JPH0937155A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH0937155A JPH0937155A JP7201850A JP20185095A JPH0937155A JP H0937155 A JPH0937155 A JP H0937155A JP 7201850 A JP7201850 A JP 7201850A JP 20185095 A JP20185095 A JP 20185095A JP H0937155 A JPH0937155 A JP H0937155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pixel
- shielded
- column
- column selection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000010187 selection method Methods 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
- H04N25/633—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current by using optical black pixels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップサイズを増大させることなくバラツキ
が小さい基準黒レベルを出力させる固体撮像装置を提供
する。 【構成】 遮光されたＣＭＤ画素に接続された列ライン
３−Ｋ，３−（Ｋ＋１），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）を、列
選択用スイッチトランジスタ４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），
・・・４−（Ｋ＋Ｌ）に接続される直前において、接続
線13によって共通に接続し、更に列ライン３−Ｋは列選
択用スイッチトランジスタ４−Ｋを介して信号線６に接
続し、列ライン３−（Ｋ＋１），３−（Ｋ＋２），・・
・３−（Ｋ＋Ｌ）はそれぞれ列選択用スイッチトランジ
スタ４−（Ｋ＋１），４−（Ｋ＋２），・・・４−（Ｋ
＋Ｌ）を介して基準電位ＧＮＤに接地されたレファレン
ス・ライン７に共通に接続し、信号線６は電流ー電圧変
換プリアンプ12に接続して、固体撮像装置を構成する。
が小さい基準黒レベルを出力させる固体撮像装置を提供
する。 【構成】 遮光されたＣＭＤ画素に接続された列ライン
３−Ｋ，３−（Ｋ＋１），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）を、列
選択用スイッチトランジスタ４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），
・・・４−（Ｋ＋Ｌ）に接続される直前において、接続
線13によって共通に接続し、更に列ライン３−Ｋは列選
択用スイッチトランジスタ４−Ｋを介して信号線６に接
続し、列ライン３−（Ｋ＋１），３−（Ｋ＋２），・・
・３−（Ｋ＋Ｌ）はそれぞれ列選択用スイッチトランジ
スタ４−（Ｋ＋１），４−（Ｋ＋２），・・・４−（Ｋ
＋Ｌ）を介して基準電位ＧＮＤに接地されたレファレン
ス・ライン７に共通に接続し、信号線６は電流ー電圧変
換プリアンプ12に接続して、固体撮像装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＭＤ（Charge
Modulation Device）やＳＩＴ（Static Induction Tra
nsistor ）のような増幅型固体撮像素子を画素として用
いた固体撮像装置に関し、特にバラツキの小さい基準黒
レベルを出力することの可能な上記固体撮像装置に関す
る。
Modulation Device）やＳＩＴ（Static Induction Tra
nsistor ）のような増幅型固体撮像素子を画素として用
いた固体撮像装置に関し、特にバラツキの小さい基準黒
レベルを出力することの可能な上記固体撮像装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像装置の出力信号における
基準黒レベルを求める方式としては、画素群の一部を遮
光膜で覆うなどの方法で遮光し、その遮光画素の出力信
号を基準黒レベルとする手法が一般的である。
基準黒レベルを求める方式としては、画素群の一部を遮
光膜で覆うなどの方法で遮光し、その遮光画素の出力信
号を基準黒レベルとする手法が一般的である。
【０００３】この方式を、本件出願人が提案したＣＭＤ
撮像素子を用いた固体撮像装置に適用した場合の構成例
について説明する。なお、ＣＭＤ撮像素子は、光照射に
より生成されゲート電極下に蓄積された電荷量によりソ
ース・ドレイン電流を変調する一種のフォトトランジス
タで、特開昭６１−８４０５９号公報や、１９８６年に
開催された International Electron Device Meeting
（ＩＥＤＭ）予稿集の第353 〜356 頁の“ A NEW MOS I
MAGESENSOR OPERATEING IN A NON-DESTRUCIVE READOUT
MODE”という題名の論文で、その内容が記述されてい
る。
撮像素子を用いた固体撮像装置に適用した場合の構成例
について説明する。なお、ＣＭＤ撮像素子は、光照射に
より生成されゲート電極下に蓄積された電荷量によりソ
ース・ドレイン電流を変調する一種のフォトトランジス
タで、特開昭６１−８４０５９号公報や、１９８６年に
開催された International Electron Device Meeting
（ＩＥＤＭ）予稿集の第353 〜356 頁の“ A NEW MOS I
MAGESENSOR OPERATEING IN A NON-DESTRUCIVE READOUT
MODE”という題名の論文で、その内容が記述されてい
る。
【０００４】次に、かかるＣＭＤ撮像素子を用いた従来
の固体撮像装置の構成例を、図７の回路構成図に基づい
て説明する。まず、各画素を構成するＣＭＤ１−11，１
−12，・・・１−MNをマトリクス状に配列し、その各ド
レインには共通にバイアスＶＤ（＞０）を印加する。前
記マトリクスの画素アレイ構成は水平Ｎ個×垂直Ｍ個
で、そのうち水平５個からＮ個までの画素は遮光されて
おり、１Ａは遮光画素領域を示している。Ｘ方向に配列
されたＣＭＤ群のゲート端子は、行ライン２−１，２−
２，・・・２−Ｍにそれぞれ接続し、Ｙ方向に配列され
たＣＭＤ群のソース端子は、列ライン３−１，３−２，
・・・３−Ｎにそれぞれ接続されている。上記列ライン
３−１，３−２，・・・３−Ｎは、それぞれ列選択用ス
イッチトランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ及び
