KR100207366B1 - 광로조절장치 및 그 제조방법 - Google Patents

광로조절장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광로조절장치에 관한 것으로서, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 2개씩 갖는 구동기판과; 상기 구동기판에 상기 패드를 각각 에워싸며 분리되게 형성된 지지부와, 상기 지지부의 상부에 접촉되며 중앙부와 요(凹)자의 형태를 이루는 2개의 레그와, 상기 레그의 반대쪽에 공간에 노출되게 위치하며 중앙부와 철(凸)자의 형태를 이루는 돌출부를 갖는 멤브레인과, 상기 멤브레인의 레그 상부의 소정 부분에 형성된 신호전극과, 상기 팬드와 신호전극을 전기적으로 연결하도록 지지부와 멤브레인을 관통하여 형성된 플러그와, 상기 신호전극의 상부에 형성된 변형부와, 상기 변형부 및 멤브레인의 노출된 부분의 상부에 부분에 형성되며 상기 변형부 상부에 형성된 것이 바이어스전극이 되는 반사막으로 이루어진 액츄에이터를 구비한다. 따라서, 중앙부가 일측 끝단이 레그의 타측 끝과 일치되므로 경사시에도 일측 끝단이 지지부 보다 항상 높게 되므로 구동기판과 접촉되는 것을 방지할 수 있고, 크랙의 발생을 억제할 수 있어 수명을 연장시킬 수 있고 광효율을 향상시킬 수 있으며, 또한, 변형부의 측부에 형성된 스페이서에 의해 희생막을 제거할 때 변형부와 에칭용액이 접촉되지 않도록하여 변형부가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

Description

광로조절장치 및 그 제조방법
제1도는 (a) 내지 (c)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조공정도.
제2도는 본 발명에 따른 광로조절장치의 평면도.
제3도는 제1도를 a-a선으로 자른 단면도.
제4도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조공정도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 구동기판 33 : 패드
35 : 희생막 37 : 지지부
39 : 멤브레인 41 : 플러그
43 : 신호전극 45 : 변형부
47 : 스페이서 49 : 바이어스전극
51 : 반사막 53 : 액츄에이터
55 : 중앙부 57 : 레그
59 : 돌출부
본 발명은 투사형화상표시장치에 이용되는 광로조절장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 반사막의 크랙(crack)을 방지하여 광효율 및 수명을 향상시킬 수 있는 관로조절장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
화상표시장치는 표시방법에 따라 직시형표시장치와 투사형화상표시장치로 구분된다. 직시형화상표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다. 투사형화상표신장치는 대화면 액정표시장치(Liquid Crystal Display: 이하 LCD라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD는 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막트랜지스터가 화소마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.
따라서, 미합중국 Aura 사에 의해 액추에이티드 미러어레이(Actuated Mirror Array:이하 AMA 라 칭함)를 이용한 투사형화상표시장치가 개발되었다.
AMA를 이용한 투사형 화상표시장치는 1차원 AMA를 이용하는 것과 2차원 AMA를 이용하는 것으로 구별된다. 1차원 AMA 는 거울면들이 M×1 어레이로 배열되고, 2차원 AMA 는 거울면이 M×N 어레이로 배열되고 있다. 따라서 1차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개의 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 M×N 화소의 어레이를 가지는 영상을 나타내게 된다.
제1도 (a) 내지 (c)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조공정도이다.
제1도 (a)를 참조하면, 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 상부에 트랜지스터들과 전기적으로 연결된 패드(13)들을 갖는 구동기판(11)의 표면에 희생막(15)을 형성한다. 그리고, 소정부분의 희생막(15)을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography) 방법으로 제거하여 패드(13)들과 주위의 구동기판(11)을 노출시킨다. 그 다음, 상술한 구조의 전 표면에 규화물을 침적한 후 포티리쏘그래피 방법에 의해 희생막(15) 상부에 침적된 것을 제거하여 지지부(17)들을 구동기판(11)의 노출된 부분에 패드(13)들을 에워싸도록 형성한다.
