JPH0949081A - 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物 - Google Patents
第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ法によって強誘電体電極材料やＬＳＩ
配線材料などに有用な第８属元素例えばルテニウムやイ
リジウム系の薄膜を製造するさいの好適な原料化合物を
得て，その操作性よく良品質の該薄膜を製造する。 【解決手段】 周期律表第８族元素と２，２，６−トリ
メチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジメチ
ル−３，５−ヘプタンジオンからなるβ−ジケトン系有
機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により
基材上に第８族元素または該元素を含む化合物を析出さ
せることからなる第８族元素類の成膜法。
配線材料などに有用な第８属元素例えばルテニウムやイ
リジウム系の薄膜を製造するさいの好適な原料化合物を
得て，その操作性よく良品質の該薄膜を製造する。 【解決手段】 周期律表第８族元素と２，２，６−トリ
メチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジメチ
ル−３，５−ヘプタンジオンからなるβ−ジケトン系有
機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により
基材上に第８族元素または該元素を含む化合物を析出さ
せることからなる第８族元素類の成膜法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，化学的気相蒸着法
（ＣＶＤ法）による周期律表第８族元素類の成膜法およ
びこれに使用する原料化合物に関する。
（ＣＶＤ法）による周期律表第８族元素類の成膜法およ
びこれに使用する原料化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように，成膜技術には，単結晶薄
膜や多結晶薄膜の形成方法としては，ドライプロセスと
ウェットプロセスの２種類の方法があるが，一般にウェ
ットプロセスに比べてドライプロセスによって形成され
た薄膜の方が品質面で優れるため，ドライプロセスが多
用されている。
膜や多結晶薄膜の形成方法としては，ドライプロセスと
ウェットプロセスの２種類の方法があるが，一般にウェ
ットプロセスに比べてドライプロセスによって形成され
た薄膜の方が品質面で優れるため，ドライプロセスが多
用されている。
【０００３】ドライプロセスには，真空蒸着法，イオン
プレーティング法およびスパッタリング法等の物理的成
膜法と，化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の化学的成膜
法とがある。なかでも後者のＣＶＤ法は，成膜速度の制
御が容易である上，成膜を高真空下で行う必要がなく，
しかも高速成膜が可能であることなどから，量産向きで
あるため広く用いられている。
プレーティング法およびスパッタリング法等の物理的成
膜法と，化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の化学的成膜
法とがある。なかでも後者のＣＶＤ法は，成膜速度の制
御が容易である上，成膜を高真空下で行う必要がなく，
しかも高速成膜が可能であることなどから，量産向きで
あるため広く用いられている。
【０００４】ＣＶＤ法においては，原料化合物として有
機金属錯体も使用されており，その蒸気を分解させて金
属薄膜を形成する場合，熱ＣＶＤ法，光ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法などが採用されている。原料錯体化合
物としては，一般に，有機部分（配位子）がジピバロイ
ルメタン，ヘキサフルオロアセチルアセトン等であるβ
−ジケトン系有機金属錯体が使用されてきた。
機金属錯体も使用されており，その蒸気を分解させて金
属薄膜を形成する場合，熱ＣＶＤ法，光ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法などが採用されている。原料錯体化合
物としては，一般に，有機部分（配位子）がジピバロイ
ルメタン，ヘキサフルオロアセチルアセトン等であるβ
−ジケトン系有機金属錯体が使用されてきた。
【０００５】近年，強誘電体材料等の電極材料やＬＳＩ
配線材料などに有用な薄膜として，周期律表第８族元素
例えばＲｕやＩｒ等の金属またはその酸化物の薄膜（代
表的にはＲｕＯ，Ｉｒ，ＩｒＯ2など）をＣＶＤ法で成
膜することが提案されているが，この場合の原料錯体化
合物としてはトリスジピバロイルメタナトルテニウム
（特開平６−２８３４３８号公報）やトリスジピバロイ