反選択用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・
５−Ｎを介して、信号線６及び基準電位ＧＮＤに接地さ
れたレファレンス・ライン７にそれぞれ共通に接続され
ている。信号線６は入力が仮想接地された電流−電圧変
換型のプリアンプ12に接続され、プリアンプ12の出力端
子９には負極性の映像信号が時系列に読み出されように
なっている。
の固体撮像装置の構成例を、図７の回路構成図に基づい
て説明する。まず、各画素を構成するＣＭＤ１−11，１
−12，・・・１−MNをマトリクス状に配列し、その各ド
レインには共通にバイアスＶＤ（＞０）を印加する。前
記マトリクスの画素アレイ構成は水平Ｎ個×垂直Ｍ個
で、そのうち水平５個からＮ個までの画素は遮光されて
おり、１Ａは遮光画素領域を示している。Ｘ方向に配列
されたＣＭＤ群のゲート端子は、行ライン２−１，２−
２，・・・２−Ｍにそれぞれ接続し、Ｙ方向に配列され
たＣＭＤ群のソース端子は、列ライン３−１，３−２，
・・・３−Ｎにそれぞれ接続されている。上記列ライン
３−１，３−２，・・・３−Ｎは、それぞれ列選択用ス
イッチトランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ及び
反選択用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・
５−Ｎを介して、信号線６及び基準電位ＧＮＤに接地さ
れたレファレンス・ライン７にそれぞれ共通に接続され
ている。信号線６は入力が仮想接地された電流−電圧変
換型のプリアンプ12に接続され、プリアンプ12の出力端
子９には負極性の映像信号が時系列に読み出されように
なっている。
【０００５】また、行ライン２−１，２−２，・・・２
−Ｍは垂直走査回路10に接続して、それぞれ信号φＧ
１，φＧ２，・・・φＧＭを印加し、列選択用スイッチ
トランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ及び反選択
用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎ
のゲート端子は、水平走査回路11に接続して、それぞれ
信号φＳ１，φＳ２，・・・φＳＮ及び各々の反転信号
を印加する。なお、図示しないが各ＣＭＤは同一基板上
に形成され、その基板には基板電圧ＶＳＵＢを印加する
ようになっている。
−Ｍは垂直走査回路10に接続して、それぞれ信号φＧ
１，φＧ２，・・・φＧＭを印加し、列選択用スイッチ
トランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ及び反選択
用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎ
のゲート端子は、水平走査回路11に接続して、それぞれ
信号φＳ１，φＳ２，・・・φＳＮ及び各々の反転信号
を印加する。なお、図示しないが各ＣＭＤは同一基板上
に形成され、その基板には基板電圧ＶＳＵＢを印加する
ようになっている。
【０００６】図８は、図７に示したＣＭＤ撮像素子を用
いた固体撮像装置の動作を説明するための信号波形図で
ある。垂直走査回路10の作動により、行ライン２−１，
２−２，・・・２−Ｍに印加される信号φＧ１，φＧ
２，・・・φＧＭは、読み出し電圧ＶＲＤ、リセット電
圧ＶＲＳＴ、オーバーフロー電圧ＶＯＦ、及び蓄積電圧
ＶＩＮＴよりなり、非選択行においては映像信号の水平
有効期間中は蓄積電圧ＶＩＮＴ、水平帰線期間中はオー
バーフロー電圧ＶＯＦとなり、選択行においては映像信
号の水平有効期間中は読み出し電圧ＶＲＤ、水平帰線期
間中はリセット電圧ＶＲＳＴとなる。なお、前記オーバ
ーフロー電圧ＶＯＦについては、特開昭６１−１３６３
８８号公報に、更に詳細に説明されている。
いた固体撮像装置の動作を説明するための信号波形図で
ある。垂直走査回路10の作動により、行ライン２−１，
２−２，・・・２−Ｍに印加される信号φＧ１，φＧ
２，・・・φＧＭは、読み出し電圧ＶＲＤ、リセット電
圧ＶＲＳＴ、オーバーフロー電圧ＶＯＦ、及び蓄積電圧
ＶＩＮＴよりなり、非選択行においては映像信号の水平
有効期間中は蓄積電圧ＶＩＮＴ、水平帰線期間中はオー
バーフロー電圧ＶＯＦとなり、選択行においては映像信
号の水平有効期間中は読み出し電圧ＶＲＤ、水平帰線期
間中はリセット電圧ＶＲＳＴとなる。なお、前記オーバ
ーフロー電圧ＶＯＦについては、特開昭６１−１３６３
８８号公報に、更に詳細に説明されている。
【０００７】一方、水平走査回路11の作動により列選択
用スイッチトランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ
のゲート端子に印加される信号φＳ１，φＳ２，・・・
φＳＮは、列ライン３−１，３−２，・・・３−Ｎを選
択するための信号で、低レベルは列選択用スイッチトラ
ンジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎをオフ、反選択
用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎ
をオン、高レベルは列選択用スイッチトランジスタ４−
１，４−２，・・・４−Ｎをオン、反選択用スイッチト
ランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎをオフする電
圧値になるように設定され、選択行に読み出し電圧ＶＲ
Ｄが印加されている期間に、列選択用スイッチトランジ
スタ４−１，４−２，・・・４−Ｎを順次オンし、各Ｃ
ＭＤ画素の光信号を信号線６により順次読み出し、プリ
アンプ12で信号電流を電圧変換して出力するようになっ
ている。図９はプリアンプ12の出力端子９から出力され
る１行分のビデオ信号を表しており、受光画素の信号の
出力期間ｔI に引き続いて遮光画素の信号が出力期間ｔ
B に読み出されることを示している。
用スイッチトランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ
のゲート端子に印加される信号φＳ１，φＳ２，・・・
φＳＮは、列ライン３−１，３−２，・・・３−Ｎを選
択するための信号で、低レベルは列選択用スイッチトラ
ンジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎをオフ、反選択
用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎ
をオン、高レベルは列選択用スイッチトランジスタ４−
１，４−２，・・・４−Ｎをオン、反選択用スイッチト
ランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎをオフする電
圧値になるように設定され、選択行に読み出し電圧ＶＲ
Ｄが印加されている期間に、列選択用スイッチトランジ
スタ４−１，４−２，・・・４−Ｎを順次オンし、各Ｃ
ＭＤ画素の光信号を信号線６により順次読み出し、プリ
