JPH09329493A - 光センサ回路 - Google Patents
光センサ回路Info
- Publication number
- JPH09329493A JPH09329493A JP8147585A JP14758596A JPH09329493A JP H09329493 A JPH09329493 A JP H09329493A JP 8147585 A JP8147585 A JP 8147585A JP 14758596 A JP14758596 A JP 14758596A JP H09329493 A JPH09329493 A JP H09329493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- current
- photodiode
- output current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトダイオードの出力電流をそのまま取り
出す端子と、当該フォトダイオードの出力電流を増幅し
た状態で取り出す端子とをカレントミラー回路を利用し
て設ける場合であっても、必要となる端子数を削減可能
とすること。 【解決手段】 センシング用フォトダイオード２６及び
補助フォトダイオード３１が外部光を受光した状態で
は、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
が第１のトランジスタ２７を通じて第１の端子２１から
第２の端子２２へ流れる。これにより、第１の端子２１
からは、センシング用フォトダイオード２６の出力電流
Ｉａをそのまま取り出すことができる。このとき、第３
のトランジスタ３０は、補助フォトダイオード３１の出
力電流Ｉｂを、第１のトランジスタ２７及び並列接続さ
れた複数個の第２のトランジスタ２８に対しベース電流
として供給するようになる。このため、第３の端子２３
からは、第２のトランジスタ２８群に流れるコレクタ電
流を合計した増幅電流ｎＩａが流れるようになる。
出す端子と、当該フォトダイオードの出力電流を増幅し
た状態で取り出す端子とをカレントミラー回路を利用し
て設ける場合であっても、必要となる端子数を削減可能
とすること。 【解決手段】 センシング用フォトダイオード２６及び
補助フォトダイオード３１が外部光を受光した状態で
は、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
が第１のトランジスタ２７を通じて第１の端子２１から
第２の端子２２へ流れる。これにより、第１の端子２１
からは、センシング用フォトダイオード２６の出力電流
Ｉａをそのまま取り出すことができる。このとき、第３
のトランジスタ３０は、補助フォトダイオード３１の出
力電流Ｉｂを、第１のトランジスタ２７及び並列接続さ
れた複数個の第２のトランジスタ２８に対しベース電流
として供給するようになる。このため、第３の端子２３
からは、第２のトランジスタ２８群に流れるコレクタ電
流を合計した増幅電流ｎＩａが流れるようになる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車のオートエ
アコン制御用の日射センサや自動車のヘッド及びテール
ランプの自動点消灯制御装置用の受光センサなどに好適
する光センサ回路に関する。
アコン制御用の日射センサや自動車のヘッド及びテール
ランプの自動点消灯制御装置用の受光センサなどに好適
する光センサ回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の光センサ回路のセンシング部分
にはフォトダイオードを利用することが一般的になって
いる。この場合、日射センサにあっては、太陽光に対応
した極めて明るい照度範囲で使用される関係上、フォト
ダイオードにおいて十分に高いレベルの出力電流（光電
流）が得られるものであり、従って増幅回路は不要であ
る。これに対して、ヘッド及びテールランプの自動点消
灯制御装置用の受光センサにあっては、太陽光に比べて
遥かにレベルが低い照度範囲で使用されるため、フォト
ダイオードの出力電流レベルが極めて低く、従って増幅
回路を別途に設ける必要がある。
にはフォトダイオードを利用することが一般的になって
いる。この場合、日射センサにあっては、太陽光に対応
した極めて明るい照度範囲で使用される関係上、フォト
ダイオードにおいて十分に高いレベルの出力電流（光電
流）が得られるものであり、従って増幅回路は不要であ
る。これに対して、ヘッド及びテールランプの自動点消
灯制御装置用の受光センサにあっては、太陽光に比べて
遥かにレベルが低い照度範囲で使用されるため、フォト
ダイオードの出力電流レベルが極めて低く、従って増幅
回路を別途に設ける必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な自動車用の日射センサ及び受光センサは、車室内にお
ける同様位置（例えばダッシュボード）に設置されるの
が通常であるため、それらのセンサを一つのユニットと
して統合することにより、部品点数の削減を図ることが
要求されている。このような要求を実現するためには、
フォトダイオードの出力電流をそのまま取り出す端子
と、当該フォトダイオードの出力電流を増幅回路により
増幅した後に取り出す端子とが必要になる。
な自動車用の日射センサ及び受光センサは、車室内にお
ける同様位置（例えばダッシュボード）に設置されるの
が通常であるため、それらのセンサを一つのユニットと
して統合することにより、部品点数の削減を図ることが
要求されている。このような要求を実現するためには、
フォトダイオードの出力電流をそのまま取り出す端子
と、当該フォトダイオードの出力電流を増幅回路により
増幅した後に取り出す端子とが必要になる。
【０００４】この場合、増幅回路をカレントミラー回路
を利用して構成すれば、フォトダイオードの出力電流を
そのまま取り出す端子と、当該フォトダイオードの出力
電流を増幅した状態で取り出す端子とを容易に設けるこ
とができると共に、増幅回路用の電源を別途に設ける必
要がなくなるなどの利点があるため、上述のような要求
を満たす上で有利であると考えられる。
を利用して構成すれば、フォトダイオードの出力電流を
そのまま取り出す端子と、当該フォトダイオードの出力
電流を増幅した状態で取り出す端子とを容易に設けるこ
とができると共に、増幅回路用の電源を別途に設ける必
要がなくなるなどの利点があるため、上述のような要求
を満たす上で有利であると考えられる。
【０００５】フォトダイオードの出力電流をカレントミ
ラー回路を利用して増幅するようにした光センサ回路
は、例えば特開昭６４−７３２９号公報に記載されてい
る。具体的には、当該公報中には図６（ａ）に示すよう
な光センサ回路が記載されている。
ラー回路を利用して増幅するようにした光センサ回路
は、例えば特開昭６４−７３２９号公報に記載されてい
る。具体的には、当該公報中には図６（ａ）に示すよう
な光センサ回路が記載されている。
【０００６】この図６（ａ）において、フォトダイオー
ド１は、電源端子＋Ｖccから逆バイアス電圧を印加され
るようになっている。カレントミラー回路２は、ベース
電流補正型のもので、フォトダイオード１の出力電流の
大部分がコレクタ電流Ｉc3として流れるトランジスタ３
と、そのコレクタ電流Ｉc3と同じレベルのコレクタ電流
Ｉc4〜Ｉc8が流れる５個のトランジスタ４〜８と、フォ
トダイオード１の出力電流の一部を増幅して上記トラン
ジスタ３〜８にベース電流として供給するためのトラン
ジスタ９とを含んだ構成となっている。
ド１は、電源端子＋Ｖccから逆バイアス電圧を印加され
るようになっている。カレントミラー回路２は、ベース
電流補正型のもので、フォトダイオード１の出力電流の
大部分がコレクタ電流Ｉc3として流れるトランジスタ３
と、そのコレクタ電流Ｉc3と同じレベルのコレクタ電流
Ｉc4〜Ｉc8が流れる５個のトランジスタ４〜８と、フォ
トダイオード１の出力電流の一部を増幅して上記トラン
ジスタ３〜８にベース電流として供給するためのトラン
ジスタ９とを含んだ構成となっている。
【０００７】この構成によれば、出力端子１０を通じ
て、フォトダイオード１の出力電流の５倍の出力電流Ｉ
out が流れ込むものであり、以てカレントミラー回路１
が増幅回路として機能することなる。また、このような
増幅機能のために別途に電源を設ける必要もなくなる。
て、フォトダイオード１の出力電流の５倍の出力電流Ｉ
out が流れ込むものであり、以てカレントミラー回路１
が増幅回路として機能することなる。また、このような
増幅機能のために別途に電源を設ける必要もなくなる。
【０００８】上記のような光センサ回路において、フォ
トダイオード１の出力電流をそのまま取り出すためには
図６（ｂ）に示す構成に変更すれば良い。つまり、フォ
トダイオード１の出力電流に対応した電流Ｉout'が流れ
込む出力端子１１を追加して設ける構成とすれば、当該
光センサ回路を、日射センサ及び受光センサを統合した
ユニットとして利用することができる。
トダイオード１の出力電流をそのまま取り出すためには
図６（ｂ）に示す構成に変更すれば良い。つまり、フォ
トダイオード１の出力電流に対応した電流Ｉout'が流れ
込む出力端子１１を追加して設ける構成とすれば、当該
光センサ回路を、日射センサ及び受光センサを統合した
ユニットとして利用することができる。
【０００９】ところで、自動車に用いられる部品にあっ
ては、その端子数ひいては必要となるワイヤハーネス本
数を極力少なくすることが要求されるという一般的事情
がある。しかしながら、上記のように光センサ回路にお
いて２系統の出力を得る構成とした場合、電源端子＋Ｖ
cc、出力端子１０、１１、グランド端子の合計４個の端
子を設けねばならず、このため必要となるワイヤハーネ
ス数が増えて自動車用部品としてのデメリットが大きく
なるという問題が出てくる。
ては、その端子数ひいては必要となるワイヤハーネス本
数を極力少なくすることが要求されるという一般的事情
がある。しかしながら、上記のように光センサ回路にお
いて２系統の出力を得る構成とした場合、電源端子＋Ｖ
cc、出力端子１０、１１、グランド端子の合計４個の端
子を設けねばならず、このため必要となるワイヤハーネ
ス数が増えて自動車用部品としてのデメリットが大きく
なるという問題が出てくる。
【００１０】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、フォトダイオードの出力電
流をそのまま取り出す端子と、当該フォトダイオードの
出力電流を増幅した状態で取り出す端子とをカレントミ
ラー回路を利用して設ける場合であっても、必要となる
端子数の削減を実現できるようになる光センサ回路を提
供することにある。
たものであり、その目的は、フォトダイオードの出力電
流をそのまま取り出す端子と、当該フォトダイオードの
出力電流を増幅した状態で取り出す端子とをカレントミ
ラー回路を利用して設ける場合であっても、必要となる
端子数の削減を実現できるようになる光センサ回路を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明によ
れば、外部光を受光するように設けられたセンシング用
フォトダイオードに対しては、第１の端子及び第２の端
子から逆バイアス電圧が印加されており、以て当該フォ
トダイオードには受光量に応じたレベルの出力電流が流
れるようになる。
れば、外部光を受光するように設けられたセンシング用
フォトダイオードに対しては、第１の端子及び第２の端
子から逆バイアス電圧が印加されており、以て当該フォ
トダイオードには受光量に応じたレベルの出力電流が流
れるようになる。
【００１２】このようにセンシング用フォトダイオード
の出力電流が流れる状態では、第３のトランジスタにベ
ース電流が供給されるため、当該第３のトランジスタ
が、外部光を受光するように設けられた補助フォトダイ
オードの出力電流を、前記第１のトランジスタのベース
電流、並びにその第１のトランジスタとでカレントミラ
ー回路を構成するように接続された第２のトランジスタ
のベース電流として流すようになる。
の出力電流が流れる状態では、第３のトランジスタにベ
ース電流が供給されるため、当該第３のトランジスタ
が、外部光を受光するように設けられた補助フォトダイ
オードの出力電流を、前記第１のトランジスタのベース
電流、並びにその第１のトランジスタとでカレントミラ
ー回路を構成するように接続された第２のトランジスタ
のベース電流として流すようになる。
【００１３】このため、第１のトランジスタが導通状態
とされて、センシング用フォトダイオードの出力電流
が、当該第１のトランジスタを通じて第１の端子から第
２の端子へ流れるようになる。従って、第１の端子から
は、センシング用フォトダイオードの出力電流をそのま
ま取り出すことができる。
とされて、センシング用フォトダイオードの出力電流
が、当該第１のトランジスタを通じて第１の端子から第
２の端子へ流れるようになる。従って、第１の端子から
は、センシング用フォトダイオードの出力電流をそのま
ま取り出すことができる。
【００１４】また、同じく導通状態となる第２のトラン
ジスタには、センシング用フォトダイオードの出力電流
（第１のトランジスタに流れるコレクタ電流）より大き
なコレクタ電流が流れるものであり、この場合、そのコ
レクタ電流は第３の端子を通じて流れるようになる。従
って、当該第３の端子からは、前記センシング用フォト
ダイオードの出力電流を増幅した状態で取り出すことが
できる。
ジスタには、センシング用フォトダイオードの出力電流
（第１のトランジスタに流れるコレクタ電流）より大き
なコレクタ電流が流れるものであり、この場合、そのコ
レクタ電流は第３の端子を通じて流れるようになる。従
って、当該第３の端子からは、前記センシング用フォト
ダイオードの出力電流を増幅した状態で取り出すことが
できる。
【００１５】要するに、フォトダイオードの出力電流を
そのまま取り出すための端子と、当該フォトダイオード
の出力電流を増幅した状態で取り出す端子とをそれぞれ
設ける構成でありながら、増幅回路用の電源を別途に設
ける必要がなくなると共に、第１の端子、第２の端子及
び第３の端子を設けるだけで済んで、必要となる端子数
を従来構成より減らし得るという有益な効果を奏するよ
うになる。
そのまま取り出すための端子と、当該フォトダイオード
の出力電流を増幅した状態で取り出す端子とをそれぞれ
設ける構成でありながら、増幅回路用の電源を別途に設
ける必要がなくなると共に、第１の端子、第２の端子及
び第３の端子を設けるだけで済んで、必要となる端子数
を従来構成より減らし得るという有益な効果を奏するよ
うになる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施例につい
て図１を参照しながら説明する。図１において、本発明
でいう光センサ回路を構成するセンサユニット２０は、
第１の端子２１、第２の端子２２、第３の端子２３を備
えた構成となっている。この場合、第１の端子２１は、
抵抗Ｒ１を介してプラス電位の電源端子＋Ｖccに接続さ
れると共に、センサユニット２０のセンサ出力を必要と
する外部回路２４に接続される。また、第２の出力端子
２２はグランド端子に接続される。さらに、第３の端子
２３は、抵抗Ｒ２を介して電源端子＋Ｖccに接続される
と共に、同じくセンサ出力を必要とする外部回路２５に
接続される。
て図１を参照しながら説明する。図１において、本発明
でいう光センサ回路を構成するセンサユニット２０は、
第１の端子２１、第２の端子２２、第３の端子２３を備
えた構成となっている。この場合、第１の端子２１は、
抵抗Ｒ１を介してプラス電位の電源端子＋Ｖccに接続さ
れると共に、センサユニット２０のセンサ出力を必要と
する外部回路２４に接続される。また、第２の出力端子
２２はグランド端子に接続される。さらに、第３の端子
２３は、抵抗Ｒ２を介して電源端子＋Ｖccに接続される
と共に、同じくセンサ出力を必要とする外部回路２５に
接続される。
【００１７】センサユニット２０は、以下のような構成
とされている。即ち、外部光を受光するように配置され
るセンシング用フォトダイオード２６は、カソードが第
１の端子２１に接続され、アノードがｎｐｎ形の第１の
トランジスタ２７のコレクタ・エミッタ間を介して第２
の端子２２に接続される。このような接続により、上記
フォトダイオード２６に対しては、第１の端子２１及び
第２の端子２２を通じて逆バイアス電圧が印加されるこ
とになる。
とされている。即ち、外部光を受光するように配置され
るセンシング用フォトダイオード２６は、カソードが第
１の端子２１に接続され、アノードがｎｐｎ形の第１の
トランジスタ２７のコレクタ・エミッタ間を介して第２
の端子２２に接続される。このような接続により、上記
フォトダイオード２６に対しては、第１の端子２１及び
第２の端子２２を通じて逆バイアス電圧が印加されるこ
とになる。
【００１８】複数個の第２のトランジスタ２８は、例え
ば第１のトランジスタ２７と同一の特性を備えたｎｐｎ
形のもので、当該第１のトランジスタ２７とでカレント
ミラー回路２９を構成するように並列接続される。尚、
第１のトランジスタ２７及び第２のトランジスタ２８の
特性を厳密に揃える必要がある場合、それらをモノリシ
ック基板上に形成する構成とすれば良い。
ば第１のトランジスタ２７と同一の特性を備えたｎｐｎ
形のもので、当該第１のトランジスタ２７とでカレント
ミラー回路２９を構成するように並列接続される。尚、
第１のトランジスタ２７及び第２のトランジスタ２８の
特性を厳密に揃える必要がある場合、それらをモノリシ
ック基板上に形成する構成とすれば良い。
【００１９】カレントミラー回路２９において、第２の
トランジスタ２８は、各コレクタが第３の端子２３に接
続されると共に、各エミッタが第２の端子２２に接続さ
れ、さらに各ベースが第１のトランジスタ２７のベース
に対し共通に接続される。また、カレントミラー回路２
９には、上記第１のトランジスタ２７及び第２のトラン
ジスタ２８にベース電流を供給するための第３のトラン
ジスタ３０と、センシング用ダイオード２６と同様に外
部光を受光するように配置される２個の補助フォトダイ
オード３１とが設けられている。
トランジスタ２８は、各コレクタが第３の端子２３に接
続されると共に、各エミッタが第２の端子２２に接続さ
れ、さらに各ベースが第１のトランジスタ２７のベース
に対し共通に接続される。また、カレントミラー回路２
９には、上記第１のトランジスタ２７及び第２のトラン
ジスタ２８にベース電流を供給するための第３のトラン
ジスタ３０と、センシング用ダイオード２６と同様に外
部光を受光するように配置される２個の補助フォトダイ
オード３１とが設けられている。
【００２０】この場合、第３のトランジスタ３０は、ｎ
ｐｎ形のもので、そのベースが前記センシング用フォト
ダイオード２６のアノードに接続されると共に、エミッ
タが第１のトランジスタ２７及び第２のトランジスタ２
８のベースに接続される。また、第３のトランジスタ３
０のコレクタは、直列接続された補助フォトダイオード
３１を順方向に介して第２の端子２２に接続される。
ｐｎ形のもので、そのベースが前記センシング用フォト
ダイオード２６のアノードに接続されると共に、エミッ
タが第１のトランジスタ２７及び第２のトランジスタ２
８のベースに接続される。また、第３のトランジスタ３
０のコレクタは、直列接続された補助フォトダイオード
３１を順方向に介して第２の端子２２に接続される。
【００２１】つまり、上記第３のトランジスタ３０は、
センシング用フォトダイオード２６の出力電流がベース
電流として供給されるように接続され、そのベース電流
の供給状態で補助フォトダイオード３１の出力電流を前
記第１のトランジスタ２７及び第２のトランジスタ２８
のベース電流として流す構成となっている。
センシング用フォトダイオード２６の出力電流がベース
電流として供給されるように接続され、そのベース電流
の供給状態で補助フォトダイオード３１の出力電流を前
記第１のトランジスタ２７及び第２のトランジスタ２８
のベース電流として流す構成となっている。
【００２２】上記のように構成された本実施例の作用は
以下の通りである。センシング用フォトダイオード２６
及び補助フォトダイオード３１は、外部光を受光した状
態で、その受光量に応じたレベルの光電流Ｉａ及びＩｂ
をそれぞれ出力するようになる。すると、センシング用
フォトダイオード２６の出力電流Ｉａの一部が第３のト
ランジスタ３０のベースに流れ込むため、当該トランジ
スタ３０が導通状態となって補助フォトダイオード３１
の出力電流Ｉｂが第１のトランジスタ２７にベース電流
として供給されるようになり、そのトランジスタ２７が
導通状態となる。これにより、センシング用フォトダイ
オード２６の光電流Ｉａが第１のトランジスタ２７を通
じて第１の端子２１から第２の端子２２へ流されるよう
になる。従って、第１の端子２１からは、センシング用
フォトダイオードの出力電流Ｉａをそのまま取り出すこ
とができる。
以下の通りである。センシング用フォトダイオード２６
及び補助フォトダイオード３１は、外部光を受光した状
態で、その受光量に応じたレベルの光電流Ｉａ及びＩｂ
をそれぞれ出力するようになる。すると、センシング用
フォトダイオード２６の出力電流Ｉａの一部が第３のト
ランジスタ３０のベースに流れ込むため、当該トランジ
スタ３０が導通状態となって補助フォトダイオード３１
の出力電流Ｉｂが第１のトランジスタ２７にベース電流
として供給されるようになり、そのトランジスタ２７が
導通状態となる。これにより、センシング用フォトダイ
オード２６の光電流Ｉａが第１のトランジスタ２７を通
じて第１の端子２１から第２の端子２２へ流されるよう
になる。従って、第１の端子２１からは、センシング用
フォトダイオードの出力電流Ｉａをそのまま取り出すこ
とができる。
【００２３】この場合、上記のように出力電流Ｉａが流
れた場合には、抵抗Ｒ１において当該出力電流Ｉａに応
じたレベルの電圧降下が発生するものであり、外部回路
２４は、斯様な電圧降下量をセンシング用フォトダイオ
ード２６が受光した外部光の光強度に換算し、その換算
出力を各種の制御に使用する。
れた場合には、抵抗Ｒ１において当該出力電流Ｉａに応
じたレベルの電圧降下が発生するものであり、外部回路
２４は、斯様な電圧降下量をセンシング用フォトダイオ
ード２６が受光した外部光の光強度に換算し、その換算
出力を各種の制御に使用する。
【００２４】尚、前記出力電流Ｉａのうち、第３のトラ
ンジスタ３０のベース電流として流れる成分は誤差電流
となるものであるが、その誤差電流のレベルは第３のト
ランジスタ３０の直流電流増幅率をｈFEとした場合に１
／ｈFEに圧縮されるから、実用上において無視できる。
ンジスタ３０のベース電流として流れる成分は誤差電流
となるものであるが、その誤差電流のレベルは第３のト
ランジスタ３０の直流電流増幅率をｈFEとした場合に１
／ｈFEに圧縮されるから、実用上において無視できる。
【００２５】一方、上記のような補助フォトダイオード
３１の出力電流Ｉｂは、上述したように第１のトランジ
スタ２７にベース電流として供給されると同時に、当該
第１のトランジスタ２７とでカレントミラー回路２９を
構成するように並列接続された複数個の第２のトランジ
スタ２８に対してもベース電流として供給されるように
なる。
３１の出力電流Ｉｂは、上述したように第１のトランジ
スタ２７にベース電流として供給されると同時に、当該
第１のトランジスタ２７とでカレントミラー回路２９を
構成するように並列接続された複数個の第２のトランジ
スタ２８に対してもベース電流として供給されるように
なる。
【００２６】本実施例においては、第１のトランジスタ
２７及び第２のトランジスタ２８を同一特性に設定して
いるから、複数個の第２のトランジスタ２８の各々に
は、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
（第１のトランジスタに流れるコレクタ電流）と同じレ
ベルのコレクタ電流が流れるようになる。この場合、上
記第２のトランジスタ２８群の出力電流は第３の端子２
３を通じて流れるようになり、従って、当該第３の端子
２３からは、センシング用フォトダイオード２６の出力
電流Ｉａを整数倍（第２のトランジスタ２８の個数ｎに
対応）に増幅した状態の増幅電流ｎＩａを取り出すこと
ができる。
２７及び第２のトランジスタ２８を同一特性に設定して
いるから、複数個の第２のトランジスタ２８の各々に
は、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
（第１のトランジスタに流れるコレクタ電流）と同じレ
ベルのコレクタ電流が流れるようになる。この場合、上
記第２のトランジスタ２８群の出力電流は第３の端子２
３を通じて流れるようになり、従って、当該第３の端子
２３からは、センシング用フォトダイオード２６の出力
電流Ｉａを整数倍（第２のトランジスタ２８の個数ｎに
対応）に増幅した状態の増幅電流ｎＩａを取り出すこと
ができる。
【００２７】この場合、上記のように増幅電流ｎＩａが
流れた場合には、抵抗Ｒ２において当該増幅電流ｎＩａ
に応じたレベルの電圧降下が発生するものであり、外部
回路２５は、斯様な電圧降下量をセンシング用フォトダ
イオード２６が受光した外部光の光強度に換算し、その
換算出力を各種の制御に使用する。
流れた場合には、抵抗Ｒ２において当該増幅電流ｎＩａ
に応じたレベルの電圧降下が発生するものであり、外部
回路２５は、斯様な電圧降下量をセンシング用フォトダ
イオード２６が受光した外部光の光強度に換算し、その
換算出力を各種の制御に使用する。
【００２８】要するに、上記した本実施例によれば、セ
ンシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａをその
まま取り出すための第１の端子２１と、当該フォトダイ
オード２６の出力電流Ｉａを増幅した増幅電流ｎＩａを
取り出すための第３の端子２３とをそれぞれ設ける構成
でありながら、増幅回路用の電源を別途に設ける必要が
なくなるものである。この場合、上記第１の端子２１及
び第３の端子２３の他に第２の端子２２を設けるだけで
