JPH0945758A

JPH0945758A - 吸着装置

Info

Publication number: JPH0945758A
Application number: JP19520295A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nagasaki; 浩一長崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1995-07-31
Filing date: 1995-07-31
Publication date: 1997-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】表面に窒化アルミニウム膜を形成した静電チャ
ックにおいて、外周側面や貫通孔内壁面などの垂直面に
は充分な厚みの窒化アルミニウム膜が形成できず、耐プ
ラズマ性が悪かった。【解決手段】吸着面１ａをなす平坦面２ａに開口する貫
通孔を有する基体２を金属またはセラミックスで形成
し、上記基体２の外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃと
平坦面２ａとの成す角度αをそれぞれ８０°以下とする
とともに、これら平坦面２ａ、外周側面２ｂ、及び貫通
孔内壁面２ｃに窒化アルミニウム膜３を被着して静電チ
ャック１等の吸着装置を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おけるシリコンウェハの固定、加熱、成膜加工等に用い
られる静電チャックあるいは真空チャック等の吸着装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体製造装置において、シ
リコンウェハのステージとして真空チャックや静電チャ
ックが使用されており、特に静電チャックは、一般真空
中でウェハの各種微細加工を行う際に要求される加工面
の平坦度や平行度を容易に実現することができるため、
好適に使用されている。

【０００３】また、半導体素子の集積度が向上するに伴
い、静電チャックに要求される精度もより高度化してき
たため、セラミックス製静電チャックも使用されるよう
になってきている。

【０００４】このような高精度のセラミックス製静電チ
ャックは、アルミナセラミックス中に内部電極を成す導
電層を組み込んで一体焼結させたものがこれまでよく知
られている（特開昭６２−２６４６３８号公報等参
照）。

【０００５】ところで、蒸着やドライエッチングを行う
半導体の製造工程においては、ハロゲン系プラズマを利
用することが多いため、耐プラズマ性に優れた窒化アル
ミニウム質セラミックスを用いることが、近年提案され
ている（特開平６−１５１３３２号公報等参照）。

【０００６】しかし、窒化アルミニウム質セラミックス
にはＡｌＮ以外の成分が含まれていることから、耐プラ
ズマ性をより高めるためには、窒化アルミニウムはでき
るだけ高純度かつ緻密質とする必要がある。そして、気
相成長法で得られる窒化アルミニウム膜は、このような
要求に合致し、しかもウェハへの汚染など悪影響を及ぼ
さないことも知られている。

【０００７】そこで、電極となる金属ペーストをアルミ
ナや窒化アルミニウムなどセラミックスのグリーンシー
ト上に所定のパターンで印刷し、これを積層して一体焼
成した後、この基体の表面に気相成長法で窒化アルミニ
ウム膜を形成することによって耐プラズマ性に優れた静
電チャックを得ることが提案されている。

【０００８】また、基体を導電性の金属またはセラミッ
クスとし、この基体の表面に窒化アルミニウム膜を形成
して絶縁層とした構造の静電チャックとしても良い。

【０００９】いずれの手段においても、窒化アルミニウ
ム膜は高純度かつ緻密質でなければならないため、膜の
形成方法としては気相成長法が欠かせない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に表面に窒化アルミニウム膜を形成した静電チャックに
おいて、気相成長法で形成した窒化アルミニウム膜は、
水平面上へは均一かつ均質な膜が得られるものの、外周
側面や貫通孔内壁面などの垂直な面においては充分な厚
みの膜が得られないという欠点があった。

【００１１】すなわち、静電チャックには外周側面が存
在し、また吸着したウェハを動かすためのピン孔やヘリ
ウム等のガスを導入するガス孔等の貫通孔が不可欠であ
るが、これらの外周側面や貫通孔内壁面などの垂直面に
形成される窒化アルミニウム膜は極めて薄いものであっ
た。そのため、プラズマによる短時間のエッチングによ
って垂直面の特にエッジ部で基体が露出してしまい、耐
プラズマ性が悪くなるという問題点があった。

【００１２】しかも近年、集積回路の高密度化、プラズ
マ処理の短時間化に伴い、プラズマ密度は大きくなる一
方となっている。これに対し、上記の理由により、優れ
た耐プラズマ性を維持できる静電チャックは得られてい
なかった。

