JPH0935680A - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
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- JPH0935680A JPH0935680A JP7184022A JP18402295A JPH0935680A JP H0935680 A JPH0935680 A JP H0935680A JP 7184022 A JP7184022 A JP 7184022A JP 18402295 A JP18402295 A JP 18402295A JP H0935680 A JPH0935680 A JP H0935680A
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- Japan
- Prior art keywords
- dynode
- stage dynode
- stage
- electron
- photomultiplier tube
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリパルスの発生を抑制する。
【構成】 この光電子増倍管は、電子増倍部６を構成す
るダイノードのうち、第１段ダイノードＤｙ１に対向す
る第２段ダイノードＤｙ２を、印加電圧に対する２次電
子放出比がほぼ飽和する特性の材質で形成する。
るダイノードのうち、第１段ダイノードＤｙ１に対向す
る第２段ダイノードＤｙ２を、印加電圧に対する２次電
子放出比がほぼ飽和する特性の材質で形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入射する光電子を複数
段のダイノードで増倍する光電子増倍管に関する。
段のダイノードで増倍する光電子増倍管に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような電子増倍管（特公昭５８−４
１６２２号など）では、レーザパルスを検出する場合な
ど、光電子増倍管をパルス検出モードで動作させた場
合、信号に対する出力パルス（メインパルス）が検出さ
れる直前に、小さな疑似パルスが検出されることがあ
る。この疑似パルスはプリパルスとよばれており、ＴＴ
Ｓ（Transit Time Spread ）を悪化させる原因の１つと
なっている。
１６２２号など）では、レーザパルスを検出する場合な
ど、光電子増倍管をパルス検出モードで動作させた場
合、信号に対する出力パルス（メインパルス）が検出さ
れる直前に、小さな疑似パルスが検出されることがあ
る。この疑似パルスはプリパルスとよばれており、ＴＴ
Ｓ（Transit Time Spread ）を悪化させる原因の１つと
なっている。
【０００３】従来、このプリパルスの発生原因は、以下
のように考えられていた（図４）。光電子増倍管１００
にパルス光が入射すると、光電陰極１０１において電子
に変換されて軌道ａを進み、第１段ダイノードＤｙ１に
衝突する。光電子増倍管１００の直径を８インチとする
と、この電子は、光電陰極１０１から第１段ダイノード
Ｄｙ１までを約２１nsecで走行する。第１段ダイノード
Ｄｙ１に衝突した電子は、ここで２次電子を発生させ
る。発生された２次電子は、第２段ダイノードＤｙ２以
降の電子増倍部１０２において次々に増倍され、前述し
たメインパルスとして出力される。
のように考えられていた（図４）。光電子増倍管１００
にパルス光が入射すると、光電陰極１０１において電子
に変換されて軌道ａを進み、第１段ダイノードＤｙ１に
衝突する。光電子増倍管１００の直径を８インチとする
と、この電子は、光電陰極１０１から第１段ダイノード
Ｄｙ１までを約２１nsecで走行する。第１段ダイノード
Ｄｙ１に衝突した電子は、ここで２次電子を発生させ
る。発生された２次電子は、第２段ダイノードＤｙ２以
降の電子増倍部１０２において次々に増倍され、前述し
たメインパルスとして出力される。
【０００４】一方、プリパスルは、入射したパルス光が
光電陰極１０１を透過することで発生すると考えられて
いた。この場合、光子として軌道ｂ（直進）を進むた
め、光電陰極１０１から第１段ダイノードＤｙ１まで
を、約０．４４nsecで走行する。そして、光子として第
１段ダイノードＤｙ１に衝突し、ここで２次電子を発生
させる。発生された２次電子は、以降の電子増倍部１０
２において次々に増倍され、プリパルスとして出力され
る。
光電陰極１０１を透過することで発生すると考えられて
いた。この場合、光子として軌道ｂ（直進）を進むた
め、光電陰極１０１から第１段ダイノードＤｙ１まで
を、約０．４４nsecで走行する。そして、光子として第
１段ダイノードＤｙ１に衝突し、ここで２次電子を発生
させる。発生された２次電子は、以降の電子増倍部１０
２において次々に増倍され、プリパルスとして出力され
る。
【０００５】このような原因によって発生するプリパル
スは、メインパルスの２０．５６nsec前に現れることに
なる。
スは、メインパルスの２０．５６nsec前に現れることに
なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、このようなプ
リパルスを低減させるため、光電陰極１０１を透過し
て、直接第１段ダイノードＤｙ１に入射する光子を除去
すべく、遮光するなどの対策を講じたが、プリパルスの
発生を抑制することはできなかった。
リパルスを低減させるため、光電陰極１０１を透過し
て、直接第１段ダイノードＤｙ１に入射する光子を除去
すべく、遮光するなどの対策を講じたが、プリパルスの
発生を抑制することはできなかった。
【０００７】本発明は、このような課題を解決すべくな
されたものであり、その目的は、このプリパルスの発生
原因を特定すると共に、この発生原因を踏まえて、プリ
パルスの発生を抑制し得る光電子増倍管を提供すること
にある。
されたものであり、その目的は、このプリパルスの発生
原因を特定すると共に、この発生原因を踏まえて、プリ
パルスの発生を抑制し得る光電子増倍管を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１にかか
る光電子増倍管では、光電陰極から放出された光電子を
カスケード増倍する電子増倍部を備えた光電子増倍管の
うち、光電子が入射する第１段ダイノードの次段となる
第２段ダイノードを、印加電圧に対する２次電子放出比
がほぼ飽和する特性の材質で形成する。
る光電子増倍管では、光電陰極から放出された光電子を
カスケード増倍する電子増倍部を備えた光電子増倍管の
うち、光電子が入射する第１段ダイノードの次段となる
第２段ダイノードを、印加電圧に対する２次電子放出比
がほぼ飽和する特性の材質で形成する。
