JPH0845719A - ボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法 - Google Patents
ボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F1/0571—Alloys characterised by their composition containing rare earth metals and magnetic transition metals, e.g. SmCo5 and IIIa elements, e.g. Nd2Fe14B in the form of particles, e.g. rapid quenched powders or ribbon flakes
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気特性の優れたボンド磁石用急冷薄帯、ボ
ンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法を提
供する。 【構成】 本発明のボンド磁石用急冷薄帯は、所定量の
合金成分を含む溶湯を急冷して得られるその平均結晶粒
径が１μｍ以下であり、その組成式が、ＲxＦｅ1
00-x-y-vＢyＧｅv：ただし、ＲはＮｄを主成分とし、そ
の一部がＤｙないしＰｒの少なくとも一方によって置換
される場合がある希土類成分であり、９≦ｘ≦１５、４
≦ｙ１０、０．１≦ｖ≦３、とされる。Ｇｅの添加によ
り、急冷薄帯の磁気特性、特に最大エネルギー積がＧｅ
を添加しないものに比べて良好となる。Ｇｅは、その一
部をＺｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちから選択される１種又は２種以上
の合金成分Ｍで置換することができる。
ンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法を提
供する。 【構成】 本発明のボンド磁石用急冷薄帯は、所定量の
合金成分を含む溶湯を急冷して得られるその平均結晶粒
径が１μｍ以下であり、その組成式が、ＲxＦｅ1
00-x-y-vＢyＧｅv：ただし、ＲはＮｄを主成分とし、そ
の一部がＤｙないしＰｒの少なくとも一方によって置換
される場合がある希土類成分であり、９≦ｘ≦１５、４
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り、急冷薄帯の磁気特性、特に最大エネルギー積がＧｅ
を添加しないものに比べて良好となる。Ｇｅは、その一
部をＺｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちから選択される１種又は２種以上
の合金成分Ｍで置換することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｎｄ、Ｆｅ及びＢを主
成分とするボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、
ボンド磁石及びそれらの製造方法に関する。
成分とするボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、
ボンド磁石及びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石材料は、高性能希
土類磁石材料の中でもとりわけ優れた磁気特性を有する
ことから、各種電気機器や自動車用のモータ、あるいは
コンピュータ用のボイスコイルモータ等に広く使用され
ている。このＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石材料は、その製法に
より、焼結磁石、熱間加工磁石及びボンド磁石（樹脂結
合磁石）の３種類に大別される。このうちボンド磁石
は、所定量の合金成分を配合・溶解後、溶湯を単ロール
法等により急冷凝固させて得られる急冷薄帯を粉砕して
原料磁石粉末を作り、その粉末をエポキシ樹脂、あるい
はナイロン樹脂等の樹脂バインダとともに成形して所望
の形状の磁石とするものである。上記磁石粉末は、主要
な硬磁性相であるＮｄ2Ｆｅ14Ｂ型正方晶金属間化合物
相（以下２−１４−１相という）が単磁区粒子径以下と
なった微細結晶粒組織を有し、粉末の状態で高い保磁力
を示す。このようなボンド磁石は、焼結磁石及び圧延磁
石と異なり成形後の加工がほとんど不要で寸法精度が高
く、形状自由度に優れ、しかも生産性が高いことから、
特に小型モーター用のリング磁石などに大量に使用され
ている。
土類磁石材料の中でもとりわけ優れた磁気特性を有する
ことから、各種電気機器や自動車用のモータ、あるいは
コンピュータ用のボイスコイルモータ等に広く使用され
ている。このＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石材料は、その製法に
より、焼結磁石、熱間加工磁石及びボンド磁石（樹脂結
合磁石）の３種類に大別される。このうちボンド磁石
は、所定量の合金成分を配合・溶解後、溶湯を単ロール
法等により急冷凝固させて得られる急冷薄帯を粉砕して
原料磁石粉末を作り、その粉末をエポキシ樹脂、あるい
はナイロン樹脂等の樹脂バインダとともに成形して所望
の形状の磁石とするものである。上記磁石粉末は、主要
な硬磁性相であるＮｄ2Ｆｅ14Ｂ型正方晶金属間化合物
相（以下２−１４−１相という）が単磁区粒子径以下と
なった微細結晶粒組織を有し、粉末の状態で高い保磁力
を示す。このようなボンド磁石は、焼結磁石及び圧延磁
石と異なり成形後の加工がほとんど不要で寸法精度が高
く、形状自由度に優れ、しかも生産性が高いことから、
特に小型モーター用のリング磁石などに大量に使用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系
ボンド磁石は形状自由度に優れている反面、粉末粒子内
で２−１４−１相の各結晶粒の容易磁化方向（正方晶の
ｃ軸方向）がランダムに配列したいわゆる等方性磁石で
あり、例えば磁石粉体粒子の磁界中配向により異方性化
が可能な焼結磁石等に比べて最大エネルギー積が低い欠
点があり、量産レベルにおいて射出成形磁石で６ＭＧＯ
ｅ、圧縮成形磁石で１０ＭＧＯｅ程度が限界であった。
ボンド磁石は形状自由度に優れている反面、粉末粒子内
で２−１４−１相の各結晶粒の容易磁化方向（正方晶の
ｃ軸方向）がランダムに配列したいわゆる等方性磁石で
あり、例えば磁石粉体粒子の磁界中配向により異方性化
が可能な焼結磁石等に比べて最大エネルギー積が低い欠
点があり、量産レベルにおいて射出成形磁石で６ＭＧＯ
ｅ、圧縮成形磁石で１０ＭＧＯｅ程度が限界であった。
【０００４】本発明の課題は、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系ボンド
磁石用急冷薄帯のＦｅ成分を置換する合金成分を工夫す
ることにより、磁気特性、特に最大エネルギー積の優れ
たボンド磁石用急冷薄帯及びその製造方法を提供し、そ
の急冷薄帯を用いたボンド磁石用粉末ならびにボンド磁
石、さらにはそれらの製造方法を提供することにある。
磁石用急冷薄帯のＦｅ成分を置換する合金成分を工夫す
ることにより、磁気特性、特に最大エネルギー積の優れ
たボンド磁石用急冷薄帯及びその製造方法を提供し、そ
の急冷薄帯を用いたボンド磁石用粉末ならびにボンド磁
石、さらにはそれらの製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】上記した
問題を解決するために、本発明のボンド磁石用急冷薄帯
は、所定量の合金成分を含む溶湯を急冷して得られるそ
の平均結晶粒径が１μｍ以下であり、その組成式が、Ｒ
xＦｅ100-x-y-vＢyＧｅv：ただし、ＲはＮｄを主成分と
し、その一部がＤｙないしＰｒの少なくとも一方によっ
て置換される場合がある希土類成分であり、９≦ｘ≦１
５、４≦ｙ≦１０、０．１≦ｖ≦３、であることを特徴
とする。
問題を解決するために、本発明のボンド磁石用急冷薄帯
は、所定量の合金成分を含む溶湯を急冷して得られるそ
の平均結晶粒径が１μｍ以下であり、その組成式が、Ｒ
xＦｅ100-x-y-vＢyＧｅv：ただし、ＲはＮｄを主成分と
し、その一部がＤｙないしＰｒの少なくとも一方によっ
て置換される場合がある希土類成分であり、９≦ｘ≦１
５、４≦ｙ≦１０、０．１≦ｖ≦３、であることを特徴
とする。
【０００６】上記急冷薄帯は、溶湯からの急冷により、
飽和磁束密度及び一軸結晶磁気異方性がいずれも大きい
Ｒ2Ｆｅ14Ｂ型正方晶金属間化合物相（以下２−１４−
１相という）が平均粒径１μｍ以下の微細結晶粒となっ
た組織を生じ、急冷直後の状態で高い保磁力と残留磁束
密度を示すので、これを所定の粒子径の粉末に粉砕すれ
ばそのまま高性能のボンド磁石用原料として使用でき
る。なお、上記平均粒径が１μｍを超えると、薄帯の保
磁力ないし減磁曲線の角形性が損なわれて充分な磁石性
能が得られなくなるので、その平均粒径は上記範囲のも
のとされ、望ましくは０．５μｍ以下、さらに望ましく
は０．１μｍ以下とされる。
飽和磁束密度及び一軸結晶磁気異方性がいずれも大きい
Ｒ2Ｆｅ14Ｂ型正方晶金属間化合物相（以下２−１４−
１相という）が平均粒径１μｍ以下の微細結晶粒となっ
た組織を生じ、急冷直後の状態で高い保磁力と残留磁束
密度を示すので、これを所定の粒子径の粉末に粉砕すれ
ばそのまま高性能のボンド磁石用原料として使用でき
る。なお、上記平均粒径が１μｍを超えると、薄帯の保
磁力ないし減磁曲線の角形性が損なわれて充分な磁石性
能が得られなくなるので、その平均粒径は上記範囲のも
のとされ、望ましくは０．５μｍ以下、さらに望ましく
は０．１μｍ以下とされる。
【０００７】本発明の急冷薄帯の特徴は、Ｇｅが、Ｆｅ
の一部を置換する形で０．１〜３原子％の範囲内で添加
されていることにあり（すなわち前記組成式において
０．１≦ｖ≦３）、本発明者らは、上記Ｇｅの添加によ
り、急冷薄帯の磁気特性、特に最大エネルギー積がＧｅ
を添加しないものに比べて良好であることを見い出した
ものである。Ｇｅの添加量が上述のものとされる理由は
下記の通りである。まず、添加量が０．１原子％未満で
あると、最大エネルギー積改善の効果が充分に得られな
くなる。一方、添加量が３原子％を超えると、非磁性原
子であるＧｅの２−１４−１相中の含有量が増大し、飽
和磁束密度が低下して、却って最大エネルギー積の低下
を招く。従って、Ｇｅの添加量は上記範囲内で設定さ
れ、望ましくは０．２〜１．５原子％、さらに望ましく
は０．３〜１．０原子％とされる。ここで、急冷薄帯の
最大エネルギー積が上昇する原因としては、例えば、溶
湯の急冷凝固時に生ずる２−１４−１相の結晶粒がＧｅ
添加により、さらに微細化されること等が考えられる。
の一部を置換する形で０．１〜３原子％の範囲内で添加
されていることにあり（すなわち前記組成式において
０．１≦ｖ≦３）、本発明者らは、上記Ｇｅの添加によ
り、急冷薄帯の磁気特性、特に最大エネルギー積がＧｅ
を添加しないものに比べて良好であることを見い出した
ものである。Ｇｅの添加量が上述のものとされる理由は
下記の通りである。まず、添加量が０．１原子％未満で
あると、最大エネルギー積改善の効果が充分に得られな
くなる。一方、添加量が３原子％を超えると、非磁性原
子であるＧｅの２−１４−１相中の含有量が増大し、飽
和磁束密度が低下して、却って最大エネルギー積の低下
を招く。従って、Ｇｅの添加量は上記範囲内で設定さ
れ、望ましくは０．２〜１．５原子％、さらに望ましく
は０．３〜１．０原子％とされる。ここで、急冷薄帯の
最大エネルギー積が上昇する原因としては、例えば、溶
湯の急冷凝固時に生ずる２−１４−１相の結晶粒がＧｅ
添加により、さらに微細化されること等が考えられる。
【０００８】上記急冷薄帯に含有されるＧｅは、その一
部をＺｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちから選択される１種又は２種以上
の合金成分Ｍで置換することができる。その置換量は、
Ｇｅと合金成分Ｍとの合計含有量（原子比率）を１とし
た場合、その合計含有量に対するＧｅ含有量の比率ｗ
が、０．０５以上１未満となるように設定される。すな
わち、急冷薄帯の組成式をＲxＦｅ100-x-y-z-vＢy（Ｇ
ｅwＭ1-w）vとした場合に、０．０５≦ｗ＜１とされ
る。なお、Ｇｅ及び合金成分Ｍの含有量（原子％）は、
それぞれｗ×ｖ及び（１−ｗ）×ｖで表される。
部をＺｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちから選択される１種又は２種以上
の合金成分Ｍで置換することができる。その置換量は、
Ｇｅと合金成分Ｍとの合計含有量（原子比率）を１とし
た場合、その合計含有量に対するＧｅ含有量の比率ｗ
が、０．０５以上１未満となるように設定される。すな
わち、急冷薄帯の組成式をＲxＦｅ100-x-y-z-vＢy（Ｇ
ｅwＭ1-w）vとした場合に、０．０５≦ｗ＜１とされ
る。なお、Ｇｅ及び合金成分Ｍの含有量（原子％）は、
それぞれｗ×ｖ及び（１−ｗ）×ｖで表される。
【０００９】Ｇｅが合金成分Ｍにより上記範囲内で置換
されることにより、Ｇｅ単独添加の場合とほぼ同等ない
しそれ以上の最大エネルギー積を有する急冷薄帯を得る
ことができる。ただし、Ｇｅ含有量の比率ｗが０．０５
未満となると、充分な最大エネルギー積が得られなくな
るので、ｗは０．０５以上とされる。なお、Ｇｅ含有量
の比率ｗは、望ましくは０．１〜０．５、さらに望まし
くは０．１〜０．３の範囲内で設定するのがよい。ま
た、添加元素ＭとＧｅとの共添加による薄帯のエネルギ
ー積向上の効果は、添加元素ＭがＺｒ、Ｎｂ、Ｍｏの場
合に特に顕著に得ることができる。
されることにより、Ｇｅ単独添加の場合とほぼ同等ない
しそれ以上の最大エネルギー積を有する急冷薄帯を得る
ことができる。ただし、Ｇｅ含有量の比率ｗが０．０５
未満となると、充分な最大エネルギー積が得られなくな
るので、ｗは０．０５以上とされる。なお、Ｇｅ含有量
の比率ｗは、望ましくは０．１〜０．５、さらに望まし
くは０．１〜０．３の範囲内で設定するのがよい。ま
た、添加元素ＭとＧｅとの共添加による薄帯のエネルギ
ー積向上の効果は、添加元素ＭがＺｒ、Ｎｂ、Ｍｏの場
合に特に顕著に得ることができる。
【００１０】また、上記急冷薄帯のＦｅ成分の一部を、
３０原子％以下の範囲内でＣｏにより置換することがで
きる。すなわち、急冷薄帯の組成式をＲxＦｅ
100-x-y-z-vＣｏzＢyＧｅvあるいはＲxＦｅ100-x-y-z-v
ＣｏzＢy（ＧｅwＭ1-w）vとした場合に、０＜ｚ≦３０
とすることができる。Ｃｏは主に２−１４−１相に取り
込まれ、上記組成範囲内でＣｏを含有させることによ
り、２−１４−１相のキュリー温度が上昇するとともに
残留磁束密度の温度係数が改善され、自動車用モータの
ような高温の使用環境においても、安定かつ優れた磁気
特性が確保されるボンド磁石用急冷薄帯を得ることがで
きる。また、Ｃｏの添加により急冷薄帯の化学的安定性
が向上し、高温多湿の環境下でも、その薄帯を用いたボ
ンド磁石が腐食されたり磁気特性が低下したりすること
が抑制される。しかしながら、その含有量が３０原子％
を超えると２−１４−１相の飽和磁束密度が低下し、最
大エネルギー積の低下につながるので好ましくない。な
お、Ｃｏの含有量は、望ましくは２．５〜２０原子％、
さらに望ましくは５〜１０原子％の範囲内で設定するの
がよい。
３０原子％以下の範囲内でＣｏにより置換することがで
きる。すなわち、急冷薄帯の組成式をＲxＦｅ
100-x-y-z-vＣｏzＢyＧｅvあるいはＲxＦｅ100-x-y-z-v
ＣｏzＢy（ＧｅwＭ1-w）vとした場合に、０＜ｚ≦３０
とすることができる。Ｃｏは主に２−１４−１相に取り
込まれ、上記組成範囲内でＣｏを含有させることによ
り、２−１４−１相のキュリー温度が上昇するとともに
残留磁束密度の温度係数が改善され、自動車用モータの
ような高温の使用環境においても、安定かつ優れた磁気
特性が確保されるボンド磁石用急冷薄帯を得ることがで
きる。また、Ｃｏの添加により急冷薄帯の化学的安定性
が向上し、高温多湿の環境下でも、その薄帯を用いたボ
ンド磁石が腐食されたり磁気特性が低下したりすること
が抑制される。しかしながら、その含有量が３０原子％
を超えると２−１４−１相の飽和磁束密度が低下し、最
大エネルギー積の低下につながるので好ましくない。な
お、Ｃｏの含有量は、望ましくは２．５〜２０原子％、
さらに望ましくは５〜１０原子％の範囲内で設定するの
がよい。
【００１１】次に、上記以外の成分であるが、希土類成
分Ｒは急冷薄帯の優れた磁気特性を担う２−１４−１相
の主要構成成分であって、Ｎｄを主体とし、合計の含有
量が９〜１５原子％の範囲に設定される（すなわち９≦
ｘ≦１５）。希土類成分Ｒの含有量が９原子％未満にな
ると、軟磁性相であるα−Ｆｅ相の比率が増大し、保磁
力の低下を招く。一方、１５原子％を超えると希土類成
分を主体とする非磁性相の比率が増大し、飽和磁束密度
の低下を招く。これらはいずれも最大エネルギー積の低
下につながるので、希土類成分Ｒの含有量は上記範囲の
ものとされ、望ましくは１０〜１３原子％、さらに望ま
しくは１１〜１２原子％の範囲内で設定するのがよい。
分Ｒは急冷薄帯の優れた磁気特性を担う２−１４−１相
の主要構成成分であって、Ｎｄを主体とし、合計の含有
量が９〜１５原子％の範囲に設定される（すなわち９≦
ｘ≦１５）。希土類成分Ｒの含有量が９原子％未満にな
ると、軟磁性相であるα−Ｆｅ相の比率が増大し、保磁
力の低下を招く。一方、１５原子％を超えると希土類成
分を主体とする非磁性相の比率が増大し、飽和磁束密度
の低下を招く。これらはいずれも最大エネルギー積の低
下につながるので、希土類成分Ｒの含有量は上記範囲の
ものとされ、望ましくは１０〜１３原子％、さらに望ま
しくは１１〜１２原子％の範囲内で設定するのがよい。
【００１２】また、Ｎｄを主体とする希土類成分Ｒの一
部をＤｙ又はＰｒで置換することができる。Ｄｙを添加
することにより、２−１４−１相の一軸磁気異方性の異
方性磁界が高められ、急冷薄帯の保磁力を大幅に向上さ
せることができる。これにより、例えばコンピュータの
ハードディスクドライブや自動車用のモータなど、温度
が上昇しやすい環境で磁石が使用される場合、高温での
保磁力の低下分が補われるので、厳しい温度環境での使
用に耐える急冷薄帯を得ることができる。その添加量
は、例えば０．１〜５原子％の範囲内で適宜選択でき
る。ただし、添加量が５原子％を超えると２−１４−１
相の飽和磁束密度が低下し、最大エネルギー積の低下を
招くほか、Ｄｙは高価であるため磁石の原料コスト上昇
を招くので好ましくない。なお、ＴｂはＤｙよりもさら
に高価であるが、Ｄｙとほぼ同等の効果を有しており、
上記Ｄｙとの合計含有量が０．１〜５原子％となるの範
囲内で含有されていても差しつかえない。
部をＤｙ又はＰｒで置換することができる。Ｄｙを添加
することにより、２−１４−１相の一軸磁気異方性の異
方性磁界が高められ、急冷薄帯の保磁力を大幅に向上さ
せることができる。これにより、例えばコンピュータの
ハードディスクドライブや自動車用のモータなど、温度
が上昇しやすい環境で磁石が使用される場合、高温での
保磁力の低下分が補われるので、厳しい温度環境での使
用に耐える急冷薄帯を得ることができる。その添加量
は、例えば０．１〜５原子％の範囲内で適宜選択でき
る。ただし、添加量が５原子％を超えると２−１４−１
相の飽和磁束密度が低下し、最大エネルギー積の低下を
招くほか、Ｄｙは高価であるため磁石の原料コスト上昇
を招くので好ましくない。なお、ＴｂはＤｙよりもさら
に高価であるが、Ｄｙとほぼ同等の効果を有しており、
上記Ｄｙとの合計含有量が０．１〜５原子％となるの範
囲内で含有されていても差しつかえない。
【００１３】一方、Ｐｒは２−１４−１相中のＮｄを置
換した場合に、その飽和磁束密度及び異方性磁界の値を
それほど変化させないため、急冷薄帯のＮｄ成分の相当
量、場合によってはその全量をＰｒで置換することも可
能であるが、Ｐｒの分離希土はＮｄのそれよりも高価で
あり、その分離希土の形での過剰な配合は、原料コスト
の上昇を招くため好ましくない。しかしながら、Ｐｒは
希土類原料の分離精製工程においてＮｄとともに分離抽
出され、ＮｄとＰｒの非分離希土であるジジムはＮｄ及
びＰｒの分離希土よりも安価であるので、これらをジジ
ム（例えばジジムメタル）の形で配合すれば原料コスト
を低減することができるので好都合である。この場合、
最終的に得られる急冷薄帯中のＰｒの含有量は、使用さ
れるジジム中のＰｒ含有比率により定まることとなる。
換した場合に、その飽和磁束密度及び異方性磁界の値を
それほど変化させないため、急冷薄帯のＮｄ成分の相当
量、場合によってはその全量をＰｒで置換することも可
能であるが、Ｐｒの分離希土はＮｄのそれよりも高価で
あり、その分離希土の形での過剰な配合は、原料コスト
の上昇を招くため好ましくない。しかしながら、Ｐｒは
希土類原料の分離精製工程においてＮｄとともに分離抽
出され、ＮｄとＰｒの非分離希土であるジジムはＮｄ及
びＰｒの分離希土よりも安価であるので、これらをジジ
ム（例えばジジムメタル）の形で配合すれば原料コスト
を低減することができるので好都合である。この場合、
最終的に得られる急冷薄帯中のＰｒの含有量は、使用さ
れるジジム中のＰｒ含有比率により定まることとなる。
【００１４】なお、上記した以外の希土類元素は、いず
れもエネルギー積の上昇に寄与しないか逆にこれを低下
させるものであり、できるだけ含有されないことが望ま
しいが、例えばその総量が１原子％以下の範囲内で不可
避的に混入するものは含有されていても差しつかえな
い。
れもエネルギー積の上昇に寄与しないか逆にこれを低下
させるものであり、できるだけ含有されないことが望ま
しいが、例えばその総量が１原子％以下の範囲内で不可
避的に混入するものは含有されていても差しつかえな
い。
【００１５】次に、Ｂは、希土類成分Ｒと同様に２−１
４−１相の必須構成成分であり、その含有量は４〜１０
原子％の範囲内（すなわち４≦ｙ≦１０）で設定され
る。Ｂの含有量が４原子％未満となると、軟磁性のＮｄ
2Ｆｅ17型相が生成して保磁力の低下を招き、含有量が
１０原子％を超えると非磁性のＮｄＦｅ4Ｂ4型相が生成
して飽和磁束密度が低下する。いずれの場合も、最大エ
ネルギー積を低下させることにつながるので、Ｂ含有量
は上記範囲のものとされる。Ｂの含有量は、望ましくは
４〜８原子％、さらに望ましくは５〜７原子％の範囲内
で設定するのがよい。
４−１相の必須構成成分であり、その含有量は４〜１０
原子％の範囲内（すなわち４≦ｙ≦１０）で設定され
る。Ｂの含有量が４原子％未満となると、軟磁性のＮｄ
2Ｆｅ17型相が生成して保磁力の低下を招き、含有量が
１０原子％を超えると非磁性のＮｄＦｅ4Ｂ4型相が生成
して飽和磁束密度が低下する。いずれの場合も、最大エ
ネルギー積を低下させることにつながるので、Ｂ含有量
