JPH09506672A - 金属基体上にシリコンを包含するフィルムを析出させるための励起又は不安定気体種を生成させるための装置の使用 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 金属基体（１）上にシリコン含有フィルムを析出させあために、初期気体混合物（７）が転換されるところの励起又は不安定気体種生成器具（１１、４、１２）の使用が開示される。該器具は、主要な縦方向にのびる第１電極（１４）と第２電極（１７）との間で発生する放電のシート(seat)であり、該初期気体混合物が、前記電極と前記主方向を横切って放電内を通過する。該器具の気体出口（６）を通過して配達される主要気体混合物（８）は、励起又は不安的気体種を包含するが、荷電種を実質的に包含しないものであり、少なくとも１種の気体状シリコン前駆物質を包含するが、該器具内を通過せずにきた隣接気体混合物と共に、該フィルムを析出させるために該基体と接触する気体状処理雰囲気を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】 金属基体上にシリコンを包含するフィルムを析出させるための 励起又は不安定気体種を生成させるための装置の使用 本発明は、（板状金属のような）金属表面上になされる、（シリカ又はシリコ ンオキシニトリドＳｉＯ_xＮ_yのような酸化ケイ素等）シリコンを包含するフィル ムの析出(deposition)に関し、例えば、美的理由から金属表面上に着色すること を目的として、又は金属表面に腐食耐性特性を供するためのものである。 現在、板状金属(sheet metal)上に酸化ケイ素又はシリコンオキシニトリドの( silicon oxynitride)薄層を生成させることを可能にする析出技術が数種ある。 これらの内で、最もよく言及されるのは、ＣＶＤ（化学蒸着）法の名称でよりよ く知られている一般的蒸気相析出反応の技術である。 これらの方法は、例えばシランＳｉＨ₄のようなシリコン前駆物質１種又はそ れ以上と、酸素のような酸化剤とを、予め活性化された板状金属の表面上で反応 させることから構成され、析出は、大気圧又は減圧下で、採用される圧力条件に 従って選択される温度において次のように行なわれる。 ・析出が大気圧で行なわれる場合は、表面の強い熱活性化が必要であり、従っ て、析出は典型的には８００ないし１０００℃のオーダである高められた温度で 行なわれるであろう。 ・析出が低圧で行なわれる場合は、採用される温度はより低く、ＣＶＤが、例 えば気体中での放電により補助されるか補助されないかによって、典型的には２ ５０℃ないし６００℃であろう。 従って、低温で作動することを可能にするそれらＣＶＤ法（それは、度々行な うことが所望されるが）は、低圧条件で行なわれる。そのような低圧条件は、疑 いなく制限を構成し、一般に大量に生産される広い面積の形態の鋼鉄板の場合に 、これらＣＶＤ技術の開発が広範でないことを説明する。 そのような低圧法を用いることは、真空装置及びそれらに伴う高レベルの維持 故に、さらに相当の余分の費用を代表する。 この文脈において、出願人は、最近、金属基体(metal substrate)上にシリコ ンを含有する層を析出させる方法を文献ＦＲ−Ａ−２，６９２，５９８に提案し た。この方法は、連続的に又は付随的に、放電により金属表面を予備活性化する こと、次いでそのように予備活性化された表面を、シリコン前駆物質気体を包含 する雰囲気にさらすことにより、シリコンを包含する層を析出することを可能に した。この方法は、大気圧又は大気圧に近い圧力で実施された。この方法は、現 存する技術の改良を疑いなく構成したが、出願人は、特に次の点において改良さ れ得ることを例証した。すなわち、 ・処理されるべき試料と電極（金属板が金属電極の１つをさらに構成し得る） との間の距離が、完全に均質な処理を得るために重要であり、これは、変化する 厚さの板状金属を連続的に処理することが必要な場合に制限を構成する。 ・さらに、この方法の実施には、放電を通過する基体を必要とする結果、基体 の表面の油状粒子又は埃の存在が、電極の汚染源となる。 ・この方法が、予備活性及び析出を付随的に行なう場合は、シランのようなシ リコン前駆物質気体は、放電内に直接導入され、その結果、当該装置の作動を妨 害するところの、電極上へのシリカ又は酸化ケイ素のダスト（粉体）の析出の危 険がある。 ・最後に、この方法を実施することを可能にする幾何学的配置は、用いられ得 る出力密度(power density)を制限し、この限界を超えて出力密度を増加すると 電離雲(ionized cloud)の局在化を導く危険がある。 より一般的な文脈において、出願人は、ここにその内容が引用により援用され るとみなされる文献ＦＲ−Ａ−２，６９２，７３０において、励起又は不安定気 体分子を生成させるための装置であって、実質的に大気圧において作動し、改良 された出力密度を達成する装置を提案した。 この文脈において、本発明の目的は、金属基体上にシリコンを包含するフィル ム析出物を形成するための改良された方法を提供することであり、 ・実質的に大気圧において作動し、 ・処理されるべき対象と、この処理を実行するために用いる装置との間の距離 に関して高い柔軟性を有し、 ・より速い処理速度を達成することを可能にする改良された出力密度を提供し 、 ・用いられるシリコン前駆物質気体が、当該装置の内部における反応を引き起 こし得ること（粉体の析出）を防止し、 ・その上に析出がなされるべき基体が、この装置を通過しなければならないこ と防止し、 ・もし必要ならば、低圧で操作すること を可能にするものである。 本発明によれば、これを行なうために、金属基体上にシリコンを含有するフィ ルム析出物を生成させるために、励起又は不安定気体種を生成させるための器具 の使用がなされる。本器具内において、初期気体混合物(initial gas mixture) が主要気体混合物(Primary gas mixture)に転換され、前記器具は、細長い主方 向に伸びる、第１電極と第２電極との間に発生させる放電の場所であり、初期気 体混合物は、前記第１電極と第２電極及びこの主方向を横切って(transversely to the electrodes and to this main direction)この放電を通過し、前記器具 の出口で得られる主要気体混合物は、励起又は不安定気体種を包含し、荷電種(e lectrically charged species)を実質的に包含しないもので、少なくとも１種の シリコン前駆物質気体を包含しかつ前記器具内を通過せずにきた隣接気体混合物 (adjacent gas mixture)と共に気体状処理雰囲気を生成し、析出物を生成させる ために前記基体との接触に位置される(brought)ものである。 誘電体材料層が、有利には、第１電極と第２電極の１つであって、他の電極と 対面する電極の表面上に配置される。この器具内で用いられる電力は、誘電体の 単位表面積当たりに標準化して、有利には１ｗ／ｃｍ²より大きく、好ましくは １０ｗ／ｃｍ²より大きいであろう。 気体状処理雰囲気は、有利には、大気圧に近い圧力において析出を実行するた めに、基体との接触に位置される。 本発明によれば、「大気圧に近い圧力」とは、０．１×１０⁵ｐａないし３× １０⁵ｐａの範囲にあることを意味することを意図する。 本発明によれば、金属表面の用語は、その上に、シリコンを包含する層の析出 を行なうことが有利であると考えられ得る面のいずれものタイプを意味すること を意図し、例えば金属板であり、それらが例えば鋼鉄、ステンレススチール、銅 又はアルミニウムでも、そのような元素の合金であってもよく、処理されるべき 金属表面を有する物体（又は製品）の寸法又は厚さに関係がなく、これら製品が 、（金属板のように）平坦であっても又は例えばビンのように中空であってもよ い。それらの最終的産業上の適用は、広範に多様であり、これら金属表面は、例 えば家電製品、自動車、産業的気体(industrial gases)又は建設産業の分野で用 いられるものである。 「シリコン前駆物質気体」の用語は、その分子が、例えばシラン、ジシランの ようなシリコンを包含する多くの気体の１種を意味することを意図する。 当業者には明確に明らかなように、本発明の処理雰囲気は、析出させるために 用いられるものであり、励起又は不安定気体種を生成させるための前記器具の出 口において得られる主要気体混合物、すなわちそのような励起又は不安定気体種 を包含する主要気体混合物と、隣接気体混合物との組み合わせにより得られる。 主要気体混合物は、隣接気体混合物中に包含されるシリコン前駆物質、及び処理 されるべき基体の表面にそのエネルギーのすべて又は一部分を移転し、もって析 出を可能にする。シリコン前駆物質気体は、装置を通過しないので、放電内でシ リカ粉体（又はより一般的にはシリコン化合物の粉体）を形成する危険が結果的 に排除される。基体は、さらに当該器具の気体排出とのみ接触し、器具内に「滞 在」しない。 この配置は、「後放電(post-discharge)」配置と呼び得る。なぜならば、処理 雰囲気の主要成分は、励起又は不安定種を包含し、器具の出口で得られるもので あり、この主要成分中のいずれもの電荷種の実質的不存在を保証するからである 。処理雰囲気の隣接成分は、器具を通過せず、なかんずく電荷種を含まない。 さらに、この配置により、雰囲気の主要成分の発生場所を、それが用いられる 場所から分離することを明らかに可能にする。このことは、器具の汚染の観点か ら少なくない利点を有し（表面フラックス処理の操作から生じる多様な放出物が 、例えば器具の電極のような、器具の内部を汚染することを防止する）。最後に 、器具内（例えば電極間の放電内）で処理されない物体は、上述の「距離」面に 関する非常により良い適応性から利益を得る。 当業者に明確に明らかなように、本発明は、使用者により表明される必要条件 に従い、処理されるべき物体の１つの面のみ、及び物体がその両面を処理されな ければならない場合の両方にも適用し得る。後者の場合、必要な器具を物体の各 々の面の前方に配置することが好適であろう。 析出されるシリコン化合物（ＳｉＯ_xＮ_y、ＳｉＯ_x又はＳｉＯ_xＮ_yＨ_z）の性質 は、用いられる実験条件、特に処理雰囲気の酸素及び窒素分圧と密接に連鎖させ るべきである。例えば、特に初期混合物と隣接混合物両者中で用いられる不活性 気体の性質、また処理雰囲気中で維持される酸素の分圧のレベルを変えることに より、析出されるフィルムの性質を制御することが可能であろう。 当業者には明確に明らかなように、処理されるべき金属基体は、単一の器具、 又は基体の幅全体に渡り平行に配置される複数の器具の気体排出との接触に供さ れ(brought)、又は励起若しくは不安定気体を生成させるための、直列に配置さ れる複数の器具の複数の気体排出に順番に供される。 処理されるべき金属基体は、場合に応じて、液相であろうが気相であろうが、 多くの入手可能な方法の１つを用いて予め表面準備（又は処理）に供され得る。 本発明の態様の１つによれば、初期気体混合物は、不活性気体及び／又は還元 気及び／又は酸化気体を包含する。不活性気体は、例えば、窒素、アルゴン、ヘ リウム又はそのような不活性気体の混合物から構成され得る。還元気体は、例え ば水素、ＣＨ₄若しくはアンモニア又はそのような還元気体の混合物から構成さ れ得る。酸化気体は、例えば酸素若しくはＣＯ₂、Ｎ₂Ｏ若しくはＨ₂Ｏ又はその ような酸化気体の混合物からなり得る。各々のカテゴリで示した気体のリストは 、むろん単なる例示であり、限定を課するものではない。 隣接気体混合物は、単一又は複数のシリコン前駆物質気体の他に、有利には、 不活性気体及び／又は還元気体を包含し、並びに場合に応じて酸化気体を包含す るであろう。 本発明の他の態様によれば、隣接気体混合物中のシリコン前駆物質気体は、モ ノシランＳｉＨ₄である。 本発明の側面の１つによれば、処理されるべき金属基体は、周囲の温度と４０ ０℃との間の温度に加熱される。 本発明の態様の１つによれば、処理されるべき金属基体は、励起又は不活性気 体種を生成させるための器具の出口の前方に位置され、場合によって、基体の幅 全体に渡り平行に配置される複数の器具の複数の気体出口の前方に、及び／又は 直列に配置される複数の器具の複数の気体出口の前方に順番に位置される。金属 基体は、被覆アセンブリ（例えば、トンネル又は基礎的覆い又はフードのセット ）であって、周囲の雰囲気から隔離されるものにより境界づけられた内部空間を 通過する運搬システムにより器具の気体出口の前方に位置される。前記アセンブ リは、漏れを防止するように前記器具に連結されるか又は前記器具を包含する。 本発明の態様の１つによれば、コンベヤーに沿って処理されるべき物体が順番 に出くわす雰囲気は、 ａ）励起又は不安定気体種を生成させるための器具の少なくとも１つが、当該 アセンブリ内においてそれよりも先行する器具により転換されたものとは異なる 初期気体混合物を転換するように、及び／又は ｂ）励起又は不安定気体種を生成させるための器具の少なくとも１つの内で用 いられる隣接気体混合物は、当該アセンブリ内においてそれよりも先行する器具 内で用いられるものと異なるように 区分される。 本発明の態様の１つによれば、上述の工程ａ）及びｂ）は、１つの同じ器具に 関連し得る。 従って、その還元力が１つの器具から次の器具へと増加するところの混合物を 用いることが可能であり、各々の層が異なりかつ制御された厚さと構造を有する 多層析出を生成させるために、この「処理雰囲気の連続的組成」パラメータを変 化させることが可能である。 本発明は、特に本発明を実施するために好適な装置にも関する。本発明の装置 は、その中を処理されるべき金属基体を運搬するための手段が通過するところの 内部空間を境界付ける被覆アセンブリであって、内部空間は周囲の大気から隔離 され、被覆アセンブリは、励起又は不安定気体種を生成させるための１つ又はそ れ以上の、直列及び／又は平行に配置される器具に連結されるか、又はそれを包 含し、励起又は不安定気体種を生成させるための１つ又はそれ以上の器具は、外 部電極と内部電極との間に形成され、及び軸を有するところの管状気体通路を少 なくとも１つ包含し、外部電極と内部電極のうち少なくとも１つが、他の電極と 対面し、電極が誘電コーティングを有し、これら電極は、高電圧及び高周波数源 に接続され、外部電極は、誘電体を包囲し、並びにいわゆる初期気体入口と、い わゆる主要気体出口を有し、これら入口及び出口は、細長く、軸に対して平行で 、かつ実質的に正反対側にあり、前記気体出口が、前記１つの器具又は複数の器 具を通過せずにきたいわゆる隣接気体を射入するための少なくとも１つの手段を 備える前記アセンブリ内部に開口するものである。 前記装置は、場合に応じて、処理されるべき金属基体を加熱するための手段を 包含することもできる。 この加熱手段として、トンネル若しくは被覆のセット内にある赤外ランプ、又 は対流加熱（熱トンネル壁）、さらに例えば物体が加熱基体ホルダ内に配置され ることを考えることができる。 本発明の他の特徴及び利点は、説明のために示され、いずれもの限定を課する ものではない添付の図面を参照して行われる以下の態様の記載から明らかになる であろう。 図１は、本発明を実施するために好適な、単純化された装置の概略図である。 図２は、トンネルを包含する本発明の態様の１つの概略図である。 図３は、本発明を実施するために好適な、不安定又は励起気体種を生成させる ための器具の概略的断面図である。 図１において、４は、初期気体混合物７をその気体入口５に供給される、不安 定又は励起気体種を生成させるための器具を概略的に表す。主要気体混合物８は 、気体出口６において得られる。この気体出口６の前方に配置される金属基体１ はさらに、示される態様において、２つの気体入口９、１０を通過して到達する 隣接混合物にさらされる。この隣接混合物は、励起又は不安定気体種を生成させ るための器具４を通過しない。 この図１において、破線長方形３０は、金属基体上にシリコンを包含する析出 を生成させるために、主要気体混合物及び隣接気体混合物が相互に作用する領域 を概略的に表す。 本発明の特定の態様である図２は、内部空間３１を境界づけるトンネル３を表 す。内部空間３１内で、金属基体１は、運搬手段２を用いて運搬される。 金属基体１は、励起又は不安定気体種を生成させるための器具４の気体出口６ の前方に位置され、そこで、初期混合物７から得られる主要気体混合物８との接 触に、及び気体入口９及び１０を通過して入る隣接混合物との接触に位置される 。この隣接混合物自体は、器具４を通過せずにくる。 ここでも、破線長方形３０は、主要気体混合物８と、気体入口９及び１０を通 過して到着する隣接混合物との間の相互作用の領域を概略的に表す。 図２に示される態様は、不安定又は励起気体種を生成させるための、直列に配 置されるところの複数の器具を用いて金属基体１を処理することを可能にする。 これら器具は、図示されないが、１１及び１２に配置され、番号１３は、追加の 隣接混合物入口の例を表す。 この装置は、場合に応じて、物体１を加熱するための手段（図２には示さず） も備える。上述のように、この加熱手段として、トンネル内に存在する赤外ラン プ若しくは対流加熱（熱トンネル壁）、又は例えば物体が加熱基体ホルダ上に配 置されることを考えることができる。 本発明を実施するために好適な励起又は不安定気体種を生成させるための器具 の断面（この態様において、円柱状の幾何形状を有する）を概略的に表す図３は 、例えば金属ブロック１５の内部面により形成される管状第１電極１４を示す。 管状第１電極１４内に、例えばセラミックである誘電体材料からなる管１６から 構成されるアセンブリが同心的に配置され、第２電極１７（より明確にするため に、図３においてその厚さが誇張される）が、この管の内面上に金属化(metaliz ation)により析出される。 このアセンブリは、誘電体１６及び第２電極１７から構成され、第２電極１７ は、従って、第１電極１４と共に管状気体通路１８の境界を付け、アセンブリは 、さらにその内部に、冷却剤が循環する内部体積１９から構成される。冷却剤は 、有利にはその電気陰性性質故にフレオン(freon)、又は脱イオン水である。 内部気体通路１８は、１ｍ未満、典型的には５０ｃｍ未満の軸長を有し、その 遠心方向厚さはｅは、３ｍｍを越えず、典型的には２．５ｍｍ未満である。ブロ ック１５は、２つの正対する縦方向スロット２０及び２１を有し、これらスロッ トは、通路１８内で励起されるべき初期気体のための入口、及び励起又は不安定 気体種を含有する主要気体流れのための出口をそれぞれ形成する。 スロット２０及び２１は、空洞１８の全ての軸方向の長さに渡り伸び、示され る態様においては、厚さｅを越えず、かつ典型的には厚さｅと実質的に同一の高 さを有する。 本体１５は、有利には、第１電極１４の周辺部に、例えば水のような冷却剤の 通過のための複数の導管２２を包含する。 気体入口２０は、均質化室又はプレナム２３と連通する。プレナム２３は、ブ ロック１５に取付けられたケーシング２４内に形成される。ケーシング２４は、 初期気体混合物源２６により、０．１×１０⁵ｐａないし３×１０⁵ｐａの範囲の 圧力で初期気体混合物を供給するための管２５を有する。 電極１４及び１７は、１５ｋＨｚより大きい周波数で作動し、かつ例えば１０ ｋＷのオーダの電力を配達する高電圧かつ高周波数発電器２７に連結される。上 述したように、発電器により配達されるこの電力を、誘電体の面積に標準化する こと（すなわち誘電体電極の単位面積当り）により表すことも有利であり得る。 出口２１において入手可能な励起された種を含有する気体流は、例えば、金属 基体上にシリコンを含有する層を析出させるための使用者ステーション２８へ送 られる。 図３を参照して説明したような励起又は不安定気体種を生成させるための単一 の器具４を包含する、図２を参照して説明した装置が、本発明の説明のための態 様を実施するために用いられた。 これを行うために、１０ｃｍ×１０ｃｍ×０．２ｍｍの寸法を有する低炭素板 状スチールの試料が、それらを清浄し、本発明に従う析出法に供する前にそれら の脱酸素を受けるように予め予備処理された。 第１の説明のための態様によれば、析出は、次の条件下に行われた。 ・板状金属試料は、加熱されず、約５０℃の温度が、主要気体混合物との接触 のみにより保証された。 ・誘電体上に用いられた出力密度は、１５Ｗ／ｃｍ²のオーダであった。 ・初期気体混合物は、それぞれ流速１０ｍ³／時間の窒素と、３ｍ³／時間の水 素により得られる、２３％の水素を含有する窒素／水素混合物であった。 ・励起又は不安的気体種を生成させるための器具を通過せずにきた隣接気体混 合物は、アルゴン中に２％のシランとともに初期源から流速０．５リットル／分 で構成された。 ・トンネル内で維持された圧力は、大気圧付近であった。 通路内を（２ｍｍ／秒）で動くそのようにして処理された各々の試料は、シリ コンのアモルファス合金約１０００Åの析出（赤外分光法により検査）を受けた 。 そのように製造された析出を走査電子顕微鏡を用いて観察すると、析出は完全 に連続的でありかつ稠密であった。 第２の説明のための態様において、同じ出力密度、初期気体混合物中の放電の 同じ供給条件を採用するが、今回は、隣接気体混合物を生成させるために、２％ シランを有するシラン／アルゴン混合物を５リットル／分で用い、今回は、２０ ０℃の温度で操作し、低炭素スチール上にシリコンのアモルファス合金５０００ Åを析出させた試料を前進速度１ｍｍ／秒で得た。 ここでも、走査電子顕微鏡により、得られた析出は、完全に連続的かつ稠密で あることが観察できた。 上記２つの例は、本発明によれば、シリコンを含有する高品質析出が、低温で （又は周囲の温度でも）、金属基体上に得ることができることを示す。 本発明を特定の態様を参照することにより説明してきたが、決してそれに限定 されるものではなく、代りに以下の請求の範囲の文脈において、当業者に明らか であろう修飾と変形を行い得るものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラビア、ステファン フランス国、91190 ジフ・シュール・イ ベット、アブニュ・デュ・ジェネラル・ル クレール 160、レジダンス・デュ・パル ク・デュ・シャトー・ドゥ・クールセル 14

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．金属基体（１）上にシリコンを含有するフィルムの析出物を生成させるため の、励起又は不安定気体種を生成させるための器具（１１、４、１２）の少なく とも１つの使用であって、該器具内において初期気体混合物（７）が主要気体混 合物（８）に転換され、該器具は、延長された主方向に沿って伸びる第１電極（ １４）と第２電極（１７）との間に発生させる放電の場所であり、該初期気体混 合物は、該第１電極と第２電極及びこの主方向を横切ってこの放電を通過し、該 器具の出口（６）で得られる主要気体混合物（８）は、励起又は不安定気体種を 包含し、かつ荷電種を実質的に包含せず、該主要気体混合物は、少なくとも１種 のシリコン前駆物質気体を包含しかつ該器具内を通過せずにきた隣接気体混合物 （９、１０）と共に、該析出物を生成させるために該基体との接触に位置される ところの気体状処理雰囲気（３０）を形成するものである使用。 ２．該気体状処理雰囲気（３０）が、大気圧に近い圧力において該基体との接触 に位置されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の使用。 ３．誘電体材料の層が、該第１電極及び第２電極の少なくとも１つの表面上に配 置され、もう１つの電極と対面することを特徴とする請求の範囲第１項又は第２ 項に記載の使用。 ４．該初期気体混合物が、不活性気体及び／又は還元気体及び／又は酸化気体を 包含することを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載 の使用。 ５．該隣接気体混合物が、１種又はそれ以上のシリコン前駆物質気体に追加して 、不活性気体及び／又は還元気体、並びに場合に応じて酸化気体を包含すること を特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項に記載の使用。 ６．該シリコン前駆物質が、モノシランＳｉＨ₄であることを特徴とする請求の 範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の使用。 ７．該金属基体が、周囲の温度ないし４００℃の温度に加熱されることを特徴と する請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の使用。 ８．該処理されるべき金属基体が、被覆アセンブリ（３）により境界を設定され 、かつ周囲の雰囲気から分離される内部空間（３１）を通過する運搬システム（ ２） により、前記器具（４）の該気体出口（６）の前方に位置され、場合に応じて、 該基体の幅全体に渡り平行に配置される複数の器具の気体出口の前方に位置され 、及び／又は直列に配置される複数の器具（１１、４、１２）の気体出口の前方 に位置され、前記アセンブリが、漏れを防止するように前記器具に連結され、又 は前記器具を包含することを特徴とする請求の範囲第１項ないし第６項のいずれ か１項に記載の使用。 ９．前記器具内で用いられる電力が、誘電体の単位表面積当りに標準化して、１ ｗ／ｃｍ²より大きく、好ましくは１０ｗ／ｃｍ²より大きいことを特徴とする請 求の範囲第８項に記載の使用。 １０．該処理されるべき基体が該コンベヤに沿って順番に出くわす該処理雰囲気 が、 ａ）励起又は不安定気体種を生成させるための前記器具の少なくとも１つが、 前記アセンブリ内においてそれよりも先行する器具により転換されるものとは異 なる初期気体混合物を転換するように、及び／又は ｂ）励起又は不安定気体種を生成させるための前記器具の少なくとも１つの内 で用いられる隣接気体混合物が、前記アセンブリ内においてそれよりも先行する 器具内で用いられるものと異なるように 区分されることを特徴とする請求の範囲第８項又は第９項に記載の使用。 １１．工程ａ）及び工程ｂ）が、同じ器具内で行われることを特徴とする請求の 範囲第１０項に記載の使用。 １２．特に、請求の範囲第１項ないし第１１項のいずれか１項に記載の使用を実 施するために好適な、金属基体上にシリコンを含有するフィルムの析出物を形成 させるための装置であって、その中を処理されるべき金属基体（１）の運搬のた めの手段（２）が通過するところの内部空間（３１）を設定する被覆アセンブリ （３）を包含し、該内部空間が、周囲の雰囲気から分離され、該被覆アセンブリ は、励起又は不安定気体種を生成させるための１つ又はそれ以上の、直列及び／ 又は平行に配置される器具（１１、４、１２）に漏れを防止するように連結され るか又はそれを包含するものであり、該励起又は不安定気体種を生成させるため の器具は、外部電極（１４）と内部電極（１７）との間に形成され、かつ軸を有 する管状気体通路（１８）を少なくとも１つ包含し、該外部電極及び内部電極の 少なくとも１つが、もう一つの電極と対面し、誘電体コーティング（１６）を有 し、該第１電極及び第２電極は、高電圧及び高周波数源に接続され、該外部電極 （１４）は、誘電体（１６）を包囲し、並びに細長く、該軸に対して平行で、か つ実質的に正反対側にある初期気体入口（２０）及び主要気体出口（２１）を有 し、前記気体出口が、前記アセンブリ内部に開口し、該アセンブリは、前記１つ 又は複数の器具を通過せずにきた隣接気体を射入するための手段（９、１０、１ ３）を少なくとも１つ備える装置。