アンプ12で信号電流を電圧変換して出力するようになっ
ている。図９はプリアンプ12の出力端子９から出力され
る１行分のビデオ信号を表しており、受光画素の信号の
出力期間ｔI に引き続いて遮光画素の信号が出力期間ｔ
B に読み出されることを示している。
【０００８】なお、図７中φＨＳＴ，φＨ１，φＨ２
は、水平走査回路11を駆動するためのスタート信号及び
クロック信号を示している。また、φＶＳＴ，φＶ１，
φＶ２は、垂直走査回路10を駆動するためのスタート信
号及びクロック信号を示しており、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３
は、それぞれＣＭＤ画素のゲートに印加する読み出し電
圧ＶＲＤ、リセット電圧ＶＲＳＴ、オーバーフロー電圧
ＶＯＦを与える入力電圧を示している。
は、水平走査回路11を駆動するためのスタート信号及び
クロック信号を示している。また、φＶＳＴ，φＶ１，
φＶ２は、垂直走査回路10を駆動するためのスタート信
号及びクロック信号を示しており、Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３
は、それぞれＣＭＤ画素のゲートに印加する読み出し電
圧ＶＲＤ、リセット電圧ＶＲＳＴ、オーバーフロー電圧
ＶＯＦを与える入力電圧を示している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図９に示し
たビデオ信号において、基準黒レベルを設定する一般的
な回路として、図10に等価的に示すようなクランプ回路
がある。このクランプ回路は、入出力間にコンデンサ21
を直列に挿入し、その出力端と基準電位ＧＮＤの間に、
抵抗22とスイッチ素子23とクランプ電源24を直列に接続
して構成した回路であり、前記スイッチ素子23を前記ビ
デオ信号の遮光画素信号出力期間ｔB 内にオン、受光画
素信号出力期間ｔI にオフさせることにより、遮光画素
信号出力の直流電圧レベルを前記クランプ電源24の電圧
値ＶＣＬにホールドするものである。また、このクラン
プ回路の遮光画素出力変化に対するレスポンスは、前記
コンデンサ21の容量値Ｃと前記抵抗22の抵抗値Ｒの直列
回路の時定数で決まる。
たビデオ信号において、基準黒レベルを設定する一般的
な回路として、図10に等価的に示すようなクランプ回路
がある。このクランプ回路は、入出力間にコンデンサ21
を直列に挿入し、その出力端と基準電位ＧＮＤの間に、
抵抗22とスイッチ素子23とクランプ電源24を直列に接続
して構成した回路であり、前記スイッチ素子23を前記ビ
デオ信号の遮光画素信号出力期間ｔB 内にオン、受光画
素信号出力期間ｔI にオフさせることにより、遮光画素
信号出力の直流電圧レベルを前記クランプ電源24の電圧
値ＶＣＬにホールドするものである。また、このクラン
プ回路の遮光画素出力変化に対するレスポンスは、前記
コンデンサ21の容量値Ｃと前記抵抗22の抵抗値Ｒの直列
回路の時定数で決まる。
【００１０】一方、図７に示す固体撮像装置から出力さ
れる遮光画素の信号には、暗電流やＣＭＤ撮像素子のト
ランジスタ特性のバラツキが含まれる。したがって、前
記クランプ回路によって基準黒レベルを設定するとき、
前記時定数を小さく設定すると、遮光画素出力信号のバ
ラツキの影響を受け、前記ビデオ信号をモニタに出力し
たとき、横筋が見えるという不具合が生じる。この不具
合を回避するためには、時定数を大きく設定すればよい
が、そのためには、クランプ期間を長くとる、即ち、水
平遮光画素数を多く設定する必要があり、チップサイズ
を増大させる原因となる。
れる遮光画素の信号には、暗電流やＣＭＤ撮像素子のト
ランジスタ特性のバラツキが含まれる。したがって、前
記クランプ回路によって基準黒レベルを設定するとき、
前記時定数を小さく設定すると、遮光画素出力信号のバ
ラツキの影響を受け、前記ビデオ信号をモニタに出力し
たとき、横筋が見えるという不具合が生じる。この不具
合を回避するためには、時定数を大きく設定すればよい
が、そのためには、クランプ期間を長くとる、即ち、水
平遮光画素数を多く設定する必要があり、チップサイズ
を増大させる原因となる。
【００１１】本発明は、従来の固体撮像装置における上
記問題点を解消するためになされたもので、チップサイ
ズを増大させることなくバラツキが小さい基準黒レベル
を出力させる固体撮像装置を提供することを目的とす
る。
記問題点を解消するためになされたもので、チップサイ
ズを増大させることなくバラツキが小さい基準黒レベル
を出力させる固体撮像装置を提供することを目的とす
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１記載の発明は、半導体層の表面に該表面と
平行にソース・ドレイン電流が流れるようにソース領域
及びドレイン領域を形成すると共に、該ソース領域とド
レイン領域間の半導体層の表面に絶縁層を介してゲート
電極を設けて構成した電荷変調素子を画素とし、該画素
をマトリクス状に多数配列し、該配列した画素群の一部
の複数の列の画素を遮光した画素アレイと、該画素アレ
イの各画素をソース・ゲート選択方式により順次選択し
て画素信号を読み出す走査手段とを備えた固体撮像装置
において、前記遮光した画素に接続された複数の列ライ
ンを、該列ラインにそれぞれ接続される列選択用スイッ
チトランジスタの第１の主電極の直前で共通に接続し、
該列選択用スイッチトランジスタの第２の主電極は、１
個を除き出力信号の基準電位に接続し、前記除いた１個
の第２の主電極は信号出力線に接続し、且つ前記遮光し
た画素に接続された複数の列ラインにそれぞれ接続され
た列選択用スイッチトランジスタのすべての制御端子を
共通に接続し、該制御端子に遮光画素選択用列選択パル
スを印加することによって遮光画素の信号出力を得るよ
うに構成するものである。
め、請求項１記載の発明は、半導体層の表面に該表面と
平行にソース・ドレイン電流が流れるようにソース領域
及びドレイン領域を形成すると共に、該ソース領域とド
レイン領域間の半導体層の表面に絶縁層を介してゲート
電極を設けて構成した電荷変調素子を画素とし、該画素
をマトリクス状に多数配列し、該配列した画素群の一部
の複数の列の画素を遮光した画素アレイと、該画素アレ
イの各画素をソース・ゲート選択方式により順次選択し
て画素信号を読み出す走査手段とを備えた固体撮像装置
において、前記遮光した画素に接続された複数の列ライ
ンを、該列ラインにそれぞれ接続される列選択用スイッ
チトランジスタの第１の主電極の直前で共通に接続し、
該列選択用スイッチトランジスタの第２の主電極は、１
個を除き出力信号の基準電位に接続し、前記除いた１個
の第２の主電極は信号出力線に接続し、且つ前記遮光し
た画素に接続された複数の列ラインにそれぞれ接続され
た列選択用スイッチトランジスタのすべての制御端子を
共通に接続し、該制御端子に遮光画素選択用列選択パル
スを印加することによって遮光画素の信号出力を得るよ
うに構成するものである。
【００１３】次に、このように構成した固体撮像装置の
主要部の構成、及びその構成に基づいて得られる遮光画
素の信号出力について、図１に示す概略図を用いて説明
する。図１において、列ライン３−Ｋ，３−（Ｋ＋
１），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）は遮光されたＣＭＤ撮像素
子で構成された画素の列ラインであり、列選択用スイッ
チトランジスタ４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），・・・４−
（Ｋ＋Ｌ）に接続される直前において、接続線13によっ
て共通に接続されている。更に、列ライン３−Ｋについ
ては、列選択用スイッチトランジスタ４−Ｋを介して信
号線６に接続されており、他の列ライン３−Ｋ（Ｋ＋
１），３−（Ｋ＋２），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）は、それ
ぞれ列選択用スイッチトランジスタ４−Ｋ（Ｋ＋１），
４−（Ｋ＋２），・・・４−（Ｋ＋Ｌ）を介して、基準
電位ＧＮＤに接地されたレファレンス・ライン７にそれ
ぞれ共通に接続されている。前記信号線６は従来例と同
様に、仮想接地された電流ー電圧変換プリアンプ12に接
続されている。
主要部の構成、及びその構成に基づいて得られる遮光画
素の信号出力について、図１に示す概略図を用いて説明
する。図１において、列ライン３−Ｋ，３−（Ｋ＋
１），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）は遮光されたＣＭＤ撮像素
子で構成された画素の列ラインであり、列選択用スイッ
チトランジスタ４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），・・・４−
（Ｋ＋Ｌ）に接続される直前において、接続線13によっ
て共通に接続されている。更に、列ライン３−Ｋについ
ては、列選択用スイッチトランジスタ４−Ｋを介して信
号線６に接続されており、他の列ライン３−Ｋ（Ｋ＋
１），３−（Ｋ＋２），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）は、それ
ぞれ列選択用スイッチトランジスタ４−Ｋ（Ｋ＋１），
４−（Ｋ＋２），・・・４−（Ｋ＋Ｌ）を介して、基準
電位ＧＮＤに接地されたレファレンス・ライン７にそれ
ぞれ共通に接続されている。前記信号線６は従来例と同
様に、仮想接地された電流ー電圧変換プリアンプ12に接
続されている。
【００１４】このように構成された固体撮像装置におい
て、列選択パルスφＳＫが高レベルとなり、列選択用ス
イッチトランジスタ４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），・・・４
−（Ｋ＋Ｌ）がオンすると、選択された行の遮光画素の
信号電流は、列ライン３−Ｋ，３−（Ｋ＋１），・・・
３−（Ｋ＋Ｌ）を流れ、接続線13によってこれらは加算
される。この加算電流は列選択用スイッチトランジスタ
４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），・・・４−（Ｋ＋Ｌ）を介し
て、信号ライン６及びレファレンス・ライン７に流れ
る。このとき、前記列ライン３−Ｋ，３−（Ｋ＋１），
・・・３−（Ｋ＋Ｌ）からみた出力インピーダンスは、
すべて同じであるから、信号線６には、列ライン３−
Ｋ，３−（Ｋ＋１），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）に流れる遮
光画素の出力信号の和の１／（Ｌ＋１）の電流が流れ
る。即ち、列選択パルスφＳＫが高レベルの期間、選択
行の遮光画素の平均信号電流を得ることができる。
て、列選択パルスφＳＫが高レベルとなり、列選択用ス
イッチトランジスタ４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），・・・４
−（Ｋ＋Ｌ）がオンすると、選択された行の遮光画素の
信号電流は、列ライン３−Ｋ，３−（Ｋ＋１），・・・
３−（Ｋ＋Ｌ）を流れ、接続線13によってこれらは加算
される。この加算電流は列選択用スイッチトランジスタ
４−Ｋ，４−（Ｋ＋１），・・・４−（Ｋ＋Ｌ）を介し
て、信号ライン６及びレファレンス・ライン７に流れ
る。このとき、前記列ライン３−Ｋ，３−（Ｋ＋１），
・・・３−（Ｋ＋Ｌ）からみた出力インピーダンスは、
すべて同じであるから、信号線６には、列ライン３−
Ｋ，３−（Ｋ＋１），・・・３−（Ｋ＋Ｌ）に流れる遮
光画素の出力信号の和の１／（Ｌ＋１）の電流が流れ
る。即ち、列選択パルスφＳＫが高レベルの期間、選択
行の遮光画素の平均信号電流を得ることができる。
【００１５】以上説明したように、上記のように構成さ
れた固体撮像装置においては、１行に配設される遮光画
素の数によらず、その平均出力を選択期間に得ることが
できる。また、１行に配設される遮光画素の数は、平均
することによってそのバラツキをキャンセルできる程度
の数でよく、従来例のように、クランプ回路の時定数期
間に選択される画素数分必要としないことから、遮光画
素の数を削減することができ、ひいてはチップサイズを
縮小することが可能となる。
れた固体撮像装置においては、１行に配設される遮光画
素の数によらず、その平均出力を選択期間に得ることが
できる。また、１行に配設される遮光画素の数は、平均
することによってそのバラツキをキャンセルできる程度
の数でよく、従来例のように、クランプ回路の時定数期
間に選択される画素数分必要としないことから、遮光画
素の数を削減することができ、ひいてはチップサイズを
縮小することが可能となる。
【００１６】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の固体撮像装置において、前記遮光画素選択用列選択
パルスは、水平走査回路より受光画素選択用列選択パル
スと連続して出力され、該受光画素選択用列選択パルス
と同じパルス幅をもつように構成するものである。これ
により、基準黒レベルとなる遮光画素の信号読み出し期
間を１画素選択期間に短縮することができる。また、請
求項３記載の発明は、請求項１記載の固体撮像装置にお
いて、前記遮光画素選択用列選択パルスは、水平走査回
路より受光画素選択用列選択パルスと連続して出力さ
れ、前記遮光画素選択用列選択パルスの幅を任意の期間
に設定するための水平走査制御手段を設けるものであ
る。これにより、１行に構成される遮光画素の数によら
ず、基準黒レベルを設定する手段の要求に応じた期間だ
け遮光画素信号の平均レベルを出力することができる。
載の固体撮像装置において、前記遮光画素選択用列選択
パルスは、水平走査回路より受光画素選択用列選択パル
スと連続して出力され、該受光画素選択用列選択パルス
と同じパルス幅をもつように構成するものである。これ
により、基準黒レベルとなる遮光画素の信号読み出し期
間を１画素選択期間に短縮することができる。また、請
求項３記載の発明は、請求項１記載の固体撮像装置にお
いて、前記遮光画素選択用列選択パルスは、水平走査回
路より受光画素選択用列選択パルスと連続して出力さ
れ、前記遮光画素選択用列選択パルスの幅を任意の期間
に設定するための水平走査制御手段を設けるものであ
る。これにより、１行に構成される遮光画素の数によら
ず、基準黒レベルを設定する手段の要求に応じた期間だ
け遮光画素信号の平均レベルを出力することができる。
【００１７】
【実施例】次に実施例について説明する。図２は、本発
明に係る固体撮像装置の第１実施例を示す回路構成図で
あり、図７に示した従来例と同じ構成要素には同一符号
を付して示している。この実施例においては、各画素を
構成するＣＭＤ１−11，１−12，・・・１−MNをマトリ
クス状に配列し、その各ドレインには共通にバイアスＶ
Ｄ（＞０）を印加する。前記マトリクスの構成は水平Ｎ
個×垂直Ｍ個で、そのうち水平５個からＮ個までの画素
は遮光されている。Ｘ方向に配列されたＣＭＤ群のゲー
ト端子は、行ライン２−１，２−２，・・・２−Ｍにそ
れぞれ接続し、Ｙ方向に配列されたＣＭＤ群のソース端
子は、列ライン３−１，３−２，・・・３−Ｎにそれぞ
れ接続する。上記列ライン３−１，３−２，・・・３−
Ｎのうち受光画素に接続されている３−１，３−２，・
・・３−４は、それぞれ列選択用スイッチトランジスタ
４−１，４−２，・・・４−４及び反選択用スイッチト
ランジスタ５−１，５−２，・・・５−４を介して、信
号線６及び基準電位ＧＮＤに接地されたレファレンス・
ライン７に、それぞれ共通に接続されている。
明に係る固体撮像装置の第１実施例を示す回路構成図で
あり、図７に示した従来例と同じ構成要素には同一符号
を付して示している。この実施例においては、各画素を
構成するＣＭＤ１−11，１−12，・・・１−MNをマトリ
クス状に配列し、その各ドレインには共通にバイアスＶ
Ｄ（＞０）を印加する。前記マトリクスの構成は水平Ｎ
個×垂直Ｍ個で、そのうち水平５個からＮ個までの画素
は遮光されている。Ｘ方向に配列されたＣＭＤ群のゲー
ト端子は、行ライン２−１，２−２，・・・２−Ｍにそ
れぞれ接続し、Ｙ方向に配列されたＣＭＤ群のソース端
子は、列ライン３−１，３−２，・・・３−Ｎにそれぞ
れ接続する。上記列ライン３−１，３−２，・・・３−
Ｎのうち受光画素に接続されている３−１，３−２，・
・・３−４は、それぞれ列選択用スイッチトランジスタ
４−１，４−２，・・・４−４及び反選択用スイッチト
ランジスタ５−１，５−２，・・・５−４を介して、信
号線６及び基準電位ＧＮＤに接地されたレファレンス・
ライン７に、それぞれ共通に接続されている。
【００１８】一方、上記列ライン３−１，３−２，・・
・３−Ｎのうち遮光画素に接続されている列ライン３−
５，３−６，・・・３−Ｎは、列選択用スイッチトラン
ジスタ４−５，４−６，・・・４−Ｎ及び反選択用スイ
ッチトランジスタ５−５，５−６，・・・５−Ｎに接続
される直前において、接続線13によって共通に接続さ
れ、更に列選択用スイッチトランジスタ４−５を介して
信号線６に接続され、また列選択用スイッチトランジス
タ４−６，・・・４−Ｎ及び反選択用スイッチトランジ
スタ５−５，５−６，・・・５−Ｎを介して、基準電位
ＧＮＤに接地されたレファレンス・ライン７に、共通に
接続されている。信号線６は入力が仮想接地された電流
ー電圧変換型のプリアンプ12に接続し、プリアンプ12の
出力端子９から負極性の映像信号を時系列に読み出すよ
う構成されている。
・３−Ｎのうち遮光画素に接続されている列ライン３−
５，３−６，・・・３−Ｎは、列選択用スイッチトラン
ジスタ４−５，４−６，・・・４−Ｎ及び反選択用スイ
ッチトランジスタ５−５，５−６，・・・５−Ｎに接続
される直前において、接続線13によって共通に接続さ
れ、更に列選択用スイッチトランジスタ４−５を介して
信号線６に接続され、また列選択用スイッチトランジス
タ４−６，・・・４−Ｎ及び反選択用スイッチトランジ
スタ５−５，５−６，・・・５−Ｎを介して、基準電位
ＧＮＤに接地されたレファレンス・ライン７に、共通に
接続されている。信号線６は入力が仮想接地された電流
ー電圧変換型のプリアンプ12に接続し、プリアンプ12の
出力端子９から負極性の映像信号を時系列に読み出すよ
う構成されている。
【００１９】また、行ライン２−１，２−２，・・・２
−Ｍは垂直走査回路10に接続して、それぞれ信号φＧ
１，φＧ２，・・・φＧＭを印加し、列選択用スイッチ
トランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ及び反選択
用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎ
のゲート端子のうち、受光画素に接続されている列ライ
ン３−１，３−２，・・・３−４に接続されている列選
択用スイッチトランジスタ４−１，４−２，・・・４−
４及び反選択用スイッチトランジスタ５−１，５−２，
・・・５−４は、水平走査回路11に接続して、それぞれ
信号φＳ１，φＳ２，・・・φＳ４及び各々の反転信号
を印加する。一方、遮光画素に接続されている列ライン
３−５，３−６，・・・３−Ｎに接続されている列選択
用スイッチトランジスタ４−５，４−６，・・・４−Ｎ
及び反選択用スイッチトランジスタ５−５，５−６，・
・・５−Ｎは、水平走査回路11に接続して、共通に信号
φＳ５及びその反転信号を印加する。なお、図示しない
が各ＣＭＤは同一基板上に形成され、その基板には基板
電圧ＶＳＵＢを印加するように構成されている。
−Ｍは垂直走査回路10に接続して、それぞれ信号φＧ
１，φＧ２，・・・φＧＭを印加し、列選択用スイッチ
トランジスタ４−１，４−２，・・・４−Ｎ及び反選択
用スイッチトランジスタ５−１，５−２，・・・５−Ｎ
のゲート端子のうち、受光画素に接続されている列ライ
ン３−１，３−２，・・・３−４に接続されている列選
択用スイッチトランジスタ４−１，４−２，・・・４−
４及び反選択用スイッチトランジスタ５−１，５−２，
・・・５−４は、水平走査回路11に接続して、それぞれ
信号φＳ１，φＳ２，・・・φＳ４及び各々の反転信号
を印加する。一方、遮光画素に接続されている列ライン
３−５，３−６，・・・３−Ｎに接続されている列選択
用スイッチトランジスタ４−５，４−６，・・・４−Ｎ
及び反選択用スイッチトランジスタ５−５，５−６，・
・・５−Ｎは、水平走査回路11に接続して、共通に信号
φＳ５及びその反転信号を印加する。なお、図示しない
が各ＣＭＤは同一基板上に形成され、その基板には基板
電圧ＶＳＵＢを印加するように構成されている。
【００２０】本実施例の固体撮像装置の動作を説明する
ための信号波形は、図８に示した従来例の信号波形と全
く同じであるので、図８に示した信号波形図を用いて、
本実施例の信号読み出し動作について説明する。行ライ
ンが選択され、列選択パルスφＳ１，φＳ２，・・・φ
Ｓ４が順次高レベルとなることにより、受光画素の信号
が読み出され、引き続いて列選択パルスφＳ５が高レベ
ルになると、列選択用スイッチトランジスタ４−５，４
−６，・・・４−Ｎがオンし、選択された行の遮光画素
の信号電流は列ライン３−５，３−６，・・・３−Ｎを
流れ、接続線13によってこれらは加算される。この加算
電流は、列選択用スイッチトランジスタ４−５，４−
６，・・・４−Ｎを介して、信号線６及びレファレンス
・ライン７に流れる。このとき、前記列ライン３−５，
３−６，・・・３−Ｎからみた出力インピーダンスは全
て同じであるから、信号線６には前記列ラインに流れる
遮光画素の出力信号の和の１／（ｎ−４）の電流が流れ
る。即ち、列選択パルスφＳ５が高レベルの期間、選択
行の遮光画素の平均信号電流を得ることができる。図３
は以上説明したプリアンプ12の出力端子９から出力され
る１行分のビデオ信号を表している。
ための信号波形は、図８に示した従来例の信号波形と全
く同じであるので、図８に示した信号波形図を用いて、
本実施例の信号読み出し動作について説明する。行ライ
ンが選択され、列選択パルスφＳ１，φＳ２，・・・φ
Ｓ４が順次高レベルとなることにより、受光画素の信号
が読み出され、引き続いて列選択パルスφＳ５が高レベ
ルになると、列選択用スイッチトランジスタ４−５，４
−６，・・・４−Ｎがオンし、選択された行の遮光画素
の信号電流は列ライン３−５，３−６，・・・３−Ｎを
流れ、接続線13によってこれらは加算される。この加算
電流は、列選択用スイッチトランジスタ４−５，４−
６，・・・４−Ｎを介して、信号線６及びレファレンス
・ライン７に流れる。このとき、前記列ライン３−５，
３−６，・・・３−Ｎからみた出力インピーダンスは全
て同じであるから、信号線６には前記列ラインに流れる
遮光画素の出力信号の和の１／（ｎ−４）の電流が流れ
る。即ち、列選択パルスφＳ５が高レベルの期間、選択
行の遮光画素の平均信号電流を得ることができる。図３
は以上説明したプリアンプ12の出力端子９から出力され
る１行分のビデオ信号を表している。
【００２１】このように構成された固体撮像装置におい
ては、１行に配設される遮光画素の数によらず、基準黒
レベルとなる遮光画素の信号読み出し期間を１画素選択
期間に短縮することができる。即ち、基準黒レベルを設
定する手段として従来例で示したクランプ回路を用いた
とき、該クランプ回路の時定数を短く設定しても、遮光
画素信号のバラツキの影響は回避することができる。ま
た、１行に配設される遮光画素の数は、平均することに
よってそのバラツキをキャンセルできる程度の数だけで
よく、従来例のように、クランプ回路の時定数期間に選
択される画素数分必要としないので、遮光画素の数を削
減することができる。
ては、１行に配設される遮光画素の数によらず、基準黒
レベルとなる遮光画素の信号読み出し期間を１画素選択
期間に短縮することができる。即ち、基準黒レベルを設
定する手段として従来例で示したクランプ回路を用いた
とき、該クランプ回路の時定数を短く設定しても、遮光
画素信号のバラツキの影響は回避することができる。ま
た、１行に配設される遮光画素の数は、平均することに
よってそのバラツキをキャンセルできる程度の数だけで
よく、従来例のように、クランプ回路の時定数期間に選
択される画素数分必要としないので、遮光画素の数を削
減することができる。
【００２２】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は第２実施例を示す回路構成図で、図２に示し
た第１実施例と同一の構成要素には同一の符号を付して
示し、その説明を省略する。第１実施例と相違する部分
は、水平走査回路11に印加するクロックパルスφＨ１，
φＨ２が、水平走査制御回路14を介して印加されるよう
に構成されている点である。本実施例の動作は、行ライ
ンが選択され、水平走査回路11が列選択パルスφＳ４を
出力するまでは、第１実施例と全く同じである。
る。図４は第２実施例を示す回路構成図で、図２に示し
た第１実施例と同一の構成要素には同一の符号を付して
示し、その説明を省略する。第１実施例と相違する部分
は、水平走査回路11に印加するクロックパルスφＨ１，
φＨ２が、水平走査制御回路14を介して印加されるよう
に構成されている点である。本実施例の動作は、行ライ
ンが選択され、水平走査回路11が列選択パルスφＳ４を
出力するまでは、第１実施例と全く同じである。
【００２３】次に、水平走査回路11が列選択パルスφＳ
５を出力する動作を、図５の信号波形図を用いて説明す
る。列選択パルスφＳ５が出力されると、前記水平走査
制御回路14は水平走査クロックパルスφＨ１の出力を停
止する。これによりこの間、列選択パルスφＳ５は高レ
ベルにホールドされ、前記水平走査制御回路14が水平走
査クロックパルスφＨ１の出力を再開させると、これに
同期して列選択パルスφＳ５は低レベルになる。即ち、
第１実施例と動作上で相違する点は、平均化された遮光
画素の信号が出力される期間が、水平走査制御回路14の
動作によって決まる点である。
５を出力する動作を、図５の信号波形図を用いて説明す
る。列選択パルスφＳ５が出力されると、前記水平走査
制御回路14は水平走査クロックパルスφＨ１の出力を停
止する。これによりこの間、列選択パルスφＳ５は高レ
ベルにホールドされ、前記水平走査制御回路14が水平走
査クロックパルスφＨ１の出力を再開させると、これに
同期して列選択パルスφＳ５は低レベルになる。即ち、
第１実施例と動作上で相違する点は、平均化された遮光
画素の信号が出力される期間が、水平走査制御回路14の
動作によって決まる点である。
【００２４】このように構成された固体撮像装置におい
ては、１行に配設される遮光画素の数によらず、基準黒
レベルとなる遮光画素の信号読み出し期間を、水平走査
制御回路が設定する任意の時間に設定することができ
る。即ち、図６に示すように、基準黒レベルを設定する
手段の要求に応じた期間だけ、遮光画素信号の平均レベ
ルを出力することができる。
ては、１行に配設される遮光画素の数によらず、基準黒
レベルとなる遮光画素の信号読み出し期間を、水平走査
制御回路が設定する任意の時間に設定することができ
る。即ち、図６に示すように、基準黒レベルを設定する
手段の要求に応じた期間だけ、遮光画素信号の平均レベ
ルを出力することができる。
【００２５】なお、本実施例においては、水平走査の制
御方法として水平走査クロックパルスφＨ１のみを制御
したものを示したが、水平走査クロックパルスφＨ２の
制御でもよく、また、両方を制御してもよいことは言う
までもない。
御方法として水平走査クロックパルスφＨ１のみを制御
したものを示したが、水平走査クロックパルスφＨ２の
制御でもよく、また、両方を制御してもよいことは言う
までもない。
【００２６】また上記２つの実施例においては、遮光画
素列は時間的に受光画素列が選択された後に選択される
位置に配置したものを示したが、受光画素列が選択され
る前に選択される位置に遮光画素列を配置しても、それ
ぞれの実施例の効果が変わることがないことは言うまで
もない。
素列は時間的に受光画素列が選択された後に選択される
位置に配置したものを示したが、受光画素列が選択され
る前に選択される位置に遮光画素列を配置しても、それ
ぞれの実施例の効果が変わることがないことは言うまで
もない。
【００２７】
【発明の効果】以上実施例に基づいて説明したように、
請求項１記載の発明によれば、１行に配設される遮光画
素の数によらず、その平均出力を選択期間に得ることが
できる。また、１行に配設される遮光画素の数は、平均
することによってそのバラツキをキャンセルできる程度
の数だけでよく、従来例のように、クランプ回路の時定
数期間に選択される画素数分必要としないので、遮光画
素の数を削減することができ、ひいてはチップサイズを
縮小することができる。また、請求項２記載の発明によ
れば、基準黒レベルとなる遮光画素の信号読み出し期間
を１画素選択期間に短縮することができる。また、請求
項３記載の発明によれば、水平走査クロックパルスを制
御するための水平走査制御手段により、１行に構成され
る遮光画素の数によらず、基準黒レベルを設定する手段
の要求に応じた期間だけ、遮光画素信号の平均レベルを
出力することができる。
請求項１記載の発明によれば、１行に配設される遮光画
素の数によらず、その平均出力を選択期間に得ることが
できる。また、１行に配設される遮光画素の数は、平均
することによってそのバラツキをキャンセルできる程度
の数だけでよく、従来例のように、クランプ回路の時定
数期間に選択される画素数分必要としないので、遮光画
素の数を削減することができ、ひいてはチップサイズを
縮小することができる。また、請求項２記載の発明によ
れば、基準黒レベルとなる遮光画素の信号読み出し期間
を１画素選択期間に短縮することができる。また、請求
項３記載の発明によれば、水平走査クロックパルスを制
御するための水平走査制御手段により、１行に構成され
る遮光画素の数によらず、基準黒レベルを設定する手段
の要求に応じた期間だけ、遮光画素信号の平均レベルを
出力することができる。
【図１】本発明に係る固体撮像装置を説明するための主
要部の構成を示す概略図である。
要部の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す回路構成図である。
【図３】図２に示した第１実施例における１行分の出力
ビデオ信号を示す図である。
ビデオ信号を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す回路構成図である。
【図５】図４に示した第２実施例の動作を説明するため
の信号波形図である。
の信号波形図である。
【図６】図４に示した第２実施例における１行分の出力
ビデオ信号を示す図である。
ビデオ信号を示す図である。
【図７】従来の固体撮像装置の構成例を示す回路構成図
である。
である。
【図８】図７に示した従来の固体撮像装置の動作を説明
するための信号波形図である。
するための信号波形図である。
【図９】図７に示した従来の固体撮像装置における１行
分の出力ビデオ信号を示す図である。
分の出力ビデオ信号を示す図である。
【図10】基準黒レベルを設定するために用いるクランプ
回路の等価回路を示す図である。
回路の等価回路を示す図である。
１−11，１−12，・・・１−MN ＣＭＤ画素 ２−１，２−２，・・・２−Ｍ 行ライン ３−１，３−２，・・・３−Ｎ 列ライン ４−１，４−２，・・・４−Ｎ 列選択用スイッチトラ
ンジスタ ５−１，５−２，・・・５−Ｎ 反列選択用スイッチト
ランジスタ ６ 信号線 ７ レファレンス・ライン ９ 出力端子 10 垂直走査回路 11 水平走査回路 12 プリアンプ 13 接続線 14 水平走査制御回路
ンジスタ ５−１，５−２，・・・５−Ｎ 反列選択用スイッチト
ランジスタ ６ 信号線 ７ レファレンス・ライン ９ 出力端子 10 垂直走査回路 11 水平走査回路 12 プリアンプ 13 接続線 14 水平走査制御回路
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体層の表面に該表面と平行にソース
・ドレイン電流が流れるようにソース領域及びドレイン
領域を形成すると共に、該ソース領域とドレイン領域間
の半導体層の表面に絶縁層を介してゲート電極を設けて
構成した電荷変調素子を画素とし、該画素をマトリクス
状に多数配列し、該配列した画素群の一部の複数の列の
画素を遮光した画素アレイと、該画素アレイの各画素を
ソース・ゲート選択方式により順次選択して画素信号を
読み出す走査手段とを備えた固体撮像装置において、前
記遮光した画素に接続された複数の列ラインを、該列ラ
インにそれぞれ接続される列選択用スイッチトランジス
タの第１の主電極の直前で共通に接続し、該列選択用ス
イッチトランジスタの第２の主電極は、１個を除き出力
信号の基準電位に接続し、前記除いた１個の第２の主電
極は信号出力線に接続し、且つ前記遮光した画素に接続
された複数の列ラインにそれぞれ接続された列選択用ス
イッチトランジスタのすべての制御端子を共通に接続
し、該制御端子に遮光画素選択用列選択パルスを印加す
ることによって遮光画素の信号出力を得るように構成し
たことを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記遮光画素選択用列選択パルスは、水
平走査回路より受光画素選択用列選択パルスと連続して
出力され、該受光画素選択用列選択パルスと同じパルス
幅をもっていることを特徴とする請求項１記載の固体撮
像装置。 - 【請求項３】 前記遮光画素選択用列選択パルスは、水
平走査回路より受光画素選択用列選択パルスと連続して
出力され、前記遮光画素選択用列選択パルスの幅を任意
の期間に設定するための水平走査制御手段を備えている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20185095A JP3762456B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20185095A JP3762456B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0937155A true JPH0937155A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3762456B2 JP3762456B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=16447927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20185095A Expired - Fee Related JP3762456B2 (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3762456B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1143706A2 (en) | 2000-03-28 | 2001-10-10 | Fujitsu Limited | Image sensor with black level control and low power consumption |
| KR100321303B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2002-03-18 | 니시무로 타이죠 | 고체 촬상 장치 |
-
1995
- 1995-07-17 JP JP20185095A patent/JP3762456B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100321303B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2002-03-18 | 니시무로 타이죠 | 고체 촬상 장치 |
| US6903768B1 (en) | 1998-07-09 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid state image sensor device free of influence on optical black level by signal potential change of optical black pixels |
| EP1143706A2 (en) | 2000-03-28 | 2001-10-10 | Fujitsu Limited | Image sensor with black level control and low power consumption |
| EP1143706A3 (en) * | 2000-03-28 | 2007-08-01 | Fujitsu Limited | Image sensor with black level control and low power consumption |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3762456B2 (ja) | 2006-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5019702A (en) | Photoelectric transducer apparatus having a plurality of transducer elements and a plurality of capacitor elements | |
| JPH0245395B2 (ja) | ||
| JPH07120767B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US6781627B1 (en) | Solid state imaging device and electric charge detecting apparatus used for the same | |
| JPS6386471A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPS614376A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS60232788A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3788561B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH01135274A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2000022118A (ja) | 撮像装置 | |
| US4764814A (en) | Solid-state imaging device with reset pulse selector | |
| JPH0937155A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0818866A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH09168117A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2974799B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH10126695A (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラ | |
| JP2741703B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3579251B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02208974A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH02181470A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3037993B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS61136388A (ja) | 固体撮像装置 | |
| US6677997B1 (en) | Amplifying solid-state imaging device, and method for driving the same | |
| JPH11266400A (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム | |
| JPH1198415A (ja) | 増幅型固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051219 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051227 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090120 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100120 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110120 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120120 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130120 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |