JPH0820859A - 金属表面の乾式処理のための方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 金属表面部の乾式処理のための改善された方
法を提供する。 【構成】 部材の金属表面部は、大気圧に近い圧力で、
励起された又は不安定な化学種を含み、電荷を有する化
学種を実質的に含まない気相処理雰囲気によって処理さ
れ、雰囲気は、主気相混合物、必要ならば近傍気相混合
物から得られ、主気相混合物は、励起された又は不安定
な化学種の製造のための少なくとも１つのデバイスのガ
ス出口で得られる。不活性ガス及び／又は還元ガス及び
／又は酸化ガスを含有する初期気相混合物は、前記デバ
イス内で変化され、近傍混合物は、デバイス内を通過し
ない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、平坦な生成物（シート
状金属) 、または中空体（ビン、バルブ等）の製造また
は処理のための方法において行われる、金属表面の製造
または処理のための工程に関する。

【０００２】

【従来の技術】生成物のための処理工程が行なわれる製
造ラインの部分に依存して、これらの準備工程は、しば
しば後のプロセスに先だって、表面の洗浄、脱脂、また
は活性化を備える。例えば、そのような準備工程は、ア
ニーリング；亜鉛、アルミニウム、スズまたはそれらの
合金の電気メッキ；ワニスまたは塗料のような有機被覆
の堆積；窒化物またはシリコンに基づく膜のような無機
被覆の堆積とすることができる。

【０００３】また、表面の準備のためのこのような工程
は、シート状金属が巻かれる直前のような、製造ライン
の最後に行なわれてもよい。

【０００４】生成物は、問題の生成物の最終目的（例え
ば、自動車、家庭用電気器具、建造物、またはカンのよ
うな容器）に依存して、スチール、ステンレススチー
ル、銅、またはアルミニウムで製造することができる。

【０００５】表面の準備のためのこれらの操作を行なう
のに最も通常用いられる方法としては、まず液相方法が
挙げられる。

【０００６】このカテゴリーの例は、塩素またはフッ素
を通常含有する溶媒（非常に厳密な制御に供される）に
よって行なわれる予備脱脂の場合、または、化学浴中
で、酸、アルカリ、または中性生成物を含有する水性媒
体により金属表面を脱脂することを具備する方法を含む
が、これらは、洗浄後に必要とされる廃水の後処理に関
連した欠点を有する。

【０００７】これに関連して、金属表面の処理または準
備のための方法の第２のカテゴリーが現れ、これは“乾
式方法”と呼ばれる。このカテゴリーの一例は、低圧の
下、電子放射を用いて気相プラズマによって表面を洗浄
することである。この方法は、環境へ大きな配慮を示し
ているので、一見すると非常に好ましいようである。そ
れは、電子放射の２つの別個の操作を合わせ持ち、１つ
は、イオン化された媒体によってある種の条件下で生じ
た強いイオン衝撃、すなわち、原子化による洗浄操作で
あり、もう１つは、シート状金属の表面に存在し、除去
される物質との揮発性化合物を作るために、プラズマ中
に存在する励起された原子および分子の高い反応性の使
用を得る方法、すなわち、本質的に有機性の物質の化学
作用である。電子放射の下での酸洗いのこの方法のため
に一般に好ましい気相雰囲気は、プラズマを発生するガ
スの品質を高めるため、およびこのガスの原子化を促進
するそのイオンの質量を増加させるために、パーセンテ
ージの高いアルゴンを含む。シート状金属の表面に存在
する有機物を、ＣＯ_x またはＣＨ_y タイプの軽質化合物
の形成により除去することによって、放電の化学作用の
一部を使用するために、それは酸素および水素に富むよ
うにされる。

【０００８】このプロセスの高い性能は、低圧の下、ま
たさらには真空中で行なわれるという事実に結び付いた
主な欠点を隠すことができない。それらは、広い金属表
面の処理、または高い生産速度（シート状金属の工業生
産の場合）とは比較的両立しないので、これらの圧力条
件は、紛れもなく、その発展を抑制する。

【０００９】さらにこのように低い圧力の使用は、かな
り付加的な費用を示す。

【００１０】Ｎｏ．２，６９７，４５６で発行されたフ
ランス特許出願において、はんだ付けまたはスズメッキ
前の金属表面のプラズマフラックス処理のための大気圧
下でのプロセスが提案されている。プラズマは、マイク
ロ波源、または、処理される部材の上方に位置する誘電
体に適切に配置されたポートを通して移動するコロナ放
電によって生じる。

【００１１】この出願は、金属表面のフラックス処理の
問題に対する都合のよい解決策を与えるが、提案された
プロセスは、とりわけ以下のような点に関して解決でき
たはずであるという事実が示された。

【００１２】−その収率（プラズマを発生するために導
入される電力と、処理される支持体と実際に相互反応す
る製造された化学種の濃度との比）、または、得られる
エネルチー密度（コロナ放電の場合には、誘電体の単位
体積当たり、数Ｗにしか達しない）が増加するならば、
より短い処理時間を可能にする、−しかしながら、ま
た、“幾何学的”要因を制限する結果として、通常のコ
ロナ放電の場合には、電極と試料との距離が完全に決定
的となるので非常に小さく保たれなければならず、これ
は、平坦でない基体の場合に問題を引き起こす。マイク
ロ波放電の場合、それは、プラズマ源によって制限され
た所定寸法のプラズマを生成する場所の形成を生じさせ
る、−さらに、この開示中で定義によって生じるような
プラズマは、イオン性の化学種および電子（すなわち電
荷を有する化学種）を含み、これは、イオン衝撃、およ
び、ある場合には有害であることが証明された金属表面
の原子化（例えば、金属表面が被膜で覆われる場合に
は、変らないことが望ましい）を引き起こす。

【００１３】これに平行して、Ｎｏ．２，６９２，７３
０で発行されたフランス特許出願では、−この内容は本
明細書中に取り込まれていると仮定される−、実質的に
大気圧で作用する、励起されたまたは不安定なガス分子
の製造のためのデバイスが提案された。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】これに関連して、この
発明の目的は、以下のことを可能にする、金属表面の乾
式処理のための改善されたプロセスを提供することにあ
る。

【００１５】すなわち、 −実質的に大気圧下で作用すること、 −処理される対象物と、この処理を行なうために用いら
れるデバイスとの距離についての高い融通性を得るこ
と、 −部材と、電荷を有する化学種との間の接触を避けるこ
と、および −高められた処理速度を与える改善されたエネルギー密
度を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段および作用】これを目的と
して、本発明の方法にかかる少なくとも１つの金属表面
部の表面を乾式処理のためのプロセスは、励起されたま
たは不安定な化学種を含み、かつ、電荷を有する化学種
が実質的に存在しない気相処理雰囲気によって、大気圧
に近い圧力において金属表面部を処理することを特徴と
する。

【００１７】本発明において用いられる“金属表面”と
いう表現は、処理される金属表面部を含む部材の寸法お
よび厚さにかかわらず、任意のタイプの表面を表わし、
例えば、スチール、ステンレススチール、銅またはアル
ミニウムから作られてもよい。それらの最終的な産業用
途は、広く変えることができ、これらの金属表面は、例
えば、家庭用電気器具、自動車、市販のガスの分野にお
いて、または建築物若しくは容器産業において使用する
ことができる。

【００１８】本発明において用いられる“表面処理”の
表現は、金属表面部の準備、洗浄、活性化または脱脂の
ための任意の段階を表わし、この段階は、この種の金属
表面を用いた生成物（それらが、シート状金属のような
平面、またはビンのような中空かどうかにかかわらな
い）のための製造ラインの異なる部分で行なうことがで
き、製造ラインの最後（例えば、このようなシート状金
属を巻く前）、または、アニーリング；亜鉛、アルミニ
ウム、スズ、またはそれらの合金の電気メッキのような
操作；ワニスまたは塗料等の有機被膜の堆積；窒化物ま
たはシリコンに基づくフィルム等の無機被膜の堆積のよ
うな引き続いて行なわれる工程の前に、製造の途中で行
なうことができる。

