JPH0936079A - ウエット処理方法及び処理装置 - Google Patents
ウエット処理方法及び処理装置Info
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- JPH0936079A JPH0936079A JP18538395A JP18538395A JPH0936079A JP H0936079 A JPH0936079 A JP H0936079A JP 18538395 A JP18538395 A JP 18538395A JP 18538395 A JP18538395 A JP 18538395A JP H0936079 A JPH0936079 A JP H0936079A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、従来よりもより高清浄な洗浄が可
能なウエット処理方法及び処理装置を提供すること。 【解決手段】 オゾン水を供給するためのオゾン水用ノ
ズルと、超純水を供給するための超純水用ノズルと、電
解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズル
と、被処理物をブラッシングするためのブラシと、を少
なくとも有する第１の槽と、被処理物に電解イオン水を
高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル
と、超純水を被処理物に供給するための超純水用ノズル
と、を少なくとも有する第２の槽と、電解イオン水を導
入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋＨｚ以上
の超音波を照射するための手段と、を少なくとも有する
第３の槽と、電解イオン水を導入するためのノズルを有
する被処理物の乾燥を行うための第４の槽と、を少なく
とも有することを特徴とする。
能なウエット処理方法及び処理装置を提供すること。 【解決手段】 オゾン水を供給するためのオゾン水用ノ
ズルと、超純水を供給するための超純水用ノズルと、電
解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズル
と、被処理物をブラッシングするためのブラシと、を少
なくとも有する第１の槽と、被処理物に電解イオン水を
高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル
と、超純水を被処理物に供給するための超純水用ノズル
と、を少なくとも有する第２の槽と、電解イオン水を導
入するための手段と、該電解イオン水に３０ｋＨｚ以上
の超音波を照射するための手段と、を少なくとも有する
第３の槽と、電解イオン水を導入するためのノズルを有
する被処理物の乾燥を行うための第４の槽と、を少なく
とも有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、液晶表示
装置用ガラス基板や半導体基板のような極めて清浄な表
面を得ることが求められる分野において、従来よりも清
浄度の高い表面を得ることが可能なウエット処理方法及
び処理装置に関する。
装置用ガラス基板や半導体基板のような極めて清浄な表
面を得ることが求められる分野において、従来よりも清
浄度の高い表面を得ることが可能なウエット処理方法及
び処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示装置用ガラス基板のウエ
ット処理は、例えば以下の技術を用いて行われている。
ット処理は、例えば以下の技術を用いて行われている。
【０００３】すなわち、有機溶媒、水溶性界面活性剤溶
液、超純水および紫外線でオゾン等を組み合わせ用い、
基板表面に付着している有機物、微粒子を主に除去する
工程により行われる。
液、超純水および紫外線でオゾン等を組み合わせ用い、
基板表面に付着している有機物、微粒子を主に除去する
工程により行われる。
【０００４】例えば、浸漬処理式では次の手順で洗浄が
行われる。 （１）界面活性剤／超音波洗浄１／５分 （２）界面活性剤／超音波洗浄２／５分 （３）超純水／超音波洗浄１／５分 （４）超純水／超音波洗浄２／５分 （５）超純水／浸漬洗浄／５分 （６）乾燥／ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパ
ー乾燥
行われる。 （１）界面活性剤／超音波洗浄１／５分 （２）界面活性剤／超音波洗浄２／５分 （３）超純水／超音波洗浄１／５分 （４）超純水／超音波洗浄２／５分 （５）超純水／浸漬洗浄／５分 （６）乾燥／ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパ
ー乾燥
【０００５】また、枚葉式では次の手順で洗浄が行われ
る。 （１）界面活性剤／ブラシスクラブ／０．５分 （２）超純水すすぎ／０．５分 （３）超純水高圧ジェット／０．５分 （４）超純水／超音波シャワー洗浄／０．５分 （５）紫外線オゾン洗浄／０．５分 （６）乾燥／スピン乾燥／０．５分
る。 （１）界面活性剤／ブラシスクラブ／０．５分 （２）超純水すすぎ／０．５分 （３）超純水高圧ジェット／０．５分 （４）超純水／超音波シャワー洗浄／０．５分 （５）紫外線オゾン洗浄／０．５分 （６）乾燥／スピン乾燥／０．５分
【０００６】しかし、現在のような高集積化が進む半導
体の分野ではより清浄度の高い洗浄技術が求められてい
る。
体の分野ではより清浄度の高い洗浄技術が求められてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来よりも
より高清浄な洗浄が可能なウエット処理方法及び処理装
置を提供することを目的とする。
より高清浄な洗浄が可能なウエット処理方法及び処理装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のウエット処理方
法は、オゾン水による洗浄工程、電解イオン水によるブ
ラシ洗浄工程、電解イオン水による高圧ジェット洗浄工
程、電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して
行う超音波洗浄工程、電解イオン水による洗浄工程、乾
燥工程、を順に有することを特徴とする。
法は、オゾン水による洗浄工程、電解イオン水によるブ
ラシ洗浄工程、電解イオン水による高圧ジェット洗浄工
程、電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して
行う超音波洗浄工程、電解イオン水による洗浄工程、乾
燥工程、を順に有することを特徴とする。
【０００９】本発明のウエット処理装置は、オゾン水を
供給するためのオゾン水用ノズルと、超純水を供給する
ための超純水用ノズルと、電解イオン水を供給するため
の電解イオン水供給用ノズルと、被処理物をブラッシン
グするためのブラシと、を少なくとも有する第１の槽
と、被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解
イオン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供
給するための超純水用ノズルと、を少なくとも有する第
２の槽と、電解イオン水を導入するための手段と、該電
解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための
手段と、を少なくとも有する第３の槽と、電解イオン水
を導入するためのノズルを有する被処理物の乾燥を行う
ための第４の槽と、を少なくとも有することを特徴とす
る。
供給するためのオゾン水用ノズルと、超純水を供給する
ための超純水用ノズルと、電解イオン水を供給するため
の電解イオン水供給用ノズルと、被処理物をブラッシン
グするためのブラシと、を少なくとも有する第１の槽
と、被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解
イオン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供
給するための超純水用ノズルと、を少なくとも有する第
２の槽と、電解イオン水を導入するための手段と、該電
解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための
手段と、を少なくとも有する第３の槽と、電解イオン水
を導入するためのノズルを有する被処理物の乾燥を行う
ための第４の槽と、を少なくとも有することを特徴とす
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。本例では、オゾン水を供給するため
のオゾン水用ノズル１１６，１２１と、超純水を供給す
るための超純水用ノズル１１７，１２０と、電解イオン
水を供給するための電解イオン水供給用ノズル１２２〜
１２５と、被処理物をブラシングするブラシ１０２，１
０３とを有する第１の槽５０６（１０１）と、被処理物
に電気分解イオンを高圧噴射するための電解イオン水高
圧ジェットノズル２１０，２１１と、超純水を被処理物
１１５に供給するための超純水用ノズル２０６，２０９
とを少なくとも有する第２の槽５０４（２０４）と、電
解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水に
３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段である超
音波振動子３０３，３０４とを少なくとも有する第３の
槽５０５（３０９）と、電解イオン水を導入するための
ノズル４１５を有する被処理物１１５の乾燥を行うため
の第４の槽４０２と、を少なくとも有している。
に基づき説明する。本例では、オゾン水を供給するため
のオゾン水用ノズル１１６，１２１と、超純水を供給す
るための超純水用ノズル１１７，１２０と、電解イオン
水を供給するための電解イオン水供給用ノズル１２２〜
１２５と、被処理物をブラシングするブラシ１０２，１
０３とを有する第１の槽５０６（１０１）と、被処理物
に電気分解イオンを高圧噴射するための電解イオン水高
圧ジェットノズル２１０，２１１と、超純水を被処理物
１１５に供給するための超純水用ノズル２０６，２０９
とを少なくとも有する第２の槽５０４（２０４）と、電
解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水に
３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段である超
音波振動子３０３，３０４とを少なくとも有する第３の
槽５０５（３０９）と、電解イオン水を導入するための
ノズル４１５を有する被処理物１１５の乾燥を行うため
の第４の槽４０２と、を少なくとも有している。
【００１１】以下に本実施例をより詳細に説明する。本
実施例のウエット処理装置は、第１槽５０３、第２槽５
０４、第３槽５０４、第４槽５０６を有しており、オゾ
ン水を供給するためのオゾン水用ノズル１１６，１２１
はオゾン水導出配管１０８を介してにオゾン水導出配管
１０８はオゾン水製造装置５０９に接続されている。
実施例のウエット処理装置は、第１槽５０３、第２槽５
０４、第３槽５０４、第４槽５０６を有しており、オゾ
ン水を供給するためのオゾン水用ノズル１１６，１２１
はオゾン水導出配管１０８を介してにオゾン水導出配管
１０８はオゾン水製造装置５０９に接続されている。
【００１２】また、超純水を供給するための超純水用ノ
ズル１１７，１２０は超純水導出配管１０９を介して、
超純水供給源（図示せず）に接続されている。
ズル１１７，１２０は超純水導出配管１０９を介して、
超純水供給源（図示せず）に接続されている。
【００１３】また、電解イオン水を供給するための電解
イオン水供給用ノズル１２２〜１２５は電解イオン水導
出配管を介して、電解イオン水製造装置５０８に接続さ
れている。
イオン水供給用ノズル１２２〜１２５は電解イオン水導
出配管を介して、電解イオン水製造装置５０８に接続さ
れている。
【００１４】さらに、本例では上下に一対のブラシが設
けてある。このブラシ１０２，１０３は被処理物１１５
の表面及び裏面をブラッシングする。
けてある。このブラシ１０２，１０３は被処理物１１５
の表面及び裏面をブラッシングする。
【００１５】そして、上記ノズルの一端は、被処理物１
１５の面に各純水あるいはオゾン水が供給され得る位置
に配置されている。
１５の面に各純水あるいはオゾン水が供給され得る位置
に配置されている。
【００１６】なお、本例では、界面活性剤を供給するた
めのノズル１１８，１１９を単独で設けてある。この界
面活性剤を供給するためのノズル１１８，１１９を設け
ず、オゾン水あるいは超純水に添加することにより界面
活性剤を供給してもよい。
めのノズル１１８，１１９を単独で設けてある。この界
面活性剤を供給するためのノズル１１８，１１９を設け
ず、オゾン水あるいは超純水に添加することにより界面
活性剤を供給してもよい。
【００１７】また、本例では、上側のブラシ１０２を洗
浄するための上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下側のブラ
シ１０３を洗浄するための下ブラシ超音波洗浄槽１０５
を設けてある。上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下ブラシ
超音波洗浄槽１０５にはそれぞれ、超音波発振子１０
６，１０７が設けられている。なお、この超音波発振子
は７５０ｋＨｚ〜４ＭＨｚの発振が可能である。ブラシ
１０２，１０３の洗浄が必要なときは、上ブラシ超音波
洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１０５内適宜の処
理水（例えば、オゾン水、電解イオン水、超純水）を配
管１１３，１１４を介して供給し、ブラシ１０２，１０
３を上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄
槽１０５内に移動させ（移動させるための手段は特に図
示はしていないが適宜の手段によればよい）、超音波を
与えつつ洗浄を行えばよい。
浄するための上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下側のブラ
シ１０３を洗浄するための下ブラシ超音波洗浄槽１０５
を設けてある。上ブラシ超音波洗浄槽１０４と下ブラシ
超音波洗浄槽１０５にはそれぞれ、超音波発振子１０
６，１０７が設けられている。なお、この超音波発振子
は７５０ｋＨｚ〜４ＭＨｚの発振が可能である。ブラシ
１０２，１０３の洗浄が必要なときは、上ブラシ超音波
洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄槽１０５内適宜の処
理水（例えば、オゾン水、電解イオン水、超純水）を配
管１１３，１１４を介して供給し、ブラシ１０２，１０
３を上ブラシ超音波洗浄槽１０４、下ブラシ超音波洗浄
槽１０５内に移動させ（移動させるための手段は特に図
示はしていないが適宜の手段によればよい）、超音波を
与えつつ洗浄を行えばよい。
【００１８】なお、第１の槽１０１の内面は、鉄酸化物
のないクロム酸化物からなる不動態膜が表面に形成され
たステンレス鋼により形成することが好ましい。
のないクロム酸化物からなる不動態膜が表面に形成され
たステンレス鋼により形成することが好ましい。
【００１９】また、被処理物が回動可能な構成とするこ
とが好ましい。被処理物を回転し、かつ、表面（裏面）
に洗浄液を供給すればより一層清浄度の高い洗浄が可能
となる。
とが好ましい。被処理物を回転し、かつ、表面（裏面）
に洗浄液を供給すればより一層清浄度の高い洗浄が可能
となる。
【００２０】第１の槽１０１は主に、オゾン水による洗
浄、電解イオン水（カソード水、アノード水）によるブ
ラシ洗浄を行うための槽である。これらの洗浄を行うこ
とにより、有機物、１０μｍ以上の大きさのパーティク
ル、金属の除去が可能となる。
浄、電解イオン水（カソード水、アノード水）によるブ
ラシ洗浄を行うための槽である。これらの洗浄を行うこ
とにより、有機物、１０μｍ以上の大きさのパーティク
ル、金属の除去が可能となる。
【００２１】なお、ブラシは、被洗浄物表面を傷つけ
ず、また、汚染源とならにものであればよく、例えばナ
イロン製のものが用いることができる。
ず、また、汚染源とならにものであればよく、例えばナ
イロン製のものが用いることができる。
【００２２】第２の槽では、被処理物に電解イオン水を
高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル２
１０，２１１が電解イオン水高圧ジェット導出配管２０
１に接続されている。
高圧噴射するための電解イオン水高圧ジェットノズル２
１０，２１１が電解イオン水高圧ジェット導出配管２０
１に接続されている。
【００２３】第２の槽２０４は、主に、電解イオン水を
高圧噴射するための槽であり、これにより、１０μｍ以
下１μｍ以上のパーティクルの除去が可能となる。
高圧噴射するための槽であり、これにより、１０μｍ以
下１μｍ以上のパーティクルの除去が可能となる。
【００２４】なお、噴射圧力としては、５ｋｇｗ／ｃｍ
2〜５０ｋｇｗ／ｃｍ2が洗浄効果をより一層高める上か
ら好ましい。
2〜５０ｋｇｗ／ｃｍ2が洗浄効果をより一層高める上か
ら好ましい。
【００２５】本例では、さらに、超純水を導入するため
のノズル２０６，２０９と、他の電解イオン水を導入す
るための電解イオン水導入ノズル２０７，２０８を設け
てある。これらのノズルから導入される超純水あるいは
電解イオン水はリンスのために使用することができる。
のノズル２０６，２０９と、他の電解イオン水を導入す
るための電解イオン水導入ノズル２０７，２０８を設け
てある。これらのノズルから導入される超純水あるいは
電解イオン水はリンスのために使用することができる。
【００２６】なお、ノズル２１０，２１１は、クロム酸
化物を主成分とする不動態膜が表面に形成されたステン
レス鋼により構成することがノズルからのパーティクル
の発生を防止でき、また、耐食性の点から好ましい。
化物を主成分とする不動態膜が表面に形成されたステン
レス鋼により構成することがノズルからのパーティクル
の発生を防止でき、また、耐食性の点から好ましい。
【００２７】一方、超純水導入ノズル２０６，２０９、
電解イオン水導入ノズル２０７，２０８には、白金を用
いることが、純水の帯電防止の点から好ましい。
電解イオン水導入ノズル２０７，２０８には、白金を用
いることが、純水の帯電防止の点から好ましい。
【００２８】第３の槽３０９は、主に、電解イオン水を
用いて超音波洗浄を行うための槽である。電解イオン水