제1도(b)를 참조하면, 상기 지지부(17)들과 희생막(15)의 상부에 멤브레인(19)은 상기 지지부(17)들을 이루는 물질과 동일한 물질로 형성한다. 그 다음, 패드(13)들 상부 소정부분의 멤브레인(19)들의 지지부(17)들을 제거하여 홈들을 형성한다. 그리고, 홈들 내부에 전도성 금속을 채워 패드(13)들과 전기적으로 연결되는 플러그(plug:21)들을 형성한다. 계속해서, 멤브레인(19)의 표면에 신호전극(23)을 전기적으로 연결되도록 형성하여 플러그(21)들에 의해 패드(13)들과 신호전극(23)을 전기적으로 연결시킨다.
제1도 (c)를 참조하면, 신호전극(23)의 표면에 변형부(25) 반사막(47)을 순차적으로 도포한다. 상기에서 변형부(25)는 압전세라믹이나, 또는 전왜 세라믹을 도포함으로써 형성된다. 상기에서 변형부(25)가 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 인가되는 화상신호에 의해 분극된다. 바이어스전극(27)은 전기전도도가 좋은 금속으로 형성되며, 또한, 반사막(29)은 반사특성이 좋은 물질로 형성된다. 상기에서, 반사막(29)은 전기전도도 및 바이어스 전극(27)을 별도로 형성하지 않고 반사막(29)부터 멤브레인(19)까지 희생막(15)이 노출되도록 소정부분을 레이저에 의한 절단이나 포토리쏘그래피 방법으로 제거하여 액츄에이터들을 분리한다. 그 다음, 상기 희생막(15)을 습식 방법으로 제거한다.
상술한 바와 같이 구동기판표면의 소정부분에 지지부들을, 나머지 부분에 희생막을 형성하고 지지부들과 희생막의 상부에 별도의 분극을 하지 않은 변형부를 형성한 후 패드들의 상부가 노출되도록 홈들을 형성하고 플러그를 형성한다. 그리고, 상술한 구조의 전표면에 신호전극, 변형부, 바이어스 전극 및 반사막을 박막 공정으로 형성한 후 희생막들이 노출되도록 반사막부터 멤브레인까지 제거하여 액츄에이터들을 분리하고 희생막을 제거한다.
상술한 종래의 방법에 의해 제조된 광로조절장치는 신호전극에 화상신호와 반사막에 바이어스 전압이 인가되면 변형부는 신호전극과 반사막이 증첩되는 부분에서만 전계가 발생되어 휘어진다. 상기에서 신호전극이 형성되어 있지 않은 부분은 변형부가 휘어지지 않지만 휘어진 부분에 의해 평탄하게 경사지게 되어 광효율이 크게 된다.
그러나, 상술한 종래의 제조방법에 의해 제조된 광로조절장치는 큰 경사각도로 구동될 때 멤브레인의 일측이 구동기판에 접촉되는 문제점이 있었다. 또한, 신호전극을 개재시키지 않고 변형부와 멤브레인이 접촉되므로 열팽창계수의 차이에 의해 스트레스가 발생되어 반사막에 크랙이 발생되어 반사 효율을 감소시킬 뿐 아니라 수명을 짧게 하게된다. 그리고, 희생층을 제거하여 액츄에이터가 구동될 수 있는 공간을 만들 때 변형부가 에칭되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 액츄에이터가 큰 경사각도로 구동하여도 구동기판과 접촉되는 것을 방지할 수 있는 광로조절장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 반사막에 크랙의 발생을 최소화하여 반사효율과 수명을 향상시킬 수 있는 광로조절장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 희생층을 제거할 때 변형부도 에칭되는 것을 방지할 수 있는 광로조절장치의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로조절장치는 트랜지스터가 매트릭스형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 2 개씩 갖는 구동기판과; 상기 구동기판에 상기 패드를 각각 에워싸며 분리되게 형성된 지지부와, 상기 지지부의 상부에 접촉되며 중앙부와 요(凹)자의 형태를 이루는 2개의 레그와, 상기 레그의 반대쪽에 공간에 노출되게 위치하며 중앙부와 철(凸)자의 형태를 이루는 돌출부를 갖는 멤브레인과, 상기 멤브레인의 레그상부의 소정 부분에 형성된 신호전극과, 상기 패드와 신호전극을 전기적으로 연결하도록 지지부와 멤브레인을 관통하여 형성된 플러그와, 상기 신호전극의 상부에 형성된 변형부와, 상기 변형부 및 멤브레인의 노출된 부분의 상부에 부분에 형성되며 상기 변형부 상부에 형성된 것이 바이어스전극이 되는 반사막으로 이루어진 액츄에이터를 구비한다.