【００１９】それゆえ、本発明にかかる表面処理プロセ
スの適用の目的は、特に、後の工程の適用を促進するこ
と、例えば、塗料の被覆の接着を促進することにある。

【００２０】本発明の表面処理方法は、単独で、また
は、本発明の方法を適用する前後に行なわれるその他の
表面準備に加えて、適用することができる。

【００２１】本発明で用いられる“大気圧に近い圧力”
の表現は、０．１×１０⁵ Ｐａないし３×１０⁵ Ｐａの
範囲にある圧力を表わす。

【００２２】本発明の処理雰囲気は、電荷を有する化学
種、すなわちイオンまたは電子が実質的に存在しない点
において、通常のプラズマ雰囲気とは異なる。

【００２３】気相処理雰囲気は、主気相混合物、必要な
らば近傍気相混合物から得ることができ、主気相混合物
は、励起されたまたは不安定な気相種の製造のための少
なくとも１つのデバイスのガス出口で得られる。そのデ
バイス内では、不活性ガスおよび／または還元ガスおよ
び／または酸化ガスを含有する初期ガス混合物が変換さ
れ、近傍混合物はデバイス内を通過しない。

【００２４】本発明のデバイスは、不安定なまたは励起
された気相種を含むもう１つの気相混合物をデバイスの
ガス出口で得るために、初期気相混合物を“励起する”
任意の装置によって構成され、ガス出口での気相混合物
は、電荷を有する化学種を実質的に含まない。このよう
な励起は、例えば、コロナ放電タイプのような電子放射
によって生じさせることができる。

【００２５】励起されたまたは不安定な気相種を含む処
理雰囲気の主成分が、デバイスの出口で得られ、それに
よって、電荷を有する化学種をこの主成分中に実質的に
含まないことを確実にするので、この配置は、“後放
電”として表現することができる。デバイス内を通過し
ない処理雰囲気の近傍成分は、これらのフォーティオリ
（ｆｏｒｔｉｏｒｉ）を含まない。

【００２６】さらに、この配置は、雰囲気の主成分が発
生する位置と、それが用いられる位置との間の明確な分
離を可能にし、このことは、デバイスの汚染の観点から
著しい利点を与える（表面処理操作に起因する種々の放
出物が、例えば、電極等のデバイスの内側を汚染するこ
とを避ける）。最終的に、デバイス内（例えば、電極間
での放電内）で処理されない部材は、上述の“距離”の
観点から、改善された融通性により利益を得る。

【００２７】不活性ガスは、例えば、窒素、アルゴン、
ヘリウム、またはこれらの不活性ガスの混合物を含有す
ることができる。還元ガスは、例えば、水素、ＣＨ₄ 、
天然ガス、プロパン、アンモニア、またはこれらの還元
ガスの混合物を含むことができる。その部分のための酸
化ガスは、例えば、酸素、ＣＯ₂ 、Ｎ₂ Ｏ、Ｈ₂ Ｏ、ま
たはこれらの酸化ガスの混合物を含むことができる。当
然ながら、列挙された各範疇のガスは一例にすぎず、何
等限定するものではない。

【００２８】当業者に明らかとなるように、励起された
または不安定な気相種を含み、主気相混合物と呼ばれる
気相混合物をデバイスのガス出口で得るために、本発明
の初期ガス混合物は、励起されたまたは不安定な気相種
の製造のための少なくとも１つのデバイス内で処理また
は変換される。

【００２９】また、当業者に明らかとなるように、処理
される表面部を有する部材は、励起されたまたは不安定
な気相種の製造のための単一のデバイス、または部材の
幅にわたって平行に配置された複数のデバイスのガス出
口で得られた主気相混合物と接触する。または、部材
は、励起されたまたは不安定な気相種の製造のための直
列に配置されたいくつかのデバイスの出口で得られる主
気相混合物と、連続して接触する。

【００３０】本発明の方法は、被処理部材の一方の面の
みを処理する場合、および被処理部材の両方の面を処理
する場合のいずれにも、使用者の要求に応じて適用する
ことができる。後者の場合、必要なデバイスは、部材の
各面に対向して配置することが好ましい。

【００３１】本発明によれば、近傍混合物は、任意のガ
スまたはガス混合物から構成することができ、必要なら
ば、部材の周囲の保護的な雰囲気を維持するのを可能と
するために、例えば、不活性ガスまたは不活性ガスの混
合物とすることができる。さらに、還元ガスまたは酸化
ガス、これらの３種類のカテゴリーの１つのガスの混合
物でもよい。

【００３２】本発明の特徴の１つによれば、近傍混合物
はシランＳｉＨ₄ を含有する。シランを含むこの種の混
合物は、部材の表面に存在するある種の金属酸化物に対
するその還元作用のために好ましく使用されるが、ま
た、残留酸素レベルを最小にするために、部材の上方に
存在する雰囲気からの残留酸素との相互作用において、
酸素“スカベンジャー”またはトラッパーとして用いら
れる初期気相混合物に依存する。

