JPH09331101A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH09331101A JPH09331101A JP17061696A JP17061696A JPH09331101A JP H09331101 A JPH09331101 A JP H09331101A JP 17061696 A JP17061696 A JP 17061696A JP 17061696 A JP17061696 A JP 17061696A JP H09331101 A JPH09331101 A JP H09331101A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 価電子帯頂の不連続を低減することにより良
好な電流−電圧特性を得ることができる半導体発光素子
を提供する。 【解決手段】 ｐ型のＧａＡｓよりなる基板１の上に緩
衝層２およびＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３を介してＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体よりなるバッファ層４，クラッド
層５，９，ガイド層６，８，活性層７を形成する。緩衝
層２はＺｎＴｅにより形成する。ＩＩ−ＶＩ族不連続緩
和層３はＺｎＳＴｅ混晶により形成する。バッファ層４
はＺｎＳｅにより形成する。ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３におけるＳとＴｅの組成比は基板１側からバッファ層
４側に向かって滑らかに変化し、基板１とバッファ層４
との間の価電子帯頂の不連続が緩和される。
好な電流−電圧特性を得ることができる半導体発光素子
を提供する。 【解決手段】 ｐ型のＧａＡｓよりなる基板１の上に緩
衝層２およびＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３を介してＩＩ
−ＶＩ族化合物半導体よりなるバッファ層４，クラッド
層５，９，ガイド層６，８，活性層７を形成する。緩衝
層２はＺｎＴｅにより形成する。ＩＩ−ＶＩ族不連続緩
和層３はＺｎＳＴｅ混晶により形成する。バッファ層４
はＺｎＳｅにより形成する。ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３におけるＳとＴｅの組成比は基板１側からバッファ層
４側に向かって滑らかに変化し、基板１とバッファ層４
との間の価電子帯頂の不連続が緩和される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｐ型の半導体より
なる基板の上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させて
第１導電型クラッド層，活性層および第２導電型クラッ
ド層を順次積層してなる半導体発光素子に関する。
なる基板の上にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させて
第１導電型クラッド層，活性層および第２導電型クラッ
ド層を順次積層してなる半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、緑色や青色で発光可能な半導体発
光素子としてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子が注目
されている。この半導体発光素子では、一般に、基板に
ｎ型の電気伝導性を有するＧａＡｓを用い、この基板の
上に適宜なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させて、ク
ラッド層，ガイド層，活性層などの各層を形成してい
る。
光素子としてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子が注目
されている。この半導体発光素子では、一般に、基板に
ｎ型の電気伝導性を有するＧａＡｓを用い、この基板の
上に適宜なＩＩ−ＶＩ族化合物半導体を成長させて、ク
ラッド層，ガイド層，活性層などの各層を形成してい
る。
【０００３】ところが、基板にｎ型のＧａＡｓを用いた
場合には、ｐ側電極としてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体と
良好なオーム性接触が得られる金属電極材料が存在して
おらず、ｐ側電極における良好なオーム性接触を得るこ
とができないという問題がある。そのため、ＺｎＳｅと
ＺｎＴｅとの多重量子井戸構造よりなる超格子層を介し
てｐ側電極を設け疑似的にオーム性接触を得るような改
善がされているものの、接触比抵抗の値が大きく、電流
−電圧特性について十分な再現性が得られていない。そ
こで、基板としてｎ型のＧａＡｓを用いる代わりに、ｐ
型のＧａＡｓを用いることが考えられる。
場合には、ｐ側電極としてＩＩ−ＶＩ族化合物半導体と
良好なオーム性接触が得られる金属電極材料が存在して
おらず、ｐ側電極における良好なオーム性接触を得るこ
とができないという問題がある。そのため、ＺｎＳｅと
ＺｎＴｅとの多重量子井戸構造よりなる超格子層を介し
てｐ側電極を設け疑似的にオーム性接触を得るような改
善がされているものの、接触比抵抗の値が大きく、電流
−電圧特性について十分な再現性が得られていない。そ
こで、基板としてｎ型のＧａＡｓを用いる代わりに、ｐ
型のＧａＡｓを用いることが考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板に
ｐ型のＧａＡｓを用いた場合には、基板とその上に形成
したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体との間に約１ｅＶ程の価
電子帯頂の不連続が存在し、良好な電流−電圧特性を得
ることができないという問題がある。そのため、基板と
第１導電型クラッド層との間にｐ型のＧａＩｎＰ混晶よ
りなる層またはｐ型のＡｌＩｎＰ混晶よりなる層を挿入
し価電子帯頂の不連続を低減する方法が提案されている
（特開平７−７２１８）が、それでも依然として０．３
４ｅＶ程度の不連続が存在し十分な解決策となっていな
い。
ｐ型のＧａＡｓを用いた場合には、基板とその上に形成
したＩＩ−ＶＩ族化合物半導体との間に約１ｅＶ程の価
電子帯頂の不連続が存在し、良好な電流−電圧特性を得
ることができないという問題がある。そのため、基板と
第１導電型クラッド層との間にｐ型のＧａＩｎＰ混晶よ
りなる層またはｐ型のＡｌＩｎＰ混晶よりなる層を挿入
し価電子帯頂の不連続を低減する方法が提案されている
（特開平７−７２１８）が、それでも依然として０．３
４ｅＶ程度の不連続が存在し十分な解決策となっていな
い。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、価電子帯頂の不連続を低減すること
により、良好な電流−電圧特性を得ることができる半導
体発光素子を提供することにある。
ので、その目的は、価電子帯頂の不連続を低減すること
により、良好な電流−電圧特性を得ることができる半導
体発光素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体発光
素子は、ｐ型の半導体よりなる基板の上にＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体を成長させて第１導電型クラッド層，活性
層，第２導電型クラッド層を順次積層してなるものであ
って、基板と第１導電型クラッド層との間に、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体により形成されると共に基板と第１導
電型クラッド層との間の価電子帯頂の不連続を緩和する
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層を備えたものである。
素子は、ｐ型の半導体よりなる基板の上にＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体を成長させて第１導電型クラッド層，活性
層，第２導電型クラッド層を順次積層してなるものであ
って、基板と第１導電型クラッド層との間に、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族化合物半導体により形成されると共に基板と第１導
電型クラッド層との間の価電子帯頂の不連続を緩和する
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層を備えたものである。
【０００７】この半導体発光素子では、基板と第２導電
型クラッド層との間に所定の電圧が印加されると、活性
層において電子−正孔再結合による発光が起こる。基板
と第１導電型クラッド層との間では、価電子帯頂の不連
続が緩和されているので、良好なオーム性接触が得られ
る。
型クラッド層との間に所定の電圧が印加されると、活性
層において電子−正孔再結合による発光が起こる。基板
と第１導電型クラッド層との間では、価電子帯頂の不連
続が緩和されているので、良好なオーム性接触が得られ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施の形態に係る半
導体発光素子の構成を表すものである。この半導体発光
素子は、基板１の上に緩衝層２およびＩＩ−ＶＩ族不連
続緩和層３を介してバッファ層４，第１導電型クラッド
層５，第１のガイド層６，活性層７および第２導電型ク
ラッド層８が順次積層されている。このうち、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族不連続緩和層３は、基板１とバッファ層４の間の価
電子帯頂の不連続を緩和するためのものである。
導体発光素子の構成を表すものである。この半導体発光
素子は、基板１の上に緩衝層２およびＩＩ−ＶＩ族不連
続緩和層３を介してバッファ層４，第１導電型クラッド
層５，第１のガイド層６，活性層７および第２導電型ク
ラッド層８が順次積層されている。このうち、ＩＩ−Ｖ
Ｉ族不連続緩和層３は、基板１とバッファ層４の間の価
電子帯頂の不連続を緩和するためのものである。
【００１０】基板１は、例えば厚さが約３５０μｍであ
り、ｐ型の不純物である例えばベリリウム（Ｂｅ）が添
加されたｐ型のＧａＡｓ（すなわちｐ型の半導体）によ
り形成されている。
り、ｐ型の不純物である例えばベリリウム（Ｂｅ）が添
加されたｐ型のＧａＡｓ（すなわちｐ型の半導体）によ
り形成されている。
【００１１】緩衝層２は、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続
緩和層３との間の抵抗を小さくするためのものであり、
ｐ型の不純物である例えば窒素（Ｎ）が添加されたｐ型
のＺｎＴｅにより形成されている。すなわち、後述する
ように、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３はＺｎＳＴｅ混晶
により形成されるが、図２に示したように、ＺｎＳＴｅ
混晶のキャリア濃度は硫黄（Ｓ）の組成比が大きくなる
と低くなり十分なキャリア濃度を得ることができない。
そのため、基板１の上に直接ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３を形成した場合、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３との間の抵抗が高くなってしまう。しかし、硫黄を含
まないＺｎＴｅにおいては、１×１０19ｃｍ-3程度の十
分なキャリア濃度を得ることができる。従って、本実施
の形態ではＺｎＴｅよりなる緩衝層２を挿入することに
より、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３との間の抵
抗を小さくするものである。
緩和層３との間の抵抗を小さくするためのものであり、
ｐ型の不純物である例えば窒素（Ｎ）が添加されたｐ型
のＺｎＴｅにより形成されている。すなわち、後述する
ように、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３はＺｎＳＴｅ混晶
により形成されるが、図２に示したように、ＺｎＳＴｅ
混晶のキャリア濃度は硫黄（Ｓ）の組成比が大きくなる
と低くなり十分なキャリア濃度を得ることができない。
そのため、基板１の上に直接ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３を形成した場合、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３との間の抵抗が高くなってしまう。しかし、硫黄を含
まないＺｎＴｅにおいては、１×１０19ｃｍ-3程度の十
分なキャリア濃度を得ることができる。従って、本実施
の形態ではＺｎＴｅよりなる緩衝層２を挿入することに
より、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３との間の抵
抗を小さくするものである。
【００１２】なお、ＺｎＴｅの格子定数は６．１０Åで
あり基板１の格子定数（すなわちＧａＡｓの格子定数
５．６５３３Å）と整合しないので、緩衝層２の厚さは
臨界膜厚以内の例えば２ｎｍとなっている。
あり基板１の格子定数（すなわちＧａＡｓの格子定数
５．６５３３Å）と整合しないので、緩衝層２の厚さは
臨界膜厚以内の例えば２ｎｍとなっている。
【００１３】ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３は、ｐ型の不
純物である例えば窒素が添加されたｐ型のＺｎＳＴｅ混
晶により形成されている。このＺｎＳＴｅ混晶は、図３
に示したバンド概念図において網かけで示したように、
硫黄とテルル（Ｔｅ）との組成比に応じてバンドギャッ
プが変化する。本実施の形態においては、硫黄の組成比
が基板１側からバッファ層４側に向かって０％から６５
％まで徐々に増加している。これにより、基板１とバッ
ファ層４との間の価電子帯頂は、図４に示したように、
基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３（すなわち緩衝層
２）との間の０．１５ｅＶを除き滑らかに連続してい
る。
純物である例えば窒素が添加されたｐ型のＺｎＳＴｅ混
晶により形成されている。このＺｎＳＴｅ混晶は、図３
に示したバンド概念図において網かけで示したように、
硫黄とテルル（Ｔｅ）との組成比に応じてバンドギャッ
プが変化する。本実施の形態においては、硫黄の組成比
が基板１側からバッファ層４側に向かって０％から６５
％まで徐々に増加している。これにより、基板１とバッ
ファ層４との間の価電子帯頂は、図４に示したように、
基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３（すなわち緩衝層
２）との間の０．１５ｅＶを除き滑らかに連続してい
る。
【００１４】なお、ＺｎＴｅの格子定数は６．１０Åで
ありＺｎＳの格子定数は５．４０９Åなので、硫黄の組
成比が６５％においてＺｎＳＴｅ混晶の格子定数は基板
１と同じ５．６５３３Åとなる。よって、ＩＩ−ＶＩ族
不連続緩和層３の厚さは、硫黄の組成比が６５％以下ま
での厚さが臨界膜厚以内となっており、全体では例えば
２０ｎｍとなっている。
ありＺｎＳの格子定数は５．４０９Åなので、硫黄の組
成比が６５％においてＺｎＳＴｅ混晶の格子定数は基板
１と同じ５．６５３３Åとなる。よって、ＩＩ−ＶＩ族
不連続緩和層３の厚さは、硫黄の組成比が６５％以下ま
での厚さが臨界膜厚以内となっており、全体では例えば
２０ｎｍとなっている。
【００１５】バッファ層４は、例えば厚さが約２０ｎｍ
であり、ｐ型の不純物である例えば窒素が添加されたｐ
型のＺｎＳｅによって形成されている。第１導電型クラ
ッド層５は、例えば厚さが約１μｍであり、ｐ型の不純
物である例えば窒素が添加されたｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ
混晶によって形成されている。第１のガイド層６は、例
えば厚さが約９０ｎｍであり、ｐ型の不純物である例え
ば窒素が添加されたｐ型のＺｎＳＳｅ混晶によって形成
されている。
であり、ｐ型の不純物である例えば窒素が添加されたｐ
型のＺｎＳｅによって形成されている。第１導電型クラ
ッド層５は、例えば厚さが約１μｍであり、ｐ型の不純
物である例えば窒素が添加されたｐ型のＺｎＭｇＳＳｅ
混晶によって形成されている。第１のガイド層６は、例
えば厚さが約９０ｎｍであり、ｐ型の不純物である例え
ば窒素が添加されたｐ型のＺｎＳＳｅ混晶によって形成
されている。
【００１６】活性層７は、例えば厚さが約７ｎｍの単一
量子井戸構造を有するＺｎＣｄＳｅ混晶により形成され
ている。第２のガイド層８は、例えば厚さが約９０ｎｍ
であり、ｎ型の不純物である例えば塩素（Ｃｌ）が添加
されたｎ型のＺｎＳＳｅ混晶によって形成されている。
第２導電型クラッド層９は、例えば厚さが約１μｍであ
り、ｎ型の不純物である例えば塩素が添加されたｎ型の
ＺｎＭｇＳＳｅ混晶によって形成されている。
量子井戸構造を有するＺｎＣｄＳｅ混晶により形成され
ている。第２のガイド層８は、例えば厚さが約９０ｎｍ
であり、ｎ型の不純物である例えば塩素（Ｃｌ）が添加
されたｎ型のＺｎＳＳｅ混晶によって形成されている。
第２導電型クラッド層９は、例えば厚さが約１μｍであ
り、ｎ型の不純物である例えば塩素が添加されたｎ型の
ＺｎＭｇＳＳｅ混晶によって形成されている。
【００１７】この第２導電型クラッド層９の上には、例
えば厚さが約２０〜３０ｎｍのコンタクト層１０がＺｎ
Ｓｅにより形成されている。このコンタクト層１０は、
ｎ型の不純物である例えば塩素が添加されることにより
ｎ型の半導体となっている。コンタクト層１０の上に
は、パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａ
ｕ）をコンタクト層１０側から順次積層してなるｎ側電
極１１が設けられており、基板１の裏面には、インジウ
ムからなるｐ側電極１２が設けられている。
えば厚さが約２０〜３０ｎｍのコンタクト層１０がＺｎ
Ｓｅにより形成されている。このコンタクト層１０は、
ｎ型の不純物である例えば塩素が添加されることにより
ｎ型の半導体となっている。コンタクト層１０の上に
は、パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａ
ｕ）をコンタクト層１０側から順次積層してなるｎ側電
極１１が設けられており、基板１の裏面には、インジウ
ムからなるｐ側電極１２が設けられている。
【００１８】このような構成を有する半導体発光素子
は、次のようにして形成することができる。
は、次のようにして形成することができる。
【００１９】まず、ｐ型のＧａＡｓにより形成された基
板１の上に、分子線エピタキシー（Molecular Beam Epi
taxy；ＭＢＥ）法により、緩衝層２，ＩＩ−ＶＩ族不連
続緩和層３，バッファ層４，第１導電型クラッド層５，
第１のガイド層６，活性層７，第２のガイド層８，第２
導電型クラッド層９およびコンタクト層７の各層を順次
エピタキシャル成長させる。
板１の上に、分子線エピタキシー（Molecular Beam Epi
taxy；ＭＢＥ）法により、緩衝層２，ＩＩ−ＶＩ族不連
続緩和層３，バッファ層４，第１導電型クラッド層５，
第１のガイド層６，活性層７，第２のガイド層８，第２
導電型クラッド層９およびコンタクト層７の各層を順次
エピタキシャル成長させる。
【００２０】このＭＢＥ法では、各層をそれぞれ構成す
る化合物半導体の組成に応じて原料の各粒子線を分子線
源セルからそれぞれ照射することにより各層をそれぞれ
エピタキシャル成長させる。緩衝層２，ＩＩ−ＶＩ族不
連続緩和層３，バッファ層４，第１導電型クラッド層
５，第１のガイド層６に対する窒素の添加は、原料の各
粒子線に加え、ＥＣＲ（Electron Cycrotron Rcsonanc
e）セルまたはＲＦ（Radio Frequency ）セルによって
プラズマ化した窒素を照射することにより行う。また、
第２のガイド層８，第２導電型クラッド層９およびコン
タクト層１０に対する塩素の添加は、塩素の粒子線を原
料の各粒子線と共に分子線源セルから照射することによ
り行う。
る化合物半導体の組成に応じて原料の各粒子線を分子線
源セルからそれぞれ照射することにより各層をそれぞれ
