JPH09328329A - 光学素子およびその製造方法並びにそれを用いた装置 - Google Patents
光学素子およびその製造方法並びにそれを用いた装置Info
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- JPH09328329A JPH09328329A JP8338244A JP33824496A JPH09328329A JP H09328329 A JPH09328329 A JP H09328329A JP 8338244 A JP8338244 A JP 8338244A JP 33824496 A JP33824496 A JP 33824496A JP H09328329 A JPH09328329 A JP H09328329A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 12
- -1 polymethylsiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims abstract description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000000804 electron spin resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/0085—Compositions for glass with special properties for UV-transmitting glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/21—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with molecular hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/30—For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
- C03B2207/32—Non-halide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
- C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
- C03C2201/21—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing molecular hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/40—Gas-phase processes
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S501/00—Compositions: ceramic
- Y10S501/90—Optical glass, e.g. silent on refractive index and/or ABBE number
- Y10S501/905—Ultraviolet transmitting or absorbing
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶融シリカ光学素子において、紫外線への暴
露によって突発吸収遷移効果を被らない。 【解決手段】 熱的に転化されるポリメチルシロキサン
前駆体の生成物であり、突発吸収遷移を被らずに300 ｎ
ｍよりも小さい波長の紫外線を透過するように適用され
た溶融シリカガラスからなる。
露によって突発吸収遷移効果を被らない。 【解決手段】 熱的に転化されるポリメチルシロキサン
前駆体の生成物であり、突発吸収遷移を被らずに300 ｎ
ｍよりも小さい波長の紫外線を透過するように適用され
た溶融シリカガラスからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、溶融シリカからな
り、紫外線（ＵＶ）透過に適用される光学素子に関する
ものである。
り、紫外線（ＵＶ）透過に適用される光学素子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】蒸気状の反応体から溶融シリカを製造す
る様々な工程がこの業界で知られている。基本的な必要
条件としては、原料溶液を調製し、この原料溶液から蒸
気（反応体）を生成し、この蒸気および酸化体を反応す
る場所に移送し、蒸気の酸化および燃焼を同時に触発す
ることが挙げられる。製品は最終的に、通常シリカスー
ト（soot）と称される細かく粉砕された球状の凝集体と
なる。このスートは、ブール（boule ）の形状に直接的
に堆積させても、あるいは熱的に固結してもよい粒子と
して堆積させてもよい。いずれの場合においても、透明
で、非多孔質の、高純度のシリカガラス物品が製造され
る。
る様々な工程がこの業界で知られている。基本的な必要
条件としては、原料溶液を調製し、この原料溶液から蒸
気（反応体）を生成し、この蒸気および酸化体を反応す
る場所に移送し、蒸気の酸化および燃焼を同時に触発す
ることが挙げられる。製品は最終的に、通常シリカスー
ト（soot）と称される細かく粉砕された球状の凝集体と
なる。このスートは、ブール（boule ）の形状に直接的
に堆積させても、あるいは熱的に固結してもよい粒子と
して堆積させてもよい。いずれの場合においても、透明
で、非多孔質の、高純度のシリカガラス物品が製造され
る。
【０００３】ゲルマニウム、ジルコニウムおよびチタン
の酸化物のような様々な他の純粋な金属酸化物を同様な
