JPH09326473A - 電圧モニター回路 - Google Patents
電圧モニター回路Info
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- JPH09326473A JPH09326473A JP8143100A JP14310096A JPH09326473A JP H09326473 A JPH09326473 A JP H09326473A JP 8143100 A JP8143100 A JP 8143100A JP 14310096 A JP14310096 A JP 14310096A JP H09326473 A JPH09326473 A JP H09326473A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＣ内部の被測定回路ブロックの被測定信号の
モニター時には、ＩＣ外部の要因による影響を排除して
正確な測定を行うことができ、通常動作時には、周辺Ｉ
Ｃからの雑音信号の影響を受け難い電圧モニター回路を
提供する。 【解決手段】ＩＣチップ１０の内部に形成された被測定
回路ブロック１１のモニター信号出力線１２にゲートが
接続され、ソースが接地電位ノードに接続されたＮＭＯ
Ｓトランジスタ１３と、ＮＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに接続された電圧モニター用パッド１４と、モニター
信号出力線に接続された外部電圧印加用パッド１５とを
具備する。
モニター時には、ＩＣ外部の要因による影響を排除して
正確な測定を行うことができ、通常動作時には、周辺Ｉ
Ｃからの雑音信号の影響を受け難い電圧モニター回路を
提供する。 【解決手段】ＩＣチップ１０の内部に形成された被測定
回路ブロック１１のモニター信号出力線１２にゲートが
接続され、ソースが接地電位ノードに接続されたＮＭＯ
Ｓトランジスタ１３と、ＮＭＯＳトランジスタのドレイ
ンに接続された電圧モニター用パッド１４と、モニター
信号出力線に接続された外部電圧印加用パッド１５とを
具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ（半導体集積
回路）に形成された電圧モニター回路に係り、特にＭＯ
Ｓ型ＩＣに形成された電圧モニター回路に関する。
回路）に形成された電圧モニター回路に係り、特にＭＯ
Ｓ型ＩＣに形成された電圧モニター回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣの内部に形成された被測定回路ブロ
ックで発生された出力信号（被測定信号）の電圧レベル
をＩＣ外部でモニターするために、ＩＣ内部に電圧モニ
ター回路が形成される場合がある。
ックで発生された出力信号（被測定信号）の電圧レベル
をＩＣ外部でモニターするために、ＩＣ内部に電圧モニ
ター回路が形成される場合がある。
【０００３】図４は、従来のＭＯＳ型ＩＣの一部を示し
ている。図４のＭＯＳ型ＩＣにおいては、ＩＣチップ４
０の内部に形成された被測定回路ブロック４１のモニタ
ー信号出力線４２に電圧モニター専用のパッド４３が電
圧モニター回路として接続されている。
ている。図４のＭＯＳ型ＩＣにおいては、ＩＣチップ４
０の内部に形成された被測定回路ブロック４１のモニタ
ー信号出力線４２に電圧モニター専用のパッド４３が電
圧モニター回路として接続されている。
【０００４】図４のＭＯＳ型ＩＣによれば、ＩＣ外部か
ら電圧モニター専用パッドに直接に測定器の測定端子を
接触させて被測定信号の電圧レベルをモニターすること
が可能である。
ら電圧モニター専用パッドに直接に測定器の測定端子を
接触させて被測定信号の電圧レベルをモニターすること
が可能である。
【０００５】図５は、別の従来のＭＯＳ型ＩＣの一部を
示している。図５のＭＯＳ型ＩＣにおいては、ＩＣチッ
プ５０の内部に形成された被測定回路ブロック５１のモ
ニター信号出力線５２がＩＣチップの周辺部に形成され
た電圧モニター専用あるいは電圧モニター兼用のパッド