【０００９】なお、通常、ダイノードに入射する電子の
エネルギーが増大するほど、２次電子放出比も増大する
傾向にあるが、上記した「２次電子放出比がほぼ飽和す
る特性」とは、大きなエネルギーの電子が入射した場合
にも、２次電子放出比が大きく変化しない特性をいう。
エネルギーが増大するほど、２次電子放出比も増大する
傾向にあるが、上記した「２次電子放出比がほぼ飽和す
る特性」とは、大きなエネルギーの電子が入射した場合
にも、２次電子放出比が大きく変化しない特性をいう。
【００１０】請求項２にかかる光電子増倍管では、この
ような特性を有する材質として、Ａｌ，Ｃｕ，Ｂｅ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｗ及びステンレス鋼が挙げられ、これ
らのうちいずれかの材質で第２段ダイノードを形成す
る。
ような特性を有する材質として、Ａｌ，Ｃｕ，Ｂｅ，Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｗ及びステンレス鋼が挙げられ、これ
らのうちいずれかの材質で第２段ダイノードを形成す
る。
【００１１】請求項３にかかる光電子増倍管では、導電
性基板上に、Ａｌ，Ｃ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｗの
うちいずれかの材質によって薄膜を形成することで、上
記した特性の第２段ダイノードを構成する。
性基板上に、Ａｌ，Ｃ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｗの
うちいずれかの材質によって薄膜を形成することで、上
記した特性の第２段ダイノードを構成する。
【００１２】請求項４にかかる光電子増倍管では、第１
段ダイノードと第２段ダイノードとの間の電位差を２０
０Ｖ以上として使用する。
段ダイノードと第２段ダイノードとの間の電位差を２０
０Ｖ以上として使用する。
【００１３】
【作用】鋭意研究の結果、プリパルスの発生原因は弾性
反射によるものであることが明らかになった。これは下
記において詳述するが、光電子が第１段ダイノードで弾
性反射して第２段ダイノードに入射することによるもの
である。第２段ダイノードに入射する光電子は、光電陰
極と第１段ダイノードとの間の電位差によって加速され
るため、第１段ダイノードから放出されて第２段ダイノ
ードに入射する２次電子に比べて大きなエネルギーを持
っている。通常のダイノードの特性では、入射する電子
のエネルギーが増大するほど、ダイノードの２次電子放
出比も増大する傾向にある。この点、本発明では、第２
段ダイノードの２次電子放出比がほぼ飽和しているた
め、大きなエネルギーを持った光電子が入射しても、２
次電子放出比が大きく変化することはない。このため、
プリパルスの発生原因となっていた、弾性反射によって
大きなエネルギーを持つ光電子の影響が軽減される。
反射によるものであることが明らかになった。これは下
記において詳述するが、光電子が第１段ダイノードで弾
性反射して第２段ダイノードに入射することによるもの
である。第２段ダイノードに入射する光電子は、光電陰
極と第１段ダイノードとの間の電位差によって加速され
るため、第１段ダイノードから放出されて第２段ダイノ
ードに入射する２次電子に比べて大きなエネルギーを持
っている。通常のダイノードの特性では、入射する電子
のエネルギーが増大するほど、ダイノードの２次電子放
出比も増大する傾向にある。この点、本発明では、第２
段ダイノードの２次電子放出比がほぼ飽和しているた
め、大きなエネルギーを持った光電子が入射しても、２
次電子放出比が大きく変化することはない。このため、
プリパルスの発生原因となっていた、弾性反射によって
大きなエネルギーを持つ光電子の影響が軽減される。
【００１４】また、第２段ダイノードを、請求項２、３
で掲げた材料によって形成することで、印加電圧に対す
る２次電子放出比がほぼ飽和した特性のダイノードが得
られる。
で掲げた材料によって形成することで、印加電圧に対す
る２次電子放出比がほぼ飽和した特性のダイノードが得
られる。
【００１５】また、第１段ダイノードと第２段ダイノー
ドとの間の電位差を２００Ｖ以上、すなわち、この間の
電位差を増大させて使用することで、第１段ダイノード
から第２段ダイノードへ向かう２次電子の走行時間が短
くなり、弾性反射して第２段ダイノードへ入射する光電
子との時間差が減少するように作用する。
ドとの間の電位差を２００Ｖ以上、すなわち、この間の
電位差を増大させて使用することで、第１段ダイノード
から第２段ダイノードへ向かう２次電子の走行時間が短
くなり、弾性反射して第２段ダイノードへ入射する光電
子との時間差が減少するように作用する。
【００１６】
【実施例】実施例に先立ち、上述したプリパルスの発生
原因について説明する（図４参照）。
原因について説明する（図４参照）。
【００１７】先ず、従来技術の説明で例示した８インチ
の光電子増倍管のＴＴＳ（TransitTime Spread ）をシ
ングルフォトンイベントにおいて詳しく調べた。その結
果、メインパルスの電子分布に比べ、電子走行時間が約
５〜６nsec速い分布が検出されることがあり（プリパル
ス）、これは、メインパルスに対して約１／１００の確
率で検出された。なお、従来、このように電子走行時間
が約５〜６nsec速い電子分布は、メインパルスで形成さ
れた電子分布の一部と考えられていた。
の光電子増倍管のＴＴＳ（TransitTime Spread ）をシ
ングルフォトンイベントにおいて詳しく調べた。その結
果、メインパルスの電子分布に比べ、電子走行時間が約
５〜６nsec速い分布が検出されることがあり（プリパル
ス）、これは、メインパルスに対して約１／１００の確
率で検出された。なお、従来、このように電子走行時間
が約５〜６nsec速い電子分布は、メインパルスで形成さ
れた電子分布の一部と考えられていた。
【００１８】そこで、入射フォトンを増加させて、光電
陰極１０１から平均で４０個の光電子が放出され、これ
がメインパルスを形成するようにした。この結果、メイ
ンパルスに対して約１／１００の確率で検出された上記
の電子分布が、４０倍の約４０／１００の確率で検出さ
れた。
陰極１０１から平均で４０個の光電子が放出され、これ
がメインパルスを形成するようにした。この結果、メイ
ンパルスに対して約１／１００の確率で検出された上記
の電子分布が、４０倍の約４０／１００の確率で検出さ
れた。
【００１９】この結果より、次のように考察できる。こ
の電子分布が従来考えられていたようなメインパルスの
一部であれば、入射フォトンを増やしたとしても、出現
確率は一定となるはずである。しかし、メインパルスの
電子分布に比べ約５〜６nsec速い電子分布は、入射フォ
トン数にほぼ比例して増加しており、明らかにメインパ