は上記範囲のものとされる。Ｂの含有量は、望ましくは
４〜８原子％、さらに望ましくは５〜７原子％の範囲内
で設定するのがよい。
【００１６】Ｆｅは、上記成分以外の残部として含有さ
れ、２−１４−１相の必須構成成分として、その大きな
飽和磁化の主要部を担うものである。
れ、２−１４−１相の必須構成成分として、その大きな
飽和磁化の主要部を担うものである。
【００１７】以上述べたボンド磁石用急冷薄帯は、その
平均粒子径が５００μｍ以下となるように粉砕してボン
ド磁石用粉末とすることができる。そして、その粉末を
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ナイロン樹脂等の樹脂
により結合することにより、ボンド磁石とすることがで
きる。ここで、上記ボンド磁石粉末の平均粒子径が５０
０μｍ以上であると、ボンド磁石内における磁石粉末及
び樹脂の分布が不均一となり、ボンド磁石の表面磁束分
布のばらつきを生ずる原因となるので、平均粒子径は上
記以下のものとされる。一方、平均粒子径が細かくなり
すぎると、例えば圧縮成形によりボンド磁石を製造する
場合、磁石粉末の流れ性が低下し、その成形金型へのス
ムーズな充填が困難になり生産性の低下を引き起こすの
で、所定の平均粒子径以上に設定される。なお、磁石粉
末の平均粒子径は、望ましくは５０〜４００μｍ、さら
に望ましくは１００〜３００μｍの範囲内で設定するの
がよい。
平均粒子径が５００μｍ以下となるように粉砕してボン
ド磁石用粉末とすることができる。そして、その粉末を
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ナイロン樹脂等の樹脂
により結合することにより、ボンド磁石とすることがで
きる。ここで、上記ボンド磁石粉末の平均粒子径が５０
０μｍ以上であると、ボンド磁石内における磁石粉末及
び樹脂の分布が不均一となり、ボンド磁石の表面磁束分
布のばらつきを生ずる原因となるので、平均粒子径は上
記以下のものとされる。一方、平均粒子径が細かくなり
すぎると、例えば圧縮成形によりボンド磁石を製造する
場合、磁石粉末の流れ性が低下し、その成形金型へのス
ムーズな充填が困難になり生産性の低下を引き起こすの
で、所定の平均粒子径以上に設定される。なお、磁石粉
末の平均粒子径は、望ましくは５０〜４００μｍ、さら
に望ましくは１００〜３００μｍの範囲内で設定するの
がよい。
【００１８】以下、本発明のボンド磁石用急冷薄帯、そ
れを用いたボンド磁石用粉末及びボンド磁石の製造方法
について説明する。
れを用いたボンド磁石用粉末及びボンド磁石の製造方法
について説明する。
【００１９】まず、所定量の合金成分を配合し、次に不
活性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気等、所定の雰囲気中
でその合金成分を溶解する。配合される合金成分は、そ
れぞれの成分を単独で配合しても、Ｎｄ−Ｆｅ合金やフ
ェロボロン等の母合金の形で配合してもいずれでもよ
い。また、溶解は、例えば高周波誘導溶解、アーク溶解
等公知の溶解方法を用いることができる。
活性ガス雰囲気あるいは真空雰囲気等、所定の雰囲気中
でその合金成分を溶解する。配合される合金成分は、そ
れぞれの成分を単独で配合しても、Ｎｄ−Ｆｅ合金やフ
ェロボロン等の母合金の形で配合してもいずれでもよ
い。また、溶解は、例えば高周波誘導溶解、アーク溶解
等公知の溶解方法を用いることができる。
【００２０】次に、その溶湯を急冷凝固させることによ
り、薄帯状ないしフレーク状の急冷薄帯が製造される。
急冷の雰囲気は、例えばアルゴン等の不活性ガス雰囲気
が用いられ、急冷の方法としては、単ロール法を始め、
双ロール法、スプラットクエンチ法、遠心急冷法、ガス
アトマイズ法等、各種方法が適用できる。これらのう
ち、特に単ロール法は、溶湯の冷却効率が高く、またロ
ール周速による冷却速度の調整が容易で、均質で高性能
の急冷薄帯を大量生産するのに好適である。この場合、
ロール周速を５〜３５ｍ／秒、望ましくは１０〜３０ｍ
／秒とすることが、微細で均一な結晶粒を有し、磁気特
性に優れた急冷薄帯を得る上で望ましい。
り、薄帯状ないしフレーク状の急冷薄帯が製造される。
急冷の雰囲気は、例えばアルゴン等の不活性ガス雰囲気
が用いられ、急冷の方法としては、単ロール法を始め、
双ロール法、スプラットクエンチ法、遠心急冷法、ガス
アトマイズ法等、各種方法が適用できる。これらのう
ち、特に単ロール法は、溶湯の冷却効率が高く、またロ
ール周速による冷却速度の調整が容易で、均質で高性能
の急冷薄帯を大量生産するのに好適である。この場合、
ロール周速を５〜３５ｍ／秒、望ましくは１０〜３０ｍ
／秒とすることが、微細で均一な結晶粒を有し、磁気特
性に優れた急冷薄帯を得る上で望ましい。
【００２１】得られた急冷薄帯は、スタンプミル、フェ
ザーミル、ディスクミル等を用いる公知の粉砕方法によ
り、前述の平均粒子径となるように粉砕され、ボンド磁
石用粉末とされる。なお、粉砕する薄帯が少量の場合
は、乳鉢等を用いて粉砕してもよい。
ザーミル、ディスクミル等を用いる公知の粉砕方法によ
り、前述の平均粒子径となるように粉砕され、ボンド磁
石用粉末とされる。なお、粉砕する薄帯が少量の場合
は、乳鉢等を用いて粉砕してもよい。
【００２２】ここで、前記急冷凝固により得られる急冷
薄帯は、その粉砕前又は粉砕後に４００〜１０００℃の
温度範囲において熱処理することができる。急冷直後の
薄帯は、例えば水冷ロールとの接触部付近等、冷却速度
の特に大きくなる部分に非晶質部を生じる場合がある。
この非晶質部は軟磁性であり、保磁力、減磁曲線の角型
性、エネルギー積の低下等を引き起こす原因となる。そ
こで、急冷薄帯に対し上記熱処理を行うことにより、急
冷直後に生じていた上記非晶質部を結晶化することがで
き、エネルギー積の低下等を防止することができる。こ
こで、熱処理温度が４００℃より低い場合は、上記非晶
質部の結晶化が充分進まず、上述の効果が充分得られな
い。一方、熱処理温度が１０００℃を超えると、結晶粒
が成長して粗大化し、保磁力ないしエネルギー積は却っ
て低下する。従って、熱処理温度は上述の範囲内で設定
され、望ましくは５００〜８００℃、さらに望ましくは
６００〜７００℃の範囲内で設定される。
薄帯は、その粉砕前又は粉砕後に４００〜１０００℃の
温度範囲において熱処理することができる。急冷直後の
薄帯は、例えば水冷ロールとの接触部付近等、冷却速度
の特に大きくなる部分に非晶質部を生じる場合がある。
この非晶質部は軟磁性であり、保磁力、減磁曲線の角型
性、エネルギー積の低下等を引き起こす原因となる。そ
こで、急冷薄帯に対し上記熱処理を行うことにより、急
冷直後に生じていた上記非晶質部を結晶化することがで
き、エネルギー積の低下等を防止することができる。こ
こで、熱処理温度が４００℃より低い場合は、上記非晶
質部の結晶化が充分進まず、上述の効果が充分得られな
い。一方、熱処理温度が１０００℃を超えると、結晶粒
が成長して粗大化し、保磁力ないしエネルギー積は却っ
て低下する。従って、熱処理温度は上述の範囲内で設定
され、望ましくは５００〜８００℃、さらに望ましくは
６００〜７００℃の範囲内で設定される。
【００２３】以上の方法により得られるボンド磁石用粉
末を樹脂成分と混合し、加圧成形又は射出成形すること
によりボンド磁石が製造される。加圧成形による場合
は、上記磁石粉末に、エポキシ樹脂フェノール樹脂等の
粉末状の熱硬化性樹脂を所定量、例えば１〜５重量％程
度混合し、これを金型プレス成形等により、例えば５〜
１０ｔ／ｃｍ2程度の加圧力で圧縮成形する。成形後、
得られた成形体を所定温度、例えば８０〜１８０℃程度
に加熱することにより樹脂を硬化させ、ボンド磁石を得
る。なお、樹脂硬化のための加熱は、上記加圧成形中に
行ってもよい。この方法によれば、得られるボンド磁石
中の磁石粉末の密度を高くでき、小型モータ用の高性能
リング磁石等を製造するのに適している。
末を樹脂成分と混合し、加圧成形又は射出成形すること
によりボンド磁石が製造される。加圧成形による場合
は、上記磁石粉末に、エポキシ樹脂フェノール樹脂等の
粉末状の熱硬化性樹脂を所定量、例えば１〜５重量％程
度混合し、これを金型プレス成形等により、例えば５〜
１０ｔ／ｃｍ2程度の加圧力で圧縮成形する。成形後、
得られた成形体を所定温度、例えば８０〜１８０℃程度
に加熱することにより樹脂を硬化させ、ボンド磁石を得
る。なお、樹脂硬化のための加熱は、上記加圧成形中に
行ってもよい。この方法によれば、得られるボンド磁石
中の磁石粉末の密度を高くでき、小型モータ用の高性能
リング磁石等を製造するのに適している。
【００２４】一方、射出成形による場合は、まず、ナイ
ロン樹脂等の熱可塑性樹脂を磁石粉末に対し、圧縮成形
の場合よりやや多い量、例えば２〜１０重量％程度添加
し、これを混練して成形用のコンパウンドを作製する。
そして、このコンパウンドを加熱軟化させ、所定の成形
機を用いてこれを射出成形することにより、所望の形状
のボンド磁石を得るものである。この方法により得られ
るボンド磁石は、磁石粉末密度がやや低いため、性能は
圧縮成形によるものに及ばないが、多様で複雑な形状の
磁石を容易に製造できる利点があり、モータスピンドル
等の付属部品を上記コンパウンドとともに一体成形する
こともできる。
ロン樹脂等の熱可塑性樹脂を磁石粉末に対し、圧縮成形
の場合よりやや多い量、例えば２〜１０重量％程度添加
し、これを混練して成形用のコンパウンドを作製する。
そして、このコンパウンドを加熱軟化させ、所定の成形
機を用いてこれを射出成形することにより、所望の形状
のボンド磁石を得るものである。この方法により得られ
るボンド磁石は、磁石粉末密度がやや低いため、性能は
圧縮成形によるものに及ばないが、多様で複雑な形状の
磁石を容易に製造できる利点があり、モータスピンドル
等の付属部品を上記コンパウンドとともに一体成形する
こともできる。
【００２５】なお、以上の方法により得られたボンド磁
石に、電着塗装、浸漬塗装、スプレー塗装、ニッケルメ
ッキ等の各種表面処理を施すことができる。
石に、電着塗装、浸漬塗装、スプレー塗装、ニッケルメ
ッキ等の各種表面処理を施すことができる。
【００２６】
（実施例１）表１に示した各種組成を有するインゴット
をアーク溶解により作製し、このインゴットをアルゴン
雰囲気中で、先端部にノズルを有する石英るつぼ中で高
周波誘導溶解し、これに所定のアルゴンガス圧を印加し
て、溶湯を上記ノズルからクロムメッキを施した銅ロー
ル（単ロール）に射出することにより急冷薄帯を得た。
なお、ロールの周速は２０ｍ／秒とした。次に、薄帯を
乳鉢により粒子径が３００μｍ以下となるように粉砕
し、さらにアルゴン雰囲気中で、６００〜８００℃の温
度範囲で熱処理して各組成のボンド磁石粉末を得た。こ
れら磁石粉末に、未硬化のエポキシ樹脂粉末を混合し、
９ｔ／ｃｍ2の圧力で圧縮成形の後、成形体を加熱して
樹脂を硬化させ、ボンド磁石を得た。得られたボンド磁
石の磁化曲線をＢ−Ｈトレーサにより室温で測定し、最
大エネルギー積（（ＢＨ）ｍａｘ）を求めた。結果を表
１に示す。
をアーク溶解により作製し、このインゴットをアルゴン
雰囲気中で、先端部にノズルを有する石英るつぼ中で高
周波誘導溶解し、これに所定のアルゴンガス圧を印加し
て、溶湯を上記ノズルからクロムメッキを施した銅ロー
ル（単ロール）に射出することにより急冷薄帯を得た。
なお、ロールの周速は２０ｍ／秒とした。次に、薄帯を
乳鉢により粒子径が３００μｍ以下となるように粉砕