５３まで引き出されており、さらに、前記モニター信号
出力線５２の被測定回路ブロック付近に直列にスイッチ
回路５４が挿入されている。
示している。図５のＭＯＳ型ＩＣにおいては、ＩＣチッ
プ５０の内部に形成された被測定回路ブロック５１のモ
ニター信号出力線５２がＩＣチップの周辺部に形成され
た電圧モニター専用あるいは電圧モニター兼用のパッド
５３まで引き出されており、さらに、前記モニター信号
出力線５２の被測定回路ブロック付近に直列にスイッチ
回路５４が挿入されている。
【０００６】図５のＭＯＳ型ＩＣによれば、図４のＭＯ
Ｓ型ＩＣと同様に被測定信号の電圧レベルをモニターす
ることが可能であるほか、スイッチ回路５４により被測
定回路ブロック５１をモニター用パッド５３から切り離
すことが可能である点が異なる。
Ｓ型ＩＣと同様に被測定信号の電圧レベルをモニターす
ることが可能であるほか、スイッチ回路５４により被測
定回路ブロック５１をモニター用パッド５３から切り離
すことが可能である点が異なる。
【０００７】図６は、さらに別の従来のＭＯＳ型ＩＣの
一部を示している。図６のＭＯＳ型ＩＣにおいては、被
測定回路ブロック６１と同等の擬似回路ブロック６１ａ
がＩＣチップ６０の周辺部に形成され、この擬似回路ブ
ロック６１ａの擬似モニター信号出力線６２に電圧モニ
ター専用あるいは電圧モニター兼用のパッド６３が接続
されている。
一部を示している。図６のＭＯＳ型ＩＣにおいては、被
測定回路ブロック６１と同等の擬似回路ブロック６１ａ
がＩＣチップ６０の周辺部に形成され、この擬似回路ブ
ロック６１ａの擬似モニター信号出力線６２に電圧モニ
ター専用あるいは電圧モニター兼用のパッド６３が接続
されている。
【０００８】図６のＭＯＳ型ＩＣによれば、図４のＭＯ
Ｓ型ＩＣと同様に被測定信号の電圧レベルをモニターす
ることが可能であるほか、被測定回路ブロック６１にモ
ニター信号出力線を接続しなくて済み、モニター出力信
号線の配線容量分だけ被測定回路ブロック６１の出力側
の負荷を軽減することが可能である。
Ｓ型ＩＣと同様に被測定信号の電圧レベルをモニターす
ることが可能であるほか、被測定回路ブロック６１にモ
ニター信号出力線を接続しなくて済み、モニター出力信
号線の配線容量分だけ被測定回路ブロック６１の出力側
の負荷を軽減することが可能である。
【０００９】しかし、上記したような図４乃至図６に示
した従来のＭＯＳ型ＩＣにおいては、ＩＣ外部から電圧
モニター用パッドに直接に測定器の測定端子を接触させ
て被測定信号の電圧レベルをモニターする時、ＩＣ外部
の測定器からＩＣ内部の回路ブロックに電流が流入す
る、あるいは、ＩＣ内部の回路ブロック測定器からＩＣ
外部の測定器に電流が流出する。これにより、測定電圧
は前記流入電流あるいは流出電流に電圧上昇分あるいは
電圧降下分を含んだ値になっており、正確な値ではな
い。
した従来のＭＯＳ型ＩＣにおいては、ＩＣ外部から電圧
モニター用パッドに直接に測定器の測定端子を接触させ
て被測定信号の電圧レベルをモニターする時、ＩＣ外部
の測定器からＩＣ内部の回路ブロックに電流が流入す
る、あるいは、ＩＣ内部の回路ブロック測定器からＩＣ
外部の測定器に電流が流出する。これにより、測定電圧
は前記流入電流あるいは流出電流に電圧上昇分あるいは
電圧降下分を含んだ値になっており、正確な値ではな
い。
【００１０】さらに、被測定回路ブロックあるいは擬似
回路ブロックが発生電圧を入力側に帰還させている場合
には、ＩＣ外部から電圧モニター用パッドを介してモニ
ター信号出力線に入力する不要信号を増幅して前記発生
電圧に影響を及ぼすので、測定電圧と実際の発生電圧と
の間に大きなずれが生じる。
回路ブロックが発生電圧を入力側に帰還させている場合
には、ＩＣ外部から電圧モニター用パッドを介してモニ
ター信号出力線に入力する不要信号を増幅して前記発生
電圧に影響を及ぼすので、測定電圧と実際の発生電圧と
の間に大きなずれが生じる。
【００１１】また、図５に示すＭＯＳ型ＩＣのように、
被測定回路ブロック５１からモニター信号出力線５２を
電圧モニター用パッド５３まで引き伸ばすと、通常動作