상기 또 다른 목적들을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로조절 장치의 제조방법은 트랜지스터들이 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 2 개의 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드와 접촉되지 않도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막이 형성되지 않은 부분에 상기 패드를 에워싸는 지지부를 이격되게 형성하는 공정과, 상기 회생막과 지지부의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인과 지지부의 소정부분을 패드가 노출되도록 제거하고 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부의 상기 지지부와 중첩되는 소정 부분에 플러그와 전기적으로 연결되는 신호 전극과 이 신호전극의 상부에 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부와 멤브레인의 노출된 부분에 상기 변형부의 상부에서는 바이어스전극으로 사용되는 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반사막과 멤브레인을 일측에서는 변형부 사이를 제거하여 중앙부와 요(凹)자의 형태를 이루고 타측에서는 상기 중앙부와 철(凸)자의 형태를 이루도록 액츄에이터를 패터닝 하는 공정과, 상기 회생막을 제거하는 공정을 구비한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
제2도는 본 발명에 따른 광로조절장치의 평면도이고, 제3도는 제2도를 a-a 선으로 자른 단면도이다.
광로조절장치는 구동기판(31) 및 액츄에이터(53)를 포함한다.
구동기판(31)은 유리 또는 알루미나(Al2O3) 등의 절연물질이나, 또는, 실리콘 등의 반도체로 이루어지며 M×N개의 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되어 있다. 또한, 구동기판(31)의 표면에 트랜지스터와 전기적으로 연결된 패드(33)가 형성되어 있는데, 각 트랜지스터마다 2개의 패드(33)가 연결되도록 형성되어 있다.
액츄에이터(53)은 지지부(37), 멤브레인(39), 플러그(plug:41), 신호전극(43), 변형부(45) 및 반사막(51)으로 이루어져 이웃하는 액츄에이터 (도시되지 않음)와 분리되어 있다.
상기 지지부(37)는 구동기판(31)의 상부에 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(Si3N4) 및 탄화실리콘 등과 같은 절연물질이 0.7-2정도의 두께로 패드(33)의 상부에 각기 분리되어 덮도록 형성된다.
멤브레인(39)은 지지부(37)와 동일한 절연물질로 0.7-2정도의 두께로 형성된다. 멤브레인(39)은 중앙부(55)를 중심으로 일측에 2개의 레그(leg;57)가, 타측에 돌출부(59)가 형성되는 데, 레그(57)는 타측이 중앙부(55)의 일측 끝단과 일치되어 함께 '요(凹)'자의 형태를 이루고, 돌출부(59)는 일측이 중앙부(55)의 숄더(sholder:58)와 일치되어 함께 '철(凸)'자의 형태를 이룬다. 멤브레인(39)의 레그(57)는 하부표면이 지지부(37)의 상부에 접촉되고 중앙부(55) 및 돌출부(59)의 하부표면이 공간에 노출된다. 또한, 멤브레인(39)은 2개의 레그(57) 사이의 오목한 부분에 일측에서 인접하는 액츄에이터의 돌출부가, 돌출부(59)가 타측과 인접하는 액츄에이트의 레그들 사이의 오목한 부분에 끼어져 상보적으로 이루어진다.
변형부(45)는 멤브레인(39)의 레그(57) 상부의 소정 부분에 적층된다. 변형부(45)는 BaTiO3, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 또는 PLZT(Pb, La)(Zr, Ti) O3) 등의 압전세라믹이나, 또는 PMN(Pb(Mg, Nb)O3) 등의 전왜세라믹을 0.7∼2정도의 두께로 도포하여 형성된다.
신호전극(43)은 멤브레인(39)의 레그(57)와 변형부(45)의 사이에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 500∼2000정도의 두께로 도포하여 형성된다. 그리고, 플러그(41)는 지지부(37) 및 멤브레인(39)의 레그(57)를 관통하여 패드(33)와 신호전극(43)을 전기적으로 연결시키는 것으로 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti)으로 형성된다. 또한, 레그(57)의 상부에 변형부(45)의 측부를 에워싸는 스페이서(spacer:47)가 형성되어 있다. 상기 스페이서(47)는 멤브레인(39)과 동일한 절연물질로 이루어져 신호전극(43)이 노출되는 것을 방지한다.
반사막(49)은 변형부(45)와 멤브레인(39)의 노출된 중앙부(55)와 돌출부(59)의 상부 표면에 알루미늄 또는 은 등의 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 금속을 스퍼터링 또는 진공증착 등에 의해 500∼2000정도의 두께로 도포하여 형성된다. 상기에서, 변형부(45) 상부의 반사막(49)은 바이어스전극으로 사용되어 신호전극(43)과 함께 변형부(45)에 전계를 발생시킨다.
상술한 구조의 광로조절장치는 구동기판(31)의 동일한 트랜지스터에 전기적으로 연결된 2개의 패드(33)와 플러그(41)를 통해 신호전극(43)에 동일한 화상신호가 인가되고, 반사막(49)으로도 이용되는 바이어스전극에는 바이어스전압이 인가된다. 그러므로, 신호전극(43)과 바이어스전극(40) 사이에 개재되어 있는 변형부(45)에 전계가 발생되며, 이에 의해 변형부(45)는 전계와 수직방향으로 수축하게된다. 이때, 멤브레인(39)의 레그(57)는 변형부(45)와의 스트레인(strain) 차이에 의해 휘어져 경사진다. 그러나, 멤브레인(39)의 중앙부(55) 및 돌출부(59)는 상부에 변형부(45)가 형성되어 있지 않으므로 휘어지지 않고 단지 레그(57)의 휘어짐에 의해 경사지는 것에 의해 평탄하게 경사지게 되는 데, 중앙부(55)는 일측 끝단이 레그(57)의 타측 끝과 일치되므로 경사시에도 일측 끝단이 지지부(37)보다 항상 높게 되므로 구동기판(31)과 접촉되는 것을 방지한다. 또한, 변형부(45)가 멤브레인(39)의 중앙부(55) 및 돌출부(59)의 상부를 제외한 레그(57)의 상부에만 형성되므로 반사막(49)의 균열을 감소시킬수 있다.
제4도(a) 내지 (d)는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광로조절장치의 제조공정도이다.
제4도(a)를 참조하면, 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되, 상부에 각 트랜지스터와 2개씩 전기적으로 연결된 패드(33)를 갖는 구동기판(31)의 표면에 희생막(35)을 형성한다. 상기에서 희생막(35)을 Mo, Cu, Fe, Ni 등의 금속 물질, PSG(Phospho-Silicate Glass) 또는 다결정성실리콘등으로 1∼2정도 두께로 형성하는 데, 금속물질로 형성할 때에는 스퍼터링(sputtering)방법으로, PSG 로 형성할 때는 스핀코팅(spin coating) 또는 CVD방법으로, 다결정실리콘으로 형성할 때는 화학기상침적(Chemical Vapor Deposition)법으로 형성한다. 그리고, 패드(33)가 형성된부분의 희생막(15)을 통상의 포토리쏘그래피(photolithography)방법으로 제거하여 패드(13)와 주위의 구동기판(11)을 노출시킨다. 그 다음, 상술한 구조의 전 표면에 질화실리콘(Si3N4), 산화실리콘(SiO2) 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 스퍼터링 또는 CVD 방법 등에 의해 1∼2정도의 두께로 침적한 후 포토리쏘그래피 방법에 의해 희생막(35) 상부에 침적된 것을 제거하여 지지부(37)를 형성한다. 상기에서 규화물은 CVD 방법으로 도포되며 지지부(37)는 구동기판(31)의 노출된 부분에 패드(33)를 에워싸도록 형성된다. 또한, 상기에서 규화물을 스퍼터링에 의해 침적한다면, 상기 희생막(35)을 식각할 때 마스크로 이용된 포토레지스트층(도시되지 않음)을 제거하지 않고 지지부(37)를 리프트-오프(lift-off) 방법으로 형성할 수도 있다.
제4도(b)를 참조하면, 상기 지지부(37)와 희생막(35)의 상부에 멤브레인(39)을 형성한다. 멤브레인(39)은 상기 지지부(37)를 이루는 물질과 동일한 물질을 스퍼터링 또는 CVD 방법에 의해 0.7∼2정도의 두께로 침적하여 형성한다. 그 다음, 패드(33) 상부 소정 부분의 멤브레인(39)과 지지부(37)를 제거하여 홈을 형성한다. 그리고, 홈 내부에 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti) 등의 전도성금속을 채워 패드(33)들과 전기적으로 연결되는 플러그(plug:41)를 형성한다. 계속해서, 멤브레인(39)의 표면에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 진공증착 또는 스퍼터링 등의 방법으로 500∼2000정도의 두께로 도포하여 신호전극(43)을 형성한다. 상기에서 신호전극(43)을 플러그(41)와 전기적으로 연결되도록 형성하여 플러그(41)에 의해 패드(33)와 신호전극(43)을 전기적으로 연결시킨다.
제4도 (c)를 참조하면, 신호전극(43)의 표면에 변형부(45)를 도포한다. 상기에서 변형부(45)는 BaTiO3, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 또는 PLZT(Pb, La)(Zr, Ti)O3등의 압전세라믹이나, 또는 PMN(Pb(Mg, Nb)O3) 등의 전왜세라믹을 Sol-Gel법, 스퍼터링 또는 CVD법 등에 의해 0.7∼2정도의 두께로 도포하여 형성된다. 그 다음, 도포된 변형부(39)를 소결하여 페로브스카이트(Perovskite)로 상 변이(phase transition)시킨다. 상기에서 변형부(45)가 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 인가되는 화상신호에 의해 분극되도록 한다. 그 다음, 상기 멤브레인(39)의 소정 부분의 상부를 제외한 나머지 부분의 상부의 신호전극(43) 및 변형부(45)를 제거한다. 상기에서, 신호전극(43) 및 변형부(45)를 동일한 마스크(도시되지 않음)를 사용하여 패터닝(patternning)한다. 계속해서, 전술한 구조의 전 표면에 멤브레인(39)과 에칭선택비가 서로 다른 절연 물질을 두겁게 도포한 후 에치 백(etch back)하여 변형부(45)의 측부에 스페이서(47)를 형성한다. 상기에서, 멤브레인(39)이 산화실리콘으로 형성되어 있다면 스페이스(47)를 에칭선택비가 다른 질화실리콘으로 형성하므로써 스페이서(47)를 형성하기 위한 에치 백을 할 때에 멤브레인(39)이 손상되는 것을 방지한다. 스페이서(47)를 형성하는 다른 방법은 멤브레인(39)과 같은 재질을 도포한 후 포토리쏘그래피 공정을 이용하여 변형부의 윗부분만 노출되도록 한다.
제4도 (d)를 참조하면, 멤브레인(39)의 노출된 부분의 상부와 변성부(45)의 상부에 반사막(49)을 형성한다. 반사막(49)은 은(Ag) 또는 알루미늄 등의 반사특성 및 전기적 특성이 좋은 물질을 스퍼터링(sputtering) 또는 진공 증착 등의 방법에 의해 500∼1000정도의 두께로 형성한다. 상기에서, 반사막(49) 중 변형부(45) 상부에 형성된 것은 바이어스전극이 되는데, 상기 반사막(49)을 형성할 때 스페이서(47)에 의해 신호전극(43)과 바이어스전극(49)이 접촉되는 것을 방지한다. 그리고, 일측 부분이 2개의 레그를 가져 중앙부분과 더불어 '요'자 형상을 이루고, 타측 부분이 돌출되어 중앙 부분과 더불어 '철'자 형상을 이루도록 반사막(49)과 멤브레인(39)을 레이저에 의한 절단이나 포토리쏘그래피 방법으로 희생막(35)이 노출되게 제거하여 액츄에이터(53)를 한정한다. 그 다음, 상기 희생막(35)을 습식 방법으로 제거한다. 이때, 반사막(49)과 스페이서(47)에 의해 변형부(45)와 에칭용액이 접촉되지 않으므로 변형부(45)가 손상되는 것을 방지한다.
