアス電極７７が信号電極７６に接触することを防止する。電気信 号を各駆動構造５７のバイアス電極７７と信号電極７６との間の薄膜変形層７５ に印加する際、薄膜変形層７５のみならず駆動構造５７の変形が起こされる。 各組の支持部６０は、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂または多結晶シリコンなどのセラミ ックからなり、弾性部５４を支持し、かつ弾性部５４の上部に位置する各駆動構 造５７の信号電極７６を能動マトリックス５２の対応する接続端子６６に電気的 に接続するのに用いられる。各弾性部５４の第１タップ７１及び第２タップ７２ は、各組の各支持部６０によって各々片持ちされている。各支持部６０は、信号 電極７６に電気信号を伝達するためのコンジット８０を備え、このコンジット ８０は、タングステンＷなどの金属からなり、弾性部５４の上部から対応する接 続端子６６まで延在して形成されている。各アクチュエーテッドミラー５１のミ ラー６２は、バイアス電極７７と同一の物質からなり弾性部５４の上部に位置す る。言い替えると、弾性部５４の上部に堆積される導電性且つ光反射性物質は、 バイアス電極７７のみならずミラー６２としての機能もする。 各薄膜アクチュエーテッドミラー５１において、各駆動構造５７は第１タップ ７１及び第２タップ７２の上部に各々位置し、各駆動構造５７が電気信号によっ て変形する際、上部に駆動構造５７を有するタップ７１、７２が湾曲し、弾性部 ５４の残り部分が平形を維持することによって、弾性部５４の残り部分の上部に 位置するミラー６２の全ての部分が入射する光ビームを反射することになる。 図６は、本発明の他の実施例による薄膜アクチュエーテッドミラー１００の平 面図を示す。この薄膜アクチュエーテッドミラー１００は、弾性部５４の形態と ミラーの形態とが異なることを除いては、上述した薄膜アクチュエーテッドミラ ー５１と同一である。弾性部５４の近位端６８に第１、第２及び中央タップ７１ 、７２、８３を設ける。ここで、第１、第２及び中央タップ７１、７２及び８３ を、これらの間のギャップ８４によって分離する。 本発明の第１実施例による薄膜アクチュエーテッドミラー５１または第２実施 例による薄膜アクチュエーテッドミラー１００において、一組の駆動構造５７が タップ部分のみに位置して、ミラー６２が弾性部５４において直接形成されてい るために、ストレスが発生する場合が少ないだけでなく、ミラー６２に亀裂が発 生する場合が少なくなる。更に、各組の駆動構造５７が本発明の第１または第２ 実施例で弾性部５４のタップ７２、７３のみに位置するために、各実施例による アクチュエーテッドミラー５１及び１０１は、駆動構造１４が３°以上に上向き に甚だしく湾曲されるとしても、能動マトリックス５２と接触しなくなる。 図７Ａ〜図７Ｊは、本発明の一実施例による薄膜アクチュエーテッドミラーア レイの製造方法を説明するための断面図を示す。第一実施例、即ち、Ｍ×Ｎ個の 薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０の製造過程は、図７Ａに示すよ うに、上面１０１を有し、基板６３、Ｍ×Ｎ個のトランジスタ（図示せず）のア レイ及びＭ×Ｎ組の接続端子６６のアレイ６４を含む能動マトリックス２１０の 準備を始める。 次に、銅ＣｕまたはニッケルＮｉなどの金属、ＰＳＧまたは多結晶シリコンか らなり１−２μｍの厚さを有する犠牲層１０２を能動マトリックス５２の上面１ ０１に形成する。この犠牲層１０２を、図７Ｂに示すように、金属からなる場合 はスパッタリング法を、ＰＳＧからなる場合は化学蒸着法（ＣＶＤ）またはスピ ンコーティング法を、多結晶シリコンからなる場合はＣＶＤ法を用いて形成する 。 続けて、図７Ｃに示すように、犠牲層１０２及びＭ×Ｎ組の支持部６０のアレ イ５８を含む第１支持層１０３を形成する。ここで、第１支持層１０３を、各空 スロットが各接続端子６６の周りに位置するＭ×Ｎ組の空スロット（図示せず） のアレイをフォトリソグラフィー法を用いて形成する過程と、各接続端子６６の 周りに位置する各空スロットにＳｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂または多結定シリコンなどの セラミックからなる支持部６０をスパッタリングまたはＣＶＤ法を用いて形成す る過程とによって形成する。 次の段階において、支持部６０と同一の物質からなる弾性層１０５を、図７Ｄ に示すように、第１支持層１０３の上部に形成する。ここで、支持部６０及び弾 性層１０５の形成を、単一過程によって形成することができる。その後、第１支 持部１０３の犠牲層１０２を、エッチング法を用いるかまたは適当な化学溶剤を 用いることによって除去するように処理する。 次に、図７Ｅに示すように、タングステンＷまたはチタニウムＴｉなどの金属 からなり、各駆動構造５７の信号電極７６を対応する接続端子６６に電気的に接 続するためのコンジット８０を形成するが、まずエッチング法を用いて弾性層１ ０５の上部から各接続端子６６の上部まで貫通する孔を形成した後、該孔にタン グステン等の金属を満たすことによって、各支持部６０に形成する。 次に、図７Ｆに示すように、Ｐｔなどの導電性物質からなり、５００−２００ ０Åの厚さを有する信号電極７６を、スパッタリング法を用いて各コンジット８ ０の上部に形成する。