時に周辺ＩＣからの雑音信号がモニター信号出力線５２
を介して被測定回路ブロック５１に影響を及ぼし、被測
定回路ブロック５１の誤動作を誘起する原因となる。
被測定回路ブロック５１からモニター信号出力線５２を
電圧モニター用パッド５３まで引き伸ばすと、通常動作
時に周辺ＩＣからの雑音信号がモニター信号出力線５２
を介して被測定回路ブロック５１に影響を及ぼし、被測
定回路ブロック５１の誤動作を誘起する原因となる。
【００１２】また、電圧モニター用パッド５３として電
圧モニター兼用のパッドを使用すると、通常動作時にＩ
Ｃ外部から電圧モニター兼用パッドに雑音信号が重畳す
る。この場合、モニター信号出力線５２に直列に挿入さ
れているスイッチ回路５４により被測定回路ブロック５
１をモニター用パッド５３から切り離すことが可能であ
るが、雑音信号の種類によっては切り離し効果を全く期
待できない。
圧モニター兼用のパッドを使用すると、通常動作時にＩ
Ｃ外部から電圧モニター兼用パッドに雑音信号が重畳す
る。この場合、モニター信号出力線５２に直列に挿入さ
れているスイッチ回路５４により被測定回路ブロック５
１をモニター用パッド５３から切り離すことが可能であ
るが、雑音信号の種類によっては切り離し効果を全く期
待できない。
【００１３】また、図６に示すＭＯＳ型ＩＣのように、
被測定回路ブロック６１と擬似回路ブロック６１ａと
は、その位置がＩＣチップ６０の内部と周辺部という大
きな違いがあり、擬似回路ブロック６１ａを被測定回路
ブロック６１と全く同等に形成することを保証し難く、
測定電圧は必ずしも正確な値にはならない。
被測定回路ブロック６１と擬似回路ブロック６１ａと
は、その位置がＩＣチップ６０の内部と周辺部という大
きな違いがあり、擬似回路ブロック６１ａを被測定回路
ブロック６１と全く同等に形成することを保証し難く、
測定電圧は必ずしも正確な値にはならない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
電圧モニター回路は、被測定信号のモニター時にＩＣ外
部の測定器からの影響があり、正確な測定ができないと
いう問題とか、通常動作時に周辺ＩＣからの雑音信号の
影響を受け易く、被測定回路ブロックの誤動作を誘起す
る原因となるという問題があった。
電圧モニター回路は、被測定信号のモニター時にＩＣ外
部の測定器からの影響があり、正確な測定ができないと
いう問題とか、通常動作時に周辺ＩＣからの雑音信号の
影響を受け易く、被測定回路ブロックの誤動作を誘起す
る原因となるという問題があった。
【００１５】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、被測定信号のモニター時におけるＩＣ外部の
要因による影響を排除して正確な測定を行うことがで
き、通常動作時における周辺ＩＣからの雑音信号の影響
を受け難い電圧モニター回路を提供することを目的とす
る。
たもので、被測定信号のモニター時におけるＩＣ外部の
要因による影響を排除して正確な測定を行うことがで
き、通常動作時における周辺ＩＣからの雑音信号の影響
を受け難い電圧モニター回路を提供することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の電圧モニタ
ー回路は、ＩＣ内部に形成された被測定回路ブロックの
モニター信号出力線にゲートが接続され、ソースが接地
電位ノードに接続されたＮＭＯＳトランジスタと、前記
ＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続された電圧モニ
ター用パッドと、前記モニター信号出力線に接続された
外部電圧印加用パッドとを具備することを特徴とする。
ー回路は、ＩＣ内部に形成された被測定回路ブロックの
モニター信号出力線にゲートが接続され、ソースが接地
電位ノードに接続されたＮＭＯＳトランジスタと、前記
ＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続された電圧モニ
ター用パッドと、前記モニター信号出力線に接続された
