JPH09326298A - ドライエッチング方法及びｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

ドライエッチング方法及びｅｌ素子の製造方法

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JPH09326298A
JPH09326298A JP8305079A JP30507996A JPH09326298A JP H09326298 A JPH09326298 A JP H09326298A JP 8305079 A JP8305079 A JP 8305079A JP 30507996 A JP30507996 A JP 30507996A JP H09326298 A JPH09326298 A JP H09326298A
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gas
etching
light emitting
etched
emitting layer
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JP8305079A
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Hajime Ishihara
元 石原
Kazuhiro Inokuchi
和宏 井ノ口
Tamotsu Hattori
有 服部
Nobue Ito
信衛 伊藤
Tadashi Hattori
服部　　正
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Denso Corp
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Denso Corp
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    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＺｎＳのようにＺｎを含む被エッチング部材
を、大きなエッチングレートで容易にエッチングできる
ようにする。 【解決手段】 ＺｎＳを母体材料とする２つの発光層を
積層形成してなるＥＬ素子の製造方法において、第１発
光層４を形成した後、第２発光層を形成するための層１
５を形成し、その上にポジ型のレジストをパターニング
形成する（図５（ａ））。この後、ＣＨ4 （メタン）ガ
スとＡｒ（アルゴン）ガスの混合ガスを用い、ＣＨ4 ガ
スによる化学的エッチングとＡｒガスによる物理的エッ
チングにて第２発光層を形成するための層１５をエッチ
ングし、図５（ｂ）に示すように、パターニングされた
第２発光層５を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンス）素子の発光層に用いられるＺｎＳ（硫
化亜鉛）や透明電極として用いられるＺｎＯ（酸化亜
鉛）等のＺｎ（亜鉛）を含む材料のドライエッチング方
法およびそれを用いたＥＬ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、化学的なドライエッチングでは、エッチングガスを
被エッチング材料と反応させ、被エッチング材料よりも
沸点が低く、飽和蒸気圧の高い材料に変化させてエッチ
ングを行っている。ここで、ＥＬ素子の発光層に用いら
れるＺｎＳのように、被エッチング部材としてＺｎを含
むものとした場合には、通常、化学的エッチングにおい
て使用されるエッチングガスを用いると、生成される反
応生成物の沸点が高く、エッチングを容易に行うことが
できないという問題がある。例えば、エッチングガスと
してＣｌ2 を使用した場合は、反応生成物として塩化亜
鉛（ＺｎＣｌ2 ）が生成されるが、この沸点は７３２℃
である。
【０００３】本発明は上記問題に鑑みたもので、Ｚｎを
含む被エッチング部材を、容易にエッチングできるよう
にすることを目的とする。また、その場合のエッチング
レートを大きくすることを他の目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、反応生成
物としてＺｎＳよりも沸点の低い亜鉛化合物を調査した
結果、亜鉛の有機化合物の沸点が低いことが分かり、エ
ッチングガスとして炭化水素ガスの中でも最も分子量の
小さいＣＨ4 （メタン）ガスを用いることを考えた。
【０００５】このＣＨ4 ガスを用いた場合には、ジメチ
ル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 ）が生成されるが、その沸点
は４６℃である。従って、Ｚｎを含む被エッチング部材
のエッチングを容易に行うことができる。しかしなが
ら、ＣＨ4 ガスのみを用いてＺｎＳをエッチングした場
合、エッチングが進行しないという問題があることが判
明した。
【０００６】そこで、エッチング途中のＺｎＳ表面をＡ
ＥＳ（オージェ電子分光法）分析したところ、ＺｎＳ表
面にＣ（炭素）が検出され、エッチングが進行しない原
因が炭素化合物の生成にあるものと考えられる。従っ
て、ＣＨ4 ガスを用いた化学的エッチングにおいて、炭
素化合物を生成させないようにすれば、エッチングを進
行させることができる。
【０００７】ドライエッチングには、上記した化学的エ
ッチング以外にＡｒ（アルゴン）ガス等の不活性ガスに
よる物理的エッチングがある。この物理的エッチングで
は、Ａｒガス等を被エッチング材料に直接たたきつけて
エッチングする。本発明者等は、ＣＨ4 ガスによる化学
的エッチングとＡｒガスによる物理的エッチングとを組
み合わせ、Ａｒガスによる物理的エッチングにて被エッ
チング材料の表面を常にリフレッシュ状態にし、炭素化
