JPH09331233A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- JPH09331233A JPH09331233A JP8172934A JP17293496A JPH09331233A JP H09331233 A JPH09331233 A JP H09331233A JP 8172934 A JP8172934 A JP 8172934A JP 17293496 A JP17293496 A JP 17293496A JP H09331233 A JPH09331233 A JP H09331233A
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Abstract
せることなく容量比を自由に設定できるSAW共振子を
実現する。更にはこれを用いて梯子型SAWフィルタの
濾波特性を改善することを目的とする。 【解決手段】 弾性表面波共振子においてIDTの電極
指部を表面波の伝搬方向に沿って複数部分に分割し、該
分割電極指部間の間隔を波長の0.55〜0.85倍と
した弾性表面波共振子を用いて梯子型弾性表面波フィル
タを構成する。
Description
し、特に、複数個の弾性表面波共振子を直列腕と並列腕
とに配置した梯子型弾性表面波フィルタに関する。
した弾性表面波フィルタ(以下、SAWフィルタと云
う)がRF及びIFフィルタとして使用されてきたが、
近年の搬送周波数の高周波化に伴い、携帯電話等のRF
フィルタ用として中心周波数が700〜2000MH
z、通過帯域幅が20〜60MHzのSAWフィルタ実
現の要望が高まっている。無線機等に広く利用されてき
た455kHzセラミックフィルタの回路構成である梯
子型回路にならい、セラミック共振子を弾性表面波共振
子(以下、SAW共振子と云う)に置き換えたタイプの
梯子型SAWフィルタが、数年前より提案され実用化さ
れている。該フィルタはQの高いSAW共振子のみで構
成する共振子型フィルタであるため、低損失が得られる
こと、通過域の急峻なカットオフ特性が得られること等
の特徴を備えている。
構成を示す構成図であって、2端子対回路の直列腕にS
AW共振子11を、並列腕にSAW共振子12または1
3を梯子状に接続したものである。梯子型フィルタは、
他の例えば、ヤーマン回路の様にトランス等を用いず、
Qの高い共振子のみで多段接続のフィルタ回路を構成す
ることができるため低損失であり、更に、同一圧電基板
上に複数のSAW共振子を形成して梯子型SAWフィル
タを構成すれば、小型化、量産性等に適しているという
特徴を有する。図6は梯子型SAWフィルタに用いる各
SAW共振子の基本構成を示した図であって圧電基板1
の主面にIDT14とその両側に反射器15a、15b
を形成した一般的なものであり、反射器間に振動エネル
ギーが閉じ込められる現象を利用するものである。ここ
で、WはIDTの交叉指幅であり、IDTの対数N、電
極膜厚H等と共にSAW共振子の特性を左右する重要な
ファクターである。
濾波特性例は、例えば、36゜YカットX伝搬リチウム
タンタレートを圧電基板とし、SAW共振子数は7素子
とし、入出力端の並列腕にはIDT対数N=40、電極
指交叉指幅W=28λ(λは該IDTが励起する弾性表
面波の波長である。)、他の並列腕にはIDT対数N=
80、電極指交叉指幅W=28λ、直列腕にIDT対数
N=80、電極指交叉指幅W=10λのSAW共振子を
それぞれ配置すると、その濾波特性は図7のようにな
る。
フ特性は急峻さを欠き、減衰傾度も十分ではなく、フィ
ルタの挿入損失が2.5dBと大きいという欠点があ
る。この原因は設計する際に一般的に使われている簡便
な影像パラメータ法を用いて梯子型フィルタを構成した
ためであるを推測される。そこで、より良好な特性が期
待できる動作パラメータ法を駆使すると共に種々パラメ
ータを変更しながらシミュレーションを行ったところ、
梯子型フィルタを構成するSAW共振子として容量比の
異なるものを用いて、これを適宜直列腕、並列腕に配列
することが必要となることが判明した。所望のフィルタ
特性により異なるが、動作パラメータ法を用いた設計で
は、梯子型回路に用いるSAW共振子の容量比の最小値
のものと最大値のものとの比率を概略2程度までの範囲
で自由に選定することが必要となる。
示すような一般的なSAW共振子にあっては、各SAW
共振子の容量比はほぼ同一であり、製造によるバラツキ
を考慮してもその差異は10%未満である。容量比を決
定する最も重要な因子は圧電基板であり、同一基板上に