【００１３】

【課題を解決するための手段】そこで本発明は、吸着面
をなす平坦面に開口する貫通孔を有する基体を金属また
はセラミックスで形成し、上記基体の外周側面及び貫通
孔内壁面と平坦面との成す角度をそれぞれ８０°以下と
するとともに、これら平坦面、外周側面、及び貫通孔内
壁面に窒化アルミニウム膜を被着して静電チャックや真
空チャック等の吸着装置を構成したものである。

【００１４】即ち、本発明によれば、基体の外周側面及
び貫通孔内壁面を、平坦面と成す角度が８０°以下とな
るような上向きのテーパ状としたことにより、これら外
周側面及び貫通孔内壁面にも充分な厚みをもった窒化ア
ルミニウム膜を形成することができる。そのため、極め
てプラズマに強く、耐久性に優れた吸着装置を得られ
る。

【００１５】また本発明は、吸着面をなす平坦面に開口
する貫通孔を有する基体を金属またはセラミックスで形
成し、上記基体の外周側面及び貫通孔内壁面と平坦面と
の境界に面取部を形成するとともに、これら平坦面、外
周側面、面取部、及び貫通孔内壁面に窒化アルミニウム
膜を被着して静電チャックや真空チャック等の吸着装置
を構成したものである。

【００１６】即ち、本発明によれば、基体の外周側面及
び貫通孔内壁面と平坦面との境界に面取部を形成したこ
とにより、これら外周側面及び貫通孔内壁面にも充分な
厚みをもった窒化アルミニウム膜を形成することができ
る。そのため、極めてプラズマに強く、耐久性に優れた
吸着装置を得られる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を静電チ
ャックを例にとって図によって説明する。

【００１８】図１に示す静電チャック１は、円形の板状
体であり、半導体ウェハ等の被吸着物８を載置する吸着
面１ａを有し、吸着した被吸着物８を移動させるための
ピン孔や均熱のためのヘリウムガスを噴出するガス孔な
どとして使用する複数の貫通孔１ｂを備えている。そし
て、この静電チャック１は基体２とその表面に備えた窒
化アルミニウム膜３から構成されている。

【００１９】基体２は、アルミナや窒化アルミニウム等
のセラミックス中に内部電極４を埋設し、この内部電極
４の電極取出部５及び給電端子６を底面側に備えてい
る。また、基体２において、吸着面１ａを成す平坦面２
ａと、外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃとの成す角度
αはそれぞれ８０°以下となっている。即ち、外周側面
２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃは、それぞれの面が上側を向
くようなテーパ状となっている。そのため、後述する窒
化アルミニウム膜３を成膜する工程で、外周側面２ｂ及
び貫通孔内壁面２ｃにも充分な厚さに窒化アルミニウム
膜３を形成することができる。

【００２０】ここで、上記角度αを８０°以下としたの
は、８０°を超えると外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２
ｃが垂直に近くなって充分な厚さに窒化アルミニウム膜
３を形成できなくなるためである。ただし、角度を小さ
くすると、加工に無駄が多くなり、実質的な吸着面１ａ
が小さくなるため、上記角度αは３０°以上とすること
が好ましい。

【００２１】なお、基体２に対して上記角度αの貫通孔
内壁面２ｃを形成する方法は、この貫通孔に合致する形
状砥石を用意しておいて、予め形成した貫通孔の内周面
をこの形状砥石で加工して仕上げれば良い。

【００２２】また、窒化アルミニウム膜３は、基体２の
平坦面２ａ、外周側面２ｂ、貫通孔内壁面２ｃに被着さ
れており、底面を除く全表面に形成されている。

【００２３】この窒化アルミニウム膜３は、周知の気相
成長法、たとえば、スパッタリング、イオンプレーティ
ングなどのＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ、ＭｏＣＶＤ、
熱ＣＶＤなどのＣＶＤ法により形成することができる。
このとき、窒化アルミニウム粒子は鉛直方向のガスの流
れにそって被着し、成膜されていくが、基体２の外周側
面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃが上を向くようなテーパ状
となっているため、これらの面にも良好に窒化アルミニ
ウム粒子が被着し、充分な厚さの窒化アルミニウム膜３
を形成することができる。

