JPH04320383A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH04320383A JPH04320383A JP11384891A JP11384891A JPH04320383A JP H04320383 A JPH04320383 A JP H04320383A JP 11384891 A JP11384891 A JP 11384891A JP 11384891 A JP11384891 A JP 11384891A JP H04320383 A JPH04320383 A JP H04320383A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094049—Guiding of the pump light
- H01S3/094053—Fibre coupled pump, e.g. delivering pump light using a fibre or a fibre bundle
-
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- H01S3/094084—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light with pump light recycling, i.e. with reinjection of the unused pump light, e.g. by reflectors or circulators
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- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、励起光源としての半導
体レーザ出力を高効率で光結合し固体レーザ素子を光励
起する半導体レーザ励起固体レーザ装置に関するもので
ある。
体レーザ出力を高効率で光結合し固体レーザ素子を光励
起する半導体レーザ励起固体レーザ装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】半導体レーザを励起光源として用いた固体
レーザが、高効率、長寿命、小型化が図れることから、
注目を集めている。半導体レーザ励起固体レーザにおけ
る固体レーザの光軸方向から光励起する端面励起方式（
例えば、特開昭５８−５２８８９号など参照）では、固
体レーザの発振の空間モードに半導体レーザ出力光によ
る励起空間をうまくマッチングさせることにより、高効
率で単一基本横モード発振を実現できる。高出力化のた
め、複数の半導体レーザを励起光源として、中でも効率
の良い端面励起方式の励起光源として用いるには、励起
する箇所を複数にして多端面励起とするか（例えば、実
開平２−９２９５９号公報など参照）、半導体レーザ光
を別々の光ファイバーに導光して、各々の光ファイバー
からの出射光を集光して、固体レーザ素子を端面励起す
る方式がある（例えば、特開平２−１８５０８２号公報
など参照）。
レーザが、高効率、長寿命、小型化が図れることから、
注目を集めている。半導体レーザ励起固体レーザにおけ
る固体レーザの光軸方向から光励起する端面励起方式（
例えば、特開昭５８−５２８８９号など参照）では、固
体レーザの発振の空間モードに半導体レーザ出力光によ
る励起空間をうまくマッチングさせることにより、高効
率で単一基本横モード発振を実現できる。高出力化のた
め、複数の半導体レーザを励起光源として、中でも効率
の良い端面励起方式の励起光源として用いるには、励起
する箇所を複数にして多端面励起とするか（例えば、実
開平２−９２９５９号公報など参照）、半導体レーザ光
を別々の光ファイバーに導光して、各々の光ファイバー
からの出射光を集光して、固体レーザ素子を端面励起す
る方式がある（例えば、特開平２−１８５０８２号公報
など参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザ励起固体
レーザの高出力化のためには、励起用の半導体レーザを
高出力化する必要がある。しかし、単一の半導体レーザ
では数Ｗレベルに出力の限界があり、これ以上の出力を
得るには、複数の半導体レーザを使う必要がある。先端
を密に束ねた複数の光ファイバーに複数の半導体レーザ
光を導光する光ファイバーバンドル方式は、細い光ファ
イバーを使用してバンドル径を小さくしなければ、レン
ズで集光し細く絞って効果的に固体レーザ素子を端面励
起することができない。細い光ファイバーを用いること
により、光結合効率は必然的に低くなる。そのうえ、光
ファイバーバンドルからの出射光を光ファイバーバンド
ルの実像をつくるような集光方式で固体レーザ素子に集
光すると集光点において固体レーザ素子の不均一な熱歪
が生じ、固体レーザ光のビーム形状に光ファイバーバン
ドルの形状が現れるなど良い品質の固体レーザ光が得ら
れなくなる欠点がある。
レーザの高出力化のためには、励起用の半導体レーザを
高出力化する必要がある。しかし、単一の半導体レーザ
では数Ｗレベルに出力の限界があり、これ以上の出力を
得るには、複数の半導体レーザを使う必要がある。先端
を密に束ねた複数の光ファイバーに複数の半導体レーザ
光を導光する光ファイバーバンドル方式は、細い光ファ
イバーを使用してバンドル径を小さくしなければ、レン
ズで集光し細く絞って効果的に固体レーザ素子を端面励
起することができない。細い光ファイバーを用いること
により、光結合効率は必然的に低くなる。そのうえ、光
ファイバーバンドルからの出射光を光ファイバーバンド
ルの実像をつくるような集光方式で固体レーザ素子に集
光すると集光点において固体レーザ素子の不均一な熱歪
が生じ、固体レーザ光のビーム形状に光ファイバーバン
ドルの形状が現れるなど良い品質の固体レーザ光が得ら
れなくなる欠点がある。
【０００４】一方、複数の光ファイバーの先端を密に束
ねることをやめ、各々の光ファイバーからの出射光を一
旦コリメートしてから一括して集光レンズで集光する場
合、半導体レーザは、およそ２００μｍ程度の大きさを
持つ線光源であるため、光ファイバー結合方式において
、高い光結合効率を実現するためには、コア径４００μ
ｍ程度の比較的太い光ファイバーを用いる必要がある。 これからの出射光をコリメートするためには、焦点距離
１５ｍｍ程度のレンズが必要になる。ところが、この程
度の焦点距離を持つレンズの直径は２０ｍｍ程度はある
ので、多数の光ファイバー出射光を各々コリメートする
ため、光ファイバーの数だけレンズが必要であることを
考えると、例えば、３組横に並べただけで６０ｍｍ以上
になってしまい、高集積化を図ることが困難となる。こ
れは、集積化によって高出力化を図るという光ファイバ
ー方式の利点そのものを損なうことになる。
ねることをやめ、各々の光ファイバーからの出射光を一
旦コリメートしてから一括して集光レンズで集光する場
合、半導体レーザは、およそ２００μｍ程度の大きさを
持つ線光源であるため、光ファイバー結合方式において
、高い光結合効率を実現するためには、コア径４００μ
ｍ程度の比較的太い光ファイバーを用いる必要がある。 これからの出射光をコリメートするためには、焦点距離
１５ｍｍ程度のレンズが必要になる。ところが、この程
度の焦点距離を持つレンズの直径は２０ｍｍ程度はある
ので、多数の光ファイバー出射光を各々コリメートする
ため、光ファイバーの数だけレンズが必要であることを
考えると、例えば、３組横に並べただけで６０ｍｍ以上
になってしまい、高集積化を図ることが困難となる。こ
れは、集積化によって高出力化を図るという光ファイバ
ー方式の利点そのものを損なうことになる。
【０００５】本発明は、かかる状況に鑑みてなされたも
ので、複数の半導体レーザ光を光ファイバー群に導光し
、各光ファイバー端面から出射する複数のビームを集光
し、固体レーザの発振の空間モードに半導体レーザ光に
よる励起空間をマッチングするように、効率よく高品質
の固体レーザ出力光を生起せしめる半導体レーザ励起固
体レーザを提供することを目的とする。
ので、複数の半導体レーザ光を光ファイバー群に導光し
、各光ファイバー端面から出射する複数のビームを集光
し、固体レーザの発振の空間モードに半導体レーザ光に
よる励起空間をマッチングするように、効率よく高品質
の固体レーザ出力光を生起せしめる半導体レーザ励起固
体レーザを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の手段として、半導体レーザ出力を集光
し固体レーザ素子を光励起する半導体レーザ励起固体レ
ーザにおいて、複数個の半導体レーザ光を各々導光する
ために用いるところの出射端を次のレンズ束に合わせて
適当な位置間隔で配置した光ファイバー群と、光ファイ
バー群の配置と同様な配置でそれぞれのレンズを互いに
密に束ね、各光ファイバーからの出射光を各々コリメー
トするためのレンズ束と、コリメートされた各光ファイ
バー出射光を一括して集光して一箇所に重ね合わせ、固
体レーザ素子を端面励起するためのフォーカシングレン
ズとして用いる第２のレンズとからなる光結合器を備え
るものである。
めに、この発明の手段として、半導体レーザ出力を集光
し固体レーザ素子を光励起する半導体レーザ励起固体レ
ーザにおいて、複数個の半導体レーザ光を各々導光する
ために用いるところの出射端を次のレンズ束に合わせて
適当な位置間隔で配置した光ファイバー群と、光ファイ
バー群の配置と同様な配置でそれぞれのレンズを互いに
密に束ね、各光ファイバーからの出射光を各々コリメー
トするためのレンズ束と、コリメートされた各光ファイ
バー出射光を一括して集光して一箇所に重ね合わせ、固
体レーザ素子を端面励起するためのフォーカシングレン
ズとして用いる第２のレンズとからなる光結合器を備え
るものである。
【０００７】また、各光ファイバーからの出射光を各々
コリメートするためのレンズ束として、各ファイバー出
射後の光ビームが対応するレンズまで伝播する間に広が
るだけの程度の直径に芯取りしたレンズを用いるもので
ある。
コリメートするためのレンズ束として、各ファイバー出
射後の光ビームが対応するレンズまで伝播する間に広が
るだけの程度の直径に芯取りしたレンズを用いるもので
ある。
【０００８】さらに、励起光強度を倍増するために、各
光ファイバーに各々２個ずつの半導体レーザ光を導光す
るための偏光ビームスプリッターを備えるものである。
光ファイバーに各々２個ずつの半導体レーザ光を導光す
るための偏光ビームスプリッターを備えるものである。
【０００９】
【作用】本発明では、光結合効率を高めるため、励起光
源であるところの複数の半導体レーザ光を各々コア径４
００μｍ程度の比較的太い光ファイバーに導光する。次
に、各光ファイバーからの出射光をおよそレンズの焦点
距離だけ離れた位置に配置し、そこまで伝播する間に出
射光が広がる程度の大きさに芯取りしたレンズでコリメ
ートする。この芯取りレンズを互いに密に束ねることに
よって、例えば、７本、１９本という具合いに幾何学的
な対称性を保ちながら集積度を上げて行くことができる
。このように、光ファイバー群の配置はレンズ束の配置
によって必然的に決まるということができる。レンズ束
の形については、この段階でコリメートされるので、束
ねたとき、三角形や四角形、あるいはＸ字形など自由な
形でレンズ束を構成してもよいが、集積度を上げるため
には、互いに密に束ねる必要がある。次に、コリメート
された励起ビーム群を一括して集光レンズによって集光
する。レンズ束によってコリメートされているため、各
々のビームは一点に向けて集光される。集光点に固体レ
ーザ素子を配置し、固体レーザ素子端面を励起する。 こうして、固体レーザ共振器内で固体レーザ光の共振が
起き、固体レーザ発振光となる。励起光ビームが一点に
集光されているため、固体レーザ素子の不均一な熱歪が
なく、安定に良いビーム品質の固体レーザ高出力光ビー
ムが得られることとなる。
源であるところの複数の半導体レーザ光を各々コア径４
００μｍ程度の比較的太い光ファイバーに導光する。次
に、各光ファイバーからの出射光をおよそレンズの焦点
距離だけ離れた位置に配置し、そこまで伝播する間に出
射光が広がる程度の大きさに芯取りしたレンズでコリメ
ートする。この芯取りレンズを互いに密に束ねることに
よって、例えば、７本、１９本という具合いに幾何学的
な対称性を保ちながら集積度を上げて行くことができる
。このように、光ファイバー群の配置はレンズ束の配置
によって必然的に決まるということができる。レンズ束
の形については、この段階でコリメートされるので、束
ねたとき、三角形や四角形、あるいはＸ字形など自由な
形でレンズ束を構成してもよいが、集積度を上げるため
には、互いに密に束ねる必要がある。次に、コリメート
された励起ビーム群を一括して集光レンズによって集光
する。レンズ束によってコリメートされているため、各
々のビームは一点に向けて集光される。集光点に固体レ
ーザ素子を配置し、固体レーザ素子端面を励起する。 こうして、固体レーザ共振器内で固体レーザ光の共振が
起き、固体レーザ発振光となる。励起光ビームが一点に
集光されているため、固体レーザ素子の不均一な熱歪が
なく、安定に良いビーム品質の固体レーザ高出力光ビー
ムが得られることとなる。
【００１０】また、界面での光の斜め入射における反射
および透過能が偏光に依存することを利用すれば、互い
に直角に直線偏光した２個の半導体レーザ光を、偏光ビ
ームスプリッターを用いて、ビーム合成し、光ファイバ
ーに導光すれば容易に励起光強度を倍増せしめることが
出来る。
および透過能が偏光に依存することを利用すれば、互い
に直角に直線偏光した２個の半導体レーザ光を、偏光ビ
ームスプリッターを用いて、ビーム合成し、光ファイバ
ーに導光すれば容易に励起光強度を倍増せしめることが
出来る。
【００１１】
【実施例】本発明の特徴と利点を一層明らかにするため
、以下、実施例に基づいて詳細に説明する。図１は、７
個の半導体レーザ光を各々光ファイバーに導光し、光フ