容量比の異なるSAW共振子を構成することは困難であ
る。他の決定因子としてはIDTの対数N、IDTの交
叉指幅比W/λ、電極膜厚比H/λ及びIDT形状等が
あるもののこれらパラメータを変化させれば、容量比を
ある程度変化させることは可能であるが、自由に設定す
ることは極めて困難であった。
上に複数のSAW共振子を同時に形成するのではなく、
個別のSAW共振子を用いて梯子型SAWフィルタを構
成する場合には、個別の容量を前記SAW共振子に並列
接続して、見かけ上の容量比を可変することは容易であ
り、この手段は通常の水晶フィルタ等を梯子型で構成す
る場合には一般的に用いられてきた。また、この手段を
一枚の圧電基板に複数のSAW共振子を形成するものに
適用しようとしても、小型化と量産性が特徴であるSA
Wフィルタでは、個別容量を追加する余地もなく、たと
え追加が可能であるとしても小型化上問題となることは
明らかである。
たものであって、SAW共振子の容量比を自由に設定で
きるSAW共振子を実現することであり、これを用いて
梯子型SAWフィルタの濾波特性を改善し、良好なSA
Wフィルタを提供することを目的とする。
に本発明に係る弾性表面波フィルタの請求項1記載の発
明は、圧電基板上に所定のパターンの複数の弾性表面波
共振子を梯子型回路の直列腕と並列腕のそれぞれに配置
した帯域通過フィルタ回路において、最大の容量比を呈
する弾性表面波共振子と最小の容量比を呈する弾性表面
波共振子との容量比の差が10%以上であること特徴と
する弾性表面波フィルタである。請求項2記載の発明
は、前記弾性表面波共振子の少なくとも一つがIDTの
電極指部を伝搬方向に沿って複数部分に分割したもので
あることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波フィル
タである。請求項3記載の発明は、前記分割電極指部間
の間隔を波長の0.55〜0.85倍とした弾性表面波
共振子が1つ以上含まれることを特徴とする請求項1記
載の弾性表面波フィルタである。請求項4記載の発明
は、前記圧電基板が36゜±3゜または41゜±1゜Y
カットX伝搬リチウムタンタレートであることを特徴と
する請求項1又は請求項2記載の弾性表面波フィルタで
ある。
の形態に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係る
梯子型SAWフィルタを構成するSAW共振子の構成の
一実施例を示す図であって、例えば、36゜YカットX
伝搬リチウムタンタレート基板の主面上に、弾性表面波
の伝搬方向に沿って対数がN対のIDT2を配置し、該
IDTを間隔Dを設けて電極指部3と4とに2分割する
と共に、IDT2の両側に反射器5aと5bとを配置す
るように構成したSAW共振子である。ここでIDT電
極指部3と4の電極指ピッチはほぼ等しく、該電極指部
3と4の間隔Dは、利用する弾性表面波の波長λの0.
55〜0.85倍とする。また、IDTと反射器との間
隔は励起される弾性表面波の半波長分とする。
に設けた間隔Dの距離を変更すると、図2に示すように
SAW共振子の容量比がこれに応じて変化する。ここ
で、横軸はIDT2により励起される弾性表面波の波長
λで間隔Dを基準化したD/λであり、縦軸は容量比倍
率(容量比倍率とは前記IDT電極指間の間隔Dがλ/
2の時、即ち、従来の電極指配置における容量比と間隔
Dを形成した時の容量比との比をいう)を表している。
この図から明らかなように基準化間隔D/λ即ち、間隔
Dを変えることによって、該SAW共振子の容量比を大
幅に変化させることが可能となり、動作パラメータによ
る梯子型フィルタで必要な種々の容量比を実現すること
が出来る。
タの特性例を示す図である。即ち、図7に示した従来の
梯子型SAWフィルタの各SAW共振子について適切な
容量比を求め、これを実現すべく本発明に基づいて各S
AW共振子のIDTを所定の間隔をもって分割構成した
梯子型SAWフィルタの特性を示す図である。なお圧電
基板は36゜YカットX伝搬リチウムタンタレート基板
であり、梯子型回路のSAW共振子数は7素子とし、入
出力端の並列腕にはIDT対数N=40、電極指交叉幅
W=28λ、他の並列腕にはIDT対数N=80、電極
指交叉幅W=28λ、 直列腕にIDT対数N=80、
電極指交叉幅W=10λのSAW共振子をそれぞれ配置
した。図3に示す如く中心周波数は836.5MHz
で、図7に示した従来例に比べると明らかなように通過
帯域のカットオフ特性は急峻であり、減衰傾度も改善さ
れ、しかも、阻止域減衰量を十分に確保し且つ、挿入損
失が(2dB以下に)低減されたものであることが理解
できよう。
振子の電極指構成例の図であって、この例では36゜Y
カットX伝搬リチウムタンタレート基板1の主面上に、
弾性表面波の伝搬方向に沿ってIDT対数がN対のID
T6を配置し、該IDT6の電極指部のみをIDT電極
指部7、8および9に分割すると共に、IDT6の両側
に反射器10aと10bを配置するように構成したSA
W共振子である。ここでIDT電極指部7と8の間隔、
IDT電極指部8と9の間隔を同じくDとし、該間隔D
を前記IDTが励起する波長λの0.55〜0.85倍
とすることによって、図1の本発明に係るSAW共振子
と同様な効果即ち、間隔DによりSAW共振子の容量比
を大幅に可変することができる。なお、以上SAW共振
子の構成としてIDTを2分割および3分割した例につ
いて説明したが、図示した以外の箇所に間隙を設けて
も、同等の効果が得られ、また分割数は更に多くてもも
よい。また、IDT分割の位置と、数と幅を適宜選択し
て組み合わせれば任意の容量比を実現することができ
る。
ウムタンタレートを基板とし、中心周波数836.5M
Hzの携帯電話用RFフィルタを例として説明したが、
本発明はこれのみに限定されるものではなく、適当な基
板、電極材料、電極膜厚、IDT対数、交差幅、反射器
本数とすることにより同様な構成で梯子型SAWフィル
タが実現することは明白であり、中心周波数も弾性表面
波が励振可能な範囲であればよい。また、IDT電極指
ピッチと反射器電極指ピッチ比率の補正、IDTと反射
器電極の間隔補正およびIDT電極への重み付けと云っ
たSAW共振子に於いて周知の技術を適用して特性の改
善を図ることも可能である。
ことにより各種のフィルタ、例えばチェビシェフフィル
タ、振幅平坦フィルタ(ButterworthあるいはWagner特
性)や遅延平坦特性フィルタへも適用できることは言う
までもない。梯子型SAWフィルタの構成例として図5
に両端が並列腕共振子で構成される場合について示した
が、両端が直列腕共振子および並列腕共振子の任意の組
み合わせで終わる構成が可能なことは自明である。
であるから、SAW共振子の容量比をマスクパターンに
よって任意の値に設定することができ、設計手法として
動作パラメータ法が採用できるため、通過帯域特性と阻
止域特性のバランスの良好な梯子型SAWフィルタを実
現することが出来る。その結果、イメージパラメータ法
による特性に比較して、通過帯域のカットオフ特性は急
峻であり、減衰傾度は改良され、阻止域減衰量は増大
し、且つ挿入損失も低減することが出来、特に梯子型S
AWフィルタの特性改善をする上で著しい効果を発揮す
る。
タの構成要素に用いられる共振子のIDT構成を示す模
式図である。
倍率の関係を示す図である。
子型SAWフィルタの濾波特性を示す図である。
用したIDT電極指部の構成を示す模式図である。
の構成を示す図である。
構成を示す図である。
示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 圧電基板上に所定のパターンの複数の弾
性表面波共振子を梯子型回路の直列腕と並列腕のそれぞ
れに配置した帯域通過フィルタ回路において、最大の容
量比を呈する弾性表面波共振子と最小の容量比を呈する
弾性表面波共振子との容量比の差が10%以上であるこ
と特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項2】 前記弾性表面波共振子の少なくとも一つ
がIDTの電極指部を伝搬方向に沿って複数部分に分割
したものであることを特徴とする請求項1記載の弾性表
面波フィルタ。 - 【請求項3】 前記分割電極指部間の間隔を波長の0.
55〜0.85倍とした弾性表面波共振子が1つ以上含
まれることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波フィ
ルタ。 - 【請求項4】 前記圧電基板が36゜±3゜または41
゜±1゜YカットX伝搬リチウムタンタレートであるこ
とを特徴とする請求項1又は請求項2記載の弾性表面波
フィルタ。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP17293496A JP3721229B2 (ja) | 1996-06-12 | 1996-06-12 | 弾性表面波フィルタ |
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