ルスの一部ではないと考えられる。
の電子分布が従来考えられていたようなメインパルスの
一部であれば、入射フォトンを増やしたとしても、出現
確率は一定となるはずである。しかし、メインパルスの
電子分布に比べ約５〜６nsec速い電子分布は、入射フォ
トン数にほぼ比例して増加しており、明らかにメインパ
ルスの一部ではないと考えられる。
【００２０】また、既に説明したように、光電陰極１０
１を透過して、直接第１段ダイノードＤｙ１に光が入射
することでプリパスルが発生したとすると、プリパルス
は、メインパルスの２０．５６nsec前に現れることにな
り、この現象に基づいて、上記の電子分布が発生したも
のとは考えられない。
１を透過して、直接第１段ダイノードＤｙ１に光が入射
することでプリパスルが発生したとすると、プリパルス
は、メインパルスの２０．５６nsec前に現れることにな
り、この現象に基づいて、上記の電子分布が発生したも
のとは考えられない。
【００２１】以上の結果を基に、第１段ダイノードＤｙ
１に入射した光電子が弾性反射して第２段ダイノードＤ
ｙ２に入射し、これが原因となってプリパルスが発生す
ると予想した。このような予想を行うことで、以下の
（１）〜（３）の結果が得られる。
１に入射した光電子が弾性反射して第２段ダイノードＤ
ｙ２に入射し、これが原因となってプリパルスが発生す
ると予想した。このような予想を行うことで、以下の
（１）〜（３）の結果が得られる。
【００２２】（１） 電子走行時間が実際の測定値とほ
ぼ一致する。先ず、第３段ダイノードＤｙ３までに要さ
れる電子走行時間を求める。メインパルスを形成する電
子は、光電陰極１０１から第１段ダイノードＤｙ１まで
が２１nsec、第１段ダイノードＤｙ１から第２段ダイノ
ードＤｙ２までが８nsec、第２段ダイノードＤｙ２から
第３段ダイノードＤｙ３までが３nsecとなり、光電陰極
１０１から第３段ダイノードＤｙ３までの合計の電子走
行時間は３２nsecとなる。
ぼ一致する。先ず、第３段ダイノードＤｙ３までに要さ
れる電子走行時間を求める。メインパルスを形成する電
子は、光電陰極１０１から第１段ダイノードＤｙ１まで
が２１nsec、第１段ダイノードＤｙ１から第２段ダイノ
ードＤｙ２までが８nsec、第２段ダイノードＤｙ２から
第３段ダイノードＤｙ３までが３nsecとなり、光電陰極
１０１から第３段ダイノードＤｙ３までの合計の電子走
行時間は３２nsecとなる。
【００２３】一方、第１段ダイノードＤｙ１に入射した
光電子が弾性反射すると、第１段ダイノードＤｙ１から
第２段ダイノードＤｙ２までの電子走行時間が３nsecと
なる。これは、第１段ダイノードＤｙ１で弾性反射し第
２段ダイノードＤｙ２へ向かう際の光電子の初速度が、
第１段ダイノードＤｙ１から放出される２次電子の初速
度に比べて大であり、この分、電子走行時間が短縮され
るためである。また、光電陰極１０１と第１段ダイノー
ドＤｙ１との間、及び、第２段ダイノードＤｙ２と第３
段ダイノードＤｙ３との間に要する時間は、前記の数値
と同じであり、光電陰極１０１から第３段ダイノードＤ
ｙ３までの合計の電子走行時間は２７nsecとなる。
光電子が弾性反射すると、第１段ダイノードＤｙ１から
第２段ダイノードＤｙ２までの電子走行時間が３nsecと
なる。これは、第１段ダイノードＤｙ１で弾性反射し第
２段ダイノードＤｙ２へ向かう際の光電子の初速度が、
第１段ダイノードＤｙ１から放出される２次電子の初速
度に比べて大であり、この分、電子走行時間が短縮され
るためである。また、光電陰極１０１と第１段ダイノー
ドＤｙ１との間、及び、第２段ダイノードＤｙ２と第３
段ダイノードＤｙ３との間に要する時間は、前記の数値
と同じであり、光電陰極１０１から第３段ダイノードＤ
ｙ３までの合計の電子走行時間は２７nsecとなる。
【００２４】このように想定して計算を行うと、弾性反
射によるパルス電子分布（プリパルス）がメインパルス
の５nsec前に現れることとなり、前述した実際の測定結
果と略一致する。
射によるパルス電子分布（プリパルス）がメインパルス
の５nsec前に現れることとなり、前述した実際の測定結
果と略一致する。
【００２５】（２） フォトン数を増加させると、プリ
パルスとメインパルスの比が増加する。第１段ダイノー
ドＤｙ１で弾性反射して第２段ダイノードＤｙ２へ入射
する光電子は、通常、入射電子の１０％程度である（発
生確率が１／１０）。さらに、第１段ダイノードＤｙ１
で反射して第２段ダイノードＤｙ２へ取り込まれる確率
も１／１０程度である。このため、シングルフォトンイ
ベントにおいて、弾性反射に起因して出力パルスが発生
する確率は１／１００程度となり、この値も前述した実
測結果とほぼ一致する。
パルスとメインパルスの比が増加する。第１段ダイノー
ドＤｙ１で弾性反射して第２段ダイノードＤｙ２へ入射
する光電子は、通常、入射電子の１０％程度である（発
生確率が１／１０）。さらに、第１段ダイノードＤｙ１
で反射して第２段ダイノードＤｙ２へ取り込まれる確率
も１／１０程度である。このため、シングルフォトンイ
ベントにおいて、弾性反射に起因して出力パルスが発生
する確率は１／１００程度となり、この値も前述した実
測結果とほぼ一致する。
【００２６】さらに、シングルフォトンイベントでは、
５nsec前の電子分布を持つパルスは、上記のように１／
１００の確率で発生するが、４０個の光電子を放出さ
せ、これでメインパルスを形成するようにしたところ、
このプリパルスが１００回中に４０回発生することが実
際の測定で確認された。これは光電子数の増加により、
弾性反射する電子の数が増加したためであると考えられ
る。
５nsec前の電子分布を持つパルスは、上記のように１／
１００の確率で発生するが、４０個の光電子を放出さ
せ、これでメインパルスを形成するようにしたところ、
このプリパルスが１００回中に４０回発生することが実
際の測定で確認された。これは光電子数の増加により、
弾性反射する電子の数が増加したためであると考えられ
る。
【００２７】（３） ＬＬＤ（Lower Level Discrimina
tion Level）をメインパルスの電荷量まで上げると、メ
インパルスの５nsec前に発生する電子分布は検出されな
くなる。これにより、メインパルスの５nsec前に発生す
る電子分布の電荷量は、メインパルスの電荷量よりも小
さいことが分かる。これは、弾性反射を考慮すると、第
１段ダイノードＤｙ１における増倍がないために、メイ
ンパルスよりも小さな値となると考えられる。
tion Level）をメインパルスの電荷量まで上げると、メ
インパルスの５nsec前に発生する電子分布は検出されな
くなる。これにより、メインパルスの５nsec前に発生す
る電子分布の電荷量は、メインパルスの電荷量よりも小
さいことが分かる。これは、弾性反射を考慮すると、第
