JPH09502598A - 能動スイッチおよび能動制御回路を有するブリッジ整流回路 - Google Patents

能動スイッチおよび能動制御回路を有するブリッジ整流回路

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Abstract

(57)【要約】 ブリッジ整流回路は4つの整流素子の少なくとも2つに対し能動スイッチを使用し、且つ能動スイッチの導通状態を制御する能動制御回路を用いる。この能動制御回路はブリッジ整流回路の交流入力端子から入力を受けるとともにブリッジ整流回路の直流出力により給電され、且つ制御出力を能動スイッチに供給する。斯様にして性能が改善され且つ電力消費を低減したブリッジ整流回路を得るようにする。

Description

【発明の詳細な説明】 能動スイッチおよび能動制御回路を有するブリッジ整流回路 発明の技術分野 本発明はブリッジ整流回路、特に能動スイッチング素子を有するブリッジ整流 回路に関するものである。 発明の背景 代表的な従来のブリッジ整流回路は2つの交流入力端子および2つの直流出力 端子を有するブリッジ構体に4つのダイオードを用いて交流入力電圧を直流出力 電圧に変換するようにしている。かかるブリッジ整流回路を最も普通に使用する 場合には電力ラインからの交流入力電圧を直流電圧に変換し、次いでこの直流電 圧をフィルタ処理して電子回路に電力を供給するために用いるようにする。 簡単な4ダイオード型のブリッジ整流回路はその意図する機能を好適に果たし ているが、特に高電流の用途において多数の欠点がある。即ち、各ダイオードの 両端間には固有の順方向電圧降下(代表的には0.7ボルトまたはそれ以上)が あるため、特に大電流が流れるブリッジ整流回路で多量の電力が消費されるよう になる。この不所望な電力消費のため、大型の構成部品を使用する必要があり、 従って不所望な熱を発生し、その結果、集積回路の用途において特に厄介な欠点 が生ずるようになる。 これらの欠点を除去するために、従来のブリッジ整流回路のダイオードの少な くとも2つと置換してMOSトランジスタを用いるようにしたブリッジ整流回路 が開発されている。この用途においてダイオードの代わりにトランジスタを用い る場合には、MOSトランジスタはその導通時の電圧降下が充分に低く(0.3 −0.2ボルト程度)、従ってダイオード整流器に比較して電力消費および発熱 を少なくする利点がある。 しかし、MOSトランジスタを整流素子として用いる場合には追加の回路を設 けてトランジスタを適当な時間に導通状態および非導通状態とする必要がある。 従来この機能はMOSトランジスタのゲートを交流入力電圧端子に直接または受 動素子の回路網を経て接続することによって達成し、従ってMOSトランジスタ を適宜にスイッチングする簡単且つ当を得た有効な制御電圧源を提供するように している。しかし、この技術によれば高電圧から低電圧まで徐々に遷移する正弦 波制御電圧を発生するため、MOSトランジスタは有効にスイッチングすること ができず、かつデューティサイクルの大部分中、部分的にのみ導通状態となる。 この結果デューティサイクルのこの大部分中、オン抵抗が比較的高くなり、従っ て電力消費が高くなり、整流素子としてダイオードの代わりにMOSトランジス タを用いることにより得られる利点が著しく低減されるようになる。さらに、M OSトランジスタの可変抵抗のために回路に大電流を流す場合に出力波形に不所 望な“グリッチ”が生ずるようになる。 従って、電圧降下、電力消費、発熱および出力波形の“グリッチ”の全てを最 小とするブリッジ整流回路が望まれる。 発明の概要 従って、本発明の目的は電力消費、発熱、電圧降下および出力波形の不所望な “グリッチ”を最小とするためにスイッチング効率の大きな能動制御回路を用い るようにしたMOSトランジスタのような能動スイッチを有するブリッジ整流回 路を提供せんとするにある。 本発明の他の目的は設計が比較的簡単且つコンパクトで、比較的経済的に製造 し得る上述した利点を有するブリッジ整流回路を提供せんとするにある。 本発明によれば、これらの目的は、整流素子の少なくとも2つを能動スイッチ とし、これら能動スイッチの状態を制御する能動制御回路を設ける新規なブリッ ジ整流回路によって達成することができる。制御回路はブリッジ整流回路の交流 入力端子から入力を受けて能動スイッチに制御出力を発生するとともにブリッジ 整流回路の直流出力端子から給電される。 本発明の好適な例では、低直流電位にあるブリッジ整流回路の2つの整流素子 をMOSトランジスタとし、そのゲートに制御回路の出力を供給する。 本発明の他の好適な例では、制御回路を低直流電位の基準電圧に対し交流入力 端子の少なくとも一方のレベルを感知する比較回路で構成する。この比較回路は ブリッジ整流回路の直流出力端子間に結合された主電流路およびダイオードを経 て整流回路の一方に結合された制御電極を有するバイポーラトランジスタで構成 することができる。 本発明ブリッジ整流回路を高電圧の用途に用いる場合には電圧調整回路を設け て直流出力端子から取出した調整直流電圧を比較回路に供給し得るようにするの が有利である。図面の簡単な説明 図1は本発明ブリッジ整流回路の構成を示すブロック図、 図2は本発明ブ リッジ整流回路の第1例の構成を示すブロック図、 図3は本発明ブリッジ整流回路の第2例の構成を示すブロック図、 図4は図2のブリッジ整流回路に用いるに好適な比較回路の構成を示すブロッ ク図、 図5は図3のブリッジ整流回路に用いるに好適な比較回路の構成を示す ブロック図、 図6は図2および図3のブリッジ整流回路に用いるに好適な電圧 調整器の構成を示す回路図である。 発明を実施するための最良の形態 本発明ブリッジ整流回路10を図1にブロック図で示す。このブリッジ整流回 路には交流入力端子28、30および直流出力端子32、34間にブリッジ形態 で接続された4つの整流素子20、22、24および26を設ける。交流入力信 号源36、代表的には交流幹線電圧入力源、を交流入力端子28および30間に 接続し、フィルタコンデンサ38および抵抗負荷40を代表的には直流出力端子 32および34間に接続する。 本発明によれば、整流素子のうち2個、この場合には直流出力端子34の低直 流電位に結合された整流素子24および26を整流素子20および22のような 従来のダイオードとは相違してMOSトランジスタとする。 MOSトランジスタ24および26はダイオード20および22とは相違して その状態を設定するために制御信号を必要とするため、本発明ではその目的のた めに能動制御回路42を設ける。図1にブロック図で示す制御回路42は交流入 力端子28および30から入力を受けて制御出力信号をMOSトランジスタ24 および26に供給する。これらMOSトランジスタ24および26はブリッジ整 流回路の能動スイッチとして用いる。交流入力信号を能動スイッチに直接または 受動素子を介して結合するようにした従来のブリッジ整流回路とは相違して、制 御回路42は交流入力信号を処理するとともにフィードバック回路配置を用いて その供給電圧を直流出力端子32および34から取出す能動回路である。直流出 力端子から給電される能動制御回路を用いることによって回路動作を充分改善す ることができる。 本発明による制御回路は種々の異なる形態で実施することができ、且つブリッ ジ整流回路の4つの整流素子全部をMOSトランジスタ24および26のような 能動スイッチで構成し得ることは明らかであり、この場合には能動制御回路42 によって4つの整流素子の全部に入力を供給する。説明の便宜上、2つの特定の 制御回路の例を図2および図3に示し、その他の回路の詳細を図4,図5および 図6に示す。図2および図3において、図1に示す回路素子と同一部分には同一 符号を付して示す。また、交流信号源36は便宜上省略した。 図2は能動制御回路42が一対の比較回路44および46を具える本発明によ るブリッジ整流回路12の第1例を示す。比較回路44は、その非反転入力端子 を交流入力端子30に結合するとともにその反転入力端子を直流出力端子34( 接地点)に結合し、かつ制御信号をMOSトランジスタ24に供給する。同様に 、比較回路46は交流入力端子28から非反転入力を受け、その反転入力端子を 直流出力端子34(接地点)に結合し、その出力端子をMOSトランジスタ26 に接続する。比較回路44および46は双方とも能動回路とするとともに直流出 力端子32へのフィードバック接続により給電する。 図3に示す本発明の他の 例では、ブリッジ整流回路14は比較回路48および50を具え、その非反転入 力端子を直流出力端子34(接地点)に接続し、その反転入力端子を交流入力端 子28および30にそれぞれ接続し、その出力端子を図3に示すようにMOSト ランジスタ24および26にそれぞれ接続する。また、これら比較回路48およ び50も直流出力端子32へのフィードバック接続により給電される能動回路と する。 図2および図3に示す比較回路は種々の形態とし得るが、比較回路44および 46に対する回路構成を図4に示すようにするとともに比較回路48および50 に対する回路構成を図5に示すようにするのが有利である。 図4は単一段の正利得比較回路を示し、これにより入力ダイオード52の存在 に起因するブレークダウンを生ずることなく正の入力端子に高電圧を発生させる ことができる。比較回路には共通ベース構成で接続され且つ抵抗56,58およ び60によりVCC端子および直流出力端子34(接地点)間に結合されたnp n型バイポーラトランジスタ54を追加的に設ける。さらに、バイポーラトラン ジスタ54のベースはダイオード62,64および(必要に応じ)66を経て接 地し、回路の出力をバイポーラトランジスタ54のコレクタから取出す。 図3において比較回路48および50として用いられるものと同様の回路構成 を図5に示す。この回路では、(任意の)ダイオードと直列に設けられた阻止ダ イオード68を用いて比較回路の反転入力端子に現われる高い正の電圧を阻止す るとともに抵抗74および76によりVCC端子および直流出力端子34(接地 点)間に結合された単一段の負利得比較回路にnpn型バイポーラトランジスタ 72を接続し、回路の出力をバイポーラトランジスタ72のコレクタから取出す 。 ブリッジ整流回路を比較的低い電圧の用途に使用する場合には図4および図5 の比較回路の端子VCCを図2および図3の回路の正の直流出力端子32に直接 接続することができる。しかし、高電圧用途に対しては図4および図5の回路に 対して減少され、好適には調整された供給電圧VCCを供給する必要があり、こ の目的のため、図6に示す調整回路のような簡単な電圧調整回路を用いることが できる。この回路では、直流出力端子32および34間に直列に抵抗78および ツェナーダイオード80を接続し、調整された出力電圧VCC(代表的には10 乃至15ボルトの範囲)をこれら2つの素子間の共通接続点82から取出す。 本発明回路の作動に当たり図1につき説明するに、能動制御回路42はその制 御入力端子を交流入力端子の結合して交流入力電圧の状態を感知するとともに直 流出力端子32および34から給電される能動制御回路を用いてMOSトランジ スタ24および26のゲートに適宜の出力信号を供給してその導通状態を制御す る。実際上、MOSトランジスタ24および26は能動制御回路42により制御 されて、交流入力端子から入力を取出す受動制御回路によって制御されるpn接 合ダイオードまたはMOSトランジスタよりもオン−抵抗が低くスイッチング回 数が早いほぼ理想的なダイオードとして作用する。 特に、図2に示すように、能動制御回路は一対の比較回路を具え、各比較回路 はその反転入力端子を接地するとともに非反転入力端子を交流入力端子28およ び30の一方に交差結合する。作動に当たり、交流入力端子28の電圧がスレシ ホルド電圧値よりも高い場合には比較回路46はMOSトランジスタ26のゲー トに正の出力信号を供給することによりこのMOSトランジスタ26を迅速且つ 完全に導通状態とする。これと同時に、交流入力端子30の電圧がスレシホルド 電圧値よりも低くなり、比較回路44はMOSトランジスタ24のゲートに低い 信号を供給することによりこのトランジスタ24を非導通状態とする。交流入力 端子28および30の電圧の極性が正弦波交流入力波形の次の点で逆になると、 MOSトランジスタ24および26の導通状態も逆になる。これがため、各比較 回路のトランジスタ対(44、24および46、26)はほぼ理想的なダイオー ドブリッジ素子として作動し、慣例のpn接合ダイオードのように導通状態か非 導通状態に切換わるが、交流入力端子に存在する徐々に変化する正弦波状波形よ りもむしろ比較回路からの処理された能動信号を使用することによりMOSトラ ンジスタのオン−抵抗が低くなり、且つスイッチング回数が速くなる。 図3に示す例では、各比較回路はその非反転入力端子を接地し、反転入力端子 を交流入力端子に結合する。この交流入力端子は上記比較回路により制御されて いるMOSトランジスタにも接続されている。この例では交流入力端子28の正 電圧によって比較回路48からの低出力電圧をMOSトランジスタ24のゲート に供給し、これによりこのトランジスタを導通状態とするが、交流入力端子30 の対応する負電圧は比較回路50の出力電圧を高くしてMOSトランジスタ26 を導通状態とし、従って交流入力端子28および30の交流電圧の極性が反転す ると両トランジスタ24および26の導通状態を切換える。比較回路のトランジ スタ対が理想的なダイオードとして作動し適宜の回数で高導通状態から低導通状 態に切換わり、従来の回路よりもオン−抵抗を低くし、スイッチング特性を迅速 にする。 図2の比較回路として用いるに好適な回路例をず4に示す。図2の比較回路4 4および46は(ブリッジ整流回路を高電圧の用途に用いる場合には)動作サイ クルの一部分中その非反転入力端子に比較的高い正の入力電圧を受けるため、図 4の比較回路の非反転入力端子に高電圧阻止ダイオード52を設け、このダイオ ードを正の入力電圧に対しては逆バイアスして回路の残部をブレークダウンから 防止する。従って、非反転入力端子への正の入力に対しては比較回路の出力端子 OUTを高電圧とするが、非反転入力端子の負の入力に対しては電流がトランジ スタ54のベース−エミッタ接合を経て流れ出力端子OUTの電圧を低電圧状態 とする。必要に応じ設けるダイオード66を回路から省略する場合にはダイオー ド62および64の順方向電圧降下によってトランジスタ54のベース−エミッ タ電圧の順方向電圧降下とダイオード52の電圧降下との和の電圧降下を相殺し てスレシホルド電圧をほぼ零とする。所望に応じ、比較回路のスレシホルド電圧 にオフセットを加えるためには図示の回路にダイオード66を加えて交流入力端 子28および30の交流入力電圧が零に近づく際にMOSトランジスタ24およ び26が同時に作動するのを防止する。 図3に示すブリッジ整流回路に対しては、比較回路48および50に対し図5 に示す回路のような回路を用いることができる。この例では、比較回路の反転入 力端子はある用途で高電圧を受けるとともに阻止ダイオード68によって回路の 残部をかかる状態のもとでの損傷から保護する。この回路では負(反転)入力端 子の正の入力によってトランジスタ72のベースの電圧を高電圧とし、従ってこ のトランジスタを導通状態として出力端子OUTの電圧を低電圧とするが、反転 入力端子の低入力によってトランジスタ72のベースに低電圧を発生させ、これ により出力端子OUTを高電圧状態にする。必要に応じ設けるダイオード70を 省略する場合にはダイオード68の両端間の電圧降下およびトランジスタ72の ベース−エミッタ接合の両端間の電圧降下を無くし、従って比較回路のスレシホ ルド電圧を零とする。しかし、ダイオード70を回路に含める場合には意図的に オフセットを導入して入力電圧の零交差点においてMOSトランジスタ24およ び26が同時に作動するのを防止する。 最後に図2および3に示す比較回路は正の直流出力端子32に直接接続された 正の給電端子を有するものとして示したが、この電圧は高電圧ブリッジ整流回路 に対しては高すぎる。かかる場合には図4および5に示される比較回路の正の給 電端子VCCを図6に示す簡単な電圧調整回路の端子VCCに接続することがで き、これにより抵抗78およびツェナーダイオード80間の接合に一定の調整さ れた電圧VCC(代表的には10ボルト乃至15ボルト)を供給する。この簡単 な電圧調整回路によって比較回路の回路素子およびMOSトランジスタのゲート が高電圧ブリッジ整流回路の用途でブレークダウンするのを防止する。 これがため、本発明によればスイッチング効率の大きな能動制御回路を用いて 電力消費、発熱、電圧降下および出力波形の不所望な“グリッチ”を最小とする ようにした、比較的簡単且つ簡潔で比較的経済的に製造し得るMOSトランジス タのような能動スイッチを有するブリッジ整流回路を提供することができる。本 発明の特定な利点は上述した回路の全部が何等個別のまたは外部素子を設ける必 要なく集積回路形態に製造できることである。 本発明は上述した例にのみ限定されるものではなく、要旨を変更しない範囲内 で種々の変形や変更を行うことができる。これがため、例えば、図4および5に 示す比較回路に対し異なる回路構成を用いることができ、且つ、図2および3に 示す回路以外の能動的に制御される能動スイッチブリッジ整流回路の異なる形態 のものを用いることができる。最後に上述した所と同様の能動的に制御される能 動スイッチブリッジ整流回路をpn接合ダイオード20および22に代えて用い てブリッジ整流回路の4つの素子全部が能動制御およびスイッチングを行い得る ようにすることができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.2つの交流入力端子および2つの直流出力端子を有するブリッジ構体に4つ の整流素子を具えるブリッジ整流回路であって、整流素子の少なくとも2つは能 動スイッチおよびこれら能動スイッチの導通状態を制御する能動制御回路を具え 、この制御回路の制御入力端子を前記交流入力端子に結合し、制御出力端子を少 なくとも2つの能動スイッチに結合し、この制御回路を前記直流出力端子に結合 してこれから給電するようにしたことを特徴とするブリッジ整流回路。 2.前記整流素子のうちの2つは能動スイッチを具え、各能動スイッチを前記交 流入力端子の一方および前記2つの直流出力端子のうちの低い直流電位にある方 の出力端子との間に結合することを特徴とする請求項1に記載のブリッジ整流回 路。 3.前記能動スイッチはMOSトランジスタを具え、且つ前記制御出力を前記M OSトランジスタのゲートに結合するようにしたことを特徴とする請求項2に記 載のブリッジ整流回路。 4.前記制御回路は基準電圧に対し前記交流入力端子の少なくとも1つのレベル を感知する比較回路を具えることを特徴とする請求項3に記載のブリッジ整流回 路。 5.前記基準電圧を低い直流電位とすることを特徴とする請求項4に記載のブリ ッジ整流回路。 6.前記比較回路は前記直流出力端子間に結合された主電流通路およびダイオー ドにより前記制御回路の1つに結合された制御電極を有するバイポーラトランジ スタを具えることを特徴とする請求項4に記載のブリッジ整流回路。 7.前記出力端子から取出した調整された直流電圧を供給する電圧調整回路をさ らに具えることを特徴とする請求項1に記載のブリッジ整流回路。
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