エピタキシャル成長させる。緩衝層２，ＩＩ−ＶＩ族不
連続緩和層３，バッファ層４，第１導電型クラッド層
５，第１のガイド層６に対する窒素の添加は、原料の各
粒子線に加え、ＥＣＲ（Electron Cycrotron Rcsonanc
e）セルまたはＲＦ（Radio Frequency ）セルによって
プラズマ化した窒素を照射することにより行う。また、
第２のガイド層８，第２導電型クラッド層９およびコン
タクト層１０に対する塩素の添加は、塩素の粒子線を原
料の各粒子線と共に分子線源セルから照射することによ
り行う。
【００２１】次いで、コンタクト層１０の上にパラジウ
ム，白金，金を順次蒸着し、ｎ側電極１１を形成する。
また、基板１の裏面にインジウムを蒸着しｐ側電極１２
を形成する。これにより図１に示した構成を有する半導
体発光素子が形成される。
ム，白金，金を順次蒸着し、ｎ側電極１１を形成する。
また、基板１の裏面にインジウムを蒸着しｐ側電極１２
を形成する。これにより図１に示した構成を有する半導
体発光素子が形成される。
【００２２】次に、この半導体発光素子の作用について
説明する。
説明する。
【００２３】この半導体発光素子では、ｎ側電極１１と
ｐ側電極１２との間に所定の電圧が印加されると、ｐ側
電極１２から基板１に電流が注入される。基板１に注入
された電流は、緩衝層２，ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３，バッファ層４，第１導電型クラッド層５および第１
のガイド層６を通過して、活性層７に注入される。活性
層７では、電子−正孔再結合により発光が起こる。
ｐ側電極１２との間に所定の電圧が印加されると、ｐ側
電極１２から基板１に電流が注入される。基板１に注入
された電流は、緩衝層２，ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
３，バッファ層４，第１導電型クラッド層５および第１
のガイド層６を通過して、活性層７に注入される。活性
層７では、電子−正孔再結合により発光が起こる。
【００２４】このとき、基板１とバッファ層４との間で
は、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３により価電子帯頂がほ
ぼ連続状態となっており、図５に示したように、疑似的
なオーム性接触が得られている。また、緩衝層２により
基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３との間の抵抗が低
くなっている。
は、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３により価電子帯頂がほ
ぼ連続状態となっており、図５に示したように、疑似的
なオーム性接触が得られている。また、緩衝層２により
基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３との間の抵抗が低
くなっている。
【００２５】このように本実施の形態に係る半導体発光
素子によれば、基板１とバッファ層４との間にＩＩ−Ｖ
Ｉ族不連続緩和層３を挿入するようにしたので、基板１
とバッファ層４との間の価電子帯頂をほぼ連続状態とす
ることができ、良好な電流−電圧特性を得ることができ
る。また、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３との間
に緩衝層２を挿入するようにしたので、基板１とＩＩ−
ＶＩ族不連続緩和層３との間の抵抗を低くすることがで
きる。
素子によれば、基板１とバッファ層４との間にＩＩ−Ｖ
Ｉ族不連続緩和層３を挿入するようにしたので、基板１
とバッファ層４との間の価電子帯頂をほぼ連続状態とす
ることができ、良好な電流−電圧特性を得ることができ
る。また、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３との間
に緩衝層２を挿入するようにしたので、基板１とＩＩ−
ＶＩ族不連続緩和層３との間の抵抗を低くすることがで
きる。
【００２６】なお、本実施の形態においては基板１にｐ
型のＧａＡｓを用いているので、ｎ型のＧａＡｓを用い
る場合とは異なり、ｐ側電極１２を帯状ではなく全面に
形成することができる。よって、ｎ型のＧａＡｓを用い
る場合はｐ側電極との比接触抵抗を１×１０-3Ωｃｍ2
程度とする必要があるのに対して、本実施の形態におい
ては１×１０-2Ωｃｍ2 程度であればよくなり、ｐ側電
極１２との間の良好なオーム性接触を容易に得ることが
できる。
型のＧａＡｓを用いているので、ｎ型のＧａＡｓを用い
る場合とは異なり、ｐ側電極１２を帯状ではなく全面に
形成することができる。よって、ｎ型のＧａＡｓを用い
る場合はｐ側電極との比接触抵抗を１×１０-3Ωｃｍ2
程度とする必要があるのに対して、本実施の形態におい
ては１×１０-2Ωｃｍ2 程度であればよくなり、ｐ側電
極１２との間の良好なオーム性接触を容易に得ることが
できる。
【００２７】図６は本発明の第２の実施の形態に係る半
導体発光素子の構成を表すものである。この半導体発光
素子は、第１の実施の形態の緩衝層２とＩＩ−ＶＩ族不
連続緩和層３とに代えて、ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２
１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２とを基板１とバッフ
ァ層４との間に備えたことを除き、他の構成は第１の実
施の形態と同一である。よって、第１の実施の形態と同
一の構成要素については同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。
導体発光素子の構成を表すものである。この半導体発光
素子は、第１の実施の形態の緩衝層２とＩＩ−ＶＩ族不
連続緩和層３とに代えて、ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２
１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２とを基板１とバッフ
ァ層４との間に備えたことを除き、他の構成は第１の実
施の形態と同一である。よって、第１の実施の形態と同
一の構成要素については同一の符号を付し、その詳細な
説明は省略する。
【００２８】ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２１は、基板１
とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２との間の価電子帯頂の
不連続を緩和するためのものである。すなわち、後述す
るように、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２をＺｎＣｄＳ
ｅ混晶により形成した場合、図７に示したバンド概念図
から分かるように、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２のみ
によっては基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２との
間の価電子帯頂の不連続を緩和できないからである。
とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２との間の価電子帯頂の
不連続を緩和するためのものである。すなわち、後述す
るように、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２をＺｎＣｄＳ
ｅ混晶により形成した場合、図７に示したバンド概念図
から分かるように、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２のみ
によっては基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２との
間の価電子帯頂の不連続を緩和できないからである。
【００２９】このＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２１は、基
板１の上に形成された第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層であ
るＧａＩｎＰ混晶層２１ａと、このＧａＩｎＰ混晶層２
１ａの上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層であ
るＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂとにより構成されている。Ｇ
ａＩｎＰ混晶層２１ａは、例えば厚さが２０ｎｍであ
り、ｐ型の不純物である例えばベリリウムが添加された
ｐ型のＧａＩｎＰ混晶により形成されている。このＧａ
ＩｎＰ混晶は、組成比がガリウム（Ｇａ）５２％，イン
ジウム（Ｉｎ）４８％であり、図７に示したように、バ
ッファ層４との価電子帯頂との差が０．６７ｅＶであ
る。
板１の上に形成された第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体層であ
るＧａＩｎＰ混晶層２１ａと、このＧａＩｎＰ混晶層２
１ａの上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体層であ
るＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂとにより構成されている。Ｇ
ａＩｎＰ混晶層２１ａは、例えば厚さが２０ｎｍであ
り、ｐ型の不純物である例えばベリリウムが添加された
ｐ型のＧａＩｎＰ混晶により形成されている。このＧａ
ＩｎＰ混晶は、組成比がガリウム（Ｇａ）５２％，イン
ジウム（Ｉｎ）４８％であり、図７に示したように、バ
ッファ層４との価電子帯頂との差が０．６７ｅＶであ
る。
【００３０】ＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂは、例えば厚さが
２０ｎｍであり、ｐ型の不純物である例えばベリリウム
が添加されたｐ型のＡｌＩｎＰ混晶により形成されてい
る。このＡｌＩｎＰ混晶は、組成比がアルミニウム（Ａ
ｌ）５２％，インジウム（Ｉｎ）４８％であり、図７に
示したように、バッファ層４との価電子帯頂との差が
０．３４ｅＶである。すなわち、ＧａＩｎＰ混晶層２１
ａとＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂの挿入により、基板１とバ
ッファ層４との間に存在した価電子帯頂の差は０．９６
ｅＶから０．３４ｅＶにまで低くなっている。
２０ｎｍであり、ｐ型の不純物である例えばベリリウム
が添加されたｐ型のＡｌＩｎＰ混晶により形成されてい
る。このＡｌＩｎＰ混晶は、組成比がアルミニウム（Ａ
ｌ）５２％，インジウム（Ｉｎ）４８％であり、図７に
示したように、バッファ層４との価電子帯頂との差が
０．３４ｅＶである。すなわち、ＧａＩｎＰ混晶層２１
ａとＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂの挿入により、基板１とバ
ッファ層４との間に存在した価電子帯頂の差は０．９６
ｅＶから０．３４ｅＶにまで低くなっている。
【００３１】ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２は、厚さが
臨界膜厚以内の例えば２０ｎｍであり、ｐ型の不純物で
ある例えば窒素が添加されたｐ型のＺｎＣｄＳｅ混晶に
より形成されている。このＺｎＣｄＳｅ混晶は、図７に
おいて網かけで示したように、亜鉛（Ｚｎ）とカドミウ
ム（Ｃｄ）との組成比に応じてバンドギャップが変化す
る。本実施の形態においては、亜鉛の組成比がＡｌＩｎ
Ｐ混晶層２１ｂ側からバッファ層４側に向かって０％か
ら１００％まで徐々に増加しており、ＡｌＩｎＰ混晶層
２１ｂとバッファ層４との間の価電子帯頂をほぼ滑らか
に連続するようになっている。
臨界膜厚以内の例えば２０ｎｍであり、ｐ型の不純物で
ある例えば窒素が添加されたｐ型のＺｎＣｄＳｅ混晶に
より形成されている。このＺｎＣｄＳｅ混晶は、図７に
おいて網かけで示したように、亜鉛（Ｚｎ）とカドミウ
ム（Ｃｄ）との組成比に応じてバンドギャップが変化す
る。本実施の形態においては、亜鉛の組成比がＡｌＩｎ
Ｐ混晶層２１ｂ側からバッファ層４側に向かって０％か
ら１００％まで徐々に増加しており、ＡｌＩｎＰ混晶層
２１ｂとバッファ層４との間の価電子帯頂をほぼ滑らか
に連続するようになっている。
【００３２】このように本実施の形態に係る半導体発光
素子によっても、第１の実施の形態と同様に、基板１と
バッファ層４との間の価電子帯頂をほぼ連続させること
ができ、良好な電流−電圧特性を得ることができる。
素子によっても、第１の実施の形態と同様に、基板１と
バッファ層４との間の価電子帯頂をほぼ連続させること
ができ、良好な電流−電圧特性を得ることができる。
【００３３】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々の変形が可能である。
【００３４】例えば、上記第１の実施の形態においては
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３をＺｎＳＴｅ混晶により形
成するようにし、上記第２の実施の形態においてはＩＩ
−ＶＩ族不連続緩和層２２をＺｎＣｄＳｅ混晶により形
成するようにしたが、不純物の添加によりｐ型の半導体
となり、かつ組成比を変化させることにより価電子帯頂
のエネルギー準位を基板１の価電子帯頂のエネルギー準
位とバッファ層４の価電子帯頂のエネルギー準位との間