を用いて超音波洗浄を行うことにより、サブミクロンの
パーティクルの除去が行われる。
用いて超音波洗浄を行うための槽である。電解イオン水
を用いて超音波洗浄を行うことにより、サブミクロンの
パーティクルの除去が行われる。
【００２９】図４に示す本実施例では、第３の槽３０９
の内部にさらに石英製超音波洗浄槽３０１が設けられて
おり、その中には電解イオン水３０６が電解イオン水導
出配管３０７を介して供給されている。この超音波洗浄
槽３０１は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波槽
３０２内に収納されている。３０３，３０４は超音波振
動子であり、本例では、被処理物に対し水平方向に超音
波が付与される。超音波振動子３０３からの超音波は、
超音波伝達用液体３０５を介して超音波洗浄槽３０１内
の電解イオン水３０６内に浸漬された被処理物１１５に
伝達される。
の内部にさらに石英製超音波洗浄槽３０１が設けられて
おり、その中には電解イオン水３０６が電解イオン水導
出配管３０７を介して供給されている。この超音波洗浄
槽３０１は、超音波伝達用液体３０５を介して超音波槽
３０２内に収納されている。３０３，３０４は超音波振
動子であり、本例では、被処理物に対し水平方向に超音
波が付与される。超音波振動子３０３からの超音波は、
超音波伝達用液体３０５を介して超音波洗浄槽３０１内
の電解イオン水３０６内に浸漬された被処理物１１５に
伝達される。
【００３０】第４槽４０２は、主に、電解イオン水によ
る仕上げ洗浄（主に金属の除去、パーティクルの除去）
及び乾燥を行うための槽である。４０１、４０４、４１
２、４０３は上記の仕上げ洗浄を行うための超音波洗浄
機である。４０４は超音波が印加された処理水を導出す
るための超音波処理水導出部である。この超音波処理水
導出部４０４の長さａは被処理物（基板）の対角線の長
さより大きくすることが好ましい。これにより、被処理
物が回転したときであっても常に噴射水が基板全体にか
かるようにすることができ、パーティクルの再付着等を
防止することができる。
る仕上げ洗浄（主に金属の除去、パーティクルの除去）
及び乾燥を行うための槽である。４０１、４０４、４１
２、４０３は上記の仕上げ洗浄を行うための超音波洗浄
機である。４０４は超音波が印加された処理水を導出す
るための超音波処理水導出部である。この超音波処理水
導出部４０４の長さａは被処理物（基板）の対角線の長
さより大きくすることが好ましい。これにより、被処理
物が回転したときであっても常に噴射水が基板全体にか
かるようにすることができ、パーティクルの再付着等を
防止することができる。
【００３１】電解イオン水による洗浄により、金属、有
機物、酸化膜の除去が行われる。
機物、酸化膜の除去が行われる。
【００３２】また、乾燥は、表面に酸化膜が形成される
ことを防止するため、不活性ガスを被処理物の表面に吹
き付けながら行うことが好ましい。本例でも不活性ガス
を導入するためのガス導入口４０５を設けてある。この
ガスは水分等の不純物濃度が数ｐｐｂ以下のガスを用い
ることが好ましい。経済的観点からは窒素ガスが好まし
い。
ことを防止するため、不活性ガスを被処理物の表面に吹
き付けながら行うことが好ましい。本例でも不活性ガス
を導入するためのガス導入口４０５を設けてある。この
ガスは水分等の不純物濃度が数ｐｐｂ以下のガスを用い
ることが好ましい。経済的観点からは窒素ガスが好まし
い。
【００３３】なお、乾燥速度を速めるために、ガスをヒ
ータ４０６で加熱することが好ましい。
ータ４０６で加熱することが好ましい。
【００３４】また、電解イオン水による洗浄工程と乾燥
工程との間に超純水によるリンスを超音波しながら行う
ことが清浄度を高める観点から好ましい。
工程との間に超純水によるリンスを超音波しながら行う
ことが清浄度を高める観点から好ましい。
【００３５】なお、各槽において、被処理物をスピン回
転させながら洗浄を行うと、洗浄液が面を均一に覆うと
ともに、被洗浄面には絶えず新しい洗浄液が供給され、
しかも汚染物質は遠心力により面上から持ち去られるた
め、非常に清浄な洗浄を行うことができる。従って、各
槽において、被処理物を回動可能な構成とすることが好
ましい。
転させながら洗浄を行うと、洗浄液が面を均一に覆うと
ともに、被洗浄面には絶えず新しい洗浄液が供給され、
しかも汚染物質は遠心力により面上から持ち去られるた
め、非常に清浄な洗浄を行うことができる。従って、各
槽において、被処理物を回動可能な構成とすることが好
ましい。
【００３６】
【実施例】図面に示すウエット処理装置を用いて液晶表
示基板の洗浄を行った。手順は次の通りである。
示基板の洗浄を行った。手順は次の通りである。
【００３７】第１槽 オゾン水による洗浄 オゾン濃度：５ｐｐｍ 洗浄時間：３０ｓｅｃ 純水リンス ５ｓｅｃ この処理により有機物、金属が除去されていた。 電解イオン水によるブラシ洗浄 電解イオン水 カソード水 ｐＨ８ 酸化還元電位：−５００ｍＶ 洗浄時間：２０ｓｅｃ
【００３８】ブラシは専用の超音波洗浄槽により洗浄し
て使用した。超音波洗浄は７５０ｋＨｚ以上のメガヘル
ツ帯を使用し、μｍからサブμｍのパーティクルを十分
に除去しておき、比較的大きなパーティクルを除去し
た。
て使用した。超音波洗浄は７５０ｋＨｚ以上のメガヘル
ツ帯を使用し、μｍからサブμｍのパーティクルを十分
に除去しておき、比較的大きなパーティクルを除去し
た。
【００３９】大きなパーティクルは処理水の効果により
（すなわち、ｐＨコントロール及び酸化還元電位コント
ロールにより、パーティクルの極性をブラシ材の極性と
同じ極性とすることができるため）ブラシへの再付着は
起こらなかった。この処理によりパーティクル１０μｍ
以上のパーティクルは除去された。
（すなわち、ｐＨコントロール及び酸化還元電位コント
ロールにより、パーティクルの極性をブラシ材の極性と
同じ極性とすることができるため）ブラシへの再付着は
起こらなかった。この処理によりパーティクル１０μｍ
以上のパーティクルは除去された。
【００４０】第２槽 電解イオン水による高圧ジェット洗浄 ５０ｓｅｃ 電解イオン水 カソード水 ｐＨ８ 酸化還元電位−５００ｍＶ 洗浄時間：５０ｓｅｃ 純水リンス：１０ｓｅｃ この処理により１０μｍ以下１μｍ以上のパーティクル
は除去された。
は除去された。
【００４１】静電気は電解イオン水により帯電除去を実
施した。パーティクルの再付着は処理水効果により実
施。
施した。パーティクルの再付着は処理水効果により実
施。
【００４２】第３の槽 電解イオン水による超音波洗浄 電解イオン水 カソード水 ｐＨ８ 酸化還元電位−５００ｍＶ 洗浄時間：５０ｓｅｃ この処理によりサブミクロンのパーティクルが除去され
た。
た。
【００４３】第４槽 電解イオン水による洗浄 電解イオン水 アノード水 ＨＦ添加 ｐＨ３ 酸化還元電位：１０００ｍＶ ＨＦ添加 ｐＨ３ 酸化還元電位１０００ｍＶ 超音波リンス リンス時間：２０ｓｅｃ 超音波：９５０ｋＨｚ スピン乾燥：窒素ブロー（中心部） この処理により金属、有機物、酸化膜が除去された。
【００４４】以上の洗浄処理終了後Ａｌ2Ｏ3粒子（１μ
ｍ）について清浄度を調べた。 本発明の実施例においては、従来技術よりもはるかに残
留粒子数は減少していることがわかる。
ｍ）について清浄度を調べた。 本発明の実施例においては、従来技術よりもはるかに残
留粒子数は減少していることがわかる。
【００４５】
（請求項１、請求項２）従来よりも高清浄な洗浄が可能
になる。 （請求項３）ブラシからの汚染がなく、より高清浄な洗
浄が達成される。 （請求項４）リンスを十分行うことができ、洗浄液によ
る汚染のない洗浄を行うことができる。 （請求項５）非常に清浄な洗浄を行うことができる。
になる。 （請求項３）ブラシからの汚染がなく、より高清浄な洗
浄が達成される。 （請求項４）リンスを十分行うことができ、洗浄液によ
る汚染のない洗浄を行うことができる。 （請求項５）非常に清浄な洗浄を行うことができる。
【図１】実施例に係るウエット処理装置の装置構成を示
す概念図である。
す概念図である。
【図２】実施例に係るウエット処理装置の第１の槽を示
す概念図である。
す概念図である。
【図３】実施例に係るウエット処理装置の第２の槽を示
す概念図である。
す概念図である。
【図４】実施例に係るウエット処理装置の第３の槽を示
す概念図である。
す概念図である。
【図５】実施例に係るウエット処理装置の第４の槽を示
す概念図である。
す概念図である。
１０１ 第１槽、 １０２ 上ブラシ、 １０３ 下ブラシ、 １０４ 上ブラシ超音波洗浄槽、 １０５ 下ブラシ超音波洗浄槽、 １０６、１０７ 超音波発振子、 １０８ オゾン水導出配管系、 １０９ 超純水導出配管系、 １１０ 界面活性剤導出配管系、 １１１ 電解イオン水・アノード水導出配管系、 １１２ 電解イオン水・カソード水導出配管系、 １１３、１１４ ブラシ洗浄槽超純水導入配管系、 １１５ 被処理物（ガラス基板）・スピン回転機構付
き、 １１６〜１２５ 処理水、静電気除去用配管系、 ２０１ 電解イオン水高圧ジェット導出配管系、 ２０２ 超純水導出配管系、 ２０３ 電解イオン水導出配管系、 ２０４ 第２槽、 ２０６〜２０９ 処理水、静電気除去用配管系、 ３０１ 超音波洗浄槽、 ３０２ 超音波槽、 ３０３、３０４ 超音波振動子、 ３０５ 超音波伝達用液体、 ３０６ 処理水（電解イオン水、カソード水、アノード
水、超純水）、 ３０７ 電解イオン水導出配管系、 ３０８ 超純水導出配管系、 ３０９ 第３槽、 ３１０ 排水配管系、 ３１１ 被処理物上下機構、 ３１３ 超音波伝達用液体導出配管系、 ４０１ 超純水導出配管系、 ４０２ 第４槽、 ４０３ 超音波振動子、 ４０４ 超音波印加処理水導出部、 ４０５ ウルトラクリーンＮ2、 ４０６ Ｎ2温度コントロール用ヒーター、 ４０７ 被処理物回転乾燥機構ホルダー部、 ４０８ 被処理物回転乾燥機構軸部、 ４１０ 超純水導出配管系、 ４１１ 電解イオン水、アノード水、 ４１２〜４１６ 処理水、静電気帯電防止用配管系、 ４１７ オゾン水導出配管系、 ５０１ ウエット処理装置本体、 ５０２ ローダー、 ５０３ 第１槽、 ５０４ 第２槽、 ５０５ 第３槽、 ５０６ 第４槽、 ５０７ アンローダー、 ５０８ 電解イオン水製造装置、 ５０９ オゾン水製造装置、 ５１０ 電解イオン供給配管系、 ５１１、５１３ ウエット処理装置からの戻り用配管
系、 ５１２ オゾン水供給配管系。
き、 １１６〜１２５ 処理水、静電気除去用配管系、 ２０１ 電解イオン水高圧ジェット導出配管系、 ２０２ 超純水導出配管系、 ２０３ 電解イオン水導出配管系、 ２０４ 第２槽、 ２０６〜２０９ 処理水、静電気除去用配管系、 ３０１ 超音波洗浄槽、 ３０２ 超音波槽、 ３０３、３０４ 超音波振動子、 ３０５ 超音波伝達用液体、 ３０６ 処理水（電解イオン水、カソード水、アノード
水、超純水）、 ３０７ 電解イオン水導出配管系、 ３０８ 超純水導出配管系、 ３０９ 第３槽、 ３１０ 排水配管系、 ３１１ 被処理物上下機構、 ３１３ 超音波伝達用液体導出配管系、 ４０１ 超純水導出配管系、 ４０２ 第４槽、 ４０３ 超音波振動子、 ４０４ 超音波印加処理水導出部、 ４０５ ウルトラクリーンＮ2、 ４０６ Ｎ2温度コントロール用ヒーター、 ４０７ 被処理物回転乾燥機構ホルダー部、 ４０８ 被処理物回転乾燥機構軸部、 ４１０ 超純水導出配管系、 ４１１ 電解イオン水、アノード水、 ４１２〜４１６ 処理水、静電気帯電防止用配管系、 ４１７ オゾン水導出配管系、 ５０１ ウエット処理装置本体、 ５０２ ローダー、 ５０３ 第１槽、 ５０４ 第２槽、 ５０５ 第３槽、 ５０６ 第４槽、 ５０７ アンローダー、 ５０８ 電解イオン水製造装置、 ５０９ オゾン水製造装置、 ５１０ 電解イオン供給配管系、 ５１１、５１３ ウエット処理装置からの戻り用配管
系、 ５１２ オゾン水供給配管系。
Claims (5)
- 【請求項１】 オゾン水による洗浄工程、 電解イオン水によるブラシ洗浄工程、 電解イオン水による高圧ジェット洗浄工程、 電解イオン水に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射して行う
超音波洗浄工程、 電解イオン水による洗浄工程、 乾燥工程、を順に有することを特徴とするウエット処理
方法。 - 【請求項２】 オゾン水を供給するためのオゾン水用ノ
ズルと、 超純水を供給するための超純水用ノズルと、 電解イオン水を供給するための電解イオン水供給用ノズ
ルと、 被処理物をブラッシングするためのブラシと、を少なく
とも有する第１の槽と、 被処理物に電解イオン水を高圧噴射するための電解イオ
ン水高圧ジェットノズルと、超純水を被処理物に供給す
るための超純水用ノズルと、を少なくとも有する第２の
槽と、 電解イオン水を導入するための手段と、該電解イオン水
に３０ｋＨｚ以上の超音波を照射するための手段と、を
少なくとも有する第３の槽と、 電解イオン水を導入するためのノズルを有する被処理物
の乾燥を行うための第４の槽と、を少なくとも有するこ
とを特徴とするウエット処理装置。 - 【請求項３】 前記ブラシを純水又は電解イオン水に３
０ｋＨｚ以上の超音波を照射して洗浄するための手段を
設けたことを特徴とする請求項２に記載のウエット処理
装置。 - 【請求項４】 前記第１乃至第４の槽の少なくとも一つ
の槽に各槽内での洗浄処理後に、純水又は電解イオン水
によるリンスを行うことができる構成となっていること
を特徴とする請求項２又は３に記載のウエット処理装
置。 - 【請求項５】 前記第１乃至第４の槽の少なくとも一つ
の槽内において、被処理物を保持するための手段は回動
可能であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか
１項記載のウエット処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP18538395A JP3349299B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ウエット処理方法及び処理装置 |
| KR1019960028014A KR100224929B1 (ko) | 1995-07-12 | 1996-07-11 | 습식처리방법 및 처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18538395A JP3349299B2 (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | ウエット処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936079A true JPH0936079A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3349299B2 JP3349299B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16169854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18538395A Expired - Fee Related JP3349299B2 (ja) | 1995-07-12 | 1995-07-21 | ウエット処理方法及び処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3349299B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034995A1 (fr) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Japan Science And Technology Corporation | Procede d'usinage/nettoyage avec des ions hydroxyde dans de l'eau ultrapure |
| JP2001060573A (ja) * | 1999-04-27 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 半導体基板洗浄システム |
| US6247198B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-06-19 | Tdk Corporation | Cleaning apparatus |
-
1995
- 1995-07-21 JP JP18538395A patent/JP3349299B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6247198B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-06-19 | Tdk Corporation | Cleaning apparatus |
| US6254688B1 (en) | 1997-12-09 | 2001-07-03 | Tdk Corporation | Cleaning method |
| WO2000034995A1 (fr) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Japan Science And Technology Corporation | Procede d'usinage/nettoyage avec des ions hydroxyde dans de l'eau ultrapure |
| US6652658B1 (en) | 1998-12-07 | 2003-11-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for machining/cleaning by hydroxide ion in ultrapure water |
| JP2001060573A (ja) * | 1999-04-27 | 2001-03-06 | Applied Materials Inc | 半導体基板洗浄システム |
| JP2010010718A (ja) * | 1999-04-27 | 2010-01-14 | Applied Materials Inc | 半導体基板洗浄システム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3349299B2 (ja) | 2002-11-20 |
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