JPH095049A - 凹凸形状測定方法及び測定装置 - Google Patents
凹凸形状測定方法及び測定装置Info
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- JPH095049A JPH095049A JP7152832A JP15283295A JPH095049A JP H095049 A JPH095049 A JP H095049A JP 7152832 A JP7152832 A JP 7152832A JP 15283295 A JP15283295 A JP 15283295A JP H095049 A JPH095049 A JP H095049A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】回折光のみを用いて、溝形状を一意に決定する
方法及び装置を提供することを目的とする。 【構成】入射光を被測定物に入射させ、前記被測定物か
ら生じた回折光を利用して凹凸形状を測定する方法にお
いて、偏光状態の異なる複数の直線偏光を前記被測定物
に入射させることを特徴とする凹凸形状測定方法。ま
た、光源と、前記光源から放射される光線によって測定
される被測定物と、前記被測定物から生じた回折光を検
出する検出器と、を有する凹凸形状測定装置において、
前記光源から前記被測定物の光路中に偏光状態の異なる
複数の直線偏光を得るための偏光手段を有することを特
徴とする凹凸形状測定装置。
方法及び装置を提供することを目的とする。 【構成】入射光を被測定物に入射させ、前記被測定物か
ら生じた回折光を利用して凹凸形状を測定する方法にお
いて、偏光状態の異なる複数の直線偏光を前記被測定物
に入射させることを特徴とする凹凸形状測定方法。ま
た、光源と、前記光源から放射される光線によって測定
される被測定物と、前記被測定物から生じた回折光を検
出する検出器と、を有する凹凸形状測定装置において、
前記光源から前記被測定物の光路中に偏光状態の異なる
複数の直線偏光を得るための偏光手段を有することを特
徴とする凹凸形状測定装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、凹凸形状の測定に関
し、特に、光ディスクに刻まれた溝や半導体基板上に焼
き付けられたパターンを非接触で測定することに関す
る。
し、特に、光ディスクに刻まれた溝や半導体基板上に焼
き付けられたパターンを非接触で測定することに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】特開昭57−187604号公報に開示されてい
るように、従来は、測定物から生じる特定の回折光を用
いて、光ディスクに刻まれた溝や半導体基板上に焼き付
けられたパターンを非接触且つ高速で測定していた。図
１を用いて、詳細に説明する。図１（ａ）に示すよう
に、レーザー光の入射光ＩＬが周期的な溝を有する測定
物である基板３上に照射され、基板表面に刻まれた溝に
よって回折される。受光器４を走査することにより、０
次回折光ＤＬ0、１次回折光ＤＬ1 及び２次回折光ＤＬ
2 の強度が測定される。そして、これらの回折光強度の
測定値をもとに溝形状を決定する。
るように、従来は、測定物から生じる特定の回折光を用
いて、光ディスクに刻まれた溝や半導体基板上に焼き付
けられたパターンを非接触且つ高速で測定していた。図
１を用いて、詳細に説明する。図１（ａ）に示すよう
に、レーザー光の入射光ＩＬが周期的な溝を有する測定
物である基板３上に照射され、基板表面に刻まれた溝に
よって回折される。受光器４を走査することにより、０
次回折光ＤＬ0、１次回折光ＤＬ1 及び２次回折光ＤＬ
2 の強度が測定される。そして、これらの回折光強度の
測定値をもとに溝形状を決定する。
【０００３】回折光強度の測定値から溝形状を決定する
ための原理は、以下の様に説明されている。スカラー回
折理論によれば、０次回折光強度、１次回折光強度及び
２次回折光強度をそれぞれ、Ｉ0 、Ｉ1 及びＩ2 とする
と、（１）式及び（２）式が成り立つ。
ための原理は、以下の様に説明されている。スカラー回
折理論によれば、０次回折光強度、１次回折光強度及び
２次回折光強度をそれぞれ、Ｉ0 、Ｉ1 及びＩ2 とする
と、（１）式及び（２）式が成り立つ。
【０００４】
【数１】
【０００５】
【数２】
【０００６】ここで、λは波長、ｐは溝周期、Ｗは溝
幅、Ｈは溝深さ、Φは反射位相差であり、溝周期ｐ、溝
幅Ｗ及び溝深さＨの概念は図１（ｂ）に示す。また、こ
こで、反射位相差Φは（３）式として表される。 Φ＝４πＨ／λ （３） 上記（１）式、（２）式及び（３）式より、０次回折
光、１次回折光及び２次回折光の強度比が決定される。
幅、Ｈは溝深さ、Φは反射位相差であり、溝周期ｐ、溝
幅Ｗ及び溝深さＨの概念は図１（ｂ）に示す。また、こ
こで、反射位相差Φは（３）式として表される。 Φ＝４πＨ／λ （３） 上記（１）式、（２）式及び（３）式より、０次回折
光、１次回折光及び２次回折光の強度比が決定される。
【０００７】従って、逆に、０次回折光、１次回折光及
び２次回折光の強度比より、溝幅と溝深さとを決定する
ことができる。図２は、スカラー回折理論を用いて、入
射光の波長６３２．８ｎｍ、入射光の入射角４５°で、
溝周期ｐ＝１．６μｍの測定物を測定したときの、溝幅
Ｗ、溝深さＨ、（Ｉ1 ／Ｉ0 ）、及び（Ｉ2 ／Ｉ1 ）を
表した図である。縦軸左側のスケールは溝幅Ｗを表して
おり、横軸下側のスケールは溝深さＨを表している。そ
れぞれの等高線については、かぎ括弧付きの数字で表さ
れている方が（Ｉ1 ／Ｉ 0 ）を、括弧のついていない数
字で表されている方が（Ｉ2 ／Ｉ1 ）を表している。
び２次回折光の強度比より、溝幅と溝深さとを決定する
ことができる。図２は、スカラー回折理論を用いて、入
射光の波長６３２．８ｎｍ、入射光の入射角４５°で、
溝周期ｐ＝１．６μｍの測定物を測定したときの、溝幅
Ｗ、溝深さＨ、（Ｉ1 ／Ｉ0 ）、及び（Ｉ2 ／Ｉ1 ）を
表した図である。縦軸左側のスケールは溝幅Ｗを表して
おり、横軸下側のスケールは溝深さＨを表している。そ
れぞれの等高線については、かぎ括弧付きの数字で表さ
れている方が（Ｉ1 ／Ｉ 0 ）を、括弧のついていない数
字で表されている方が（Ｉ2 ／Ｉ1 ）を表している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、（１）式、
（２）式、（３）式及び図２から分かるように、溝幅Ｗ
＝溝深さｐ／２に関して対称である。即ち、溝幅がａ
（任意の数）のときとｐ−ａのときとでは区別がつかな
い、或いは凹凸の識別ができないといったことを表して
いる。例えば、溝周期ｐ＝１．６μｍとした場合、溝幅
Ｗ＝０．４μｍと溝幅Ｗ＝１．２μｍとでは同じ回折光
を生じるため、回折光の測定から溝幅を一意に決定でき
ない。
（２）式、（３）式及び図２から分かるように、溝幅Ｗ
＝溝深さｐ／２に関して対称である。即ち、溝幅がａ
（任意の数）のときとｐ−ａのときとでは区別がつかな
い、或いは凹凸の識別ができないといったことを表して
いる。例えば、溝周期ｐ＝１．６μｍとした場合、溝幅
Ｗ＝０．４μｍと溝幅Ｗ＝１．２μｍとでは同じ回折光
を生じるため、回折光の測定から溝幅を一意に決定でき
ない。
【０００９】溝幅がある程度狭い場合や広い場合は、溝
幅が狭いか広いかが予め明らかであることが多いので特
に問題にはならない。しかし、Ｗ≒ｐ／２の場合は、Ｗ
＝ｐ／２より狭いか広いかが判別できないことが普通で
あり、凹凸の識別ができないことが大きな問題となって
いた。そのため、別の方法で決定せざるを得なかった。
幅が狭いか広いかが予め明らかであることが多いので特
に問題にはならない。しかし、Ｗ≒ｐ／２の場合は、Ｗ
＝ｐ／２より狭いか広いかが判別できないことが普通で
あり、凹凸の識別ができないことが大きな問題となって
いた。そのため、別の方法で決定せざるを得なかった。
【００１０】ところで、溝周期ｐや溝幅Ｗが波長程度に
なると、回折光強度がＷ＝ｐ／２に関して対称でなくな
る等、スカラー回折理論からのずれが顕著になってく
る。この様な場合、特開平1-285806号公報に開示された
ように、ベクトル回折理論で回折計算を行う必要があ
る。図３は、図２のときと同様に、入射光の波長６３
２．８ｎｍ、入射光の入射角４５°、溝周期Ｗ１．６μ
ｍ、基板を完全導体、入射光の偏光面（電場の振動面）
が溝に平行な条件として、ベクトル回折理論を用いて計
算した場合の回折光強度比を表した図である。また、図
３の見方は、図２と同様である。図２と比較すると、も
はやＷ＝ｐ／２に関して対称ではなくなっていることが
分かる。しかしながら、この様な場合でも、回折光から
溝形状が一意に決まらないという不定性は、相変わらず
残ったままである。例えば、図３でＡ点とＢ点とでは、
同一の回折光強度比を与える。
なると、回折光強度がＷ＝ｐ／２に関して対称でなくな
る等、スカラー回折理論からのずれが顕著になってく
る。この様な場合、特開平1-285806号公報に開示された
ように、ベクトル回折理論で回折計算を行う必要があ
る。図３は、図２のときと同様に、入射光の波長６３
２．８ｎｍ、入射光の入射角４５°、溝周期Ｗ１．６μ
ｍ、基板を完全導体、入射光の偏光面（電場の振動面）
が溝に平行な条件として、ベクトル回折理論を用いて計
算した場合の回折光強度比を表した図である。また、図
３の見方は、図２と同様である。図２と比較すると、も
はやＷ＝ｐ／２に関して対称ではなくなっていることが
分かる。しかしながら、この様な場合でも、回折光から
溝形状が一意に決まらないという不定性は、相変わらず
残ったままである。例えば、図３でＡ点とＢ点とでは、
同一の回折光強度比を与える。
【００１１】本発明は上記問題点に鑑み、回折光のみを
用いて、溝形状を一意に決定する方法及び装置を提供す
ることを目的とする。
用いて、溝形状を一意に決定する方法及び装置を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するため
に、本発明では、入射光を被測定物に入射させ、前記被
測定物から生じた回折光を利用して凹凸形状を測定する
方法において、偏光状態の異なる複数の直線偏光を前記
被測定物に入射させることを特徴とする凹凸形状測定方
法を提供する。
に、本発明では、入射光を被測定物に入射させ、前記被
測定物から生じた回折光を利用して凹凸形状を測定する
方法において、偏光状態の異なる複数の直線偏光を前記
被測定物に入射させることを特徴とする凹凸形状測定方
法を提供する。
【００１３】また、上記目的を解決するために、本発明
による別の態様では、光源と、前記光源から放射される
光線によって測定される被測定物と、前記被測定物から
生じた回折光を検出する検出器と、を有する凹凸形状測
定装置において、前記光源から前記被測定物の光路中に
偏光状態の異なる複数の直線偏光を得るための偏光手段
を有することを特徴とする凹凸形状測定装置を提供す
る。
による別の態様では、光源と、前記光源から放射される
光線によって測定される被測定物と、前記被測定物から
生じた回折光を検出する検出器と、を有する凹凸形状測
定装置において、前記光源から前記被測定物の光路中に
偏光状態の異なる複数の直線偏光を得るための偏光手段
を有することを特徴とする凹凸形状測定装置を提供す
る。
【００１４】
【作用】溝の周期や溝幅が波長程度になると、回折光強
度が入射光の偏光状態に依存する現象が現れる。即ち、
入射光を直線偏光とした場合、偏光方向が溝に平行か垂
直かで発生する回折光強度が異なる。この入射条件の違
いによる回折光強度を利用する。
度が入射光の偏光状態に依存する現象が現れる。即ち、
入射光を直線偏光とした場合、偏光方向が溝に平行か垂
直かで発生する回折光強度が異なる。この入射条件の違
いによる回折光強度を利用する。
【００１５】
【実施例】図４は、ベクトル回折理論によって、入射光
の偏光面（電場の振動面）が溝に垂直な場合の回折光強
度比を表した図であり、計算条件は図２及び図３を計算
したときと同一である。図３及び図４は、同一の溝形状
であっても入射光の偏光方向によって回折光強度比が明
らかに異なっていることを示している。そこで、先ず、
入射光に直線偏光を用い、偏光面が溝に平行な場合（平
行偏光入射）と溝に垂直な場合（垂直偏光入射）に対し
て回折光強度の測定を行う。次に、平行偏光入射で得ら
れた複数の解と垂直偏光入射で得られた複数の解とを照
合し、同一の解を選定する。この様にして選定された同
一の解が、被測定物の溝形状であり、一意に溝形状を決
定することが可能となる。
の偏光面（電場の振動面）が溝に垂直な場合の回折光強
度比を表した図であり、計算条件は図２及び図３を計算
したときと同一である。図３及び図４は、同一の溝形状
であっても入射光の偏光方向によって回折光強度比が明
らかに異なっていることを示している。そこで、先ず、
入射光に直線偏光を用い、偏光面が溝に平行な場合（平
行偏光入射）と溝に垂直な場合（垂直偏光入射）に対し
て回折光強度の測定を行う。次に、平行偏光入射で得ら
れた複数の解と垂直偏光入射で得られた複数の解とを照
合し、同一の解を選定する。この様にして選定された同
一の解が、被測定物の溝形状であり、一意に溝形状を決
定することが可能となる。
【００１６】例えば、平行偏光入射のときの回折光強度
比の測定値が、 Ｉ1 ／Ｉ0 ＝０．１ Ｉ2 ／Ｉ1 ＝０．２ （３） であったとすると、図３より、 Ｗ＝０．６６２μｍ Ｈ＝０．０６７μｍ （４） Ｗ＝１．１１０μｍ Ｈ＝０．０６４μｍ （５） の２組の解が得られる（図３中のＡ点及びＢ点）。
比の測定値が、 Ｉ1 ／Ｉ0 ＝０．１ Ｉ2 ／Ｉ1 ＝０．２ （３） であったとすると、図３より、 Ｗ＝０．６６２μｍ Ｈ＝０．０６７μｍ （４） Ｗ＝１．１１０μｍ Ｈ＝０．０６４μｍ （５） の２組の解が得られる（図３中のＡ点及びＢ点）。
【００１７】また、垂直偏光入射のときの回折光強度比
の測定値が、 Ｉ1 ／Ｉ0 ＝０．２ Ｉ2 ／Ｉ1 ＝０．１ （６） であったとすると、図４より、 Ｗ＝０．６６２μｍ Ｈ＝０．０６７μｍ （７） Ｗ＝０．８７８μｍ Ｈ＝０．０７１μｍ （８） の２組の解が得られる（図４中のＣ点及びＤ点）。
の測定値が、 Ｉ1 ／Ｉ0 ＝０．２ Ｉ2 ／Ｉ1 ＝０．１ （６） であったとすると、図４より、 Ｗ＝０．６６２μｍ Ｈ＝０．０６７μｍ （７） Ｗ＝０．８７８μｍ Ｈ＝０．０７１μｍ （８） の２組の解が得られる（図４中のＣ点及びＤ点）。
【００１８】（４）、（５）と（７）、（８）とで同一
の解は、（４）と（７）となる。よって、溝形状は、 Ｗ＝０．６６２μｍ Ｈ＝０．０６７μｍ （９） と決定する。上記実施例では、測定物である基板を完全
導体と仮定している。もし、基板が完全導体でない場
合、基板の屈折率を考慮した回折計算を行えば、精度は
更に向上する。
の解は、（４）と（７）となる。よって、溝形状は、 Ｗ＝０．６６２μｍ Ｈ＝０．０６７μｍ （９） と決定する。上記実施例では、測定物である基板を完全
導体と仮定している。もし、基板が完全導体でない場
合、基板の屈折率を考慮した回折計算を行えば、精度は
更に向上する。
【００１９】尚、仮に溝が狭いか広いかが予め分かって
いるような場合、偏光方向の異なる２つのデータをもち
いて溝形状が推定できるため、特定の偏光を用いた従来
の測定よりも測定精度を向上させることができる。ま
た、矩形溝に限らず、溝形状が台形の場合も、一般的
に、矩形溝と同様に２つの異なる溝形状が同一の回折光
に対応しているから、従来の様な回折光の測定からは、
溝形状を一意に決定することができない。それどころ
か、台形溝の場合、溝形状を決定するには、溝幅と溝深
さと溝斜面の傾きとの３つの変数が必要である。従来の
方法で得られる測定データは２つであるから、台形溝形
状を決定することは原理的に不可能であった。
いるような場合、偏光方向の異なる２つのデータをもち
いて溝形状が推定できるため、特定の偏光を用いた従来
の測定よりも測定精度を向上させることができる。ま
た、矩形溝に限らず、溝形状が台形の場合も、一般的
に、矩形溝と同様に２つの異なる溝形状が同一の回折光
に対応しているから、従来の様な回折光の測定からは、
溝形状を一意に決定することができない。それどころ
か、台形溝の場合、溝形状を決定するには、溝幅と溝深
さと溝斜面の傾きとの３つの変数が必要である。従来の
方法で得られる測定データは２つであるから、台形溝形
状を決定することは原理的に不可能であった。
【００２０】しかし、本発明で示す様に、２つの異なる
回折光を用いれば、平行偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）及び
（Ｉ2 ／Ｉ1 ）並びに垂直偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）及
び（Ｉ2 ／Ｉ1 ）という４つの測定データを得ることが
できるから、３つの変数を有する台形溝の溝形状を一意
に決定することができる。以上の測定は、複数の偏光方
向の入射光を用いれば更に精度を向上できる。例えば、
入射光の偏光面と溝のなす角とをθとしたとき、θ＝０
°、３０°、６０°及び９０°の４点で測定を行い、得
られた８つの回折光強度比のデータから溝形状を決定す
れば、更に精度が向上する。即ち、複数の偏光方向の入
射光を用いることで、矩形或いは台形溝の形状を一意に
且つ高精度で決定することができる。
回折光を用いれば、平行偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）及び
（Ｉ2 ／Ｉ1 ）並びに垂直偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）及
び（Ｉ2 ／Ｉ1 ）という４つの測定データを得ることが
できるから、３つの変数を有する台形溝の溝形状を一意
に決定することができる。以上の測定は、複数の偏光方
向の入射光を用いれば更に精度を向上できる。例えば、
入射光の偏光面と溝のなす角とをθとしたとき、θ＝０
°、３０°、６０°及び９０°の４点で測定を行い、得
られた８つの回折光強度比のデータから溝形状を決定す
れば、更に精度が向上する。即ち、複数の偏光方向の入
射光を用いることで、矩形或いは台形溝の形状を一意に
且つ高精度で決定することができる。
【００２１】本発明による測定手段は溝が周期的に配列
している場合のみならず、凹状或いは凸状の孤立溝に対
しても有効である。つまり、孤立凹形状或いは孤立凸形
状による散乱光束の強度分布が偏光依存性を示すことを
利用することで、孤立凹形状溝或いは孤立凸形状溝を精
度良く計測することが可能である。また、本発明による
測定手段は、図５に示す透過型（位相変調型）回折格子
の溝形状測定に対しても有効である。この場合、直行す
る２種類の入射光、或いは、偏光状態の異なる複数個の
入射光を用い、透過した回折光の光量から、溝形状を測
定する。勿論、反射回折光量の測定から、溝形状を測定
することもできる。
している場合のみならず、凹状或いは凸状の孤立溝に対
しても有効である。つまり、孤立凹形状或いは孤立凸形
状による散乱光束の強度分布が偏光依存性を示すことを
利用することで、孤立凹形状溝或いは孤立凸形状溝を精
度良く計測することが可能である。また、本発明による
測定手段は、図５に示す透過型（位相変調型）回折格子
の溝形状測定に対しても有効である。この場合、直行す
る２種類の入射光、或いは、偏光状態の異なる複数個の
入射光を用い、透過した回折光の光量から、溝形状を測
定する。勿論、反射回折光量の測定から、溝形状を測定
することもできる。
【００２２】また、以下に、図６を参照しながら、装置
の実施例を説明する。光源であるヘリウム−ネオン（Ｈ
ｅ−Ｎｅ）レーザーから射出された波長６３２．８ｎｍ
の直線偏光の入射光ＩＬが、偏光手段の一部である１／
２波長（λ）板２を透過し、測定物である基板３に入射
する。尚、回折光強度を測定する前に、１／２λ板２と
モーター６とで構成される偏光手段によって、測定物へ
入射する偏光方向を決定しておく。ここでは、例えば、
平行偏光入射とする。
の実施例を説明する。光源であるヘリウム−ネオン（Ｈ
ｅ−Ｎｅ）レーザーから射出された波長６３２．８ｎｍ
の直線偏光の入射光ＩＬが、偏光手段の一部である１／
２波長（λ）板２を透過し、測定物である基板３に入射
する。尚、回折光強度を測定する前に、１／２λ板２と
モーター６とで構成される偏光手段によって、測定物へ
入射する偏光方向を決定しておく。ここでは、例えば、
平行偏光入射とする。
【００２３】次に、検出器４を走査することによって、
０次回折光ＤＬ0 、１次回折光ＤＬ 1 及び２次回折光Ｄ
Ｌ 2の強度が測定される。測定して得られたデータをも
とに、ＣＰＵ５によって平行偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）
と（Ｉ2 ／Ｉ1 ）と溝幅Ｗと溝深さＨとが計算され、Ｃ
ＰＵ５のメモリー内に計算結果が蓄積される。続いて、
偏光方向を変えるために、ＣＰＵ５からモーター６に、
１／２λ板２を所定の角度動かすように指示が出され
る。ここでは、偏光状態を９０°回転させ、垂直偏光入
射とするため、１／２λ板２を４５°回転させる。
０次回折光ＤＬ0 、１次回折光ＤＬ 1 及び２次回折光Ｄ
Ｌ 2の強度が測定される。測定して得られたデータをも
とに、ＣＰＵ５によって平行偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）
と（Ｉ2 ／Ｉ1 ）と溝幅Ｗと溝深さＨとが計算され、Ｃ
ＰＵ５のメモリー内に計算結果が蓄積される。続いて、
偏光方向を変えるために、ＣＰＵ５からモーター６に、
１／２λ板２を所定の角度動かすように指示が出され
る。ここでは、偏光状態を９０°回転させ、垂直偏光入
射とするため、１／２λ板２を４５°回転させる。
【００２４】そして、今度は、受光器４を、平行偏光入
射のとき走査した方向とは逆向きに、走査する。これに
より、再び０次回折光ＤＬ0 、１次回折光ＤＬ1 及び２
次回折光ＤＬ 2の強度を測定する。測定データをもと
に、ＣＰＵ５によって、垂直偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）
と（Ｉ2 ／Ｉ1 ）と溝幅Ｗと溝深さＨとが計算される。
最終的に、メモリー内に蓄積された平行偏光入射の溝幅
Ｗと溝深さＨとのデータと、先程計算された垂直偏光入
射の溝幅Ｗと溝深さＨとのデータとが、ＣＰＵ５によっ
て比較され、一致する解が選び出される。これにより、
測定物の溝幅Ｗと溝深さＨとが決定される。
射のとき走査した方向とは逆向きに、走査する。これに
より、再び０次回折光ＤＬ0 、１次回折光ＤＬ1 及び２
次回折光ＤＬ 2の強度を測定する。測定データをもと
に、ＣＰＵ５によって、垂直偏光入射の（Ｉ1 ／Ｉ0 ）
と（Ｉ2 ／Ｉ1 ）と溝幅Ｗと溝深さＨとが計算される。
最終的に、メモリー内に蓄積された平行偏光入射の溝幅
Ｗと溝深さＨとのデータと、先程計算された垂直偏光入
射の溝幅Ｗと溝深さＨとのデータとが、ＣＰＵ５によっ
て比較され、一致する解が選び出される。これにより、
測定物の溝幅Ｗと溝深さＨとが決定される。
【００２５】尚、光源は、Ｈｅ−Ｎｅレーザーに限ら
ず、半導体レーザーや、アルゴンレーザー等、レーザー
一般が使用できる。また、偏光手段としては、偏光方向
の定まったレーザーなら、レーザー自体を直接回転させ
てもよく、半導体レーザーを用いるときは１／２λ板の
代わりに偏光板を使用し、これら半導体レーザーと偏光
板とを一体に回転させてもよい。また、モーターも特に
モーターとは限らず動力手段なら何でも応用可能なこと
は、言うまでも無い。
ず、半導体レーザーや、アルゴンレーザー等、レーザー
一般が使用できる。また、偏光手段としては、偏光方向
の定まったレーザーなら、レーザー自体を直接回転させ
てもよく、半導体レーザーを用いるときは１／２λ板の
代わりに偏光板を使用し、これら半導体レーザーと偏光
板とを一体に回転させてもよい。また、モーターも特に
モーターとは限らず動力手段なら何でも応用可能なこと
は、言うまでも無い。
【００２６】
【効果】上記のごとく、本発明によれば、入射条件の違
いによる回折光強度を利用することにより、溝形状を一
意に決定することができる。なおかつ、本発明による方
法及び装置では、迅速に溝形状を決定することも可能で
ある。
いによる回折光強度を利用することにより、溝形状を一
意に決定することができる。なおかつ、本発明による方
法及び装置では、迅速に溝形状を決定することも可能で
ある。
【図１】図１（ａ）は測定器の概略図であり、図１
（ｂ）は溝形状の断面図である。
（ｂ）は溝形状の断面図である。
【図２】図２は、スカラー回折理論による回折光強度比
を示した図である。
を示した図である。
【図３】図３は、ベクトル回折理論による平行偏光入射
の回折光強度比を示した図である。
の回折光強度比を示した図である。
【図４】図４は、ベクトル回折理論による垂直偏光入射
の回折光強度比を示した図である。
の回折光強度比を示した図である。
【図５】図５は、透過型（位相変調型）回折格子の測定
概略図である。
概略図である。
【図６】図６は、実施例における装置の概略図である。
１ 光源 ２ １／２λ板 ３ 基板 ４ 検出器 ５ ＣＰＵ ６ モーター ＩＬ 入射光 ＤＬ 回折光
Claims (6)
- 【請求項１】入射光を測定物に入射させ、前記測定物か
ら生じた回折光を利用して凹凸形状を測定する方法にお
いて、偏光方向の異なる複数の直線偏光を前記測定物に
入射させることを特徴とする凹凸形状測定方法。 - 【請求項２】前記偏光方向の異なる複数の直線偏光は、
偏光面が前記測定物の溝に平行な直線偏光と、偏光面が
前記測定物の溝に垂直な直線偏光と、であることを特徴
とする請求項１記載の凹凸形状測定方法。 - 【請求項３】前記入射光は、レーザー光であることを特
徴とする請求項１又は２記載の凹凸形状測定方法。 - 【請求項４】光源と、前記光源から放射される光線によ
って測定される測定物と、前記測定物から生じた回折光
を検出する検出器と、を有する凹凸形状測定装置におい
て、前記光源から前記測定物の光路中に偏光方向の異な
る複数の直線偏光を得るための偏光手段を有することを
特徴とする凹凸形状測定装置。 - 【請求項５】前記偏光手段は、偏光面が前記測定物の溝
に平行な直線偏光と、偏光面が前記測定物の溝に垂直な
直線偏光と、を得るための偏光手段であることを特徴と
する請求項４記載の凹凸形状測定装置。 - 【請求項６】前記光源は、レーザー光源であることを特
徴とする請求項４又は５記載の凹凸形状測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15283295A JP3551551B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 凹凸形状測定方法及び測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15283295A JP3551551B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 凹凸形状測定方法及び測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095049A true JPH095049A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3551551B2 JP3551551B2 (ja) | 2004-08-11 |
Family
ID=15549115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15283295A Expired - Fee Related JP3551551B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 凹凸形状測定方法及び測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3551551B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100442067C (zh) * | 2002-10-17 | 2008-12-10 | 音质技术公司 | 对二维结构生成模拟衍射信号 |
| KR101458796B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2014-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 우네리 측정 장비 및 측정 방법 |
| KR101458795B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2014-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 우네리 측정 장비 및 측정 방법 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP15283295A patent/JP3551551B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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| KR101458796B1 (ko) * | 2008-06-04 | 2014-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 우네리 측정 장비 및 측정 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3551551B2 (ja) | 2004-08-11 |
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