合物を生成させないようにして、化学的エッチングを進
行させることを考えた。
【０００８】そこで、被エッチング部材の上にレジスト
（例えば、シプレイのＳ１４００−１７）をパターニン
グ形成し、ＣＨ4 ガスとＡｒガスの混合ガスに対するＣ
Ｈ4ガスの比率を変化させて、エッチングレートがどの
ように変化するかを検討した。その結果を図７に示す。
なお、被エッチング部材としてはＺｎＳを用いた。ＣＨ
4 ガスの比率を０．５％未満とした場合には、Ａｒガス
による物理的エッチングの影響が大きく、エッチングレ
ートが大きく低下し、また、レジストもエッチングされ
てしまう。一方、ＣＨ4 ガスの比率を５％より大きくし
た場合には、炭素化合物の生成により、エッチングが進
行しない。特に、ＣＨ4 ガスの比率が５．５％以上の場
合には、全然エッチングされない。
【０００９】従って、ＣＨ4 ガスの比率を０．５％以上
５％以下とすれば、エッチングレートを大きくすること
ができ、特に０．５％以上２％以下とすれば、１０ｎｍ
／ｍｉｎ以上のエッチングレートを得ることができる。
なお、図７に示すものは、ドライエッチング装置とし
て、ＲＩＥ（リアクティブ イオン エッチング）装置
を用い、ガス圧力を５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを０．
６２５Ｗ／ｃｍ2 の条件のもとで実験を行っている。な
お、その条件を変えても、ＣＨ4 ガスの比率に対するエ
ッチングレートは実質的に変化しない。
【００１０】また、ＣＨ4 ガスの比率を約１％とし、ガ
ス圧力を５０ｍＴｏｒｒとして、ＲＦパワーに対するＺ
ｎＳとレジストのエッチングレート差について検討を行
った。その結果を図８に示す。ＲＦパワーが０．６５Ｗ
／ｃｍ2 より低い場合には、レジストが全然エッチング
されないが、ＲＦパワーを０．６５Ｗ／ｃｍ2 以上にす
ると、レジストのエッチングが進行し始め、エッチング
レート差が急激に小さくなる。０．８Ｗ／ｃｍ 2 にする
と、ほぼ同じエッチングレートとなる。
【００１１】ＺｎＳを選択的にエッチングするために
は、エッチングレートの差を０より大きくする必要があ
り、従って、ＲＦパワーは０．８Ｗ／ｃｍ2 未満とする
必要がある。また、ＺｎＳの選択的エッチングを可能に
するというためには、ＲＦパワーを０．８Ｗ／ｃｍ2 未
満とすればよいが、ある程度のエッチングレートを確保
するためには、ＲＦパワーを０．２５Ｗ／ｃｍ2 以上と
するのが好ましい。
【００１２】また、ＣＨ4 ガスの比率を約１％とし、Ｒ
Ｆパワーを０．６２５Ｗ／ｃｍ2 として、ガス圧力に対
するＺｎＳとレジストのエッチングレート差について検
討を行った。その結果を図９に示す。ガス圧力を５０ｍ
Ｔｏｒｒより大きくするとレジストのエッチングが起こ
らないが、５０ｍＴｏｒｒ以下にするとレジストのエッ
チングが進行し始める。この場合、ガス圧力を３０ｍＴ
ｏｒｒより大きくすると、エッチングレートの差が０よ
り大きくなり、ＺｎＳの選択的なエッチングを行うこと
ができる。また、この場合も、ある程度のエッチングレ
ートを確保するためには、ガス圧力を１００ｍＴｏｒｒ
以下とするのが好ましい。
【００１３】なお、ＣＨ4 ガスの比率によって、図８、
図９に示すエッチングレート差の変化パターンが変化す
るが、ＣＨ4 ガスの比率を０．５％以上２％以下とすれ
ば、上記した結果を実質的に満足することができる。ま
た、ＺｎＳ以外に、ＺｎＯ等の他のＺｎを含む被エッチ
ング部材にも上記と同様の結果を得ることができる。ま
た、被エッチング部材の下地部材、例えば、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 等に対し、ダ
メージを生じさせることなくエッチングを行うことがで
きる。なお、Ａｒガスによる物理的エッチングのみとし
た場合には、レジストにダメージが生じるが、上記した
エッチングではレジストにダメージが生じない。
【００１４】本発明者等は、上記した検討をさらに進
め、ＣＨ4 ガスの比率を５％とし、ガス圧力を５０ｍＴ
ｏｒｒ、ＲＦパワーを０．６２５Ｗ／ｃｍ2 の条件のも
とでエッチングし、そのエッチング途中のＺｎＳ表面の
ＸＰＳ（Ｘ線電子分光法）分析を行った。その結果を図
１０に示す。この図からエッチング前には、Ｓ（硫黄）
とＺｎの比が１．００であったものが、エッチング後は
ＳがＺｎより多く残っていることが分かる。すなわち、
ＺｎＳとＣＨ4 の反応によりＺｎ（ＣＨ3 ）2 が生成し
エッチングは進行しているものの、他の反応生成物であ
るＨ2 Ｓ（硫化水素）の反応は進行していない。従っ
て、Ｈ2 Ｓの生成を促進し、炭素化合物の生成を抑制す
れば、エッチングレートをさらに向上できるものと考え
られる。
【００１５】そこで、本発明者等は、ＣＨ4 ガスとＡｒ
ガスに、さらにＨ2 （水素）ガスを混合させることを試
みた。図１１に、ＣＨ4 流量を２ｓｃｃｍ、Ａｒの流量
を２００ｓｃｃｍとした一定条件で、Ｈ2 流量を変化さ
せた場合のエッチングレートの変化を示す。この図から
Ｈ2 流量を増加させるに従って、エッチングレートが大
きくなり、３０ｎｍ／ｍｉｎ以上のエッチングレートを
得ることができた。
【００１６】これは、Ｈ2 ガスを流すことによって、そ
の解離水素（Ｈラジカル）がＺｎＳと反応してＨ2 Ｓの
生成を促進し、またＣＨ4 が解離したＣＨ3 ラジカルと
上記した解離水素とが反応してＣＨ4 を生成するため、
余剰のＣＨ3 ラジカル同士の反応による炭素化合物の生
成を抑制しているからと考えられる。また、解離水素と
炭素化合物が反応しＣＨ4 を生成して炭素化合物を減ら
す、すなわち解離水素によって炭素化合物をエッチング
していることも、炭素化合物の生成抑制に寄与している
ものと考えられる。
【００１７】なお、図１１において、Ｈ2 流量を２０ｓ
ｃｃｍ（全ガスに対し約９％の比率）以上とした場合、
