JPH0945522A - 異方性希土類磁石およびその製造方法 - Google Patents
異方性希土類磁石およびその製造方法Info
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- JPH0945522A JPH0945522A JP7191369A JP19136995A JPH0945522A JP H0945522 A JPH0945522 A JP H0945522A JP 7191369 A JP7191369 A JP 7191369A JP 19136995 A JP19136995 A JP 19136995A JP H0945522 A JPH0945522 A JP H0945522A
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- magnet
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｒリッチな液相をなくすことにより、Ｒ量を
低減し、それにより高Ｂｒで高ｉＨｃな異方性希土類焼
結磁石及び異方性希土類ボンド磁石を提供する。 【構成】 ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＡＤfＭg （ここで、ＲはＮｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元
素のうち少なくとも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇ
ａのうち少なくとも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２
２≦ａ≦３８ｗｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ
％、０.４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ％、ｆ≦５ｗｔ％、０≦ｇ
≦１０ｗｔ％）の組成で表される異方性希土類磁石。
低減し、それにより高Ｂｒで高ｉＨｃな異方性希土類焼
結磁石及び異方性希土類ボンド磁石を提供する。 【構成】 ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＡＤfＭg （ここで、ＲはＮｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元
素のうち少なくとも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇ
ａのうち少なくとも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，
Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２
２≦ａ≦３８ｗｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ
％、０.４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ％、ｆ≦５ｗｔ％、０≦ｇ
≦１０ｗｔ％）の組成で表される異方性希土類磁石。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回転機器，電子部品，
電子機器等に使用される高性能希土類永久磁石材料に関
するものである。
電子機器等に使用される高性能希土類永久磁石材料に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の小型・軽量化・高効率化要求に伴
い希土類磁石が使用されるようになった。希土類磁石は
熱安定性・耐食性の良いＳｍ−Ｃｏ磁石から高性能なＮ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石が使用される比率が高まっている。Ｎ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石の特性も当初は（ＢＨ）ｍａｘで３５
ＭＧＯｅ程度であったものが、現在では４０ー４５ＭＧ
Ｏｅの磁石が量産されるに至った。当初問題であった耐
熱性の問題も用途によってはほぼ問題のないレベルに改
善された。
い希土類磁石が使用されるようになった。希土類磁石は
熱安定性・耐食性の良いＳｍ−Ｃｏ磁石から高性能なＮ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石が使用される比率が高まっている。Ｎ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石の特性も当初は（ＢＨ）ｍａｘで３５
ＭＧＯｅ程度であったものが、現在では４０ー４５ＭＧ
Ｏｅの磁石が量産されるに至った。当初問題であった耐
熱性の問題も用途によってはほぼ問題のないレベルに改
善された。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結
磁石は高性能な磁石であるが、磁気特性的にさらに高性
能な磁石があれば磁石材料の適用用途はさらに広がるこ
とが予想される。電子機器をさらに小型化するにはさら
に高性能な磁石が要求される。現状、等方性Ｎｄ−Ｆｅ
−Ｂボンド磁石の磁気特性は（ＢＨ）ｍａｘ＝９−１１
ＭＧＯｅであり、ＨＤＤＲ法による異方性ボンド磁石で
（ＢＨ）ｍａｘ＝１３−１６ＭＧＯｅの特性である。ま
た、焼結磁石についてはｉＨｃ＝１５ｋＯｅ以上のもの
については（ＢＨ）ｍａｘ＝４０ＭＧＯｅ程度である。
さらに特性の高い焼結磁石及びボンド磁石が要求されて
いる。
磁石は高性能な磁石であるが、磁気特性的にさらに高性
能な磁石があれば磁石材料の適用用途はさらに広がるこ
とが予想される。電子機器をさらに小型化するにはさら
に高性能な磁石が要求される。現状、等方性Ｎｄ−Ｆｅ
−Ｂボンド磁石の磁気特性は（ＢＨ）ｍａｘ＝９−１１
ＭＧＯｅであり、ＨＤＤＲ法による異方性ボンド磁石で
（ＢＨ）ｍａｘ＝１３−１６ＭＧＯｅの特性である。ま
た、焼結磁石についてはｉＨｃ＝１５ｋＯｅ以上のもの
については（ＢＨ）ｍａｘ＝４０ＭＧＯｅ程度である。
さらに特性の高い焼結磁石及びボンド磁石が要求されて
いる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】これまでのＮｄ−Ｆｅ−
Ｂ磁石材料は保磁力を発生させるためにはＲリッチな液
相の存在が必要であり、この余剰な液相を生成させるた
めにＲリッチな組成域にする必要がある。しかし、保磁
力の発生機構を異なる形にし、Ｒリッチな液相が不要な
磁石が開発できれば、さらに高性能な磁石材料が可能と
なる。本発明ではＰｒ−（Ｆｅ，Ｃｏ）−（Ｂ，Ｃ）を
基本組成として、これにＡＤ（Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇ
ａ）元素、Ｍ（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ）元素を添加することにより、Ｒリッチな
液相を使用しなくても永久磁石とすることができること
が分かった。この合金はＣを含むため、通常の金型鋳造
では溶解後の組織にα´-ＦｅＣｏを生成し易い。しか
し、ストリップキャスティングは溶湯から急速に冷却す
るため均質な合金が得られる。このストリップキャスト
法により得られた合金を４００−１０００℃で熱処理す
ることによりバルク状であるにもかかわらず、ｉＨｃ＝
０.５ｋＯｅ以上の保磁力が得られる。通常のＮｄ−Ｆ
ｅ−Ｂ溶解合金のバルク状態でのｉＨｃは０.３ｋＯｅ
以下である。これをさらに粉砕することによりｉＨｃは
さらに向上し、異方性希土類ボンド磁石とするに十分な
特性が得られる。また、この粉砕粉を磁場中成形後、焼
結することにより密度の高い異方性希土類焼結磁石が得
られる。本発明は以上の知見を基に見出されたものであ
り、組成式ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＡＤfＭg（ここで、Ｒ
はＮｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のうち少な
くとも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのうち少な
くとも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２２≦ａ≦３８
ｗｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.４≦ｄ
＋ｅ≦２ｗｔ％、ｆ≦５ｗｔ％、０≦ｇ≦５ｗｔ％）の
組成で表される異方性希土類磁石である。
Ｂ磁石材料は保磁力を発生させるためにはＲリッチな液
相の存在が必要であり、この余剰な液相を生成させるた
めにＲリッチな組成域にする必要がある。しかし、保磁
力の発生機構を異なる形にし、Ｒリッチな液相が不要な
磁石が開発できれば、さらに高性能な磁石材料が可能と
なる。本発明ではＰｒ−（Ｆｅ，Ｃｏ）−（Ｂ，Ｃ）を
基本組成として、これにＡＤ（Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇ
ａ）元素、Ｍ（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ）元素を添加することにより、Ｒリッチな
液相を使用しなくても永久磁石とすることができること
が分かった。この合金はＣを含むため、通常の金型鋳造
では溶解後の組織にα´-ＦｅＣｏを生成し易い。しか
し、ストリップキャスティングは溶湯から急速に冷却す
るため均質な合金が得られる。このストリップキャスト
法により得られた合金を４００−１０００℃で熱処理す
ることによりバルク状であるにもかかわらず、ｉＨｃ＝
０.５ｋＯｅ以上の保磁力が得られる。通常のＮｄ−Ｆ
ｅ−Ｂ溶解合金のバルク状態でのｉＨｃは０.３ｋＯｅ
以下である。これをさらに粉砕することによりｉＨｃは
さらに向上し、異方性希土類ボンド磁石とするに十分な
特性が得られる。また、この粉砕粉を磁場中成形後、焼
結することにより密度の高い異方性希土類焼結磁石が得
られる。本発明は以上の知見を基に見出されたものであ
り、組成式ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＡＤfＭg（ここで、Ｒ
はＮｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のうち少な