ルメタナトイリジウムなどのβ−ジケトン系有機金属錯
体が提案されている。
配線材料などに有用な薄膜として，周期律表第８族元素
例えばＲｕやＩｒ等の金属またはその酸化物の薄膜（代
表的にはＲｕＯ，Ｉｒ，ＩｒＯ2など）をＣＶＤ法で成
膜することが提案されているが，この場合の原料錯体化
合物としてはトリスジピバロイルメタナトルテニウム
（特開平６−２８３４３８号公報）やトリスジピバロイ
ルメタナトイリジウムなどのβ−ジケトン系有機金属錯
体が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来提案されたβ−ジ
ケトン系有機金属錯体をＣＶＤ法の原料化合物とする場
合には，その原料化合物の融点が高いので，原料化合物
は固体状態のままで昇華によって原料蒸気を発生させな
ければならない。
ケトン系有機金属錯体をＣＶＤ法の原料化合物とする場
合には，その原料化合物の融点が高いので，原料化合物
は固体状態のままで昇華によって原料蒸気を発生させな
ければならない。
【０００７】したがって，原料容器内の原料残量が減少
するに従って，原料化合物の表面積が減少して気化速度
が遅くなる。このため，一定時間内に発生する原料蒸気
量が減少するので，一定した成膜速度を長時間確保する
ことができないという問題があり，また２元素以上の金
属を含む化合物薄膜を作製しようとする場合にはその組
成の制御が困難であるという問題があった。
するに従って，原料化合物の表面積が減少して気化速度
が遅くなる。このため，一定時間内に発生する原料蒸気
量が減少するので，一定した成膜速度を長時間確保する
ことができないという問題があり，また２元素以上の金
属を含む化合物薄膜を作製しようとする場合にはその組
成の制御が困難であるという問題があった。
【０００８】したがって本発明は，前記のような問題を
解決できるような低融点のβ−ジケトン系有機金属錯体
を得ることを課題としたものである。
解決できるような低融点のβ−ジケトン系有機金属錯体
を得ることを課題としたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは斯かる課題
を解決するため鋭意研究したところ，２，２，６−トリ
メチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジメチ
ル−３，５−ヘプタンジオンのβ−ジケトンを配位子と
して用いた第８族元素との金属錯体は，従来のジピバロ
イルメタンを配位子とする金属錯体よりも融点が大幅に
低く，且つ蒸発温度と分解温度がはっきり離れていると
いうＣＶＤ法の成膜にとって極めて有利な性質を有する
ことを見いだした。この特性により，これをＣＶＤ法の
原料化合物とした場合，液体状態からの蒸発を行わせる
ことができ，また原料蒸気の基材への供給と基材上での
分解析出を安定して行わせることができるので，既述の
課題が解決できることがわかった。
を解決するため鋭意研究したところ，２，２，６−トリ
メチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジメチ
ル−３，５−ヘプタンジオンのβ−ジケトンを配位子と
して用いた第８族元素との金属錯体は，従来のジピバロ
イルメタンを配位子とする金属錯体よりも融点が大幅に
低く，且つ蒸発温度と分解温度がはっきり離れていると
いうＣＶＤ法の成膜にとって極めて有利な性質を有する
ことを見いだした。この特性により，これをＣＶＤ法の
原料化合物とした場合，液体状態からの蒸発を行わせる
ことができ，また原料蒸気の基材への供給と基材上での
分解析出を安定して行わせることができるので，既述の
課題が解決できることがわかった。
【００１０】すなわち，本発明によれば，２，２，６−
トリメチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジ
メチル−３，５−ヘプタンジオンと周期律表第８族元素
とのβ−ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化
学的気相蒸着法により基材上に第８族元素または該元素
を含む化合物を析出させることからなる第８族元素類の
成膜法を提供する。
トリメチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジ
メチル−３，５−ヘプタンジオンと周期律表第８族元素
とのβ−ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化
学的気相蒸着法により基材上に第８族元素または該元素
を含む化合物を析出させることからなる第８族元素類の
成膜法を提供する。
【００１１】本発明に従う有機金属類錯体は化１の一般
式で表されるものであり，式中のＭは第８族元素を表
し，代表的にはＩｒまたはＲｕである。化１において，
Ｒ＝Ｈの場合に２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジ
オンを配位子とし，Ｒ＝ＣＨ3の場合に２，２，６−ト
リメチル−３，５−ヘプタンジオンを配位子とした有機
金属錯体である。化１の有機金属錯体は新規化合物であ
ると思われ，これを第８族元素のＣＶＤ用原料化合物と
して用いた例はこれまで見当たらない。
式で表されるものであり，式中のＭは第８族元素を表
し，代表的にはＩｒまたはＲｕである。化１において，
Ｒ＝Ｈの場合に２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジ
オンを配位子とし，Ｒ＝ＣＨ3の場合に２，２，６−ト
リメチル−３，５−ヘプタンジオンを配位子とした有機
金属錯体である。化１の有機金属錯体は新規化合物であ
ると思われ，これを第８族元素のＣＶＤ用原料化合物と
して用いた例はこれまで見当たらない。
【００１２】
【化１】
【００１３】したがって，本発明によれば，周期律表第
８族元素または該元素を含む化合物を化学的気相蒸着法
によって成膜するさいに使用する原料化合物であって，
該８族元素と２，２，６−トリメチル−３，５−ヘプタ
ンジオンまたは２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジ
オンの有機金属錯体からなる低融点の該原料化合物を提
供する。
８族元素または該元素を含む化合物を化学的気相蒸着法
によって成膜するさいに使用する原料化合物であって，
該８族元素と２，２，６−トリメチル−３，５−ヘプタ
ンジオンまたは２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジ
オンの有機金属錯体からなる低融点の該原料化合物を提
供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明に従うβ−ジケトン系有機
金属錯体は，目的とする第８族元素の金属無機酸塩（塩
化物等）と過剰のβ−ジケトンを炭酸水素ナトリウム存
在下で加熱還流を行い，過剰のβ−ジケトンを留去して
得られた粗生成物を液体クロマトグラフにより精製する
という方法で得ることができる。
金属錯体は，目的とする第８族元素の金属無機酸塩（塩
化物等）と過剰のβ−ジケトンを炭酸水素ナトリウム存
在下で加熱還流を行い，過剰のβ−ジケトンを留去して
得られた粗生成物を液体クロマトグラフにより精製する
という方法で得ることができる。
【００１５】このようにして得られた有機金属錯体を原
料化合物として該金属または金属酸化物をＣＶＤ法で成
膜するには，例えば図１に示したように，該有機金属錯
体１を入れた原料容器２を恒温槽３内で所定の温度（配
位金属によっても若干の相違があるがおよそ１３０〜１
６０℃）に保持し，不活性キャリアガス（例えばアルゴ
ンガス）４を流量計５によって流量を調整しながら（例
えば５〜５００ミリリットル／分）原料容器２内に導入
することよって，有機金属錯体を同伴したガス流を該容
器２から発生させる。
料化合物として該金属または金属酸化物をＣＶＤ法で成
膜するには，例えば図１に示したように，該有機金属錯
体１を入れた原料容器２を恒温槽３内で所定の温度（配
位金属によっても若干の相違があるがおよそ１３０〜１
６０℃）に保持し，不活性キャリアガス（例えばアルゴ
ンガス）４を流量計５によって流量を調整しながら（例
えば５〜５００ミリリットル／分）原料容器２内に導入
することよって，有機金属錯体を同伴したガス流を該容
器２から発生させる。
【００１６】このようにして発生させた有機金属錯体蒸
気は熱分解炉６の反応管７内に導かれる。反応管（例え
ば石英管）７はヒータ８によって加熱され，管内に設置
した基板９を所定の温度（例えば３００〜７００℃）に
加熱保持することによって，該有機金属錯体が熱分解し
て基板９上にその金属または金属酸化物が析出し，成膜
する。なお，原料容器２から熱分解炉６までの配管は，
凝縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段により
１３０〜１７０℃に保温維持する。反応管７から出る排
ガスは冷却トラップ１１を経て排出される。図中の１２
はバルブを，また１３はロータリーポンプを示してい
る。なお，第８族元素の酸化物を成膜するさいには，酸
素容器１４から流量計１５およびバルブ１６を経て反応
雰囲気中（例えば反応間７内）に適量の気体酸素を送気
する。
気は熱分解炉６の反応管７内に導かれる。反応管（例え
ば石英管）７はヒータ８によって加熱され，管内に設置
した基板９を所定の温度（例えば３００〜７００℃）に
加熱保持することによって，該有機金属錯体が熱分解し
て基板９上にその金属または金属酸化物が析出し，成膜
する。なお，原料容器２から熱分解炉６までの配管は，
凝縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段により
１３０〜１７０℃に保温維持する。反応管７から出る排
ガスは冷却トラップ１１を経て排出される。図中の１２
はバルブを，また１３はロータリーポンプを示してい
る。なお，第８族元素の酸化物を成膜するさいには，酸
素容器１４から流量計１５およびバルブ１６を経て反応
雰囲気中（例えば反応間７内）に適量の気体酸素を送気
する。
【００１７】
〔実施例１〕図１のＣＶＤ設備を用いて，ステンレス鋼
製の原料容器２内に，原料化合物としてトリス（２，
２，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテ
ニウムを入れ，基板９にはシリコン基板を用いてその上
に成膜する操作を行った。
製の原料容器２内に，原料化合物としてトリス（２，
２，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテ
ニウムを入れ，基板９にはシリコン基板を用いてその上
に成膜する操作を行った。
【００１８】原料化合物のトリス（２，２，６−トリメ
チル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウムは次のよ
うにして製造した。まず，塩化ルテニウム三水和物５ｇ
に炭酸水素ナトリウム１０ｇと，２，２，６−トリメチ
ル−３，５−ヘプタンジオン４０ミリリットルを加え，
２００℃で１６時間加熱還流した。これを濾過し，澱物
を四塩化炭素で抽出して，抽出液を濾液とまぜ，溶媒と
過剰の２，２，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオ
ンを留去した。得られた残渣をアルミナカラムクロマト
グラフィー（溶媒：ベンゼン）で精製し，融点が１３０
〜１３２℃のトリス（２，２，６−トリメチル−３，５
−ヘプタンジオナト）ルテニウム６.６ｇ得た。
チル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウムは次のよ
うにして製造した。まず，塩化ルテニウム三水和物５ｇ
に炭酸水素ナトリウム１０ｇと，２，２，６−トリメチ
ル−３，５−ヘプタンジオン４０ミリリットルを加え，
２００℃で１６時間加熱還流した。これを濾過し，澱物
を四塩化炭素で抽出して，抽出液を濾液とまぜ，溶媒と
過剰の２，２，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオ
ンを留去した。得られた残渣をアルミナカラムクロマト
グラフィー（溶媒：ベンゼン）で精製し，融点が１３０
〜１３２℃のトリス（２，２，６−トリメチル−３，５
−ヘプタンジオナト）ルテニウム６.６ｇ得た。
【００１９】得られたトリス（２，２，６−トリメチル
−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウム１ｇを容器２
内に装填し，恒温槽３を１３５℃の恒温に設定保持し
た。シリコン基板９をヒータ８によって５００℃に加熱
保持した状態で，キャリヤーガスとしてアルゴンガスを
１００ミリリットル／分を通流して原料化合物を石英反
応管７に導いた。容器２から熱分解炉６までの配管は１
４０℃に保持されるように保温した。
−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウム１ｇを容器２
内に装填し，恒温槽３を１３５℃の恒温に設定保持し
た。シリコン基板９をヒータ８によって５００℃に加熱
保持した状態で，キャリヤーガスとしてアルゴンガスを
１００ミリリットル／分を通流して原料化合物を石英反
応管７に導いた。容器２から熱分解炉６までの配管は１
４０℃に保持されるように保温した。
【００２０】この条件下で３０分間の成膜操作を行った
ところ，厚さ８０００オングストロームの均一なリテニ
ウム薄膜が得られた。
ところ，厚さ８０００オングストロームの均一なリテニ
ウム薄膜が得られた。
【００２１】容器２に装填したトリス（２，２，６−ト
リメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウムの量
を２ｇに変更した以外は，前記と全く同じ条件で成膜操
作を繰り返した。この場合にも同じく厚さが８０００オ
ングストロームの均一なルテニウム薄膜が得られた。す
なわち，容器２に装填する原料化合物量を変えても同厚
の成膜ができた。このことは，原料化合物からの蒸発量
が処理時間中一定であり，且つ分解量も一定であること
を示している。
リメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウムの量
を２ｇに変更した以外は，前記と全く同じ条件で成膜操
作を繰り返した。この場合にも同じく厚さが８０００オ
ングストロームの均一なルテニウム薄膜が得られた。す
なわち，容器２に装填する原料化合物量を変えても同厚
の成膜ができた。このことは，原料化合物からの蒸発量
が処理時間中一定であり，且つ分解量も一定であること
を示している。
【００２２】また，前記と同様の操作に加え，気体酸素
源１４から反応管７に酸素を１００ミリリットル／分の
流量で導入して３０分間の成膜操作を行ったところ，原
料化合物の充填量が１ｇと２ｇの両方とも，厚さ１４０
００オングストロームの均一な酸化ルテニウム薄膜が得
られた。
源１４から反応管７に酸素を１００ミリリットル／分の
流量で導入して３０分間の成膜操作を行ったところ，原
料化合物の充填量が１ｇと２ｇの両方とも，厚さ１４０
００オングストロームの均一な酸化ルテニウム薄膜が得
られた。
【００２３】〔実施例２〕加える配位子として２，２，
６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンに代えて，
２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンを用いた以
外は，実施例１と同様の合成法によって融点が１１３〜
１１５℃のトリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナト）ルテニウム５.７ｇを得た。
６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンに代えて，
２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンを用いた以
外は，実施例１と同様の合成法によって融点が１１３〜
１１５℃のトリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナト）ルテニウム５.７ｇを得た。
【００２４】得られたトリス（２，６−ジメチル−３，
５−ヘプタンジオナト）ルテニウムを用いて実施例１と
同じ成膜法を繰り返したところ，酸素を導入しない場合
には原料充填量が１ｇと２ｇの両方とも厚さ５５００オ
ングストロームの均一なルテニウム薄膜が得られ，酸素
を導入した場合には，原料充填量が１ｇと２ｇの両方と
も厚さ８０００オングストロームの均一な酸化ルテニウ
ム薄膜が得られた。
５−ヘプタンジオナト）ルテニウムを用いて実施例１と
同じ成膜法を繰り返したところ，酸素を導入しない場合
には原料充填量が１ｇと２ｇの両方とも厚さ５５００オ
ングストロームの均一なルテニウム薄膜が得られ，酸素
を導入した場合には，原料充填量が１ｇと２ｇの両方と
も厚さ８０００オングストロームの均一な酸化ルテニウ
ム薄膜が得られた。
【００２５】〔実施例３〕塩化ルテニウム三水和物に代
えて塩化イリジウム三水和物を使用し，加える原料を全
て１０倍量とした以外は実施例１と同様の合成法によっ
て，融点が１４８〜１５０℃のトリス（２，２，６−ト
リメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イリジウムを３
ｇ得た。
えて塩化イリジウム三水和物を使用し，加える原料を全
て１０倍量とした以外は実施例１と同様の合成法によっ
て，融点が１４８〜１５０℃のトリス（２，２，６−ト
リメチル−３，５−ヘプタンジオナト）イリジウムを３
ｇ得た。
【００２６】得られたトリス（２，６−ジメチル−３，
５−ヘプタンジオナト）イリジウムを原料容器に装填
し，原料容器の保持温度を１５０℃，原料容器から熱分
解炉までの配管を１６０℃に保温した以外は実施例１と
同様の条件で成膜したところ，３０分後に原料充填量１
ｇおよび２ｇの両方とも厚さ６８００オングストローム
の均一なイリジウム薄膜が得られた。
５−ヘプタンジオナト）イリジウムを原料容器に装填
し，原料容器の保持温度を１５０℃，原料容器から熱分
解炉までの配管を１６０℃に保温した以外は実施例１と
同様の条件で成膜したところ，３０分後に原料充填量１
ｇおよび２ｇの両方とも厚さ６８００オングストローム
の均一なイリジウム薄膜が得られた。
【００２７】また，前記と同様の操作に加え，気体酸素
源１４から反応管７に酸素を１００ミリリットル／分の
流量で導入して３０分間の成膜操作を行ったところ，原
料化合物の充填量が１ｇと２ｇの両方とも，厚さ１３０
００オングストロームの均一な酸化イリジウム薄膜が得
られた。
源１４から反応管７に酸素を１００ミリリットル／分の
流量で導入して３０分間の成膜操作を行ったところ，原
料化合物の充填量が１ｇと２ｇの両方とも，厚さ１３０
００オングストロームの均一な酸化イリジウム薄膜が得
られた。
【００２８】〔実施例４〕加える配位子として２，２，
６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンに代えて，
２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンを用いた以
外は，実施例３と同様の合成法により，融点が１４１〜
１４３℃のトリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナト）イリジウムを３ｇ得た。
