JPH09508219A - 液晶ディスプレイを駆動する為の電子システム - Google Patents

液晶ディスプレイを駆動する為の電子システム

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JPH09508219A JP7519728A JP51972895A JPH09508219A JP H09508219 A JPH09508219 A JP H09508219A JP 7519728 A JP7519728 A JP 7519728A JP 51972895 A JP51972895 A JP 51972895A JP H09508219 A JPH09508219 A JP H09508219A
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アリスモス インク
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Abstract

(57)【要約】 X−Y軸方向に二次元的にアドレスされる受動型液晶ディスプレー(LCD)を駆動し、改良されたディスプレー性能を持つ新しい電子装置が開示され請求されている。この装置は線形変換マトリクスのベイシス・ベクトルに対応する電圧のパターンでもって、LCDのロー・ラインを駆動するロー駆動集積回路と、以下の特長を持つコラム駆動集積回路から構成される。コラム駆動回路は映像情報を貯えるアナログCMOSピクセル・メモリを内蔵し、ピクセル・マトリクスの線形変換を計算する。このピクセル・マトリクス・コラムの線形変換に対応する電圧でもってコラム・ラインを駆動する高電圧アンプリファイヤー回路は、変換演算回路と共にモノリシック的に集積される。LCDスクリーンは生来の逆変換を行い、所望のピクセル・マトリクスを表示する。LCDの表示スピードとコントラストは改良され、受動型LCDスクリーン上にビデオ・レートの画像の表示を可能とする。

Description

【発明の詳細な説明】 液晶ディスプレイを駆動する為の電子システム技術分野 本発明は、X−Y軸方向に二次元的にアドレスし駆動する液晶ディスプレイに 関し、さらにはその駆動方式と装置の改良に関するものである。本発明の背景 液晶ディスプレイ(以下「LCD」という)はポータブルコンピュータやポー タブルテレビに広く使用されている。そこで、低消費電力で小型と言った特徴は 絶対に必要不可欠なものである。しかしながら陰極線管(以下「CRT」という )は低い製造コストで高画質を提供できる為、コンピュータ・モニターやテレビ の様なACコンセントから電力を供給するアプリケーションの主要なディスプレ イ技術として存在し続けている。既に確立されたテレビ市場は、CRT技術に対 し、更なる改良に拍車をかけ、今や大型画面サイズを低価格で供給する事を可能 にした。現在では一般的な低コストのCRTでも、LCDと比べると、より高い コントラストと、より早いスピードで、動画を表示する事が出来る。唯一、非常 に高価格なアクティブ・マトリクスLCDの画面だけが、一般的なCRTの画質 に匹敵する表示をする事ができると言う事実がある。この非常に高価格であると 言う事実がLCD技術を、コストや画面サイズ、そして画質に比べ、重さと消費 電力がより重要なアプリケーションにのみ限定させている。従って、本発明の目 的の一つは、高価でないLCDパネルを使用して、その性能の向上と、それに必 要な消費電力を引き下げ、低コスト化を可能とする技術を提供する事である。そ れによって、一般的なCRT製品と価格競争できる代替新製品を市場に提供する 事である。 LCDの表示性能におけるコントラストと応答時間と解像度の間に基本的なト レードオフが存在する。現在、これに対する従来の解決方法としては、コンピュ ータのスクリーンに必要な十分なコントラストを得る為に、十分長い応答時間を 備えたLCD材料を使用する事である。より早い応答を示す液晶材料は一般に存 在してはいるが、現在のLCD上に映像を出す為の電気駆動方式に内在する基本 的な限界の為、この材質は使用されない。ワードプロセッシングの様なコンピュ ータ・アプリケーションは、通常早い応答や高いコントラストを必要としない。 従って、動画像表示に必要な高いレベルのディスプレイ技術を必要としない。通 常のビデオレートのシグナルの表示に必要な応答時間は、標準の受動型LCDに よって現在のところ達成されていない。ビデオ画像を表示するのに十分早い応答 時間を持つ液晶材料は、これを使う結果として許容できない程の低いコントラス トと、限られたグレイスケール制御しかできなくなってしまうので、従来の受動 型LCDにおいて使う事はできない。この性能のトレードオフについてさらに詳 しく説明する前に、X−Y軸方向に二次元的単純アドレスにより表示される受動 型LCDについて記述する。 一般的なX−Y軸方向に二次元的にアドレスされる受動型LCDは、水平に( X軸又は、ローとしても知られている)そして垂直に(Y軸又は、コラムとして も知られている)二枚のガラスパネルの内部表面上に透明な電極のパターンを付 ける事によって形成される。これらの電極はディスプレイ上に画像を作り出す点 (ピクセル)のアレイの明るさをコントロールするのに使われる。このガラスの パネルの間には数ミクロンのギャップがあり、キャビティーを形成している。そ してこのキャビティーは液晶材料で満たされている。ガラスパネルの縁の周りの 封止剤は、そのLCD材料を規定位置に保つ。小さなガラスのスペーサー用ビー ズあるいはロッドも、そのキャビティー間隔を一定に保つ為、LCD材料のなか に散在している。 ロー電極とコラム電極が交わるそれぞれの位置にピクセルが形成される。一般 的なコンピュータやテレビのディスプレイには、100,000個以上のピクセ ルが使われている。そのロー電極とコラム電極を電気的に制御する事により、ロ ー電極とコラム電極の交差する点に形成されるピクセルを、明るくも暗くもする 事ができる。ロー電極とコラム電極に対し、高速で情報に対応した電圧で走査す る事により、表示画像が作られる。適当なLCD材料とキャビティー間隔の寸法 の選択により、ディスプレイの応答時間を選定する事ができる。 入力される映像のシグナルは一般的に、ロー方向に連続するピクセルを次々と 記号化したデータの連続的な流れである。LCDをアドレシングする為に最も一 般的に使われている方法は、一度に一本のロー電極に単一の高い電圧のパルスを 印加し、そしてそのローの表示画像、又はピクセルの情報に対応する各々の電圧 をコラム電極に同時に印加する事である。そのロー上のピクセル列は、表示に対 応した視覚的な出力に比例したパルス電圧を与えられ、活性化させられる。この 作業は全てのローに対して繰り返される。すなわち、このローの活性化は連続的 に繰り返され、パネル全体を活性化する。このアドレシング方法は「ロー・アッ ト・ア・タイム」アドレシングと呼ばれ、又は少々の変化修正を伴った方法も含 め、今日のLCDのアドレシング方法の大部分を占めている。ディスプレイ上に 表示したい明/暗ピクセルのパターンを保つ為、LCDパネルは連続してこのリ フレッシュ作業を、一般的には一秒間に60回かそれ以上の回数を繰り返す。 高解像度のディスプレイになる程、それぞれのピクセルは、フレームリフレッ シュ周期のなかのわずかな割合の期間の励起を受ける。それぞれのピクセルは、 一つのフレーム周期の間に一つの高い励起パルスを受け、ロー毎に活性化される 。そしてそれから、ピクセルの視覚的出力は、LCD材料によって異なる応答時 間でもって減衰する。「フレーム応答」としてこの分野で知られているこの現象 の為、このアドレシング方法はLCDの応答時間とコントラストに限界を生じさ せる。 LCDは、電解がLCD材料に対し印加された後、液晶材料が平衡状態に戻る のに必要とされる時間の長さを表わす固有のフレーム応答時間を持っている。n が液晶素材の平均粘着度を、dがキャビティーの長さを、そしてKが液晶素材の 平均弾性定数とすると、応答時間はnd2/Kと表わす事ができる。従来の受動 型LCDが持つキャビティーの長さは8〜10ミクロンであり、応答時間はおよ そ300ミリセカンドである。従って、LCD材料の化学的構成やそのLCDキ ャビティーの長さを変化させる事によって、LCDピクセルの応答時間を調整す る事ができる。 それぞれのフレーム・リフレッシュ周期に渡ってピクセルの情報を保持する為 、LCD材料の応答時間は一般的にフレーム・リフレッシュ周期よりも長く設計 されている。駆動波形のリフレッシュ周期が固有材質の応答時間より非常に短い 時、これが従来の受動型LCDの場合であるが、液晶材料に対し印加された電界 の二 乗平均の値の大きさに実効的に比例して応答する。つまり、材質の反応はその材 料に対して加えられる電圧のルート・ミーン・スクウェア(実効値;以下「RM S」という)の関数として示される。 しかしながら、通常のビデオレートで応答する事ができるLCD材料は、その 応答時間がおよそフレーム・リフレッシュ周期と同じなので、この応答時間の概 算は成立しない。従って、速い材質の場合、それぞれのフレーム・リフレッシュ 周期中のピクセルから見た実効電圧は減衰する。この減衰は光の出力をフレーム ・リフレッシュ周期中で減少させ、その結果、画面のコントラストをかなり引き 下げる。これはスピード対コントラストのトレードオフとしてよく知られており 、この分野では「フレーム応答」問題として知られており、コントラストを限定 する様にデザインされた場合でさえ、高解像度受動型LCDのスピードをだいた い150ミリセカンドより大きい応答時間に制限する必要がある。これらの要因 は、受動型LCDの技術を、通常のビデオレート応答(50ミリセカンド以下) とか、高いコントラスト(20:1より大きい)が必要とされるアプリケーショ ンに使われる事を妨げている。 受動型LCDの性能の限界を克服する為、二種類の設計技術がある。第一の技 術はこの分野ではアクティブ・マトリクスとして知られており、それぞれのピク セルの位置に薄膜トランジスタ(以下「TFT」という)のスイッチを形成する 事によって、LCDの性能を改善するものである。そのピクセルの寄生及びリニ アキャパシタンスを利用することにより、統てのフレームリフレッシュ周期の間 、トランジスタはLCD材料に対し、一定に近い電圧を印加する様に動作させる 事ができる。この技術はそれぞれのピクセルにつき、一つのトランジスタを備え る様にガラスパネル上にトランジスタ・アレイを形成する事を必要とする。 トランジスタのスイッチを使う事で、アドレシング操作と電圧から光へ変える 操作とを分離する。つまり、アクティブ・マトリクスのディスプレイは改善され たコントラスト、グレイスケール、そしてスピードを実現する。しかしながら、 大きなスクリーンサイズの基板上に一つの欠陥もなしに、約100万(例えば6 40×480のカラーディスプレー)のTFTを形成するコストは非常に高い。 一つの内部接続の欠陥、又はトランジスタの欠陥は、ピクセルが欠けている事を 一目瞭然にわからせる結果を招き、スクリーンを使用できないものにしてしまう 。アクティブ・マトリクスの製造技術においては、スクリーンサイズの大型化の 傾向と共に、製造性の問題が非常に大きくなる。これにより、複雑な製造ステッ プとその企業独特の材質の工夫、そして低い歩留まりがアクティブ・マトリクス の技術を高価なものとし、さらに大きなスクリーンサイズ化を困難なものにして いる。 それに加え、それぞれのピクセルにおいて、トランジスタとワイヤリングによ って占められる部分は透明でないので、LCDを通して透過する光の量を減らす 。上に述べた従来の受動型LCDと同程度の明るさを保つ為に、アクティブ・マ トリクスLCDは、より高輝度のバックライトを必要とする。従って、受動型L CDと比べるとシステム消費電力が増加する。 第二の技術はエンハンスト・アドレシングとして知られており、これも又、受 動型LCDパネルの駆動について述べたものである。(例として、Nehring and Kmetz,`Ultimate limits for matrix addressing of RMS responding liquid crystal displays,`IEEE Trans.on Electric on Devices,ED-26(5),pp.795- 802,1979.参照。)RMS応答する材料のアドレシング応答限界についての彼等 の研究において、NehringとKmetzは、幾つかの異なったLCDアドレシング方法 の試みを述べる為の数学的なフレームワークを発展させた。本質的にNehringとK metzは、ローとコラムのライン電圧、つまり二つの時間に依存するベクトルを述 べている。つまり、結果として生ずるLCD材料の応答は、それぞれのピクセル における二つの電圧ベクトルの差の二乗の時間平均に比例する。LCDパネルは 、特定のLCD材料の時間定数特性に対する、フレーム・リフレッシュ周期の全 体に渡る励起の実効的な総和を演算する。ロー・アット・ア・タイム・アドレッ シングと同様に、他のアドレシング方法も、このフレームワークを使って、簡単 に述べる事ができる。 NehringとKmetzが述べた方法の一つは、ロー・ベクトルとしてウォルシュ・ベ イシス関数を用いたものである。ウォルシュ変換はバイナリー・ベイシス・ベク トルを持つ線形変換である。NehringとKmetzはウォルシュ・ベイシス・ベクトル でのシーケンシャルなロー・ラインの駆動と、所望のピクセル表示値のウォルシ ュ変換によるコラム・ラインの駆動について述べている。そのLCD材料はRM S応答性のおかげにより逆変換を効果的に実行し、スクリーンに所望のピクセル ・パターンを表示させる。NehringとKmetzは又、単にロー・アット・ア・タイム ・アドレシングである同一変換を含め、どんな線形変換も使用する事ができると 記している。NehringとKmetzのこの記事に基づき、多くのアルゴリズム改良と具 体化が提案された。European Patent Application No.92102353.7(EPO Publicat ion Number 0507061A2); A.R.Conner and T.J.Scheffer,`Pulse-Height Modul ation(PHM)Gray Shading Methods for Passive Matrix LCDs,'in Proceedings of the 12th International Display Research Conference,pp.69-72,1992;T .N.Ruckmongathan,`Addressing Techniques for RMS Responding LCDs -A Rev iew,’in Proceedings of the 12th International Display Research Conferen ce,pp.77-80,1992; S.Ihara,Y.Sugimoto,Y.Nakagawa,H.Hasebe and T.N.Ru ckmongathan,`A Color STN-LCD with Improved Contrast,Uniformity and Re sponse Times,’in Proceedings of the Society for Information Display Con ference,Boston,1992,pp.232-235; Swiss Patentschrift 645473A5; 及びU. S.Patent No.5,262,881.ここにこれらの記事に書かれている研究をひとまと めにして、「エンハンスト・アドレシング方法」と言及する事にする。 NehringとKmetzによって初めて記述された、エンハンスト・アドレシング方法 の重要な点は、それぞれのフレームリフレッシュ周期の間、多数のセレクション パルスが、それぞれのピクセルに印加されると言う事である。そのフレーム周期 中にピクセル・パルスを分散する事によって、LCDの視覚的な出力は、ロー・ アット・ア・タイム・アドレシングの場合程、減衰しなくなる。