方法で製造してもよいことが分かる。しかしながら、本
発明は溶融シリカ物品に関し、そのような物品を参照し
て記載されている。
の酸化物のような様々な他の純粋な金属酸化物を同様な
方法で製造してもよいことが分かる。しかしながら、本
発明は溶融シリカ物品に関し、そのような物品を参照し
て記載されている。
【０００４】様々な理由から、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ
4 ）が、溶融シリカの固体物品またはシリカスートのい
ずれかの製造における標準的な原料となっている。Ｓｉ
Ｃｌ4 には、加水分解の副生物がＨＣｌであるという点
で、重大な欠点がある。この物質は環境的に不都合であ
るので、それを廃棄する際に注意深い配慮が必要とな
る。また、塩化物中の不純物のために、最終製品中に粒
子状の不純物を含んでしまう。それにもかかわらず、Ｓ
ｉＣｌ4 は半世紀に亘り使用され続けている。
4 ）が、溶融シリカの固体物品またはシリカスートのい
ずれかの製造における標準的な原料となっている。Ｓｉ
Ｃｌ4 には、加水分解の副生物がＨＣｌであるという点
で、重大な欠点がある。この物質は環境的に不都合であ
るので、それを廃棄する際に注意深い配慮が必要とな
る。また、塩化物中の不純物のために、最終製品中に粒
子状の不純物を含んでしまう。それにもかかわらず、Ｓ
ｉＣｌ4 は半世紀に亘り使用され続けている。
【０００５】最近、大気中への許容放出物に関して厳し
い政府の規制が行なわれたり、環境保護への関心が高ま
っている。このことによって、環境によりやさしいハロ
ゲン化物を含まない原料が求められている。この調査の
結果ついに、製造方法を実質的に変えることなく、シリ
カ粒子を製造するための前駆体として、あるシロキサン
をベースとする有機物によりＳｉＣｌ4 を置き換えられ
ることを発見した。
い政府の規制が行なわれたり、環境保護への関心が高ま
っている。このことによって、環境によりやさしいハロ
ゲン化物を含まない原料が求められている。この調査の
結果ついに、製造方法を実質的に変えることなく、シリ
カ粒子を製造するための前駆体として、あるシロキサン
をベースとする有機物によりＳｉＣｌ4 を置き換えられ
ることを発見した。
【０００６】この発見に基づいて、溶融シリカ粒子が、
化学的前駆体としてオクタメタルシクロテトラシロキサ
ン（ＯＭＣＴＳ）を用いてコーニング社により現在製造
されている。この溶融シリカ材料は、商品コード7980と
して市販されている。さらに詳細については、米国特許
第5,043,002 号（ドビン等）を参照のこと。この特許の
教示をここに引用する。
化学的前駆体としてオクタメタルシクロテトラシロキサ
ン（ＯＭＣＴＳ）を用いてコーニング社により現在製造
されている。この溶融シリカ材料は、商品コード7980と
して市販されている。さらに詳細については、米国特許
第5,043,002 号（ドビン等）を参照のこと。この特許の
教示をここに引用する。
【０００７】溶融シリカ型材料が、大型の望遠鏡の製造
に使用されるためによく知られるようになった。しかし
ながら、最近、そのような材料からレンズのような光学
素子を製造することへの関心が相当高まっている。特
に、マイクロリソグラフィー装置におけるエキシマーレ
ーザに使用するために、そのような材料からステッパレ
ンズおよびスキャナレンズを製造することが望まれてい
る。このように使用するための主な必要条件は、紫外線
領域における超短波長の放射線、特に193 ｎｍと248 ｎ
ｍの波長の放射線の透過能力である。パルスエキシマー
レーザが次世代のステッパレンズおよびスキャナレンズ
の照射源となることが予測されている。このレーザは、
短い紫外線領域、特に193 ｎｍと248 ｎｍの波長の放射
線を発生させる。
に使用されるためによく知られるようになった。しかし
ながら、最近、そのような材料からレンズのような光学
素子を製造することへの関心が相当高まっている。特
に、マイクロリソグラフィー装置におけるエキシマーレ
ーザに使用するために、そのような材料からステッパレ
ンズおよびスキャナレンズを製造することが望まれてい
る。このように使用するための主な必要条件は、紫外線
領域における超短波長の放射線、特に193 ｎｍと248 ｎ
ｍの波長の放射線の透過能力である。パルスエキシマー
レーザが次世代のステッパレンズおよびスキャナレンズ
の照射源となることが予測されている。このレーザは、
短い紫外線領域、特に193 ｎｍと248 ｎｍの波長の放射
線を発生させる。
【０００８】非常に短い紫外線を透過させるように設計
された光学素子に、従来の商品コード7940の溶融シリカ
ガラスを使用する試みを行なった。この作業により、こ
のガラスは、長時間に亘り強烈な紫外線に暴露すると、
圧縮され、紫外線を吸収し、赤い蛍光を放出することが
分かった。さらに、これらの特徴は、暴露時間が増加す
るにつれて、増加し続ける。
された光学素子に、従来の商品コード7940の溶融シリカ
ガラスを使用する試みを行なった。この作業により、こ
のガラスは、長時間に亘り強烈な紫外線に暴露すると、
圧縮され、紫外線を吸収し、赤い蛍光を放出することが
分かった。さらに、これらの特徴は、暴露時間が増加す
るにつれて、増加し続ける。
【０００９】特に関心を集めているのは、紫外線吸収に
よる損傷が蓄積するので、吸収損傷が急激に増加し、暴
露を中断したときにも正常な緩和が行なわれない点に到
達するという事実である。この点は、「Sudden Onset o
f Strong Absorption Followed by Forced Recovery in
KrF Irradiated Fused Silica」(OPTICS LETTERS,Vol.
18,No.6,453-455 頁、1993年 3月15日) と題するD.Kraj
novich,I.K.Pour,A.C.Tam,W.Lueng およびM.Kulkarmiに
よる出版物に「突発吸収遷移（sudden absorption tran
sition:SAT）」と名付けられている。
よる損傷が蓄積するので、吸収損傷が急激に増加し、暴
露を中断したときにも正常な緩和が行なわれない点に到
達するという事実である。この点は、「Sudden Onset o
f Strong Absorption Followed by Forced Recovery in
KrF Irradiated Fused Silica」(OPTICS LETTERS,Vol.
18,No.6,453-455 頁、1993年 3月15日) と題するD.Kraj
novich,I.K.Pour,A.C.Tam,W.Lueng およびM.Kulkarmiに
よる出版物に「突発吸収遷移（sudden absorption tran
sition:SAT）」と名付けられている。
【００１０】ＳＡＴ効果は通常、350-400 ｍＪ／ｃｍ2
の強度のビームで6-10百万パルスに暴露した後の商品コ
ード7940のガラスに生じる。遷移点は普通は、より大き
い強度のビームにより少ないパルスに暴露した後に生じ
る。逆に、遷移点は普通、より小さい強度、例えば、25
0 ｍＪ／ｃｍ2 のビームにより多くのパルスに暴露した
後にのみに生じる。この条件は、暴露されているガラス
の温度が急激に上昇することとなるので、レンズに使用
するのには有害である。
の強度のビームで6-10百万パルスに暴露した後の商品コ
ード7940のガラスに生じる。遷移点は普通は、より大き
い強度のビームにより少ないパルスに暴露した後に生じ
る。逆に、遷移点は普通、より小さい強度、例えば、25
0 ｍＪ／ｃｍ2 のビームにより多くのパルスに暴露した
後にのみに生じる。この条件は、暴露されているガラス
の温度が急激に上昇することとなるので、レンズに使用
するのには有害である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、紫外
線への暴露によるこの「突発吸収遷移」効果を被らない
溶融シリカ光学素子を提供することにある。本発明の別
の目的は、水素含有雰囲気を用いた作業を行なわずに、
この所望の目的を達成することにある。本発明のさらな
る目的は、紫外線からのＳＡＴ効果を受けずに、マイク
ロリソグラフィー装置においてパルスエキシマーレーザ
とともに使用する光学素子を提供することにある。
線への暴露によるこの「突発吸収遷移」効果を被らない
溶融シリカ光学素子を提供することにある。本発明の別
の目的は、水素含有雰囲気を用いた作業を行なわずに、
この所望の目的を達成することにある。本発明のさらな
る目的は、紫外線からのＳＡＴ効果を受けずに、マイク
ロリソグラフィー装置においてパルスエキシマーレーザ
とともに使用する光学素子を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱転化される
ポリメチルシロキサン前駆体の生成物であり、突発吸収
遷移を受けずに300 ｎｍよりも小さい波長で紫外線を透
過するように適用された溶融シリカガラスからなる光学
素子に関するものである。
ポリメチルシロキサン前駆体の生成物であり、突発吸収
遷移を受けずに300 ｎｍよりも小さい波長で紫外線を透
過するように適用された溶融シリカガラスからなる光学
素子に関するものである。
【００１３】本発明はさらに、マイクロリソグラフィー
装置においてパルスエキシマーレーザとともにそのよう
な光学素子を使用することに関するものである。
装置においてパルスエキシマーレーザとともにそのよう
な光学素子を使用することに関するものである。
【００１４】本発明はさらにまた、突発吸収遷移を受け
ずに300 ｎｍより小さい波長の紫外線を透過する光学素
子を製造する方法であって、ポリメチルシロキサンの熱
転化により生成された溶融シリカから光学素子を形成す
る工程からなる方法を提供する。
ずに300 ｎｍより小さい波長の紫外線を透過する光学素
子を製造する方法であって、ポリメチルシロキサンの熱
転化により生成された溶融シリカから光学素子を形成す
る工程からなる方法を提供する。
【００１５】本発明は、溶融シリカ物品の光学挙動につ
いての研究から派生したものである。これらの物品は、
異なる前駆体材料から異なる方法により製造されたもの
である。
いての研究から派生したものである。これらの物品は、
異なる前駆体材料から異なる方法により製造されたもの
である。
【００１６】最初の研究は、前駆体材料としてＳｉＣｌ
4 の溶液を用いて製造した従来の溶融シリカ材料につい
て行なった。このような方法により製造された溶融シリ
カ製品は、商品コード7940としてコーニング社から市販
されている。パルスエキシマーレーザにより生じたよう
な強い紫外線に暴露されると、この材料は、圧縮され、
紫外線を吸収し、赤い蛍光を放出する。これらの特性の
各々は、短波長の放射線に暴露される時間が増加するに
つれて、増加し続ける。
4 の溶液を用いて製造した従来の溶融シリカ材料につい
て行なった。このような方法により製造された溶融シリ
カ製品は、商品コード7940としてコーニング社から市販
されている。パルスエキシマーレーザにより生じたよう
な強い紫外線に暴露されると、この材料は、圧縮され、
紫外線を吸収し、赤い蛍光を放出する。これらの特性の
各々は、短波長の放射線に暴露される時間が増加するに
つれて、増加し続ける。
【００１７】紫外線吸収は、Ｅ′中心と称する構造欠陥
のためである。この構造欠陥は、間げき空間中に突出し
た懸垂ケイ素軌道内に捕らえられた常磁性電子から生じ
る。Ｅ′中心は、不対電子を有しているので、電子スピ
ン共鳴分光学により検出される。誘発されたＥ′中心
は、5.8 ｅＶ（210 ｎｍ）の吸収帯を有している。210
ｎｍでの吸収は、193 ｎｍで放射線を放出するＡｒＦレ
ーザを用いた用途において特に有害である。この吸収帯
は、このレーザの放射波長領域中に入り込む傾向にあ
る。
のためである。この構造欠陥は、間げき空間中に突出し
た懸垂ケイ素軌道内に捕らえられた常磁性電子から生じ
る。Ｅ′中心は、不対電子を有しているので、電子スピ
ン共鳴分光学により検出される。誘発されたＥ′中心
は、5.8 ｅＶ（210 ｎｍ）の吸収帯を有している。210
ｎｍでの吸収は、193 ｎｍで放射線を放出するＡｒＦレ
ーザを用いた用途において特に有害である。この吸収帯
は、このレーザの放射波長領域中に入り込む傾向にあ
る。
【００１８】Ｅ′中心の欠陥は、試験した全ての種類の
溶融シリカに生じることが分かった。この欠陥は、ビー
ムの強度とほぼ二次に、そしてレーザからの放射線パル
スの数と線形に増加する。吸収効果は、レーザビームの
放射から除いた後に、数分間に亘り一部が緩和する。し
かしながら、レーザビームに再度暴露した際に、吸収が
以前のレベルまで急速に回復する。次いで、吸収は通常
の速度で増加し続ける。この効果の説明について研究す
ると、この効果は、商品コード7940の溶融シリカ内に残
留する塩素の結果であることが分かった。この残留レベ
ルは、約50-100ｐｐｍである。
溶融シリカに生じることが分かった。この欠陥は、ビー
ムの強度とほぼ二次に、そしてレーザからの放射線パル
スの数と線形に増加する。吸収効果は、レーザビームの
放射から除いた後に、数分間に亘り一部が緩和する。し
かしながら、レーザビームに再度暴露した際に、吸収が
以前のレベルまで急速に回復する。次いで、吸収は通常
の速度で増加し続ける。この効果の説明について研究す
ると、この効果は、商品コード7940の溶融シリカ内に残
留する塩素の結果であることが分かった。この残留レベ
ルは、約50-100ｐｐｍである。
【００１９】商品コード7980の溶融シリカの前駆体とし
て用いたポリメチルシロキサン材料は、塩素を取り入れ
ない。存在するレベルは検出限界の３ｐｐｍより小さ
い。したがって、塩素の効果を測定する手段として、商
品コード7980のガラスについて研究を開始した。
て用いたポリメチルシロキサン材料は、塩素を取り入れ
ない。存在するレベルは検出限界の３ｐｐｍより小さ
い。したがって、塩素の効果を測定する手段として、商
品コード7980のガラスについて研究を開始した。
【００２０】最初に、２種類の溶融シリカガラスが非常
に類似の様式で挙動することを観察した。このように、
両方のガラスは圧縮され、紫外線に暴露される時間が長
くなるにつれ、紫外線の吸収が増し、赤い蛍光を誘発す
る。
に類似の様式で挙動することを観察した。このように、
両方のガラスは圧縮され、紫外線に暴露される時間が長
くなるにつれ、紫外線の吸収が増し、赤い蛍光を誘発す
る。
【００２１】しかしながら、7940のガラスがＳＡＴレベ
ルに到達した時点では、それらの挙動は著しく分かれ
る。両方の種類のガラスをさらに暴露すると、引き続き
圧縮が行なわれる。しかしながら、7980のガラスは、79
40のガラスの特徴である紫外線吸収および蛍光の急激な
増加を示さない。むしろ、吸収と蛍光の増加はよりゆっ
くりと生じ、一定レベルに向かって移行する。紫外線吸
収効果が突発遷移を被らないという事実は特に重要であ
る。これは、遷移効果を被らない溶融シリカガラスを製
造できることを意味する。さらに、水素アニールのよう
な補助的処理に頼らずにこのことを実施できる。重要な
ことは、溶融シリカ物品の製造にポリメチルシロキサン
前駆体を使用することにある。
ルに到達した時点では、それらの挙動は著しく分かれ
る。両方の種類のガラスをさらに暴露すると、引き続き
圧縮が行なわれる。しかしながら、7980のガラスは、79
40のガラスの特徴である紫外線吸収および蛍光の急激な
増加を示さない。むしろ、吸収と蛍光の増加はよりゆっ
くりと生じ、一定レベルに向かって移行する。紫外線吸
収効果が突発遷移を被らないという事実は特に重要であ
る。これは、遷移効果を被らない溶融シリカガラスを製
造できることを意味する。さらに、水素アニールのよう
な補助的処理に頼らずにこのことを実施できる。重要な
ことは、溶融シリカ物品の製造にポリメチルシロキサン
前駆体を使用することにある。
【００２２】
【実施例】以下、図面に示す実施例を参照して本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２３】挙動の差を図面のグラフに示す。放射線の
強度が、レーザのパルス数百万に関して横軸にプロット
されている。センチメートル当たりの吸収単位にける絶
対係数の変化が210 ｎｍで測定されている。これが縦軸
にプロットされている。350ｍＪ／ｃｍ2 の強度のビー
ムを発生するパルスＫｒＦレーザに暴露された溶融シリ
カ試験片について測定を行なった。このレーザは、248
ｎｍの波長の放射線を発生させる。
強度が、レーザのパルス数百万に関して横軸にプロット
されている。センチメートル当たりの吸収単位にける絶
対係数の変化が210 ｎｍで測定されている。これが縦軸
にプロットされている。350ｍＪ／ｃｍ2 の強度のビー
ムを発生するパルスＫｒＦレーザに暴露された溶融シリ
カ試験片について測定を行なった。このレーザは、248
ｎｍの波長の放射線を発生させる。
【００２４】商品コード7940のガラスと商品コード7980
のガラスの両方について、紫外線透過の変化をオンライ
ンとオフラインの両方で測定した。吸収損傷は室温で緩
和する傾向にあるので、オフラインの測定は、試料をビ
ームから除いた後から５分以内に行なった。測定は普
通、２百万パルスの間隔で行なった。図面に示したよう
に、挙動が安定状態に達した25百万パルスを越える点ま
で、商品コード7980のガラスについて測定した。
のガラスの両方について、紫外線透過の変化をオンライ
ンとオフラインの両方で測定した。吸収損傷は室温で緩
和する傾向にあるので、オフラインの測定は、試料をビ
ームから除いた後から５分以内に行なった。測定は普
通、２百万パルスの間隔で行なった。図面に示したよう
に、挙動が安定状態に達した25百万パルスを越える点ま
で、商品コード7980のガラスについて測定した。
【００２５】透過測定は、200 ｎｍから400 ｎｍまでの
２回の走査からなるものであった。最初の測定は、最大
ビーム強度の点に中心をおく損傷区域内で行なった。２
番目の測定は、非損傷区域で行なった参照走査であっ
た。測定は、レーザビームの通路と平行に行なった。機
械のベースラインは、各々のスペクトル走査対のちょう
ど前にあった。データは、２つの走査の吸収係数の間の
差として報告した。ここの係数は、最初に400 ｎｍ（9
2.9％）での理論値にデータを調節して、次いで、以下
の方程式を用いて計算した： Ｔ（％）＝100 （１−Ｒ）2 ｅ-at ここで、ａは吸収係数であり、ｔは試料の厚さであり、
Ｒは理論反射係数である。
２回の走査からなるものであった。最初の測定は、最大
ビーム強度の点に中心をおく損傷区域内で行なった。２
番目の測定は、非損傷区域で行なった参照走査であっ
た。測定は、レーザビームの通路と平行に行なった。機
械のベースラインは、各々のスペクトル走査対のちょう
ど前にあった。データは、２つの走査の吸収係数の間の
差として報告した。ここの係数は、最初に400 ｎｍ（9
2.9％）での理論値にデータを調節して、次いで、以下
の方程式を用いて計算した： Ｔ（％）＝100 （１−Ｒ）2 ｅ-at ここで、ａは吸収係数であり、ｔは試料の厚さであり、
Ｒは理論反射係数である。
【００２６】曲線ＡおよびＡ′は、それぞれ、商品コー
ド7940のガラス試験片について行なったオンライン測定
値およびオフライン測定値から得たデータに基づいてい
る。曲線ＢおよびＢ′は同様に、商品コード7980のガラ
ス試験片についての測定値から得たデータに基づいてい
る。２つの試験片の挙動は、６百万から12百万までの間
の点では実質的に同一であり、それより小さい数ではよ
り典型的であることが分かる。この点で、7940のガラス
の吸収を示す曲線Ａは急激に上昇している。これとは対
照的に、商品コード7980のガラスの吸収を示す曲線Ｂ
は、水平方向に平らになる滑らかな曲線へと続いてい
る。急激に上昇することに加えて、曲線Ａにより示され
る吸収値は、突発吸収遷移を被る。これとは対照的に、
商品コード7980のガラス試験片の吸収曲線Ｂは、平らに
なるだけでなく、そのような遷移を被らない。２種類の
溶融シリカガラスの挙動のこの差は驚くべきことであ
り、完全に予期せぬことである。
ド7940のガラス試験片について行なったオンライン測定
値およびオフライン測定値から得たデータに基づいてい
る。曲線ＢおよびＢ′は同様に、商品コード7980のガラ
ス試験片についての測定値から得たデータに基づいてい
る。２つの試験片の挙動は、６百万から12百万までの間
の点では実質的に同一であり、それより小さい数ではよ
り典型的であることが分かる。この点で、7940のガラス
の吸収を示す曲線Ａは急激に上昇している。これとは対
照的に、商品コード7980のガラスの吸収を示す曲線Ｂ
は、水平方向に平らになる滑らかな曲線へと続いてい
る。急激に上昇することに加えて、曲線Ａにより示され
る吸収値は、突発吸収遷移を被る。これとは対照的に、
商品コード7980のガラス試験片の吸収曲線Ｂは、平らに
なるだけでなく、そのような遷移を被らない。２種類の
溶融シリカガラスの挙動のこの差は驚くべきことであ
り、完全に予期せぬことである。
【図１】本発明の１つの実施の形態の光学素子の放射線
の強度に対する絶対係数のグラフ
の強度に対する絶対係数のグラフ
フロントページの続き (72)発明者 ダニエル レイモンド センポリンスキー アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14870 ペインテッド ポスト オーヴァーブル ック ロード ５
Claims (10)
- 【請求項１】 熱的に転化されるポリメチルシロキサン
前駆体の生成物であり、突発吸収遷移を被らずに300 ｎ
ｍよりも小さい波長の紫外線を透過するように適用され
た溶融シリカガラスからなる光学素子。 - 【請求項２】 前記溶融シリカガラスが、ガラス１ｃｍ
3 当たり1018分子未満の水素含有量を有することを特徴
とする請求項１記載の光学素子。 - 【請求項３】 前記溶融シリカガラスが、ガラス１ｃｍ
3 当たり約３−４×1017分子の水素含有量を有すること
を特徴とする請求項２記載の光学素子。 - 【請求項４】 前記溶融シリカガラスが実質的に塩素を
含まないことを特徴とする請求項１記載の光学素子。 - 【請求項５】 前記前駆体がポリメチルシクロシロキサ
ンであることを特徴とする請求項１記載の光学素子。 - 【請求項６】 前記前駆体がオクタメチルシクロテトラ
シロキサンであることを特徴とする請求項５記載の光学
素子。 - 【請求項７】 350-400 ｍＪ／ｃｍ2 で作動するパルス
エキシマーレーザからの放射線と同等の放射線を透過す
るように適用され、突発吸収遷移を被らずに10百万のパ
ルスに亘り透過させることを特徴とする請求項１記載の
光学素子。 - 【請求項８】 300 ｎｍよりも短い波長の放射線を放出
するパルスエキシマレーザと、突発吸収遷移を被らずに
放出された放射線を透過させ、熱的に転化されるポリメ
チルシロキサン前駆体の生成物である溶融シリカレンズ
少なくとも１つとからなるマイクロリソグラフィー装
置。 - 【請求項９】 前記パルスエキシマーレーザがＫｒＦレ
ーザであることを特徴とする請求項８記載のマイクロリ
ソグラフィー装置。 - 【請求項１０】 突発吸収遷移を受けることなく300 ｎ
ｍの波長より小さい紫外線を透過させる光学素子を製造
する方法であって、熱的に転化されるポリメチルシロキ
サンにより生成される溶融シリカから該光学素子を形成
する工程からなる方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US57581095A | 1995-12-22 | 1995-12-22 | |
| US575810 | 1995-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09328329A true JPH09328329A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3529011B2 JP3529011B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=24301806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33824496A Expired - Fee Related JP3529011B2 (ja) | 1995-12-22 | 1996-12-18 | 光学素子およびその製造方法並びにそれを用いた装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5896222A (ja) |
| EP (1) | EP0780345A1 (ja) |
| JP (1) | JP3529011B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309991B1 (en) * | 1996-08-29 | 2001-10-30 | Corning Incorporated | Silica with low compaction under high energy irradiation |
| WO1998040319A1 (de) * | 1997-03-07 | 1998-09-17 | Schott Ml Gmbh | Vorform aus synthetischem kieselglas und vorrichtung zu ihrer herstellung |
| EP0870737B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-07-24 | Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Optical synthetic quartz glass, production method thereof, and optical member for excimer laser using the synthetic quartz glass |
| US6333283B1 (en) * | 1997-05-16 | 2001-12-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silica glass article and manufacturing process therefor |
| JPH10330124A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-15 | Toshiba Corp | 石英ガラスおよびその製造方法、ならびにその石英ガラスを用いた熱処理装置および熱処理方法 |
| DE19841932A1 (de) * | 1998-09-14 | 2000-03-16 | Heraeus Quarzglas | Optisches Bauteil aus Quarzglas und Verfahren für seine Herstellung |
| US6653851B2 (en) | 1999-01-14 | 2003-11-25 | Lomanoha Ventures | Refocusing wavelengths to a common focal plane for electrical trace testing |
| US6410192B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-06-25 | Corning Incorporated | Photolithography method, photolithography mask blanks, and method of making |
| JP2001270731A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-02 | Nikon Corp | 合成石英ガラス部材及びこれを用いた光リソグラフィー装置 |
| US6403508B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-06-11 | Corning Incorporated | Fused silica with constant induced absorption |
| US6339505B1 (en) | 2000-06-26 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Method for radiation projection and lens assembly for semiconductor exposure tools |
| US6378337B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-04-30 | Corning Incorporated | Method for producing bulk fused silica |
| KR20040004389A (ko) * | 2000-10-03 | 2004-01-13 | 코닝 인코포레이티드 | 포토리소그라피 방법 및 시스템 |
| US7797966B2 (en) * | 2000-12-29 | 2010-09-21 | Single Crystal Technologies, Inc. | Hot substrate deposition of fused silica |
| US20020083740A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Pandelisev Kiril A. | Process and apparatus for production of silica grain having desired properties and their fiber optic and semiconductor application |
| US20020083739A1 (en) * | 2000-12-29 | 2002-07-04 | Pandelisev Kiril A. | Hot substrate deposition fiber optic preforms and preform components process and apparatus |
| US20030039865A1 (en) * | 2001-06-20 | 2003-02-27 | Isonics Corporation | Isotopically engineered optical materials |
| CN1558875A (zh) * | 2001-09-27 | 2004-12-29 | 康宁股份有限公司 | 内透射率高并且双折射低的熔凝硅石 |
| US6813907B2 (en) | 2001-11-30 | 2004-11-09 | Corning Incorporated | Fluorine doping a soot preform |
| JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
| US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7125222B2 (en) | 2004-04-14 | 2006-10-24 | General Electric Company | Gas turbine engine variable vane assembly |
| US7619227B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-11-17 | Corning Incorporated | Method of reducing radiation-induced damage in fused silica and articles having such reduction |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5043002A (en) | 1990-08-16 | 1991-08-27 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
| US5332702A (en) * | 1993-04-16 | 1994-07-26 | Corning Incorporated | Low sodium zircon refractory and fused silica process |
| US5616159A (en) * | 1995-04-14 | 1997-04-01 | Corning Incorporated | Method of forming high purity fused silica having high resistance to optical damage |
-
1996
- 1996-12-12 EP EP96119953A patent/EP0780345A1/en not_active Withdrawn
- 1996-12-18 JP JP33824496A patent/JP3529011B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-05 US US08/985,552 patent/US5896222A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5896222A (en) | 1999-04-20 |
| JP3529011B2 (ja) | 2004-05-24 |
| EP0780345A1 (en) | 1997-06-25 |
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