くとも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのうち少な
くとも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２２≦ａ≦３８
ｗｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.４≦ｄ
＋ｅ≦２ｗｔ％、ｆ≦５ｗｔ％、０≦ｇ≦５ｗｔ％）の
組成で表される異方性希土類磁石である。
【０００５】本発明において希土類元素Ｒは２２ｗｔ％
以上、３８ｗｔ％以下の範囲で含有される。２２ｗｔ％
以下ではｉＨｃが小さく、３８ｗｔ％以上ではＢｒが低
下する。Ｒとしては、Ｐｒが特に好ましい。
以上、３８ｗｔ％以下の範囲で含有される。２２ｗｔ％
以下ではｉＨｃが小さく、３８ｗｔ％以上ではＢｒが低
下する。Ｒとしては、Ｐｒが特に好ましい。
【０００６】ＣｏはＲリッチな液相を生成させない、及
びキュリー温度を上げる効果があり、１２−７０ｗｔ％
の範囲で含有される。
びキュリー温度を上げる効果があり、１２−７０ｗｔ％
の範囲で含有される。
【０００７】ＢとＣはＲ2ＴＭ14Ｂ型結晶構造を生成す
るのに必要な元素で、０.４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ％の範囲
で含有される。０.４ｗｔ％以下ではｉＨｃは小さく、
２ｗｔ％以上ではＢｒが小さくなる。
るのに必要な元素で、０.４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ％の範囲
で含有される。０.４ｗｔ％以下ではｉＨｃは小さく、
２ｗｔ％以上ではＢｒが小さくなる。
【０００８】ＡＤ（Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａ）は保磁力
を向上させるのに必要な元素でｆ≦５ｗｔ％の範囲で含
有される。５ｗｔ％以上の添加はＢｒが低下し、好まし
くない。
を向上させるのに必要な元素でｆ≦５ｗｔ％の範囲で含
有される。５ｗｔ％以上の添加はＢｒが低下し、好まし
くない。
【０００９】Ｍ（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ）は結晶粒成長抑制に効果のある元素
で、０≦ｇ≦１０ｗｔ％の範囲で含有される。
Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ）は結晶粒成長抑制に効果のある元素
で、０≦ｇ≦１０ｗｔ％の範囲で含有される。
【００１０】次に本発明磁石の製造方法について説明す
る。本発明磁石は、焼結磁石及び異方性ボンド磁石とし
て製造される。まず、焼結磁石は出発原料にストリップ
キャスティング法により作製された合金を用い、これを
水素処理もしくはジョークラッシャー・ブラウンミル等
により粉砕する。これをさらにジェットミル・ボールミ
ルにより微粉砕し、得られた微粉を磁場中配向し、成形
する。これを１０００−１２００℃で真空中もしくはＡ
ｒ雰囲気中で焼結する。これを６００−１１００℃で溶
体化処理した後、８００−１２００℃の範囲で熱処理
し、その後緩やかに冷却する。一方、ボンド磁石の作製
方法はストリップキャスティングにより作製した合金を
６００−１０００℃の範囲で熱処理し、これをブラウン
ミル、バンタムミル等を用いて５００μｍ以下に粉砕
し、さらにジェットミル・ボールミルを行う。その後、
樹脂、硬化剤、潤滑剤等と混ぜ合わせ、ニーダー、ヘン
シェルミキサー等により混練し、磁場中成形後に１００
−２００℃の範囲で硬化することによりボンド磁石とす
る。以下では実施例により本発明を詳細に説明する。
る。本発明磁石は、焼結磁石及び異方性ボンド磁石とし
て製造される。まず、焼結磁石は出発原料にストリップ
キャスティング法により作製された合金を用い、これを
水素処理もしくはジョークラッシャー・ブラウンミル等
により粉砕する。これをさらにジェットミル・ボールミ
ルにより微粉砕し、得られた微粉を磁場中配向し、成形
する。これを１０００−１２００℃で真空中もしくはＡ
ｒ雰囲気中で焼結する。これを６００−１１００℃で溶
体化処理した後、８００−１２００℃の範囲で熱処理
し、その後緩やかに冷却する。一方、ボンド磁石の作製
方法はストリップキャスティングにより作製した合金を
６００−１０００℃の範囲で熱処理し、これをブラウン
ミル、バンタムミル等を用いて５００μｍ以下に粉砕
し、さらにジェットミル・ボールミルを行う。その後、
樹脂、硬化剤、潤滑剤等と混ぜ合わせ、ニーダー、ヘン
シェルミキサー等により混練し、磁場中成形後に１００
−２００℃の範囲で硬化することによりボンド磁石とす
る。以下では実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１１】
（実施例１）表１に示す合金をストリップキャスティン
グ法により作製した。これをブラウンミルにより０.５
ｍｍ以下に粉砕し、これをジェットミルにより粉砕し、
平均粒径４μｍの微粉を得た。これを横磁場成形により
成形し、１１００℃で焼結した。これを８３０℃で４ｈ
ｒｓ熱処理した後、徐冷した。得られた磁気特性を表１
に示す。
グ法により作製した。これをブラウンミルにより０.５
ｍｍ以下に粉砕し、これをジェットミルにより粉砕し、
平均粒径４μｍの微粉を得た。これを横磁場成形により
成形し、１１００℃で焼結した。これを８３０℃で４ｈ
ｒｓ熱処理した後、徐冷した。得られた磁気特性を表１
に示す。
【表１】 このようにＲリッチな液相の少ない組成域でも高い保磁
力と残留磁束密度が得られた。
力と残留磁束密度が得られた。
【００１２】（実施例２）表２に示す合金をストリップ
キャスト法により作製し、８００℃×４ｈ熱処理し、こ
れをブラウンミルにより３００μｍ以下に粉砕し、さら
にジェットミルで平均粒径５μｍの微粉を得た。これ
に、樹脂、硬化剤、添加剤を添加し、混練し、ボンド磁
石用のコンパウンドを作製し、横磁場成形により成形し
た。これを１５０℃で硬化した後、磁気特性を測定し
た。得られた結果を表２に示す。
キャスト法により作製し、８００℃×４ｈ熱処理し、こ
れをブラウンミルにより３００μｍ以下に粉砕し、さら
にジェットミルで平均粒径５μｍの微粉を得た。これ
に、樹脂、硬化剤、添加剤を添加し、混練し、ボンド磁
石用のコンパウンドを作製し、横磁場成形により成形し
た。これを１５０℃で硬化した後、磁気特性を測定し
た。得られた結果を表２に示す。
【表２】 以上のように、ストリップキャストした合金を熱処理
後、粉砕するだけで異方性のボンド磁石粉が得られるた
め非常にコスト的有利で、且つ高い磁気特性が得られ
た。
後、粉砕するだけで異方性のボンド磁石粉が得られるた
め非常にコスト的有利で、且つ高い磁気特性が得られ
た。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、Ｐｒ−（Ｆｅ，Ｃｏ）−
（Ｂ，Ｃ）を基本組成として、これにＡＤ（Ａｌ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ，Ｇａ）元素、Ｍ（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ）元素を添加することによ
り、Ｒリッチな液相を使用しなくても永久磁石とするこ
とができることが分かった。これにより高い磁気特性を
有する異方性希土類ボンド磁石及び焼結磁石を得た。
（Ｂ，Ｃ）を基本組成として、これにＡＤ（Ａｌ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ，Ｇａ）元素、Ｍ（Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ）元素を添加することによ
り、Ｒリッチな液相を使用しなくても永久磁石とするこ
とができることが分かった。これにより高い磁気特性を
有する異方性希土類ボンド磁石及び焼結磁石を得た。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＡＤfＭg（ここ
で、ＲはＮｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のう
ち少なくとも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのう
ち少なくとも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２２≦ａ
≦３８ｗｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.
４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ％、ｆ≦５ｗｔ％、０≦ｇ≦１０ｗ
ｔ％）の組成で表される異方性希土類磁石。 - 【請求項２】 ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＭg（ここで、Ｒは
Ｎｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のうち少なく
とも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのうち少なく
とも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２２≦ａ≦３８ｗ
ｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.４≦ｄ＋
ｅ≦２ｗｔ％、０≦ｇ≦１０ｗｔ％）の組成で表される
異方性希土類磁石。 - 【請求項３】 ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＡＤfＭg（ここ
で、ＲはＮｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のう
ち少なくとも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのう
ち少なくとも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，
Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２２≦ａ
≦３８ｗｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.
４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ％、ｆ≦５ｗｔ％、０≦ｇ≦１０ｗ
ｔ％）からなる異方性希土類磁石の製造方法であって、
ストリップキャスティングにより作製されたことを特徴
とする異方性希土類磁石の製造方法。 - 【請求項４】 ＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＭg（ここで、Ｒは
Ｎｄ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のうち少なく
とも１種、ＡＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのうち少なく
とも１種、ＭはＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗのうち少なくとも１種、２２≦ａ≦３８ｗ
ｔ％、ｂ：残部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.４≦ｄ＋
ｅ≦２ｗｔ％、０≦ｇ≦１０ｗｔ％）からなる異方性希
土類磁石の製造方法であって、ストリップキャスティン
グにより作製されたことを特徴とする異方性希土類磁石
の製造方法。 - 【請求項５】 ストリップキャスティングにより作製し
たＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＭg（ここで、ＲはＮｄ，Ｐｒ，
Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のうち少なくとも１種、Ａ
ＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのうち少なくとも１種、Ｍ
はＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ
のうち少なくとも１種、２２≦ａ≦３８ｗｔ％、ｂ：残
部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ
％、０≦ｇ≦１０ｗｔ％）の組成で表される合金を５０
０μｍ以下に粉砕し、樹脂と結合後、磁場中成形するこ
とを特徴とする異方性希土類磁石の製造方法。 - 【請求項６】 ストリップキャスティングにより作製し
たＲaＦｅbＣｏcＢdＣeＭg（ここで、ＲはＮｄ，Ｐｒ，
Ｃｅ，Ｄｙを含む希土類元素のうち少なくとも１種、Ａ
ＤはＡｌ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｇａのうち少なくとも１種、Ｍ
はＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ
のうち少なくとも１種、２２≦ａ≦３８ｗｔ％、ｂ：残
部、１２≦ｃ≦７０ ｗｔ％、０.４≦ｄ＋ｅ≦２ｗｔ
％、０≦ｇ≦１０ｗｔ％）の組成で表される合金を５０
μｍ以下に粉砕し、磁場中成形後、焼結することを特徴
とする異方性希土類磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191369A JPH0945522A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 異方性希土類磁石およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7191369A JPH0945522A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 異方性希土類磁石およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945522A true JPH0945522A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16273448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7191369A Pending JPH0945522A (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 異方性希土類磁石およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0945522A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100340592B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2002-06-15 | 신현준 | 초미세립 희토류 영구자석 조성물 및 이를 이용한 영구자석 제조방법 |
| US7442262B2 (en) | 2001-12-18 | 2008-10-28 | Showa Denko K.K. | Alloy flake for rare earth magnet, production method thereof, alloy powder for rare earth sintered magnet, rare earth sintered magnet, alloy powder for bonded magnet and bonded magnet |
| CN110004374A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-12 | 华南理工大学 | 一种低成本熔体快淬钕铁硼合金及其制备方法 |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP7191369A patent/JPH0945522A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100340592B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2002-06-15 | 신현준 | 초미세립 희토류 영구자석 조성물 및 이를 이용한 영구자석 제조방법 |
| US7442262B2 (en) | 2001-12-18 | 2008-10-28 | Showa Denko K.K. | Alloy flake for rare earth magnet, production method thereof, alloy powder for rare earth sintered magnet, rare earth sintered magnet, alloy powder for bonded magnet and bonded magnet |
| US7571757B2 (en) | 2001-12-18 | 2009-08-11 | Showa Denko K.K. | Alloy flake for rare earth magnet, production method thereof, alloy powder for rare earth sintered magnet, rare earth sintered magnet, alloy powder for bonded magnet and bonded magnet |
| CN110004374A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-12 | 华南理工大学 | 一种低成本熔体快淬钕铁硼合金及其制备方法 |
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