外部電圧印加用パッドとを具備することを特徴とする。
【００１７】第２の発明の電圧モニター回路は、ＩＣ内
部に形成された被測定回路ブロックのモニター信号出力
線にゲートが接続され、ソースが接地電位ノードに接続
された第１のＮＭＯＳトランジスタと、前記第１のＮＭ
ＯＳトランジスタのドレインに接続された第１の電圧モ
ニター用パッドと、ソースが前記接地電位ノードに接続
され、第１のＮＭＯＳトランジスタと揃った特性を有す
る第２のＮＭＯＳトランジスタと、前記第２のＮＭＯＳ
トランジスタのドレインに接続された第２の電圧モニタ
ー用パッドと、前記第２のＮＭＯＳトランジスタのゲー
トに接続された外部電圧印加用パッドとを具備すること
を特徴とする。
部に形成された被測定回路ブロックのモニター信号出力
線にゲートが接続され、ソースが接地電位ノードに接続
された第１のＮＭＯＳトランジスタと、前記第１のＮＭ
ＯＳトランジスタのドレインに接続された第１の電圧モ
ニター用パッドと、ソースが前記接地電位ノードに接続
され、第１のＮＭＯＳトランジスタと揃った特性を有す
る第２のＮＭＯＳトランジスタと、前記第２のＮＭＯＳ
トランジスタのドレインに接続された第２の電圧モニタ
ー用パッドと、前記第２のＮＭＯＳトランジスタのゲー
トに接続された外部電圧印加用パッドとを具備すること
を特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る電圧モニター回路を有するＭＯＳ型ＩＣ
の一部を示している。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態に係る電圧モニター回路を有するＭＯＳ型ＩＣ
の一部を示している。
【００１９】図１のＭＯＳ型ＩＣにおいて、ＩＣチップ
１０の内部の例えば中央部に形成された被測定回路ブロ
ック１１のモニター信号出力線１２にＮＭＯＳトランジ
スタ１３のゲートが接続され、上記ＮＭＯＳトランジス
タ１３のバックゲート・ソースが接地電位（Ｖss）ノー
ドに接続されている。
１０の内部の例えば中央部に形成された被測定回路ブロ
ック１１のモニター信号出力線１２にＮＭＯＳトランジ
スタ１３のゲートが接続され、上記ＮＭＯＳトランジス
タ１３のバックゲート・ソースが接地電位（Ｖss）ノー
ドに接続されている。
【００２０】そして、例えば前記ＮＭＯＳトランジスタ
１３の近傍には、電圧モニター用パッド１４および外部
電圧印加用パッド１５が形成されており、電圧モニター
用パッド１４は前記ＮＭＯＳトランジスタ１３のドレイ
ンに接続されており、前記外部電圧印加用パッド１５は
モニター信号出力線１２に接続されている。
１３の近傍には、電圧モニター用パッド１４および外部
電圧印加用パッド１５が形成されており、電圧モニター
用パッド１４は前記ＮＭＯＳトランジスタ１３のドレイ
ンに接続されており、前記外部電圧印加用パッド１５は
モニター信号出力線１２に接続されている。
【００２１】図１のＭＯＳ型ＩＣにおいては、モニター
信号出力線１２の電圧によりＮＭＯＳトランジスタ１３
の特性が変化し、ドレイン電流が変化するので、ＩＣ外
部から電圧モニター用パッド１４に直接に測定器（図示
せず）の測定端子を接触させてＮＭＯＳトランジスタ１
３のドレイン電流を測定することにより、被測定信号の
電圧レベルを間接的にモニターすることが可能である。
信号出力線１２の電圧によりＮＭＯＳトランジスタ１３
の特性が変化し、ドレイン電流が変化するので、ＩＣ外
部から電圧モニター用パッド１４に直接に測定器（図示
せず）の測定端子を接触させてＮＭＯＳトランジスタ１
３のドレイン電流を測定することにより、被測定信号の
電圧レベルを間接的にモニターすることが可能である。
【００２２】そこで、被測定信号のモニター時に、電圧
モニター用パッド１４に測定端子を接触させ、まず、被
測定信号電圧により変化するＮＭＯＳトランジスタ１３
のドレイン電流を測定する。この後、外部電圧印加用パ
ッド１５に電圧を印加し、上記ドレイン電流の測定値と
等しいドレイン電流が得られるように印加電圧を設定す
ると、この印加電圧の設定値が前記被測定信号の電圧レ
