JPH0936181A - ボンディングツール - Google Patents
ボンディングツールInfo
- Publication number
- JPH0936181A JPH0936181A JP20774995A JP20774995A JPH0936181A JP H0936181 A JPH0936181 A JP H0936181A JP 20774995 A JP20774995 A JP 20774995A JP 20774995 A JP20774995 A JP 20774995A JP H0936181 A JPH0936181 A JP H0936181A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- vacuum
- chucking
- heat tool
- tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Manipulator (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ヒートツール３のチップ吸着面１０の吸着力
を、熱効率を害することなしに増大させ、フラックス１
３や樹脂等の転写においてチップが、転写プレート１４
上に取り残されてしまうことを防止できるボンディング
ツールを提供すること。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、下記
の構成を有するボンディングツールを提供する。 （１）一方の面の周囲にのみバンプが形成されたチップ
のバンプ形成面と反対側面を吸引してチップを吸着保持
するヒートツールである。 （２）ヒートツールのチップ吸着面にチップのバンプの
裏面側への当接面を残して広口の座ぐり穴を吸引口とし
て形成する。
を、熱効率を害することなしに増大させ、フラックス１
３や樹脂等の転写においてチップが、転写プレート１４
上に取り残されてしまうことを防止できるボンディング
ツールを提供すること。 【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、下記
の構成を有するボンディングツールを提供する。 （１）一方の面の周囲にのみバンプが形成されたチップ
のバンプ形成面と反対側面を吸引してチップを吸着保持
するヒートツールである。 （２）ヒートツールのチップ吸着面にチップのバンプの
裏面側への当接面を残して広口の座ぐり穴を吸引口とし
て形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップ吸着面に特
徴を有するボンディングツールに関するもので、主とし
てフリップチップボンディング装置のパルスヒートツー
ルを主眼として開発されたものである。
徴を有するボンディングツールに関するもので、主とし
てフリップチップボンディング装置のパルスヒートツー
ルを主眼として開発されたものである。
【０００２】
【従来の技術】ボンディング装置、特にフリップチップ
ボンディング装置においては、チップであるＩＣチップ
にフラックスや樹脂等を塗布することが行われている。
この方法として、図５に示されるようにフラックス１３
や樹脂の供給部となる転写プレート１４上で、スキージ
１５によりフラックス１３や樹脂等の薄膜を形成し、真
空吸着用の吸着穴１６の形成されたヒートツール３で吸
着したＩＣチップ９を転写プレート１４上に下降させ、
フラックス１３や樹脂をＩＣチップ９に転写させるもの
が一般的であった。
ボンディング装置においては、チップであるＩＣチップ
にフラックスや樹脂等を塗布することが行われている。
この方法として、図５に示されるようにフラックス１３
や樹脂の供給部となる転写プレート１４上で、スキージ
１５によりフラックス１３や樹脂等の薄膜を形成し、真
空吸着用の吸着穴１６の形成されたヒートツール３で吸
着したＩＣチップ９を転写プレート１４上に下降させ、
フラックス１３や樹脂をＩＣチップ９に転写させるもの
が一般的であった。
【０００３】通常、従来のヒートツール３と吸着穴１６
の関係は、ヒートツール３が１辺３ｍｍの四角形のもの
であれば吸着穴１６は直径０．４ｍｍ程度で、ヒートツ
ール３が１辺１６ｍｍの四角形のものであれば吸着穴１
６は直径１．０ｍｍ程度で、又、ヒートツール３が１辺
１５ｍｍの四角形のものであれば、吸着穴１６は直径
２．０ｍｍ程度であった。かように吸着穴１６は、ヒー
トツール３すなわち吸着されるチップの大きさに対して
小さいものであるので、チップ吸着面１０の吸着力が低
く、ＩＣチップ９にフラックス１３や樹脂等を転写した
時、図６に示すようにＩＣチップ９をフラックス１３や
樹脂等の粘着力のため転写プレート１４中に取り残した
まま、ヒートツール３が上昇してしまうことがあった。
の関係は、ヒートツール３が１辺３ｍｍの四角形のもの
であれば吸着穴１６は直径０．４ｍｍ程度で、ヒートツ
ール３が１辺１６ｍｍの四角形のものであれば吸着穴１
６は直径１．０ｍｍ程度で、又、ヒートツール３が１辺
１５ｍｍの四角形のものであれば、吸着穴１６は直径
２．０ｍｍ程度であった。かように吸着穴１６は、ヒー
トツール３すなわち吸着されるチップの大きさに対して
小さいものであるので、チップ吸着面１０の吸着力が低
く、ＩＣチップ９にフラックス１３や樹脂等を転写した
時、図６に示すようにＩＣチップ９をフラックス１３や
樹脂等の粘着力のため転写プレート１４中に取り残した
まま、ヒートツール３が上昇してしまうことがあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ヒートツー
ル３のチップ吸着面１０の吸着力を、熱効率を害するこ
となしに増大させ、フラックス１３や樹脂等の転写にお
いてチップが、転写プレート１４上に取り残されてしま
うことを防止できるボンディングツールを提供すること
を目的とする。
ル３のチップ吸着面１０の吸着力を、熱効率を害するこ
となしに増大させ、フラックス１３や樹脂等の転写にお
いてチップが、転写プレート１４上に取り残されてしま
うことを防止できるボンディングツールを提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、一方の面の周囲にのみバンプが形成された
チップのバンプ形成面と反対側面を吸引してチップを吸
着保持するヒートツールにおいて、ヒートツールのチッ
プ吸着面にチップのバンプの裏面側への当接面を残して
広口の座ぐり穴を吸引口として形成したことを特徴とす
るボンディングツールを提供する。
成するため、一方の面の周囲にのみバンプが形成された
チップのバンプ形成面と反対側面を吸引してチップを吸
着保持するヒートツールにおいて、ヒートツールのチッ
プ吸着面にチップのバンプの裏面側への当接面を残して
広口の座ぐり穴を吸引口として形成したことを特徴とす
るボンディングツールを提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の実施
の形態について説明する。図１は、本発明が利用される
ボンディング装置の概略図であり、図１に表れるボンデ
ィング装置は、フリップチップボンディング装置であ
り、該フリップチップボンディング装置は、Ｚ軸駆動装
置１に従って上下し、Θ軸駆動装置２に従って回転する
ボンディングツール（ここではヒートツール３）と、Ｘ
軸ステージ４及びＹ軸ステージ５の作動により左右移動
する基板ステージ６と、基板ステージ６上及び近接する
場所に配置されるチップトレー７、転写プレート１４を
有する樹脂供給部８とを有するものである。
の形態について説明する。図１は、本発明が利用される
ボンディング装置の概略図であり、図１に表れるボンデ
ィング装置は、フリップチップボンディング装置であ
り、該フリップチップボンディング装置は、Ｚ軸駆動装
置１に従って上下し、Θ軸駆動装置２に従って回転する
ボンディングツール（ここではヒートツール３）と、Ｘ
軸ステージ４及びＹ軸ステージ５の作動により左右移動
する基板ステージ６と、基板ステージ６上及び近接する
場所に配置されるチップトレー７、転写プレート１４を
有する樹脂供給部８とを有するものである。
【０００７】ヒートツール３は、図２の断面図、図３の
底面図及び図４のＩＣチップ９とヒートツール３との関
係の説明図に示されている。図中１６は、吸引穴であ
り、図示されていないバキューム装置と連結され、ＩＣ
チップ９の吸着時に真空吸引されている。
底面図及び図４のＩＣチップ９とヒートツール３との関
係の説明図に示されている。図中１６は、吸引穴であ
り、図示されていないバキューム装置と連結され、ＩＣ
チップ９の吸着時に真空吸引されている。
【０００８】本発明でのツールとなるＩＣチップ９は、
ＩＣチップ９の一方の面（図面中下方の面）の周囲にの
みハンダバンプ１２が形成されたものである。
ＩＣチップ９の一方の面（図面中下方の面）の周囲にの
みハンダバンプ１２が形成されたものである。
【０００９】ヒートツール３の下端面はチップ吸着面１
０とされており、該チップ吸着面１０に、吸着口となる
座ぐり穴１１が中央のみを凹部とし、周囲を残すよう穿
設されている。すなわち、チップ吸着面１０は、中央が
座ぐり穴１１とされ、ＩＣチップ９のハンダバンプ１２
の裏面側の箇所に当接するチップ部分は、チップ吸着面
１０としてザグリ穴１１が形成されていない。尚、座ぐ
り穴１１の大きさは、吸着されるＩＣチップ９の吸着面
側の表面積の少なくとも二分の一の面積を有するものが
適当である。
０とされており、該チップ吸着面１０に、吸着口となる
座ぐり穴１１が中央のみを凹部とし、周囲を残すよう穿
設されている。すなわち、チップ吸着面１０は、中央が
座ぐり穴１１とされ、ＩＣチップ９のハンダバンプ１２
の裏面側の箇所に当接するチップ部分は、チップ吸着面
１０としてザグリ穴１１が形成されていない。尚、座ぐ
り穴１１の大きさは、吸着されるＩＣチップ９の吸着面
側の表面積の少なくとも二分の一の面積を有するものが
適当である。
【０００１０】
【発明の効果】チップ吸着面１０に、吸着穴１６より大
きい吸着口となる座ぐり穴１１を形成しているため、チ
ップ吸引面積が大きくなり、チップの吸着が安定し、フ
ラックス１３や樹脂の転写に際して、フラックス１３や
樹脂等の粘着力によりチップを転写テーブル１４に取り
残してしまうことがなくなった。
きい吸着口となる座ぐり穴１１を形成しているため、チ
ップ吸引面積が大きくなり、チップの吸着が安定し、フ
ラックス１３や樹脂の転写に際して、フラックス１３や
樹脂等の粘着力によりチップを転写テーブル１４に取り
残してしまうことがなくなった。
【００１１】ハンダバンプ１２が形成されているチップ
の裏面には、ヒートツール３がチップ吸着面１０として
当接しているので、荷重を加えた時にＩＣチップ９を折
損する力が加わることがなく、且つヒートツール３の熱
が効率良くバンプに伝わるものとなった。
の裏面には、ヒートツール３がチップ吸着面１０として
当接しているので、荷重を加えた時にＩＣチップ９を折
損する力が加わることがなく、且つヒートツール３の熱
が効率良くバンプに伝わるものとなった。
【図１】本発明が利用されるボンディング装置の概略図
【図２】本発明のヒートツールの断面図
【図３】本発明のヒートツールの底面図
【図４】本発明のＩＣチップとヒートツールとの関係を
示す説明図
示す説明図
【図５】従来の転写テーブルとヒートツールとの関係を
示す説明図
示す説明図
【図６】チップ取り残し状態を示す説明図
１．．．Ｚ軸駆動装置 ２．．．Θ軸駆動装置 ３．．．ヒートツール ４．．．Ｘ軸ステージ ５．．．Ｙ軸ステージ ６．．．基板ステージ ７．．．チップトレー ８．．．樹脂供給部 ９．．．ＩＣチップ １０．．．チップ吸着面 １１．．．ザグリ穴 １２．．．ハンダバンプ １３．．．フラックス １４．．．転写プレート １５．．．スキージ １６．．．吸着穴
Claims (1)
- 【請求項１】一方の面の周囲にのみバンプが形成された
チップのバンプ形成面と反対側面を吸引してチップを吸
着保持するヒートツールにおいて、ヒートツールのチッ
プ吸着面にチップのバンプの裏面側への当接面を残して
広口の座ぐり穴を吸引口として形成したことを特徴とす
るボンディングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20774995A JPH0936181A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ボンディングツール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20774995A JPH0936181A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ボンディングツール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936181A true JPH0936181A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16544914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20774995A Pending JPH0936181A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ボンディングツール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936181A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147068A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP20774995A patent/JPH0936181A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147068A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| US8003437B2 (en) | 2007-12-13 | 2011-08-23 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device fabricating method and fabricating apparatus |
| US8484820B2 (en) | 2007-12-13 | 2013-07-16 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device fabricating method and fabricating apparatus |
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