からバッファ層４の価電子帯頂のエネルギー準位まで変
化させることができるものであれば、ＩＩ−ＶＩ族不連
続緩和層を他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成す
ることもできる。
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３をＺｎＳＴｅ混晶により形
成するようにし、上記第２の実施の形態においてはＩＩ
−ＶＩ族不連続緩和層２２をＺｎＣｄＳｅ混晶により形
成するようにしたが、不純物の添加によりｐ型の半導体
となり、かつ組成比を変化させることにより価電子帯頂
のエネルギー準位を基板１の価電子帯頂のエネルギー準
位とバッファ層４の価電子帯頂のエネルギー準位との間
からバッファ層４の価電子帯頂のエネルギー準位まで変
化させることができるものであれば、ＩＩ−ＶＩ族不連
続緩和層を他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成す
ることもできる。
【００３５】また、上記第１の実施の形態においては、
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３をＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和
層を介さずに基板１の上に形成するようにしたが、第２
の実施の形態と同様に、ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層を介
して基板１の上に形成し、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続
緩和層３との間の０．１５ｅＶの価電子帯頂の不連続状
態を除去するようにしてもよい。この場合、ＩＩＩ−Ｖ
族不連続緩和層は、第２の実施の形態とは異なり、Ｇａ
ＩｎＰ混晶層のみにより構成することができる。
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３をＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和
層を介さずに基板１の上に形成するようにしたが、第２
の実施の形態と同様に、ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層を介
して基板１の上に形成し、基板１とＩＩ−ＶＩ族不連続
緩和層３との間の０．１５ｅＶの価電子帯頂の不連続状
態を除去するようにしてもよい。この場合、ＩＩＩ−Ｖ
族不連続緩和層は、第２の実施の形態とは異なり、Ｇａ
ＩｎＰ混晶層のみにより構成することができる。
【００３６】更に、上記第２の実施の形態においては、
ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２１をＧａＩｎＰ混晶層２１
ａとＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂとにより構成するようにし
たが、ＧａＩｎＰ混晶層２１ａのみにより構成するよう
にしてもよく、また他の１または複数のＩＩＩ−Ｖ族半
導体層により構成するようにしてもよい。なお、これは
第２の実施の形態に限ることではなく、ＩＩＩ−Ｖ族不
連続緩和層を設ける場合全てにおいて該当する。
ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２１をＧａＩｎＰ混晶層２１
ａとＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂとにより構成するようにし
たが、ＧａＩｎＰ混晶層２１ａのみにより構成するよう
にしてもよく、また他の１または複数のＩＩＩ−Ｖ族半
導体層により構成するようにしてもよい。なお、これは
第２の実施の形態に限ることではなく、ＩＩＩ−Ｖ族不
連続緩和層を設ける場合全てにおいて該当する。
【００３７】加えて、上記第２の実施の形態において
は、ＧａＩｎＰ混晶層２１ａを組成比がガリウム５２
％，インジウム４８％のＧａＩｎＰ混晶により形成する
ようにし、ＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂを組成比がアルミニ
ウム５２％，インジウム４８％のＡｌＩｎＰ混晶により
形成するようにしたが、それらの組成比を基板１側から
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２側に向かって滑らかに変
化させるようにしてもよい。なお、これは第２の実施の
形態に限ることではなく、ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層を
設ける場合全てにおいて該当する。
は、ＧａＩｎＰ混晶層２１ａを組成比がガリウム５２
％，インジウム４８％のＧａＩｎＰ混晶により形成する
ようにし、ＡｌＩｎＰ混晶層２１ｂを組成比がアルミニ
ウム５２％，インジウム４８％のＡｌＩｎＰ混晶により
形成するようにしたが、それらの組成比を基板１側から
ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層２２側に向かって滑らかに変
化させるようにしてもよい。なお、これは第２の実施の
形態に限ることではなく、ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層を
設ける場合全てにおいて該当する。
【００３８】更にまた、上記実施の形態においては、Ｉ
Ｉ−ＶＩ族不連続緩和層２，２２を３元素からなる混晶
により形成するようにしたが、組成比を変化させること
によりバンドギャップを変化させることができればよ
く、３元素に限らず３以上の元素からなる混晶であれば
よい。
Ｉ−ＶＩ族不連続緩和層２，２２を３元素からなる混晶
により形成するようにしたが、組成比を変化させること
によりバンドギャップを変化させることができればよ
く、３元素に限らず３以上の元素からなる混晶であれば
よい。
【００３９】加えてまた、上記第１の実施の形態におい
ては、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３における硫黄の組成
比を０％から６５％まで変化させるようにしたが、本発
明は、この組成比に限定されるものではなく、例えば０
％から５０％まで変化させるようにしてもよい。但し、
第１の実施の形態のように、６５％まで変化させると、
ＺｎＳＴｅ混晶の格子定数を基板１の格子定数と整合さ
せることができるので好ましい。なお、これは、第２の
実施の形態についても同様である。
ては、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３における硫黄の組成
比を０％から６５％まで変化させるようにしたが、本発
明は、この組成比に限定されるものではなく、例えば０
％から５０％まで変化させるようにしてもよい。但し、
第１の実施の形態のように、６５％まで変化させると、
ＺｎＳＴｅ混晶の格子定数を基板１の格子定数と整合さ
せることができるので好ましい。なお、これは、第２の
実施の形態についても同様である。
【００４０】更にまた、上記実施の形態においては、基
板１にｐ型のＧａＡｓを用いているが、本発明は、ｐ型
のＩｎＰなどの他のｐ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
基板に用いる場合にも適用することができる。なお、ｐ
型のＩｎＰを基板に用いる場合には、ＩｎＰの格子定数
は５．８６８Åであるので、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
をＺｎＳＴｅ混晶により形成すると、硫黄の組成比が３
４％のときにＺｎＳＴｅ混晶の格子定数が基板の格子定
数に整合するようになる。従って、ＩＩ−ＶＩ族不連続
緩和層における硫黄の組成比を格子定数が基板の格子定
数と整合するまで変化させる場合には、図２に示したよ
うに、キャリア濃度を十分に高くすることができ、抵抗
の低いＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層を形成することができ
る。よって、良好な電気的接触が可能となる。
板１にｐ型のＧａＡｓを用いているが、本発明は、ｐ型
のＩｎＰなどの他のｐ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を
基板に用いる場合にも適用することができる。なお、ｐ
型のＩｎＰを基板に用いる場合には、ＩｎＰの格子定数
は５．８６８Åであるので、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層
をＺｎＳＴｅ混晶により形成すると、硫黄の組成比が３
４％のときにＺｎＳＴｅ混晶の格子定数が基板の格子定
数に整合するようになる。従って、ＩＩ−ＶＩ族不連続
緩和層における硫黄の組成比を格子定数が基板の格子定
数と整合するまで変化させる場合には、図２に示したよ
うに、キャリア濃度を十分に高くすることができ、抵抗
の低いＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層を形成することができ
る。よって、良好な電気的接触が可能となる。
【００４１】更にまた、上記実施の形態においては、バ
ッファ層４をＺｎＳｅにより形成するようにしたが、本
発明は、バッファ層４を他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
により形成する場合においても適用することができる。
なお、その場合、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層の組成およ
びＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層の組成は、バッファ層４の
組成に応じて適宜に選択される。
ッファ層４をＺｎＳｅにより形成するようにしたが、本
発明は、バッファ層４を他のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
により形成する場合においても適用することができる。
なお、その場合、ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層の組成およ
びＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層の組成は、バッファ層４の
組成に応じて適宜に選択される。
【００４２】加えてまた、本発明は、バッファ層４を形
成しない場合やバッファ層４を複数形成する場合などに
ついても適用することができ、また、第１のガイド６お
よび第２のガイド層８を形成しない場合や第１のガイド
層６および第２のガイド層８を真性半導体により形成し
た場合などについても適用することができる。
成しない場合やバッファ層４を複数形成する場合などに
ついても適用することができ、また、第１のガイド６お
よび第２のガイド層８を形成しない場合や第１のガイド
層６および第２のガイド層８を真性半導体により形成し
た場合などについても適用することができる。
【００４３】更にまた、上記実施の形態においては、Ｍ
ＢＥ法により緩衝層２，ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２
１，ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３，２２，バッファ層
４，第１導電型クラッド層５，第１のガイド層６，活性
層７，第２のガイド層８，第２導電型クラッド層９およ
びコンタクト層１０を形成するようにしたが、ＭＯＣＶ
Ｄ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）など
の他の方法により形成することもできる。
ＢＥ法により緩衝層２，ＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層２
１，ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層３，２２，バッファ層
４，第１導電型クラッド層５，第１のガイド層６，活性
層７，第２のガイド層８，第２導電型クラッド層９およ
びコンタクト層１０を形成するようにしたが、ＭＯＣＶ
Ｄ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）など
の他の方法により形成することもできる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る半導体
発光素子によれば、基板と第１導電型クラッド層との間
に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成されたＩＩ−
ＶＩ族不連続緩和層を備えるようにしたので、基板と第
１導電型クラッド層との間の価電子帯頂の不連続を緩和
することができ、疑似的なオーム性接触が得られ、良好
な電流−電圧特性を得ることができるという効果を奏す
る。
発光素子によれば、基板と第１導電型クラッド層との間
に、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成されたＩＩ−
ＶＩ族不連続緩和層を備えるようにしたので、基板と第
１導電型クラッド層との間の価電子帯頂の不連続を緩和
することができ、疑似的なオーム性接触が得られ、良好
な電流−電圧特性を得ることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光素
子を表す断面図である。
子を表す断面図である。
【図２】ＺｎＳＴｅ混晶におけるキャリア濃度の硫黄依
存性を表す特性図である。
存性を表す特性図である。
【図３】ＧａＡｓ，ＺｎＳＴｅ混晶，ＺｎＳｅ，ＺｎＴ
ｅ，ＺｎＳそれぞれの相対的なバンド概念図である。
ｅ，ＺｎＳそれぞれの相対的なバンド概念図である。
【図４】図１に示した実施の形態における基板からバッ
ファ層までの価電子帯頂の接続状態を表す概念図であ
る。
ファ層までの価電子帯頂の接続状態を表す概念図であ
る。
【図５】図１に示した実施の形態における緩衝層とバッ
ファ層との間の電流−電圧特性を表す図である。
ファ層との間の電流−電圧特性を表す図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光素
子を表す断面図である。
子を表す断面図である。
【図７】ＡｌＩｎＰ混晶，ＧａＩｎＰ混晶，ＧａＡｓ，
ＺｎＣｄＳｅ混晶，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅそれぞれの相対
的なバンド概念図である。
ＺｎＣｄＳｅ混晶，ＺｎＳｅ，ＣｄＳｅそれぞれの相対
的なバンド概念図である。
１…基板、２…緩衝層、３，２２…ＩＩ−ＶＩ族不連続
緩和層、４…バッファ層、５…第１導電型クラッド層、
６…第１のガイド層、７…活性層、８…第２のガイド
層、９…第２導電型クラッド層、１０…コンタクト層、
１１…ｎ側電極、１２…ｐ側電極、２１…ＩＩＩ−Ｖ族
不連続緩和層、２１ａ…ＧａＩｎＰ混晶層、２１ｂ…Ａ
ｌＩｎＰ混晶
緩和層、４…バッファ層、５…第１導電型クラッド層、
６…第１のガイド層、７…活性層、８…第２のガイド
層、９…第２導電型クラッド層、１０…コンタクト層、
１１…ｎ側電極、１２…ｐ側電極、２１…ＩＩＩ−Ｖ族
不連続緩和層、２１ａ…ＧａＩｎＰ混晶層、２１ｂ…Ａ
ｌＩｎＰ混晶
Claims (11)
- 【請求項１】 ｐ型の半導体よりなる基板の上にＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体を成長させて第１導電型クラッド
層，活性層および第２導電型クラッド層を順次積層して
なる半導体発光素子であって、 前記基板と前記第１導電型クラッド層との間に、ＩＩ−
ＶＩ族化合物半導体により形成されると共に前記基板と
前記第１導電型クラッド層との間の価電子帯頂の不連続
を緩和するためのＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層を備えたこ
とを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層は、３以
上の元素からなり組成比が前記基板側から前記第１導電
型クラッド層に向かって滑らかに変化するＩＩ−ＶＩ族
化合物半導体により形成されたことを特徴とする請求項
１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層は、組成
比が変化することにより、価電子帯頂のエネルギー準位
が少なくとも前記基板側に隣接する層の価電子帯頂のエ
ネルギー準位と前記第１導電型クラッド層側に隣接する
層の価電子帯頂のエネルギー準位との間から前記第１導
電型クラッド層側に隣接する層の価電子帯頂のエネルギ
ー準位まで変化するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形
成されたことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素
子。 - 【請求項４】 前記ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層を構成す
るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、ｐ型の半導体であるこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層は、Ｚｎ
ＳＴｅ混晶もしくはＺｎＣｄＳｅ混晶により形成された
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層はＺｎＳ
Ｔｅ混晶により形成されると共に、前記基板と前記ＩＩ
−ＶＩ族不連続緩和層との間にＺｎＴｅにより形成され
た緩衝層を備えたことを特徴とする請求項５記載の半導
体発光素子。 - 【請求項７】 前記基板は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
により形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導
体発光素子。 - 【請求項８】 前記基板は、ＧａＡｓもしくはＩｎＰに
より形成されたことを特徴とする請求項７記載の半導体
発光素子。 - 【請求項９】 前記ＩＩ−ＶＩ族不連続緩和層の第１導
電型クラッド層側に隣接する層は、ＺｎＳｅにより形成
されたことを特徴とする請求項５記載の半導体発光素
子。 - 【請求項１０】 更に、前記基板と前記ＩＩ−ＶＩ族不
連続緩和層との間に、少なくとも１層のＩＩＩ−Ｖ族半
導体層により構成されると共に前記基板と前記ＩＩ−Ｖ
Ｉ族不連続緩和層との間の価電子帯頂の不連続を緩和す
るためのＩＩＩ−Ｖ族不連続緩和層を備えたことを特徴
とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項１１】 前記ＩＩＩ−Ｖ族半導体層は、ＧａＩ
ｎＰ混晶もしくはＡｌＩｎＰ混晶により形成されたこと
を特徴とする請求項１０記載の半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17061696A JPH09331101A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17061696A JPH09331101A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331101A true JPH09331101A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15908177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17061696A Pending JPH09331101A (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09331101A (ja) |
-
1996
- 1996-06-10 JP JP17061696A patent/JPH09331101A/ja active Pending
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