JPH0947866A - はんだ付け装置 - Google Patents
はんだ付け装置Info
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- JPH0947866A JPH0947866A JP7197389A JP19738995A JPH0947866A JP H0947866 A JPH0947866 A JP H0947866A JP 7197389 A JP7197389 A JP 7197389A JP 19738995 A JP19738995 A JP 19738995A JP H0947866 A JPH0947866 A JP H0947866A
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- JP
- Japan
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- molten solder
- lid
- gas
- inert gas
- nozzle
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K3/00—Tools, devices, or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
- B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
- B23K3/0646—Solder baths
- B23K3/0653—Solder baths with wave generating means, e.g. nozzles, jets, fountains
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Molten Solder (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶融はんだの酸化を防止するとともに、噴流
波と配線基板とが接触する領域の酸素濃度を容易に低下
させることである。 【解決手段】 はんだ槽５内に貯溜した溶融はんだ２を
ポンプ３９，４０により噴出させて噴流波２４，２５を
形成し、この噴流波２４，２５に配線基板１を搬送しな
がら接触させてはんだ付けを行うはんだ付け装置におい
て、噴流波２４，２５と配線基板１とが接触する領域に
開口部２６，２７を形成した蓋２１ではんだ槽５の上部
を覆い、蓋２１とノズル形成体３２，３３，３４との間
に形成した隙間をガス吹口２８，２９，３０，３１とし
て開口部２６，２７に向けて不活性ガス１２を噴出する
ように構成したことを特徴とする。
波と配線基板とが接触する領域の酸素濃度を容易に低下
させることである。 【解決手段】 はんだ槽５内に貯溜した溶融はんだ２を
ポンプ３９，４０により噴出させて噴流波２４，２５を
形成し、この噴流波２４，２５に配線基板１を搬送しな
がら接触させてはんだ付けを行うはんだ付け装置におい
て、噴流波２４，２５と配線基板１とが接触する領域に
開口部２６，２７を形成した蓋２１ではんだ槽５の上部
を覆い、蓋２１とノズル形成体３２，３３，３４との間
に形成した隙間をガス吹口２８，２９，３０，３１とし
て開口部２６，２７に向けて不活性ガス１２を噴出する
ように構成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、はんだ槽の溶融はんだ
表面、また電子回路等を形成する配線基板等の被はんだ
付けワークと溶融はんだとが接触する領域を低酸素濃度
雰囲気とするはんだ付け装置に関するものである。
表面、また電子回路等を形成する配線基板等の被はんだ
付けワークと溶融はんだとが接触する領域を低酸素濃度
雰囲気とするはんだ付け装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】窒素ガス（Ｎ2 ガス）等の不活性ガスに
よって置換された低酸素濃度雰囲気中では溶融はんだの
酸化が抑制され、ドロス発生量を極めて少なくすること
ができる。また、このような低酸素濃度雰囲気中では溶
融はんだの表面張力が小さくなるので、被はんだ付けワ
ークである配線基板の微小な被はんだ付け部へも溶融は
んだが進入し易くなっていわゆるマイクロソルダリング
が可能となる。その他に、配線基板の酸化も抑制される
ので、微量のフラックスで良好なはんだ付け性が得ら
れ、その結果として、はんだ付け後の配線基板の洗浄工
程を省略することができるようになる等の長所がある。
よって置換された低酸素濃度雰囲気中では溶融はんだの
酸化が抑制され、ドロス発生量を極めて少なくすること
ができる。また、このような低酸素濃度雰囲気中では溶
融はんだの表面張力が小さくなるので、被はんだ付けワ
ークである配線基板の微小な被はんだ付け部へも溶融は
んだが進入し易くなっていわゆるマイクロソルダリング
が可能となる。その他に、配線基板の酸化も抑制される
ので、微量のフラックスで良好なはんだ付け性が得ら
れ、その結果として、はんだ付け後の配線基板の洗浄工
程を省略することができるようになる等の長所がある。
【０００３】これを、下記の公知文献５件を例にとり従
来技術を具体的に説明する。 ・実開昭４９−１１９４３３号公報の技術（公知例１と
いう） ・実公昭５７−９０１０号公報の技術（公知例２とい
う） ・特公昭６２−５０２２０号公報の技術（公知例３とい
う） ・特開平６−２１６３９号公報の技術（公知例４とい
う） ・米国特許第５，２４０，１６９号明細書の技術（公知
例５という） 図７は、公知例１の「はんだ付装置」を示す説明図で、
はんだノズル３から噴流する溶融はんだ２の噴流波４が
形成される部分を残してはんだ槽５に蓋６を設け、この
蓋６によって形成された保留室７にノズル８から噴出し
た酸化防止剤（または還元剤）９をヒータ１０で予熱し
て噴出するようにした技術である。その結果、はんだ槽
５内の溶融はんだ２および噴流波４が酸化防止剤（また
は還元剤）９で覆われ、配線基板１の良好なはんだ付け
が可能となる技術である。
来技術を具体的に説明する。 ・実開昭４９−１１９４３３号公報の技術（公知例１と
いう） ・実公昭５７−９０１０号公報の技術（公知例２とい