１段ダイノードＤｙ１における増倍がないために、メイ
ンパルスよりも小さな値となると考えられる。
【００２８】以上の（１）〜（３）のように、電子走行
時間、発生確率及び電荷量が、いずれも前述の予想から
得られる結果が、実際の測定値と略一致した。したがっ
て、メインパルスの５nsec前に発生する電子分布は、入
射する光電子が第１段ダイノードＤｙ１において弾性反
射することで発生することが判った。
時間、発生確率及び電荷量が、いずれも前述の予想から
得られる結果が、実際の測定値と略一致した。したがっ
て、メインパルスの５nsec前に発生する電子分布は、入
射する光電子が第１段ダイノードＤｙ１において弾性反
射することで発生することが判った。
【００２９】＜実施例＞以下、光電子増倍管の構造等に
ついて説明する。図１に、本実施例にかかる光電子増倍
管の断面を示す。この光電子増倍管は、入射光を受ける
球形の受光面１、バルブ２及び基台部を構成する円筒形
のステム３によって真空容器を形成している。また、受
光面１の内壁には、光電陰極５を形成しており、受光面
１を介して入射する光が光電陰極５に照射され、受光部
位から光電子が放出される。また、光電陰極５と対向し
た位置には、放出された光電子を増倍する電子増倍部６
を配設している。
ついて説明する。図１に、本実施例にかかる光電子増倍
管の断面を示す。この光電子増倍管は、入射光を受ける
球形の受光面１、バルブ２及び基台部を構成する円筒形
のステム３によって真空容器を形成している。また、受
光面１の内壁には、光電陰極５を形成しており、受光面
１を介して入射する光が光電陰極５に照射され、受光部
位から光電子が放出される。また、光電陰極５と対向し
た位置には、放出された光電子を増倍する電子増倍部６
を配設している。
【００３０】図２に電子増倍部６を拡大して示す。電子
増倍部６は、光電陰極５から放出された光電子の軌道を
収束させるフォーカス電極７を備えており、その中央の
入射開口部７ａには、網目状のメッシュ電極９を設けて
いる。これらフォーカス電極７とメッシュ電極９とは互
いに電気的に接続され、第１段ダイノードＤｙ１よりも
高い電位が与えられる。
増倍部６は、光電陰極５から放出された光電子の軌道を
収束させるフォーカス電極７を備えており、その中央の
入射開口部７ａには、網目状のメッシュ電極９を設けて
いる。これらフォーカス電極７とメッシュ電極９とは互
いに電気的に接続され、第１段ダイノードＤｙ１よりも
高い電位が与えられる。
【００３１】また、入射開口部７ａに対向して第１段ダ
イノードＤｙ１を配設しており、光電陰極５から放出さ
れた光電子は、フォーカス電極７により収束されて第１
段ダイノードに入射する。なお、メッシュ電極９と第１
段ダイノードＤｙ１との間には、紙面に対して垂直方向
に延びる棒状のポール電極１０及び平板状のプレート電
極１１を配設している。また、ダイノードＤｙ１に対向
して第２段ダイノードＤｙ２を配置しており、第３段以
降のダイノードＤｙ３、Ｄｙ４・・と共にラインフォー
カス型のダイノード群Ｄｙを構成している。
イノードＤｙ１を配設しており、光電陰極５から放出さ
れた光電子は、フォーカス電極７により収束されて第１
段ダイノードに入射する。なお、メッシュ電極９と第１
段ダイノードＤｙ１との間には、紙面に対して垂直方向
に延びる棒状のポール電極１０及び平板状のプレート電
極１１を配設している。また、ダイノードＤｙ１に対向
して第２段ダイノードＤｙ２を配置しており、第３段以
降のダイノードＤｙ３、Ｄｙ４・・と共にラインフォー
カス型のダイノード群Ｄｙを構成している。
【００３２】第１段ダイノードＤｙ１から放出された電
子は、第１段ダイノードよりも高い電位が与えらた、メ
ッシュ電極９、ポール電極１０及びプレート電極１１に
よって第２段ダイノードＤｙ２に導かれる。そして、第
２段ダイノードＤｙ２から放出された電子は、第３段ダ
イノードＤｙ３に入射し、以降、次々と後段のダイノー
ドでカスケード増倍され、アノード電極１２より出力が
取り出される。
子は、第１段ダイノードよりも高い電位が与えらた、メ
ッシュ電極９、ポール電極１０及びプレート電極１１に
よって第２段ダイノードＤｙ２に導かれる。そして、第
２段ダイノードＤｙ２から放出された電子は、第３段ダ
イノードＤｙ３に入射し、以降、次々と後段のダイノー
ドでカスケード増倍され、アノード電極１２より出力が
取り出される。
【００３３】また、各電極９、１０、１１及び各段のダ
イノードＤｙ１、Ｄｙ３、Ｄｙ４・・・は、いずれもス
テンレス素材で形成されており、第２段ダイノードＤｙ
２を除く他段のダイノードＤｙ１、Ｄｙ３・・は、その
内側の面にＳｂを蒸着して２次電子放出面を形成してい
る。また、第２段ダイノードＤｙ２も、他のダイノード
と同様にステンレス素材で形成しているが、Ｓｂの蒸着
は行っていない。なお、この場合、第１段ダイノードＤ
ｙ１と第２段ダイノードＤｙ２との電位差は、２４９Ｖ
であり、一般的な光電子増倍管ではこの間の電位差が１
００Ｖ程度であり、本実施例では一般の光電子増倍管の
２倍以上の電位差に設定している。
イノードＤｙ１、Ｄｙ３、Ｄｙ４・・・は、いずれもス
テンレス素材で形成されており、第２段ダイノードＤｙ
２を除く他段のダイノードＤｙ１、Ｄｙ３・・は、その
内側の面にＳｂを蒸着して２次電子放出面を形成してい
る。また、第２段ダイノードＤｙ２も、他のダイノード
と同様にステンレス素材で形成しているが、Ｓｂの蒸着
は行っていない。なお、この場合、第１段ダイノードＤ
ｙ１と第２段ダイノードＤｙ２との電位差は、２４９Ｖ
であり、一般的な光電子増倍管ではこの間の電位差が１
００Ｖ程度であり、本実施例では一般の光電子増倍管の
２倍以上の電位差に設定している。
【００３４】ここで、通常のＳｂを蒸着したダイノード
とステンレス素材のままのダイノード（第２段ダイノー
ドのみ）につき、入射する１次電子のエネルギー変化に
対する２次電子放出比δの推移を図３に示す。なお、図
中、横軸は電子に印加される電圧（Ｖ）を示し、横軸は
２次電子放出比δを示す。また、Ｓｂを蒸着したダイノ
ードのＶ−δ曲線を、図中に「ＳｂのＶ−δ曲線」とし
て記し、ステンレス素材のままのダイノードのＶ−δ曲
線を「ＳＵＳのＶ−δ曲線」と記す。
とステンレス素材のままのダイノード（第２段ダイノー
ドのみ）につき、入射する１次電子のエネルギー変化に
対する２次電子放出比δの推移を図３に示す。なお、図
中、横軸は電子に印加される電圧（Ｖ）を示し、横軸は
２次電子放出比δを示す。また、Ｓｂを蒸着したダイノ
ードのＶ−δ曲線を、図中に「ＳｂのＶ−δ曲線」とし
て記し、ステンレス素材のままのダイノードのＶ−δ曲
線を「ＳＵＳのＶ−δ曲線」と記す。
【００３５】図に示すように、通常のＳｂを蒸着したダ
イノードは、入射する電子のエネルギーが増大すると、
これに連れて２次電子放出比δも次第に大きく増加する
傾向にある。一方、本実施例の第２段ダイノードのよう
なステンレス素材のままのダイノードでは、入射する１
次電子のエネルギーが増加しても、対応する２次電子放
出比δの増加は極く僅かである。これは、いわゆる飽和
特性を示している。特に、１次電子のエネルギーが約４
００ｅＶを越えると、２次電子放出比δは略一定となっ
ている。
イノードは、入射する電子のエネルギーが増大すると、
これに連れて２次電子放出比δも次第に大きく増加する
傾向にある。一方、本実施例の第２段ダイノードのよう
なステンレス素材のままのダイノードでは、入射する１
次電子のエネルギーが増加しても、対応する２次電子放
出比δの増加は極く僅かである。これは、いわゆる飽和
特性を示している。特に、１次電子のエネルギーが約４
００ｅＶを越えると、２次電子放出比δは略一定となっ
ている。
【００３６】ここで、このように２次電子放出比δが飽
和特性を示すダイノードを、第２段ダイノードとして使
用した場合の作用を、通常のＳｂ蒸着ダイノードの場合
と比較して説明する。
和特性を示すダイノードを、第２段ダイノードとして使
用した場合の作用を、通常のＳｂ蒸着ダイノードの場合
と比較して説明する。
【００３７】そこで、シングルフォトンイベントにおい
て、メインパルスに対するプリパルスの電子数比につ
き、第３段ダイノードＤｙ３に入射するまでを計算で求
める。
て、メインパルスに対するプリパルスの電子数比につ
き、第３段ダイノードＤｙ３に入射するまでを計算で求
める。
【００３８】先ず、通常のＳｂ蒸着ダイノードを全段で
使用した場合を想定し、第１段ダイノードＤｙ１に８０
０Ｖ、第２段ダイノードＤｙ２に９００Ｖが印加されて
いるとする。この場合、図３のグラフより、第１段ダイ
ノードＤｙ１における２次電子放出比δは「２４」とな
る。また、第１段ダイノードと第２段ダイノードとの電
位差が１００Ｖであるため、第２段ダイノードＤｙ２で
の２次電子放出比δは、図３のグラフより「５」とな
る。従って、この時発生するメインパルスは、２４×５
＝１２０となる。また、前述した弾性反射を考慮する
と、８００Ｖで加速された電子が第１段ダイノードで弾
性反射して、さらに第２段ダイノード９００Ｖで加速さ
れる。従って、第２段ダイノードＤｙ２の２次電子放出
比δは「２４．５」となり、これがプリパルスとなる。
従って、プリパルス／メインパルス＝２４．５／１２０
≒０．２となる。
使用した場合を想定し、第１段ダイノードＤｙ１に８０
０Ｖ、第２段ダイノードＤｙ２に９００Ｖが印加されて
いるとする。この場合、図３のグラフより、第１段ダイ
ノードＤｙ１における２次電子放出比δは「２４」とな
る。また、第１段ダイノードと第２段ダイノードとの電
位差が１００Ｖであるため、第２段ダイノードＤｙ２で
の２次電子放出比δは、図３のグラフより「５」とな
る。従って、この時発生するメインパルスは、２４×５
＝１２０となる。また、前述した弾性反射を考慮する
と、８００Ｖで加速された電子が第１段ダイノードで弾
性反射して、さらに第２段ダイノード９００Ｖで加速さ
れる。従って、第２段ダイノードＤｙ２の２次電子放出
比δは「２４．５」となり、これがプリパルスとなる。
従って、プリパルス／メインパルス＝２４．５／１２０
≒０．２となる。
【００３９】これに対し、本実施例のように、２次電子
放出比δが飽和特性を示すダイノードを第２段ダイノー
ドに使用した場合を想定し、第１段ダイノードＤｙ１に
８００Ｖ、第２段ダイノードＤｙ２に１０４９Ｖが印加
されているとする。この場合、第１段ダイノードＤｙ１
での２次電子放出比δは、図３のグラフより「２５」で
ある。また、第１段ダイノードと第２段ダイノードとの
電位差が２４９Ｖであり、図３のグラフより、第２段ダ
イノードＤｙ２での２次電子放出比δが「４」となる。
従って、この時発生するメインパルスは、２５×４＝１
００となる。また、前述した弾性反射を考慮すると、８
００Ｖで加速された電子が第１段ダイノードで弾性反射
して、さらに第２段ダイノード１０４９Ｖで加速され
る。従って、図３のグラフより、第２段ダイノードＤｙ
２の２次電子放出比δは「５」となり、これがプリパル
スとなる。従って、プリパルス／メインパルス＝５／１
００＝０．０５となる。
放出比δが飽和特性を示すダイノードを第２段ダイノー
ドに使用した場合を想定し、第１段ダイノードＤｙ１に
８００Ｖ、第２段ダイノードＤｙ２に１０４９Ｖが印加
されているとする。この場合、第１段ダイノードＤｙ１
での２次電子放出比δは、図３のグラフより「２５」で
ある。また、第１段ダイノードと第２段ダイノードとの
電位差が２４９Ｖであり、図３のグラフより、第２段ダ
イノードＤｙ２での２次電子放出比δが「４」となる。
従って、この時発生するメインパルスは、２５×４＝１
００となる。また、前述した弾性反射を考慮すると、８
００Ｖで加速された電子が第１段ダイノードで弾性反射
して、さらに第２段ダイノード１０４９Ｖで加速され
る。従って、図３のグラフより、第２段ダイノードＤｙ
２の２次電子放出比δは「５」となり、これがプリパル
スとなる。従って、プリパルス／メインパルス＝５／１
００＝０．０５となる。
【００４０】以上の結果より、第２段ダイノードＤｙ２
に２次電子放出比δが飽和特性を示すダイノードを使用
することで、ＬＬＤを０とすれば、シングルフォトン時
のプリパルスは、０．０５／０．２＝１／４に減少する
ことになる。
に２次電子放出比δが飽和特性を示すダイノードを使用
することで、ＬＬＤを０とすれば、シングルフォトン時
のプリパルスは、０．０５／０．２＝１／４に減少する
ことになる。
【００４１】また、従来の光電子増倍管では、プリパル
スを除去するために、ＬＬＤをメインパルスの２割以上
に設定することが必要であったが、本実施例の光電子増
倍管では、プリパルス／メインパルス＝０．０５であ
り、ＬＬＤをメインパルスの１割程度に設定すれば、プ
リパルスを十分に除去できる。従って、このように構成
する光電子増倍管では、結果的にＬＬＤを下げることが
でき、これによってシングルフォトンから数百フォトン
までの広い範囲に亘って光を検出する場合には、ＬＬＤ
を従来よりも下げることで、より微弱な光の検出が可能
となる。また、プリパルスがメインパルスの数百分の１
のオーダになり、光電陰極に入射するフォトン数が増加
しても、ＴＴＳは、１／Ｎ0.5 （Ｎはフォトン数）で減
少し増加することはない。
スを除去するために、ＬＬＤをメインパルスの２割以上
に設定することが必要であったが、本実施例の光電子増
倍管では、プリパルス／メインパルス＝０．０５であ
り、ＬＬＤをメインパルスの１割程度に設定すれば、プ
リパルスを十分に除去できる。従って、このように構成
する光電子増倍管では、結果的にＬＬＤを下げることが
でき、これによってシングルフォトンから数百フォトン
までの広い範囲に亘って光を検出する場合には、ＬＬＤ
を従来よりも下げることで、より微弱な光の検出が可能
となる。また、プリパルスがメインパルスの数百分の１
のオーダになり、光電陰極に入射するフォトン数が増加
しても、ＴＴＳは、１／Ｎ0.5 （Ｎはフォトン数）で減
少し増加することはない。
【００４２】さらに、本実施例の光電子増倍管では、第
１段ダイノードＤｙ１と第２段ダイノードＤｙ２との間
の電位差を、従来の一般の光電子増倍管に比べて２倍以
上となる２００Ｖ以上に設定して使用することも可能で
ある。これにより、第１段ダイノードから第２段ダイノ
ードへ向かう２次電子の走行時間が短くなり、弾性反射
して第２段ダイノードへ入射する光電子との時間差が減
少するため、電子走行時間のバラツキを低減させること
ができる。
１段ダイノードＤｙ１と第２段ダイノードＤｙ２との間
の電位差を、従来の一般の光電子増倍管に比べて２倍以
上となる２００Ｖ以上に設定して使用することも可能で
ある。これにより、第１段ダイノードから第２段ダイノ
ードへ向かう２次電子の走行時間が短くなり、弾性反射
して第２段ダイノードへ入射する光電子との時間差が減
少するため、電子走行時間のバラツキを低減させること
ができる。
【００４３】以上説明した実施例では、第２段ダイノー
ドＤｙ２を、ステンレス素材で形成する例を示したが、
このステンレス鋼は、ＳＵＳ記号で分類されるいずれの
ステンレス鋼であってもほぼ同等の特性を示すため、第
２段ダイノードとして適用することが可能である。ま
た、このようなステンレス鋼以外にも、Ａｌ，Ｃｕ，Ｂ
ｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｏ及びＷの金属の２次電子放出比δ
も、図３におけるステンレスとほぼ同様な推移を示し、
入射する電子のエネルギーに対してほぼ飽和する特性を
示す。従って、このような金属によって第２段ダイノー
ドを形成した場合にも、同様の効果が得られる。
ドＤｙ２を、ステンレス素材で形成する例を示したが、
このステンレス鋼は、ＳＵＳ記号で分類されるいずれの
ステンレス鋼であってもほぼ同等の特性を示すため、第
２段ダイノードとして適用することが可能である。ま
た、このようなステンレス鋼以外にも、Ａｌ，Ｃｕ，Ｂ
ｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｏ及びＷの金属の２次電子放出比δ
も、図３におけるステンレスとほぼ同様な推移を示し、
入射する電子のエネルギーに対してほぼ飽和する特性を
示す。従って、このような金属によって第２段ダイノー
ドを形成した場合にも、同様の効果が得られる。
【００４４】さらに、導電性基板上に、Ａｌ，Ｃ，Ｃ
ｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｗのいずれかの金属によって薄
膜を蒸着しダイノードを形成した場合にも、２次電子放
出比δは、図３におけるステンレスとほぼ同様な推移を
示すため、本実施例における第２段ダイノードとして使
用することが可能である。
ｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｗのいずれかの金属によって薄
膜を蒸着しダイノードを形成した場合にも、２次電子放
出比δは、図３におけるステンレスとほぼ同様な推移を
示すため、本実施例における第２段ダイノードとして使
用することが可能である。
【００４５】なお、第２段ダイノード以外のダイノード
を、半導体ダイノードで形成することも可能であり、例
えば、ＧａＡｓ、ＧａＩｎ等の半導体で２次電子放出面
を形成してもよい。
を、半導体ダイノードで形成することも可能であり、例
えば、ＧａＡｓ、ＧａＩｎ等の半導体で２次電子放出面
を形成してもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる光
電子増倍管によれば、第２段ダイノードの２次電子放出
比がほぼ飽和する特性を有しているため、入射エネルギ
ーが大きく異なる電子が入射しても、第２段ダイノード
の２次電子放出比が大きく変化することはない。このた
め、弾性反射による、大きなエネルギーを持って電子が
入射することで生じていた、プリパルスの発生を低減す
ることが可能となる。
電子増倍管によれば、第２段ダイノードの２次電子放出
比がほぼ飽和する特性を有しているため、入射エネルギ
ーが大きく異なる電子が入射しても、第２段ダイノード
の２次電子放出比が大きく変化することはない。このた
め、弾性反射による、大きなエネルギーを持って電子が
入射することで生じていた、プリパルスの発生を低減す
ることが可能となる。
【図１】本実施例にかかる光電子増倍管の構造を概略的
に示す縦断面図である。
に示す縦断面図である。
【図２】図１の光電子増倍管の要部を取り出して示す拡
大図である。
大図である。
【図３】１次電子の入射エネルギーに対する２次電子放
出比δを示すグラフである。
出比δを示すグラフである。
【図４】従来の光電子増倍管の構造を概略的に示す縦断
面図である。
面図である。
１…光電面、５…光電陰極、６…電子増倍部、Ｄｙ１…
第１段ダイノード、Ｄｙ２…第２段ダイノード。
第１段ダイノード、Ｄｙ２…第２段ダイノード。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 末則 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 大橋 洋祐 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 伊藤 益保 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 入射する光を受けて光電子を放出する光
電陰極と、 放出された前記光電子を順にカスケード増倍する電子増
倍部とを備えた光電子増倍管であって、 前記電子増倍部は、 前記光電陰極から放出された光電子が入射する第１段ダ
イノードと、 前記第１段ダイノードから放出された電子が入射する第
２段ダイノードとを備えており、 前記第２段ダイノードは、印加電圧に対する２次電子放
出比がほぼ飽和する特性を有することを特徴とする光電
子増倍管。 - 【請求項２】 前記第２段ダイノードは、Ａｌ，Ｃｕ，
Ｂｅ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｏ，Ｗ及びステンレス鋼のうち、
いずれかの材質で形成されることを特徴とする請求項１
記載の光電子増倍管。 - 【請求項３】 前記第２段ダイノードは、導電性基板上
に、Ａｌ，Ｃ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｗのうち、い
ずれかの材質によって薄膜を形成してなることを特徴と
する請求項１記載の光電子増倍管。 - 【請求項４】 使用時における前記第１段ダイノードと
第２段ダイノードとの間の電位差が、２００Ｖ以上であ
る請求項１〜３のいずれかに記載の光電子増倍管。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18402295A JP3618013B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 光電子増倍管 |
| DE69615958T DE69615958T2 (de) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | Photovervielfacherröhre |
| EP96305320A EP0755065B1 (en) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | Photomultiplier tube |
| US08/684,140 US5736731A (en) | 1995-07-20 | 1996-07-19 | Photomultiplier tube comprising a second dynode having a saturated secondary electron emission ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18402295A JP3618013B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 光電子増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935680A true JPH0935680A (ja) | 1997-02-07 |
| JP3618013B2 JP3618013B2 (ja) | 2005-02-09 |
Family
ID=16145981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18402295A Expired - Fee Related JP3618013B2 (ja) | 1995-07-20 | 1995-07-20 | 光電子増倍管 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5736731A (ja) |
| EP (1) | EP0755065B1 (ja) |
| JP (1) | JP3618013B2 (ja) |
| DE (1) | DE69615958T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027177A1 (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子管 |
| US7486021B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube with electron-bombarded semiconductor device |
| US7491918B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-02-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron beam detection device and electron tube |
| US7525249B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube with electron-bombarded semiconductor device |
| JP2012526340A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-10-25 | インスティテュート オブ ハイ エナジー フィジックス チャイニーズ アカデミー オブ サイエンシズ | 光電子増倍管 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791269B1 (en) * | 2001-01-31 | 2004-09-14 | Southeastern Universities Research Assn., Inc. | Active photomultiplier tube base |
| CN107564794A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-01-09 | 张双喜 | 一种混合型光电倍增器及其光电倍增方法 |
| CN114464511A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-05-10 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种降低铯钟电子倍增器衰减速率的方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4347458A (en) * | 1980-03-26 | 1982-08-31 | Rca Corporation | Photomultiplier tube having a gain modifying Nichrome dynode |
| JPS5928411B2 (ja) * | 1981-09-04 | 1984-07-12 | 橋本フオ−ミング工業株式会社 | 帯状素材の曲げ成形機 |
| JPS5841620A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-10 | Nec Corp | 自動板金加工装置 |
| US4855642A (en) * | 1988-03-18 | 1989-08-08 | Burle Technologies, Inc. | Focusing electrode structure for photomultiplier tubes |
| FR2632773B1 (fr) * | 1988-06-10 | 1990-10-05 | Radiotechnique Compelec | Dispositif de couplage d'une premiere dynode d'un photomultiplicateur a un multiplicateur a feuilles |
| FR2634062A1 (fr) * | 1988-07-05 | 1990-01-12 | Radiotechnique Compelec | Dynode du type " a feuilles ", multiplicateur d'electrons et tube photomultiplicateur comportant de telles dynodes |
| JPH0831308B2 (ja) * | 1988-07-25 | 1996-03-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | マイクロチヤンネルプレート内蔵型イメージ管 |
| JP3267644B2 (ja) * | 1991-10-24 | 2002-03-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| JP2634353B2 (ja) * | 1992-05-20 | 1997-07-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP2662341B2 (ja) * | 1992-05-20 | 1997-10-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP3518880B2 (ja) * | 1992-06-11 | 2004-04-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 反射型アルカリ光電面および光電子増倍管 |
| US5264693A (en) * | 1992-07-01 | 1993-11-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Microelectronic photomultiplier device with integrated circuitry |
| JP3220245B2 (ja) * | 1992-08-10 | 2001-10-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| US5633562A (en) * | 1993-02-02 | 1997-05-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Reflection mode alkali photocathode, and photomultiplier using the same |
| US5453610A (en) * | 1994-05-20 | 1995-09-26 | Summit World Trade Corporation | Electronic gain control for photomultiplier used in gamma camera |
| JP3392240B2 (ja) * | 1994-11-18 | 2003-03-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JPH08148113A (ja) * | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
-
1995
- 1995-07-20 JP JP18402295A patent/JP3618013B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-19 US US08/684,140 patent/US5736731A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-19 EP EP96305320A patent/EP0755065B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-19 DE DE69615958T patent/DE69615958T2/de not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| WO2005027177A1 (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | 電子管 |
| US7486021B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-02-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube with electron-bombarded semiconductor device |
| US7491918B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-02-17 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron beam detection device and electron tube |
| US7525249B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-04-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube with electron-bombarded semiconductor device |
| US7692384B2 (en) | 2003-09-10 | 2010-04-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron tube |
| JP2012526340A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-10-25 | インスティテュート オブ ハイ エナジー フィジックス チャイニーズ アカデミー オブ サイエンシズ | 光電子増倍管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69615958T2 (de) | 2002-04-25 |
| DE69615958D1 (de) | 2001-11-22 |
| EP0755065A2 (en) | 1997-01-22 |
| US5736731A (en) | 1998-04-07 |
| EP0755065A3 (en) | 1998-01-07 |
| JP3618013B2 (ja) | 2005-02-09 |
| EP0755065B1 (en) | 2001-10-17 |
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