따라서, 본 발명은 중앙부가 일측 끝단이 레그의 타측 끝과 일치되므로 경사시에도 일측 끝단이 지지부 보다 항상 높게 되므로 구동기판과 접촉되는 것을 방지할 수 있는 잇점이 있다. 그리고, 크랙의 발생을 억제할 수 있어 수명을 연장시킬 수 있고 광효율을 향상시킬 수 있는 잇점이 있다. 또한, 변형부의 측부에 형성된 스페이서에 의해 희생막을 제거할 때 변형부와 에칭용액이 접촉되지 않도록하여 변형부가 손상되는 것을 방지할 수 있는 잇점이 있다.

Claims (18)

  1. 트랜지스터가 매트릭스형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 2개씩 갖는 구동기판과; 상기 구동기판에 상기 패드를 각각 에워싸며 분리되게 형성된 지지부와, 상기 지질부의 상부에 접촉되며 중앙부와 요(凹)자의 형태를 이루는 2개의 레그와, 상기 레그의 반대쪽에 공간에 노출되게 위치하며 중앙부와 철(凸)자의 형태를 이루는 돌출부를 갖는 멤브레인과, 상기 멤브레인의 레그 상부의 소정 부분에 형성된 신호전극과, 상기 패드와 신호전극을 전기적으로 연결하도록 지지부와 멤브레인을 관통하여 형성된 플러그와, 상기 신호전극의 상부에 형성된 변형부와, 상기 변형부 및 멤브레인의 노출된 부분의 상부에 부분에 형성되며 상기 변형부 상부에 형성된 것이 바이어스전극이 되는 반사막으로 이루어진 액츄에이터를 구비하는 광로조절장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 멤브레인은 상기 레그의 타측이 상기 중앙부의 일측과 일치되는 광로조절장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 멤브레인은 상기 돌출부의 일측이 상기 중앙부의 타측과 일치되는 광로조절장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 멤브레인은 상기 레그 사이의 오목한 부분에 일측에 인접하는 액츄에이터의 멤브레인의 돌출부가 상보형으로 끼어지며, 상기 돌출부가 타측에 인접하는 액츄에이터의 멤브레인의 레그 사이의 오목한 부분이 상보형으로 끼어진 광로조절장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 신호전극과 상기 변형부의 측부에 스페이서를 더 구비하는 광로조절장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스페이서가 상기 멤브레인과 에칭선택비가 다른 물질로 형성하는 광로조절장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스페이서가 산화실리콘 또는 질화실리콘으로 이루어진 광로조절장치.
  8. 트랜지스터들이 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 2개의 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드와 접촉되지 않도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 희생막이 형성되지 않은 부분에 상기 패드를 에워싸는 지지부를 이격되게 형성하는 공정과, 상기 희생막과 지지부의 상부에 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인과 지지부의 소정부분을 패드가 노출되도록 제거하고 플러그를 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부의 지지부와 중첩되는 소정 부분에 플러그와 전기적으로 연결되는 신호전극과 이 신호전극의 상부에 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부와 멤브레인의 노출된 부분에 상기 변형부의 상부에서는 바이어스전극으로 사용되는 반사막을 형성하는 공정과, 상기 반사막과 멤브레인을 일측에서는 변형부 사이를 제거하여 중앙부와 요(凹)자의 형태를 이루고 타측에서는 상기 중앙부와 철(凸)자의 형태를 이루도록 액츄에이터를 패터닝 하는 공정과, 상기 희생막을 제거하는 공정을 구비하는 광로조절장치의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 희생막을 Mo, Cu, Fe 또는 Ni 의 금속, PSG 또는 다결정실리콘으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 희생막을 1∼2정도의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 지지부를 질화실리콘, 산화실리콘 또는 탄화실리콘으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 지지부를 침적후 에치백 하거나 또는 리프트-오프법으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 멤브레인을 지지부와 동일한 물질로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 변형부를 Sol-Gel법, 스퍼터링 또는 CVD법으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 변형부를 0.7∼2정도의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법
  16. 제15항에 있어서, 상기 변형부의 측부에 스페이서를 형성하는 공정을 더구비하는 광로조절장치의 제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 스페이서를 산화실리콘, 질화실리콘 또는 탄화실리콘으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 스페이서를 상기 멤브레인과 에칭선택비가 서로 다른 물질로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.
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