う） ・特公昭６２−５０２２０号公報の技術（公知例３とい
う） ・特開平６−２１６３９号公報の技術（公知例４とい
う） ・米国特許第５，２４０，１６９号明細書の技術（公知
例５という） 図７は、公知例１の「はんだ付装置」を示す説明図で、
はんだノズル３から噴流する溶融はんだ２の噴流波４が
形成される部分を残してはんだ槽５に蓋６を設け、この
蓋６によって形成された保留室７にノズル８から噴出し
た酸化防止剤（または還元剤）９をヒータ１０で予熱し
て噴出するようにした技術である。その結果、はんだ槽
５内の溶融はんだ２および噴流波４が酸化防止剤（また
は還元剤）９で覆われ、配線基板１の良好なはんだ付け
が可能となる技術である。
【０００４】図８は、公知例２の「半田槽装置」を示す
断面正面図で、図７と同一符号は同一部分を示す。この
技術は、溶融はんだ２の酸化防止として不活性ガス１２
を用いている点と、この不活性ガス１２を予熱するヒー
タ（図７のヒータ１０に相当するもの）がなく不活性ガ
ス１２を予熱しない点において前記図７の従来技術と相
違するだけで、基本的には同じ技術である。なお、はん
だ槽５の中に設けたヒータ１４は溶融はんだ２を加熱す
るものである。
断面正面図で、図７と同一符号は同一部分を示す。この
技術は、溶融はんだ２の酸化防止として不活性ガス１２
を用いている点と、この不活性ガス１２を予熱するヒー
タ（図７のヒータ１０に相当するもの）がなく不活性ガ
ス１２を予熱しない点において前記図７の従来技術と相
違するだけで、基本的には同じ技術である。なお、はん
だ槽５の中に設けたヒータ１４は溶融はんだ２を加熱す
るものである。
【０００５】図９は、公知例３の「プリント配線基板の
はんだ付け方法」の装置を示す断面図で、図７，図８と
同一符号は同一部分を示す。この技術では、はんだ槽５
に図７，８に示す蓋６を設けないものの、配線基板１が
噴流波４から離れる直前に、すなわちピールバックポイ
ント１１に不活性ガス１２をノズル１３で吹き付けるこ
とにより、はんだ付け性が改善されることが開示されて
いる。なお、ノズル１３から噴出させる不活性ガス１２
を加熱する手段としてのヒータ１０も備えていて、これ
により、被はんだ付け部の溶融はんだ２の温度が急激に
降下することを防止し、配線基板１のつらら状、または
ブリッジ状のはんだを除去して良好なはんだ付けを行え
ることが開示されている。
はんだ付け方法」の装置を示す断面図で、図７，図８と
同一符号は同一部分を示す。この技術では、はんだ槽５
に図７，８に示す蓋６を設けないものの、配線基板１が
噴流波４から離れる直前に、すなわちピールバックポイ
ント１１に不活性ガス１２をノズル１３で吹き付けるこ
とにより、はんだ付け性が改善されることが開示されて
いる。なお、ノズル１３から噴出させる不活性ガス１２
を加熱する手段としてのヒータ１０も備えていて、これ
により、被はんだ付け部の溶融はんだ２の温度が急激に
降下することを防止し、配線基板１のつらら状、または
ブリッジ状のはんだを除去して良好なはんだ付けを行え
ることが開示されている。
【０００６】図１０は、公知例４の「半田付装置」を示
す構成図で、図９と同一符号は同一部分を示す。この技
術においてもはんだ槽５には図７に示す蓋６を設けない
ものの、ピールバックポイント１１に不活性ガス１２を
ノズル１３で吹き付けることによりはんだ付け性が改善
されることが開示され、また、ノズル１３から不活性ガ
ス供給装置１６に接続された不活性ガス供給パイプ１５
を、一旦はんだ槽５の溶融はんだ２の中を通し、不活性
ガス１２を加熱してからピールバックポイント１１に吹
き付けることにより、ピールバックポイント１１におけ
るはんだ接合部のはんだ流動性が保たれ、良好なはんだ
付けを行えることが開示されている。
す構成図で、図９と同一符号は同一部分を示す。この技
術においてもはんだ槽５には図７に示す蓋６を設けない
ものの、ピールバックポイント１１に不活性ガス１２を
ノズル１３で吹き付けることによりはんだ付け性が改善
されることが開示され、また、ノズル１３から不活性ガ
ス供給装置１６に接続された不活性ガス供給パイプ１５
を、一旦はんだ槽５の溶融はんだ２の中を通し、不活性
ガス１２を加熱してからピールバックポイント１１に吹
き付けることにより、ピールバックポイント１１におけ
るはんだ接合部のはんだ流動性が保たれ、良好なはんだ
付けを行えることが開示されている。
【０００７】なお、溶融はんだでガスを加熱する技術は
特開昭５８−９２３５７号公報，特開昭５８−８４６７
３号公報および特開平１−１４３７６０号公報にも開示
されている。
特開昭５８−９２３５７号公報，特開昭５８−８４６７
３号公報および特開平１−１４３７６０号公報にも開示
されている。
【０００８】図１１は、公知例５の「ガス被覆された噴
流はんだ槽」を示す側断面図で、図７と同一符号は同一
部分を示す。この技術は、噴流波４の部分がスロット状
の開口１７を形成した蓋６をはんだ槽５に設け、さらに
蓋６の内側、すなわち蓋６と溶融はんだ２との間にガス
ディフューザ（gas diffusers ）１８を設けた技術が示
されている。また、１９は前記配線基板１の搬送コンベ
ア、２０は前記蓋６のスカート部で、溶融はんだ２に浸
漬されている。
流はんだ槽」を示す側断面図で、図７と同一符号は同一
部分を示す。この技術は、噴流波４の部分がスロット状
の開口１７を形成した蓋６をはんだ槽５に設け、さらに
蓋６の内側、すなわち蓋６と溶融はんだ２との間にガス
ディフューザ（gas diffusers ）１８を設けた技術が示
されている。また、１９は前記配線基板１の搬送コンベ
ア、２０は前記蓋６のスカート部で、溶融はんだ２に浸
漬されている。
【０００９】この技術は、基本的には公知例１の技術お
よび公知例２の技術と同じ技術であり、ガスディフュー
ザ１８がはんだ槽５内の溶融はんだ２とその蓋６との空
間に配設されていることのみ相違するだけである。
よび公知例２の技術と同じ技術であり、ガスディフュー
ザ１８がはんだ槽５内の溶融はんだ２とその蓋６との空
間に配設されていることのみ相違するだけである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す公知例１お
よび図８に示す公知例２の各技術においては、はんだ槽
５に蓋６が設けられているためにはんだ槽５内の溶融は
んだ２が酸化し難いものの、配線基板１と噴流波４とが
接触する領域には、例えば酸化防止剤９または不活性ガ
ス１２等が積極的に吹き付けられていない。したがっ
て、これらの領域における酸素濃度を目的とする値まで
低下させるには、多量の酸化防止剤９または不活性ガス
１２を蓋６内へ供給しなければならないという問題点が
あった。なお、このことは図１１の公知例に示す技術に
おいても同様である。
よび図８に示す公知例２の各技術においては、はんだ槽
５に蓋６が設けられているためにはんだ槽５内の溶融は
んだ２が酸化し難いものの、配線基板１と噴流波４とが
接触する領域には、例えば酸化防止剤９または不活性ガ
ス１２等が積極的に吹き付けられていない。したがっ
て、これらの領域における酸素濃度を目的とする値まで
低下させるには、多量の酸化防止剤９または不活性ガス
１２を蓋６内へ供給しなければならないという問題点が
あった。なお、このことは図１１の公知例に示す技術に
おいても同様である。
【００１１】図９に示す公知例３および図１０に示す公
知例４の各技術においては、ピールバックポイント１１
に不活性ガス１２を吹き付けるので、ピールバックポイ
ント１１における酸素濃度が容易に低下し、比較的に不
活性ガス１２の消費量も少なくできる。しかし、はんだ
槽５の中の溶融はんだ２は大気に接触しているので、溶
融はんだ５の酸化量が多いという問題点があった。そし
て、溶融はんだ２の酸化によって生ずる酸化物は、はん
だ付けに寄与できず不必要に消費されるものである。
知例４の各技術においては、ピールバックポイント１１
に不活性ガス１２を吹き付けるので、ピールバックポイ
ント１１における酸素濃度が容易に低下し、比較的に不
活性ガス１２の消費量も少なくできる。しかし、はんだ
槽５の中の溶融はんだ２は大気に接触しているので、溶
融はんだ５の酸化量が多いという問題点があった。そし
て、溶融はんだ２の酸化によって生ずる酸化物は、はん
だ付けに寄与できず不必要に消費されるものである。
【００１２】また、加熱した不活性ガス１２をノズル１
３に供給する構成とはしているものの、加熱された不活
性ガス１２がノズル１３に到達するまでに冷却して温度
低下するという問題点があった。
３に供給する構成とはしているものの、加熱された不活
性ガス１２がノズル１３に到達するまでに冷却して温度
低下するという問題点があった。
【００１３】本発明の目的は、溶融はんだの酸化を防止
するとともに、噴流波と配線基板とが接触する領域の酸
素濃度を容易に低下させることを可能とし、また、噴流
波と配線基板とが接触する領域に溶融はんだの温度と同
等温度の不活性ガスを吹き付けることができるようにし
たはんだ付け装置を得ることによって、不活性ガスの消
費量を低減しつつ低酸素濃度の雰囲気を実現し、不要な
酸化物の発生を防止するとともに高品質の配線基板を製
造できるようにすることにある。
するとともに、噴流波と配線基板とが接触する領域の酸
素濃度を容易に低下させることを可能とし、また、噴流
波と配線基板とが接触する領域に溶融はんだの温度と同
等温度の不活性ガスを吹き付けることができるようにし
たはんだ付け装置を得ることによって、不活性ガスの消
費量を低減しつつ低酸素濃度の雰囲気を実現し、不要な
酸化物の発生を防止するとともに高品質の配線基板を製
造できるようにすることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明のはんだ付け装置
は、はんだ槽の上方部分に被せる蓋の内側の面（溶融は
んだ液面側の面）に不活性ガス噴出用のノズルを形成
し、蓋と溶融はんだの液面との間には必要最小限の空間
しか形成しないように構成する。また、不活性ガス噴出
用のノズルから溶融はんだと同等温度の不活性ガスを噴
出できるように構成し、また、不活性ガスの供給流速を
調整できる通気性のバッファ板を設けたところに特徴が
ある。
は、はんだ槽の上方部分に被せる蓋の内側の面（溶融は
んだ液面側の面）に不活性ガス噴出用のノズルを形成
し、蓋と溶融はんだの液面との間には必要最小限の空間
しか形成しないように構成する。また、不活性ガス噴出
用のノズルから溶融はんだと同等温度の不活性ガスを噴
出できるように構成し、また、不活性ガスの供給流速を
調整できる通気性のバッファ板を設けたところに特徴が
ある。
【００１５】
【作用】本発明の請求項１記載の発明は、はんだ槽の上
方部分を覆う蓋とノズル形成体との間で形成する隙間を
ガス吹口としている。そのため、溶融はんだの液面をガ
ス吹口の直下まで狭めることが可能であり、蓋と溶融は
んだとの間にノズルを設けつつ蓋と溶融はんだとの間の
間隔を極限まで狭め、この部分の容積も極限的に小さい
ものとすることができる。また、ガス吹口から噴出する
不活性ガスは、噴流波と配線基板とが接触する領域へ向
けて噴出する。そして、その一部が蓋と溶融はんだとの
間に流れ込む。
方部分を覆う蓋とノズル形成体との間で形成する隙間を
ガス吹口としている。そのため、溶融はんだの液面をガ
ス吹口の直下まで狭めることが可能であり、蓋と溶融は
んだとの間にノズルを設けつつ蓋と溶融はんだとの間の
間隔を極限まで狭め、この部分の容積も極限的に小さい
ものとすることができる。また、ガス吹口から噴出する
不活性ガスは、噴流波と配線基板とが接触する領域へ向
けて噴出する。そして、その一部が蓋と溶融はんだとの
間に流れ込む。
【００１６】したがって、溶融はんだを覆う不活性ガス
量は極わずかな量で済み、また、噴流波と配線基板とが
接触する領域を高濃度の不活性ガス雰囲気すなわち低酸
素濃度の雰囲気とすることができる。
量は極わずかな量で済み、また、噴流波と配線基板とが
接触する領域を高濃度の不活性ガス雰囲気すなわち低酸
素濃度の雰囲気とすることができる。
【００１７】また、請求項２記載の発明は、はんだ槽の
上方部分を覆う蓋の内側面に不活性ガス噴出ノズルの吹
口を密接して設けている。そのため、溶融はんだの液面
をノズル吹口の直下まで狭めることが可能であり、蓋と
溶融はんだとの間にノズルを設けつつ蓋と溶融はんだと
の間の間隔を極限まで狭め、この部分の容積も極限的に
小さいものとすることができる。また、ノズルから噴出
する不活性ガスは、噴流波と配線基板とが接触する領域
へ向けて噴出する。そして、その一部が蓋と溶融配線と
の間に流れ込む。
上方部分を覆う蓋の内側面に不活性ガス噴出ノズルの吹
口を密接して設けている。そのため、溶融はんだの液面
をノズル吹口の直下まで狭めることが可能であり、蓋と
溶融はんだとの間にノズルを設けつつ蓋と溶融はんだと
の間の間隔を極限まで狭め、この部分の容積も極限的に
小さいものとすることができる。また、ノズルから噴出
する不活性ガスは、噴流波と配線基板とが接触する領域
へ向けて噴出する。そして、その一部が蓋と溶融配線と
の間に流れ込む。
【００１８】したがって、請求項１のはんだ付け装置と
同様に、溶融はんだを覆う不活性ガス量は極わずかな量
で済み、また、噴流波と配線基板とが接触する領域を高
濃度の不活性ガス雰囲気すなわち低酸素濃度の雰囲気と
することができる。
同様に、溶融はんだを覆う不活性ガス量は極わずかな量
で済み、また、噴流波と配線基板とが接触する領域を高
濃度の不活性ガス雰囲気すなわち低酸素濃度の雰囲気と
することができる。
【００１９】また、請求項３記載の発明は、不活性ガス
を噴出するノズル形成体またはノズルは溶融はんだに浸
漬している。したがって、その温度は溶融はんだとほぼ
同等の温度となる。また、溶融はんだに浸漬した不活性
ガス供給パイプも溶融はんだとほぼ同等の温度となる。
を噴出するノズル形成体またはノズルは溶融はんだに浸
漬している。したがって、その温度は溶融はんだとほぼ
同等の温度となる。また、溶融はんだに浸漬した不活性
ガス供給パイプも溶融はんだとほぼ同等の温度となる。
【００２０】そのため、前記のような不活性ガス供給回
路を通ってノズル部分の吹口から噴出する不活性ガスの
温度を、溶融はんだの温度とほぼ同等の温度に保持でき
るようになる。
路を通ってノズル部分の吹口から噴出する不活性ガスの
温度を、溶融はんだの温度とほぼ同等の温度に保持でき
るようになる。
【００２１】したがって、噴流波と配線基板とが接触す
る領域には溶融はんだと同等温度の不活性ガスを吹き付
けることが可能となる。そのため、接触領域において配
線基板の急激な温度上昇や温度低下を解消することが可
能となり、さらに良好なはんだ付け環境を形成すること
ができるようになる。例えば、はんだ付け部の濡れ不良
やつらら状はんだの発生等を解消することができるよう
になる。
る領域には溶融はんだと同等温度の不活性ガスを吹き付
けることが可能となる。そのため、接触領域において配
線基板の急激な温度上昇や温度低下を解消することが可
能となり、さらに良好なはんだ付け環境を形成すること
ができるようになる。例えば、はんだ付け部の濡れ不良
やつらら状はんだの発生等を解消することができるよう
になる。
【００２２】また、請求項４記載の発明は、噴流波と配
線基板とが接触する領域に吹き付けられるガス速度を調
節することが可能となるとともに、蓋と溶融はんだの液
面との間に形成される極小空間へのガス供給量を相対的
に調節することができるようになる。そして、これによ
り最適な酸素濃度と不活性ガス吹き付け速度とを選択・
調節することができるようになる。
線基板とが接触する領域に吹き付けられるガス速度を調
節することが可能となるとともに、蓋と溶融はんだの液
面との間に形成される極小空間へのガス供給量を相対的
に調節することができるようになる。そして、これによ
り最適な酸素濃度と不活性ガス吹き付け速度とを選択・
調節することができるようになる。
【００２３】
【実施例】次に、本発明によるはんだ付け装置を実際上
どのように具体化できるかを実施例で説明する。
どのように具体化できるかを実施例で説明する。
【００２４】〔実施例１〕図１は、本発明の第１の実施
例を示す側断面図である。なお、図１においては、溶融
はんだ２を加熱するヒータは省略して図示していない。
例を示す側断面図である。なお、図１においては、溶融
はんだ２を加熱するヒータは省略して図示していない。
【００２５】すなわち、溶融はんだ２を貯溜するはんだ
槽５の上部全体を覆う１枚の蓋２１を設けたものであ
る。なお、図１においては、蓋２１は見かけ上３箇所に
分割して表示されている。また、はんだ槽５には１次の
噴流ノズル２２および２次の噴流ノズル２３を備えてい
る。そして、これらのノズル２２，２３によって形成さ
れる噴流波２４，２５と搬送コンベア１９で矢印Ａ方向
に搬送される配線基板１とが接触する２箇所の領域部分
には、蓋２１にそれぞれ開口部２６，２７を形成してあ
り、そしてこれらの開口部２６，２７にはそれぞれ噴流
波２４，２５の流下部分を覆うように案内部材２１ａ，
２１ｂ，２１ｃ，２１ｄを付設してある。
槽５の上部全体を覆う１枚の蓋２１を設けたものであ
る。なお、図１においては、蓋２１は見かけ上３箇所に
分割して表示されている。また、はんだ槽５には１次の
噴流ノズル２２および２次の噴流ノズル２３を備えてい
る。そして、これらのノズル２２，２３によって形成さ
れる噴流波２４，２５と搬送コンベア１９で矢印Ａ方向
に搬送される配線基板１とが接触する２箇所の領域部分
には、蓋２１にそれぞれ開口部２６，２７を形成してあ
り、そしてこれらの開口部２６，２７にはそれぞれ噴流
波２４，２５の流下部分を覆うように案内部材２１ａ，
２１ｂ，２１ｃ，２１ｄを付設してある。
【００２６】一方、蓋２１の内側面、すなわち、溶融は
んだ２の液面２ａ側には、ガス吹口２８，２９，３０，
３１を形成するノズル形成体３２，３３，３４が取り付
けられている。なお、これらのガス吹口２８，２９，３
０，３１は開口部２６，２７の方向へ向いていて、噴出
する不活性ガス（以下Ｎ2 ガスともいう）１２が噴流波
２４，２５と配線基板１とが接触する領域に向けて流れ
るように取り付けられている。
んだ２の液面２ａ側には、ガス吹口２８，２９，３０，
３１を形成するノズル形成体３２，３３，３４が取り付
けられている。なお、これらのガス吹口２８，２９，３
０，３１は開口部２６，２７の方向へ向いていて、噴出
する不活性ガス（以下Ｎ2 ガスともいう）１２が噴流波
２４，２５と配線基板１とが接触する領域に向けて流れ
るように取り付けられている。
【００２７】そしてこれらのノズル形成体３２，３３，
３４には、ガス吹口２８，２９，３０，３１から不活性
ガス１２を噴出するため溶融はんだ２内を引き回した不
活性ガス供給パイプ３５，３６，３７が接続されてお
り、カプラ３８を介してＮ2 ガスボンベ等の不活性ガス
供給装置（図示せず）からなる不活性ガス供給手段に接
続されている。また、３９，４０は前記噴流波２４，２
５を形成するポンプ（羽根車で示す）である。
３４には、ガス吹口２８，２９，３０，３１から不活性
ガス１２を噴出するため溶融はんだ２内を引き回した不
活性ガス供給パイプ３５，３６，３７が接続されてお
り、カプラ３８を介してＮ2 ガスボンベ等の不活性ガス
供給装置（図示せず）からなる不活性ガス供給手段に接
続されている。また、３９，４０は前記噴流波２４，２
５を形成するポンプ（羽根車で示す）である。
【００２８】また、スカート部４１は蓋２１の端部側全
周に沿って設けてあり、はんだ槽５に蓋２１を被せた際
にスカート部４１が溶融はんだ２に浸漬し、スカート部
４１で囲まれる内側の領域を封止するように構成してあ
る。なお、蓋２１，開口部２６，２７およびスカート部
４１の形状は図２，３にその一部を示してある。
周に沿って設けてあり、はんだ槽５に蓋２１を被せた際
にスカート部４１が溶融はんだ２に浸漬し、スカート部
４１で囲まれる内側の領域を封止するように構成してあ
る。なお、蓋２１，開口部２６，２７およびスカート部
４１の形状は図２，３にその一部を示してある。
【００２９】図２は、図１のノズル形成体を斜め上方か
ら見た斜視図で、図１と同一符号は同一部分を示す。な
お、図２は図１における左端側に設けてあるノズル形成
体の斜視図に相当し、また図を分かり易くするために蓋
２１を二点鎖線で描いてある。
ら見た斜視図で、図１と同一符号は同一部分を示す。な
お、図２は図１における左端側に設けてあるノズル形成
体の斜視図に相当し、また図を分かり易くするために蓋
２１を二点鎖線で描いてある。
【００３０】すなわち、ノズル形成体３２と蓋２１との
間で形成されたスリット部５１と、このスリット部５１
に不活性ガス（矢印で示す）１２を供給するための小部
屋を形成する凹部５２を設けてあり、この凹部５２には
図１の不活性ガス供給パイプ３５を接続するガス供給孔
５３を設けてある。また、ねじ穴５４はノズル形成体３
２を蓋２１に取り付けるためのものである。なお、スリ
ット部５１にはガス吹口２８が形成される。
間で形成されたスリット部５１と、このスリット部５１
に不活性ガス（矢印で示す）１２を供給するための小部
屋を形成する凹部５２を設けてあり、この凹部５２には
図１の不活性ガス供給パイプ３５を接続するガス供給孔
５３を設けてある。また、ねじ穴５４はノズル形成体３
２を蓋２１に取り付けるためのものである。なお、スリ
ット部５１にはガス吹口２８が形成される。
【００３１】図３は、図２のノズル形成体３２を矢印Ｂ
方向の斜め下方から見た斜視図で、図１と同一符号は同
一部分を示す。すなわち、図２のガス供給孔５３にカプ
ラ４２を介して不活性ガス供給パイプ３５を接続してあ
り、また、途中でＴ型継手４３を介して配管の形成を容
易にし、蓋２１に設けたカプラ３８を介してＮ2 ガスボ
ンベ等の不活性ガス供給手段へ接続する構成である。な
お、図１において１次の噴流ノズル２２と２次の噴流ノ
ズル２３との間に設けたノズル形成体３３にも、同様に
してガス供給パイプ３６が接続されているが、図中では
その一部分のみを図示している。
方向の斜め下方から見た斜視図で、図１と同一符号は同
一部分を示す。すなわち、図２のガス供給孔５３にカプ
ラ４２を介して不活性ガス供給パイプ３５を接続してあ
り、また、途中でＴ型継手４３を介して配管の形成を容
易にし、蓋２１に設けたカプラ３８を介してＮ2 ガスボ
ンベ等の不活性ガス供給手段へ接続する構成である。な
お、図１において１次の噴流ノズル２２と２次の噴流ノ
ズル２３との間に設けたノズル形成体３３にも、同様に
してガス供給パイプ３６が接続されているが、図中では
その一部分のみを図示している。
【００３２】なお、図１においては、ノズル形成体３
２，３３，３４が溶融はんだ２に浸漬するように構成し
てある。ところで、１次，２次の各はんだ噴流ノズル２
２，２３に溶融はんだ２を供給するポンプ３９，４０の
駆動を停止した際に、はんだ槽５中の溶融はんだ２の液
面２ａが上昇するが、その際においても、ノズル形成体
３２，３３，３４と蓋２１との間で形成したガス吹口２
８〜３１に溶融はんだ２が流入しない程度の液位（はん
だ量）にして、その隙間を最小の容積に形成している。
２，３３，３４が溶融はんだ２に浸漬するように構成し
てある。ところで、１次，２次の各はんだ噴流ノズル２
２，２３に溶融はんだ２を供給するポンプ３９，４０の
駆動を停止した際に、はんだ槽５中の溶融はんだ２の液
面２ａが上昇するが、その際においても、ノズル形成体
３２，３３，３４と蓋２１との間で形成したガス吹口２
８〜３１に溶融はんだ２が流入しない程度の液位（はん
だ量）にして、その隙間を最小の容積に形成している。
【００３３】また、この構成においては、外形が平面的
に構成されたノズル形成体３２〜３４によってはんだ槽
５中の溶融はんだ２の液面２ａを周辺雰囲気から遮断す
るようにして、周辺雰囲気と接触する面積を大幅に小さ
くしている。
に構成されたノズル形成体３２〜３４によってはんだ槽
５中の溶融はんだ２の液面２ａを周辺雰囲気から遮断す
るようにして、周辺雰囲気と接触する面積を大幅に小さ
くしている。
【００３４】このような構成において、Ｎ2 ガスボンベ
等の不活性ガス供給手段からＮ2 ガス１２を供給する
と、Ｎ2 ガス１２は不活性ガス供給パイプ３５，３６，
３７とノズル形成体３２〜３４で加熱されてそのガス吹
口２８〜３１から噴出する。したがって、ガス吹口２８
〜３１から噴出するＮ2 ガス１２は溶融はんだ２の温度
と同じ温度で噴出し、蓋２１の開口部２６，２７から案
内部２１ａを通って噴流波２４，２５と溶融はんだ２が
接触する領域に吹き付けられる。
等の不活性ガス供給手段からＮ2 ガス１２を供給する
と、Ｎ2 ガス１２は不活性ガス供給パイプ３５，３６，
３７とノズル形成体３２〜３４で加熱されてそのガス吹
口２８〜３１から噴出する。したがって、ガス吹口２８
〜３１から噴出するＮ2 ガス１２は溶融はんだ２の温度
と同じ温度で噴出し、蓋２１の開口部２６，２７から案
内部２１ａを通って噴流波２４，２５と溶融はんだ２が
接触する領域に吹き付けられる。
【００３５】また、ガス吹口２８〜３１から噴出したＮ
2 ガス１２は、蓋２１と溶融はんだ２の液面２ａとの間
にも流れ込み、この部分をＮ2 ガス１２で満たすように
なる。
2 ガス１２は、蓋２１と溶融はんだ２の液面２ａとの間
にも流れ込み、この部分をＮ2 ガス１２で満たすように
なる。
【００３６】したがって、噴流波２４と配線基板１とが
接触する領域では、溶融はんだ２と同等の温度のＮ2 ガ
ス１２が吹き付けられて低酸素濃度の雰囲気中ではんだ
付けを行うことができる。また、はんだ槽５中の溶融は
んだ２は少量のＮ2 ガス１２で完全に覆われる。
接触する領域では、溶融はんだ２と同等の温度のＮ2 ガ
ス１２が吹き付けられて低酸素濃度の雰囲気中ではんだ
付けを行うことができる。また、はんだ槽５中の溶融は
んだ２は少量のＮ2 ガス１２で完全に覆われる。
【００３７】その結果、低酸素濃度雰囲気中でのはんだ
付け方法の長所を備えるとともに、ヒートショックも少
なくなり、はんだ付け部の濡れ不良やつらら状はんだの
発生等を解消することができるようになる。また、溶融
はんだ２の液面２ａと蓋２１との間を占める容積部分が
極めて小さい構造となるので、Ｎ2 ガス１２の消費量を
大幅に低減することができるようになる。なお、ガス吹
口２８〜３１をスリット形状とすることによって、パイ
プに孔を列状に設けた吹口に比べて不活性ガス１２の雰
囲気形成のむらを少なくすることができる。
付け方法の長所を備えるとともに、ヒートショックも少
なくなり、はんだ付け部の濡れ不良やつらら状はんだの
発生等を解消することができるようになる。また、溶融
はんだ２の液面２ａと蓋２１との間を占める容積部分が
極めて小さい構造となるので、Ｎ2 ガス１２の消費量を
大幅に低減することができるようになる。なお、ガス吹
口２８〜３１をスリット形状とすることによって、パイ
プに孔を列状に設けた吹口に比べて不活性ガス１２の雰
囲気形成のむらを少なくすることができる。
【００３８】〔実施例２〕図４は、本発明の第２の実施
例を示す側断面図で、図１と同一符号は同一部分を示
す。なお、図４においても、溶融はんだ２を加熱するヒ
ータを省略して図示していない。
例を示す側断面図で、図１と同一符号は同一部分を示
す。なお、図４においても、溶融はんだ２を加熱するヒ
ータを省略して図示していない。
【００３９】図４の第２の実施例が図１の第１の実施例
と相違する点は、ノズル６１そのものを蓋２１の液面２
ａ側に設けている点であり、そのガス吹口６２は蓋２１
と平行方向に、かつ、蓋２１の内面側に沿って不活性ガ
ス１２が噴出するように密接して設けてある。その他は
第１の実施例と同様である。そしてこのノズル６１も、
ガス吹口６２を残して溶融はんだ２に浸漬している。
と相違する点は、ノズル６１そのものを蓋２１の液面２
ａ側に設けている点であり、そのガス吹口６２は蓋２１
と平行方向に、かつ、蓋２１の内面側に沿って不活性ガ
ス１２が噴出するように密接して設けてある。その他は
第１の実施例と同様である。そしてこのノズル６１も、
ガス吹口６２を残して溶融はんだ２に浸漬している。
【００４０】この構成では、第１の実施例よりもノズル
６１のガス吹口６２の若干量だけ（ノズル６１の部材の
厚さ分だけ）溶融はんだ２の液面２ａ側に接近するの
で、蓋２１と液面２ａとの間で形成する容積も第１の実
施例に比べて若干量だけ増加する。
６１のガス吹口６２の若干量だけ（ノズル６１の部材の
厚さ分だけ）溶融はんだ２の液面２ａ側に接近するの
で、蓋２１と液面２ａとの間で形成する容積も第１の実
施例に比べて若干量だけ増加する。
【００４１】しかし、その動作においては第１の実施例
と同様に動作し、その際のＮ2 ガス消費量も第１の実施
例に比べて若干量増加する程度である。そして、この増
加は無視し得る程度の少ないものである。
と同様に動作し、その際のＮ2 ガス消費量も第１の実施
例に比べて若干量増加する程度である。そして、この増
加は無視し得る程度の少ないものである。
【００４２】〔実施例３〕図５，図６は、本発明の第３
の実施例を示す図で、図５ははんだ付け装置の側断面
図、図６は図５のバッファ板の形状を示す斜視図で、図
１と同一符号は同一部分を示す。なお、図５においても
溶融はんだ２を加熱するヒータは省略して図示していな
い。
の実施例を示す図で、図５ははんだ付け装置の側断面
図、図６は図５のバッファ板の形状を示す斜視図で、図
１と同一符号は同一部分を示す。なお、図５においても
溶融はんだ２を加熱するヒータは省略して図示していな
い。
【００４３】図５，図６に示す第３の実施例が図１の第
１の実施例または図４の第２の実施例と相違する点は、
蓋２１の開口部２６，２７に設けてある案内部材２１
ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄの近傍に、Ｎ2 ガス１２の
流動に対して抵抗性を有するバッファ板７１を設けたも
ので、このバッファ板７１はＮ2 ガス１２に対して通気
性を有する透孔７２が形成され、その下端部７１ａは、
はんだ槽５内の溶融はんだ２内に浸漬するように構成し
ている点である。
１の実施例または図４の第２の実施例と相違する点は、
蓋２１の開口部２６，２７に設けてある案内部材２１
ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄの近傍に、Ｎ2 ガス１２の
流動に対して抵抗性を有するバッファ板７１を設けたも
ので、このバッファ板７１はＮ2 ガス１２に対して通気
性を有する透孔７２が形成され、その下端部７１ａは、
はんだ槽５内の溶融はんだ２内に浸漬するように構成し
ている点である。
【００４４】このように構成することによって、噴流波
２４，２５と配線基板１とが接触する領域におけるＮ2
ガス１２の吹き付け速度を調節することが可能となるほ
か、蓋２１と溶融はんだ２の液面２ａとの間に形成され
る極小空間へのＮ2 ガス１２の供給量も相対的に調節す
ることができるようになる。
２４，２５と配線基板１とが接触する領域におけるＮ2
ガス１２の吹き付け速度を調節することが可能となるほ
か、蓋２１と溶融はんだ２の液面２ａとの間に形成され
る極小空間へのＮ2 ガス１２の供給量も相対的に調節す
ることができるようになる。
【００４５】その結果、配線基板１と噴流波２４，２５
との接触領域における酸素濃度およびガス吹き付け速度
を最適に選択・調節してはんだ付け性が最良となる条件
を配線基板１の種類に合わせて選択することができるよ
うになる。
との接触領域における酸素濃度およびガス吹き付け速度
を最適に選択・調節してはんだ付け性が最良となる条件
を配線基板１の種類に合わせて選択することができるよ
うになる。
【００４６】なお、Ｎ2 ガス１２に対して通気性を有す
るバッファ板７１に代えて、開示はされないが、所要の
通気性を有する網状板、または長手方向を上下方向にし
て所定の間隔に配設した多数の棒状部材（くし板）を設
けてもよい。
るバッファ板７１に代えて、開示はされないが、所要の
通気性を有する網状板、または長手方向を上下方向にし
て所定の間隔に配設した多数の棒状部材（くし板）を設
けてもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば各請求項
に対応して次のような効果がある。
に対応して次のような効果がある。
【００４８】請求項１記載のはんだ付け装置によれば、
はんだ槽に設けた蓋でノズルを形成して噴流波と配線基
板とが接触する領域へ向けて不活性ガスを吹き付けるこ
とができるようになる。そのため、蓋と液面との間の隙
間ひいては容積を極限的に小さくすることができる。し
たがって、噴流波と配線基板とが接触する領域を高濃度
の不活性ガス雰囲気、すなわち低酸素濃度の雰囲気とし
つつ、はんだ槽内の溶融はんだを不活性ガスで覆い、し
かも不活性ガスの消費量も大幅に低減することができ
る。
はんだ槽に設けた蓋でノズルを形成して噴流波と配線基
板とが接触する領域へ向けて不活性ガスを吹き付けるこ
とができるようになる。そのため、蓋と液面との間の隙
間ひいては容積を極限的に小さくすることができる。し
たがって、噴流波と配線基板とが接触する領域を高濃度
の不活性ガス雰囲気、すなわち低酸素濃度の雰囲気とし
つつ、はんだ槽内の溶融はんだを不活性ガスで覆い、し
かも不活性ガスの消費量も大幅に低減することができ
る。
【００４９】そしてその結果、高品質の配線基板を低コ
ストで製造することができるようになる。
ストで製造することができるようになる。
【００５０】また、請求項２記載のはんだ付け装置のお
いても請求項１と同じ効果を実現することができる。
いても請求項１と同じ効果を実現することができる。
【００５１】請求項３記載のはんだ付け装置によれば、
不活性ガス供給回路を通ってノズル部分の吹口から噴出
する不活性ガスの温度が溶融はんだの温度と概ね同等の
温度に保持されている。したがって、噴流波と配線基板
とが接触する領域に吹き付けられる不活性ガスによっ
て、該接触領域における配線基板の急激な温度上昇や温
度低下がなくなり、はんだ付け部の濡れ不良やつらら状
はんだの発生等を解消することができるようになる。
不活性ガス供給回路を通ってノズル部分の吹口から噴出
する不活性ガスの温度が溶融はんだの温度と概ね同等の
温度に保持されている。したがって、噴流波と配線基板
とが接触する領域に吹き付けられる不活性ガスによっ
て、該接触領域における配線基板の急激な温度上昇や温
度低下がなくなり、はんだ付け部の濡れ不良やつらら状
はんだの発生等を解消することができるようになる。
【００５２】その結果、請求項１および請求項２の効果
に加えて配線基板のはんだ付け品質の向上もさらに著し
いものとなる。
に加えて配線基板のはんだ付け品質の向上もさらに著し
いものとなる。
【００５３】また、請求項４記載のはんだ付け装置によ
れば、請求項１ないし請求項３の効果に加えて、配線基
板のはんだ付けプロセス条件の調節範囲が広くなり、配
線基板の種類やその他フラックスの種類等によって左右
される最適なプロセス条件、すなわち酸素濃度やガス吹
き付け速度を選択・調節することができるようになる。
れば、請求項１ないし請求項３の効果に加えて、配線基
板のはんだ付けプロセス条件の調節範囲が広くなり、配
線基板の種類やその他フラックスの種類等によって左右
される最適なプロセス条件、すなわち酸素濃度やガス吹
き付け速度を選択・調節することができるようになる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す側断面図である。
【図２】図１のノズル形成体を斜め上方から見た態様を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図３】図２のノズル形成体を斜め下方から見た態様を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施例を示す側断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を示す側断面図である。
【図６】図５のバッファ板の形状を示す斜視図である。
【図７】従来のはんだ付装置を示す説明図である。
【図８】従来の半田槽装置を示す断面正面図である。
【図９】従来のプリント配線基板のはんだ付け方法の装
置を示す断面図である。
置を示す断面図である。
【図１０】従来の半田付装置を示す構成図である。
【図１１】従来のガス被覆された噴流はんだ槽を示す側
断面図である。
断面図である。
１ 配線基板 ２ 溶融はんだ ５ はんだ槽 １９ 搬送コンベア ２１ 蓋 ２２ １次の噴流ノズル ２３ ２次の噴流ノズル ２４ 噴流波 ２５ 噴流波 ２６ 開口部 ２７ 開口部 ２８ ガス吹口 ２９ ガス吹口 ３０ ガス吹口 ３１ ガス吹口 ３２ ノズル形成体 ３３ ノズル形成体 ３４ ノズル形成体 ３５ 不活性ガス供給パイプ ３６ 不活性ガス供給パイプ ３７ 不活性ガス供給パイプ ３９ ポンプ ４０ ポンプ ６１ ノズル ６２ ガス吹口 ７１ バッファ板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年８月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】なお、溶融はんだでガスを加熱する技術は
特開昭５３−９２３５７号公報，特開昭５８−８４６７
３号公報および特開平１−１４３７６０号公報にも開示
されている。
特開昭５３−９２３５７号公報，特開昭５８−８４６７
３号公報および特開平１−１４３７６０号公報にも開示
されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】図３は、図２のノズル形成体３２を矢印Ｂ
方向の斜め下方から見た斜視図で、図１と同一符号は同
一部分を示す。すなわち、図２のガス供給孔５３にカプ
ラ４２を介して不活性ガス供給パイプ３５を接続してあ
り、また、途中でＴ型継手４３を介して配管の形成を容
易にし、蓋２１に設けたカプラ３８を介してＮ２ガスボ
ンベ等の不活性ガス供給手段へ接続する構成である。な
お、図１において１次の噴流ノズル２２と２次の噴流ノ
ズル２３との間に設けたノズル形成体３３にも、同様に
して不活性ガス供給パイプ３６が接続されているが、図
中ではその一部分のみを図示している。
方向の斜め下方から見た斜視図で、図１と同一符号は同
一部分を示す。すなわち、図２のガス供給孔５３にカプ
ラ４２を介して不活性ガス供給パイプ３５を接続してあ
り、また、途中でＴ型継手４３を介して配管の形成を容
易にし、蓋２１に設けたカプラ３８を介してＮ２ガスボ
ンベ等の不活性ガス供給手段へ接続する構成である。な
お、図１において１次の噴流ノズル２２と２次の噴流ノ
ズル２３との間に設けたノズル形成体３３にも、同様に
して不活性ガス供給パイプ３６が接続されているが、図
中ではその一部分のみを図示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】なお、図１においては、ノズル形成体３
２，３３，３４が溶融はんだ２に浸漬するように構成し
てある。ところで、１次，２次の噴流ノズル２２，２３
に溶融はんだ２を供給するポンプ３９，４０の駆動を停
止した際に、はんだ槽５中の溶融はんだ２の液面２ａが
上昇するが、その際においても、ノズル形成体３２，３
３，３４と蓋２１との間で形成したガス吹口２８〜３１
に溶融はんだ２が流入しない程度の液位（はんだ量）に
して、その隙間を最小の容積に形成している。
２，３３，３４が溶融はんだ２に浸漬するように構成し
てある。ところで、１次，２次の噴流ノズル２２，２３
に溶融はんだ２を供給するポンプ３９，４０の駆動を停
止した際に、はんだ槽５中の溶融はんだ２の液面２ａが
上昇するが、その際においても、ノズル形成体３２，３
３，３４と蓋２１との間で形成したガス吹口２８〜３１
に溶融はんだ２が流入しない程度の液位（はんだ量）に
して、その隙間を最小の容積に形成している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】このような構成において、Ｎ２ガスボンベ
等の不活性ガス供給手段からＮ２ガス１２を供給する
と、Ｎ２ガス１２は不活性ガス供給パイプ３５，３６，
３７とノズル形成体３２〜３４で加熱されてそのガス吹
口２８〜３１から噴出する。したがって、ガス吹口２８
〜３１から噴出するＮ２ガス１２は溶融はんだ２の温度
と同じ温度で噴出し、蓋２１の開口部２６，２７から案
内部材２１ａを通って噴流波２４，２５と溶融はんだ２
が接触する領域に吹き付けられる。
等の不活性ガス供給手段からＮ２ガス１２を供給する
と、Ｎ２ガス１２は不活性ガス供給パイプ３５，３６，
３７とノズル形成体３２〜３４で加熱されてそのガス吹
口２８〜３１から噴出する。したがって、ガス吹口２８
〜３１から噴出するＮ２ガス１２は溶融はんだ２の温度
と同じ温度で噴出し、蓋２１の開口部２６，２７から案
内部材２１ａを通って噴流波２４，２５と溶融はんだ２
が接触する領域に吹き付けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】この構成では、第１の実施例よりもノズル
６１のガス吹口６２が若干量だけ（ノズル６１の部材の
厚さ分だけ）溶融はんだ２の液面２ａ側に接近するの
で、蓋２１と液面２ａとの間で形成する容積も第１の実
施例に比べて若干量だけ増加する。
６１のガス吹口６２が若干量だけ（ノズル６１の部材の
厚さ分だけ）溶融はんだ２の液面２ａ側に接近するの
で、蓋２１と液面２ａとの間で形成する容積も第１の実
施例に比べて若干量だけ増加する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】また、請求項２記載のはんだ付け装置にお
いても請求項１と同じ効果を実現することができる。
いても請求項１と同じ効果を実現することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
Claims (4)
- 【請求項１】 はんだ槽内に溶融はんだを貯溜し、ポン
プにより前記溶融はんだを噴出して噴流波を形成し、こ
の噴流波に配線基板を搬送しながら接触させてはんだ付
けを行うはんだ付け装置において、 少なくとも前記噴流波と前記配線基板とが接触する領域
が開口部となるように形成した蓋で前記はんだ槽の上方
部分を覆い、また、前記蓋の前記溶融はんだの液面側の
面との間に隙間を形成してガス吹口とするノズル形成体
を前記蓋に設けるとともに、前記ガス吹口から噴出する
不活性ガスの噴出方向を前記開口部に向けて形成し、さ
らに前記ガス吹口から噴出させる不活性ガス供給手段を
備えた、ことを特徴とするはんだ付け装置。 - 【請求項２】 はんだ槽内に溶融はんだを貯溜し、ポン
プにより前記溶融はんだを噴出して噴流波を形成し、こ
の噴流波に配線基板を搬送しながら接触させてはんだ付
けを行うはんだ付け装置において、 少なくとも前記噴流波と前記配線基板とが接触する領域
が開口部となるように形成した蓋で前記はんだ槽の上方
部分を覆い、また、前記蓋と前記溶融はんだの液面との
間に不活性ガスを噴出するノズルのガス吹口を、そのガ
ス噴出方向を前記蓋の前記開口部に向けて該蓋の内側に
密接して設け、さらに前記ノズルから噴出させる不活性
ガス供給手段を備えて成る、ことを特徴とするはんだ付
け装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のはんだ付
け装置において、ガス吹口を残してノズル形成体または
ノズルをはんだ槽中の溶融はんだに浸漬させるととも
に、それらに不活性ガスを供給するためのパイプの少な
くとも一部を溶融はんだ内に浸漬させて構成した、こと
を特徴とするはんだ付け装置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載のはんだ付け装置において、噴流波と配線基板とが接
触する領域に設けた開口部近傍に、不活性ガス流動に対
する抵抗性を有するガス通気性のバッファ板を設けた、
ことを特徴とするはんだ付け装置。
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