各信号電極７６を、コンジット８００を通じて各接続端子 ６６に電気的に接続する。続いて、０．７−２μｍの厚さを有し、ＢａＴｉＯ₃ などの圧電物質またはＰＭＮなどの電歪物質からなる薄膜変形層７５を、ゾルー ゲル(Sol-Gel)法またはスパッタリング法を用いて各信号電極７６の上部に形成 する。その後、相転移を起こすように熱処理する。薄膜変形層７５は充分に薄い ために別度に分極する必要がなく、薄膜アクチュエーテッドの駆動の際印加され た電気信号によって分極され得る。 続いて、図７Ｇに示すように、各信号電極７６及びその上に形成された薄膜変 形層７５を弾性層１０５と同一の物質で覆った後、変形層７６の上部が露出され るまで除去することによって、各信号電極７６及びその上に形成された変形層７ ５の周りに、絶縁部１０６を形成する。 次に、Ａｌなどの導電性且つ光反射性物質からなり５００−１０００Åの厚さ を有する層１０７を、スパッタリングまたは真空蒸着法を用いて変形層７５及び 弾性層１０５の上部に形成して、未完成構造のアクチュエーテッドミラー１０９ の未完成アレイ１０８を形成する。この層は、図７Ｈに示すように、アクチュエ ーテッドミラー５１においてバイアス電極７７及びミラー６２として機能する。 各信号電極７６及びその上に形成された変形層７５の周りに形成された絶縁部１ ０６は、バイアス電極７７が信号電極７６に接触することを防止する。 続いて、図７１に示すように、未完成構造のアクチュエーテッドミラー１０９ の未完成アレイ１０８を、ドライエッチング法またはフォトリソグラフィー法を 用いてＭ×Ｎ個のアクチュエーテッドミラー構造１１１のアレイ１００にパター ニングする。各アクチュエーテッドミラー構造１１１は、一組の駆動構造５７及 び導電性且つ光反射性物質からなり上部に形成されたミラー６２を有する弾性部 ５４を含む。各駆動構造５７は、導電性且つ光反射性物質からなるバイアス電極 ７７、薄膜変形層７５及び信号電極７６を含み、弾性部５４は遠位端６７及び近 位端６８と、上面６９及び下面７０とを更に含む。近位端６８は第１タップ７１ 及第２タップ７２を有し、第１タップ７１及び第２タップは、これらの間の凹部 ７３によって分離されており、遠位端６７は突出部７４を含む。各駆動構造５７ は第１タップ７１及び第２タップ７２の上部に各々位置し、弾性部５４のみなら ずミラー６２の突出部７４を、連続する弾性部５４の凹部７３へ延在させる。 その後、犠牲層を続けてエッチング法を用いて除去して、図７Ｊに示すように 、Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラー５１のアレイ５０を形成する。 本発明の第２実施例による製造方法は、未完成構造のアクチュエーテッドミラ ー１０９のアレイ１０８の異なったパターニングを除いて、同一の過程を含む。 従って、本発明によれば、一組の駆動構造がタップ部分のみに位置し、ミラー が弾性部において直接形成されているために、ストレスの発生が少ないだけでな く、ミラーの亀裂が少なくなり、かつ、各組の駆動構造が弾性部の両タップのみ に位置するために、駆動構造が３°以上上向きに曲がるとしても能動マトリック スとは接触しなくなり光効率を増大させることができる。 上記において、本発明の特定の実施例について説明したが、本明細書に記載し た特許請求の範囲を逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ることは勿 論である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレ イ（Ｍ及びＮは正の整数）であって、 基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及び前記トランジスタに電気的に接 続されたＭ×Ｎ個の接続端子のアレイを有する能動マトリックスと、 各々が近位端及び遠位端を設けられ上面及び下面を有する弾性部のアレイで あって、前記近位端がそれらの間の凹部分によって分離されている第１及び第２ タップ部分を有し、前記遠位端が突出部分を有し、各弾性部の突出部分が連続す る弾性部の前記凹部分に挟まれて形成される前記Ｍ×Ｎ個の弾性部のアレイと、 各組が前記各弾性部の第１及び第２タップ部分の上部に各々位置し、バイア ス電極、薄膜変形層及び信号電極を有する駆動構造のアレイであって、前記バイ アス電極及び信号電極が前記薄膜変形層の上部及び下部に各々位置し、前記バイ アス電極が導電性且つ光反射性物質からなり、前記各組の各駆動構造の信号電極 が能動マトリックスの対応するトランジスタに電気的に接続され、各駆動構造の バイアス電極と信号電極との間の前記薄膜変形層に印加された電気信号によって 前記薄膜変形層のみならず前記駆動構造の変形を起こせる、前記Ｍ×Ｎ組の駆動 構造のアレイと、 前記各弾性部を支持する支持部であって、前記各弾性部の第１及び第２タッ プ部分が各組の各支持部に各々形成される、前記Ｍ×Ｎ組の支持部のアレイと、 各ミラーが弾性部の上部に位置し、前記バイアス電極と同一の物質からなり 、前記駆動構造の組が前記電気信号によって変形する際、上部に駆動構造を有す る弾性部の第１及び第２タップ部分が曲がるようになり、弾性部の残り部分とそ の上に形成されたミラーが平面を維持し、入射する光ビームがミラーの全ての部 分から反射されるＭ×Ｎ個のミラーのアレイと を含むことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチュエーテッ ドミラーアレイ。 ２．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチュエーテッドミ ラーアレイにおいて、前記各支持部をセラミック製としたことを特徴とする光投 射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチュエーテッドミラーアレイ。 ３．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記各弾性部をセラミック製としたことを特徴とする光投射 システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ４．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチュエーテッドミ ラーアレイにおいて、前記各薄膜アクチュエーテッドミラーアレイに、前記信号 電極から前記支持部を貫通して前記能動マトリックスの対応する接続端子まで延 在させることによって前記信号電極及び前記接続端子を電気的に接続する一対の コンジットを設けたことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチ ュエーテッドミラーアレイ。 ５．請求項４に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記各コンジットを金属製としたことを特徴とする請求項４ に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ６．請求項３に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチュエーテッドミ ラーアレイにおいて、前記各弾性部が、それらの間に設けられたギャップによっ て分離された第１、第２及び中央タップ部分を備える近位端及び遠位端を有する ことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜形アクチュエーテッドミラー アレイ。 ７．請求項６に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記駆動構造の各組が前記第１及び第２タップ部分の上部に 各々位置することを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテ ッドミラーアレイ。 ８．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記各ミラーが、前記各弾性部の上部に位置することを特徴 とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 ９．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記バイアス電極及び前記ミラーを、同一の物質から形成し たことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミ ラーアレイ。 10．請求項９に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記バイアス電極及び前記ミラーを導電性且つ光反射性物質 製としたことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイ。 11．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記各信号電極及びその上に形成された前記薄膜変形層を、 前記バイアス電極が前記信号電極に接触することを防止するために絶縁部によっ て囲んだことを特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッド ミラーアレイ。 12．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記薄膜変形層を、電歪物質製または圧電物質製としたこと を特徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ 。 13．請求項１に記載の光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラ ーアレイにおいて、前記各信号電極を、ＰｔまたはＰｔ／Ｔｉ製としたことを特 徴とする光投射システム用Ｍ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ。 14．前記請求項１乃至請求項１３の中のいずれか一つに記載の構造を有するＭ× Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを含むことを特徴とする光投射シス テム。 15．光投射システムに用いられるＭ×Ｎ個のの薄膜アクチュエーテッドミラーア レイ（Ｍ及びＮは正の整数）であって、 上面を有し、基板、Ｍ×Ｎ個のトランジスタのアレイ及び前記上面にＭ×Ｎ 組の接続端子のアレイを有する能動マトリックスを準備する第１過程と、 前記Ｍ×Ｎ組の接続端子のアレイを完全に覆うように、前記能動マトリック スの上面に犠牲層を形成する第２過程と、 前記各接続端子を囲む前記犠牲層を除去する第３過程と、 前記各接続端子の周りに支持部を形成する第４過程と、 前記犠牲層及び前記支持部の上部に弾性層を形成する第５過程と、 前記弾性層の上部から前記各支持部を貫通して前記各接続端子まで延在させ て形成されるＭ×Ｎ組のコンジットのアレイを形成する第６過程と、 前記弾性層の上部に、前記各コンジット及び前記各接続端子に電気的に接続 されるようにＭ×Ｎ組の信号電極のアレイを形成する第７過程と、 前記各信号電極の上部に薄膜変形層を形成する第８過程と、 前記薄膜変形層及び前記弾性層の上部に導電性且つ光反射性物質からなる層 を堆積して、未完成構造のアクチュエーテッドミラーのアレイを形成する第９過 程と、 前記未完成構造のアクチュエーテッドミラーのアレイをＭ×Ｎ個のアクチュ エーテッドミラーのアレイにパターニングする第１０過程であって、前記各アク チュエーテッドミラー構造が一対の支持部、犠牲層及びその上部に一対の駆動構 造及び導電製且つ光反射性物質からなるミラーを有する弾性部を含み、前記各駆 動構造が導電性且つ光反射性物質からなる前記バイアス電極、前記薄膜変形層及 び前記信号電極を有し、前記弾性部が近位端及び遠位端と上面及び下面とを更に 有し、前記近位端がそれらの間の凹部分によって分離される第１及び第２タップ 部分からなり、前記遠位端が突出部分を含み、前記各駆動構造が第１及び第２タ ップ部分の上部に各々位置し、弾性部のみならずアクチュエーテッドミラーアレ イの突出部分を、連続する弾性部のみならず連続するアクチュエーテッドミラー アレイの凹部分に挟んで形成する、前記第１０過程と、 前記犠牲層を除去してＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを形 成する第１１過程と を含む光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 16．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法において、前記犠牲層を、金属製、ＰＳＧ製または多結晶シリコン製 としたことを特徴とする光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法。 17．請求項１６に記載の光投射システム用薄膜形アクチュエーテッドミラーアレ イの製造方法において、前記犠牲層を、金属製とする場合はスパッタリング法ま たはスピンコーティング法を用いて、ＰＳＧ製とする場合は化学蒸着法（Ｃ ＶＤ）を用いて、多結晶シリコン製とする場合はＣＶＤ法を用いて形成すること を特徴とする光投射システム用薄膜形アクチュエーテッドミラーアレイの製造方 法。 18．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法において、前記第１支持層を、フォトリソグラフィー法、スパッタリ ングまたはＣＶＤ法を順次的に用いて形成することを特徴とする光投射システム 用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 19．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜形アクチュエーテッドミラーアレ イの製造方法において、前記信号電極をスパッタリング法を用いて形成すること を特徴とする光投射システム用薄膜形アクチュエーテッドミラーアレイの製造方 法。 20．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法において、前記薄膜変形層を、ゾルーゲル(Sol-Ge)法またはスパッタ リング法を用いて形成することを特徴とする光投射システム用薄膜アクチュエー テッドミラーアレイの製造方法。 21．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法において、前記バイアス電極及び前記ミラーを、スパッタリング法ま たは真空蒸着法を用いて形成することを特徴とする光投射システム用薄膜アクチ ュエーテッドミラーアレイの製造方法。 22．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法において、前記未完成構造のアクチュエーテッドミラーのアレイを、 乾式エッチング法またはフォトリソグラフィー法を用いてＭ×Ｎ個のアクチュエ ーテッドミラーアレイにパターニングすることを特徴とする光投射システム用薄 膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 23．請求項１５に記載の光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ の製造方法において、前記犠牲層をエッチング法を用いて除去することを特徴と する光投射システム用薄膜アクチュエーテッドミラーアレイの製造方法。 24．前記請求項１５乃至請求項２３の中のいずれか一つに記載の方法によって製 造されるＭ×Ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイを含むことを特徴と する光投射システム。