６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンに代えて，
２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンを用いた以
外は，実施例３と同様の合成法により，融点が１４１〜
１４３℃のトリス（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタ
ンジオナト）イリジウムを３ｇ得た。
【００２９】得られたトリス（２，６−ジメチル−３，
５−ヘプタンジオナト）イリジウムを用いて実施例３と
同じ成膜法を繰り返したところ，酸素を導入しない場合
には原料充填量が１ｇと２ｇの両方とも厚さ８２００オ
ングストロームの均一なルテニウム薄膜が得られ，また
酸素を導入した場合には，原料充填量が１ｇと２ｇの両
方とも厚さ１５０００オングストロームの均一な酸化イ
リジウム薄膜が得られた。
５−ヘプタンジオナト）イリジウムを用いて実施例３と
同じ成膜法を繰り返したところ，酸素を導入しない場合
には原料充填量が１ｇと２ｇの両方とも厚さ８２００オ
ングストロームの均一なルテニウム薄膜が得られ，また
酸素を導入した場合には，原料充填量が１ｇと２ｇの両
方とも厚さ１５０００オングストロームの均一な酸化イ
リジウム薄膜が得られた。
【００３０】〔比較例１〕トリス（２，２，６−トリメ
チル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウムに代え
て，融点が１６８〜１７０℃のトリス（ジピパロイルメ
タナト）ルテニウムを使用したこと以外は，実施例１と
同様の方法で成膜したところ，酸素を導入しない場合に
は，３０分後に，原料充填量が１ｇのときには厚さ６１
００オングストロームのルテニウム薄膜が得られ，原料
充填量が２ｇのときには厚さ７８００オングストローム
のルテニウム薄膜が得られた。また，酸素を導入したと
きには原料充填量が１ｇのときには厚さ１２０００オン
グストロームの酸化ルテニウム薄膜が得られ，原料充填
量が２ｇのときには厚さ１５０００オングストロームの
酸化ルテニウム薄膜が得られた。このことは，容器内原
料の容積変化にともなって蒸発量も経時変化することを
示している。
チル−３，５−ヘプタンジオナト）ルテニウムに代え
て，融点が１６８〜１７０℃のトリス（ジピパロイルメ
タナト）ルテニウムを使用したこと以外は，実施例１と
同様の方法で成膜したところ，酸素を導入しない場合に
は，３０分後に，原料充填量が１ｇのときには厚さ６１
００オングストロームのルテニウム薄膜が得られ，原料
充填量が２ｇのときには厚さ７８００オングストローム
のルテニウム薄膜が得られた。また，酸素を導入したと
きには原料充填量が１ｇのときには厚さ１２０００オン
グストロームの酸化ルテニウム薄膜が得られ，原料充填
量が２ｇのときには厚さ１５０００オングストロームの
酸化ルテニウム薄膜が得られた。このことは，容器内原
料の容積変化にともなって蒸発量も経時変化することを
示している。
【００３１】〔比較例２〕トリス（２，２，６−トリメ
チル−３，５−ヘプタンジオナト）イリジウムに代え
て，融点が２３５〜２３８℃のトリス（ジピバロイルメ
タナト）イリジウムを使用した以外は，実施例３と同様
な方法で成膜したところ，酸素を導入しない場合には，
３０分後に，原料充填量が１ｇのときには厚さ５１００
オングストロームのイリジウム薄膜が得られ，原料充填
量が２ｇのときには厚さ６６００オングストロームのイ
リジウム薄膜が得られた。また，酸素を導入したときに
は原料充填量が１ｇのときには厚さ１１０００オングス
トロームの酸化イリジウム薄膜が得られ，原料充填量が
２ｇのときには厚さ１３０００オングストロームの酸化
イリジウム薄膜が得られた。
チル−３，５−ヘプタンジオナト）イリジウムに代え
て，融点が２３５〜２３８℃のトリス（ジピバロイルメ
タナト）イリジウムを使用した以外は，実施例３と同様
な方法で成膜したところ，酸素を導入しない場合には，
３０分後に，原料充填量が１ｇのときには厚さ５１００
オングストロームのイリジウム薄膜が得られ，原料充填
量が２ｇのときには厚さ６６００オングストロームのイ
リジウム薄膜が得られた。また，酸素を導入したときに
は原料充填量が１ｇのときには厚さ１１０００オングス
トロームの酸化イリジウム薄膜が得られ，原料充填量が
２ｇのときには厚さ１３０００オングストロームの酸化
イリジウム薄膜が得られた。
【００３２】
【発明の効果】以上のように，本発明に従うβ−ジケト
ン系有機金属錯体は低融点で，高気化性であり，かつ蒸
発温度と分解温度がはなれている。したがって，化学的
気相蒸着法によって該金属または該金属酸化物の薄膜を
製造する原料化合物として使用する場合に，液体状態で
使用できるという優れた利点があり，またこのために蒸
発速度が一定となるので安定した成膜速度が得られ，し
かも高速で且つ均質な成膜ができるという優れた効果を
奏する。
ン系有機金属錯体は低融点で，高気化性であり，かつ蒸
発温度と分解温度がはなれている。したがって，化学的
気相蒸着法によって該金属または該金属酸化物の薄膜を
製造する原料化合物として使用する場合に，液体状態で
使用できるという優れた利点があり，またこのために蒸
発速度が一定となるので安定した成膜速度が得られ，し
かも高速で且つ均質な成膜ができるという優れた効果を
奏する。
【００３３】したがって，本発明によれば，強誘電体電
極材料やＬＳＩ配線材料などに有用なＲｕＯ，Ｉｒ，Ｉ
ｒＯ2などの成膜技術に多大の貢献ができる。
極材料やＬＳＩ配線材料などに有用なＲｕＯ，Ｉｒ，Ｉ
ｒＯ2などの成膜技術に多大の貢献ができる。
【図１】熱ＣＶＤ法を実施する設備の機器配置例を示し
た略断面図である。
た略断面図である。
１ 有機金属錯体 ２ 原料容器 ３ 恒温槽 ４ 不活性キャリヤーガス ５ 流量計 ６ 熱分解炉 ７ 石英反応管 ８ ヒータ ９ 基板 １０ 保温層 １１ 冷却トラップ １２ バルブ １３ ロータリーポンプ １４ 気体酸素源
Claims (4)
- 【請求項１】 周期律表第８族元素と２，２，６−トリ
メチル−３，５−ヘプタンジオンからなるβ−ジケトン
系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法に
より基材上に第８族元素または該元素を含む化合物を析
出させることからなる第８族元素類の成膜法。 - 【請求項２】 周期律表第８族元素と２，６−ジメチル
−３，５−ヘプタンジオンからなるβ−ジケトン系有機
金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基
材上に該第８族元素または当該元素を含む化合物を析出
させることからなる第８族元素類の成膜法。 - 【請求項３】 周期律表第８族元素または該元素を含む
化合物を化学的気相蒸着法によって成膜するさいに使用
する原料化合物であって，該８族元素と２，２，６−ト
リメチル−３，５−ヘプタンジオンの有機金属錯体から
なる該原料化合物。 - 【請求項４】 周期律表第８族元素または該元素を含む
化合物を化学的気相蒸着法によって成膜するさいに使用
する原料化合物であって，該８族元素と２，６−ジメチ
ル−３，５−ヘプタンジオンの有機金属錯体からなる該
原料化合物。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22453695A JP3611640B2 (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22453695A JP3611640B2 (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0949081A true JPH0949081A (ja) | 1997-02-18 |
| JP3611640B2 JP3611640B2 (ja) | 2005-01-19 |
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ID=16815345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22453695A Expired - Lifetime JP3611640B2 (ja) | 1995-08-10 | 1995-08-10 | 第８族元素類の成膜法およびこれに使用する原料化合物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3611640B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP1029106A4 (en) * | 1997-11-10 | 2003-03-12 | Advanced Tech Materials | METHOD FOR PRODUCING IRIDIUM-BASED MATERIALS, STRUCTURES AND SUBSTRATES AND IRIDIUM REAGENTS THEREFOR |
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-
1995
- 1995-08-10 JP JP22453695A patent/JP3611640B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
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| Publication number | Publication date |
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