済むから、例えば、従来のように自動車用のオートエア
コン制御用の日射センサと、自動車のヘッド及びテール
ランプの自動点消灯制御装置用の受光センサとを一つの
ユニットとして統合するような場合において、必要とな
る端子数を減らすことができるものであり、結果的に自
動車用部品として極めて有益になるものである。
ンシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａをその
まま取り出すための第１の端子２１と、当該フォトダイ
オード２６の出力電流Ｉａを増幅した増幅電流ｎＩａを
取り出すための第３の端子２３とをそれぞれ設ける構成
でありながら、増幅回路用の電源を別途に設ける必要が
なくなるものである。この場合、上記第１の端子２１及
び第３の端子２３の他に第２の端子２２を設けるだけで
済むから、例えば、従来のように自動車用のオートエア
コン制御用の日射センサと、自動車のヘッド及びテール
ランプの自動点消灯制御装置用の受光センサとを一つの
ユニットとして統合するような場合において、必要とな
る端子数を減らすことができるものであり、結果的に自
動車用部品として極めて有益になるものである。
【００２９】また、本実施例では、補助フォトダイオー
ド３１を２個設けてこれらを直列接続する構成としたか
ら、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
が、第３のトランジスタ３０のベース・コレクタ間のｐ
ｎ接合部分及び補助フォトダイオード３１を介して逆流
する事態を未然に防止できるという利点もある。
ド３１を２個設けてこれらを直列接続する構成としたか
ら、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
が、第３のトランジスタ３０のベース・コレクタ間のｐ
ｎ接合部分及び補助フォトダイオード３１を介して逆流
する事態を未然に防止できるという利点もある。
【００３０】つまり、各トランジスタ２７、２８及び３
０、補助フォトダイオード３１がシリコンを材料とした
ものであった場合、第３のトランジスタ３０のベース電
位は、そのベース・エミッタ間順方向電圧降下と第１の
トランジスタ２７のベース・エミッタ間順方向電圧降下
とを合計した１．４Ｖ程度となる。一方、仮に、補助フ
ォトダイオード３１が１個だけ設けられた構成となって
いた場合には、その補助フォトダイオード３１の順方向
電圧降下と第３のトランジスタ３０のベース・コレクタ
間のｐｎ接合部分の順方向電圧降下との合計も１．４Ｖ
前後になるため、センシング用フォトダイオード２６の
出力電流Ｉａが上述のように逆流する可能性がある。
０、補助フォトダイオード３１がシリコンを材料とした
ものであった場合、第３のトランジスタ３０のベース電
位は、そのベース・エミッタ間順方向電圧降下と第１の
トランジスタ２７のベース・エミッタ間順方向電圧降下
とを合計した１．４Ｖ程度となる。一方、仮に、補助フ
ォトダイオード３１が１個だけ設けられた構成となって
いた場合には、その補助フォトダイオード３１の順方向
電圧降下と第３のトランジスタ３０のベース・コレクタ
間のｐｎ接合部分の順方向電圧降下との合計も１．４Ｖ
前後になるため、センシング用フォトダイオード２６の
出力電流Ｉａが上述のように逆流する可能性がある。
【００３１】これに対して、本実施例のように、２個の
補助フォトダイオード３１が直列接続された構成では、
それら補助フォトダイオード３１の順方向電圧降下と第
３のトランジスタ３０のベース・コレクタ間のｐｎ接合
部分の順方向電圧降下との合計が２．１Ｖ程度となるか
ら、上記逆流現象が発生する虞がなくなる。
補助フォトダイオード３１が直列接続された構成では、
それら補助フォトダイオード３１の順方向電圧降下と第
３のトランジスタ３０のベース・コレクタ間のｐｎ接合
部分の順方向電圧降下との合計が２．１Ｖ程度となるか
ら、上記逆流現象が発生する虞がなくなる。
【００３２】尚、上記第１実施例では、カレントミラー
回路２９を構成する第１のトランジスタ２７と複数個の
第２のトランジスタ２８とを同一特性とすることによっ
て、整数倍の増幅率を得る構成としたが、本発明の第２
実施例を示す図２のような構成とすれば、増幅率を複数
段階に調節することが可能になる。
回路２９を構成する第１のトランジスタ２７と複数個の
第２のトランジスタ２８とを同一特性とすることによっ
て、整数倍の増幅率を得る構成としたが、本発明の第２
実施例を示す図２のような構成とすれば、増幅率を複数
段階に調節することが可能になる。
【００３３】即ち、図２において、カレントミラー回路
２９′を構成する第１のトランジスタ２７及び複数個設
けられる第２のトランジスタ２８は、同一チップ上に形
成されるもので、特に、第２のトランジスタ２８は、エ
ミッタ面積がそれぞれ異なる状態とされる。
２９′を構成する第１のトランジスタ２７及び複数個設
けられる第２のトランジスタ２８は、同一チップ上に形
成されるもので、特に、第２のトランジスタ２８は、エ
ミッタ面積がそれぞれ異なる状態とされる。
【００３４】具体的には、第２のトランジスタ２８が３
個設けられた場合を例にすると、第１のトランジスタ２
７のエミッタ面積を１とした場合、第２のトランジスタ
２８のエミッタ面積は、例えば１：１／２：１／４の割
合となるように形成される。また、上記各トランジスタ
２７及び２８のベースは、それぞれチップ上に形成され
た薄膜状の抵抗２７ａ及び２８ａを介して互いに接続さ
れる。
個設けられた場合を例にすると、第１のトランジスタ２
７のエミッタ面積を１とした場合、第２のトランジスタ
２８のエミッタ面積は、例えば１：１／２：１／４の割
合となるように形成される。また、上記各トランジスタ
２７及び２８のベースは、それぞれチップ上に形成され
た薄膜状の抵抗２７ａ及び２８ａを介して互いに接続さ
れる。
【００３５】上記のような例の場合、ベース抵抗２８ａ
をレーザなどにより選択的に切断すれば、第３の端子２
３を通じて流れる増幅電流Ｉａ′のレベルを、センシン
グ用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａの１／４倍か
ら７／４倍まで１／４ステップずつ切り換えることが可
能になり、結果的に出力電流Ｉａの増幅率を７段階に調
節できるようになる。
をレーザなどにより選択的に切断すれば、第３の端子２
３を通じて流れる増幅電流Ｉａ′のレベルを、センシン
グ用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａの１／４倍か
ら７／４倍まで１／４ステップずつ切り換えることが可
能になり、結果的に出力電流Ｉａの増幅率を７段階に調
節できるようになる。
【００３６】勿論、第２のトランジスタ２８の個数をさ
らに増やすと共に、それらのエミッタ面積をそれぞれ異
なる状態に設定すれば、増幅率をさらに多段階に調整可
能な構成を実現可能できるようになる。
らに増やすと共に、それらのエミッタ面積をそれぞれ異
なる状態に設定すれば、増幅率をさらに多段階に調整可
能な構成を実現可能できるようになる。
【００３７】図３には上記第２実施例に変更を加えた本
発明の第３実施例が示されており、以下これについて異
なる部分のみ説明する。即ち、この第３実施例は、複数
個設けられた第２のトランジスタ２８のうちの１個を、
第１の端子２１及び第２の端子２２間に接続した構成に
特徴を有する。この構成によれば、第１の端子２１に
は、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
と、上記のように第１の端子２１及び第２の端子２２間
に接続された第２のトランジスタ２８に流れるコレクタ
電流との合計電流が流れるようになる。この場合、上記
第２トランジスタ２８のベース抵抗２８ａをレーザなど
により切断すれば、第１の端子２１には、センシング用
フォトダイオード２６の出力電流Ｉａのみが流れること
になる。
発明の第３実施例が示されており、以下これについて異
なる部分のみ説明する。即ち、この第３実施例は、複数
個設けられた第２のトランジスタ２８のうちの１個を、
第１の端子２１及び第２の端子２２間に接続した構成に
特徴を有する。この構成によれば、第１の端子２１に
は、センシング用フォトダイオード２６の出力電流Ｉａ
と、上記のように第１の端子２１及び第２の端子２２間
に接続された第２のトランジスタ２８に流れるコレクタ
電流との合計電流が流れるようになる。この場合、上記
第２トランジスタ２８のベース抵抗２８ａをレーザなど
により切断すれば、第１の端子２１には、センシング用
フォトダイオード２６の出力電流Ｉａのみが流れること
になる。
【００３８】この結果、本実施例によれば、第１の端子
２１に流れる出力電流のレベルも調節できることにな
り、実用上において有益となる。
２１に流れる出力電流のレベルも調節できることにな
り、実用上において有益となる。
【００３９】図４には本発明の第４実施例が示されてお
り、以下これについて前記第１実施例と異なる部分のみ
説明する。即ち、この第４実施例のセンサユニット２
０′は、センシング用フォトダイオード２６とカレント
ミラー回路２９（２個の補助フォトダイオード３１、第
１のトランジスタ２７、複数個の第２のトランジスタ２
８、第３のトランジスタ３０を含む）とを２組設ける構
成としたもので、センシング用フォトダイオード２６と
１対１で対応するように設けられた２個の第１の端子２
１は、それぞれ電流サンプリング用の抵抗Ｒ１を介して
電源端子＋Ｖccに接続されると共に、センサユニット２
０′のセンサ出力を必要とする外部回路２４′に接続さ
れる。
り、以下これについて前記第１実施例と異なる部分のみ
説明する。即ち、この第４実施例のセンサユニット２
０′は、センシング用フォトダイオード２６とカレント
ミラー回路２９（２個の補助フォトダイオード３１、第
１のトランジスタ２７、複数個の第２のトランジスタ２
８、第３のトランジスタ３０を含む）とを２組設ける構
成としたもので、センシング用フォトダイオード２６と
１対１で対応するように設けられた２個の第１の端子２
１は、それぞれ電流サンプリング用の抵抗Ｒ１を介して
電源端子＋Ｖccに接続されると共に、センサユニット２
０′のセンサ出力を必要とする外部回路２４′に接続さ
れる。
【００４０】この構成によれば、例えば、２個設けられ
たセンシング用フォトダイオード２６の受光範囲をそれ
ぞれ異ならせる状態とすれば、受光方向を特定可能にな
るものである。また、このような状態とした場合でも、
全体の受光量を第３の端子２３を通じて流れる増幅電流
（この例の場合、第１実施例の場合の増幅電流ｎＩａの
２倍）に基づいて検出できることになるから、その応用
範囲が広がるようになる。勿論、センシング用フォトダ
イオード２６、カレントミラー回路２９及び第１の出力
端子２１の組み合わせをさらに多数設けることによっ
て、多出力化を容易に実現できるようになる。
たセンシング用フォトダイオード２６の受光範囲をそれ
ぞれ異ならせる状態とすれば、受光方向を特定可能にな
るものである。また、このような状態とした場合でも、
全体の受光量を第３の端子２３を通じて流れる増幅電流
（この例の場合、第１実施例の場合の増幅電流ｎＩａの
２倍）に基づいて検出できることになるから、その応用
範囲が広がるようになる。勿論、センシング用フォトダ
イオード２６、カレントミラー回路２９及び第１の出力
端子２１の組み合わせをさらに多数設けることによっ
て、多出力化を容易に実現できるようになる。
【００４１】尚、上記した各実施例では、カレントミラ
ー回路２９或いは２９′を構成するトランジスタ２７、
２８及び３０としてｎｐｎ形のもの用いるようにした
が、本発明の第５実施例を示す図５のように、ｐｎｐ形
のトランジスタを利用してカレントミラー回路を構成す
ることも可能である。
ー回路２９或いは２９′を構成するトランジスタ２７、
２８及び３０としてｎｐｎ形のもの用いるようにした
が、本発明の第５実施例を示す図５のように、ｐｎｐ形
のトランジスタを利用してカレントミラー回路を構成す
ることも可能である。
【００４２】即ち、この実施例は前記第１実施例に対応
したもので、図５において、光センサ回路を構成するセ
ンサユニット３２は、第１の端子３３、第２の端子３
４、第３の端子３５を備えた構成となっている。この場
合、第１の出力端子３３は、センサ出力を必要とする外
部回路３６に接続され、第２の端子３４は、抵抗Ｒ１を
介して電源端子＋Ｖccに接続される。また、第３の端子
３５は、増幅したセンサ出力を必要とする外部回路３７
に接続される。
したもので、図５において、光センサ回路を構成するセ
ンサユニット３２は、第１の端子３３、第２の端子３
４、第３の端子３５を備えた構成となっている。この場
合、第１の出力端子３３は、センサ出力を必要とする外
部回路３６に接続され、第２の端子３４は、抵抗Ｒ１を
介して電源端子＋Ｖccに接続される。また、第３の端子
３５は、増幅したセンサ出力を必要とする外部回路３７
に接続される。
【００４３】センサユニット３２は、以下のような構成
とされている。即ち、外部光を受光するように配置され
るセンシング用フォトダイオード３８は、カソードがｐ
ｎｐ形の第１のトランジスタ３９のエミッタ・コレクタ
間を介して第２の端子３４に接続され、アノードが第１
の端子３３に接続される。このような接続により、上記
フォトダイオード３８に対しては、第２の端子３４及び
第１の端子３３を通じて逆バイアス電圧が印加されるこ
とになる。
とされている。即ち、外部光を受光するように配置され
るセンシング用フォトダイオード３８は、カソードがｐ
ｎｐ形の第１のトランジスタ３９のエミッタ・コレクタ
間を介して第２の端子３４に接続され、アノードが第１
の端子３３に接続される。このような接続により、上記
フォトダイオード３８に対しては、第２の端子３４及び
第１の端子３３を通じて逆バイアス電圧が印加されるこ
とになる。
【００４４】複数個の第２のトランジスタ４０は、第１
のトランジスタ３９と同一の特性を備えたｐｎｐ形のも
ので、当該第１のトランジスタ３９とでカレントミラー
回路４１を構成するように並列接続される。尚、前述し
た第２実施例のように、複数個の第２のトランジスタ４
０のエミッタ面積をそれぞれ異ならせる構成も可能であ
る。
のトランジスタ３９と同一の特性を備えたｐｎｐ形のも
ので、当該第１のトランジスタ３９とでカレントミラー
回路４１を構成するように並列接続される。尚、前述し
た第２実施例のように、複数個の第２のトランジスタ４
０のエミッタ面積をそれぞれ異ならせる構成も可能であ
る。
【００４５】カレントミラー回路４１において、第２の
トランジスタ４０は、各コレクタが第３の端子３５に接
続されると共に、各エミッタが第２の端子３４に接続さ
れ、さらに各ベースが第１のトランジスタ３９のベース
に対し共通に接続される。また、カレントミラー回路４
１には、上記第１のトランジスタ３９及び第２のトラン
ジスタ４０にベース電流を供給するための第３のトラン
ジスタ４２と、センシング用ダイオード３８と同様に外
部光を受光するように配置される２個の補助フォトダイ
オード４３とが設けられている。
トランジスタ４０は、各コレクタが第３の端子３５に接
続されると共に、各エミッタが第２の端子３４に接続さ
れ、さらに各ベースが第１のトランジスタ３９のベース
に対し共通に接続される。また、カレントミラー回路４
１には、上記第１のトランジスタ３９及び第２のトラン
ジスタ４０にベース電流を供給するための第３のトラン
ジスタ４２と、センシング用ダイオード３８と同様に外
部光を受光するように配置される２個の補助フォトダイ
オード４３とが設けられている。
【００４６】この場合、第３のトランジスタ４２は、ｐ
ｎｐ形のもので、そのベースが前記センシング用フォト
ダイオード３８のカソードに接続されると共に、エミッ
タが第１のトランジスタ３９及び第２のトランジスタ４
０のベースに接続される。また、第３のトランジスタ４
２のコレクタは、直列接続された補助フォトダイオード
４３を逆方向に介して第２の端子３４に接続される。
ｎｐ形のもので、そのベースが前記センシング用フォト
ダイオード３８のカソードに接続されると共に、エミッ
タが第１のトランジスタ３９及び第２のトランジスタ４
０のベースに接続される。また、第３のトランジスタ４
２のコレクタは、直列接続された補助フォトダイオード
４３を逆方向に介して第２の端子３４に接続される。
【００４７】つまり、上記第３のトランジスタ４２は、
センシング用フォトダイオード３８の出力電流Ｉａの一
部がベース電流として供給されるように接続され、その
ベース電流の供給状態で補助フォトダイオード４３の出
力電流Ｉｂを前記第１のトランジスタ３９及び第２のト
ランジスタ４０のベース電流として流す構成となってい
る。
センシング用フォトダイオード３８の出力電流Ｉａの一
部がベース電流として供給されるように接続され、その
ベース電流の供給状態で補助フォトダイオード４３の出
力電流Ｉｂを前記第１のトランジスタ３９及び第２のト
ランジスタ４０のベース電流として流す構成となってい
る。
【００４８】尚、本発明は上記した実施例に限定される
ものではなく、次のような変形または拡張が可能であ
る。カレントミラー回路において、第１のトランジスタ
と同一特性とされた複数個の第２のトランジスタを並列
接続することによりセンシング用フォトダイオードの出
力電流を整数倍に増幅する構成としたが、整数倍の増幅
率が不要な場合には、第１及び第２のトランジスタを同
一特性とする必要はなく、また、第２のトランジスタと
して、第１のトランジスタより大きなエミッタ面積を有
するものを１個或いは複数個用いる構成とした場合で
も、出力電流の増幅機能を得ることができる。３個以上
の補助フォトダイオードを直列接続した状態で設ける構
成としても良い。
ものではなく、次のような変形または拡張が可能であ
る。カレントミラー回路において、第１のトランジスタ
と同一特性とされた複数個の第２のトランジスタを並列
接続することによりセンシング用フォトダイオードの出
力電流を整数倍に増幅する構成としたが、整数倍の増幅
率が不要な場合には、第１及び第２のトランジスタを同
一特性とする必要はなく、また、第２のトランジスタと
して、第１のトランジスタより大きなエミッタ面積を有
するものを１個或いは複数個用いる構成とした場合で
も、出力電流の増幅機能を得ることができる。３個以上
の補助フォトダイオードを直列接続した状態で設ける構
成としても良い。
【図１】本発明の第１実施例を示す電気的構成図
【図２】本発明の第２実施例を示す電気的構成図
【図３】本発明の第３実施例を示す電気的構成図
【図４】本発明の第４実施例を示す電気的構成図
【図５】本発明の第５実施例を示す電気的構成図
【図６】従来例を説明するための電気的構成図
２０、２０′、３２…センサユニット（光センサ回
路）、２１、３３…第１の端子、２２、３４…第２の端
子、２３、３５…第３の端子、２６、３８…センシング
用フォトダイオード、２７、３９…第１のトランジス
タ、２８、４０…第２のトランジスタ、２９、２９′、
４１…カレントミラー回路、３０、４２…第３のトラン
ジスタ、３１、４３…補助フォトダイオード。
路）、２１、３３…第１の端子、２２、３４…第２の端
子、２３、３５…第３の端子、２６、３８…センシング
用フォトダイオード、２７、３９…第１のトランジス
タ、２８、４０…第２のトランジスタ、２９、２９′、
４１…カレントミラー回路、３０、４２…第３のトラン
ジスタ、３１、４３…補助フォトダイオード。
Claims (4)
- 【請求項１】 外部光を受光するように設けられたセン
シング用フォトダイオードと、 外部光を受光するように設けられた補助フォトダイオー
ドと、 前記センシング用フォトダイオードに対し逆バイアス電
圧を印加するための第１の端子及び第２の端子と、 前記センシング用フォトダイオードの出力電流を前記第
１の端子から第２の端子へ流すように接続された第１の
トランジスタと、 この第１のトランジスタとベースが共通接続されること
により当該トランジスタとでカレントミラー回路を構成
するように設けられ、当該第１のトランジスタより大き
なコレクタ電流を流すように設定された第２のトランジ
スタと、 この第２のトランジスタのコレクタ電流が流れるように
接続された第３の端子と、 前記センシング用フォトダイオードの出力電流がベース
電流として供給されるように接続され、そのベース電流
の供給状態で前記補助フォトダイオードの出力電流を前
記第１のトランジスタ及び第２のトランジスタのベース
電流として流す第３のトランジスタとを備えたことを特
徴とする光センサ回路。 - 【請求項２】 前記センシング用フォトダイオード、補
助フォトダイオード、第１の端子、第１のトランジス
タ、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタは、複
数組設けられることを特徴とする請求項１記載の光セン
サ回路。 - 【請求項３】 前記第２のトランジスタは、複数個が並
列接続された状態とされることにより、全体として前記
第１のトランジスタより大きな電流を流すように構成さ
れ、そのうちの少なくとも１個が、前記第１の端子及び
第２の端子間に接続されることを特徴とする請求項１記
載の光センサ回路。 - 【請求項４】 前記補助フォトダイオードは少なくとも
２個以上を直列接続して構成されていることを特徴とす
る請求項１ないし３の何れかに記載の光センサ回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14758596A JP3444093B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 光センサ回路 |
| US08/871,969 US5936231A (en) | 1996-06-10 | 1997-06-10 | Photoelectric sensor circuit comprising an auxiliary photodiode and a current mirror circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14758596A JP3444093B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 光センサ回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09329493A true JPH09329493A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3444093B2 JP3444093B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=15433683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14758596A Expired - Fee Related JP3444093B2 (ja) | 1996-06-10 | 1996-06-10 | 光センサ回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5936231A (ja) |
| JP (1) | JP3444093B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000023774A1 (fr) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Capteur infrarouge et ensemble capteur infrarouge comprenant celui-ci |
| US7531784B2 (en) | 2006-04-27 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
| JP2009158928A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Rohm Co Ltd | 照度センサ |
| US7705283B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US7923800B2 (en) | 2006-12-27 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US8053717B2 (en) | 2008-05-22 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device having a reference voltage generation circuit with a resistor and a second diode element and electronic device having the same |
| US8115160B2 (en) | 2008-03-14 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protection circuit and photoelectric conversion device |
| US8154480B2 (en) | 2007-07-25 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
| JP2012099801A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその動作方法 |
| JP2013211618A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 複合トランジスタ |
| JP2014116969A (ja) * | 2014-01-23 | 2014-06-26 | Seiko Instruments Inc | 光センサを用いた近接センサ |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6359517B1 (en) * | 2000-01-28 | 2002-03-19 | Integration Associates Incorporated | Photodiode transimpedance circuit |
| US7253391B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical sensor device and electronic apparatus |
| US7495272B2 (en) * | 2003-10-06 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Labortaory Co., Ltd. | Semiconductor device having photo sensor element and amplifier circuit |
| JP4817636B2 (ja) | 2004-10-04 | 2011-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| WO2006106515A2 (en) * | 2005-04-05 | 2006-10-12 | Alphamirror Inc. | Automatic dimming liquid crystal mirror system |
| JP2006323980A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-30 | Sony Corp | 受光素子、光ピックアップ装置および光ディスク装置 |
| US20060287821A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | William Lin | Computer rearview mirror |
| WO2007013534A1 (en) | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| DE602007002105D1 (de) * | 2006-04-28 | 2009-10-08 | Semiconductor Energy Lab | Halbleiterbauelement |
| KR101285051B1 (ko) * | 2006-05-04 | 2013-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광검출 장치, 그를 이용한 액정표시장치 및 그의 구동방법 |
| JP2007326491A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Toyota Motor Corp | 車両用入力装置 |
| US7791012B2 (en) | 2006-09-29 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising photoelectric conversion element and high-potential and low-potential electrodes |
| US8058675B2 (en) | 2006-12-27 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device using the same |
| US8514165B2 (en) | 2006-12-28 | 2013-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8354724B2 (en) * | 2007-03-26 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| WO2008123119A1 (en) | 2007-03-26 | 2008-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device provided with the photoelectric conversion device |
| KR101441346B1 (ko) * | 2007-04-27 | 2014-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101401528B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2014-06-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전변환장치 및 그 광전변환장치를 구비하는 전자기기 |
| JP5388632B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2014-01-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2010035608A1 (en) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2015511329A (ja) | 2012-01-31 | 2015-04-16 | アルファマイクロン インコーポレイテッド | 電子的調光可能光学装置 |
| LU92272B1 (en) * | 2013-08-28 | 2015-03-02 | Iee Sarl | Inductive respiration sensor |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7108233A (ja) * | 1971-06-16 | 1972-12-19 | ||
| DE2705308C2 (de) * | 1977-02-09 | 1979-04-19 | Bodenseewerk Perkin-Elmer & Co Gmbh, 7770 Ueberlingen | Vorrichtung zum Aufheizen eines Graphitrohres in einer Graphitrohrküvette eines Atomabsorptionsspektrometers |
| US4439673A (en) * | 1981-08-27 | 1984-03-27 | Sprague Electric Company | Two terminal integrated circuit light-sensor |
| US4467191A (en) * | 1982-01-13 | 1984-08-21 | Sprague Electric Company | Photo diode with auxiliary photo diode regulator |
| US4454416A (en) * | 1982-01-13 | 1984-06-12 | Sprague Electric Company | Photo-electric circuit employing current mirrors |
| US4485301A (en) * | 1982-02-01 | 1984-11-27 | Sprague Electric Company | Linear two-terminal integrated circuit photo sensor |
| US5004901A (en) * | 1987-06-04 | 1991-04-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Current mirror amplifier for use in an optical data medium driving apparatus and servo-circuit |
| NL194811C (nl) * | 1986-01-16 | 2003-03-04 | Mitsubishi Electric Corp | Servoschakeling. |
| US5117118A (en) * | 1988-10-19 | 1992-05-26 | Astex Co., Ltd. | Photoelectric switch using an integrated circuit with reduced interconnections |
| FR2661790B1 (fr) * | 1990-05-03 | 1995-08-25 | France Etat | Dispositif d'amplification tres large bande continu-hyperfrequences, notamment realisable en circuit integre. |