ベルに相当するので、この印加電圧から被測定信号の電
圧レベルを測定することができる。
モニター用パッド１４に測定端子を接触させ、まず、被
測定信号電圧により変化するＮＭＯＳトランジスタ１３
のドレイン電流を測定する。この後、外部電圧印加用パ
ッド１５に電圧を印加し、上記ドレイン電流の測定値と
等しいドレイン電流が得られるように印加電圧を設定す
ると、この印加電圧の設定値が前記被測定信号の電圧レ
ベルに相当するので、この印加電圧から被測定信号の電
圧レベルを測定することができる。
【００２３】図１のＭＯＳ型ＩＣによれば、従来例の電
圧モニター回路のように被測定信号の電圧レベルを直接
にモニターするのではなく、被測定信号電圧がＮＭＯＳ
トランジスタ１３のゲート絶縁膜を介してドレイン側に
与える影響を測定するものであり、被測定信号とＩＣ外
部とを完全に分離した状態で測定することができる。
圧モニター回路のように被測定信号の電圧レベルを直接
にモニターするのではなく、被測定信号電圧がＮＭＯＳ
トランジスタ１３のゲート絶縁膜を介してドレイン側に
与える影響を測定するものであり、被測定信号とＩＣ外
部とを完全に分離した状態で測定することができる。
【００２４】つまり、ＩＣ外部とモニター信号出力線１
２との間での電流の流入あるいは流出が生じないので、
流入電流あるいは流出電流による電圧上昇分あるいは電
圧降下分が測定電圧に含まれることはない。
２との間での電流の流入あるいは流出が生じないので、
流入電流あるいは流出電流による電圧上昇分あるいは電
圧降下分が測定電圧に含まれることはない。
【００２５】従って、被測定信号のモニター時における
ＩＣ外部（測定器）から被測定信号に及ぼす影響を排除
して正確な測定を行うことができ、しかも、通常動作時
における周辺ＩＣからの雑音信号が被測定信号に及ぼす
影響を受け難くなる。
ＩＣ外部（測定器）から被測定信号に及ぼす影響を排除
して正確な測定を行うことができ、しかも、通常動作時
における周辺ＩＣからの雑音信号が被測定信号に及ぼす
影響を受け難くなる。
【００２６】図２は、本発明の第２の実施の形態に係る
電圧モニター回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示して
いる。図２のＭＯＳ型ＩＣは、特性が揃った２個のＮＭ
ＯＳトランジスタ（第１のＮＭＯＳトランジスタ１３
１、第２のＮＭＯＳトランジスタ１３２）が使用されて
いる。
電圧モニター回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示して
いる。図２のＭＯＳ型ＩＣは、特性が揃った２個のＮＭ
ＯＳトランジスタ（第１のＮＭＯＳトランジスタ１３
１、第２のＮＭＯＳトランジスタ１３２）が使用されて
いる。
【００２７】上記第１のＮＭＯＳトランジスタ１３１の
ゲートは、ＩＣチップ２０の内部の例えば中央部に形成
された被測定回路ブロック１１のモニター信号出力線１
２に接続され、そのバックゲート・ソースは接地電位ノ
ードに接続され、そのドレインは例えば前記ＮＭＯＳト
ランジスタ１３１の近傍に形成された第１の電圧モニタ
ー用パッド１４１に接続されている。
ゲートは、ＩＣチップ２０の内部の例えば中央部に形成
された被測定回路ブロック１１のモニター信号出力線１
２に接続され、そのバックゲート・ソースは接地電位ノ
ードに接続され、そのドレインは例えば前記ＮＭＯＳト
ランジスタ１３１の近傍に形成された第１の電圧モニタ
ー用パッド１４１に接続されている。
【００２８】また、前記第２のＮＭＯＳトランジスタ１
３２のゲートは、例えば前記ＮＭＯＳトランジスタ１３
２の近傍に形成された外部電圧印加用パッド１５に接続
され、そのバックゲート・ソースは接地電位ノードに接
続され、そのドレインは例えば前記ＮＭＯＳトランジス
タ１３２の近傍に形成された第２の電圧モニター用パッ
ド１４２に接続されている。
３２のゲートは、例えば前記ＮＭＯＳトランジスタ１３
２の近傍に形成された外部電圧印加用パッド１５に接続
され、そのバックゲート・ソースは接地電位ノードに接
続され、そのドレインは例えば前記ＮＭＯＳトランジス
タ１３２の近傍に形成された第２の電圧モニター用パッ
ド１４２に接続されている。
【００２９】図２のＭＯＳ型ＩＣにおいては、被測定信
号のモニター時に、第１の電圧モニター用パッド１４１
に測定器の測定端子を接触させ、まず、被測定信号電圧
により変化する第１のＮＭＯＳトランジスタ１３１のド
レイン電流を測定する。
号のモニター時に、第１の電圧モニター用パッド１４１
に測定器の測定端子を接触させ、まず、被測定信号電圧
により変化する第１のＮＭＯＳトランジスタ１３１のド
レイン電流を測定する。
【００３０】この後、第２の電圧モニター用パッド１４
２に測定器の測定端子を接触させ、外部電圧印加用パッ
ド１５に電圧を印加し、前記ドレイン電流の測定値と等
しいドレイン電流が得られるように印加電圧を設定する
と、この印加電圧の設定値が前記被測定信号の電圧レベ
ルに相当するので、この印加電圧から被測定信号の電圧
レベルを測定することができる。
２に測定器の測定端子を接触させ、外部電圧印加用パッ
ド１５に電圧を印加し、前記ドレイン電流の測定値と等
しいドレイン電流が得られるように印加電圧を設定する
と、この印加電圧の設定値が前記被測定信号の電圧レベ
ルに相当するので、この印加電圧から被測定信号の電圧
レベルを測定することができる。
【００３１】従って、図２のＭＯＳ型ＩＣによれば、図
１のＭＯＳ型ＩＣと同様の作用、効果が得られる。ま
た、ＮＭＯＳトランジスタおよびパッドの使用数が増え
るが、それによるチップ面積の増加やコストアップは殆
んど問題にならない。
１のＭＯＳ型ＩＣと同様の作用、効果が得られる。ま
た、ＮＭＯＳトランジスタおよびパッドの使用数が増え
るが、それによるチップ面積の増加やコストアップは殆
んど問題にならない。
【００３２】なお、第１の電圧モニター用パッド１４１
に第１の測定器の測定端子を接触させ、第２の電圧モニ
ター用パッド１４２に第２の測定器の測定端子を接触さ
せ、２個のＮＭＯＳトランジスタ１３１、１３２のドレ
イン電流を並行して測定するようにしてもよい。
に第１の測定器の測定端子を接触させ、第２の電圧モニ
ター用パッド１４２に第２の測定器の測定端子を接触さ
せ、２個のＮＭＯＳトランジスタ１３１、１３２のドレ
イン電流を並行して測定するようにしてもよい。
【００３３】図３は、本発明の第３の実施の形態に係る
電圧モニター回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示して
いる。図３のＭＯＳ型ＩＣは、図２のＭＯＳ型ＩＣと比
べて、ＩＣチップ２０の周辺部に第１の電圧モニター用
のパッド１４１、第２の電圧モニター用のパッド１４
２、外部電圧印加用のパッド１５が形成されており、Ｉ
Ｃチップ２０の内部に形成された被測定回路ブロック１
１の付近に形成されている第１のＮＭＯＳトランジスタ
１３１のドレイン、第２のＮＭＯＳトランジスタ１３２
のドレインおよびゲートが各対応して上記各パッド１４
１、１４２、１５まで引出線３１、３２、３３により引
き出されている。さらに、第１のＮＭＯＳトランジスタ
１３１のドレイン、第２のＮＭＯＳトランジスタ１３２
のドレインおよびゲートの付近で各引出線３１、３２、
３３に直列にスイッチ回路３４、３５、３６が挿入され
ている点が異なる。
電圧モニター回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示して
いる。図３のＭＯＳ型ＩＣは、図２のＭＯＳ型ＩＣと比
べて、ＩＣチップ２０の周辺部に第１の電圧モニター用
のパッド１４１、第２の電圧モニター用のパッド１４
２、外部電圧印加用のパッド１５が形成されており、Ｉ
Ｃチップ２０の内部に形成された被測定回路ブロック１
１の付近に形成されている第１のＮＭＯＳトランジスタ
１３１のドレイン、第２のＮＭＯＳトランジスタ１３２
のドレインおよびゲートが各対応して上記各パッド１４
１、１４２、１５まで引出線３１、３２、３３により引
き出されている。さらに、第１のＮＭＯＳトランジスタ
１３１のドレイン、第２のＮＭＯＳトランジスタ１３２
のドレインおよびゲートの付近で各引出線３１、３２、
３３に直列にスイッチ回路３４、３５、３６が挿入され
ている点が異なる。
【００３４】なお、上記各パッド１４１、１４２、１５
は、電圧モニター専用あるいは外部電圧印加専用のパッ
ドに限らず、他の機能（例えば入出力）を兼用する兼用
パッドであってもよい。
は、電圧モニター専用あるいは外部電圧印加専用のパッ
ドに限らず、他の機能（例えば入出力）を兼用する兼用
パッドであってもよい。
【００３５】図３のＭＯＳ型ＩＣによれば、図２のＭＯ
Ｓ型ＩＣと同様に、被測定信号とＩＣ外部とを完全に分
離した状態で測定することができるので、各パッドにＩ
Ｃ外部から雑音信号が乗っても被測定信号に影響が及ぶ
ことはない。
Ｓ型ＩＣと同様に、被測定信号とＩＣ外部とを完全に分
離した状態で測定することができるので、各パッドにＩ
Ｃ外部から雑音信号が乗っても被測定信号に影響が及ぶ
ことはない。
【００３６】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、被測定
信号のモニター時におけるＩＣ外部の要因による影響を
排除して正確な測定を行うことができ、通常動作時にお
ける周辺ＩＣからの雑音信号の影響を受け難い電圧モニ
ター回路を提供することができる。
信号のモニター時におけるＩＣ外部の要因による影響を
排除して正確な測定を行うことができ、通常動作時にお
ける周辺ＩＣからの雑音信号の影響を受け難い電圧モニ
ター回路を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電圧モニター
回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る電圧モニター
回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る電圧モニター
回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
回路を有するＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
【図４】従来のＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
【図５】別の従来のＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回路図。
【図６】さらに別の従来のＭＯＳ型ＩＣの一部を示す回
路図。
路図。
１０、２０…ＩＣチップ、 １１…被測定回路ブロック、 １２…モニター信号出力線、 １３、１３１、１３２…ＮＭＯＳトランジスタ、 １４、１４、１４２…電圧モニター用パッド、 １５…外部電圧印加用パッド、 ３１、３２、３３…引出線、 ３４、３５、３６…スイッチ回路。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＩＣチップの内部に形成された被測定回
路ブロックのモニター信号出力線にゲートが接続され、
ソースが接地電位ノードに接続されたＮＭＯＳトランジ
スタと、 前記ＩＣチップに形成され、前記ＮＭＯＳトランジスタ
のドレインに接続された電圧モニター用パッドと、 前記ＩＣチップに形成され、前記モニター信号出力線に
接続された外部電圧印加用パッドとを具備することを特
徴とする電圧モニター回路。 - 【請求項２】 ＩＣチップの内部に形成された被測定回
路ブロックのモニター信号出力線にゲートが接続され、
ソースが接地電位ノードに接続された第１のＮＭＯＳト
ランジスタと、 前記ＩＣチップの周辺部に形成され、前記第１のＮＭＯ
Ｓトランジスタのドレインに接続された第１の電圧モニ
ター用パッドと、 ソースが前記接地電位ノードに接続され、第１のＮＭＯ
Ｓトランジスタと揃った特性を有する第２のＮＭＯＳト
ランジスタと、 前記ＩＣチップの周辺部に形成され、前記第２のＮＭＯ
Ｓトランジスタのドレインに接続された第２の電圧モニ
ター用パッドと、 前記ＩＣチップの周辺部に形成され、前記第２のＮＭＯ
Ｓトランジスタのゲートに接続された外部電圧印加用パ
ッドとを具備することを特徴とする電圧モニター回路。 - 【請求項３】 ＩＣチップの内部に形成された被測定回
路ブロックのモニター信号出力線にゲートが接続され、
ソースが接地電位ノードに接続された第１のＮＭＯＳト
ランジスタと、 ＩＣチップの周辺部に形成された第１の電圧モニター用
パッドと、 前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインから前記第
１の電圧モニター用パッドまで引き出された第１の引出
線と、 前記被測定回路ブロックの付近に形成され、ソースが前
記接地電位ノードに接続され、前記第１のＮＭＯＳトラ
ンジスタと揃った特性を有する第２のＮＭＯＳトランジ
スタと、 ＩＣチップの周辺部に形成された第２の電圧モニター用
パッドと、 前記第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインから前記第
２の電圧モニター用パッドまで引き出された第２の引出
線と、 ＩＣチップの周辺部に形成された外部電圧印加用パッド
と、 前記第２のＮＭＯＳトランジスタのゲートから前記外部
電圧印加用パッドまで引き出された第３の引出線とを具
備することを特徴とする電圧モニター回路。 - 【請求項４】 前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレ
イン、第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインおよびゲ
ートの付近で各対応する引出線に直列に挿入されたスイ
ッチ回路をさらに具備することを特徴とする請求項３記
載の電圧モニター回路。 - 【請求項５】 前記各電圧モニター用パッドは、電圧モ
ニター専用パッドあるいは入出力兼用パッドであること
を特徴とする請求項４記載の電圧モニター回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8143100A JPH09326473A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 電圧モニター回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8143100A JPH09326473A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 電圧モニター回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326473A true JPH09326473A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15330916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8143100A Withdrawn JPH09326473A (ja) | 1996-06-05 | 1996-06-05 | 電圧モニター回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09326473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012068174A (ja) * | 2010-09-25 | 2012-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 素子評価用半導体集積回路 |
-
1996
- 1996-06-05 JP JP8143100A patent/JPH09326473A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012068174A (ja) * | 2010-09-25 | 2012-04-05 | Toppan Printing Co Ltd | 素子評価用半導体集積回路 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |