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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Eingangsschaltung für ein Schaltnetzteil, das zum Versorgen eines Verbrauchers mit einer Niederspannung eine Spannungswandlerbaugruppe zum Umwandeln einer Netzspannung in die benötigte Niederspannung aufweist. Dabei ist ein Eingang der Eingangsschaltung mit der Netzspannung verbindbar, um die Netzspannung gleichzurichten, und ein Ausgang der Eingangsschaltung ist mit der Spannungswandlerbaugruppe verbindbar, um eine gleichgerichtete Eingangsspannung für die Spannungswandlerbaugruppe bereitzustellen.
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Moderne Schaltnetzteile im Kleinleistungsbereich, wie z. B. Ladegeräte für Mobiltelefone und dergleichen, sind heute aufgrund einer Vielzahl von Innovationen bezüglich der Komponenten und der Schaltungstechnik in ihren Abmessungen substantiell reduziert worden. Insbesondere für Reisende haben die Abmessungen und das Gewicht zentrale Bedeutung. Daher besteht ein Schwerpunkt der Weiterentwicklung heute darin, die Funktion eines solchen Schaltnetzteils soweit zu miniaturisieren, dass sie im Idealfall in das Endgerät integriert werden kann. Durch den hohen Kostendruck bei gleichzeitiger Erfüllung der einschlägigen Sicherheitsnormen wurde insbesondere die Eingangsbeschaltung auf der Primärseite eines derartigen Schaltnetzteils in ihrer Größe und ihrem Bauteileaufwand immer weiter reduziert und besteht bei bekannten Anordnungen heute im Wesentlichen aus einem Sicherheitswiderstand, einem Brückengleichrichter und einem nachgeschalteten Π-Filter.
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1 zeigt eine Schaltung gemäß dem Stand der Technik mit den charakteristischen Werten für ein 3W-Schaltnetzteil. Dabei sind außerdem die parasitären Elemente mit dargestellt. Der Widerstand Rbegr erfüllt in dieser Eingangsbeschaltung mehrere Funktionen: Er ermöglicht eine Einschaltstrombegrenzung auf Werte unterhalb des maximalen Stoßstroms Isurge der vier Dioden des Gleichrichters. Er erfüllt eine Sicherheitsfunktion, indem er ein definiertes Auslöseverhalten bei Ausfall des Netzteils ermöglicht, und er reduziert die Impulsspannung für das Netzteil bei Transienten.
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Neben den mechanischen Abmessungen der Gleichrichterdioden (oder eines funktionskompatiblen Brückengleichrichters), die einer gewünschten Miniaturisierung im Wege stehen, hat die in 1 gezeigte Eingangsbeschaltung einige weitere wesentliche Nachteile. Zum einen führt der elektrische Stress der Eingangsbeschaltung beim Einschalten zu einer Reduzierung von Zuverlässigkeit und Lebensdauer. Zum anderen ist die Funktion des Widerstandes Rberg per se nicht reversibel, so dass auch bei nur temporärer Funktionsstörung eine weitere Verwendung des Schaltnetzteils nicht mehr möglich ist Weiterhin verfügt die in 1 gezeigte bekannte Anordnung über keinerlei Schutz gegen eine kurzzeitige Überspannung des Netzes, wie sie in Länder mit geringer Versorgungsqualität beim Betrieb an Notstromaggregaten vergleichsweise häufig auftritt
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Aus der veröffentlichten Internationalen Patentanmeldung
WO 96/01 003 A1 ist eine Brückengleichrichterschaltung bekannt, bei der aktive Schalter für mindestens zwei der vier Gleichrichtelemente verwendet werden und eine aktive Steuerschaltung den Zustand der aktiven Schalter steuert. Dabei wird der Steuerschaltkreis mit der Wechselspannung beaufschlagt, die am Eingang des Brückengleichrichters anliegt und wird von dem gleichgerichteten Ausgang des Brückengleichrichterschaltkreises mit Leistung versorgt. Gleichzeitig steuert die Steuerschaltung die Zustände der aktiven Schalter.
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Aus der deutschen Offenlegungsschrift
DE 101 46 868 A1 ist eine Schaltungsanordnung zum Vorladen eines Stromrichter gespeisten Kondensators bekannt. Gemäß dieser Druckschrift ist eine Eingangsschaltung zum Gleichrichten einer dreiphasigen Wechselspannung vorgesehen, wobei pro Stromrichterphase ein abschaltbarer Halbleiterschalter vorgesehen ist, der elektrisch in Reihe mit den phasenbezogenen Stromrichterventilen geschaltet ist und steuerungsseitig mit einer Phasenanschnittsteuerung verknüpft ist.
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Die US-Patentanmeldung US 2004/0 008 013 A1 offenbart eine Gleichrichterschaltung zum Gleichrichten eines Eingangssignals und einer Stromsenke, um Strom vom Ausgang des Gleichrichters so abzuzweigen, dass die Ausgangsspannung auf einem vorbestimmten Niveau gehalten wird. Dies wird durch zwei Rückkopplungsmechanismen für die Steuerung der Stromsenke erreicht. Der erste Rückkopplungsmechanismus verwendet einen Spannungsteiler, um ein Steuerspannungssignal zu erzeugen, das dazu führt, dass die gemittelte Ausgangsspannung des Gleichrichters einem Referenzwert entspricht. Ein weiterer, nichtlinearer Rückkopplungsmechanismus hält die Modulation am Ausgang des Gleichrichters auf einem gewünschten Niveau.
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Die Aufgabe, die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegt, besteht daher darin, eine verbesserte Eingangsschaltung für ein Schaltnetzteil anzugeben, die bei erhöhter Funktionalität und Betriebssicherheit gleichzeitig eine weitergehende Miniaturisierung und vereinfachte Herstellbarkeit ermöglicht.
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Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
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Die vorliegende Erfindung basiert auf der Idee, mindestens zwei der sonst üblichen vier Dioden im Gleichrichterteil einer Eingangsschaltung eines Schaltnetzteils durch zwei steuerbare Schalter zu ersetzten, die als Synchrongleichrichter arbeiten und so verschaltet sind, dass sie durch wechselseitige Zwangssteuerung ein- und ausschaltbar sind.
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Dabei werden die beiden steuerbaren Schalter im Rhythmus der Netzfrequenz wechselseitig ein- und ausgeschaltet. Die erfindungsgemäße Lösung hat den Vorteil, dass es möglich ist, den Einschaltstrom zu begrenzen und alle weiteren Bauteile in ihren Abmessungen zu verringern. Damit können Bauraum und Kosten für die erfindungsgemäße Eingangsschaltung reduziert werden. Gleichzeitig erhöht sich die Zuverlässigkeit der Gesamtanordnung und im Falle des Eintretens kurzzeitiger Fehlfunktionen ist eine reversible Schutzfunktion möglich.
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Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind als steuerbare Schalter sogenannte Insulated-Gate-Bipolartransistoren (IGBT) vorgesehen. IGBTs haben ganz allgemein den Vorteil, dass sie wie bipolare Transistoren einen geringen Durchlasswiderstand haben, aber gegenüber vergleichbaren Feldeffekttransistoren wesentlich geringere Durchlassverluste aufweisen. Wie beim Feldeffekttransistor erfolgt die Ansteuerung des IGBT nahezu leistungslos. Die Sperrspannung ist hoch und da der IGBT den Laststrom begrenzt, besitzt er auch eine gewisse Robustheit gegenüber Kurzschlüssen.
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Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform wird beispielsweise über einen Widerstand eine dem Eingangsstrom proportionale Spannung gemessen und bei Überschreiten eines vorgegebenen Maximalwertes wird durch eine überlagerte lineare Steuerung der steuerbaren Schalter der Strom begrenzt. Durch diese Begrenzung des Einschaltstroms werden sämtliche benötigten Bauteile einer Eingangsschaltung weniger stark belastet und es verbessert sich die Lebensdauer und die Zuverlässigkeit des gesamten Schaltnetzteils.
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Beträgt der Spitzenstrom durch die Gleichrichter bei maximaler Eingangsspannung von 264 VAC ca. 18 A, so kann dieser Wert mit der erfindungsgemäßen Begrenzung des Einschaltstroms auf 0,3 A reduziert werden. Als Konsequenz davon kann die Chipfläche der Dioden, die in konventionellen Eingangsschaltungen unter Berücksichtigung des Einschaltimpulses überdimensioniert sind, von ca. 0,8 mm2 pro Diode auf ca. 0,2 mm2 pro Diode reduziert werden. Die Chipfläche der IGBTs kann aufgrund der geringeren Stormbelastung ebenfalls sehr klein bleiben und liegt unter 0,8 mm2.
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Damit kann anstelle des bei bekannten Lösungen vorgesehenen 3W-Drahtwiderstands mit einem Durchmesser von 4 mm und einer Länge von 11 mm beispielsweise ein Widerstand der Bauform 0603 mit Abmessungen von 1,5 mm × 0,75 mm als Strombegrenzungswiderstand verwendet werden.
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Durch die Wahl eines geeigneten Widerstandswertes kann darüber hinaus der maximale Wert des Stromes in gewissen Grenzen beeinflusst werden und beispielsweise durch Abgleich des Widerstandes mittels Lasertrimmen auf sehr eng tolerierte Werte eingestellt werden.
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Erfindungsgemäß sind Mittel zur Abschaltung im Überstromfall vorgesehen, die vollständig reversibel und sehr schnell mit einer Verzögerung von weniger als 2,5 ms entsprechend dem 90°-Wert der gleichgerichteten Netzfrequenz abschalten. Während der herkömmliche Eingangswiderstand wie eine bekannte Sicherung durchbrennt und damit das Gerät in der Folge unbrauchbar macht, trennt eine solche Überstromsicherung das Gerät lediglich vom Netz und das Schaltnetzteil kann durch kurzzeitiges Herausziehen und Wiedereinstecken in die Netzsteckdose wieder in Betrieb gesetzt werden.
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In vorteilhafter Weise kann eine Sicherungsfunktion vorgesehen werden, indem bei Ausfall des Moduls ein Bonddraht im Leistungskreis durchbrennt und/oder der Widerstand R1 als Sicherungswiderstand ausgeführt wird. Dies erhöht die Sicherheit der Gesamtschaltung wesentlich.
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Bei einer Realisierung als anwenderspezifische integrierte Schaltung (ASIC) können darüber hinaus Zusatzfunktionen integriert werden. Wünschenswert ist beispielsweise eine Unter-/Überspannungsabschaltung bei zu hoher/zu niedriger Netzspannung. Während die Unterspannungsabschaltung eher ein Komfortmerkmal ist, und das Gerät z. B. bei Netzausfall definiert abschaltet, bietet die Überspannungsabschaltung jedoch einen wirksamen Geräteschutz bei den häufig vorkommenden meist kurzfristigen Netzspannungen außerhalb der vom Elektrizitätswerk zugesicherten Nennspannung plus einer Abweichung von 10%. Beim Betrieb an nur mäßig geregelten Notstromaggregaten, wie sie z. B. in Entwicklungsländern mit chronischer Unterversorgung häufig anzutreffen sind, wird dabei das Schaltnetzteil durch die erfindungsgemäße Eingangsschaltung wirksam und reversibel geschützt.
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Insgesamt lässt sich die erfindungsgemäße Eingangsschaltung trotz erheblich gestiegenem Funktionsumfang als integrierte Schaltung mit einer deutlich reduzierten Baugröße herstellen. Damit ergeben sich neue Dimensionen der Miniaturisierung.
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Anhand der in den beiliegenden Zeichnungen dargestellten Ausgestaltungen wird die Erfindung im Folgenden näher erläutert. Ähnliche oder korrespondierende Einzelheiten sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Es zeigen:
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1 ein Schaltbild einer bekannten Eingangsbeschaltung eines 3W-Schaltnetzeteils mit einer Angabe charakteristischer Werte;
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2 ein Schaltbild einer Grundschaltung der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung;
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3 eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung während einer positiven Halbwelle der Netzspannung;
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4 die Schaltung aus 3 während der negativen Halbwelle der Netzspannung;
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5 eine zweite vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung;
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6 eine schematische Darstellung einer Realisierung der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung als monolithisch integrierte Schaltung auf einem SOI-Wafer;
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7 eine alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung als SOI-Flipchip zur Direktmontage auf einer Leiterplatte;
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8 eine alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung als Einzelchips in einem Multileadframepackage;
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9 eine alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung als SOI-Hochvoltkomponenten mit separatem Niedervolt-ASIC in einem Multileadframepackage;
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10 eine alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung als SOI-Hochvoltkomponenten mit separatem Niedervolt-ASIC als Chip-on-Chip-Anordnung in einem Multileadframepackage;
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Mit Bezug auf 2 soll im Folgenden die Grundschaltung einer erfindungsgemäßen Eingangsschaltung für ein Schaltnetzteil näher betrachtet werden.
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Die Eingangsschaltung 100 umfasst Eingangsanschlüsse 102, 104, die mit der Netzspannung beaufschlagt werden können. Ausgangsanschlüsse 106, 108 sind mit einer nicht dargestellten Spannungswandlerbaugruppe eines Schaltnetzteils verbindbar, um eine gleichgerichtete Spannung für die Spannungswandlerbaugruppe bereitzustellen. Anstelle der in 1 gezeigten vier Gleichrichterdioden sind erfindungsgemäß zwei Dioden D1, D2 und zwei Insulated-Gate-Bipolartransistoren T1 und T2 als Gleichrichterbrücke verschaltet.
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Die Transistoren T1, T2 arbeiten dabei als Synchrongleichrichter, d. h. sie werden im Rhythmus der an den Anschlüssen 102, 104 anliegenden Netzfrequenz wechselseitig ein- und ausgeschaltet. Wie noch aus den nachfolgenden Figuren deutlich wird, wird durch eine überlagerte lineare Steuerung der Transistoren T1, T2 der Strom durch diese Transistoren und damit auch durch den nachfolgenden Strombegrenzungswiderstand R1 auf einen vorgegebenen Maximalwert begrenzt. Der Strombegrenzungswiderstand R1 aus 2 wird somit durch wesentlich geringere Ströme belastet als der Begrenzungswiderstand Rbegr aus 1. Beispielsweise kann der Widerstand R1 als Bauform 0603 mit Abmessungen von 1,5 mm × 0,75 mm realisiert werden.
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Die erfindungsgemäße Eingangsschaltung 100 und ihre Funktionsweise soll im Detail anhand einer ersten möglichen Ausführungsform, wie sie in den 3 und 4 gezeigt ist, genauer erläutert werden.
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Dabei dienen die Widerstände R2, R3 zum Messen einer Spannung, die proportional zum Eingangsstrom ist und bei Überschreiten eines vorgegebenen Maximalwerts eine Begrenzung des Stroms durch eine überlagerte lineare Steuerung der Transistoren T1 und T2 erlaubt. Damit reduziert sich, wie bereits erwähnt, die Größe des Strombegrenzungswiderstands R1 im Vergleich zu bisher bekannten Eingangsschaltungen.
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Die Steuerung der Transistoren T1, T2 für die Synchrongleichrichtung erfolgt selbstgesteuert. Dabei schaltet jede Halbwelle der Netzspannung an den Anschlüssen 102, 104 jeweils einen der Transistoren T1, T2 durch und sperrt gleichzeitig den gegenüberliegenden.
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Dies ist in 3 für die positive Halbwelle und in 4 für die negative Halbwelle dargestellt. Die strichliert gezeichneten Zweige sind dabei jeweils ausgeschaltet und die durchgezogen gezeichneten Zweige eingeschaltet.
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Der Transistor T2 wird über die Diode D3 und den Widerstand R2 eingeschaltet. Die Zener-Diode Z2 dient dabei als Spannungsbegrenzung. Der Widerstand R5 schließt das Gate gegen Masse ab und verhindert so ein unerwünschtes Einschalten beispielsweise bei Netztransienten oder Surgeimpulsen. Gleichzeitig steuert D3 mit R2 aber auch den Transistor T3 durch, der das Gate des Transistors T1 kurzschließt und diesen ausschaltet. Die Steuerung der Schalter T1, T2 für die negative Halbwelle, wie dies in 4 gezeigt ist, erfolgt analog zur positiven Halbwelle.
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Vorteilhaft bei der Umschaltung zwischen positiver und negativer Halbwelle ist, dass nach dem Nulldurchgang selbst im Extremfall ca. 2 ms verbleiben, in denen kein Strom fließt. Damit erfolgt die Kommutierung der Transistoren T1, T2 verlustfrei und es werden keine besonderen Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit gestellt.
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Demgegenüber ist eine geringe Verlustleistung, die mit der erfindungsgemäßen Schaltung durch eine Sättigungsspannung UCEsat von weniger als 3 V gewährleistet wird, eine wesentliche positive Eigenschaft der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung.
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In 5 ist zusätzlich zu den in den 3 und 4 gezeigten Komponenten eine Stromregelung 110 sowie eine Unter-/Überspannungsabschaltung 114 integriert. Die Stromregelung 110 vergleicht den stromproportionalen Spannungsabfall an dem Widerstand R1 mit einer ersten Referenzspannung Ref1 und regelt den Strom durch proportionales Zusteuern der Transistoren T1 und T2. Eine entsprechende Peakstrombegrenzung und Zeitcharakteristik kann über einen externen Softstart-Kondensator gebildet werden, der an dem Anschluss 112 angeschlossen wird.
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Für die Unter-/Überspannungsabschaltung 114 wird die gleichgerichtete Ausgangsspannung über einen Fensterkomparator detektiert, mit einer zweiten Referenzspannung Ref2 verglichen und über die Transistoren T1 und T2 abgeschaltet.
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Dabei erfolgt die Spannungsversorgung entweder On-Chip durch einen Hochvolt-Längsregler aus der gleichgerichteten Spannung oder aus der Hilfswicklung des nachgeschalteten Schaltnetzteils, welches wiederum den Pulsweitenmodulator versorgt.
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Bei Ausfall des Moduls wird der Strom nicht mehr auf Werte unter 0,3 A begrenzt. Für diesen Fall kann, wie in 6 dargestellt, ein Bonddraht 116, der den Leadframe des Leistungszweigs des Moduls mit dem Chip verbindet, erwärmt und brennt durch. Dieser Bonddraht 116 kann mit sehr geringen Dickentoleranzen und aufgrund des automatischen Verarbeitungsprozesses auch mit sehr geringen Längentoleranzen hergestellt werden. Damit ergibt sich in Verbindung mit einer Verkapselung durch Umspritzen eine reproduzierbare Auslösecharakteristik.
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Eine gegebenenfalls redundante Sicherheitsfunktion kann darüber hinaus erreicht werden, indem der Stromfühlwiderstand R1 als Sicherungswiderstand ausgelegt wird, der im Falle eines Überstroms durchbrennt.
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Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Eingangsschaltung können verschiedene Wege beschritten werden. Zum einen kann die Eingangsschaltung als auf einem Silicon-on-Insulator(SOI)-Wafer aufgebaut werden und in einem Standardgehäuse gehäust werden. Diese monolithische Integration der Eingangsschaltung auf einem SOI Wafer in einem Standardgehäuse ist in 6 schematisch dargestellt. Die Realisierung der Eingangsschaltung auf einem SOI-Wafer ermöglicht die vollständige monolithische Integration der gesamten Schaltung auf einem Chip. Dabei wird nicht nur die erforderliche Isolationsfestigkeit der Bauteile untereinander gewährleistet, sondern auch die Umsetzung von zusätzlichen Mixed-Signal-Funktionen. Durch die geringeren Abmessungen der Leistungsbauteile gegenüber den bekannten Schaltungen werden die Mehrkosten eines SOI-Wafers gegenüber einer Fertigung in Silizium mehr als kompensiert. Die Betrachtung der Kosten für das Gesamtsystem zeigt eine deutliche Kostenreduzierung. Der in 6 gezeigte SOI-Chip kann in einem Standardgehäuse implementiert werden und die Gesamtabmessungen der Eingangsschaltung betragen dann ca. 3 mm × 3 mm.
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Alternativ kann die erfindungsgemäße Eingangsschaltung als SOI-Flipchip für eine direkte Leiterplattenmontage realisiert werden. Diese Ausführungsform ist in 7 dargestellt. Neben den allgemeinen Vorteilen einer Flipchip-Montage, welche eine der modernsten Montagetechniken der gegenwärtigen Mikroelektronik darstellt, wie extreme Miniaturisierung, höchste Montagedichte und geringe Kosten, können mit der in 7 gezeigten SOI-Flipchip-Ausführung Abmessungen von ca. 1,5 mm × 1,5 mm durch das Fehlen eines zusätzlichen Gehäuses erreicht werden. In dem gezeigten Fall dient ausschließlich der Stromfühlwiderstand R1 als Sicherung, da ein Bonddraht wie dies in 6 vorgesehen ist, hier nicht mehr vorhanden ist.
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Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform kann die erfindungsgemäße Eingangsschaltung auch als Einzelchip in einem Multileadframegehäuse aufgebaut werden. Dies ist in 8 schematisch dargestellt. Dabei werden die Funktionen der in den 3 bis 5 gezeigten Schaltungen in Einzelchips aufgeteilt und die Einzelchips als sogenanntes ”System in a Package” in ein Multileadframegehäuse (MLP, Multileadframe package) integriert. Die hier erreichten Abmessungen liegen bei 4 mm × 4 mm, bieten aber die Möglichkeit, mehr Funktionalität mit aufzunehmen und eine höhere Flexibilität bei einer Anpassung an weitere Anwendungsbereiche sicherzustellen.
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Weiterhin kann die erfindungsgemäße Eingangsschaltung auch als Mischform mit SOI-Leistungsbauteilen und separatem Low-Voltage-Ansteuer-IC 118 in einem Multileadframe-Package aufgebaut sein. Diese Ausführungsform ist in 9 dargestellt. Durch diese teilweise Ausführung in SOI-Technik können neben einer verbesserten Isolation der Hochvolt-Komponenten gegenüber dem separaten Niedervolt-ASIC 118 auch leicht verringerte Abmessungen gegenüber der in 8 gezeigten Ausführungsform erreicht werden. Die Maße betragen hier ca. 3 mm × 3 mm.
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Den geringsten Flächenbedarf bei gleichzeitig umfangreicher Funktionalität hat die Ausführungsform der 10. Bei dieser Anordnung sind die Leistungsbauteile in SOI-Technik gefertigt und der benötigte Ansteuer-IC 118 als separater Low-Voltage-Ansteuer-IC realisiert und in Form einer Chip-on-Chip-Montage auf den SOI-Komponenten montiert.
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Eine Epoxidharz-Isolation sorgt für die nötige elektrische Isolierung und die gesamte Anordnung ist in einem Multileadframe-Package gehäust. Mit ca. 2 mm × 2 mm Gesamtabmessungen stellt dies neben der Flipchip-Lösung die kleinste Variante dar. Durch die über Epoxidharz isolierte Montage des kleineren Steuer-IC auf dem größeren SOI-Hochvolt-IC kann im Vergleich zu der Lösung der 8 der zusätzliche Raumbedarf für den Steuer-IC in die dritte Dimension verlagert werden.
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Die erfindungsgemäße Eingangsschaltung sowie Schaltnetzteile, die eine derartige Eingangsschaltung verwenden, bietet zunächst die Möglichkeit eines wesentlich miniaturisierten Aufbaus der Schaltungskomponenten in einem Schaltnetzteil.
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Weiterhin sind in den erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfangreiche Funktionen enthalten, ohne den Volumenbedarf zu erhöhen. So kann eine Anlaufstrombegrenzung auf Werte unter 0,3 A und damit eine Verbesserung der Zuverlässigkeit erreicht werden. Es ist möglich, eine reversible Abschaltfunktion vorzusehen, gleichzeitig kann ein Sanftanlauffunktion (im Englischen als „soft start function” bezeichnet) vorgesehen werden. Eine Überspannungs-/Unterspannungsabschaltung kann integriert werden. Weiterhin kann die Robustheit des Betriebs in instabilen Netzen erhöht werden und es besteht eine Option zur Erzeugung der Start up und/oder Betriebsspannung für einen Pulsweitenmodulations-IC des angeschlossenen Schaltnetzteils. Weiterhin kann die vorliegende Eingangsschaltung für ein Schaltnetzteil wegweisend für eine voll integrierte ”System in a Package”-Funktion der Elektronik eines Schaltnetzteils sein.