エッチングレートが飽和している。これは、解離水素の
量がＨ2 流量に比例していないためであり、Ｈ2 流量を
解離水素の量が飽和する値（図１１では約９％）以上と
すれば、所定値以上の大きなエッチングレートを得るこ
とができる。
【００１８】上記したＨ2 ガスの混合による効果は、Ｃ
Ｈ4 ガスの比率、ガス圧力、ＲＦパワーを変えた場合に
も得ることができる。但し、Ｈ2 流量を一定としＣＨ4
ガスの比率を高くすると炭素化合物の生成を十分に抑制
することができないため、エッチングレートは低下す
る。本発明は上記した種々の検討を基になされたもの
で、請求項１に記載の発明においては、亜鉛を含む被エ
ッチング部材の上にレジストをパターニング形成し、こ
の後、ＣＨ4 ガスと不活性ガスの混合ガスであって、Ｃ
Ｈ4 ガスと不活性ガスの合計に対するＣＨ4 ガスの比率
が０．５％以上５％以下となるドライエッチングガスを
用いて被エッチング部材をエッチングすることを特徴と
している。
【００１９】このことにより、亜鉛の有機化合物の沸点
を低くしてエッチングを容易に行うことができ、その場
合に、被エッチング部材を所望のエッチングレートでエ
ッチングすることができる。特に、請求項２に記載の発
明のように、ＣＨ4 ガスの比率を０．５％以上２％以下
とした場合には、大きなエッチングレートを得ることが
できる。
【００２０】また、請求項３に記載の発明においては、
エッチング時の高周波電力を、１ｃｍ2 当たり０．２５
Ｗ以上０．８Ｗ未満としているから、レジストとのエッ
チングレート差を所望の値として、被エッチング部材を
レジストに対し選択的にエッチングすることができる。
また、請求項４に記載の発明においては、エッチングガ
スの圧力を、３０ｍＴｏｒｒより大きく１００ｍＴｏｒ
ｒ以下としているから、レジストとのエッチングレート
差を所望の値として、被エッチング部材をレジストに対
し選択的にエッチングすることができる。
【００２１】請求項５に記載の発明においては、亜鉛を
含む被エッチング部材をドライエッチングする場合に、
エッチングガスとして、ＣＨ4 ガスと不活性ガスからな
る混合ガスを用い、ＣＨ4 ガスによる化学的エッチング
と不活性ガスによる物理的エッチングにて被エッチング
部材をエッチングすることを特徴としている。この場
合、不活性ガスによる物理的エッチングにて被エッチン
グ部材の表面を常にリフレッシュ状態にし、炭素化合物
を生成させないようにして、化学的エッチングを進行さ
せることができ、これによりエッチングレートを大きく
することができる。
【００２２】なお、混合ガスとしては、請求項６に記載
の発明のように、ＣＨ4 ガスと不活性ガスのみからなる
ものとすることができる。また、不活性ガスとしては、
請求項７に記載の発明のように、アルゴンガスとするこ
とができる。請求項８に記載の発明においては、亜鉛を
含む被エッチング部材をドライエッチングする場合に、
メタンガスと不活性ガスと水素ガスのみからなるエッチ
ングガスを用いて被エッチング部材をエッチングするこ
とを特徴としている。
【００２３】メタンガスと不活性ガスに水素ガスを加え
ることによって、エッチングレートを一層高めることが
できる。また、請求項９に記載の発明のように、ドライ
エッチング装置内にメタンガスと不活性ガスと水素ガス
からなるエッチングガスを導入し、水素ガスの流量を解
離水素の量が飽和する値以上として、エッチングを行う
ようにすれば、非常に高いエッチングレートでエッチン
グを行うことができる。
【００２４】なお、被エッチング部材としては、請求項
１０に記載の発明のように、ＺｎＳ又はＺｎＯを主成分
とする部材により構成したものとすることができる。請
求項１１に記載の発明においては、ＥＬ素子を製造する
場合において、上記したエッチングガスを用いて発光層
をエッチングし、パターニングを行うようにしたことを
特徴としている。
【００２５】この場合、請求項１２に記載の発明のよう
に、第１発光層と第２発光層を積層し、第２発光層を上
記エッチングガスを用いてエッチングする場合には、下
地となる第１発光層にダメージを与えることなく、第２
発光層をパターニングすることができる。請求項１３に
記載の発明においては、第２電極がＺｎＯを主成分とす
る材料により形成されているＥＬ素子の製造方法におい
て、上記したエッチングガスを用いて第２電極をエッチ
ングし、パターニングを行うようにしたことを特徴とし
ている。
【００２６】このことにより、発光層が水に弱く第２電
極をウェットエッチングできない場合であっても、ドラ
イエッチングにより第２電極を適正にパターニングする
ことができる。上記した水に弱い発光層としては、請求
項１４に記載の発明のように、アルカリ土類金属の硫化
物を主成分とする材料により構成された発光層がある。
【００２７】なお、上記した、被エッチング材料にＺｎ
を含む場合のドライエッチングの類似の技術として、特
開平５−２３４９５８公報に記載されたものがある。こ
のものでは、Ｃ2 Ｈ6 （エタン）とＨ2 （水素）の混合
ガスをエッチングガスに用いている。この場合、半導体
レーザの共振器ミラーや導波路のストライプ構造の加工
のためにエッチングを行っており、Ｃ2 Ｈ6 を用いる
と、その分子量が大きいため、エッチングが遅くなり、
加工性が向上するとしている。
【００２８】従って、ＥＬ素子に用いられるＺｎＳのエ
ッチングのように、大きなエッチングレートを必要とす
る場合には、上記公報に示されるエッチングガスを用い
ることはできない。なお、上記公報の従来技術の欄に、
ＣＨ4 とＨ2 の混合ガスを用いるものが記載されている
が、Ｈ2 では、本発明のような物理的エッチングを行う
ことができないため、十分なエッチングレートを得るこ
とができない。実際、本発明者等は、ＺｎＳを母材とし
ＴｂＯＦを発光中心としたＺｎＳ：ＴｂＯＦ発光層に対
し、ＣＨ4 とＨ2 の混合ガスのみでエッチングを行う実
験を行い、エッチングを行う前とエッチング後のＸＰＳ
分析により検討を行った。
【００２９】図１２（ａ）にエッチングを行う前、図１
２（ｂ）にエッチング後の分析結果を示す。この図か
ら、エッチング後には発光層表面にＺｎ、Ｓはほとんど
見られず、Ｔｂ、Ｆが大部分を占めていることが分か
る。すなわち、エッチングガスとしてＣＨ4 ガスを用い
ると、ＺｎＳはエッチングできるが、ＴｂＯＦはエッチ
ングすることはできない。従って、本発明のようにエッ
チングガスに混合するＡｒガスは、物理的エッチングと
して作用しているため、炭素化合物の除去だけでなく、
ＥＬ素子の発光層の発光中心（ＴｂＯＦ）の除去効果も
あることが分かる。
【００３０】また、他の類似技術として、ＪＡＰＡＮ
ＤＩＳＰＬＡＹ' ８９の２２９頁には、ＺｎＳのエッチ
ングに、ＣＨ3 ＯＨ（メタノール）とＡｒとの混合ガス
を使用したものが記載されているが、ＣＨ3 ＯＨは常温
で気体でないために、使用する際にはバブリング等を行
って導入しなければならず、量比のコントロールやコス
ト的に不利となり、エッチングを容易に行うことができ
ない。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施形態
に基づいて説明する。 （第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態に係る
ＥＬ素子の縦断面を示した模式図、図２はその平面図で
ある。
【００３２】ＥＬ素子１００は、絶縁性基板であるガラ
ス基板１上に順次、以下の薄膜が積層形成されている。
ガラス基板１上には、Ｔａ（タンタル）の金属反射膜か
らなる厚さ２０００Åの第１電極２が形成されている。
この第１電極２は、図２に示すように、ｘ軸方向に伸び
たストライプがｙ軸方向に沿って多数本設けられて構成
されている。
【００３３】第１電極２の形成されたガラス基板１上に
は、第１絶縁層３が一様に形成されている。この第１絶
縁層３は、光学的に透明なＳｉＯx Ｎy （酸窒化珪素）
からなる厚さ５００〜１０００Åの第１絶縁下層３１
と、Ｔａ2 Ｏ5 （酸化タンタル）とＡｌ2 Ｏ3 （酸化ア
ルミニウム）の複合膜Ｔａ2 Ｏ5 ：Ａｌ2 Ｏ3 からなる
厚さ２０００〜３０００Åの第１絶縁上層３２との２層
で形成されている。
【００３４】第１絶縁上層３２の上には、厚さ５０００
Åの第１発光層４、厚さ２０００Åの第２発光層５が形
成されている。第２発光層５は、図２に示すように、ｙ
軸方向に伸びたストライプがｘ軸方向に沿って所定間隔
毎に多数本設けられて構成されている。第１発光層４
は、ＴｂＯＦ（酸化フッ化テルビウム）が添加されたＺ
ｎＳで厚さ５０００Å形成されている。この第１発光層
４の上には、パターニングされた第２発光層５が２００
０Å形成されている。第２発光層５はＭｎが添加された
ＺｎＳで形成されている。
【００３５】第１発光層４と第２発光層５の上には、第
２絶縁層６が一様に形成されている。この第２絶縁層６
は、光学的に透明なＳｉ3 Ｎ4 （窒化珪素）からなる厚
さ１０００Åの第２絶縁下層６１、Ｔａ2 Ｏ5 ：Ａｌ2
Ｏ3 の複合膜からなる厚さ２０００Åの第２絶縁中層６
２、ＳｉＯx Ｎy からなる厚さ１０００Åの第２絶縁上
層６３との３層で形成されている。
【００３６】そして、第２絶縁上層６３の上には、光学
的に透明なＺｎＯとＧａ2 Ｏ3 （酸化ガリウム）からな
る厚さ４５００Åの第２電極７が形成されている。図２
に示すように、第２電極７は、ｙ軸方向に伸びたストラ
イプがｘ軸方向に沿って多数本設けられて構成されてい
る。第２電極７の上には、下部に第２発光層５が存在す
る領域に、厚さ１．０〜２．０μｍの樹脂からなる赤色
フィルタ８が形成されている。この赤色フィルタ８は、
図２に示す第２電極７の上部にそれに平行に対応する第
２電極を覆う形でその面積を大きくして形成されたｙ軸
に沿ったストライプであり、第１発光層４と第２発光層
５とが重なった部分から発光した光を透過する。
【００３７】次に、上述のＥＬ素子１００の製造方法を
以下に述べる。図３、図４はその製造方法を示した平面
図である。ガラス基板１上にＴａ金属を一様にＤＣスパ
ッタリングした後、図３（ａ）に示すように、ストライ
プ形状にエッチングして金属反射膜の第１電極２を形成
する。
【００３８】次に、ＳｉＯx Ｎy からなる第１絶縁下層
３１、６wt％のＡｌ2 Ｏ3 を含むＴａ2 Ｏ5 からなる第
１絶縁上層３２をスパッタ法により形成する。具体的に
は、ガラス基板１の温度を３００℃に保持し、スパッタ
装置内にＡｒとＮ2 （窒素）と少量のＯ2 （酸素）の混
合ガスを導入し、ガス圧を０．５Ｐａに保持し、３ＫＷ
の高周波電力でシリコンをターゲットとしてＳｉＯx Ｎ
y 膜を成膜し、次いで、Ｔａ2 Ｏ5 ：Ａｌ2 Ｏ3 複合膜
をＡｒとＯ2 をスパッタガスとしてガス圧０．６Ｐａに
保持し、Ｔａ2 Ｏ5 に６wt％のＡｌ2 Ｏ3 を含ませた混
合焼結ターゲットを用いて４ＫＷの高周波電力の条件で
成膜する。
【００３９】次に、図３（ｂ）に示すように、第１絶縁
上層３２上に、ＺｎＳを母体材料とし、発光中心として
ＴｂＯＦを添加したＺｎＳ：ＴｂＯＦからなる第１発光
層４を一様に形成する。具体的には、ガラス基板１の温
度を２５０℃に保持し、Ａｒ及びＨｅ（ヘリウム）をス
パッタガスとして、ガス圧３．０Ｐａ、２．２ＫＷの高
周波電力の条件でスパッタ成膜する。
【００４０】次に、第１発光層４上に、ＺｎＳを母体材
料とし、発光中心としてＭｎを添加したＺｎＳ：Ｍｎか
らなる層を一様に蒸着法により形成する。具体的にはガ
ラス基板１の温度を一定に保持し、蒸着装置内を５×１
０-4Ｐａ以下に維持し、堆積速度０．１〜０．３ｎｍ／
ｓｅｃの条件で電子ビーム蒸着を行う。次に、このＺｎ
Ｓ：Ｍｎからなる層をドライエッチングして、図３