| DE4023435A1 (de) * | 1990-07-24 | 1992-01-30 | Ic Haus Gmbh | Schaltungsanordnung zum verstaerken kleiner sensorstroeme |
| JPH05209788A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-20 | Hitachi Ltd | 光電流検出回路 |
-
1996
- 1996-06-10 JP JP14758596A patent/JP3444093B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-10 US US08/871,969 patent/US5936231A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6211520B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-04-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and infrared sensor array using the same |
| WO2000023774A1 (fr) * | 1998-10-19 | 2000-04-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Capteur infrarouge et ensemble capteur infrarouge comprenant celui-ci |
| US8263926B2 (en) | 2005-05-23 | 2012-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US7705283B2 (en) | 2005-05-23 | 2010-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US7531784B2 (en) | 2006-04-27 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic appliance using the same |
| US7923800B2 (en) | 2006-12-27 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US8154480B2 (en) | 2007-07-25 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
| US8913050B2 (en) | 2007-07-25 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and electronic device having the same |
| JP2009158928A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-07-16 | Rohm Co Ltd | 照度センサ |
| US8115160B2 (en) | 2008-03-14 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Protection circuit and photoelectric conversion device |
| US8053717B2 (en) | 2008-05-22 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device having a reference voltage generation circuit with a resistor and a second diode element and electronic device having the same |
| JP2012099801A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその動作方法 |
| JP2013211618A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 複合トランジスタ |
| JP2014116969A (ja) * | 2014-01-23 | 2014-06-26 | Seiko Instruments Inc | 光センサを用いた近接センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3444093B2 (ja) | 2003-09-08 |
| US5936231A (en) | 1999-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3444093B2 (ja) | 光センサ回路 | |
| US7696467B2 (en) | Semiconductor photosensor device with sensitivity region for wide dynamic range and information apparatus | |
| US6300615B1 (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
| US6465967B2 (en) | Control circuit of light emitting element | |
| US20090008534A1 (en) | Photodetector Circuit | |
| JP3329680B2 (ja) | 光センサ | |
| US4485301A (en) | Linear two-terminal integrated circuit photo sensor | |
| US20050224697A1 (en) | Light-receiving circuit capable of expanding a dynamic range of an optical input | |
| US7299022B2 (en) | Carrier detecting circuit and infrared communication device using same | |
| US4525637A (en) | Integrated circuit having an input voltage-clamping function and an input current-detecting function | |
| JP3192295B2 (ja) | 光受信装置 | |
| JP3123708B2 (ja) | 光受信フロントエンドアンプ | |
| US5515260A (en) | Current-voltage conversion circuit, current compressing and extension circuit, automatic exposure control system, and automatic exposure control system with built-in sensor | |
| US4216379A (en) | Low voltage bias circuit for a photo-diode | |
| JP2614294B2 (ja) | 受光半導体集積回路 | |
| JP2577929B2 (ja) | 光信号検出回路 | |
| US5973314A (en) | Photoelectric converting device which prevents power source ripple from mixing into an output signal | |
| US20040156412A1 (en) | Driving device and light-emitting system for a laser diode | |
| JPH1188068A (ja) | 受光アンプ回路 | |
| JPS61206303A (ja) | 光検出回路 | |
| JPH0269980A (ja) | フォトダイオードバイアス回路 | |
| JPH09105671A (ja) | 光センサ回路 | |
| JPH07162369A (ja) | 光受信回路 | |
| JPH11345995A (ja) | 光検出器 | |
| JPH0371813B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |