JPH0940481A - セラミックヒーター - Google Patents
セラミックヒーターInfo
- Publication number
- JPH0940481A JPH0940481A JP18873095A JP18873095A JPH0940481A JP H0940481 A JPH0940481 A JP H0940481A JP 18873095 A JP18873095 A JP 18873095A JP 18873095 A JP18873095 A JP 18873095A JP H0940481 A JPH0940481 A JP H0940481A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- boron nitride
- ceramic heater
- pyrolytic
- pyrolytic boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 材料の構造や物性の差による厚さ方向の反り
が少なく、組立が容易で、製造コストの低いセラミック
ヒーターを提供する。 【解決手段】 炭素／炭素複合材料からなる支持基材の
表面に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁層を形成し、
該第一の絶縁層の一方の面の上に熱分解グラファイトか
らなる発熱層を形成してなることを特徴とするセラミッ
クヒーター。
が少なく、組立が容易で、製造コストの低いセラミック
ヒーターを提供する。 【解決手段】 炭素／炭素複合材料からなる支持基材の
表面に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁層を形成し、
該第一の絶縁層の一方の面の上に熱分解グラファイトか
らなる発熱層を形成してなることを特徴とするセラミッ
クヒーター。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は昇温工程を含む半導
体プロセスに使用されるセラミックヒーターに関するも
のである。
体プロセスに使用されるセラミックヒーターに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程における半導
体ウエハの加熱に使用されるヒーターとしては、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ジルコニアなどの焼結セラミッ
クスからなる支持材にモリブデン、タングステンなどの
高融点金属の線や箔を発熱体として巻き付けるか接着し
たものが用いられてきた。またこれを改良したものとし
て熱分解窒化硼素の支持材上に熱分解グラファイトから
なる発熱層を有するセラミックヒーターが開発されてい
る（例えば、「真空」No.12 、(33)、 p.53記載のユニオ
ンカーバイドサービセズ社製熱分解グラファイト／熱分
解窒化硼素ヒーター、米国特許5343022 号公報、特開平
５−１２９２１０号公報、特開平６−６１３３５号公報
参照）。また最近ではヒーター上に半導体ウエハを固定
するための静電吸着機能を付与し、高機能化したセラミ
ックヒーターが提案されている（特開平５−１０９８７
６号公報参照）。さらに支持基材に窒化硼素焼結体を用
いたものも提案されている（特開平４−３５８０７４号
公報参照）。
体ウエハの加熱に使用されるヒーターとしては、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ジルコニアなどの焼結セラミッ
クスからなる支持材にモリブデン、タングステンなどの
高融点金属の線や箔を発熱体として巻き付けるか接着し
たものが用いられてきた。またこれを改良したものとし
て熱分解窒化硼素の支持材上に熱分解グラファイトから
なる発熱層を有するセラミックヒーターが開発されてい
る（例えば、「真空」No.12 、(33)、 p.53記載のユニオ
ンカーバイドサービセズ社製熱分解グラファイト／熱分
解窒化硼素ヒーター、米国特許5343022 号公報、特開平
５−１２９２１０号公報、特開平６−６１３３５号公報
参照）。また最近ではヒーター上に半導体ウエハを固定
するための静電吸着機能を付与し、高機能化したセラミ
ックヒーターが提案されている（特開平５−１０９８７
６号公報参照）。さらに支持基材に窒化硼素焼結体を用
いたものも提案されている（特開平４−３５８０７４号
公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、前出の文献
（真空、No.12 、(33)、 p.53）に記述されているよう
に、従来のヒーターには発熱体が金属製であるため変形
や揮散が起こりやすく、短寿命であること、組立が煩雑
であること等の問題点があった。さらに支持基材に焼結
セラミックを使用しているためこれに含まれるバインダ
ーが不純物となるという問題点があった。またこれを改
良したものは、発熱体がセラミックなので長寿命であ
り、発熱体が支持機材と一体化しているため組立が容易
ではあるものの、特開平４−３５８０７４号公報に記載
されているように、支持基材である熱分解窒化硼素はＣ
ＶＤ法により堆積させて製造するため、厚さ方向に構造
や物性の差が生じ、これが原因となって反りが発生し、
ウエハとの密着性が損なわれるという問題があった。ま
た熱分解窒化硼素は、焼結セラミックに比べ、製造コス
トが高いという欠点があった。
（真空、No.12 、(33)、 p.53）に記述されているよう
に、従来のヒーターには発熱体が金属製であるため変形
や揮散が起こりやすく、短寿命であること、組立が煩雑
であること等の問題点があった。さらに支持基材に焼結
セラミックを使用しているためこれに含まれるバインダ
ーが不純物となるという問題点があった。またこれを改
良したものは、発熱体がセラミックなので長寿命であ
り、発熱体が支持機材と一体化しているため組立が容易
ではあるものの、特開平４−３５８０７４号公報に記載
されているように、支持基材である熱分解窒化硼素はＣ
ＶＤ法により堆積させて製造するため、厚さ方向に構造
や物性の差が生じ、これが原因となって反りが発生し、
ウエハとの密着性が損なわれるという問題があった。ま
た熱分解窒化硼素は、焼結セラミックに比べ、製造コス
トが高いという欠点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記問題点
に鑑み、構造や物性の差による反りが少なく、かつ低製
造コストのセラミックヒーターを提供するため鋭意研究
を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。すなわち
本発明は、炭素／炭素複合材料からなる支持基材の表面
に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁層を形成し、該第
一の絶縁層の一方の面の上に熱分解グラファイトからな
る発熱層を形成してなることを特徴とするセラミックヒ
ーターを要旨とするものである。
に鑑み、構造や物性の差による反りが少なく、かつ低製
造コストのセラミックヒーターを提供するため鋭意研究
を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。すなわち
本発明は、炭素／炭素複合材料からなる支持基材の表面
に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁層を形成し、該第
一の絶縁層の一方の面の上に熱分解グラファイトからな
る発熱層を形成してなることを特徴とするセラミックヒ
ーターを要旨とするものである。
【０００５】以下にこれをさらに詳述する。本発明のセ
ラミックヒーターは、図１（ａ）に示すように、炭素／
炭素複合材料からなる支持基材１の表面に形成された熱
分解窒化硼素からなる第一の絶縁層２、該絶縁層の一方
の面の上に形成された熱分解グラファイトからなる発熱
層３から構成されたものとされる。なお図１（ｂ）に示
すように、発熱層３が電気的に短絡することを防止する
ため、発熱層３の上に、熱分解窒化硼素からなる第二の
絶縁層４を形成することが望ましい。また、該第一の絶
縁層２のもう一方の面の上に熱分解グラファイトからな
る電極層５を形成し、さらにその上に熱分解窒化硼素か
らなる誘電体層６を形成することにより、静電吸着機能
を有する静電吸着部７を付与すると、ウエハの密着性を
向上させることができ、より好適である。
ラミックヒーターは、図１（ａ）に示すように、炭素／
炭素複合材料からなる支持基材１の表面に形成された熱
分解窒化硼素からなる第一の絶縁層２、該絶縁層の一方
の面の上に形成された熱分解グラファイトからなる発熱
層３から構成されたものとされる。なお図１（ｂ）に示
すように、発熱層３が電気的に短絡することを防止する
ため、発熱層３の上に、熱分解窒化硼素からなる第二の
絶縁層４を形成することが望ましい。また、該第一の絶
縁層２のもう一方の面の上に熱分解グラファイトからな
る電極層５を形成し、さらにその上に熱分解窒化硼素か
らなる誘電体層６を形成することにより、静電吸着機能
を有する静電吸着部７を付与すると、ウエハの密着性を
向上させることができ、より好適である。
【０００６】本発明の支持基材は炭素／炭素複合材料は
炭素繊維に樹脂を含浸させて焼成したものであり、公知
の方法で作製して得たものとすれば良い。例えばCCM-19
0C（日本カーボン社製、製品名）、CX-210（東洋炭素社
製、製品名）等が例示される。発熱層及び静電吸着用電
極の熱分解グラファイトは、例えばメタンガスを1900〜
2200℃、５Torrという条件下で熱分解することによって
得られたものとすれば良い。この厚さは薄すぎると強度
不足の問題があり、厚すぎると剥離の問題があるので10
〜300 μｍとすればよい。第１の絶縁層は主成分が熱分
解窒化硼素よりなり、これは例えばアンモニアと三塩化
硼素との容量混合比４：１の混合気体を1800〜2000℃、
１０Torrの条件下で熱分解することによって得られたも
のとすれば良い。この厚さは薄すぎると強度不足の問題
があり、厚すぎると剥離の問題があるので50〜500 μｍ
とすればよい。また、誘電体層及び第２の絶縁層は、第
１の絶縁層と同様に熱分解窒化硼素からなり、厚さは薄
すぎると絶縁破壊の問題があり、厚すぎると静電吸着力
の低下の問題があるので50〜500 μｍとすればよい。
炭素繊維に樹脂を含浸させて焼成したものであり、公知
の方法で作製して得たものとすれば良い。例えばCCM-19
0C（日本カーボン社製、製品名）、CX-210（東洋炭素社
製、製品名）等が例示される。発熱層及び静電吸着用電
極の熱分解グラファイトは、例えばメタンガスを1900〜
2200℃、５Torrという条件下で熱分解することによって
得られたものとすれば良い。この厚さは薄すぎると強度
不足の問題があり、厚すぎると剥離の問題があるので10
〜300 μｍとすればよい。第１の絶縁層は主成分が熱分
解窒化硼素よりなり、これは例えばアンモニアと三塩化
硼素との容量混合比４：１の混合気体を1800〜2000℃、
１０Torrの条件下で熱分解することによって得られたも
のとすれば良い。この厚さは薄すぎると強度不足の問題
があり、厚すぎると剥離の問題があるので50〜500 μｍ
とすればよい。また、誘電体層及び第２の絶縁層は、第
１の絶縁層と同様に熱分解窒化硼素からなり、厚さは薄
すぎると絶縁破壊の問題があり、厚すぎると静電吸着力
の低下の問題があるので50〜500 μｍとすればよい。
【０００７】支持基材に用いる炭素／炭素複合材料は、
上記の方法で製造されるため、熱分解窒化硼素等の熱Ｃ
ＶＤ法により製造されたものに比べ厚さ方向に均質なも
のが得られ、温度変化に伴う基材自体の厚さ方向の反り
が発生し難い。また、炭素／炭素複合材料は熱分解グラ
ファイトや熱分解窒化硼素と熱−機械的物性が一致し
（例えば面方向の熱膨張率は共に１×10-6／℃）、さら
に炭素／炭素複合材料自体が厚く製造できるものである
ため、熱内部応力による剥離や厚さ方向の反りが発生し
難い。さらに、炭素／炭素複合材料の炭素繊維の隙間に
熱分解窒化硼素が入り込み強い結合が得られるため、外
的応力による剥離が発生し難い。
上記の方法で製造されるため、熱分解窒化硼素等の熱Ｃ
ＶＤ法により製造されたものに比べ厚さ方向に均質なも
のが得られ、温度変化に伴う基材自体の厚さ方向の反り
が発生し難い。また、炭素／炭素複合材料は熱分解グラ
ファイトや熱分解窒化硼素と熱−機械的物性が一致し
（例えば面方向の熱膨張率は共に１×10-6／℃）、さら
に炭素／炭素複合材料自体が厚く製造できるものである
ため、熱内部応力による剥離や厚さ方向の反りが発生し
難い。さらに、炭素／炭素複合材料の炭素繊維の隙間に
熱分解窒化硼素が入り込み強い結合が得られるため、外
的応力による剥離が発生し難い。
【０００８】また炭素／炭素複合材料は導電性なので、
表面に絶縁層が必要となるが、製造コストの比較的低い
炭素／炭素複合材料を主体とし、製造コストの高い熱分
解窒化硼素を表面に薄く形成すれば良いため、全体的に
は低コストとなる。支持基材に、より低コストな材料、
例えばグラファイトを用いることも考えられるが、グラ
ファイトは等方性品は熱膨張率が大きいため剥離・反り
が生じるため不都合であり、押し出し成形品の中には熱
膨張率が一致するものもあるが、強度が弱いため好まし
くない。また窒化硼素焼結体は製造コストは同程度だが
高温での強度が弱く好ましくない。
表面に絶縁層が必要となるが、製造コストの比較的低い
炭素／炭素複合材料を主体とし、製造コストの高い熱分
解窒化硼素を表面に薄く形成すれば良いため、全体的に
は低コストとなる。支持基材に、より低コストな材料、
例えばグラファイトを用いることも考えられるが、グラ
ファイトは等方性品は熱膨張率が大きいため剥離・反り
が生じるため不都合であり、押し出し成形品の中には熱
膨張率が一致するものもあるが、強度が弱いため好まし
くない。また窒化硼素焼結体は製造コストは同程度だが
高温での強度が弱く好ましくない。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によれば、支持基材が炭素
／炭素複合材料からなり、材料間の構造や物性の差が小
さいため、応力によるセラミックヒーターの厚さ方向の
反りや剥離が低減化される。
／炭素複合材料からなり、材料間の構造や物性の差が小
さいため、応力によるセラミックヒーターの厚さ方向の
反りや剥離が低減化される。
【００１０】次に、本発明の実施の形態を実施例、比較
例を挙げ、図１にそって説明する。 実施例１ 炭素／炭素複合材料としてCX210 （東洋炭素社製、製品
名）からなる直径２３０mm、厚さ５mmの円板状の支持基
材１の表面に、反応ガスとしてアンモニアと三塩化硼素
を４：１の容量混合比で流し、1900℃、１Torrの条件下
で反応させて、この円板表面に厚さ０．１ｍｍの熱分解
窒化硼素からなる第一の絶縁層２を形成した。ついでメ
タンガスを1800℃、３Torrの条件下で熱分解させてこの
円板の両面に厚さ０．１ｍｍの熱分解グラファイト層を
形成し、一方の面の該熱分解グラファイト層よりヒータ
ーパターンを加工して発熱体３とした。またもう一方の
面の該熱分解グラファイト層より双極型静電吸着用電極
パターンを加工して静電吸着部の電極５とした。さらに
該発熱体３の上に反応ガスとしてアンモニアと三塩化硼
素を４：１の容量混合比で流し、1900℃、１Torrの条件
下で反応させ、該発熱体３の上に厚さ０．１ｍｍの熱分
解窒化硼素からなる第二の絶縁層４を形成した。同様
に、静電吸着部の電極５の上に、反応ガスとしてアンモ
ニアと三塩化硼素を４：１の容量混合比で流し、1900
℃、１Torrの条件下で反応させ、該静電吸着部の電極５
の上に厚さ０．３ｍｍの熱分解窒化硼素からなる静電吸
着部誘電体層６を形成して、静電吸着機能を有する図１
（ｂ）のセラミックヒーターを作製した。このヒーター
の、静電吸着部誘電体層表面の反りを三次元測定機（ミ
ツトヨ社製）により測定したところ、０．２ｍｍであっ
た。
例を挙げ、図１にそって説明する。 実施例１ 炭素／炭素複合材料としてCX210 （東洋炭素社製、製品
名）からなる直径２３０mm、厚さ５mmの円板状の支持基
材１の表面に、反応ガスとしてアンモニアと三塩化硼素
を４：１の容量混合比で流し、1900℃、１Torrの条件下
で反応させて、この円板表面に厚さ０．１ｍｍの熱分解
窒化硼素からなる第一の絶縁層２を形成した。ついでメ
タンガスを1800℃、３Torrの条件下で熱分解させてこの
円板の両面に厚さ０．１ｍｍの熱分解グラファイト層を
形成し、一方の面の該熱分解グラファイト層よりヒータ
ーパターンを加工して発熱体３とした。またもう一方の
面の該熱分解グラファイト層より双極型静電吸着用電極
パターンを加工して静電吸着部の電極５とした。さらに
該発熱体３の上に反応ガスとしてアンモニアと三塩化硼
素を４：１の容量混合比で流し、1900℃、１Torrの条件
下で反応させ、該発熱体３の上に厚さ０．１ｍｍの熱分
解窒化硼素からなる第二の絶縁層４を形成した。同様
に、静電吸着部の電極５の上に、反応ガスとしてアンモ
ニアと三塩化硼素を４：１の容量混合比で流し、1900
℃、１Torrの条件下で反応させ、該静電吸着部の電極５
の上に厚さ０．３ｍｍの熱分解窒化硼素からなる静電吸
着部誘電体層６を形成して、静電吸着機能を有する図１
（ｂ）のセラミックヒーターを作製した。このヒーター
の、静電吸着部誘電体層表面の反りを三次元測定機（ミ
ツトヨ社製）により測定したところ、０．２ｍｍであっ
た。
【００１１】実施例２ 第一の熱分解グラファイト層の形成を片面のみとし、か
つ静電吸着部の電極、第二の絶縁層、誘電体層を設けな
い以外は実施例１と同様に行って、図１（ａ）のセラミ
ックヒーターを作製した。このヒーターの第１の絶縁層
表面の反りは、実施例１と同様の方法で測定した結果、
０．３ｍｍであった。
つ静電吸着部の電極、第二の絶縁層、誘電体層を設けな
い以外は実施例１と同様に行って、図１（ａ）のセラミ
ックヒーターを作製した。このヒーターの第１の絶縁層
表面の反りは、実施例１と同様の方法で測定した結果、
０．３ｍｍであった。
【００１２】比較例 アンモニアと三塩化硼素を容量混合比４：１、1900℃、
１Torrの条件下で反応させ、直径２３０mm、厚さ２mmの
熱分解窒化硼素からなる円板状の支持基材を形成した。
この基材の片面に、メタンガスを1800℃、３Torrの条件
下で熱分解させて厚さ０．１ｍｍの熱分解グラファイト
層を形成し、該熱分解グラファイト層よりヒーターパタ
ーンを加工して発熱体として、セラミックヒーターを作
製した。このヒーターの支持基材表面の反りは、実施例
１と同様の方法で測定した結果、１．２ｍｍであった。
１Torrの条件下で反応させ、直径２３０mm、厚さ２mmの
熱分解窒化硼素からなる円板状の支持基材を形成した。
この基材の片面に、メタンガスを1800℃、３Torrの条件
下で熱分解させて厚さ０．１ｍｍの熱分解グラファイト
層を形成し、該熱分解グラファイト層よりヒーターパタ
ーンを加工して発熱体として、セラミックヒーターを作
製した。このヒーターの支持基材表面の反りは、実施例
１と同様の方法で測定した結果、１．２ｍｍであった。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、組立が容易なセラミッ
クヒーターを低コストで製造できる。また、反りが低減
化され、ウエハとの密着性が良いため、高性能化された
セラミックヒーターとすることができる。
クヒーターを低コストで製造できる。また、反りが低減
化され、ウエハとの密着性が良いため、高性能化された
セラミックヒーターとすることができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例によるセラミックヒー
ターの断面模式図である。 （ｂ）本発明の他の実施例によるセラミックヒーターの
断面模式図である。
ターの断面模式図である。 （ｂ）本発明の他の実施例によるセラミックヒーターの
断面模式図である。
１ 支持基材 ２ 第一の絶縁層 ３ 発熱体 ４ 第二の絶縁層 ５ 静電吸着部電極層 ６ 静電吸着部誘電体層 ７ 静電吸着部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 和弘 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社群馬事業所内
Claims (3)
- 【請求項１】 炭素／炭素複合材料からなる支持基材の
表面に熱分解窒化硼素からなる第一の絶縁層を形成し、
該第一の絶縁層の一方の面の上に熱分解グラファイトか
らなる発熱層を形成してなることを特徴とするセラミッ
クヒーター。 - 【請求項２】 該発熱層の上に熱分解窒化硼素からなる
第二の絶縁層を形成してなる請求項１記載のセラミック
ヒーター。 - 【請求項３】 該第一の絶縁層のもう一方の面の上に熱
分解グラファイトからなる電極層を形成し、その上に熱
分解窒化硼素からなる誘電体層を形成してなる静電吸着
部を有する請求項１または２記載のセラミックヒータ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18873095A JPH0940481A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | セラミックヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18873095A JPH0940481A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | セラミックヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940481A true JPH0940481A (ja) | 1997-02-10 |
Family
ID=16228780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18873095A Pending JPH0940481A (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | セラミックヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0940481A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003434A1 (fr) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Ibiden Co., Ltd. | Radiateur ceramique pour appareil de fabrication ou de test de semi-conducteurs |
| WO2002007196A1 (fr) * | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs |
| WO2002007195A1 (fr) * | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs, son procede de fabrication, et son systeme de fabrication |
| JP2007299867A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
| JP2008159900A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付きセラミックヒーター |
| JP2009543996A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 炉のためのマルチゾーンヒータ |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP18873095A patent/JPH0940481A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003434A1 (fr) * | 2000-07-03 | 2002-01-10 | Ibiden Co., Ltd. | Radiateur ceramique pour appareil de fabrication ou de test de semi-conducteurs |
| US6897414B2 (en) | 2000-07-03 | 2005-05-24 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic heater for semiconductor manufacturing/testing apparatus |
| WO2002007196A1 (fr) * | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs |
| WO2002007195A1 (fr) * | 2000-07-19 | 2002-01-24 | Ibiden Co., Ltd. | Dispositif chauffant ceramique pour la fabrication/verification de semi-conducteurs, son procede de fabrication, et son systeme de fabrication |
| US6967312B2 (en) | 2000-07-19 | 2005-11-22 | Ibiden Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing/testing ceramic heater, production method for the ceramic heater and production system for the ceramic heater |
| JP2007299867A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
| US7679880B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-03-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
| JP4524268B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2010-08-11 | 信越化学工業株式会社 | 静電チャック機能付きセラミックヒーター及びその製造方法 |
| JP2009543996A (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 炉のためのマルチゾーンヒータ |
| JP4912463B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2012-04-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 炉のためのマルチゾーンヒータ |
| JP2008159900A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電チャック付きセラミックヒーター |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5665260A (en) | Ceramic electrostatic chuck with built-in heater | |
| KR100287450B1 (ko) | 정전척이 부착된 세라믹 히터(ceramic electrostatic chuck with built-in heater) | |
| JP4430769B2 (ja) | セラミックス加熱治具 | |
| US5566043A (en) | Ceramic electrostatic chuck with built-in heater | |
| US6917021B2 (en) | Heating apparatus with electrostatic attraction function | |
| JPS6153955B2 (ja) | ||
| JPH0940481A (ja) | セラミックヒーター | |
| US5350720A (en) | Triple-layered ceramic heater | |
| JP2533679B2 (ja) | 盤状セラミックスヒ―タ―及びその製造方法 | |
| JPS6022347A (ja) | 半導体素子搭載用基板 | |
| KR20080059501A (ko) | 정전 척이 부착된 세라믹 히터 | |
| JP3481717B2 (ja) | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 | |
| JP3914377B2 (ja) | 静電吸着機能を有するウエーハ加熱装置 | |
| JP2756944B2 (ja) | セラミックス静電チャック | |
| JP3057670B2 (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| KR20070106383A (ko) | 정전척 및 그 제조방법 | |
| JP3693077B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3835491B2 (ja) | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 | |
| JP3812600B2 (ja) | 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置 | |
| JP2948357B2 (ja) | 複層セラミックスヒ−タ− | |
| JP3519744B2 (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| JPH05198355A (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| JPH05194046A (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| JPH07297267A (ja) | 静電チャック付セラミックスヒーター | |
| JP2002246455A (ja) | 静電チャックの製造方法 |