【００３３】本発明の態様の１つによれば、処理される
金属表面部分は、６００℃を越えない温度に加熱され、
典型的には室温ないし６００℃に加熱される。

【００３４】本発明の態様の１つによれば、処理される
部分を有する部材は、周囲の雰囲気から封鎖するための
トンネルまたはフードアセンブリーにより画定された内
部空間を横切る搬送システムによって、前記デバイスの
ガス出口に対向して移動し、必要ならば、部材の幅にわ
たって平行に配置された複数のデバイスのガス出口に対
向して、および／または、直列に配置された複数のデバ
イスのガス出口に対向して移動する。前記トンネルまた
はアセンブリーは、デバイスを密封するように、または
デバイスを含むように接続される。

【００３５】上述の同様の見解は、両面処理に関しても
適用することができる（この場合は、デバイスは必要な
数とし、部材の各面に対向して配置する）。

【００３６】該当する産業に応じて、本発明の搬送手段
は、例えば、ベルトとすることができ、シート状の金属
の場合には、ローラとすることができる。

【００３７】本発明の態様の１つによれば、前記初期気
相混合物が変換されるデバイスは、第１の電極と第２の
電極との間で発生する電子放射の場所であり、誘電体材
料の層が他方の電極に対向して、少なくとも１つの電極
表面に配置され、初期気相混合物は電極を横切って放電
する。

【００３８】本発明の特徴の１つによれば、デバイス内
で用いられ、誘電体の単位面積について修正されたエネ
ルギーは、１Ｗ／ｃｍ² を越えることが好ましく、１０
Ｗ／ｃｍ² を越えることがより好ましい。

【００３９】本発明の態様の１つによれば、搬送手段に
沿って被処理部材に連続的に対面する処理雰囲気は、以
下の領域に分けられる。

【００４０】ａ）励起されたまたは不安定な気相種の製
造のための少なくとも１つのデバイスが、その前にトン
ネルまたはアセンブリ−内のデバイスによって変換され
る気相混合物とは異なる初期気相混合物を変換する領
域、および／または ｂ）励起されたまたは不安定な気相種の製造のためのデ
バイスで用いられる近傍気相混合物が、その前にトンネ
ルまたはアセンブリー内のデバイスにおいて用いられる
気相混合物とは異なる領域 本発明の態様の１つによれば、工程ａ）およびｂ）は、
単一のデバイスで行なわれてもよい。

【００４１】それゆえ、例えば、１つのデバイスから次
のデバイスへ、増加した還元力を有する混合物を使用す
ることが可能である。

【００４２】また、本発明は、本発明の方法を行なうの
に適切な、少なくとも１つの金属表面部の乾式表面処理
のための装置に係り、前記装置は、処理される表面部を
有する部材のための搬送手段が横切る内部空間を画定す
るトンネルまたはフードアセンブリ−を具備し、前記ト
ンネルまたはフードアセンブリーは、周囲の雰囲気に関
して封鎖され、連続しておよび／または平行に配置さ
れ、励起されたまたは不安定な気相種の製造のための１
またはこれ以上のデバイスに密閉されるように、また
は、前記デバイスを含むように接続され、外部電極と内
部電極との間に形成された軸を有する少なくとも１つの
管状ガス流路を含み、少なくとも１つの電極は他の電極
に対向した誘電体被覆を有し、これらの電極は、高電圧
・高周波数の電源に接続され、外部電極は誘電体を包囲
し、かつ、初期ガスと称されるガスの入口と、主ガスと
称されるガスの出口とを有し、この入口および出口は、
軸に平行に延びて、実質的に直径上で他方に対向し、前
記ガス出口は、トンネルまたはアセンブリーの内側に向
かって開いており、トンネルまたはアセンブリーは、必
要ならば、前記デバイス内を通過しない近傍ガスと呼ば
れるガスの注入手段を少なくとも１つ具備し、装置は、
必要ならば、処理される部材を加熱するための加熱手段
をさらに有する。

【００４３】この加熱手段は、トンネル内に存在する赤
外線ランプ、または対流加熱（トンネル内の壁を加熱す
る）によって構成することができ、加熱された基体キャ
リア上に部材を配置してもよい。

【００４４】本発明のその他の特徴および利点は、以下
の説明、および限定されない例によって与えられたいく
つかの態様から明らかになるであろう。

【００４５】

【実施例】図１は、励起されたまたは不安定な気相種の
製造のためのデバイス４のガス出口に対向した搬送手段
２によって運ばれ、処理される金属表面部を有する部材
１を示す。

【００４６】搬送システム２は、密封されるようにデバ
イス４に都合よく接続されたトンネル３によって画定さ
れた内部空間３１を横切る。

【００４７】デバイス４の出口６で得られる主気相混合
物は、模式的に８で示される。主気相混合物８は、その
ガス入口５においてデバイスに流入する初期気相混合物
７から得られる。

【００４８】また、図１に示した態様は、近傍気相混合
物９，１０のための入口を示す。近傍気相混合物９，１
０を含む気相雰囲気および主気相混合物８は、本発明の
処理雰囲気３０を構成する。

【００４９】図１に示した態様は、励起されたまたは不
安定な気相種（図示せず）の製造のための付加的なデバ
イスを１１，１２に示し、このデバイスは第１のデバイ
ス４と直列に配置され、連続的に部材１に対面する。

【００５０】それゆえ、装置は、１３および２９で示さ
れるような、近傍気相混合物のための他の入口を補足的
に具備してもよい。

【００５１】さらに、必要とあれば、部材１を加熱する
ための手段（図示せず）を装置に設けてもよい。この加
熱手段は、例えば、トンネル内の赤外線ランプ、または
対流加熱（トンネルの壁を加熱する）により構成するこ
とができる。または、加熱された基体キャリア上に部材
を設置してもよい。

【００５２】図２に示す態様のように、この態様のため
のデバイスは円筒形状である。それは、例えば、金属ブ
ロック１５の内壁面によって形成された第１の管状電極
１４を具備し、その内側には、セラミックス等の誘電体
の管１６を含むアセンブリーが同心円状に配置されてい
る。図２中には、管１６の内壁面に、説明のために誇張
した厚さで第２の電極１７が示されているが、これは電
気メッキにより堆積される。

【００５３】それゆえ、誘電体１６および第２の電極１
７を具備するアセンブリーは、第１の電極１４とともに
管状のガス流路１８を画定し、その内側には、冷却剤が
循環する内部体積１９が存在する。冷却剤としては、電
気的に不活性な特徴からフレオンが好ましく、交換水で
もよい。内側のガス流路１８は、１ｍ未満、典型的には
５０ｃｍ未満の軸方向の大きさと、３ｍｍを越えない厚
さ、典型的には２．５ｍｍ未満の半径方向の厚さを有す
る。

【００５４】ブロック１５は、２つの対向する長手方向
の細長い隙間２０および２１を有し、これらは、それぞ
れ励起される初期ガスの流路１８内への入口、および励
起されたまたは不安定な気相種を含む主ガス流の出口を
形成する。

【００５５】細長い隙間２０および２１は、空洞部１８
の軸方向の長さ全域にわたって延び、図示される態様に
おいては、厚さｅを越えない高さを有し、典型的には実
質的に厚さと同等である。母材１５は、好ましくは、第
１の電極１４の周囲に水等の冷却剤の流路のための複数
の導管２２を有する。ガス入口２０は、ブロック１５と
つながり、初期ガス源２６から発生した初期ガスを０．
１×１０⁵ Ｐａ〜３×１０⁵ Ｐａの圧力で流入するため
の管２５を有するハウジング２４内に形成された均一化
チャンバーまたは高圧チャンバー２３と連通する。電極
１４および１７は、好ましくは１５ｋＨｚを越える周波
数で動作し、約１０ｋＷの電力を供給する高電圧および
高周波数の発電機２７と接続されている。また、発電機
から供給されたこの電力は、誘電体表面領域について
（すなわち、誘電体電極の単位面積について）、それを
修正して表すことができる。

【００５６】励起された気相種を含有し、ガス出口２１
で利用される気相流は、金属表面の処理のためのユーザ
ーステーション２８に送られる。

【００５７】図１に関連して説明したような１つの装置
は、本発明の態様を実施するために使用される。

【００５８】装置は、励起されたまたは不安定な気相種
を４において製造するための、図２に関連して説明した
ような単一のデバイスを具備する。この態様について、
０．２ｍｍの厚さを有する冷間圧延低炭素鋼のシート状
金属を処理した。処理されたサンプルは、一辺が１０ｃ
ｍの正方形であった。

【００５９】用いられた処理雰囲気は、窒素を含有する
近傍混合物、および窒素と４０％の水素との初期混合物
から得られた主気相混合物の添加を含む。

【００６０】初期混合物は、窒素および水素の処理量を
それぞれ１０ｍ³ ／ｈおよび７ｍ³／ｈとして得た。処
理の間、スチール部材は、加熱基体キャリアによって１
５０℃の温度にし、トンネルの内側の圧力は、実質的に
大気圧のレベルに維持した。誘電体の１平方ｃｍ当たり
に用いたエネルギー密度は、１５Ｗ／ｃｍ² であり、部
材とデバイスのガス出口との距離は、１０ｍｍであっ
た。

【００６１】それぞれのスチール部材は、搬送手段２の
作用によって通過する際に２ｍｎ内で処理された。この
方法で得られた表面洗浄の特性を、引き続いて行なわれ
るシリカの堆積により試験し、このように処理されたス
チール部材へのシリカの接着性を評価する。５０００オ
ングストロームで堆積されたシリカのこの種のスチール
部材への接着性は、“スコッチ”法として知られる標準
的な試験方法によって評価した。

【００６２】この場合、スコッチ試験は以下のようにし
て適用した。

【００６３】シリコンの堆積を行ない、スチールサンプ
ル（１０ｃｍ×１０ｃｍ）の１ｃｍ² の表面領にわたっ
て、１００個の正方形を得るための彫り込んだ。なお、
各正方形は、約１ｍｍ² の表面領域を有する。堆積の
後、シート状のスチールサンプルの表面領域のこの面積
にわたって、粘着テープをしっかりと接着し、その後除
去した。試験は、除去されてテープの内面に付着した正
方形の計数により行なわれる。前述のような表面洗浄後
の態様において得られた結果は、各シート状の金属部材
の上に１００％のシリカが残留したということを明らか
にし、これは、テープの内面に移動した正方形が０であ
ったことに対応する。この結果を、本発明の方法によっ
て処理せず、単にヘキサン等の溶媒で脱脂した場合の結
果と比較した。これは、未処理の金属部材の表面から１
００％の正方形が除去されるという結果をもたらし、金
属部材上にシリカの正方形が１つも残留しなかったこと
に相当する。

【００６４】以上、特定の態様に関して本発明を説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明
の範囲内で改良および変更を行い得ることが当業者には
明かである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法を実施するための適切な装置の一
例を示す図。

【図２】本発明の方法を実施するために適切な、励起さ
れたまたは不安定な気相種の製造のためのデバイスの一
例を示す断面図。

【符号の説明】

１…部材，２…搬送システム，３…トンネル，４…デバ
イス，５…ガス入口 ６…ガス出口，７…初期気相混合物，８…主気相混合
物，９…近傍気相混合物 １０…近傍気相混合物，１１…付加的デバイス，１２…
付加的デバイス １３…ガス入口，１４…第１の電極，１５…金属ブロッ
ク １６…セラミック管，１７…第２の電極，１８…ガス流
路，２０…細長い隙間 ２１…細長い隙間，２２…導管，２３…チャンバー，２
４…ハウジング ２５…管，２６…初期ガス源，２７…発電機，２８…ユ
ーザーステーション ２９…ガス入口，３０…処理雰囲気，３１…内部空間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ステファーヌ・ラビア フランス国、91190 ジフ・シュール・イ ベット、アブニュ・ドゥ・ジェネラル・ル クレール 160、レジデンス・デュ・パル ク・デュ・シャトー・ドゥ・クールセル 14 (72)発明者 ダニエル・ゲラン フランス国、 77500 シェル、リュ・ア レクサンドル・ビッカール バ・33、レジ デンス・デュ・バル・フルーリ (72)発明者 クリスチャン・ラルケ フランス国、78280 ギュイアンクール、 リュ・ブノワ・フラション 55

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属表面部が、大気圧に近い圧力におい
   て、励起されたまたは不安定な化学種を含み、電荷を有
   する化学種を実質的に含まない気相処理雰囲気によって
   処理され、雰囲気は、主気相混合物、必要ならば近傍気
   相混合物から得られ、主気相混合物は、励起されたまた
   は不安定な化学種の製造のための少なくとも１つのデバ
   イスのガス出口で得られ、不活性ガスおよび／または還
   元ガスおよび／または酸化ガスを含有する初期気相混合
   物が変化されることを特徴とする、少なくとも１つの金
   属表面部の乾式処理方法。
2. 【請求項２】 気相処理雰囲気が、主気相混合物と、前
   記デバイス内を通過しない近傍気相混合物とによって得
   られる請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】 近傍混合物が、シランＳｉＨ₄ を含有す
   る請求項２に記載の方法。
4. 【請求項４】 処理される金属部分を有する部材が、６
   ００℃を越えない温度まで高めされる請求項１ないし３
   のいずれか１項に記載の方法。
5. 【請求項５】 処理される金属部を有する部材は、周囲
   の雰囲気から封鎖されたトンネルまたはフードアセンブ
   リーにより画定された内部空間を横切る搬送システムよ
   って、デバイスのガス出口に対向して、必要ならば、部
   材の幅にわたって平行に配置された複数のデバイスのガ
   ス出口に対向して、および／または、直列に配置された
   複数のデバイスのガス出口と連続して対向して移動し、
   前記トンネルまたはアセンブリーは、デバイスを封鎖す
   るように、またはデバイスを含むように接続されている
   請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
6. 【請求項６】 初期気相混合物が変化されるデバイス
   は、第１の電極と第２の電極との間に発生する電子放射
   の場所であり、少なくとも１つの電極の表面に他方の電
   極に対向して誘電体材料の層が配置され、初期気相混合
   物は、電極の間の放電を横切って移動する請求項５に記
   載の方法。
7. 【請求項７】 前記デバイス内で用いられ、誘電体の単
   位面積当たりに修正されたエネルギーが、１Ｗ／ｃｍ²
   を越え、好ましくは１０Ｗ／ｃｍ² を越える請求項６に
   記載の方法。
8. 【請求項８】 処理される部材が連続して対面する処理
   雰囲気が、搬送手段に沿って、 励起されたまたは不安定な気相種の製造のための少なく
   とも１つのデバイスが、その前にトンネルまたはアセン
   ブリ−内のデバイスによって変換される気相混合物とは
   異なる初期気相混合物を変換する領域に分割される請求
   項５ないし７のいずれか１項に記載の方法。
9. 【請求項９】 処理される部材が連続して対面する処理
   雰囲気が、搬送手段に沿って、 ａ）励起されたまたは不安定な気相種の製造のための少
   なくとも１つのデバイスが、その前にトンネルまたはア
   センブリ−内のデバイスによって変換される気相混合物
   とは異なる初期気相混合物を変換する領域、および／ま
   たは ｂ）励起されたまたは不安定な気相種の製造のためのデ
   バイスで用いられる近傍気相混合物が、その前にトンネ
   ルまたはアセンブリー内のデバイスにおいて用いられる
   気相混合物とは異なる領域のような領域に分割される請
   求項５ないし７のいずれか１項に記載の方法。
10. 【請求項１０】 前記段階ａ）およびｂ）が単一デバイ
    ス内で行なわれる請求項９に記載の方法。
11. 【請求項１１】 処理される部分を有する部材のための
    搬送手段が横切る内部空間を画定するトンネルまたはフ
    ードアセンブリーを具備し、前記トンネルまたはフード
    アセンブリーは、周囲の雰囲気に関して封鎖され、連続
    して若しくは平行に配置され、励起されたまたは不安定
    な気相種の製造のための１またはこれ以上のデバイスに
    密閉されるように、または、前記デバイスを含むように
    接続され、外部電極と内部電極との間に形成された軸を
    有する少なくとも１つの管状ガス流路を含み、少なくと
    も１つの電極は他の電極に対向して誘電体被覆を有し、
    これらの電極は、高電圧・高周波数の電源に接続され、
    外部電極は誘電体を包囲し、かつ、初期ガスと称される
    ガスの入口と、主ガスと称されるガスの出口とを有し、
    この入口および出口は、軸に平行に延びて、実質的に直
    径上で他方に対向する、請求項１ないし１０のいずれか
    １項に記載の方法を行なうのに適切な、少なくとも１つ
    の金属表面部の乾式処理のための装置。
12. 【請求項１２】 前記トンネルまたはアセンブリーが、
    前記デバイス内を通過せず近傍ガスと称されるガスの注
    入のための少なくとも１つの手段を具備する請求項１１
    に記載の装置。