従って、より早 い応答時間を持ったLCD材料が、受動型LCDにおいて、必要なコントラスト を失う事なく、通常のビデオレート応答時間を達成する為に、使用される可能性 を生ずる。 さらにもし、パルス電圧を印加すべく選ばれたディスプレイ上のローの数が多 く、特定の変換が適切に選ばれれば、ベイシス・ベクトルとピクセル・コラム・ ベクトルが高度に相関していると言う可能性は低い。この可能性が低いと言う事 の有益な統計学的意味は、変換結果が平均値の近くに集まる事である。この変換 の結果、ある電圧限界を超える事は稀であろうし、ピクセル励起の程度もその範 囲に同様におさまるであろうことが期待できる。よって、ピクセルは大きな一つ のパルスを受ける代わりに、フレームリフレッシュ期間中に分散された多くの小 さな励起を受ける。LCD材料の瞬間的応答と関連して、その結果はロー・アッ ト・ア・タイム・アドレシングによって得られるものよりも、よりスムーズな光 出力波形になる。それに加え、コラムドライバーの電圧範囲は、変換結果が統計 学的に限られた範囲を超える可能性がほとんどないので、狭い範囲に限定する事 ができる。従って、低電圧回路をこのアドレシング方法の具体的回路で用いるこ とができ、コストと消費電力を低下させる。 NehringとKmetzによって提示されていないある重要で実際的な問題は、LCD 材料が、逆変換が必要なロー/コラム電圧の外積にのみ応答すると言う事実以外 にRMS電圧に応答することである。NehringとKmetzの記事と、P.M.AltとP.Ple shkoの`Scanning Limitations of Liquid Crystal Displays,`IEEE Transact ions on Electron Devices,Vol.ED-21,pg.146,1974の両方の記事に提示され ているLCD応答の為の正確な表現式は下記である: ピクセルに印加されるRMS電圧に対するこの式は三つの項を含んでいる。第 一項はベイシス・ベクトルの一定値のRMS寄与項である。それらのベイシス・ ベククトルを代表する電圧がLCDのロー電極を駆動する。第二項は交さ項であ り、それはロー/コラムベクトルの目標とする外積であり、必要な逆変換を行う 。第三項はある一つのコラム内において統てのピクセルに共通であり、そのコラ ムにおけるピクセル値の二乗の総和に比例する。NehringとKmetzの記事において 、そしてそこでNehringとKmetzはバイナリー・ピクセル・データの可能性のみを 考慮しているので、上記式の第三項は一定となる。しかし実際問題として、第三 項はグレースケール(すなわち、2値ではないもの)ピクセル値に対しては変化 し、 ディスプレイ上の所望の情報パターンに対するエラーを表す。したがって、本発 明の他の目的は、前述のエラーを訂正する補正項を追加計算する事である。 アドレシング方法に基づく変換はピクセル・データの線形変換が各フレーム毎 になされる事を必要とする。一般的な画面の解像度と通常のビデオ・フレーム・ レートに対しては、最も効率的な“高速”変換アルゴリズムを使う場合でも、普 通は一秒間に十億かそれ以上の数学的演算を行わなければならない。もしデジタ ル・プロセッサがこの変換を実現する為に使われるとするならば、電力、ディス プレイの価格、サイズ、そして部品数は、一般的な受動型LCDのレベルをはる かに超える事となる。デジタル変換によるアドレシング方法を実現する事はEP05 07061A2の中で論議されている。そこで述べられているLCDの駆動システムは 、デジタル・フレーム・バッファに加え、ピクセルデータの任意のバイナリー変 換を計算する事ができ一つかそれ以上のデジタルプロセッサ集積回路(以下「L SI」という)を必要とする。 NehringとKmetzによって述べられているアドレシング方法のデジタル的な実現 方法におけるフレーム・バッファ・メモリの必要性は、部品点数と消費電力、そ してコストを非常に上げる事となる。このアドレシング方法の目的はフレーム周 期全体を通して、それぞれのピクセルにデータを分散して供給する事なので、フ レーム・バッファ・メモリは本質的にデジタルディスプレーにとって必要である 。従って、総てのピクセル情報はフレーム周期全体に渡って利用できなければな らない。デジタル・フレーム・バッファ・メモリのバンド幅と消費電力は、これ だけでもポータブル製品にこの様なアルゴリズム的にアドレスする受動型LCD を、デジタル的に実現する事の妨げとなる。 EP0507061A2の中で論議された他の実現方法は、デジタル・フレーム・バッフ ァ・メモリと演算回路がコラムドライバーIC上に集積されたLCD駆動システ ムである。このアプローチは同一のIC上にメモリと計算手段を集積する事で、 メモリバンド幅問題を除去する有利な点を備えている。このシステムを実現する 事は、バイナリー・ベイシス・ベクトルとバイナリー・ピクセル・マトリクス・ コラム・ベクトルのドット積を計算する為の排他的論理和(XOR)ゲートと、 デジタルかアナログ加算回路を使用する方法から成っている。EP0507061A2の中 で論 議されたバイナリー実現方法は、メモリ・アレイと演算回路の限られた密度と、 チップ上の高電圧回路の必要性と、デジタル回路の高い消費電力の為、コラムド ライバー上に集積する事は非現実的である。さらに、グレースケール表示は、よ り大きなメモリ・アレイと、より電力を消費する演算回路を必要とすることとな る。 グレースケール動作は、多くの受動型LCDのアドレッシング方法において、 典型的に、フレームレート・コントロールによるか、あるいは、所望の中間調表 示を達成する為に、その間に複数の電圧パルスがコラム電極線を駆動する多数の 短い周期に、各スキャンアドレス周期(すなわち、480ライン・ディスプレイ に対してはフレーム期間の1/480)を細分化することによって、達成されて いる。これらのグレースケール技術は、コラムドライバーあるいはたぶんロー・ ドライバーが、それぞれの有効スキャンアドレス期間内に、何回も変化する事を 必要とする。 しかしながら、ローとコラム電極の抵抗と、液晶材料の静電容量の為、エンハ ンスト・アドレシング・グレースケール動作に必要なロー、コラム・シグナルの 速い変化が、ディスプレーに対して非常に重大な画質劣化の問題を生ずる。これ らの原因による波形のひずみはディスプレー画面上に悪影響を起こし、ほとんど のアプリケーションで使用に耐えられない程度のものとなってしまう。さらにロ ーとコラム電極は、それぞれのスキャンアドレス期間中に何回も電圧が変化する 為、ローとコラム電極用ドライバー回路は、一回だけ電圧をかける方法よりも、 より多くの電力を必要とする。グレースケールの数がおよそ8レベル以上になる と、ここに述べた問題はより重大なものになる。よって本発明の他の目的は、一 回のスキャンアドレス期間中に一回の電圧変化を必要とし、同時に消費電力を減 少させ、ドライバーICのデザインを単純化し、そしてローとコラム電極に対す る抵抗値の要求を下げ、高い数のグレースケール(すなわち、32階調以上)の ピクセルイメージの表示を可能とする、今までのものを代替えできる新しいアド レス方法を提供する事である。 グレースケール表示の為に現在のLCD駆動方式に必然的に必要なコストと電 力の負担増は、ポータブル用ビデオディスプレーとコンピュータ市場にとっては 受け入れられないものである。そして、コストと画質が最も主な特徴である確立 されたCRT市場にLCDが参入する可能性を制限している。発明の要約 本発明は変換アドレシング実現の為の電子システムに関するものである。この システムは変換アドレシングの実現を少数のIC上に集積化することを可能にす る。従来のLCDパネルは、LCDのローとコラム電極につながれている、多く のロー・ドライバーとコラムドライバーICによって駆動されている。本発明は メモリ、演算回路、そして高電圧ドライバー回路を一組として組み合わせる変換 コラム・ドライバーICであって、従来のLCDパネルにおけるコラムドライバ ーICに置き代わるものを提供するものである。 コラムドライバーICの中で変換演算を実行する事により、変換アドレシング システムに必要なICの数は、従来の受動型LCDパネルと同じ数で実現するこ とができ、従って本システムは、例えばEP0507061A2で述べられる様な、機能的 に同等な変換アドレシングのデジタル的な実現方法と比較すると、優越性を持っ ている。なぜならその様なデジタルシステムは、計算とアドレシングの機能を行 う為に、多くの追加のICを必要とするからである。すなわち、変換演算ICに 加え、少なくとも二つの高バンド幅フレーム・バッファー・メモリが必要とされ る。デジタルシステムにおける部品点数の増加はシステムサイズ、消費電力そし てコストを増加させると同時に、システムの信頼性を減少させる結果を招く。本 発明は必要なICの数を最小限にする事と、LCDドライバーICの消費電力を 下げる事で、これらの問題を発生させない。 本発明では、並列にピクセルデータの変換演算ができるアナログ・ピクセル・ メモリーセルのアレイにより、変換演算が行われる。そして、バイナリー又はタ ーナリーの値でもって変換が演算される。本発明はより演算に有効な「高速」変 換に対し、「離散的」変換演算を提供する。離散的変換は、変換結果が順番に得 られると言う優越性を有し、その為「高速」デジタル演算方式によって必要な並 列データから直列データに変換するフレーム・バッファーの必要性を除いている 。 本発明は、LCD駆動と関連するRMSエラーを補正するRMSエラー訂正項 の演算をも可能にする。本発明によりコラム波形の複数回電圧変化方式を使わず に、グレイスケール表示をする事ができる。複数回電圧変化方式はより多くの時 間的分解能を持ったローとコラム波形を必要とし、そしてより多くの電力を消費 するので、本発明のグレイスケール表示方式はこれに比べ非常に有利である。 本発明は、一回の電圧変化操作でグレースケール表示のRMS訂正項を演算す ることができ、少ない電力で高性能な方式を提供する。従って消費電力を減少さ せ、ドライバーICデザインを単純化し、ローとコラム電極の為に必要な低抵抗 条件を軽減させる。ほとんど透明な導体であるローとコラム電極に要求される低 抵抗条件を減少させる事により、より薄い電極を使う事ができるようになり、よ り多くの光を透過し、その結果バックライトの消費電力を減少させる事ができる 。さらに、特に集積化されたカラーフィルターが望まれる時には、高い抵抗値( つまりより透明な)電極は低い抵抗値電極より、より簡単に製造できる。つまり 、高い抵抗と透明な電極を使う事により、製造コストを減少させる事ができる。 ここに述べられているLCDアドレシング・システムは、他のより高い次数の 変換項よりも一般的に大きいDC項の変換を計算し、このシステムの電圧限界を 超える可能性がある。「フレーム応答」の様な問題を避ける為に、本発明はフレ ーム期間全体に渡ってDC項の情報を分散減衰する方法と装置を提供する。同様 にRMS訂正項も、「フレーム応答」の様な問題を避ける為、フレーム期間全体 に渡って分散される。 また本発明は、LCDピクセル・マトリクスにDC電圧を加えないローとコラ ムシグナルを提供する様に順序立てる事のできるアドレシング方法を提供する。 LCDに加えられる連続したDC電圧は液晶材料にダメージを与え、LCDを機 能不全に導く。エンハンスト・アドレシング方式はピクセル・マトリクスの正味 DCバイアスを避ける手段として、バイナリー・ベクトルとピクセル・コラム・ ベクトルが高度に相関していないと言う低い確立を一般的に当てにしているのみ である。そして、これらの方式はDC電圧のバイアスから起こる、回復できない 長期間の機能不全を防ぐ事を保証しているわけではない。 本発明はアナログIC技術を使用することにより、EP0507061A2中に記述され た ものの様な、機能的に同様なデジタル回路に比べ、極度に少ない消費電力と小面 積化が可能であると言う有利な点を提供できる。それゆえに、本アナログシステ ムは、機能的に同様なデジタル的実現方法では実用的でない電池で働くシステム に対して使用する事ができる。 本発明は無視しうる程度のコストと電力の上昇でもって、変換アドレシングに よる表示性能(スピードとコントラスト)の改善を提供するので、ポータブルビ デオ装置の新しいLCD市場を開く事になる。受動型LCDの技術規模はアクテ ィブマトリクスLCDの技術の規模と比較すると、より量産が容易であるので、 現在CRT技術によって占められている大型スクリーンビデオ製品は、変換アド レス受動型LCDパネルによって置き換えられる可能性がある。又、本発明の方 式を実現するポータブルコンピュータやテレビは、CRTの画質と対抗できる程 のビデオ映像を表示すると同時に、より少ない消費電力になるので、電池を使っ ても、より長時間使用する事ができる。 本発明のアドレシング方法は、低価格のパッシブマトリクスLCDパネルを駆 動しても、より高価なアクティブマトリクスLCDディスプレー、又はより体積 のかさばったCRTによって表示される映像と、質的に匹敵するビデオ映像を発 生する事ができる。アクティブマトリクスLCDの製造に伴う高価な製造プロセ スを避ける事により、製造コストを減少することができる。さらにアクティブマ トリクスLCDの製造プロセスと比べ、比較的単純な受動型LCDの製造プロセ スで済むので、LCD製造設備に要するコストも下がる。 本発明の変換コラムドライバーICは、コラムラインを駆動する高電圧アンプ リファイヤを実現しながら、世の中に共通に使用されている一般的な低電圧用I C製造プロセスの使用を可能にする。本発明は信頼性のある高電圧回路を製造す る為、標準のIC製造プロセスにおいて作られる寄生素子を使用する。従来のL CDドライバーICの製造は、本発明により使用が可能となる世の中共通のデジ タルCMOSプロセスに比べ、チップ当りの製造コストがより費用のかかる、特 別な高電圧CMOS製造プロセスを使用して行われている。より高い回路密度を 提供する事ができる世の中共通のCMOSプロセスを使用する事により、本発明 の変換コラムICは、非常に多くの回路と演算能力を備えているにもかかわらず 、 従来のコラム・ドライバーICとほぼ同じサイズに実装される。 本発明の他の優越性は、ここに記述された変換アドレス受動型LCDパネルが 、早いビデオレート応答と改善されたコントラストと言った付加的利点を備えて いるのに、従来の受動型LCDとほぼ同じコストで製造する事ができると言う事 である。従来の受動型LCDパネルの製造装置は、ここに記述された技術を使用 する事により、変換アドレスLCDパネルを製造する為の装置に容易に変更する 事ができる。 本発明はまたインターレースもしくはノンインターレース・フォーマットのア ナログ入力ビデオシグナルを直接受け入れることができる有利な特徴がある。機 能的には同様なデジタル的な実現方式は、LCD表示システムのコスト、部品数 そして消費電力を増加させるデジタル・フレーム・バッファーを必要とする。本 発明は、追加のフレーム・バッファーの必要性を除去し、放送されているインタ ーレース・ビデオ入力を変換コラム・ドライバーICに直接入力することを可能 とし、よって、低コストのコンシューマー・テレビの実現を可能にする。 本発明の演算回路は低電力で小型のバイナリー変換システムの実現を提供し、 パタン認識システム、神経ネットワークシステムと、ビデオ圧縮システムの様な 、変換アドレスLCDシステム以外の種々のアプリケーションにおいて使用する 事ができる。本発明は線形変換つまり、多様なアプリケーションにおいて使用さ れている多くのシグナル・プロセシング・システムの基本的な演算ユニットの実 現を提供することができる。 本発明の実施に必要ではないが、ここに示される高電圧出力アンプリファイヤ ーは、高電圧出力ドライバー回路を低電圧CMOS演算回路と同一の単一基板上 に集積する事ができ、低価格のシステムの実現を提供する。高電圧回路は又、テ レコミュニケーションIC、EPROM/EEPROMメモリ装置そして、パワ ーコントロール回路の様な高電圧回路が必要なアプリケーションにおいて、ここ に記述された変換演算回路とは別に使用することができる。アクティブマトリク スLCDは又、ローとコラムラインの駆動の為、高電圧ドライバーを必要とする 。ここに記述された高電圧アンプリファイヤーの構成要素は、出力電圧が半導体 製造技術の一般的な電圧限界を超える様なDCからDCへのコンバータ回路、電 圧 安定化回路と、高−低ドライバー回路を実現する為に使用する事ができる。 本発明の他の優越性と特徴は、適切な具体的表現(図と特許請求の範囲)の詳 細な記述が詳しく述べられる折に明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 図1はLCDパネル、バイナリー・ロー・ドライバーIC一組、変換アドレシ ング・コラム・ドライバーIC一組、ビデオ・ソースそしてバイナリー変換関数 を発生するICを含むLCD駆動システムのブロック図を表わす。 図2は変換アドレシング・コラム・ドライバーICの機能的ブロック図である 。特にこの図は変換アドレシング方式に必要なビデオ情報を貯え、そのビデオ情 報のバイナリー変換を演算するアナログ・ピクセル・メモリ/演算マトリクスを 含む。単一チップに集積されたLCDコラム・ラインを直接駆動する為の高電圧 アンプリファイヤーのセットも又この図に含まれている。 図3はアナログ・ピクセル・マトリクス・セルのロード操作に関係する回路図 と、断面図と、電子ポテンシャル図を表わしている。それぞれのセルは直列に接 続されている三つのn−FETから成っている。電子ポテンシャル図において、 FETのゲートに印加されるより高い正の電圧は、基板内部でFETゲートの下 に、より深い電子のウェルを生成する。 図4はそれぞれのセルに貯えられたチャージがコラム・センス・ライン上で加 算又は減算される時の演算操作を説明するアナログ・ピクセル・セルの電子ポテ ンシャルの説明図である。 図5はチャージ・センスとロード回路を持った2x4のアナログ・ピクセル・ マトリクス・セルを示している。単純化されたチャージ・センス・アンプリファ イヤー(67)はその入力ラインの下で転送されるチャージを検出し、アナログ ・ピクセル・マトリクス情報のバイナリー変換に比例する電圧を出力する。 図6はアナログ・ピクセル・マトリクスの一つのコラムに関連するチャージ読 みとりRMSエラー演算と高電圧出力回路の詳細な回路図である。 図7はアナログ・ピクセル・マトリクスの二つのコラムに関連する別のチャー ジ・センス、RMS補正、高電圧出力回路の詳細な回路図である。 図8はパルス幅変調を使ったエンハンスト・アドレシング・コラムドライバー のブロック図である。 図9はパルス高さ変調を使ったエンハンスト・アドレシング・コラムドライバ ーのブロック図である。 図10は図6〜9中に示されている回路で使用されている高電圧オペレーショ ナル・アンプリファイヤーの詳細な回路図である。高電圧オペレーショナル・ア ンプリファイヤーは広い範囲の出力電圧を達成する為、分離されたn−ウェルに よってそれぞれ形成される縦続接続されたp−FET電流ミラーを使用する。 図11は図10の高電圧オペレーショナル・アンプリファイヤーと、図13の 高電圧スイッチにおいて使用される寄生フィールド・オキサイドFETの物理断 面図である。 図12は図10の高電圧オペレーショナル・アンプリファイヤーにおいて過電 圧保護として使用される寄生ツェナーダイオードの物理断面図である。 図13は高電圧フィールド・オキサイドFETと標準低電圧FETから構成さ れている高電圧スイッチである。この特別なスイッチは図6の高電圧アンプリフ ァイヤーのリセットスイッチS14に使用されている。 図14は図6において、回路の動作を説明する為に使用する一連の立ち上がり 波形、クロックそして出力波形を示している。 図15は図7に示されている回路と共に使用される電圧から電圧へのコンバー タの回路図である。 図16は図15において示される電圧から電圧へのコンバータと共に使用され る二つのブランク(帰線)シグナルと二つの立ち上がり波形信号を示している。 本発明の実施例 本発明の実施例は、受動型LCDディスプレーに電気的励起を与えるシステム についてのものである。そのシステムのブロック図は図1に示されている。従来 のLCDパネルは、ガラス基板(1)と透明な水平電極(3)と垂直電極(4) の間に挟まれた、スペーサーを内部に分散して持っている液晶の構成材(2)か ら成る。図1の水平な電極が接着している上部のガラスプレートは透明なので図 示されていない。ここで定義する様に、水平、つまり、X又はロー電極は何本も 同じ構成の透明電極が配列される。同様に垂直、つまり、Y又はコラム電極も同 様に繰り返し配列される。ここでピクセルを作り出すためロー電極とコラム電極 は交差すると言う事実以外、電極間の寸法はここでは規定してはいない。これら の電極は互いに垂直になる様に製造されている。 この実施例において使用されているロー・ドライバー(6)は、任意の高/低 パターン電圧でもって160LCDロー/コラム電極を駆動するテキサス・イン ストルメントの部品番号TMS57210Aの様な従来の高/低電圧LCDラインドライ バーを使用する事ができる。本発明を実現するコラムドライバーIC(7)は変 換アドレシングに必要な演算を行う。 I.変換アドレシング ここにおいて記述された変換アドレシングシステムは、液晶材料がそれに対し て印加される電圧の差の二乗に応答することを利用した、LCDアプリケーショ ンで使用される。ローとコラム電極上に時間変化を伴う電圧を加えるディスプレ ー・アプリケーションでは、それぞれの電圧を、VR(t)とVc(t)とすると LCD材料は平均二乗電圧に応答する。この電圧の総和式(1)として表現され る: ここでNはフレームリフレッシュ波形(VR(t)とVc(t))に含まれる離 散標本の数である。 この総和の項を展開する事により、ピクセルに対して掛かる活性化は三つの項 の式に分ける事ができる: 一般的LCDの光学的出力は上記に示したRMS電圧式の非線形関数となる。 式(2)は、液晶材料は駆動波形のリフレッシュ周期より、非常に長い応答時間 を持っていると言う仮定のもとに、基本的なLCD応答式を表わす。より短い応 答時間を持つ材料の場合は、追加の項が、ディスプレー出力に対して影響を及ぼ す。 線形変換のベイシス・ベクトルに比例する電圧でもって、ロー電極を駆動する と同時に所望のピクセル・マトリクスの線形変換により得られる電圧でもって、 コラム電極を駆動することで変換アドレシングは行われる。ベクトルP(i)に より記述される所望の値を持ったピクセル列の一つのコラムを考える事により、 変換アドレシングの詳細が適切に示される。 以下の例において、変換アドレシングのロー信号は、ピクセル・コラム・ベク トルP(i)に作用して変換シグナルT(t)の組をつくるバイナリー変換マト リクスW(i,t)のコラム・ベクトルである。ここで、ロー・ドライバーとし て高/低ドライバーのみを必要とし、変換演算を単純化するので、バイナリー変 換が選択される。この分野の技術に熟練しているものは、Haan変換、Fourier変 換、Hartley変換そしてChirp-Z変換を含めた他の線形変換等を使って本発明の他 の実施例を作ることができる。他の変換の例としては、A.V.OppenheimとA.S.Wil lskyらの「シグナルとシステム」(Prentice-Hall,Englewood Cliffs,1983)の 本の中に見る事ができる。 この例のバイナリー変換マトリクスは、プラス又はマイナス1のみの値を持つ 事に制限されている。この変換はK.G.BeauchampのWalsh Functions and Their A pplications,Academic Press,London,1975.に記述されている様に、従来の線形 変換関係に従う。ピクセルデータと変換データ間の変換、逆変換そしてParseval の関係は、それぞれ次の様に定義されている: 本発明のロー電極は、t=0からt=N−1までのNバイナリー変換コラム・ ベクトルに比例する電圧VR(i,t)でもって順番に駆動される。同時にそれ ぞれのコラム電極、即ちピクセルP(i)のあるコラムはピクセル・データT( t)の変換に比例する電圧Vc(t)でもって駆動される。ここでVrとVcは比 例定数である: 従って、式(2)と(4)を組み合わせると、つまりピクセルのコラムに対す る活性化電圧の二乗の平均は次の様に表わされる: 注意すべき点は、W2(i,t)は常に1に等しく、最後の二項に式(3)の 関係式を代入し、式(5)を簡単化すると次式の様になることである: もし、ピクセルが、プラス又はマイナス1の値しか持たない様に制限されてい れば、式の第二項は定数であり、活性化電圧の二乗の平均は単に次の様になる: よって、N,VrとVcは定数であるから、LCD材料に掛かる活性化は、所望 のピクセル電圧P(i)に比例することとなる。 統計学的にバイナリーベイシス・ベクトルが、一般的なテレビやコンピュータ の映像に見られるどんなピクセル・コラム・ベクトルとも高度に相関する傾向が ないように選ぶことにより、LCDパネルの表示性能は変換アドレシングを使用 する事で改善される。つまり言いかえれば、T(t)の変換値は普通の映像に対 しては、ある統計学的限界をめったに越える事はないであろう。そして、ロー・ アット・ア・タイム・アドレシングの場合の様な一つの大きなパルスの代わりに 、ピクセルは多くの小さい励起パルスを受ける事を意味している。従って、LC D材料にかかる実際の励起電圧の変動は、従来のロー・アット・ア・タイム・ア ドレシングと比べ、変換アドレシング方式の方が非常に小さくなることを意味す る。 ロー・アット・ア・タイム・アドレス方式のLCDの速度限界は、総てのピク セルがそれぞれのリフレッシュ周期の間で受ける単一の大きなアドレシング・パ ルスと関連して、その大きな活性化の後に起こる大きな減衰作用から決まる。一 方本発明では、フレーム・リフレッシュ周期中それぞれのピクセルが受ける励起 を分散する事で、それぞれのピクセルの視覚的出力の減衰と、その変動は極度に 小さくなる。よって、より短い応答時間を持つ液晶材を使っても、「フレーム応 答」問題で特有のコントラストの低下に苦しめられる事がなくなる。 II.RMS訂正項 −1から+1の間のどんな価値をとる事もできるグレースケール・ピクセルの 場合、次の様な平均二乗活性化式(8)におけるΣP2(i)項(なお、文中で 用いる記号ΣP2(i)は下式に示すi=0からN−1までのP2(i)の合計と 同 じものを表すものとする。以下、同様。)は一定ではないので、RMS励起に誤 差項を生じさせる事となる。 NehringとKmetz、そして同様にSchefferとCliftonによって示されたアドレシ ング手法は、オン/オフ又は、バイナリー・ピクセルの場合にのみ有効である。 本発明はRMS訂正項を計算する事によりグレースケール・ピクセル表示を達成 する為の方式と装置を提供する。 RMS訂正項は式(8)におけるΣP2(i)項のオフセットを決定する事に より計算される。この項はピクセル値が1又はそれより小さい値をとるので、最 大値Nと最小値0の間の値をとる。本アドレシング手法は総てのロー電極を一定 値で駆動する事により、コラムにおける総てのピクセルに定数を加算しようとし 、一方同時に、RMS活性化にN−ΣP2(i)の式によって表わされる電圧を 追加して、それぞれのコラム電極を駆動する。この電圧を正確に加える事でΣP2 (i)項の影響を相殺する。 RMS訂正項VRmsCorrectは、RMS活性化を生ずる追加のロー/コラム・サ イクルを加え、RMS活性化電圧は次の様な式で表わされる 式(9)は次の様に展開する事ができる。 RMS訂正項はトータルのRMS活性化がΣP2(i)項の影響を相殺する様 に選ばれる。次の条件式を置くと トータルのRMS活性化はΣP2(i)項に対して独立したものになる。 式(11)は次の式の解を備えた二次方程式である: RMSエラー項を補う為に、総てのローラインを高い電圧(+1に対応する電 圧)で駆動し、式(13)で明記されたVRmsCorrectのシグナルでもってコラム ・ラインを駆動する事により、総てのピクセルに定数相殺項を加える。このVRm sCorrect 項はRMSエラーを正確に相殺し、平均二乗活性化電圧(次式(14) ) を結果として生じさせる。 訂正シグナルの大きさは一般的に変換シグナルよりも更に大きいので、RMS 訂正項Vrmscorrectは、それぞれのフレームリフレッシュ周期の終りに、単にコ ラム電極を駆動する様な事はできない。コラムライン上にその様に大きいシグナ ルを駆動する事は、重大な「フレーム応答」問題を招く事となる。 RMS訂正項をより小さい多くの項(Kmax+1項)に分け、フレームリフレッ シュ周期中にその項を分散する事は、一つの解決策である。本発明は式(13) の変形式としてKmax+1個の部分訂正項を計算し、次の式を得る。 ここでV(k) RMSCorrectが虚数ではない事を確実にする様に、Smaxは充分大き い定数が選択される。これらRMS訂正項はコラム電圧を駆動し、フレーム・リ フレッシュ周期中に平均的に分散される。 RMS訂正項をフレームリフレッシュ周期中に分散する事で、一つの大きなR MS訂正パルスに関連した「フレーム応答」問題は避けられる。Smaxが虚数訂正 結果となる事を避けるだけ充分大きくない時、式(15)の平方根の項はゼロと する事ができ、そして二乗変換結果の部分合計の剰余項は、次の訂正項に繰り越 される。この方式はここに「剰余項繰り越し方法」として定義する。どちらの場 合にしても、RMS訂正項の影響を式(8)に加える事により、ピクセル活性化 は計算される。その式における結果は次の様になる: よって、V2 RMS(i)は所望のピクセル値に定数を加えたものに比例する。式 (16)における項の相対的大きさは、ピクセルに対して掛けられる最大のRM S電圧を決定するので、最初の二つの定数項は、ピクセル情報項に対して、最小 にされるべきである。オンとオフのピクセル電圧の比は一般的に「選択率」と呼 ばれ、電圧の関係式としてLCDの明−暗変化に必要とされる鋭さの尺度となる 。もしVrとVcが選択率を最大にする様に選択されるならば、選択率は次の様に 単純化される: 選択率は、液晶材料の明るさが明から暗状態に変わるのに必要な電圧の範囲と して規定され、そのアドレシング方法により決まる。鋭い明−暗変化を備えた液 晶材料は製造が困難である。鋭い明−暗変化を備えていない液晶材料の使用を可 能とする為、選択率はなるべく大きくする事が必要であり、Smaxを最小限にする 事により、選択率は最大になる。よって剰余項繰り越し方式を使用して、Smaxを 減少させる事は液晶材料のより多くのものの使用を可能とする。 RMS訂正の第二の方式は、また式(8)に見られるクロストーク項を補正す る事により行われる。この第二の方式は、それぞれのピクセル値より二つの変換 項を計算し駆動を二つの位相に分け、これら二つの組みでLCD電極を駆動する 事により行われる。よって一つのピクセルにつき二つのシグナルがコラム電極を 駆動し、その二つの信号がRMSエラー項を打ち消す様に選定される。 式(5)〜(7)に見られる定義を使用する。一つの算出された項はピクセル 値P(i)に比例し、もう一方の項は√(1−P2(i))に比例する。√(1 −P2(i))の関数はデジタル・ルックアップ・テーブル又は、アナログ電圧 コンバータを含め多くの方法によって計算する事ができる。 変換演算は二つの階段に分ける事ができる。第一の演算段階は、√(1−P2 (i))項をP(i)項に加え、そして特定のバイナリー変換係数、W(i,t )、により掛け算される。この演算は、ピクセルコラムP’(i)としての一つ の変換となり、P’(i)が次の様に定義されている: 結果として生じるコラム電圧はLCDのコラムラインを駆動し、シグナルはP ’(i)の変換に比例している: 演算の第二の段階において、第二の変換項P”(i)を作る為に、√(1−P2 (i))項をP(i)から引き、次にこの第二の変換項の電圧式は、LCDの コラムラインを駆動し、第二のシグナルは次のP”(i)の変換に比例する。 式(9)〜(10)に従って数学的に計算すると、一つのコラムにおけるi番 目のピクセルにかかるトータルのRMS励起は次の式により表わす事ができる。 式(21)を次の導関数と組み合わせる: そして上記式(3)で示される関係式を代入すると、RMSピクセル励起の結 果の式は次の様になる: 従って、式(24)と式(8)を比べると、このアドレシング方式を用いるこ とで、第二の項又は、それぞれの式のクロストーク項は定数となる事がわかり、 よってRMSエラーを消去する。RMS電圧の二乗は、今や線形的にピクセル値 P(i)に比例する。この二乗関係は、アナログ入力電圧と、LCDピクセルに 掛かるRMS電圧の間の非線形関係を生ずる。しかしながら、液晶材そのものは かなり非線形的なので、付加的な歪みが、入力シグナルとRMSピクセル電圧の 間にさらに追加され線形化される。これらの付加的な非線形性は、P’(i)と P”(i)の歪み項を計算するだけでなく、特別のLCD非線形性と、ガンマ訂 正の様な他の非線形性も計算するような任意の歪み発生器がピクセル入力に対し て供給される事で、現在のシステムでは補正される。 パルス幅変調信号(以下「PWM」という。)でもってコラム電極を駆動する 場合を含め、本発明の意図から外れず、RMS補正の為に他の方式が使用できる 。PWMシグナルは、信号の符号が適当なタイミングで変化する事によりエンコ ードされる。定振幅信号であるこの方式はロー・アット・ア・タイム・アドレス ・ディスプレーにおいて、コラムラインを駆動するのに一般的に使用される。し かしながら、変換結果の統計学的な相違により、PWMコラムドライバーを用い る変換アドレシングはロー・アット・ア・タイム・アドレシングよりもっと大き いコラム電圧範囲を必要とする。十分に大きいPWMシグナルはさらに、RMS 電圧式に対して大きな定数項を加え、そして選択率を非常に減少させる。それに 加え、PWMシグナルに要求されるタイミングの正確さは、分布定数を伴った伝 送線の様に動作する抵抗付きのLCD電極に対しては非常に難しくなる。図8は 本発明により構成されたパルス幅変調の改良形コラム・ドライバーのブロック図 を示している。 RMSエラー補正の為の他の方式としては、A.R.ConnerとTJ.SchefferがPulse -Height Modulation(PHM)Gray Shading Methods for Passive Matrix LCDs’P roceedings of the 12th International Display Research Conference,pp.69- 72で記述した様に、コラムライン上を駆動する総ての変換シグナルに一定のオフ セットを加える方式がある。この方法は、映像表示以前に、一つかそれ以上の仮 想のピクセル値を再計算する事を必要とする。しかしながら、この再計算の必要 性は、この演算を行う為に必要なメモリバンド幅を非常に大きなものとし大きな 問題となる。図9は本発明により構成されたパルス高さ変調改良型アドレシング ・コラムドライバーを示している。 III.アナログ・ピクセル・マトリクス バイナリー変換とRMS訂正演算は、本発明の変換コラム・ドライバー回路( 7)によって行われる。本出願の例における図1.を参照すると、ロー・ドライ バーにはコミュニケーション・リンク(9)を通して、バイナリー・ベイシス ・ベクトル・ジェネレーター(5)からある一つの選ばれた線形変換のバイナリ ー・ベイシス・ベクトルをロードする。ここで使用されるリンクかラインは、単 に二つかそれ以上の部品をつなぐ手段である。 変換アドレシングに適するバイナリー・ベイシスはウォルシュ関数発生の様に よく知られた多くの方式を使用する事により、発生する事ができる。その様な方 式はBeauchampの著書の中でのべられている。その上、実施例のバイナリー・ベ イシス発生関数又は、総ての変換マトリクスは、半導体のメモリ内に保存される 。これらのメモリはバイナリー・ベクトル・ジェネレーターIC(5)の中に有 りデータを貯え読み書きできるメモリである。 変換コラム・ドライバー(7)には又、コミュニケーション・リンク(10) を通して、同一のベクトルがロードされる。映像情報は変換コラムドライバーの 総てに継がるリンク(12)を通し、ビデオ発生源(8)から変換コラム・ドラ イバー(7)へとロードされる。 バイナリー・ベイシス・ベクトルがピクセル・マトリクスと高度に相関してい る時は、違ったバイナリー・変換に変える事が望ましい。もしこの事が起きれば 、変換コラム・ドライバーは異なるバイナリー・ベイシスに変える為、リンク( 11)を通し、バイナリー・ベイシス関数ジェネレーターに合図する事ができる 。異なるバイナリーベイシス・ベクトルは例えばリアルタイム・ランダムに発生 するか又は、常設のメモリに保存されたベイシス・ベクトルの中から選ぶ事がで きる。 図2で示される様に、それぞれの変換コラムドライバーには、少なくとも一つ のバイナリー・ベイシス・ベクトルを保存する為のデジタル記憶機構(13)と 、アナログ・ピクセル・マトリクス保存回路を含むアナログ保存セル(14)の アレーがある。アナログ・ピクセル・マトリクス保存回路(14)はビデオ画像 変換を演算する。そして、その変換はバイナリー・ベイシス・ベクトルとビデオ 画像を表わす値、又はアナログ・ピクセル・マトリクスに保存されたピクセル情 報のベクトル・マトリクスとの掛け算である。 ピクセル情報は、ビデオ入力データの流れ(12)から横一列のピクセル情報 を捕える一連のサンプル・ホールド回路(15)を通し、アナログ・ピクセル・ マトリクスへとロードされる。テレビの様なアナログ映像アプリケーションの場 合には、図2の様にサンプル・ホールド回路だけが必要とされる。デジタル映像 の入力を備えたコンピュータ・アプリケーションの場合には、従来のデジタルメ モリ、デジタルからアナログへのコンバータ(以下「DAC」という)そして、 サンプル・ホールド回路の組み合わせが、同様の捕込み機能を備える為に使用さ れる。 捕らえ込まれた横一列のピクセル情報に比例する電圧は、リンク(17)を通 してアナログ・ピクセル・マトリクスの垂直線上を通り、ピクセル情報はアレー 中の適当なローにロードされる。ピクセル情報はアナログ・ピクセル・マトリク ス内のチャージ・パケットにて保存される。ロードされる特定のローはロード・ スキャナー(18)によってコントロールされる。そのロード・スキャナー(1 8)は入力される映像シグナルと同期して、総てのローに対して繰り返す事がで きる。ロード・スキャナーはインターリーブ・ビデオ信号のロードも行う事がで きる。入力されるインターリーブ・ビデオに同期し、総ての偶数線と総ての奇数 線に交互にロードする事で対応する。別の方式では、ランダムアクセス・デジタ ル・アドレス・デコーダーはロードすべきアナログ・ピクセル・セルのローの選 択に使用する事ができる。 演算に先立って、バイナリー・ベイシス・ベクトルは、デジタル・ベイシス・ ベクトルの記憶機構(13)へロードされる。バイナリー・ベイシス・ベクトル の情報は、アナログ・ピクセル・マトリクスへの水平方向のワイヤー(16)で もって伝えられ、そしてアナログ変換出力(19)を作る為に、アナログ・ピク セル・マトリクスに保存された値と共に掛け算が実行される。 本発明にとっては本質的なものではないが、付属の範囲外検出器(20)は、 そのアナログ変換出力が、前もって設定した相関限界を越えるかどうかを判定す るのに使用される。もし前もって設定した相関限界を越えるならば、そのフレー ム・リフレッシュ周期が完了する時に、図1のバイナリー・ベイシス・ベクトル ・ジェネレーター(5)はバイナリーベクトルを変える事ができる。従来のコン パレータ回路を使用する事で、その変換信号が前もって設定した相関限界を越え たかどうかを示す信号を論理的に組み合わせて出力する様にして、範囲外検出器 は作成される。 アナログ変換出力は、コラム電極を直接に駆動する事のできる高電圧アンプリ ファイヤー(21)の一連の回路の組に接続される。RMS訂正項(22)を演 算する回路ブロックも、高電圧アンプリファイヤーを駆動する。 アナログ・ピクセル・マトリクス・セルは、種々の半導体製造技術を利用して 、製造する事ができる。その中で望ましい技術は単一ポリシリコンCMOSであ る。なぜならそれは最も安価なプロセスであり、広く使用が可能だと言う単純な 理由による。この分野の熟練者であれば、二重のポリシリコンCMOSの様な他 の製造技術も又、セルに対してわずかに修正を加えるだけで、改善されたパフォ ーマンスを得られるので、うまく使用できるという事に気付くであろう。具体的 なアナログ・ピクセル・セルは、図3と4に示されている。これらのセルは図5 に示されている構成の様に、配置する事ができる。 図5を参照すると、装置の動作は二つの特定な段階に分ける事ができる。一つ は映像情報をメモリ・アレイにロードする段階であり、もう一つはその変換を計 算する段階である。本発明の動作を簡単に説明する為、図5はチャージ・センス とロードの回路を備えたアナログ・ピクセル・マトリクス・セルの2x4のアレ ーを示している。ここに記述されたこの構成はもちろんこの様に小さいアレーに 限られたわけではない。192出力の変換コラムドライバーICとしては、一般 的に192x512アナログ・ピクセル・マトリクスを持っている。 動作の第一段階の間、映像情報はアナログ・ピクセル・マトリクスにロードさ れる。特に映像情報は、入力される映像データ(12)の流れから、水平なロー から成るピクセルの映像情報部分、ビデオラインを捕えるサンプル・ホールド回 路(15)にチャージされる。これらのピクセル値は線(17)の上の電圧とし て表わされる。この分野の熟練者は、多くの異なったサンプル・ホールド回路を 種々の速さ、大きさ、電力消費そして正確さなど、デザイン上の考慮のもとに選 定する事により、本発明を実施する事ができるであろう。 ロード段階の間、スイッチ(60)と(61)は閉鎖されており、スイッチ( 63)と(64)は開放されている。線(32)上の電圧はバッファー(62) によって駆動されており、チャージ・スキャナー(18)はどのビデオラインが ロードされるかを覚えている。この例において、例えばロードされるビデオライ ンは、図5のアナログ・ピクセル・マトリクス・セルのアレイの一番上のローで ある。 図3の回路の表現を参照すると、単純化された物理的断面図と一組のアナログ ・ピクセル・マトリクス・セルの電子ポテンシャル図が示されている。この回路 は四つの外部からの接続線(30〜33)と、直列に接続される三つのn−チャ ンネルFETからなっている。アナログ・ピクセル・マトリクスの構造は、図3 と図5を共に観察する事で、最もよく理解される。二つの水平に接続された電極 (30,33)はアレーの両横のエッジから駆動される。一つの電極(30)は 、アナログ・ピクセル・マトリクスの特定なローへピクセルチャージをロードす る為のものであり、他の電極(33)は計算の目的で、アレー・バイナリー・ベ クトル情報でもって駆動する為のものである。一つの垂直に接続された電極(3 2)はロードの段階では、ピクセル・チャージ・レベルを定める為使用され、そ して計算段階ではバイナリー・ベイシス・ベクトルとアナログ・ピクセル・マト リクスとの積の値をセンスする事に使用される。他の垂直に接続された電極(3 1)は、一担アレーにロードされたチャージが逃げるのを妨げる。 図3の物理的断面図は三つのn−FETと、それぞれのFETのソース/ドレ イン部分を示している。それぞれのFETはソース、ゲートそしてドレイン端子 を備えている。注、シリーズの最後のFET(33)は一つのソース/ドレイン 端子のみを備えている。FET(33)はソースとドレインが共に接続されてい る三端子FETと同等である。この分野の熟練者は一つのFETが、一つかそれ 以上のソース/ドレイン端子を持つ事がわかるであろう。 図3のアナログ・ピクセル・マトリクス・セルのゲートは基板の上に位置し、 薄いゲート・オキサイド(35)により、アナログ・ピクセル・マトリクス・セ ルから分離している。アナログ・ピクセル・マトリクス・セルの特定なレイアウ トはここでの議論にとって重要ではないが、実際のデザインに対しては雑音、面 積そして正確さに関して、大変重要な要素を含む。この分野の熟練者は、ここで 記述されるアナログ・ピクセル・マトリクス・セルに対し多くの修正が可能であ りそして、それらは同じ機能をもたらす事を知っている。その様な修正は二重の ポリシリコン構成の使用、FETの追加、差分アナログ・ピクセル・マトリクス ・セルそして、迫加される水平と垂直に接続される電極を含む。これらの修正は アプリケーションに依存するものであり、本発明の範囲内の変化と考えられる。 図3の断面図の下部の電子ポテンシャル図(38〜40)はアナログ・ピクセ ル・マトリクス・セルの動作を見る便利な方法である。これらの図において、F ETゲート(31〜33)上の高い正の電圧ほど、より深い電子のウェルをそれ ぞれのFETに対応してその下の基板内に発生する。図中(38)にある様にセ ルをロードする為に、ポテンシャル・ウェルは電極(30)、(31)、そして (32)に特定な固定電圧を掛ける事で、初期化される。コラムゲート電圧(3 2)は映像サンプル・ホールド回路(15)によって駆動され、ロードされるピ クセル値に比例する。図中(39)において、第一のFET(31)のソースは 電子をセルの中に導く様に、低電圧パルスが掛かる。そして、ゲート(31)が より高い正の電圧に戻る時、コラムゲート(32)の下に残るチャージは図中( 40)に示された様に、ゲート電圧に比例する。FET(31)に低い電圧パル スを掛け、ゲート(32)により大きな電圧を掛けると、より深いウェルを作り 、そしてそのウェルはより多くのチャージにより満たされる。一般に「ポテンシ ャル・平衡技術」として知られるこの動作は、データによって変化可能な大きさ のチャージのパケットを作り出す為、チャージ・カップル・デバイス(以下「C CD」という)において使用される。例、J.D.E.Beynon and D.R.Lamb,Charge-C oupled Devices and Their Applications,McGraw-Hill,London,1980.参照。 よって、ゲート(32)上の電圧を変化させる事で、そのゲートの下に大きさ可 変のチャージ・パケットを作る事ができ、そのチャージ・パケットはFET(3 2)上のゲート電圧に比例する。 一担チャージがロードされると、セルからソース電極(30)へチャージが漏 れるのを防ぐ為、ゲート(31)に低い電圧のパルスを掛ける。この様にして、 アナログ・ピクセル・マトリクスの統べてのローは、映像データを捕込んだピク セル情報でもって満たされる。そのピクセル情報はアナログ・ピクセル・マトリ クス・セル内でチャージ・パケットとして存続する。 この分野の熟練者は、この発明の意図から離れずに、上に述べたロード手順を 実現するのに、種々の他の方式が可能である事がわかる。例えば、「パルス・ゲ ート」「ダイオード・カットオフ」技術(Beynon and Lamb,pp.186)として知 られるポテンシャル平衡技術の変形として、第一のトランジスターのゲートにパ ルス電圧を掛け、第二のトランジスターのゲートに走査する電圧を掛け、ピクセ ル電圧のレベルでもって第一のFETのソース端子を駆動する様なものが考えら れる。この実現方法において、アナログ・ピクセル・マトリクス・セルのソース 端子は垂直に接続され、ピクセル情報でもって駆動される。それぞれのセルの第 一のFETのゲート端子は、マトリクスにおけるすべてのセル間で共通である。 それぞれのセルの第二のFETゲート端子は、水平にセル間で接続されており、 ロー・スキャンとベイシス・ベクトル信号により駆動される。それぞれのセルの 第三のFETのゲート端子は、チャージ・センス・アンプリファイヤーに垂直に 接続されている。従って、図3に示されるアナログ・ピクセル・マトリクスの水 平と垂直の接続関係は、実質的に修正する事ができ、それによって同じ機能をす る事ができる。 