し、さらにアルゴン雰囲気中で、６００〜８００℃の温
度範囲で熱処理して各組成のボンド磁石粉末を得た。こ
れら磁石粉末に、未硬化のエポキシ樹脂粉末を混合し、
９ｔ／ｃｍ2の圧力で圧縮成形の後、成形体を加熱して
樹脂を硬化させ、ボンド磁石を得た。得られたボンド磁
石の磁化曲線をＢ−Ｈトレーサにより室温で測定し、最
大エネルギー積（（ＢＨ）ｍａｘ）を求めた。結果を表
１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】Ｇｅを添加したボンド磁石（Ｎｏ．１〜
４）はいずれも、添加しないもの（Ｎｏ．８、９、比較
例）に比べて最大エネルギー積が大きいことがわかる。
また、Ｇｅの一部をＺｒで置換することにより（試料番
号５〜７）、最大エネルギー積はさらに向上した。
４）はいずれも、添加しないもの（Ｎｏ．８、９、比較
例）に比べて最大エネルギー積が大きいことがわかる。
また、Ｇｅの一部をＺｒで置換することにより（試料番
号５〜７）、最大エネルギー積はさらに向上した。
【００２９】（実施例２）表２に示した各種組成を有す
るインゴットを作成し、実施例１と同様の方法によりボ
ンド磁石を作製し、その最大エネルギー積を測定した。
結果を表２に示す。Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの各種合金成分をＧｅととも
に複合添加したボンド磁石（Ｎｏ．１０〜１９）は、上
記合金成分を単独で添加したもの（Ｎｏ．２０〜２９、
比較例）に比べて最大エネルギー積が高いことがわか
る。
るインゴットを作成し、実施例１と同様の方法によりボ
ンド磁石を作製し、その最大エネルギー積を測定した。
結果を表２に示す。Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｇａ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの各種合金成分をＧｅととも
に複合添加したボンド磁石（Ｎｏ．１０〜１９）は、上
記合金成分を単独で添加したもの（Ｎｏ．２０〜２９、
比較例）に比べて最大エネルギー積が高いことがわか
る。
【００３０】
【表２】
【００３１】（実施例３）表３に示した各種組成を有す
るインゴットを作成し、実施例１と同様の方法によりボ
ンド磁石を作製し、その最大エネルギー積を測定した。
結果を表３に示す。Ｃｏを１０原子％ならびにＧｅを
０．５原子％含有するボンド磁石（Ｎｏ．３０）、及び
このボンド磁石について、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの各種合金成分
をＧｅとともに複合添加したボンド磁石（Ｎｏ．３１〜
４１）は、Ｇｅを添加せずに上記合金成分のみを添加し
たもの（Ｎｏ．４２〜５２、比較例）、及び上記合金成
分及びＧｅのいずれも含有しないもの（Ｎｏ．５３、比
較例）に比べて最大エネルギー積が高いことがわかる。
るインゴットを作成し、実施例１と同様の方法によりボ
ンド磁石を作製し、その最大エネルギー積を測定した。
結果を表３に示す。Ｃｏを１０原子％ならびにＧｅを
０．５原子％含有するボンド磁石（Ｎｏ．３０）、及び
このボンド磁石について、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗの各種合金成分
をＧｅとともに複合添加したボンド磁石（Ｎｏ．３１〜
４１）は、Ｇｅを添加せずに上記合金成分のみを添加し
たもの（Ｎｏ．４２〜５２、比較例）、及び上記合金成
分及びＧｅのいずれも含有しないもの（Ｎｏ．５３、比
較例）に比べて最大エネルギー積が高いことがわかる。
【００３２】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２２Ｃ 33/04 Ｇ 38/00 ３０３ Ｄ Ｈ０１Ｆ 1/053 1/08 Ｈ０１Ｆ 1/08 Ａ
Claims (10)
- 【請求項１】 所定量の合金成分を含む溶湯を急冷して
得られるその平均結晶粒径が１μｍ以下であり、その組
成式が、 ＲxＦｅ100-x-y-vＢyＧｅv： ただし、ＲはＮｄを主成分とし、その一部がＤｙないし
Ｐｒの少なくとも一方によって置換される場合がある希
土類成分であり、９≦ｘ≦１５、４≦ｙ≦１０、０．１
≦ｖ≦３、 であることを特徴とするボンド磁石用急冷薄帯。 - 【請求項２】 所定量の合金成分を含む溶湯を急冷して
得られるその平均結晶粒径が１μｍ以下であり、その組
成式が、 ＲxＦｅ100-x-y-vＢy（ＧｅwＭ1-w）v： ただし、ＲはＮｄを主成分とし、その一部がＤｙないし
Ｐｒの少なくとも一方によって置換される場合がある希
土類成分であり、かつＭは、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちから選択
される１種又は２種以上であって、９≦ｘ≦１５、４≦
ｙ≦１０、０．０５≦ｗ＜１、０．１≦ｖ≦３、 であることを特徴とするボンド磁石用急冷薄帯。 - 【請求項３】 所定量の合金成分を含む溶湯を急冷して
得られるその平均結晶粒径が１μｍ以下であり、その組
成式が、 ＲxＦｅ100-x-y-vＣｏzＢyＧｅv： ただし、ＲはＮｄを主成分とし、その一部がＤｙないし
Ｐｒの少なくとも一方によって置換される場合がある希
土類成分であり、９≦ｘ≦１５、４≦ｙ≦１０、０＜ｚ
≦３０、０．１≦ｖ≦３、 であることを特徴とするボンド磁石用急冷薄帯。 - 【請求項４】 所定量の合金成分を含む溶湯を急冷して
得られるその平均結晶粒径が１μｍ以下であり、その組
成式が、 ＲxＦｅ100-x-y-z-vＣｏzＢy（ＧｅwＭ1-w）v： ただし、ＲはＮｄを主成分とし、その一部がＤｙないし
Ｐｒの少なくとも一方によって置換される場合がある希
土類成分であり、かつＭは、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうちから選択
される１種又は２種以上であって、９≦ｘ≦１５、４≦
ｙ≦１０、０＜ｚ≦３０、０．０５≦ｗ＜１、０．１≦
ｖ≦３、 であることを特徴とするボンド磁石用急冷薄帯。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載のボ
ンド磁石用急冷薄帯を粉砕して得られ、その平均粒子径
が５００μｍ以下であることを特徴とするボンド磁石用
粉末。 - 【請求項６】 請求項５記載のボンド磁石用粉末が樹脂
結合されたことを特徴とするボンド磁石。 - 【請求項７】 請求項１ないし４のいずれかに記載のボ
ンド磁石用急冷薄帯の製造方法であって、 所定量の合金成分を配合後、その合金成分を溶解する工
程と、 その溶解された溶湯を薄帯状ないしフレーク状に急冷凝
固させる工程と、 を含むことを特徴とするボンド磁石用急冷薄帯の製造方
法。 - 【請求項８】 請求項７記載の方法により得られるボン
ド磁石用急冷薄帯を、その平均粒子径が５００μｍ以下
となるように粉砕することを特徴とするボンド磁石用粉
末の製造方法。 - 【請求項９】 前記急冷薄帯が、前記粉砕前又は粉砕後
に４００〜１０００℃の温度範囲において熱処理される
請求項８記載のボンド磁石用粉末の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項８又は９記載の方法により得ら
れるボンド磁石用粉末を樹脂成分と混合後、加圧成形又
は射出成形することを特徴とするボンド磁石の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227188A JPH0845719A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | ボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227188A JPH0845719A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | ボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845719A true JPH0845719A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16856876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6227188A Pending JPH0845719A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | ボンド磁石用急冷薄帯、ボンド磁石用粉末、ボンド磁石及びそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845719A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170127U (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | ||
| JP2001035714A (ja) * | 1999-05-19 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | ボンド磁石とボンド磁石の製造方法、およびそれを用いたアクチュエータ |
| US6852246B2 (en) | 1999-06-11 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Magnetic powder and isotropic bonded magnet |
| US7087185B2 (en) | 1999-07-22 | 2006-08-08 | Seiko Epson Corporation | Magnetic powder and isotropic bonded magnet |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP6227188A patent/JPH0845719A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62170127U (ja) * | 1986-04-21 | 1987-10-28 | ||
| JP2001035714A (ja) * | 1999-05-19 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | ボンド磁石とボンド磁石の製造方法、およびそれを用いたアクチュエータ |
| JP4709340B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2011-06-22 | 株式会社東芝 | ボンド磁石の製造方法、およびアクチュエータ |
| US6852246B2 (en) | 1999-06-11 | 2005-02-08 | Seiko Epson Corporation | Magnetic powder and isotropic bonded magnet |
| US7087185B2 (en) | 1999-07-22 | 2006-08-08 | Seiko Epson Corporation | Magnetic powder and isotropic bonded magnet |
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