JPH0941139A - 基板加熱装置 - Google Patents

基板加熱装置

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JPH0941139A
JPH0941139A JP21284595A JP21284595A JPH0941139A JP H0941139 A JPH0941139 A JP H0941139A JP 21284595 A JP21284595 A JP 21284595A JP 21284595 A JP21284595 A JP 21284595A JP H0941139 A JPH0941139 A JP H0941139A
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flat plate
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chamber
hooks
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Hideyuki Odagi
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板を効率よく加熱できる基板加熱装置を提供
する。 【解決手段】基板加熱装置2に複数の平板ヒーター31〜3
4を所定間隔を開けて重ねて配置し、各平板ヒーター31
〜34を上下移動可能に構成する。そりや歪みを生じさせ
ずに複数の基板を一度に加熱できる。また、ハンドル32
上に基板142を乗せて水平移動させる基板搬送ロボット3
1を用いる際には、前記各平板ヒーター31〜34の周囲
に、下端にフック161〜164を有し、上下動と中心軸線回
りの回転ができる複数の回転軸181〜184を配置し、前記
各平板ヒーター31〜34に前記各フック161〜164の挿入と
回転ができる切れ込み部を設けておくと、前記各平板ヒ
ーター31〜34と前記各回転軸181〜184との上下移動と、
前記各フック161〜164の回転動とによって、基板を擦る
ことなく前記ハンドル32と前記各平板ヒーター31〜34
の間で移し替えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は基板の脱ガスを行う
装置に係り、特に、複数の基板を加熱しながら真空排気
して脱ガス処理を行う基板加熱装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置や液晶装置等の生産に用いら
れる成膜装置では、バッチ式の成膜装置に替えて従来よ
り、成膜室内を大気に曝さずに成膜処理が行える装置が
広く用いられている。
【0003】そのような成膜装置には連続式のものと枚
葉式のものとがあるが、まず、連続式インライン成膜装
置の一般的な構成を説明する。図8を参照し、この図8
は従来技術の連続式インライン方式の成膜装置100の
平面図であり、該成膜装置100は、搬入室102と、
脱ガス室106と、隔離室108と、成膜室110と、
搬出室113とがこの順で配置されて構成されている。
前記各室は、通常状態では閉じられている仕切バルブ1
05、107、109、112によってそれぞれ仕切ら
れており、個別に真空排気できるように構成されてい
る。
【0004】前記搬入室102と大気雰囲気との間には
仕切バルブ103が設けられており、該仕切バルブ10
3が開けられて、キャリアに搭載された基板101が該
搬入室102内に搬入され、前記仕切バルブ103が閉
じられて真空排気された後、前記仕切バルブ105が開
けられて前記基板101が前記脱ガス室106に移動さ
れる。
【0005】前記脱ガス室106には、図9に示すよう
に、ピニオン117上に往復動自在に設けられたラック
116を有する枠状ストッカー台車114が設けられて
おり、該枠状ストッカー台車114上には複数枚の保持
板115が所定間隔を隔てて平行に配置され、各保持板
115の間に基板を1枚ずつ直立に保持できるように構
成されている。
【0006】前記保持板115の間において、基板を保
持しているところと空いているところがある場合、前記
基板101が搬入されると前記ピニオン117が回転さ
れ、前記ストッカー台車114が移動されて搬入された
基板101が前記各保持板115の間の空いたところに
納められる。
【0007】前記脱ガス室106は、排気口119に接
続された図示しない真空ポンプによって真空排気できる
ように構成されており、前記基板101を前記脱ガス室
106内に搬入した後、前記仕切バルブ105を閉じて
おけば、前記成膜装置100内に新しい基板を搬入する
ために前記搬入室102に大気を導入したときでも、前
記脱ガス室106内には大気が侵入しないように構成さ
れており、該脱ガス室106内の真空状態を保ったま
ま、前記枠状ストッカー台車114が満載されるまで該
脱ガス室106内への基板の搬入動作が繰り返される。
【0008】そして、前記各保持板115の間に保持さ
れた基板のうち、所定の脱ガス時間が経過した基板につ
いては、搬送機構118によって後方の隔離室108に
1枚ずつ搬送され、それにより開けられたスペースには
前記搬入室102から搬入された新しい基板が納められ
る。
【0009】一方、前記隔離室108に基板が搬入され
ると、前記仕切バルブ107が閉じられ、該隔離室10
8が充分に真空排気された後、前記仕切バルブ109が
開けられて、該隔離室108内の基板は前記成膜室11
0内に移動される。
【0010】前記成膜室110にはスパッタリングカソ
ード111が設けられており、該成膜室110内に搬入
された基板101は前記スパッタリングカソード111
の間をゆっくりと移動している間、ターゲットがスパッ
タリングされ、薄膜の成膜が行われる。前記基板101
表面に所望膜厚の薄膜が成膜されると、前記仕切バルブ
112が開けられて、その基板101は前記成膜室11
0から前記搬出室113に搬送され、前記仕切バルブ1
12が閉められた後、前記搬出室113に大気が導入さ
れて取り出される。
【0011】このように、前記成膜装置100によれ
ば、基板の脱ガス処理と成膜作業とを連続して行うこと
ができ、生産性もよいことから実際の生産現場において
広く使用されていた。
【0012】しかしながら近年では、成膜される薄膜の
膜質を向上させることが求められており、単に基板を真
空状態に置くだけでは脱ガス処理が不十分になって来
た。また、真空雰囲気に置くだけで脱ガスをしようとす
ると処理に要する時間が長くなり、問題となっていた。
【0013】この場合、基板を加熱しながら真空排気す
れば、脱ガス時間が短くなり、また、結晶性のよい薄膜
を成膜することができるようになるが、基板を直立保持
して赤外線ランプ等で加熱すると、基板のそりや歪みが
生じ易く、特に大面積基板では問題となっていた。
【0014】ところで、上述した連続式のインライン成
膜装置では搬送機構からダストが発生するという問題が
あり、また、多種類の薄膜を成膜しずらいことから、近
年では連続式のインライン成膜装置に替え、複数の成膜
室を有し、各成膜室で基板を1枚ずつ成膜処理する枚葉
式の成膜装置が主流になってきた。
【0015】そしてこのような枚葉式の成膜装置では、
複数の成膜室と搬出入室や基板加熱室との間で基板をや
りとりするために、搬送機構に基板搬送ロボットが採用
されており、基板が擦れて搬送機構からダストが発生せ
ず、基板表面に欠陥なく薄膜を成膜することができるた
め、大面積基板に適用する場合には有利であるとされて
いる。
【0016】図10に、そのような枚葉式の成膜装置の
一部分の断面図を示す。その図10を参照し、200は
従来技術の基板加熱装置を有する成膜装置であり、基板
の搬出入を行うL/UL室202と、基板搬送ロボット20
7が設けられた搬送室208と、ヒーター2101、2
102から成る基板加熱装置を有する加熱・脱ガス室2
06とがこの順で配置され、通常の状態では閉じられて
いる仕切バルブ205、209でそれぞれ仕切られてお
り、個別に真空排気できるように構成されている。
【0017】前記L/UL室202は扉203とカセット昇
降機構214とを有しており、前記扉203を開けると
成膜対象の基板が満載されたカセット220を装着でき
るように構成されている。前記カセット220が装着さ
れ後、前記扉203が閉じられると、図示しない真空ポ
ンプが起動され、前記搬入室202が真空排気される。
そして所定の排気時間が経過すると、前記仕切バルブ2
05が開けられ、前記基板搬送ロボット207によって
前記カセット220から基板が1枚ずつ取り出される。
【0018】次いで前記仕切バルブ209が開けられ
て、前記基板搬送ロボット207によって、前記加熱・
脱ガス室206内に搬入され、昇降機構211によっ
て、該加熱・脱ガス室206内で上下動可能に設けられ
た保持棒204上に基板212が乗せられる。
【0019】その基板212は前記ヒーター2101
2102の間に位置するようにされており、前記仕切バ
ルブ209が閉じられた後、前記ヒーター2101、2
102に通電され、同時に図示しない真空ポンプが起動
されて、前記基板212に対して加熱と真空排気による
脱ガス処理が行われる。
【0020】所定の脱ガス時間が経過し、脱ガス処理が
終了すると前記仕切バルブ206が開けられて、前記基
板搬送ロボット207によって、前記加熱・脱ガス室2
06から前記基板212が取り出され、図示しない成膜
室内に移送され、成膜作業が開始される。
【0021】その際、前記仕切バルブ205が開けられ
て前記カセット220から新しい基板が取り出され、前
記基板搬送ロボット207によって、前記保持棒204
上に乗せられ、新しい基板の加熱・脱ガス処理が開始さ
れる。
【0022】このように、基板搬送ロボットに対応した
従来技術の加熱・脱ガス装置では、基板を1枚ずつしか
処理できず、処理能力が低かった。また、保持棒上に基
板を乗せてヒーターで加熱した場合には、基板にそりや
歪みが生じることもあり、大面積基板に対応した基板加
熱装置の開発が望まれていた。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、基板を効率よく加熱することができ、基板搬送ロボ
ットに対応した設置面積の小さな基板加熱装置を提供す
ることにある。
【0024】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1記載の発明は、平板ヒーター上に基板を置い
て加熱する基板加熱装置であって、前記平板ヒーターを
複数枚有し、各平板ヒーターが間隔を開けて重ねて配置
され、前記各平板ヒーターが上下動できるように構成さ
れたことを特徴とし、
【0025】請求項2記載の発明は、請求項1記載の基
板加熱装置であって、ハンドル上に乗せた基板を水平移
動させる基板搬送ロボットの、前記ハンドルと前記各平
板ヒーター間で基板を移し替えるように構成された基板
加熱装置であって、前記各平板ヒーター周囲に回転軸が
鉛直に複数配置され、前記各回転軸は上下動と中心軸線
回りの回転動ができるように構成され、前記各回転軸の
下端には基板を引っかけるフックが設けられ、前記各平
板ヒーターは前記各フックの挿入と回転ができる切れ込
み部を有し、前記各平板ヒーターと前記各回転軸の上下
移動と、前記各フックの回転動によって、前記ハンドル
と前記各平板ヒーターの間で基板の移し替えができるよ
うに構成されたことを特徴とする。
【0026】このような基板加熱装置の構成によれば、
平板ヒーター上に基板を置いて加熱するため、大型の基
板を加熱する場合でも、そりや歪みが生じることがな
く、また、複数枚の平板ヒーターを間隔を開けて重ねて
配置したので設置面積が小さく、そして、各平板ヒータ
ーを上下動できるように構成したので、基板搬送ロボッ
トによって該基板加熱装置内に基板を搬入したときに、
各平板ヒーター上に基板を収納することが可能となる。
【0027】また、前記各平板ヒーター周囲に回転軸を
鉛直に複数個配置し、前記各回転軸の下端にフックを設
け、前記各回転軸を上下動と中心軸線回りの回転ができ
るように構成しておき、前記各平板ヒーターに前記各フ
ックが挿入でき、前記各フックの回転ができる切れ込み
部を設けておくと、その基板加熱装置と、基板を乗せた
ハンドルを水平移動させて基板を移送する基板搬送ロボ
ットとの間で基板の搬出入を行う際、前記各平板ヒータ
ーと前記各回転軸の上下移動と、前記各フックの回転と
によって、前記ハンドルと前記各フックの間と、前記各
フックと前記各平板ヒーターとの間で基板の移しかえが
できて都合がよい。
【0028】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。図1を参照し、2は本発明の最良の実施の
形態を示す基板加熱装置であり、加熱室4内に4枚の平
板ヒーター31〜34を有している。前記各平板ヒーター
1〜34は矩形形状をしており、所定間隔を開けて重ね
て配置され、各平板ヒーター31〜34の四隅は固定棒5
1〜54(固定棒53は図示せず)に固定されている。
【0029】前記各固定棒51〜54の下端部と上端部に
は、取付板61、62がそれぞれ設けられており、前記取
付板62表面の中央にはガイド棒7が鉛直に立設され、
前記取付板61裏面の四隅付近には、前記加熱室4の外
へ鉛直下方向に伸びるベローズ81〜84(ベローズ83
図示せず)の上端部が気密に固定されている。
【0030】前記ベローズ81〜84の下端部にはベロー
ズ取付板29が取り付けられ、該ベローズ取付板29に
は図示しないボールねじが取り付けられており、該ベロ
ーズ取付板29によって、前記ボールねじの回転運動を
直線運動に変えるように構成されている。
【0031】前記ボールねじは前記ベローズ取付板29
の下面に配置されたモーター10の回転軸に取り付けら
れており、前記モーター10が起動され、前記ボールね
じが回転されると前記取付板29によって前記各ベロー
ズ81〜84が上下移動され、それによって前記各平板ヒ
ーター31〜34が昇降されるように構成されている。
【0032】前記ベローズ取付板29にはガイド棒11
1〜114(ガイド棒111、113は図示せず)が気密に挿
通されており、また、前記取付板62の上方に配置さ
れ、前記加熱室4に固定された天板13には前記ガイド
棒7が気密に挿通されているので、前記各平板ヒーター
1〜34の昇降の際の動きが規制され、それらの動きが
滑らかになるようにされている。
【0033】前記天板13表面の、互いに平行な2辺の
縁付近には、その縁に沿うように長方形の固定板20
a、20bが配置されており、該固定板20a、20bは、
それぞれ支持棒281、282(支持棒281は図示せず)
と、支持棒283、284によって前記天板13と平行
に、間隔を存して固定されている。
【0034】前記各固定板20a、20bには、ねじ21
a、21bが鉛直下方に伸びるように挿通され、ねじ部で
ないところが回転可能に保持されており、前記各ねじ2
1a、21bの、前記各固定板20a、20bの表面に出た
上端部分には、それぞれプーリー22a、22bが設けら
れている。
【0035】前記各固定板20a、20bと前記天板13
との間には、取付板19a、19bが配置されており、該
取付板19a、19bには、前記支持棒281、282と、
前記支持棒283、284とがそれぞれ挿通されている。
また、前記取付板19a、19bには前記ねじ21a、2
1bが取り付けられており、その取付部分はボールねじ
に形成され、滑らかに動けるように構成されている。
【0036】前記天板13上にはモーター9が配置さ
れ、その回転軸27と前記プーリー22a、22bとの間
にはベルト26が巻回されており、前記モーター9が起
動されると前記ねじ21a、21bが回転され、前記取付
板19a、19bが上下動されるように構成されている。
【0037】その取付板19a、19bは前記固定板20
a、20bよりも長く形成されており、各固定板20a、
20bの両端からはみ出た部分には、それぞれロータリ
ーアクチュエーター171、172(ロータリーアクチュ
エーター171は図示せず)と、ロータリーアクチュエー
ター173、174とが設けられている。
【0038】前記各平板ヒーター31〜34の周囲のう
ち、各平板ヒーター31〜34の互いに平行となる2つの
辺の近傍には、4本の回転軸181〜184のうちの2本
ずつが鉛直に配置されており、各回転軸181〜184
前記天板13に気密に挿通され、上端部分が前記各ロー
タリーアクチュエーター171〜174の回転軸に取り付
けられている。
【0039】また、前記各回転軸181〜184の下端部
分には、フック161〜164(フック163、164は図
示せず)がそれぞれ取り付けられており、前記各ロータ
リーアクチュエーター171〜174の動作によって、前
記各フック161〜164は、前記回転軸181〜184
中心軸線回りにそれぞれ90度回転されるようにされて
いる。また、前記モーター9が動作すると前記取付板1
9a、19bが上下移動され、各フック161〜164は、
前記各回転軸181〜184と共に上下移動されるように
構成されている。
【0040】前記各平板ヒーター31〜34のうちの任意
の一枚の平板ヒーターを図2に示すと、その平板ヒータ
ー3は上側の発熱板23aと、平面状に折り畳まれ、電
流によって発熱するシースヒーター25と、下側の発熱
板23bとがこの順で張り合わされたサンドイッチ状に
形成されており、前記発熱板23bの縁には、前記回転
軸181〜184の中心軸線を中心とした略四分の一円だ
け切れ込み部241〜244が形成されている。従って、
前記各フック161〜164の高さを前記各切れ込み部2
1〜244の高さと同じにし、前記回転軸181〜184
を回転させると前記各フック161〜164の出し入れが
でき、また、前記各フック161〜164は前記切れ込み
部241〜244の厚みよりも薄く形成されており、前記
各フック161〜164を前記各切れ込み部241〜244
に入れたときには前記発熱板23b表面よりも前記フッ
ク161〜164の表面が低くできるようにされている。
【0041】この基板加熱装置2は、図7に示す枚葉式
の成膜装置42に用いられ、該基板加熱装置2は、前記
成膜装置42へのガラス基板の搬出入を行うL/UL室44
1、442と、ITO薄膜の成膜を行うスパッタ室431
〜433と共に、基板搬送ロボット31が置かれた搬送
室45の周囲に配置されている。各室と前記基板搬送室
45との間には、開閉可能な仕切板が設けられており、
図示しない真空ポンプによって、それぞれが独立に真空
排気できるように構成されている。
【0042】この成膜装置42で処理する基板は550
×650mm2と大型のガラス基板であり、前記L/UL室
441、442と大気雰囲気との間に設けられた仕切板を
開け、そのような大型で未処理のガラス基板を一つのL/
UL室内に置く際に、成膜が終了したガラス基板を同じL/
UL室から取り出せるように構成されており、前記各L/UL
室441、442内に置かれた未処理のガラス基板は、ま
ず前記基板搬送ロボット31の動作によって該基板搬送
ロボット31のハンドル32上に載せられる。
【0043】前記ハンドル32上に乗せられたガラス基
板142は前記基板搬送ロボット31の腕部33の伸び
縮みにより移動できるようにされているが、その前記基
板搬送ロボット31は上下移動は行わず、水平移動だけ
を行うように構成されているので、前記基板搬送室45
と前記基板加熱装置2との間の仕切板が開けられて、前
記基板加熱室2内に搬入された前記ガラス基板142
前記平板ヒーター31〜34のいずれか一つに移しかえる
際、前記フック181〜184の動作が必要となる。
【0044】その動作を図面を用いて説明すると、入れ
換え準備状態を示す図3において、動作の説明に必要な
部材には符号をつけ、一方、見やすいように、図4(a)
〜(f)と図5(g)〜(l)では符号を省略する。
【0045】まず、図3を参照し、ここでは、前記平板
ヒーター31〜34のうち、最下層に位置する平板ヒータ
ー31上にガラス基板141が載せられており、その上に
位置する平板ヒーター32にはガラス基板が載せられて
いないものとする。また、前記各フック161〜164
前記平板ヒーター32よりも上に位置するようにされて
おり、その向きは前記平板ヒーター32の近くにある縁
と平行にされているものとする。
【0046】図4(a)〜(f)を参照し、図3に示した入
れ換え準備状態から前記各ロータリーアクチュエーター
171〜173が動作して前記各フック161〜164が内
側に向けられると(フックイン動作:図4(a))、前記基
板搬送ロボット31の前記アーム33が伸ばされて、前
記ハンドル32が前記回転軸182と前記回転軸183
間を通って前記平板ヒーター32上まで移動される(ハン
ドルイン動作:図4(b))。
【0047】このとき、前記各フック161〜164は前
記ハンドル32上に乗せられた前記ガラス基板142
前記平板ヒーター32との間に位置するようにされてお
り、また、前記ハンドル32は前記ガラス基板142
りも幅狭に形成されているので、前記モーター9が起動
されて前記各回転軸181〜184が持ち上げられると、
前記ガラス基板142の前記ハンドル32からはみ出た
部分が前記各フック161〜164に引っかけられ、前記
ガラス基板142は前記ハンドル32上から持ち上げら
れる(フックアップ動作:図4(c))。
【0048】その後前記アーム31が畳まれると、前記
ハンドル32は前記基板加熱装置2から抜き出され(ハ
ンドルアウト動作:図4(d))、次いで前記モーター1
0が起動され、前記各平板ヒーター31〜34が上昇され
ると前記フック161〜164が前記平板ヒーター32の
表面に設けられた切れ込み部に入り、前記各フック16
1〜164の高さよりも前記平板ヒーター32表面の高さ
が高くなったところで前記各フック161〜164上に置
かれた前記ガラス基板142は前記平板ヒーター32上に
移し替えられる(ヒーターアップ動作:図4(e))。
【0049】その状態から前記回転軸181〜184を回
転させ、前記各フック161〜164を前記各切れ込み部
から抜き出すと(フックアウト動作:図4(f))、前記基
板加熱装置2への一連の基板搬入動作は終了する。そし
て、前記基板加熱装置2と前記基板搬送室45との間の
仕切バルブを閉じ、前記平板ヒーター32で前記ガラス
基板142を加熱しながら図示しない真空ポンプによっ
て真空排気して、前記ガラス基板142の脱ガス処理が
行われる。
【0050】次に該基板加熱装置2からの基板搬出動作
を説明すると、前記最下層の平板ヒーター31上に載せ
られたガラス基板141は充分加熱されており(一例を示
すと加熱時間は2分)、脱ガス処理が終了しているもの
とする。
【0051】まず、図4(f)の状態から、前記モーター
10が起動され、前記ガラス基板141の底面が、前記
各フック161〜164の表面よりもわずかに高くなるま
で前記各平板ヒーター31〜34が持ち上げられる(ヒー
ターアップ動作:図5(g))。
【0052】そして、前記各ロータリーアクチュエータ
ー171〜174の動作により、前記各フック161〜1
4が前記平板ヒーター31に設けられた切れ込み部に挿
入され(フックイン動作:図5(h))、次いで前記各平板
ヒーター31〜34が降下されると、前記ガラス基板31
は前記各フック161〜164に引っかけられる(ヒータ
ーダウン動作:図5(i))。
【0053】前記平板ヒーター31が充分に降下され、
前記ガラス基板141と前記平板ヒーター31との間に隙
間が空いたところで、その隙間に前記ハンドル32が挿
入される(ハンドルイン動作:図5(j))。
【0054】その状態から前記各フック161〜164
降下させると前記フック161〜164に引っかけられた
前記ガラス基板141は前記ハンドル32に移し替えら
れる(フックダウン動作:図5(k))。次いで前記アーム
33を縮めると、前記ガラス基板141は前記基板加熱
装置2の外部へと搬出され(ハンドルアウト動作:図5
(l))、前記スパッタ室431〜433のうち、空いてい
るスパッタ室に搬入され、ITO膜の成膜が行われる
(一例を示すと、1000Åの膜厚のITO薄膜を成膜する
場合には成膜時間は3分)。
【0055】最後に、前記各フック161〜164を前記
平板ヒーター31の切れ込み部から抜き出して(フックア
ウト動作:図6)、他のガラス基板の搬出入を行える状
態にして一連の基板搬出状態は終了する。
【0056】このように基板を平板ヒーター上に置いて
加熱するので、脱ガス時間が短く、大面積の基板を高温
に加熱してもそりや歪みが生じることはない。
【0057】また、上述のような一連の処理を行う結
果、基板を連続して処理できるようになるので、成膜処
理に要する1枚当たりの時間が短くなる。
【0058】更に、1枚当たりの成膜時間が短い場合で
も、加熱による脱ガス処理が間に合わなくなるというこ
とがなく、高価な成膜室を基板待ちの状態にせず、成膜
装置を効率よく稼働させることができる。
【0059】更にまた、基板搬送ロボットに対応し、基
板を擦らないで移し替えることができるので、ダストが
発生することはない。
【0060】なお、前記加熱装置2では4枚の平板ヒー
ターを設けたが、2枚以上であればよく、加熱時間や成
膜時間との関係で種々の枚数の平板ヒーターを設けるこ
とができる。また、本発明の加熱装置はスパッタリング
法で薄膜を成膜する成膜装置ばかりでなく、CVD法
等、スパッタリング法以外の方法で薄膜を成膜する成膜
装置に適用することが可能である。
【0061】
【発明の効果】基板1枚当たりの処理時間を短くでき、
設置面積も小さくて済む。また、加熱しても基板にそり
や歪みが生じず、ダストが発生することはない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の基板加熱装置の好ましい実施の形態
【図2】 その実施の形態に用いられる平板ヒーターの
平面図と側面図
【図3】 本発明の基板加熱装置の基板の入れ換え準備
状態を示す図
【図4】 (a)〜(f):本発明の基板加熱装置の基板搬
入動作を説明するための図
【図5】 (g)〜(l):本発明の基板加熱装置の基板搬
出動作を説明するための図
【図6】 基板搬出後の準備状態に復帰した様子を示す
【図7】 本発明の基板加熱装置が用いられる成膜装置
の一例を示す図
【図8】 従来技術の成膜装置の一例の平面図
【図9】 その成膜装置に設けられた脱ガス装置の動作
を説明するための図
【図10】 従来技術の成膜装置の他の例の断面図
【符号の説明】
2……基板加熱装置 31〜34……平板ヒーター 141、142……基板 161〜164……フック 1
1〜184……回転軸 241〜244……切れ込み部 31……基板搬送ロボット 32……ハンドル

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平板ヒーター上に基板を置いて加熱する
    基板加熱装置であって、 前記平板ヒーターを複数枚有し、各平板ヒーターが間隔
    を開けて重ねて配置され、 前記各平板ヒーターが上下動できるように構成されたこ
    とを特徴とする基板加熱装置。
  2. 【請求項2】 ハンドル上に乗せた基板を水平移動させ
    る基板搬送ロボットの、前記ハンドルと前記各平板ヒー
    ター間で基板を移し替えるように構成された基板加熱装
    置であって、 前記各平板ヒーター周囲に回転軸が鉛直に複数配置さ
    れ、 前記各回転軸は上下動と中心軸線回りの回転動ができる
    ように構成され、 前記各回転軸の下端には基板を引っかけるフックが設け
    られ、 前記各平板ヒーターは前記各フックの挿入と回転ができ
    る切れ込み部を有し、 前記各平板ヒーターと前記各回転軸の上下動と、前記各
    フックの回転動によって、前記ハンドルと前記各平板ヒ
    ーターの間で基板の移し替えができるように構成された
    ことを特徴とする請求項1記載の基板加熱装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6867841B2 (en) 2001-10-31 2005-03-15 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing liquid crystal display panels
US6882402B2 (en) * 2000-11-29 2005-04-19 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device and method for making

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6882402B2 (en) * 2000-11-29 2005-04-19 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device and method for making
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