Beynon and Lamb による記述において示されるポテンシャル平衡技術、ダイオ ード・カットオフ技術、フィードバック線形化技術、そしてダイナミック電流技 術を含む、どんなロード方法も、本発明のアナログ・ピクセル・マトリクス内に 貯えられるアナログデータのマトリクスを実現するのに、応用する事ができる。 異なるロード技術のそれぞれは、異なる電圧、接続関係と、たぶん一つのアナロ グ・ピクセル・マトリクス・セルにつき、異なる数のFETを必要とする。この 分野の熟練者は、アナログ・ピクセル・マトリクス・セルをデザインし、その動 作に必要な電極の接続関係と駆動波形を設計する時、高度な自由度が存在する事 を認識するであろう。 それに加え、二重ポリシリコンCMOS製造プロセスはアナログ・ピクセル・ マトリクスを実現する為に使用する事ができる。その場合に、Beynon and Lamb において示される様に、アナログ・ピクセル・マトリクスは、表面チャンネルC CDに類似したモードにおいて、動作する。さらに、アナログ・ピクセル・デー タは、F.J.Kub,K.K.Moon,I.A.Mack and F.M.Long,`Programmable Analog Ve ctor-Matrix Multipliers,’IEEE Journal of Solid State Circuits,Vol.SC-2 5, No.1,pp.207-214,1990.において記述されている神経ネットワーク回路におけ るFETコンダクタンスを変調するポリシリコン・キャパシター上に、チャージ として貯える事ができる。コンダクタンス変調型FETは、ローとコラムライン を接続し、それぞれのアナログ・ピクセル・マトリクス・セルの為、より多くの FET(差分のペアの様に)を使用できる様にし、そしてアナログ・ピクセル・ マトリクス・データとローライン上データの、ベクトル・マトリクス積を計算す る事ができる。従って、この分野の熟練者は、この計算の特定モードの特定電極 配列は、本発明の実施にとって本質ではない事がわかるであろう。 このアナログ・チャージ保存方式において、計算エラーの可能性を有する二つ の原因は、トランジスタ・オフセット電圧とチャージ漏れを引き起こす製造のバ ラツキである。ゲート(31)又は、ゲート(32)上のオフセット電圧は、チ ャージ・パケット・オフセットを引き起こす。このチャージ・パケット・オフセ ットはディスプレー上に固定パターンの乱れを引き起こす。一般的な製造プロセ スでは、トランジスター・オフセット電圧は、+/−30mVの範囲以内である 。ピクセル入力電圧の有効範囲はおよそ2Vであるから、そのオフセット値は計 算の正確さを1/30、又はだいたい5ビットのレベルに留める。テレビを含む ほとんどのカラーアプリケーションでは、このレベルの計算の正確さは妥当であ り、人間の目はそのエラーに気付かないであろう。より高度の正確さを実現する には、Beynon and Lamb,pp.200 に記述されているものに類似した、トランジス タ・オフセットの影響を除去できるフィードバックロード方式を使用するのが良 い。 保存されたチャージ・パケットは、−フレーム周期当たり一回リフレッシュさ れる。The National Television Standards Committee(NTSC)は、30Hzの テレビ・フレーム・レートであり、チャージ・パケットの正確さは、約30ms ecの周期で保つ事が必要である。温度に依存する基板漏洩電流は、保存された チャージ・パケットの大きさを徐々に上げる。室温でのテスト回路は、一つのセ ルにつき30mV以下の温度に依存するエラーを示し、そしてそのエラーは、ト ランジスターエラーと同じレベルであり、よって無視する事ができる。液晶材料 が一般的にさらされる限られた温度範囲のおかげで、本発明の変換ドライバーI Cは、他の一般的なICが耐えなければならない程の高い温度で動作する事を要 求 されない。さらに、チャージの増加は、一般的にアレーに対して均等に成されて いる。よってチャージの増加は、一つの変換結果にのみエラーを発生させ、以下 に述べるように明るさの制御により、簡単に補正する事ができる。 アナログ・ピクセル・マトリクス演算の計算段階の説明に入る。バイナリー変 換計算は+1又は−1による掛け算のみ(又はターナリー・ベイシス・ベクトル の場合、0を掛ける事も含む)を必要とする。図5を参照すると、演算の計算段 階は、スイッチ(60)と(61)は開放し、スイッチ(63)と(64)は閉 鎖している事が必要である。容量性フィードバック(66)を備えた単純化され たチャージ・センス・アンプリファイヤー(67)は、スイッチ(65)の連続 的な開放と閉鎖により、リセットされる。この操作は図4の表(50)と(52 )に示されている様に、コラム線(32)を中間電圧にセットするのに役立つ。 バイナリー・ベイシス・ベクトル・エレメントが、アンプリファイヤー・リセッ ト段階の間、ローライン(33)の状態を決定する。もしベイシス・ベクトル・ エレメント(BVE)が+1であれば、それに応答するロー・ラインは正の電圧 (52)に保たれて、そしてそのチャージは、ロー・ゲート下に維持される。も しBVEが−1であれば、ローラインは負の電圧(50)に保たれ、そしてチャ ージはコラム・ゲート下に維持される事になる。リセットスイッチ(65)を開 放すると、CCDチャージセンサーと類似した方法により、ローラインはそれら の下で働くチャージを検出する。CCDチャージセンサー動作の分析はBeynon a nd Lamb pp.189 において論議されている。 リセットスイッチ(65)が開放され、統ての電圧がBVE線の逆極性になっ た時、演算が起きる。この操作は、+1BVEロー・ラインがコラム・ゲート下 でチャージを転送し(53)、そして−IBVEロー・ラインがコラム・ゲート 下からチャージを取り去る結果を生む(51)。この操作は+1又は−1により チャージ・パケットの掛け算をする結果を生む。ゼロで掛け算する事は、関連し たBVEロー・ラインが逆極性にならない事に対応する。チャージ・センス・ア ンプリファイヤー(67)はコラム・ライン(32)下で動く統てのチャージを 検出し、線(19)の上のそれぞれのコラム線に電圧出力を発生する。電圧出力 は映像変換の結果であり、より特定すると、アナログ・ピクセル・マトリクス・ チャージとバイナリー・ベイシス・ベクトルのドット積である。計算が完了した 時、アンプリファイヤーはリセットされ、次の計算又は、ロード・サイクル準備 の為、そのチャージは対応するゲート下に戻される。 よって、アナログ・ピクセル・マトリクスのバイナリー変換の計算は並行にお こなわれる。アナログ・ピクセル値はピクセル・マトリクス内の、CMOS F ETゲート下に貯えられたチャージ・パケットとして表わされる。チャージパケ ットは、CMOS FETのチャージ保存特性により、情報を失う事なく、何回 も掛け算をする事ができる。それぞれの三つのトランジスタ・アナログ・ピクセ ル・マトリクス・セルは、保存、掛け算そして加算動作を実行する。 上記に述べた様に、マトリクスのロードは回路の動作とは分離された段階であ る。ほとんどのシステムでは、映像情報は、一定のデータの流れの形式として与 えられる。ロードと計算の段階は交互に実行する事ができるので、ひとつのロー は他方が計算している間、もう一方は新しいピクセル・データで更新することが できる。しかし、映像のイメージは高速で変っている可能性があるので、新しい ピクセル・データは古いフレームと、新しいフレームデータの混成線形変換を起 こさせる事になる可能性がある。特に速い場面の変化を伴う場合は、この計算上 の影響は、画質を落とす結果となる可能性がある。 このオーバーラップ問題を除去するには、二組のアナログ・ピクセル・マトリ クスを備える必要性がある。一方のアナログ・ピクセル・マトリクス内でデータ の計算が行われている間、入力映像データは他方のアナログ・ピクセル・マトリ クスに貯える事ができるようになる。第一のアナログ・ピクセル・マトリクスが ピクセルデータで満たされ、第二のアナログ・ピクセル・マトリクス内で計算が 終了すると、次の段階で第一のアナログ・ピクセルは、ハードウェアが次のデー タの計算を行い、映像データの流れは第二のピクセルマトリクスへ向けられるよ うにする。一般に「ピンポン」メモリ構造と呼ばれるこの二重構造は、多くの映 像プロセッシング・システムにおいて使用されている。この分野の熟練者たちは 、クロックの順番とメモリの構造をうまく選択する事で、柔軟に対応できる事が わかるであろう。 チャージを持っていないアナログ・ピクセル・マトリクスに対しては、BVE 線(33)とチャージ・センス線(32)の間の寄生キャパシタンスは、無視で きない程度のチャージ転送を生ずる。このチャージ転送問題を避ける為、それぞ れのベイシスベクトルにおいて、+1ベイシスエレメントの数と実際の−1ベイ シスエレメントの数とを同数にする事にして、寄生キャパシティブ・カップリン グによって注入されるチャージをゼロとする事ができる。このベイシスベクトル の制限は、変換アドレシングの有益な統計学的性質を失わせるものではない。こ の制限を満たすバイナリー変換マトリクスを作る一つの方式は、ウォルシュ変換 マトリクスのローをランダムに交換する事である。そして、DC頃の様な最低順 位の周波数成分を除く統てのベイシスベクトルは同数の+1と−1のエレメント を持つ。フレームリフレッシュ周期中に、熱メカニズムにより発生する均一なエ ラー・チャージは、DC頃の様な最低順位の周波数成分のみをチャージする。 DC変換項は一般的に他の変換項よりかなり大きい。「フレーム応答」又は範 囲外問題を避ける為、DC項は分割され、フレーム周期全体に渡ってより小さい 項として分散されLCDディスプレーを駆動する。このアドレシング方式は、R MS訂正項に使用された方法と類似している。図6を参照すると、チャージ・セ ンス・アンプリファイヤー(71)のフィードバック・ループの中でより大きい キャパシター(C3)に切り替える事により分割が起こる。フィードバック・ル ープC2とC3において、二つのキャパシターの相対的な大きさはDC項に対す る分割量、よってDC項の数も制御する。(+1と−1ベイシス・ベクトル・エ レメントは同数存在しないので)DC項に関連する寄生カップリング・チャージ をオフセットする為に、つまりセンス・ライン(32)上にチャージを注入する 式は以下に等しく、スイッチS4とS5の操作によりチャージ注入キャパシター C1は、グランドと中間電圧、Vbrightの間で切り替えられる。 brightはディスプレー全体のDCオフセットを規定しているので、Vbright は見る人により調節可能な明るさ制御として使用される。 本発明の変換結果は、平均ゼロの電圧を持つ事を保証する交互に極性の変わる 出力シグナルを、順番に提供するようにでき、よってLCDの破損を防いでいる 。この特徴は、EP0507061A2に示された装置の様な先行の技術の様に、LCDの DCダメージを防ぐ為に、統計学的解釈に頼っているものと比較すると対照的で ある。従って、以前の装置においては、DC破損を完全に保証する事はできなか った。さらにフレーム周期中全体に渡って、DC項を小さくし、分散する事によ り、本発明は一般的にエンハンスト・アドレシング方式が遭遇するDC項と関連 する「フレーム応答」の様な、どんな問題をも避けることができる。 この分野の熟練者は、この基本的な構造に対して差分動作を行う、多くの修正 を考える事ができるであろう。差分動作は、寄生キャパシティブ・カップリング 効果を打消すので、+1ベイシス・ベクトル・エレメントの数は、−1ベイシス ・ベクトル・エレメントの数と一致しなければならないと言う条件を取り除く事 ができる。更に続いて、その変換のDC成分は、変換の総てのベイシス・ベクト ル間に統計学的に分散することができる。この様な変換を作り出す一つの方法は 、そのコラムのバイナリー・ベイシス・ベクトルを持つ変換マトリクスのローの 値を逆にする事によりできる。この様にバイナリーの値を逆にする操作は、その 変換の正規直行特性を変えない。総ての変換中にDCエレメントを分散する事に より、大きな単一DCパルスによる「フレーム応答」問題は完全に避けられる。 図5のフィードバック・チャージ・センス・アンプリファイヤー(67)は図 6に示されている様に、特化されたチャージ・センス・アンプリファイヤー(7 0)により取り替える事ができるが、他のチャージ・センス・アンプリファイヤ ーの構成も同様に使用する事ができる。図6はNエレメントを持つアナログ・ピ クセル・マトリクス・セルの一つのコラムと、その線形変換演算結果をセンスし 、RMS訂正項を計算し、LCDコラム電極上にその結果のシグナルを駆動する のに必要な回路を示している。 キャパシターC4は、図5の単純化されたチャージ・センス・アンプリファイ ヤー(67)において示されるスイッチ(65)により、引き起こされるスイッ チチャージ注入の効果を減少させるのに使用される。図5のチャージ・センス・ アンプリファイヤーのリセット動作は、スイッチがチャージ注入を引き起こす事 により、変換演算エラーを生む。スイッチは、ソース/ドレイ接続間のコンダク タンスを変調する為、ゲートがハイ又はロー電圧で駆動されるp−FETとn− FETの両方を一般的に含む。スイッチを「オフ」にする動作は、例えば図5の 回路のリセット・サイクルの終りに起こる様に、n−FETのゲート電圧をハイ 電圧から、ロー電圧に駆動する事であり、そしてp−FETにとっては、逆の電 圧となる。ゲート電圧は容量的に結合され、スイッチFETのゲートとドレイン 間のキャパシタンスを通って、スイッチ端子へ行き、そしてそのキャパシタンス は、スイッチFETの大きさに比例して決まる。このストレー・キャパシティブ 結合はスイッチ端子へのチャージ注入を引き起こす。 他のチャージ注入の効果は、FET中のチャンネル・チャージの分割により起 こされる。よって、デザインするときの注意としては、高い導通に必要な大きな スイッチを使用する事と、それによって増える不要なチャージが引き起こすエラ ー問題をどのように決めるかにある。これらの効果は、P.E.Allen and D.R.Holb erg,CMOS Analog Circuit Design,Holt,Rinehart and Winston,New York,1 987においてさらに記述されている。 図6を参照すると、チャージ・センス・オペレーショナル・アンプリファイヤ ー(71)のリセット操作の間、スイッチS1とS2の両方は閉鎖されている。 S1はセンスライン(32)の大きなキャパシタンスを駆動するので、スイッチ S1はS2よりかなり大きくならなければならない。その大きさによりスイッチ S1はそれが開放されている時、センスラインに大量のチャージを注入する事が できる。S2はまだ閉鎖されているので、S1を最初に開放する事によりその出 力電圧V1は、S1チャージ注入によって影響されない。S2が開放される時、 少量のチャージ注入オフセットのみが出力に表わされる。 チャージ・センス・アンプリファイヤーの出力V1は、少なくとも一回、従来 のオフセット補正サンプル・ホールド回路(77)を通過する。本発明に使用さ れる適切なサンプル・ホールド回路は、R.Greforian and G.C.Temes,Analog MO S Integrated Circuits for Signal Processing,John Wiley & Sons,New York ,1986,p.416.のなかに記述されている。システム・タイミングにより、実際に はより多くのサンプル・ホールド回路が必要とされるが、図6にはこの機能、サ ン プル・ホールド回路のひとつだけが示されている。オフセット補正式単一ゲイン ・キャパシティブ・アンプリファイヤーの様な、他の従来と同様なサンプル・ホ ールド回路でもって代用する事ができる。 図6に示されているサンプル・ホールド回路(77)は、次の変換結果を計算 している間に、前に計算した変換結果を保存する。サンプル・ホールド・アンプ リファイヤーの出力V2は、オフセット補正を備えた固定ゲイン反転アンプリフ ァイヤーとして構成される高電圧アンプリファイヤーに接続されている。この三 つのアンプリファイヤー・システムは下記に示された特定の順番で、適切にスイ ッチをクロックする事により、完全にオフセット補正する事ができる。それに加 え、出力アンプリファイヤーのゼロ点レファレンス電圧は、下記に示されている 様に、このシステムを使用してオフセットなしに、任意にセットする事ができる 。 スイッチS1,S2とS6をこの順序で一時的に閉鎖し、そして開放する事に より、チャージ・センス・アンプリファイヤー(70)がリセットされ、オフセ ット補正操作が始まる。センス・ライン(32)上にC1を通して、ゼロ・レフ ァランス・チャージを注入する為、スイッチS5は閉鎖され、それからチャージ ・センス・アンプリファイヤー(70)から出力電圧V1(下記に等しい)を出 力する。 ここでVoslは演算アンプリファイヤー(71)の固有オフセット電圧であり 、VrefはDCレファレンス電圧であり、Vzeroは、高電圧アンプリファイヤー 出力Vcolのゼロ点電圧をセットする調整可能な電圧である。キャパシターC1 はまた、上記に議論された寄生カップリング・キャパシタンスを補正する為、D C変換項の計算の間にチャージを注入するのに使用される。アンプリファイヤー (70)からの出力電圧は、スイッチS7〜S9を適切にクロックする事により 、サンプル・ホールド・アンプリファイヤー(77)を通る。適切なクロックの 方法はGr egorian and Temes p.416 に見つける事ができる。クロックの方法を適切にする 事により、以下の式の様に何のオフセットも出力しないようにする事ができる: ここでV2はサンプル・ホールド回路(77)の出力電圧である。サンプル・ ホールド回路(77)は、電圧V2をほとんどの演算時間に渡って一定にする為 、チャージ・センス・アンプリファイヤー電圧V1を素早くサンプルクロックす る事ができる。サンプル・ホールド回路は、V2に何の影響も与えずにV1を変 化させる事ができる。V2は出力電圧Vcolを駆動する為に、使用される。 そして、スイッチS10,S12とS13は、出力アンプリファイヤー(73 )をリセットする為に閉鎖される(この場合順番は重要ではない)。高電圧アン プリファイヤー(78)のオフセット電圧はキャパシターC7とC8に保存され る。スイッチS11が閉鎖された後、それからスイッチS13、S10そしてS 12はこの順番に開放され、その結果としてオフセットなしに、出力電圧Vcol はVlowと等しくなる。Vlowは高電圧操作アンプリファイヤー(73)への正の 入力であり、下記に説明する理由により、グランド電圧(0V)に近い低電圧に なる様に選ばれる。Gregorian and Temes において記述されている様に、良く知 られているスイッチド・キャパシター・フィルターの原理に従えば、このスイッ チの正確なクロック・シーケンスを同じオフセット補正結果を達成する様に、修 正する事ができる。 一度オフセット演算操作が終了すると、アンプリファイヤー・システムは次の 演算サイクルの開始が可能となる。チャージ・センス・アンプリファイヤーは以 前に記述された方法を使用してリセットされ、変換演算はバイナリー・ベイシス ・ベクトルに従って、センス・ライン(32)下のチャージの転送により変換演 算が行われる。その結果、コラム・チャージ・センス・アンプリファイヤーの出 力は、以下の電圧を生ずる: ここでQ(i)はマトリクス・セルの特定なコラムに実際に貯えられたチャー ジの量であり、W(i,t)はアナログ・ピクセル・マトリクスと掛算される+ /−1の値を持つベイシス・ベクトルである。V1は以前と同様にサンプル・ホ ールド回路(77)を通り、その値(つまり、式(20))から次式の量だけV 2を変える: これらの演算操作は、以下の式で表されるコラム出力電圧Vcolを作り出す: colはオフセット・エラーとは関係がなく、任意に設定されたゼロ・レファ レンス出力電圧を持つ。そのゼロ・レファレンス点は、前段のアンプリファイヤ ーの電源電圧の範囲外の電圧にセットする事ができ、高電圧アンプリファイヤー (73)のどちらの差分入力電圧よりもずっと大きくする事ができる。 他のアンプリファイヤー構成であっても、チャージ・センス・アンプリファイ ヤー(70)、サンプル・ホールド(77)、そして図6に示されている高電圧 アンプリファイヤー(78)回路機能を実現する事ができる。例えばGregorian and Temes に述べられている技術と回路を使用する事である。更にはGregorian and Temes において記述されているガイドラインの範囲内で、所望のオフセット 補正を保って増幅しながら、前に述べたスイッチの正確なクロッキングの順番を 修正する事ができる。これらクロッキングの修正は、本発明の範囲内にあると考 えられている。 上に述べられた装置はピクセルデータの線形変換を計算する為、チャージ転送 技術を使用する。この分野の熟練者はCMOS FETのゲートの下のチャージ ・パケットを巧みに扱うことによって可能となる基本的な特徴である低電力、高 密度のメモリ回路、一般的に利用可能な低電圧のCMOS技術を使用してこれら の回路を作ることが可能であり、高メモリバンド幅及びその他の優利な点を認め るであろう。本発明によって、多数の他のロード方法と計算の手法が、アナログ ・ピクセル・マトリクス・セルの中のチャージを扱い、種々の所望の計算結果を 得る事が可能となる。IV.高電圧出力アンプリファイヤー 本発明の映像イメージ変換信号は増幅され、従来のLCDドライバーICの種 々のものを使ってLCD電極を駆動する事ができる。出願人は、この高電圧アン プリファイヤーの回路方式を実現するのに、低電圧CMOS製造プロセスを使用 し、その回路をアナログ・ピクセル・マトリクスと同じ単一基板上に集積する事 ができ、非常に望ましいものとしてこれを採用する。 図6に示されている高電圧演算アンプリファイヤー(73)は、速いライズ/ フォールタイムを備え、コラム線の比較的大きい容量性の負荷を駆動する事がで きる。本アンプリファイヤーは、標準CMOSトランジスターの電圧特性を越え ず、高電圧出力を実現する為、一般的な低電圧CMOS製造プロセスにある寄生 素子を使用する。本発明により出力電圧の範囲は、このアンプリファイヤーを作 成する製造プロセスで決まる標準トランジスターの最大規格電圧より、数倍大き い出力電圧範囲を達成する事ができる。 標準CMOS製造プロセスは、従来のロー・アット・ア・タイム・アドレシン グ、又は変換アドレシングのどちらでもLCDを駆動するのに必要な高電圧(> 10V)と、大きい外部負荷(>100pF)を駆動するアンプリファイヤーの 作成には通常使用できない。ドレインのツェナー効果、短いチャンネル部分にお ける貫通、そしてホットエレクトロン効果によるオキサイド・インシュレーター 破損の為、一般的なCMOS FETは<10Vの電圧において破壊される。J. Y.Chen,CMOS Devices and Technology for VLSI,Prentice Hall,Englewood C liffs,New Jersey,1990. 受動型LCDドライバー回路を含め、多くのアプリケーションは、高電圧駆動 と大きな容量性負荷を駆動できる出力ドライバーを必要とする。以前は受動型L CDのドライバーICは、標準CMOS製造プロセスよりも高価な、特別な高電 圧CMOS製造プロセスを必要としていた。本発明は高電圧出力アンプリファイ ヤーを、一般的な低電圧(例えば5V以下)CMOSプロセスでもって製造でき る事を可能にする。標準製造プロセスを使用することで、LCDドライバー・チ ップのコストを大幅に減少する事ができる。そして標準プロセスを使うことによ ってのみ、変換アドレシングを実現するのに必要な、より最新の進んだ電子工学 のモノリシック集積技術が利用可能になる。 出願人の好む高電圧スキャン・アンプリファイヤー回路はここで記述され、図 10に示されている。この高電圧アンプリファイヤー回路と他の変化例は、本発 明と共に使用するのがふさわしく関連出願において記述されており、シリアル・ ナンバーを08/185,540として、本発明と同時に出願されている。 図10に示されている繰り返される回路のエレメントは、二つのトランジスタ の高電圧電流ソースとプルダウン回路である。高電圧プルダウンは、二つのn− チャンネルFETトランジスターの組であり、その最初(101)のトランジス タは標準ポリシリコン・ゲートである。二つめのトランジスター(102)は寄 生フィールド・オキサイド・トランジスターであり、その断面図は図11に示さ れている。薄いゲート・オキサイドを使用する一連のトランジスタはCMOSプ ロセスを使い、製造される。たとえば、Z.Parpia,C.A.T.Salama and R.A.Hadaw ay,`Modeling and Characterization of CMOS-Compatible High-Voltage Devi ce Structures,'IEEE Transactions on Electron Devices,Vol.ED-34(11),pp. 2335-2343,1987.参照。トランジスター(102)の性能は充分ではないが、 ここにおいてカスケード・トランジスターとして使用される。カスケード・トラ ン ジスターの例はAllen and Holberg,p.233 に見る事ができる。カスケード・ト ランジスターとして、寄生フィールド・オキサイド・トランジスター(102) は、第一のn−FET(101)の制御電流のみを通す。もしフィールド・オキ サイド・トランジスター(102)が飽和状態に保たれれば、(例えば、そのゲ ート電圧は十分に高くなるので、フィールド・オキサイドFET(102)の飽 和状態電流はn−FET(101)における電流より大きい)プルダウン回路に おける電流は制限され、よって薄いゲート・オキサイド・トランジスター(10 1)によって制御される。 標準CMOSプロセスにおける寄生ウェルーバルク・ダイオード(well-to-bu lk diode)は、一般的には40V以上の逆バイアス電圧を維持する事ができる。 よってトランジスター(102)のドレインは、約40V以下の電圧では壊れな い。Chenの文献において記述される様に、突抜け効果によるトランジスター破壊 はチャンネルの長さを一般的に数ミクロン増加させる事で避ける事ができる。図 11を参照すると、フィールド・オキサイド(121)はフィールド・オキサイ ド・トランジスターの実効的なゲート・オキサイドとして作用し、大きな電圧を 維持する事ができる。実効的なゲート・オキサイドの厚さは減少されているので 、フィールド・オキサイドFETの中間部分の下に、ポリシリコン・ゲート(1 20)を加える事により、トランジスターの性能は最大となる。図11に示され ているFETはある程度高い限界(一般的には15V以上)を伴う高電圧装置で あるが、ここにおいてはカスケード・トランジスターとしてのみ使用されている ので、高い方の限界は高電圧アンプリファイヤーの性能にとって有害となるわけ ではない。 図10を再び参照すると、高電圧アンプリファイヤーの出力プルアップ部分は 、pチャンネル電流ミラー(103)のカスケードでもって構成される。カスケ ードの最上部は高電圧電源VDDhighと接続されており、その出力電源は、LCD のコラム・ラインを駆動するのに使用される。カスケードにおけるそれぞれの電 流ミラーは、それ自体のn−ウェルにおいて製造される。それぞれのミラーは、 装置破壊を引き起こすドレイン・ソース過電圧から装置を保護する寄生ツェナー ・ダイオードにより、高電圧を徐々にドロップさせる。 図10の寄生ツェナー・ダイオードは、図12に示されているn−ウェルにお いて、p+拡散と接触しているn+拡散を配置する事で作られる。一般的なCM OSプロセスに製造された寄生ツェナー・ダイオードは3〜5Vの間のツェナー 破壊電圧を持っており、よってそれぞれのカスケード電流ミラーステップの最大 ソース・ドレイン電圧ドロップを決める。 図10における電流ミラーステップの多くをカスケード接続する事により、最 大出力電圧範囲はカバーされる。電流ミラー(103)の電流入力は、高電圧金 属FETカスケード(102)により供給される。そして、直列連結された従来 型n−チャンネルFET(101)の組は高電圧プルダウンを形成する。出力プ ルダウン(104)は、高電圧電流源によりバイアスされている同様なカスケー ド接続された電流ミラーの組により構成されている。 カスケード接続された電流ミラー部分の数は様々で、特定の半導体製造プロセ スと必要な出力電圧範囲に合う様に調整する事ができる。ツェナー・ダイオード はカスケード接続において、それぞれの電流ミラーステップ当たりドロップされ るトータルの電圧を制限する。種々の条件において、これ以上、又はこれ以下の 数も適切ではあるが、好ましいステップの数は3か4である。この出力ステップ は又、n−ウェルプロセスに制限される分けではなく、総てのnとpの部分を交 換し、総ての電圧を逆にする事により、p−ウェルプロセスで置換できる。 高電圧出力部分は二つの制御電圧が必要なので、二本のラインを持っている。 その1つのライン(105)はプルアップ側を制御し、もう1つのライン(10 6)はプルダウン側を制御する。高電圧電源、VDDhighの静止時の電流を減少す る為に電流切り換え回路を使用し、その適切な例は図10に示されている。具体 的な電流切り換え回路は、例えばFETの(107)と(108)の様な二つの 付加的な電流切り換えパスを伴う差動ペアからなる。ゲート(107)と(10 8)上の二つの入力電圧が同じである時、大部分のバイアス電流は、中間点FE T(109〜110)を通して流れる。入力電圧に差があると、電流がn−チャ ンネルFET(110〜112)を通して流れるようになる。この電圧差から起 こる電流の流れは、ライン(105)と(106)を通し、出力プルアップとプ ルダウン回路を駆動する。同じ電圧が入力端子にある時、電流ターン・オフの程 度は、中間点(109〜110)のトランジスターの大きさと、外部点(107 〜108)トランジスターの大きさに対する比で決められる。付加的なトランジ スターの組(113〜114)は、出力Vcolが駆動されない時、差動ペアーか ら流れる電流を切換えるためのものである。 LCDシステムにおいては一般的に矩形波出力を用いるので、この電流切換方 式は静止時のバイアス電流が大きな出力トランジスター(101〜104)を通 して、流れるのを防ぎ、大きな電力を節約をする事ができる。この電流切換回路 は、例えばAllen and Holberg において記述される様な、伝統的に用いられてい るアクティブ・バイアス・アンプリファイヤーに対して、優利性を持っている。 そしてそこでは不安定問題は存在しなく、よく特性の合った部品を組合せ使用す る必要もない。 図6のアンプリファイヤー・システムのスイッチS13は、低電圧CMOSプ ロセスにおいて製造されるFETの電圧制限を越える可能性の有る一つの端子を 持っている。よって、高電圧(5V以上)を扱う事のできるスイッチを、この回 路で必要としている。それにふさわしい一つの例は、図13に示されている。ス イッチの働きは標準のp−FET(131)とn−FET(130)スイッチ・ ペアによって行われる。高電圧FET(132)は、スイッチの一方の端子と高 電圧との間をバファーする様に働くので、その端子を高電圧回路に接続する事が できる。注、高電圧カスケード・トランジスター(132)は、もしそのソース 電圧が、一般的に1V以下の低電圧になければ、伝導状態になる事はできない。 この理由によって、高電圧アンプリファイヤーへの正の入力は、低電圧Vlowに 置かれている。アンプリファイヤー(73)がスイッチS13の閉鎖によりリセ ットされている時、アンプリファイヤーの反転入力はほぼVlowで駆動される。 そしてそれは高電圧カスケード・トランジスターの導通を可能にするほど充分低 くセットされる。注、高電圧アンプリファイヤーの差分ペアーは、低入力電圧に おいて適切に機能できるp−FETから成る。 V.RMS補正回路 図6の説明を続ける。RMS訂正項は、変換の結果が生ずる時に計算される。 RMS訂正項は、それぞれのフレーム・リフレッシュ周期を通して、均衡して分 散される。RMS訂正項の数Kと、変換結果の数Nは、RMS訂正項間の変換計 算の数を特定する。システムはN/Kmax変換項を計算し、それからRMS訂正 項、そしてDC変換項を計算する。この発明を実施する為に特別な順番や項の数 は必要とされない。式(15)におけるRMS訂正項は、定数をこの式に導入す る事で単純化する事ができる。 ここでB1とB2は定数である。変換結果の二乗の部分合計が計算され、定数 (B2)から引かれ、二乗根が取られ、そしてその結果の電圧は定数オフセット (B1)を加えコラム電極に加えられる。 RMS訂正項を計算する為に図2の回路構成ブロック(22)において、変換 結果の二乗が計算され、合計される。この回路構成ブロックを実現する為、多く の異なる従来の方法を使用する事ができる。そしてそのいくつかの方法はAllen and Holberg,p.631に、又C.A.Mead,Analog VLSI and Neural Systems,Addkis on-Wesley,Reading,MA,1989,p.238.において記述されている。従来のアナロ グ「二乗と積分」回路を、この機能の為に使用する事ができる。従来のアナログ からデジタルへの変換(ADC)は、アナログ変換出力部において行われ、その 結果はデジタル的方法で二乗され合計された。本発明では、アナログ情報の比較 的遅いサンプル率の為、二乗と合計の計算を行うのに、多分割されたデジタル回 路構成を使用する事ができる。多分割化する事によりチップ面積を節約し、よっ て製造コストを減少させる。 ハイブリッド・デジタル/アナログ・システムは、図6に示されている。二つ の例の電圧と波形は、関連する入力シグナルに対応して、図14に示されている 。チャージ・センス・アンプリファイヤー(70)のアナログ変換出力は、サン プル・ホールド回路(79)によってサンプルされ、そしてコンパレーター(7 5) によりデジタル・パルスのある幅に変換される。変換シグナルは、従来の直列式 ADC(80)として動作するコンパレーターの負の入力に入力され、立ち上り シグナルVrampと加算される。コンパレーターの出力はデジタル・パルスであり 、そこでアナログ変換値は、出力信号の変化点の時間位置として記号化されてい る。二つのシグナルの出力は、ADC出力として図14に示されている。この出 力パルスは、排他的論理和(XOR)ゲート(81)の一方の入力に入力され、 他方の入力には参照タイミング・シグナル、Zclkが入力される。Zclkは、変換 結果がゼロになり、ADC出力の変化を引き起こすタイミングで値が変化する。 XOR論理ゲート(81)は、Zclkの変化点のどちら側においても、直列式A DC(80)からの信号をパルス信号へ変換する。図14に示されている様にX ORoutは、ゼロ点近くにおける変換結果の大きさに比例する幅を持っている。 この幅のパルスはゲート(ANDゲート(82)を通し)として作用し、シグ ナルがアップ・カウンター、カウンター1(83)、に入る周波数変調シグナル SQRclk を制御する。従来のCMOSカウンター回路は、本発明を実現するの に使用する事ができ、それにふさわしい例はN.H.Weste and K.Eshraghian,Prin ciples of CMOS VLSI Design,Addison-Wesley,Reading,MA,1993,p.539に記 述されている。クロック信号SQRclkは、図14に示されているゼロ点変化に 対する相対的時間に比例する周波数を持つ。カウンター1(83)は、変換パル ス幅の大きさにより、周波数変調クロック信号の数の総和を計算する。カウンタ ー1の増加量は、変換の大きさの二乗に比例する。よって、多くの変換計算に対 するカウントの総和は変換結果の二乗の合計を表わす値となり、必要とする結果 が得られる。 この二乗回路の正確さは、カウンター1(83)が確実に動作できるクロック の周波数範囲によって決まる。ADCのクロック周波数は一般的に2から4MH zである。一方単一ポリシリコン製造技術を使ったカウンターは20MHz以上 で確実に動作する事ができる。従って、SQRclkに対して周波数範囲で約4か ら8倍の余裕でもって所望の計算に対して充分な正確さを実現する。 式(24)の定数B2は、単にカウンター1(83)の最大カウントである。 B2からN/Kmax項の変換結果の二乗の総和を引いた値がカウンター1(83 ) に残された残りのカウントである。この差の二乗根を計算するのに、二乗根クロ ックSQRTclkが使用され、カウンター1に残された値をカウントする。適切 にクロックする方法は図14に示されている。カウンター1(83)がその最大 値に達するとライン(85)の桁上シグナルが発生する。ライン(85)の桁上 シグナルは、直線立ち上がり信号Vrampをサンプルする為に働くスイッチS19 〜S21を活性化する。アンプリファイヤー(76)は、スイッチ・パルスのタ イミングをアナログ電圧に変換する直列式DAC(86)として働く。 図6の論理ブロック(84)は、桁上げシグナル(85)によりDACスイッ チS19〜S21を駆動する適切なパルス・シグナルを発生する。例えばRMS 訂正電圧の様なDAC(86)出力電圧は、スイッチS22〜S23を使用し、 サンプル・ホールド(77)入力に接続される。Vref,(例えばS23は閉鎖 、S22は開放)からDAC(86)出力電圧(例えばS22は閉鎖、S23は 開放)へ切変える事により、RMS訂正項(Vrefと名付けられる)はサンプル ・ホールド(77)へ入力される。この動作により高電圧出力アンプリファイヤ ー(78)の出力を適切なRMS訂正項でもって、ディスプレーのコラム電極を 駆動する事が成される。 DAC(86)の最小電圧出力Vminは、コラム出力電圧を駆動する電圧がロ ー電極上の電圧に等しくなる様に調節される。この場合において、特定なディス プレー・コラムにおける総てのLCDピクセルに掛かる電圧は、例えばゼロRM S訂正の様に、ゼロとなる。 カウンター1(83)がその最大カウントを越え、そしてRMS訂正演算期間 終了以前に桁上げシグナルを生ずる場合、付加的なカウンター、カウンター2( 87)の値が増加される。もしカウンター2(87)がゼロでない場合、次のR MS訂正項は、DACスイッチ・パルスのタイミングを通し、Vminにセットさ れる。この決定は論理ブロック(84)によってなされる。この場合において、 カウンター2(87)はSQRTclkによってクロックされ減少し、カウンター 1はクロックされない。従ってカウンター1はRMS訂正項の残りを保有し、D AC(86)は最小訂正項を発生する。カウンター2(87)がゼロまで減少さ れた時のみDAC(86)出力は、Vmin以外のある値になる。よってこのシス テム は、上に述べたキャリー・オバー方式の残りの値の計算を実現する事ができ、こ のアドレシング方式の選択率を最大にする事ができる。 参照タイミング・シグナルとADC/DAC立ち上がりシグナルは、総ての出 力回路に共通な総括的なシグナルである。これらのシグナルは、コラム・ドライ バーIC上、又は他のコラム・ドライバーICにシグナルを供給する別のIC内 で発生することができる。 RMS補正を行う交流LCD駆動補正システムが、図7に示されている。この システムにおいて、アナログ・ピクセル・マトリクスは図6に記述されているマ トリクスの2倍の大きさであり、それぞれのピクセル用に二つのチャージ・パケ ットを貯える事ができる。図7を参照すると、二つのLCDコラム電極に対する プロセッシングの回路と画像シグナルを駆動する回路とが示されている。又差動 チャージ・コラムと称されるアナログ・ピクセル・セルの付加アレーが示されて いる。この差動チャージ・コラムは、コラム内のそれぞれのセルに等しいチャー ジセットをロードし、そして差動シグナルを生ずる。この差動シグナルとは、容 量性カップリングによりコラム・チャージ・センス・アンプリファイヤーから引 かれたものである。 アナログ・ピクセル・マトリクスに貯えられたチャージ・パケットの一つは、 ピクセル値P(i)に比例する。その他の保存されたチャージ・パケットは√( 1−P2(i))に比例する。それぞれのピクセルの保存位置は二つのアナログ ・ピクセル・マトリクス・セルから構成されている。二つのバイナリー・ベイシ ス・ベクトル電極が一つのピクセル位置に存在し、コラム・センス・ラインから P(i)と√(1−P2(i))の二つの貯えられたチャージを交互に足すか引 くかする為に使用される。このシステムは、上に示した式(18)から(24) までにおいて記述されたアルゴリズムを実現する為に使用する事ができる。 P(i)項は、上に記述された同様な方法でアナログ・ピクセル・マトリクス へロードされる。図7を参照するとP(i)項は、一つのピクセルにつき、二つ ある保存セルのうち一つへロードされる。√(1−P2(i))項は従来のデジ タル・ルック・アップ・テーブル、又は従来のアナログの電圧から電圧へのコン バーターを使用する事により計算される。一度√(1−P2(i))が計算され ると、 上に記述された同様な方法でピクセルの第二の保存セルにロードされる。 変換計算と出力シグナル駆動ステップは二つのステップによって実行される。 第一のステップにおいて、P(i)+√(1−P2(i))のバイナリー変換が 計算され、LCDコラム電極を駆動する。この操作は、この計算ステップでそれ ぞれのピクセル保存場所において、二つのアナログ・ピクセル・セルに接続した 二つのバイナリー・ベイシス・ベクトル電極を同じ方向にパルスする事により実 行される。第二のステップにおいて、ピクセルの保存場所において、二つの貯え られたチャージの差の変換、そしてそれはP(i)−√(1−P2(i))に比 例したものが計算され、LCD電極を駆動する。この操作は、アナログ・ピクセ ル・マトリクスの計算ステップの間、それぞれのピクセル保存場所において、二 つのアナログ・ピクセル・セルに接続した二つのバイナリー・ベイシス・ベクト ル電極を逆方向にパルスする事で実行する。 √(1−P2(i))項を作り出す為の電圧から電圧へのコンバータの例は、 図15に示されている。そしてその項は、図7に示される回路と伴に使用する事 が適切である。第一の立ち上がりシグナルは従来から使われているスイッチド・ キャパシター積分回路によって作り出される。スイッチド・キャパシター積分回 路の適切な例は、Gregorian and Temes,p.278 に記述されている。この立ち上 がりシグナルは図16においてVramp1として示されており、映像サンプル・ホ ールド回路の出力と共に、容量結合されコンパレーター(132)の負の入力に 接続される。この映像サンプル・ホールド回路は、映像情報の連続的な流れから 映像入力シグナルP(i)を入力している。このコンパレーター(132)は、 映像入力シグナル電圧により決定されるタイミングだけ変化するバイナリー出力 シグナルを作り出す。その変位出力は、デジタル・サンプル・シグナルとして使 用される。そしてそのシグナルは第二の立ち上がりシグナルVramp2をサンプル し、そのサンプルされた電圧を第一のサンプル・ホールド回路(133)に保存 する。Vramp2はまた、図16に示されている。第二のサンプル・ホールド回路 (134)は、変換された映像ピクセル電圧を出力するのに使用される。立ち上 がりシグナルを適切に選ぶ事により、入力電圧と出力電圧の間の任意マッピング を実現する事ができる。この例において図16に示された立ち上がりシグナルを 使用する事 は、入力電圧はP2(i)に比例し、図15に示されている回路の出力電圧は√ (1−P2(i))に比例することを意味する。 ここにおいて記述された例と図は本発明の一つの例とするものであり、この例 に限定するものではない。この分野の知識を持つ者であれば、本発明の意図する ものから離れることなく、多くの変化がここに示された実施例に対しなされるこ とを理解するであろう。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年8月14日 【補正内容】 の結果、ある電圧限界を超える事は稀であろうし、ピクセル励起の程度もその範 囲に同様におさまるであろうことが期待できる。よって、ピクセルは大きな一つ のパルスを受ける代わりに、フレームリフレッシュ期間中に分散された多くの小 さな励起を受ける。LCD材料の瞬間的応答と関連して、その結果はロー・アッ ト・ア・タイム・アドレシングによって得られるものよりも、よりスムーズな光 出力波形になる。それに加え、コラムドライバーの電圧範囲は、変換結果が統計 学的に限られた範囲を超える可能性がほとんどないので、狭い範囲に限定する事 ができる。従って、低電圧回路をこのアドレシング方法の具体的回路で用いるこ とができ、コストと消費電力を低下させる。 NehringとKmetzによって提示されていないある重要で実際的な問題は、LCD 材料が、逆変換が必要なロー/コラム電圧の内積にのみ応答すると言う事実以外 にRMS電圧に応答することである。NehringとKmetzの記事と、P.M.AltとP.Ple shkoの`Scanning Limitations of Liquid Crystal Displays,`IEEE Transacti ons on Electron Devices,Vol.ED-21,pg.146,1974 の両方の記事に提示され ているLCD応答の為の正確な表現式は下記である: ピクセルに印加されるRMS電圧に対するこの式は三つの項を含んでいる。第 一項はベイシス・ベクトルの一定値のRMS寄与項である。それらのベイシス・ ベククトルを代表する電圧がLCDのロー電極を駆動する。第二項は交さ項であ り、それはロー/コラムベクトルの目標とする内積であり、必要な逆変換を行う 。第三項はある一つのコラム内において統てのピクセルに共通であり、そのコラ ムにおけるピクセル値の二乗の総和に比例する。NehringとKmetzの記事において 、そしてそこでNehringとKmetzはバイナリー・ピクセル・データの可能性のみを 考慮しているので、上記式の第三項は一定となる。しかし実際問題として、第三 項はグレースケール(すなわち、2値ではないもの)ピクセル値に対しては変化 し、 ジ・センス、RMS補正、高電圧出力回路の詳細な回路図である。 図8はパルス幅変調を使ったエンハンスト・アドレシング・コラムドライバー のブロック図である。 図9はパルス高さ変調を使ったエンハンスト・アドレシング・コラムドライバ ーのブロック図である。 図10は図6〜9中に示されている回路で使用されている高電圧オペレーショ ナル・アンプリファイヤーの詳細な回路図である。高電圧オペレーショナル・ア ンプリファイヤーは広い範囲の出力電圧を達成する為、分離されたn−ウェルに よってそれぞれ形成される縦続接続されたp−FET電流ミラーを使用する。 図11は図10の高電圧オペレーショナル・アンプリファイヤーと、図13の 高電圧スイッチにおいて使用される寄生フィールド・オキサイドFETの物理断 面図である。 図12は図10の高電圧オペレーショナル・アンプリファイヤーにおいて過電 圧保護として使用される寄生ツェナーダイオードの物理断面図である。 図13は高電圧フィールド・オキサイドFETと標準低電圧FETから構成さ れている高電圧スイッチである。この特別なスイッチは図6の高電圧アンプリフ ァイヤーのリセットスイッチS13に使用されている。 図14は図6において、回路の動作を説明する為に使用する一連の立ち上がり 波形、クロックそして出力波形を示している。 図15は図7に示されている回路と共に使用される電圧から電圧へのコンバー タの回路図である。 図16は図15において示される電圧から電圧へのコンバータと共に使用され る二つのブランク(帰線)シグナルと二つの立ち上がり波形信号を示している。 本発明の実施例 本発明の実施例は、受動型LCDディスプレーに電気的励起を与えるシステム についてのものである。そのシステムのブロック図は図1に示されている。従来 のLCDパネルは、ガラス基板(1)と透明な水平電極(3)と垂直電極(4) によりデジタル・パルスのある幅に変換される。変換シグナルは、従来の直列式 ADC(80)として動作するコンパレーターの負の入力に入力され、立ち上り シグナルVrampと加算される。コンパレーターの出力はデジタル・パルスであり 、そこでアナログ変換値は、出力信号の変化点の時間位置として記号化されてい る。二つのシグナルの出力は、ADC出力として図14に示されている。この出 力パルスは、排他的論理和(XOR)ゲート(81)の一方の入力に入力され、 他方の入力には参照タイミング・シグナル、Zclkが入力される。Zclkは、変換 結果がゼロになり、ADC出力の変化を引き起こすタイミングで値が変化する。 XOR論理ゲート(81)は、Zclkの変化点のどちら側においても、直列式A DC(80)からの信号をパルス信号へ変換する。図14に示されている様にX ORoutは、ゼロ点近くにおける変換結果の大きさに比例する幅を持っている。 この幅のパルスはゲート(ANDゲート(82)を通し)として作用し、シグ ナルがアップ・カウンター、カウンター1(83)、に入る周波数変調シグナル SQRclk を制御する。従来のCMOSカウンター回路は、本発明を実現するの に使用する事ができ、それにふさわしい例はN.H.Weste and K.Eshraghian,Prin ciples of CMOS VLSI Design,Addison-Wesley,Reading,MA,1993,p.539に記 述されている。クロック信号SQRclkは、図14に示されているゼロ点変化に 対する相対的時間に比例する周波数を持つ。カウンター1(83)は、変換パル ス幅の大きさにより、周波数変調クロック信号の数の総和を計算する。カウンタ ー1の増加量は、変換の大きさの二乗に比例する。よって、多くの変換計算に対 するカウントの総和は変換結果の二乗の合計を表わす値となり、必要とする結果 が得られる。 この二乗回路の正確さは、カウンター1(83)が確実に動作できるクロック の周波数範囲によって決まる。ADCのクロック周波数は一般的に2から4MH zである。一方単一ポリシリコン製造技術を使ったカウンターは20MHz以上 で確実に動作する事ができる。従って、SQRclkに対して周波数範囲で約4か ら8倍の余裕でもって所望の計算に対して充分な正確さを実現する。 式(31)の定数B2は、単にカウンター1(83)の最大カウントである。 B2からN/Kmax項の変換結果の二乗の総和を引いた値がカウンター1(83 )

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.(a)画面を構成するビデオ情報をアナログ・ピクセル・マトリクスにロー ドし、ビデオ情報をビデオ情報マトリクスとして貯えるステップ; (b)アナログ・ピクセル・マトリクスにおいて、ベイシス・ベクトルをバイ ナリー又はターナリー・ベイシス・ベクトルから成るグループから選択し、ビデ オ情報変換ベクトルを作る為にベイシス・ベクトルとビデオ情報のベクトル・マ トリクス積を計算するステップ; (c)ビデオ情報変換ベクトルに対応する電圧でもって、液晶ディスプレーの 少なくとも二つのコラムを駆動するステップ; (d)ベイシス・ベクトルに対応する電圧でもって、液晶ディスプレーの少な くとも二つのローを同期して駆動するステップ を有することを特徴とする液晶ディスプレーを駆動する為の方法。 2.請求項1記載の方法において、さらに、RMS訂正項でもって、液晶ディス プレーの少なくとも一つのコラムを駆動する為のステップを有することを特徴と する液晶ディスプレーを駆動する為の方法。 3.請求項2記載の方法において、RMS訂正項でもって、液晶ディスプレーの 少なくとも一つのコラムを駆動する為のステップが、 (a)ビデオ画像変換ベクトルの二乗を合計するステップ; (b)第一定数値からビデオ画像変換ベクトルの二乗の合計を引く事により、 残りの値を計算するステップ; (c)残りの値の二乗根を計算するステップ; (d)残りの値の二乗根に第二定数をたす事により、RMS訂正項を計算する ステップ; (e)RMS訂正項の電圧でもって、液晶ディスプレーの少なくとも二つのコ ラムを駆動するステップ;そして (f)これら動作と同期して、液晶ディスプレーのロー線の総てを一定の電圧 レベルで駆動するステップ からなることを特徴とする液晶ディスプレーを駆動する為の方法。 4.請求項1記載の方法において、画面を構成するビデオ情報をアナログ・ピク セル・マトリクスへロードするステップが、 (a)複数のビデオ・サンプル・ホールド回路にビデオ情報の一ライン分を貯 えるステップ; (b)貯えられたビデオ情報を表わす電圧でもって、アナログ・ピクセル・マ トリクスのコラム・センス電極を駆動するステップ; (c)アナログ・ピクセル・マトリクスの選択されたロード電極を一定のロー レベル電圧でパルスする事。それによってコラム・センス電極上の電圧を表わす チャージ・パケットが、アナログ・ピクセル・マトリクスの選択されたローにお いて発生するステップ;そして (d)選択されたロード電極を一定のハイレベル電圧で駆動するステップ からなることを特徴とする液晶ディスプレーを駆動する為の方法。 5.請求項1記載の方法において、アナログ・ピクセル・マトリクスにて、ビデ オ情報変換ベクトルを発生する為に、ベイシス・ベクトルとビデオ情報マトリク スのベクトル・マトリクス積を計算する為のステップが、 (a)アナログ・ピクセル・マトリクスのそれぞれのコラム・センス電極に接 続されているチャージ・センス・アンプリファイヤーの中のリセット・スイッチ を閉鎖するステップ; (b)ベイシス・ベクトルを表わす電圧でもってアナログ・ピクセル・マトリ クスのロー電極を駆動する事。それによってベイシス・ベクトルを表わすチャー ジ・パケットが、アナログ・ピクセル・マトリクスにおいて発生するステップ; (c)チャージ・センス・アンプリファイヤーの中のリセット・スイッチを開 放するステップ; (d)ベイシス・ベクトルの逆の値を表わす電圧でもってアナログ・ピクセル ・マトリクスのロー電極を駆動する事。それによってチャージ・パケットはロー とコラム電極間を転送するステップ;そして (e)ローとコラム電極間を転送する総てのチャージ・パケットをセンスする ステップ からなることを特徴とする液晶ディスプレーを駆動する為の方法。 6.ピクセル・コラム・ベクトルに比例する光学的出力を発生する為、 (a)アナログ・ピクセル・マトリクスにおいて線形変換ベクトルの第一非D Cベイシス・ベクトルとピクセル・コラム・ベクトルの積である第一ドット積を 計算するステップ; (b)第一ドット積を表わす電圧でもって少なくとも一つのコラム電極を駆動 するステップ; (c)第一非DCベイシス・ベクトルを表わす電圧でもって、液晶ディスプレ ーのロー電極を同期して駆動し、ベイシス・ベクトル・エレメントを表わす電圧 でもって、それぞれのロー電極を駆動するステップ; (d)追加の非DCベイシス・ベクトルに対し、(a)から(c)までのステ ップを繰り返すステップ を有することを特徴とする複数のローとコラム電極を持つ液晶ディスプレーの コラム電極を駆動する為の方法。 7.請求項6記載の方法において、さらに、 (a)一定の電圧でもってロー電極を駆動するステップ;そして (b)RMS訂正電圧でもってコラム電極を同時に駆動するステップ を有することを特徴とする複数のローとコラム電極を持つ液晶ディスプレーの コラム電極を駆動する為の方法。 8.請求項7記載の方法において、さらに、 (a)一定の電圧でもってロー電極を駆動するステップ;そして (b)線形変換ベクトルのDCベイシス・ベクトルとピクセル・コラム・ベク トルの第二ドット積を表わす電圧でもってコラム電極を同期して駆動するステッ プ を有することを特徴とする複数のローとコラム電極を持つ液晶ディスプレーの コラム電極を駆動する為の方法。 9.請求項8記載の方法において、コラム電極を駆動する為のステップとロー電 極を同期して駆動する為のステップは、各ベイシス・ベクトルに対して期間が可 変することを特徴とする複数のローとコラム電極を持つ液晶ディスプレーのコラ ム電極を駆動する為の方法。 10.(a)各アナログ・ピクセル・マトリクス・セルは第一、第二そして第三 のFETで構成され、それぞれのFETはゲート、ソースそしてドレインを備え て、第一のFETのドレインは第二のFETのソースと接続され、第二のFET のドレインは第三のFETのソースと接続されているアナログ・ピクセル・マト リクス・セルのアレーと、 (b)それぞれのロード電極が各アナログ・ピクセル・マトリクス・セルにお ける第一のFETのソースと接続されている複数のロード電極と、 (c)それぞれのコラム・センス電極が各アナログ・ピクセル・マトリクス・ セルにおける第二のFETのゲートに接続されている複数のコラム・センス電極 と、そして (d)それぞれのロー電極が各アナログ・ピクセル・マトリクス・セルの第三 のFETゲートと接続されている複数のロー電極と を具備することを特徴とするアナログ値のマトリクスの線形変換を計算する装 置。 11.さらに複数のアンプリファイヤーを有し、それぞれのアンプリファイヤー が、それぞれの対応するコラム・センス電極に接続されていることを特徴とする 請求項10記載のアナログ値のマトリクスの線形変換を計算する装置。 12.チャージ・ソースはそれぞれのアナログ・ピクセル・マトリクス・セルの 第一のFETのソースと接続されていることを特徴とする請求項11記載のアナ ログ値のマトリクスの線形変換を計算する装置。。 13.アナログ値が複数のコラム・センス電極に適用されることを特徴とする請 求項10記載のアナログ値のマトリクスの線形変換を計算する装置。 14.線形変換ベイシス・ベクトルが複数のロー電極に適用されることを特徴と する請求項13記載のアナログ値のマトリクスの線形変換を計算する装置。 15.アナログ値がビデオ映像情報に対応することを特徴とする請求項14記載 のアナログ値のマトリクスの線形変換を計算する装置 16.(a)ビデオ情報マトリクスを表わすチャージ・パケットがアナログ・チ ャージ保存回路のアレー上にロードされるアナログ・チャージ保存回路のアレー ; (b)アナログ・チャージ保存回路の間を水平に接続する少なくとも一つのロ ー電極; (c)アナログ・チャージ保存回路の間を垂直に接続する少なくとも一つのコ ラム電極; (d)ロー電極とコラム電極の間でチャージ・パケットを転送する為の手段; そして (e)転送された総てのチャージがベイシス・ベクトルとビデオ映像情報の積 の値を表わすように、チャージ・パッケットをそれぞれのローのコラム電極間を 転送し、ベイシス・ベクトルを表わすシグナルでもってアナログ・チャージ保存 回路のアレーのロー電極を駆動する為の手段と を具備することを特徴とするベイシス・ベクトルとビデオ情報のマトリクスの 積を計算する為の装置。 17.ローとコラム電極間を転送される総てのチャージをセンスする複数のアン プリファイヤーをさらに具備することを特徴とする請求項16記載のベイシス・ ベクトルとビデオ情報のマトリクスの積を計算する為の装置。 18.複数のアンプリファイヤーに接続されている複数の液晶駆動電極をさらに 具備することを特徴とする請求項17記載のベイシス・ベクトルとビデオ情報の マトリクスの積を計算する為の装置。 19.ベイシス・ベクトルはバイナリーとターナリー・ベクトルから成る一つ のグループから選択されることを特徴とする請求項16記載のベイシス・ベクト ルとビデオ情報のマトリクスの積を計算する為の装置。 20.(a)少なくとも二つのコラム電極; (b)少なくとも二つのロー電極;そして (c)ビデオ映像情報を保存する為及びビデオ映像変換を計算する為のアナロ グ・ピクセル・マトリクスであって、そこにおいてビデオ映像変換がコラム電極 に対し適応され、ベイシス・ベクトルがロー電極に対し適応されるアナログ・ピ クセル・マトリクス を具備することを特徴とするビデオ画像情報をディスプレーする為の装置。 21.ロー及びコラム電極に接続されている液晶ディスプレーをさらに具備する ことを特徴とする請求項20記載のビデオ画像情報をディスプレーする為の装置 。 22.液晶ディスプレーが受動型液晶ディスプレーであることを特徴とする請求 項21記載のビデオ画像情報をディスプレーする為の装置。 23.ベイシス・ベクトルが、バイナリー及びターナリー・ベクトルから成る一 つのグループから選択されることを特徴とする請求項20記載のビデオ画像情報 をディスプレーする為の装置。 24.アナログ・ピクセル・マトリクス及びコラム電極に接続される複数の高電 圧アンプリファイヤーをさらに具備することを特徴とする請求項20記載のビデ オ画像情報をディスプレーする為の装置。 25.アナログ・ピクセル・マトリクスがアナログ・ピクセル・マトリクス・セ ルのアレーによって成ることを特徴とする請求項20記載のビデオ画像情報をデ ィスプレーする為の装置。 26.アナログ・ピクセル・マトリクス・セルが、直列に接続された三つのフィ ールド・エフェクト・トランジスタ(FET)で構成されることを特徴とする請 求項25記載のビデオ画像情報をディスプレーする為の装置。 27.(a)アナログ・ビデオ情報マトリクスとしてビデオ情報を貯える為のア ナログ・メモリ; (b)ベイシス・ベクトルを貯える為のベイシス・ベクトル・メモリ; (c)アナログ・ビデオ情報マトリクスでもってベイシス・ベクトルを掛け算 する為のアナログ計算手段 を具備することを特徴とするビデオ情報を処理する為の回路。 28.液晶ディスプレー上にビデオ情報変換マトリクスをディスプレーする為の 電極手段をさらに具備することを特徴とする請求項27記載のビデオ情報を処理 する為の回路。 29.ビデオ情報とベイシス・ベクトルをアナログメモリにロードする為の手段 をさらに具備することを特徴とする請求項27記載のビデオ情報を処理する為の 回路。 30.アナログ・メモリ、ベイシス・ベクトル・メモリ、アナログ計算手段及び ロードする為の手段が、モノリシック的に集積されることを特徴とする請求項2 9記載のビデオ情報を処理する為の回路。 31.液晶ディスプレーを駆動する為に少なくとも一つのモノリシック的に集積 される高電圧アンプリファイヤーをさらに具備することを特徴とする請求項30 記載のビデオ情報を処理する為の回路。 32.RMS訂正項を発生しディスプレーする為の手段をさらに具備することを 特徴とする請求項30記載のビデオ情報を処理する為の回路。 33.(a)ビデオ・ピクセル情報を表す値である第一の値を第一のアナログ・ メモリに貯え、 (b)ビデオピクセル情報の二乗を計算し、 (c)定数からビデオ・ピクセル情報の二乗を引き、その二乗根を計算し、 (d)第二のアナログ・メモリへ、定数からビデオ・ピクセル情報の二乗を引 いたものの二乗根である第二の値を貯え、 (e)アナログ計算手段において第一の値の線形変換を計算し、 (f)アナログ計算手段において第二の値の線形変換を計算し、 (g)第一の値の線形変換を第二の値の線形変換に加算して、加算項を発生し 、 (h)加算項の値を表わす電圧でもって液晶ディスプレーの少なくとも二つの コラム電極を駆動し、 (i)第一の値の線形変換から第二の値の線形変換を減算し、それにより減算 項が発生し、そして (j)減算項の値を表わす電圧でもって、液晶ディスプレーの少なくとも二つ のコラム電極を駆動する ことを特徴とする液晶ディスプレーを駆動する為の方法。 34.定数が1であることを特徴とする請求項33記載の液晶ディスプレーを駆 動する為の方法。 35.(a)ビデオ画像情報を表わす第一の値及びビデオ画像情報の二乗を1 から引いた値の二乗根を表わす第二の値を保存するアナログメモリと、 (b)第一及び第二の値の線形変換を計算する為のアナログ計算手段と、 (c)第一の値及び第二の値の線形変換を表わす電圧でもって、液晶ディスプ レーの少なくとも一つのコラム電極を駆動する為の、少なくとも一つのアンプリ ファイヤー とを具備することを特徴とするビデオ画像情報でもって、液晶ディスプレーを 駆動する為の装置。
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