【００２４】また、上記の気相成長法によって得た窒化
アルミニウム膜３は９９％以上の窒化アルミニウム純度
となり、極めて耐プラズマ性が高くなる。そのため、本
発明の静電チャック１は、表面が充分な厚さをもった高
純度の窒化アルミニウム膜３で覆われていることから、
長期にわたって優れた耐プラズマ性を維持できる。しか
も、吸着面１ａが高純度の窒化アルミニウム膜３から成
るため、半導体ウェハ等の被吸着物８に悪影響を及ぼす
ことも防止できる。さらに、窒化アルミニウム膜３は熱
伝導性が高いため放熱性を良好にできる。

【００２５】また、上記窒化アルミニウム膜３の吸着面
１ａにおける膜厚ｔは０．０１〜０．５ｍｍの範囲が良
く、さらに望ましくは０．２〜０．４ｍｍが良い。その
理由は、膜厚ｔが０．０１ｍｍ未満になると耐プラズマ
性を長期にわたって維持する効果が乏しく、かつ耐電圧
が小さくなって絶縁破壊を起こしやすくなるためであ
り、逆に膜厚ｔが０．５ｍｍを越えると窒化アルミニウ
ム膜３の形成時間が長くなって、生産性が悪くなるため
である。

【００２６】なお、このように窒化アルミニウム膜３は
薄いため、窒化アルミニウム膜３を被着した後の吸着面
１ａと、外周側面及び貫通孔内壁面との角度は基体２に
おける角度αとほぼ同じとなる。

【００２７】このような本発明の静電チャック１の吸着
面１ａ上に被吸着物８を載置し、給電端子６と被吸着物
８間に電源７より１０００Ｖ程の直流高電圧を印加する
と、被吸着物８を静電吸着させることが可能となる。

【００２８】なお、図１の例では静電チャック１内に一
つの内部電極４を備えた単極型の構造を示したが、複数
の内部電極を備えてこれらの内部電極間に通電するよう
にした双極型の構造とすることもできる。

【００２９】また、静電チャック１を成す基体２の内部
に、抵抗発熱体を備えておけば、高温加熱することがで
き、ウェハ等の被吸着物８を加熱制御することが可能と
なる。同様に、基体２の内部に、プラズマ発生用の電極
も備えておけば、高周波電力を印加してプラズマを発生
させることが可能となる。

【００３０】さらに他の実施形態として、図２に示すよ
うに、基体２を金属または導電性セラミックス等の導電
材で形成し、その平坦面２ａ、外周側面２ｂ、貫通孔内
壁面２ｃに窒化アルミニウム膜３を形成して静電チャッ
ク１を構成することもできる。この場合は、基体２自体
が内部電極を兼ねており、この基体２と被吸着物（不図
示）間に通電することによって、単極型の静電チャック
として作用させることができる。

【００３１】また、この場合も、図１に示した例と同様
に、基体２の平坦面２ａと、外周側面２ｂ及び貫通孔内
壁面２ｃとの成す角度αを８０°以下とすることによ
り、これらの面にも充分な厚みの窒化アルミニウム膜３
を形成することができる。また、吸着面１ａにおける窒
化アルミニウム膜３の膜厚ｔは０．０１〜０．５ｍｍ、
好ましくは０．２〜０．４ｍｍの範囲内としてある。

【００３２】さらに、基体２における外周側面２ｂ又は
貫通孔内壁面２ｃの他の形態として、図３に示すよう
に、断面が曲線状となるようにしても良く、この場合は
曲線に対する接線と平坦面２ａとの成す角度αが８０°
以下となるようにすれば良い。

【００３３】次に本発明の他の実施形態を説明する。

【００３４】図４に示す静電チャック１は、基体２の外
周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃを垂直な面とし、それ
ぞれの平坦面２ａとの境界に面取部２ｄを形成したもの
である。

【００３５】そのため、窒化アルミニウム膜３を基相成
長法により成膜する際に、鉛直方向のガスの流れが面取
部２ｄで絞られ、外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃに
抑えつけられながら流れて成膜するため、これらの外周
側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃにも良好に窒化アルミニ
ウム膜３を形成することができるのである。

【００３６】さらに、面取部２ｄを備えることによっ
て、静電チャック１自体の搬送時に他部材と衝突したよ
うな場合でも欠けが生じにくく、しかも吸着面のエッジ
部における窒化アルミニウム膜３の剥離を防止できる。

【００３７】また、面取部２ｄの形状としては、図５
（ａ）に示すようなＲ面状、図５（ｂ）に示すようなＣ
面状、あるいはその他のさまざまな形状とすることがで
きるが、いずれの場合も面取部２ｄの幅ｄを基体２の全
体厚みＤに対して１／１６以上としてある。これは、面
取部２ｄの幅ｄが基体２の全体厚みＤに対して１／１６
未満では外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃに充分な厚
さの窒化アルミニウム膜３を形成できないためである。

【００３８】さらに、このような面取部２ｄは、焼成前
に切削加工したり、焼成後に形状砥石を用いて加工する
ことによって形成することができる。

【００３９】なお、図４の例において、その他の部分は
すべて図１の例と同様である。即ち、基体２はアルミナ
や窒化アルミニウム等のセラミックスに内部電極４を埋
設し、これに接続する電極取出部５と給電端子６を底面
側に備えたものであり、該給電端子６と被吸着物（不図
示）間に通電することにより、吸着面１ａ上に被吸着物
を静電吸着することができる。また、内部電極４を複数
形成して双極型の構造とすることも可能である。

【００４０】さらに、基体２自体を金属あるいは導電性
セラミックス等の導電材で形成し、それ自体を内部電極
とすることもできる。

【００４１】また、窒化アルミニウム膜３は気相成長法
で形成し、吸着面１ａにおける膜厚ｔは０．０１〜０．
５ｍｍ、好ましくは０．２〜０．４ｍｍの範囲内として
ある。

【００４２】さらに、本発明の他の実施形態として、図
１に示すように外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃと平
坦面２ａの成す角度αを８０°以下にするとともに、図
４に示すような面取部２ｄを備えることもできる。

【００４３】また、以上の実施形態では静電チャックに
ついてのみ述べてきたが、本発明は真空チャックにも適
用できる。

【００４４】即ち、真空吸引のために複数の貫通孔を有
する基体をセラミックスで形成し、外周側面及び貫通孔
内壁面と平坦面の成す角度を８０°以下としたり、ある
いは外周側面及び貫通孔内壁面と平坦面の境界に面取部
を形成しておいて、上記外周側面、貫通孔内壁面、面取
部、及び平坦面に窒化アルミニウム膜を形成して真空チ
ャックを構成することができる。この真空チャックは、
吸着面が高純度の窒化アルミニウム膜からなるため、被
吸着物に悪影響を及ぼしにくく、熱伝導性が高いため放
熱性を良くすることができる。

【００４５】

【実施例】実施例１ここで、本発明実施例として図１及び図２に示す静電チ
ャック１を試作し、その効果を調べる実験を行った。

【００４６】まず、窒化アルミニウム粉末に成形助剤お
よび溶媒を添加混合してスラリーを得た後、ドクターブ
レード法にて厚さ０．５ｍｍのグリーンシートを複数枚
成形し、そのうちの１枚にタングステン粉末と窒化アル
ミニウム粉末を混合して粘度調整した抵抗体ペーストを
スクリーン印刷して内部電極４を形成する。

【００４７】そして、上記抵抗発熱体上に複数枚のグリ
ーンシートを積層して８０℃で５０ｋｇ／ｃｍ²の圧力
で熱圧着し、その後切削加工を施して円盤状の板状体と
したのち真空脱脂を施し、２０００℃程の温度で還元焼
成することによって、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ、体
積固有抵抗値が１０¹³Ω・ｃｍ、外形約φ８インチ、厚
さ１０ｍｍの窒化アルミニウム質セラミックスからなる
基体２を得た。

【００４８】一方、これとは別に、体積固有抵抗値が１
０^-3Ω・ｃｍ、外形約φ８インチ、厚さ１０ｍｍのモリ
ブデンからなる基体２も製作した。

【００４９】そして、これらの基体２における平坦面２
ａに対して、外周側面２ｂおよび貫通孔内壁面２ｃのな
す角度αを種々に変化させたものを作製した。

【００５０】次に、この基体に対して、熱ＣＶＤ法によ
り窒化アルミニウム膜３を成膜した。反応ガスには塩化
アルミニウムとアンモニア、水素及び窒素を使用して、
８００〜１０００℃の温度で、５０ｔｏｒｒ程の減圧下
で窒化アルミニウム膜３を形成した。

【００５１】形成される窒化アルミニウム膜３の膜厚
は、成膜時間を制御することによって、所望の寸法に仕
上げることができるため、さまざまな膜厚のものを作製
した。

【００５２】これらのうち、まずモリブデンを基体２と
し、種々の膜厚の窒化アルミニウム膜３を絶縁膜とし
た、図２の構造の静電チャック１に対し、直流１０００
Ｖを印加してシリコンウェハを吸着させ、吸着力を測定
した。

【００５３】結果は表１に示す通りである。この結果よ
り、吸着面１ａにおける窒化アルニウム膜３の膜厚ｔが
０．００５ｍｍ以下のものは容易に絶縁破壊してしまっ
た。これに対し、膜厚ｔが０．０１ｍｍ以上のものは、
絶縁破壊することなく安定して吸着可能であった。しか
し、膜厚ｔが０．５ｍｍを越えると窒化アルミニウム膜
３の形成時間が長くなり、生産性が悪化することが分か
った。

【００５４】また、吸着力も膜厚と関連があり、膜厚ｔ
が０．２〜０．４ｍｍの範囲であればほぼ一定の吸着力
を得られるため静電チャックとして扱いやすいこともわ
かった。

【００５５】この傾向は、窒化アルミニウム質セラミッ
クスを基体２とする、図１の構造の静電チャックであっ
ても同様の傾向であった。

【００５６】ゆえに、窒化アルミニウム膜３の吸着面１
ａでの膜厚ｔは０．０１〜０．５ｍｍの範囲が良く、望
ましくは０．２〜０．４ｍｍが良いといえる。

【００５７】なお、静電チャック１の基体２として、タ
ングステンやコバール等の金属材、あるいは内部電極を
有するアルミナ質セラミックスを用いても同様の結果で
あった。

【００５８】

【表１】

【００５９】次に、図１に示す構造の静電チャック１と
して、窒化アルミニウム質セラミックスからなる基体２
の平坦面２ａ上に膜厚ｔが０．０１ｍｍの窒化アルミニ
ウム膜３を備え、外周側面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃの
角度αを種々に変化させたものを実際にプラズマ発生装
置に組み込んで実験を行った。

【００６０】１０Ｔｏｒｒ程に減圧したチャンバー内に
おいて、１３．５６ＭＨｚで１ｋＷの電源を静電チャッ
ク１と平行にセットしたプラズマ発生用電極に接続し、
静電チャック表面を直接エッチングした。

【００６１】この結果を表２に示すように、基体２の外
周側面２ｂおよび貫通孔内壁面２ｃと平坦面２ａとの成
す角度αを８０°以下のテーパ状に加工したものは、こ
れらの面に充分な厚みの窒化アルミニウム膜３を形成で
きることから、目標とするプラズマ直接照射１０００時
間に対して十分な耐プラズマ性を有することがわかっ
た。

【００６２】

【表２】

【００６３】次に、基体２の平坦面２ａ上の窒化アルミ
ニウム膜３の膜厚ｔを０．０１ｍｍ以上とした静電チャ
ックについて、同様のプラズマ発生装置に組み込んで実
験を行った。

【００６４】この結果においても、基体２の外周側面２
ｂおよび貫通孔内壁面２ｃと平坦面２ａとの成す角度α
を８０°より大きくしたものは、１０００時間未満のプ
ラズマ照射において基体２が露出してしまったのに対
し、上記角度αを８０°以下のテーパ状に加工したもの
は、１０００時間以上の十分な耐プラズマ性を有するこ
とがわかった。

【００６５】ゆえに、基体２の外周側面２ｂおよび貫通
孔内壁面２ｃと平坦面２ａとの成す角度αを８０°以下
とし、吸着面１ａにおける窒化アルミニウム膜３の膜厚
ｔを０．０１ｍｍ以上としたものが良いといえる。

【００６６】また、静電チャック１の基体２の材質を、
内部電極を備えたアルミナ質セラミックスまたはタング
ステン、モリブデン、コバールに変更して同様の実験を
行ったが全く同一の結果であった。

【００６７】実施例２実施例１と同様にして、内部電極４を備えた窒化アルミ
ニウム質セラミックスからなる基体２を作製し、その外
周端面２ｂ及び貫通孔内壁面２ｃと平坦面２ａとの境界
に種々の面取部２ｄを形成した。

【００６８】これらの基体２に対して、実施例１と同様
にして窒化アルミニウム膜３を形成し、吸着面１ａにお
ける膜厚ｔを０．０１ｍｍとしたものを実際にプラズマ
発生装置に組み込んで実験を行った。

【００６９】１０Ｔｏｒｒ程に減圧したチャンバー内に
おいて、１３．５６ＭＨｚで１ｋＷの電源を静電チャッ
ク１と平行にセットしたプラズマ発生用電極に接続し、
静電チャック表面を直接エッチングした。

【００７０】結果を表３に示すように、面取部２ｄの幅
ｄを基体２の全体厚みＤに対して１／１６未満としたも
のは、１０００時間未満のプラズマ照射で基体２が露出
してしまったのに対し、１／１６以上としたものは１０
００時間以上の十分な耐プラズマ性を有することがわか
った。

【００７１】

【表３】

【００７２】一方、静電チャック１の基体２として、内
部電極を備えたアルミナ質セラミックス、あるいはタン
グステン、モリブデン、コバールなどの金属を用いたも
のでも同じ実験を行ったところ、いずれも上記と同様の
結果であった。

【００７３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、吸着面を
なす平坦面に開口する貫通孔を有する基体を金属または
セラミックスで形成し、上記基体の外周側面及び貫通孔
内壁面と平坦面との成す角度をそれぞれ８０°以下とす
るとともに、これら平坦面、外周側面、及び貫通孔の内
周面に窒化アルミニウム膜を被着して吸着装置を構成し
たことによって、上記基体の外周側面及び貫通孔内壁面
にも充分な厚みの窒化アルミニウム膜を形成することが
できる。そのため、底面を除くすべての表面に高純度の
窒化アルミニウム膜を形成することができ、長期にわた
って優れた耐プラズマ性を維持するとともに、半導体ウ
ェハ等の被吸着物に悪影響を及ぼすことがなく、放熱性
に優れた高性能の静電チャックを得ることができる。

【００７４】また本発明によれば、吸着面をなす平坦面
に開口する貫通孔を有する基体を金属またはセラミック
スで形成し、上記基体の外周側面及び貫通孔内壁面と平
坦面との境界に面取部を形成するとともに、これら平坦
面、外周側面、及び貫通孔の内周面に窒化アルミニウム
膜を被着して吸着装置を構成したことによって、上記基
体の外周側面及び貫通孔内壁面にも充分な厚みの窒化ア
ルミニウム膜を形成することができる。そのため、底面
を除くすべての表面に高純度の窒化アルミニウム膜を形
成することができ、長期にわたって優れた耐プラズマ性
を維持するとともに、半導体ウェハ等の被吸着物に悪影
響を及ぼすことがなく、放熱性に優れている。しかも、
搬送時などに衝突しても欠け等が生じにくく、吸着面の
エッジ部における窒化アルミニウム膜が剥離しにくいな
ど、高性能の静電チャックを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の吸着装置の一例である静電チャックを
示す縦断面図である。

【図２】本発明の吸着装置における他の実施形態の静電
チャックを示す縦断面図である。

【図３】（ａ）（ｂ）は基体の貫通孔部分の他の実施形
態を示す断面図である。

【図４】本発明の吸着装置における他の実施形態の静電
チャックを示す縦断面図である。

【図５】（ａ）（ｂ）は基体の外周側面部分の実施形態
を示す断面図である。

【符号の説明】

１：静電チャック１ａ：吸着面１ｂ：貫通孔２：基体２ａ：平坦面２ｂ：外周側面２ｃ：貫通孔内壁面２ｄ：面取部３：窒化アルミニウム膜４：内部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】吸着面をなす平坦面に開口する貫通孔を有
する基体を金属またはセラミックスで形成し、上記基体
の外周側面及び貫通孔内壁面と平坦面との成す角度をそ
れぞれ８０°以下とするとともに、これら平坦面、外周
側面、及び貫通孔内壁面に窒化アルミニウム膜を被着し
たことを特徴とする吸着装置。
【請求項２】吸着面をなす平坦面に開口する貫通孔を有
する基体を金属またはセラミックスで形成し、上記基体
の外周側面及び貫通孔内壁面と平坦面との境界に面取部
を形成するとともに、これら平坦面、外周側面、面取
部、及び貫通孔内壁面に窒化アルミニウム膜を被着した
ことを特徴とする吸着装置。