（ｃ）に示す第２発光層５を形成する。この第２発光層
５の形成方法を、図５に示す断面構造を用いて説明す
る。
【００４１】まず、上記したＺｎＳ：Ｍｎからなる層１
５の上にポジ型のレジスト１６を成膜し、それを露光、
現像して、レジスト１６をパターニングし、図５（ａ）
に示す構造を得る。この状態でドライエッチングを行
う。具体的には、ガラス基板１の温度を７０℃に保持
し、ＲＩＥ装置内にＣＨ4 ガスとＡｒガスの混合ガスを
導入し、圧力を７Ｐａに保持し、０．６２５Ｗ／ｃｍ2
の高周波電力でドライエッチングする。この後、レジス
ト１６を除去し、図５（ｂ）に示す形状の、第２発光層
５を得る。
【００４２】なお、本実施形態では、ＣＨ4 とＡｒの合
計に対するＣＨ4 の比率を、ＡｒとＣＨ4 の流量比で決
定しており、Ａｒの流量を２００ｓｃｃｍ、ＣＨ4 の流
量を２ｓｃｃｍとして、ＣＨ4 ガスの比率を約１％とし
ている。ここで、エッチングガスとしてＣＨ4 ガスとＡ
ｒガスの混合ガスを用いることにより、ＺｎＳ：Ｍｎか
らなる層１５の表面を沸点の低いＺｎ（ＣＨ3 ）2 （ジ
メチルジンク）に変化させ気化させるとともに、Ａｒガ
スにより物理的エッチングを行う。従って、常にリフレ
ッシュされた表面がＣＨ4 ガスによる化学的エッチング
を進行させるため、従来にないエッチングレートを確保
し、第１発光層４にダメージを与えることなくエッチン
グを行うことができる。
【００４３】このエッチングを行った後、真空中４００
〜６００℃で発光層４、５の熱処理を行う。次に、図４
（ａ）に示すように、第１発光層４と第２発光層５の上
に、Ｓｉ3Ｎ4 からなる第２絶縁下層６１、６wt％のＡ
ｌ2 Ｏ3 を含むＴａ2 Ｏ5 からなる第２絶縁中層６２、
ＳｉＯx Ｎy からなる第２絶縁上層６３を、それぞれ、
第１絶縁層３の形成と同様に形成する。但し、Ｓｉ3 Ｎ
4 膜はＳｉＯx Ｎy 膜と異なりスパッタガスとしてＯ2
は導入せずに成膜する。
【００４４】次に、第２絶縁上層６３上に、ＺｎＯ：Ｇ
ａ2 Ｏ3 からなる層を一様に形成する。蒸着材料とし
て、ＺｎＯ粉末にＧａ2 Ｏ3 を加えて混合し、ペレット
状に形成したものを用い、成膜装置としてはイオンプレ
ーティング装置を用いる。具体的にはガラス基板１の温
度を一定に保持したままイオンプレーティング装置内を
真空に排気した後、Ａｒガスを導入して圧力を一定に保
ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉｎの範囲となるよう
なビーム電力及び高周波電力を調整し成膜する。この膜
をウェットエッチングして、図４（ｂ）に示すパターン
の第２電極７を得る。
【００４５】次に、下部に第２発光層５が存在する領域
の第２電極７の上に有機顔料分散型の赤色フィルタ８を
形成する。具体的には、赤色有機顔料を含むフォトレジ
ストを所定分量だけ第２電極７の上に滴下し、スピンナ
ーにより数秒間レジストコートを行う。その後、第２発
光層５よりも幅の広いレジストパターンを用いて露光、
現像した後、ポストベークし、図４（ｃ）に示すように
赤色フィルタ８を形成する。
【００４６】この実施形態においては、第１発光層４は
緑色を発光し、第２発光層５は黄橙色を発光する。第１
発光層４と第２発光層５との積層部からの光が赤色フィ
ルタ８を透過し、赤色フィルタ８により色純度の高い赤
色発光が得られる。なお、第１電極２、第２電極７、第
１絶縁層３、第２絶縁層６としては上記した材料を用い
るものに限らず、他の材料を用いてもよい。例えば、第
１電極２として、光学的に透明なＩＴＯ(Indium Tin Ox
ide:酸化インジウム、錫) 膜を用いれば、ＥＬ素子１０
０の両面から光取り出しを行うようにすることができ
る。
【００４７】第１発光層４の母体材料ＺｎＳに含ませる
添加剤はＭｎの他、ＭｎＦ2 、ＭｎＣｌ2 を用いること
ができる。又、第２発光層５の母体材料ＺｎＳに含ませ
る添加剤はＴｂの他、ＴｂＯＦ、ＴｂＦ3 、ＴｂＣｌ3
を用いることができる。さらに、第１、第２発光層を積
層する場合、下層となる第１発光層をパターニングし、
第２発光層を第１発光層の全面に形成するような構成と
してもよい。この場合、第１発光層のパターニングに、
上記したＣＨ4 ガスとＡｒガスの混合ガスによるドライ
エッチングを用いることができる。
【００４８】なお、ＺｎＳ：Ｍｎからなる層１５のドラ
イエッチングは、ＣＨ4 ガスとＡｒガスとＨ2 ガスの混
合ガスを用いて行うこともできる。具体的には、ガラス
基板１の温度を７０℃に保持し、ＲＩＥ装置内にＣＨ4
ガスとＡｒガスとＨ2 ガスの混合ガスを導入し、圧力を
７Ｐａに保持し、０．６２５Ｗ／ｃｍ2 の高周波電力で
ドライエッチングする。この場合、ＣＨ4 ガスとＡｒガ
スとＨ2 ガスは、それぞれ２ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃ
ｍ、２０ｓｃｃｍとし、全ガス流量に対するＨ2ガスの
比率を約９％とする。このような条件とすることにより
約３０ｎｍ／ｍｉｎのエッチングレートでエッチングを
行うことができる。
【００４９】ＣＨ4 ガスの流量を多くした場合、所望の
エッチングレートを得るためには、混合するＨ2 ガスの
比率を高くする必要がある。例えば、ＣＨ4 ガスの流量
を４ｓｃｃｍとした場合は、Ｈ2 ガスの流量を４０ｓｃ
ｃｍとし、全ガス流量に対するＨ2 ガスの比率を約１６
％とする。 （第２実施形態）この第２実施形態は、青色発光のＥＬ
素子２００に適用したものである。
【００５０】図６に、このＥＬ素子２００の縦断面を示
した模式図を示す。このＥＬ素子２００は、透明ガラス
基板２１の上にＩＴＯからなる第１電極２２が形成され
ている。第１電極２２は、第１実施形態の第１電極２と
同様に、ｘ軸方向に伸びたストライプがｙ軸方向に沿っ
て多数本設けられたものである。第１電極２２が形成さ
れたガラス基板１上には、一様に第１絶縁層２３が形成
されている。この第１絶縁層２３は、第１実施形態と同
じ構成のものである。
【００５１】そして、第１絶縁層２３の上に、順次、Ｚ
ｎＳからなる厚さ２０００Åの保護膜２４、厚さ１００
００Åの発光層２５が一様に形成されている。発光層２
５は、アルカリ土類金属の硫化物で形成されている。例
えば、ＳｒＳ（硫化ストロンチウム）を用いた場合、発
光層２５を、Ｃｅが添加されたＳｒＳとすることができ
る。この発光層２５は、ガラス基板２１を５００℃一定
温度に保持し、ＳｒＳ：Ｃｅ焼結体をターゲットとし
て、Ａｒ、Ｈ2 Ｓ（硫化水素）及びＨｅガス雰囲気中、
ガス圧４．０Ｐａ、２．４ＫＷ（パワー密度：２．４７
Ｗ／ｃｍ2)の高周波電力の条件でスパッタ成膜した後、
真空中５００〜６００℃で熱処理を行うことによって形
成される。
【００５２】発光層２５の上には、保護膜２４と同一の
保護膜２５が形成され、保護膜２５の上に、一様に第２
絶縁層２７が形成されている。第２絶縁層２７は、第１
実施形態と同じ構成のものである。この第２絶縁層２７
の上に、光学的に透明なＺｎＯ：Ｇａ2 Ｏ3 からなる厚
さ４５００Åの第２電極２８が形成されている。第２電
極２８は、第１実施形態と同様に、ｙ軸方向に伸びたス
トライプがｘ軸方向に沿って多数本設けられたものであ
る。
【００５３】この第２実施形態においては、発光層２５
の母体材料であるＳｒＳが水分に弱いため、第１実施形
態のように、ウェットエッチングにより第２電極２８を
形成することができない。そこで、本実施形態では、次
のようにして第２電極２８を形成している。まず、Ｚｎ
Ｏ：Ｇａ2 Ｏ3 からなる層を第２絶縁層２７上に成膜
し、その上にポジ型のレジストをパターニングして形成
する。このレジスタのパターニング形成は、図５（ａ）
に示すものと同様である。
【００５４】この状態でドライエッチングを行う。この
場合、ＺｎＯの、ＣＨ4 ガスの流量比に対するエッチン
グレートの特性は、ＺｎＳの時と同様の特性を示すた
め、第１実施形態で用いたＺｎＳのエッチング条件と同
一の条件を用いてドライエッチングを行う。すなわち、
ガラス基板１の温度を７０℃に保持し、ＲＩＥ装置内に
ＣＨ4 ガスとＡｒガスの混合ガスを導入し、圧力を７Ｐ
ａに保持し、０．６２５Ｗ／ｃｍ2 の高周波電力でドラ
イエッチングする。この後、レジストを除去する。な
お、このドライエッチングにおいて、下地である第２絶
縁層２７にはダメージが生じない。
【００５５】なお、この第２実施形態に示す青色発光の
ＥＬ素子２００を、第１実施形態のＥＬ素子１００と重
ね合わせて構成すれば、フルカラーのＥＬ表示装置を構
成することができる。上記した第１、第２実施形態にお
いて、ＣＨ4 ガスとＡｒガスのみからなる混合ガスをエ
ッチングガスとするものを示したが、何らかの目的で他
のガスを含んでいてもよい。また、不活性ガスとして
は、Ａｒガスに限らず他のガスを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＥＬ素子の模式的
断面図である。
【図２】第１実施形態のＥＬ素子の第１電極と第２電極
の配列を示す平面図である。
【図３】第１実施形態のＥＬ素子の製造方法を示す平面
図である。
【図４】図３に続くＥＬ素子の製造方法を示す平面図で
ある。
【図５】第１実施形態における第２発光層のドライエッ
チングを示す模式的断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係るＥＬ素子の構成を
示す模式的断面図である。
【図７】ＣＨ4 ガスの比率に対するエッチングレートの
変化特性を示す図である。
【図８】ＲＦパワーに対するＣＨ4 ガスとレジストのエ
ッチングレート差の変化特性を示す図である。
【図９】ガス圧力に対するＣＨ4 ガスとレジストのエッ
チングレート差の変化特性を示す図である。
【図１０】ＣＨ4 ガスの比率を５％としエッチング前と
エッチング後においてＺｎＳ表面のＸＰＳ分析を行った
結果を示す図である。
【図１１】エッチングガスをＣＨ4 とＡｒとＨ2 の混合
ガスとしＨ2 流量を変化させた時のエッチングレートの
変化を示す図である。
【図１２】ＺｎＳ：ＴｂＯＦ発光層をＣＨ4 とＨ2 の混
合ガスのみでエッチングしたときのエッチング前とエッ
チング後のＸＰＳ分析を行った結果を示す図である。
【符号の説明】
１…ガラス基板、２…第１電極、３…第１絶縁層、４…
第１発光層、５…第２発光層、６…第２絶縁層、７…第
２電極、８…赤フィルタ、１００…ＥＬ素子、２１…ガ
ラス基板、２２…第１電極、２３…第１絶縁層、２４、
２６…保護膜、２５…発光層、２７…第２絶縁層、２８
…第２電極、２００…ＥＬ素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 亜鉛を含む被エッチング部材をドライエ
    ッチングするドライエッチング方法において、 前記被エッチング部材の上にレジストをパターニング形
    成する工程と、 この後、メタンガスと不活性ガスの混合ガスであって、
    前記メタンガスと前記不活性ガスの合計に対する前記メ
    タンガスの比率が０．５％以上５％以下となるエッチン
    グガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする
    工程とを有することを特徴とするドライエッチング方
    法。
  2. 【請求項２】 前記メタンガスの比率が０．５％以上２
    ％以下であることを特徴とする請求項１に記載のドライ
    エッチング方法。
  3. 【請求項３】 前記エッチング時の高周波電力を、１ｃ
    ｍ2 当たり０．２５Ｗ以上０．８Ｗ未満としたことを特
    徴とする請求項２に記載のドライエッチング方法。
  4. 【請求項４】 前記エッチングガスの圧力を、３０ｍＴ
    ｏｒｒより大きく１００ｍＴｏｒｒ以下としたことを特
    徴とする請求項２又は３に記載のドライエッチング方
    法。
  5. 【請求項５】 亜鉛を含む被エッチング部材をドライエ
    ッチングする方法において、 エッチングガスとして、メタンガスと不活性ガスからな
    る混合ガスを用い、前記メタンガスによる化学的エッチ
    ングと前記不活性ガスによる物理的エッチングにて前記
    被エッチング部材をエッチングすることを特徴とするド
    ライエッチング方法。
  6. 【請求項６】 前記混合ガスは、前記メタンガスと前記
    不活性ガスのみからなることを特徴とする請求項１乃至
    ５のいずれか１つに記載のドライエッチング方法。
  7. 【請求項７】 前記不活性ガスは、アルゴンガスである
    ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載
    のドライエッチング方法。
  8. 【請求項８】 亜鉛を含む被エッチング部材をドライエ
    ッチングするドライエッチング方法において、 メタンガスと不活性ガスと水素ガスのみからなるエッチ
    ングガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングす
    ることを特徴とするドライエッチング方法。
  9. 【請求項９】 亜鉛を含む被エッチング部材をドライエ
    ッチングするドライエッチング方法において、 ドライエッチング装置内にメタンガスと不活性ガスと水
    素ガスからなるエッチングガスを導入し、前記水素ガス
    の流量を解離水素の量が飽和する値以上とし、前記エッ
    チングガスを用いて前記被エッチング部材をエッチング
    することを特徴とするドライエッチング方法。
  10. 【請求項１０】 前記被エッチング部材として、硫化亜
    鉛又は酸化亜鉛を主成分とする材料により構成されたも
    のを用いることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか
    １つに記載のドライエッチング方法。
  11. 【請求項１１】 絶縁性基板上に、第１電極、第１絶縁
    層、亜鉛を含む材料を母材とする発光層、第２絶縁層、
    及び第２電極を積層形成してなるＥＬ素子の製造方法に
    おいて、 前記発光層をパターニングする工程を有し、この工程
    は、 前記発光層上にレジストをパターニング形成する工程
    と、 この後、請求項１乃至９のいずれか１つに記載のエッチ
    ングガスを用いて前記発光層をエッチングする工程とを
    有することを特徴とするＥＬ素子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記発光層は、第１発光層と第２発光
    層を積層して形成されており、前記第１発光層を下地と
    して前記第２発光層を前記エッチングによりパターニン
    グすることを特徴とする請求項１１に記載のＥＬ素子の
    製造方法。
  13. 【請求項１３】 絶縁性基板上に、第１電極、第１絶縁
    層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極を積層形成して
    なるＥＬ素子の製造方法において、 前記第２電極を酸化亜鉛を主成分とする材料により前記
    第２絶縁層上に形成した後に、前記第２電極上にレジス
    トをパターニング形成する工程と、 この後、請求項１乃至９のいずれか１つに記載のエッチ
    ングガスを用いて前記第２電極をエッチングしパターニ
    ングする工程とを有することを特徴とするＥＬ素子の製
    造方法。
  14. 【請求項１４】 前記発光層がアルカリ土類金属の硫化
    物を主成分とする材料により構成されている請求項１３
    に記載のＥＬ素子の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007335505A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Canon Inc 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP2009193674A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Kaneka Corp 透明導電膜の製造方法およびそれに従って製造される透明導電膜
JPWO2014010310A1 (ja) * 2012-07-10 2016-06-20 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
WO2019216092A1 (ja) * 2018-05-08 2019-11-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 酸化物半導体膜のエッチング方法および酸化物半導体加工物ならびに電子デバイス

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6771019B1 (en) * 1999-05-14 2004-08-03 Ifire Technology, Inc. Electroluminescent laminate with patterned phosphor structure and thick film dielectric with improved dielectric properties
JP4483124B2 (ja) * 2001-05-09 2010-06-16 株式会社デンソー Ｅｌ素子およびその製造方法並びにｅｌ素子を用いた表示パネル
KR101117948B1 (ko) * 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
KR101303578B1 (ko) * 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6463292A (en) * 1987-09-01 1989-03-09 Nec Corp Manufacture of electroluminescence element
JPH01200594A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法
JPH01217884A (ja) * 1988-02-24 1989-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜ｅｌ素子の製造方法
FR2633451B1 (fr) * 1988-06-24 1990-10-05 Labo Electronique Physique Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs incluant au moins une etape de gravure ionique reactive
JPH0218894A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 硫化物薄膜のエッチング方法と多色薄膜ｅｌ素子の製造方法
JPH03139838A (ja) * 1989-10-25 1991-06-14 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5171401A (en) * 1990-06-04 1992-12-15 Eastman Kodak Company Plasma etching indium tin oxide
JPH05501785A (ja) * 1990-06-26 1993-04-02 イーストマン コダック カンパニー 蒸着酸化膜マスクを用いたインジウム酸化スズのプラズマエッチング
US5110410A (en) * 1990-08-13 1992-05-05 Texas Instruments Incorporated Zinc sulfide planarization
FR2673330B1 (fr) * 1991-02-26 1997-06-20 France Telecom Procede de realisation d'un laser a semiconducteur a ruban enterre, utilisant une gravure seche pour former ce ruban, et laser obtenu par ce procede.
US5230771A (en) * 1991-04-08 1993-07-27 Eastman Kodak Company Plasma etching indium tin oxide using a deposited silicon nitride mask
US5300452A (en) * 1991-12-18 1994-04-05 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device
JPH05234958A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Mitsubishi Electric Corp ６族元素含有半導体材料の微細加工方法
JP3123236B2 (ja) * 1992-07-23 2001-01-09 三菱電機株式会社 高温超電導薄膜のエッチング方法
JPH0685352A (ja) * 1992-09-04 1994-03-25 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ装置
JPH06268262A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Toshiba Corp 端面発光素子の製造方法
JPH0778804A (ja) * 1993-06-30 1995-03-20 Kobe Steel Ltd 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH0750292A (ja) * 1993-08-06 1995-02-21 Fujitsu Ltd テーパエッチング方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007335505A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Canon Inc 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP2009193674A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Kaneka Corp 透明導電膜の製造方法およびそれに従って製造される透明導電膜
JPWO2014010310A1 (ja) * 2012-07-10 2016-06-20 シャープ株式会社 半導体素子の製造方法
WO2019216092A1 (ja) * 2018-05-08 2019-11-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 酸化物半導体膜のエッチング方法および酸化物半導体加工物ならびに電子デバイス

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