ァイバーからの出射光を光軸を一致して各々１対１で対
応させて互いに密に配置した７個のレンズ束で光ファイ
バー出射光を各々コリメートし光線束を単レンズで一括
して集光し各々の光線束を一箇所に重ね合わせて固体レ
ーザ素子を端面励起する固体レーザ装置の模式図である
。図１に示すごとく、固体レーザ素子６としてＮｄ：Ｙ
ＡＧを用い、一方の端面をダイクロイックコーティング
（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振波長１０６４ｎｍで高反射（
ＨＲ）、半導体レーザ光波長８０８ｎｍで高透過（ＡＲ
））し、その面を励起面とし、アウトプットミラー７と
で共振器を構成する。用いた半導体レーザ１は、１Ｗタ
イプの半導体レーザである。発光部は、およそ２００μ
ｍ×１μｍの寸法を持つ。光ファイバー３としては、コ
ア径４００μｍ、外径５００μｍのステップインデック
ス型光ファイバーを用いた。レンズ束４としては、焦点
距離１５．５ｍｍの非球面レンズを直径５ｍｍに芯取り
したものを７個互いに密に束ねて用いた。集光レンズ５
としては、焦点距離２３．５ｍｍの非球面レンズを用い
た。
、以下、実施例に基づいて詳細に説明する。図１は、７
個の半導体レーザ光を各々光ファイバーに導光し、光フ
ァイバーからの出射光を光軸を一致して各々１対１で対
応させて互いに密に配置した７個のレンズ束で光ファイ
バー出射光を各々コリメートし光線束を単レンズで一括
して集光し各々の光線束を一箇所に重ね合わせて固体レ
ーザ素子を端面励起する固体レーザ装置の模式図である
。図１に示すごとく、固体レーザ素子６としてＮｄ：Ｙ
ＡＧを用い、一方の端面をダイクロイックコーティング
（Ｎｄ：ＹＡＧレーザ発振波長１０６４ｎｍで高反射（
ＨＲ）、半導体レーザ光波長８０８ｎｍで高透過（ＡＲ
））し、その面を励起面とし、アウトプットミラー７と
で共振器を構成する。用いた半導体レーザ１は、１Ｗタ
イプの半導体レーザである。発光部は、およそ２００μ
ｍ×１μｍの寸法を持つ。光ファイバー３としては、コ
ア径４００μｍ、外径５００μｍのステップインデック
ス型光ファイバーを用いた。レンズ束４としては、焦点
距離１５．５ｍｍの非球面レンズを直径５ｍｍに芯取り
したものを７個互いに密に束ねて用いた。集光レンズ５
としては、焦点距離２３．５ｍｍの非球面レンズを用い
た。
【００１２】このようにして端面励起した半導体レーザ
励起固体レーザにおいて、１Ｗタイプの半導体レーザ（
波長８０８ｎｍ）を７個使用し、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ基
本波（波長１０６４ｎｍ）出力１．５Ｗの高出力発振光
８が良いビーム品質で得られている。
励起固体レーザにおいて、１Ｗタイプの半導体レーザ（
波長８０８ｎｍ）を７個使用し、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ基
本波（波長１０６４ｎｍ）出力１．５Ｗの高出力発振光
８が良いビーム品質で得られている。
【００１３】励起用の半導体レーザの個数を２倍に増や
した場合には、図２に示すように、半導体レーザ光が偏
光していることを利用して、偏光ビームスプリッター９
をビーム合成器として用い、第１の半導体レーザ（１ａ
）からの発振光は紙面に平行に偏光させ、第２の半導体
レーザ（１ｂ）からの発振光は紙面に垂直に偏光させて
、各々第１のレンズ（２ａ）と第２のレンズ（２ｂ）に
より集光してビーム合成し、第３のレンズ（２ｃ）によ
り光ファイバーに導光し、上記と同様に固体レーザを励
起するものである。
した場合には、図２に示すように、半導体レーザ光が偏
光していることを利用して、偏光ビームスプリッター９
をビーム合成器として用い、第１の半導体レーザ（１ａ
）からの発振光は紙面に平行に偏光させ、第２の半導体
レーザ（１ｂ）からの発振光は紙面に垂直に偏光させて
、各々第１のレンズ（２ａ）と第２のレンズ（２ｂ）に
より集光してビーム合成し、第３のレンズ（２ｃ）によ
り光ファイバーに導光し、上記と同様に固体レーザを励
起するものである。
【００１４】なお、本発明の実施例においては、固体レ
ーザ素子としてＮｄ：ＹＡＧを用いたが、半導体レーザ
で共鳴励起できるものであれば他のものでもよい。他の
固体レーザ素子を用いる場合、吸収極大の波長が、８０
８ｎｍにあるとは限らないので、使用する固体レーザ素
子の吸収極大の波長に同調できる半導体レーザを用いな
ければならないことは言うまでもない。同じく、半導体
レーザの出力および寸法もここで用いたものに限るもの
ではない。光ファイバーに結合できさえすれば、マルチ
ストライプ型でも良いし、これを２次元的に重ねたスタ
ック型半導体レーザでもよい。また、光ファイバーのコ
ア径は、４００μｍに限るものではない。さらに、レン
ズ束として、焦点距離１５．５ｍｍの非球面レンズを直
径５ｍｍに芯取りして用いたが、もちろん、レンズの焦
点距離は光ファイバーのコア径に応じて代えることがで
きるし、レンズ自体も通常の球面レンズやアクロマティ
ックレンズ、ボールレンズ、分布屈折率レンズ等他のレ
ンズを用いることもできる。さらに、集光レンズとして
焦点距離２３．５ｍｍの非球面レンズを用いたが、これ
に限るものではない。またさらに、固体レーザの共振器
構成として固体レーザ素子端面にミラーコーティングを
施したものを用いたが、反射ミラーを別に設けてもよい
。同じく、共振器構造は、直線型を用いたが、直角折れ
曲がり形、リング型など他の方式を取ってもよい。
ーザ素子としてＮｄ：ＹＡＧを用いたが、半導体レーザ
で共鳴励起できるものであれば他のものでもよい。他の
固体レーザ素子を用いる場合、吸収極大の波長が、８０
８ｎｍにあるとは限らないので、使用する固体レーザ素
子の吸収極大の波長に同調できる半導体レーザを用いな
ければならないことは言うまでもない。同じく、半導体
レーザの出力および寸法もここで用いたものに限るもの
ではない。光ファイバーに結合できさえすれば、マルチ
ストライプ型でも良いし、これを２次元的に重ねたスタ
ック型半導体レーザでもよい。また、光ファイバーのコ
ア径は、４００μｍに限るものではない。さらに、レン
ズ束として、焦点距離１５．５ｍｍの非球面レンズを直
径５ｍｍに芯取りして用いたが、もちろん、レンズの焦
点距離は光ファイバーのコア径に応じて代えることがで
きるし、レンズ自体も通常の球面レンズやアクロマティ
ックレンズ、ボールレンズ、分布屈折率レンズ等他のレ
ンズを用いることもできる。さらに、集光レンズとして
焦点距離２３．５ｍｍの非球面レンズを用いたが、これ
に限るものではない。またさらに、固体レーザの共振器
構成として固体レーザ素子端面にミラーコーティングを
施したものを用いたが、反射ミラーを別に設けてもよい
。同じく、共振器構造は、直線型を用いたが、直角折れ
曲がり形、リング型など他の方式を取ってもよい。
【００１５】
【発明の効果】光結合器としてかかる構成をもつ半導体
レーザ励起固体レーザ装置は、複数の半導体レーザを用
いた効率的な固体レーザ素子の端面励起を可能にし、効
率が高くビーム質の良い高出力の固体レーザ光を実現で
きる。
レーザ励起固体レーザ装置は、複数の半導体レーザを用
いた効率的な固体レーザ素子の端面励起を可能にし、効
率が高くビーム質の良い高出力の固体レーザ光を実現で
きる。
【図１】７個の半導体レーザ光を光ファイバーに導光し
、芯取りレンズ束でコリメートし、単レンズでフォーカ
シングして一箇所に重ね合せて光励起する半導体レーザ
励起固体レーザ装置の模式図である。
、芯取りレンズ束でコリメートし、単レンズでフォーカ
シングして一箇所に重ね合せて光励起する半導体レーザ
励起固体レーザ装置の模式図である。
【図２】偏光ビームスプリッターを用い、２個の半導体
レーザ光源を集光し、同一の光ファイバーに導光し、以
後図１と同様に光励起する半導体レーザ励起固体レーザ
装置の模式図である。
レーザ光源を集光し、同一の光ファイバーに導光し、以
後図１と同様に光励起する半導体レーザ励起固体レーザ
装置の模式図である。
１ 半導体レーザ
２ レンズ
３ 光ファイバー
４ レンズ束
５ 集光レンズ
６ 固体レーザ素子
７ アウトプットミラー
８ 出力固体レーザ光
９ 偏光ビームスプリッター１
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体レーザ出力を集光し固体レーザ
素子を光励起する半導体レーザ励起固体レーザ装置にお
いて、複数個の半導体レーザ光を各々導光するために用
いるところの、出射端を次のレンズ束に合わせて適当な
位置間隔で配置した光ファイバー群と、光ファイバー群
の配置と同様な配置でそれぞれのレンズを互いに密に束
ね、各光ファイバーからの出射光を各々コリメートする
ためのレンズ束と、コリメートされた各光ファイバー出
射光を一括して集光して一箇所に重ね合わせ、固体レー
ザ素子を端面励起するためのフォーカシングレンズとし
て用いる第２のレンズとからなる光結合器を備えたこと
を特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザ励起固体
レーザ装置において、各光ファイバーからの出射光を各
々コリメートするためのレンズ束として、各光ファイバ
ー出射後の光ビームが対応するレンズまで伝播する間に
広がるだけの程度の直径に芯取りしたレンズを用いるこ
とを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザ励起固体
レーザ装置において、各光ファイバーに各々２個ずつの
半導体レーザ光を偏光ビームスプリッターを用いて導光
することを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11384891A JPH04320383A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11384891A JPH04320383A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320383A true JPH04320383A (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=14622579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11384891A Withdrawn JPH04320383A (ja) | 1991-04-19 | 1991-04-19 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320383A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09506672A (ja) * | 1993-12-15 | 1997-06-30 | レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 金属基体上にシリコンを包含するフィルムを析出させるための励起又は不安定気体種を生成させるための装置の使用 |
| DE19702146A1 (de) * | 1996-01-22 | 1997-07-24 | Nec Corp | Festkörperlasereinrichtung, die durch von einer Laserdiode ausgesendetes Licht gepumpt wird |
| US5729568A (en) * | 1993-01-22 | 1998-03-17 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. | Power-controlled, fractal laser system |
| JP2017156633A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 古河電気工業株式会社 | レーザシステム |
-
1991
- 1991-04-19 JP JP11384891A patent/JPH04320383A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729568A (en) * | 1993-01-22 | 1998-03-17 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. | Power-controlled, fractal laser system |
| JPH09506672A (ja) * | 1993-12-15 | 1997-06-30 | レール・リキード・ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 金属基体上にシリコンを包含するフィルムを析出させるための励起又は不安定気体種を生成させるための装置の使用 |
| DE19702146A1 (de) * | 1996-01-22 | 1997-07-24 | Nec Corp | Festkörperlasereinrichtung, die durch von einer Laserdiode ausgesendetes Licht gepumpt wird |
| US5859868A (en) * | 1996-01-22 | 1999-01-12 | Nec Corporation | Solid-state laser device which is pumped by light output from laser diode |
| JP2017156633A (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | 古河電気工業株式会社 | レーザシステム |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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