JPH09326104A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH09326104A JPH09326104A JP9053066A JP5306697A JPH09326104A JP H09326104 A JPH09326104 A JP H09326104A JP 9053066 A JP9053066 A JP 9053066A JP 5306697 A JP5306697 A JP 5306697A JP H09326104 A JPH09326104 A JP H09326104A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
- G11B5/3932—Magnetic biasing films
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/933—Spintronics or quantum computing
- Y10S977/934—Giant magnetoresistance, GMR
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生感度及びノイズ特性の良好な磁気ヘッド
を提供する。 【解決手段】ＭＲ素子は、磁気抵抗効果膜210と、第１
の磁気シールド膜400と、第２の磁気シールド膜310を含
む。磁気抵抗効果膜210は、外部磁界に応答する磁界応
答膜211を、少なくとも一つ含む。第１の磁気シールド
膜400及び第２の磁気シールド膜310は、磁気抵抗効果膜
210の両側に配置されている。第１の磁気シールド膜400
は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度より
も小さい磁性膜400を含む。磁性膜400は磁界応答膜211
に近い位置を占める。
を提供する。 【解決手段】ＭＲ素子は、磁気抵抗効果膜210と、第１
の磁気シールド膜400と、第２の磁気シールド膜310を含
む。磁気抵抗効果膜210は、外部磁界に応答する磁界応
答膜211を、少なくとも一つ含む。第１の磁気シールド
膜400及び第２の磁気シールド膜310は、磁気抵抗効果膜
210の両側に配置されている。第１の磁気シールド膜400
は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度より
も小さい磁性膜400を含む。磁性膜400は磁界応答膜211
に近い位置を占める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に用いられる磁気ヘッドに関する。
に用いられる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドは、
再生出力が記録媒体の速度に依存せず高出力が得られる
ため注目されている。
再生出力が記録媒体の速度に依存せず高出力が得られる
ため注目されている。
【０００３】磁気ヘッドには通常、磁気抵抗効果素子の
上下に絶縁層を介して第２の磁気シールド膜と第１の磁
気シールド膜が設けられている。この磁気シールド膜は
不要な磁束を吸収し、分解能および高周波特性を改善さ
せ、記録密度を向上させる役割を担っている。
上下に絶縁層を介して第２の磁気シールド膜と第１の磁
気シールド膜が設けられている。この磁気シールド膜は
不要な磁束を吸収し、分解能および高周波特性を改善さ
せ、記録密度を向上させる役割を担っている。
【０００４】磁気シールド膜の材料としては、高透磁
率、高飽和磁束密度を有する材料が用いられており、低
保磁力、低磁歪のNi-Fe合金が多く用いられている。
率、高飽和磁束密度を有する材料が用いられており、低
保磁力、低磁歪のNi-Fe合金が多く用いられている。
【０００５】特開平2-116009号公報にはFe-Al-Si合金を
第１の磁気シールド膜として用いる場合の製造方法が開
示されている。Fe-Al-Si合金膜は高透磁率、高飽和磁束
密度、高硬度という特徴を有している。また、非晶質軟
磁性材料として、例えば、Co-Zr等のＣｏメタル系非晶
質材料が高い透磁率を示すことが知られている。例えば
特開昭61-258323号公報にはCo-Zr非晶質合金とNi-Fe合
金を積み重ねた軟磁性積層膜を磁気シールド膜とした例
が開示されている。
第１の磁気シールド膜として用いる場合の製造方法が開
示されている。Fe-Al-Si合金膜は高透磁率、高飽和磁束
密度、高硬度という特徴を有している。また、非晶質軟
磁性材料として、例えば、Co-Zr等のＣｏメタル系非晶
質材料が高い透磁率を示すことが知られている。例えば
特開昭61-258323号公報にはCo-Zr非晶質合金とNi-Fe合
金を積み重ねた軟磁性積層膜を磁気シールド膜とした例
が開示されている。
【０００６】特開平5-174334号公報には透磁率が磁気抵
抗効果膜よりも小さなことを特徴とした磁気シールド膜
が開示されている。高い透磁率を有するシールド材料を
用いた場合、本来磁気抵抗効果膜に取り込まれるべき磁
束をも磁気シールド膜が吸収してしまうため、再生感度
が低下する。これを防止するためのものであり、材料と
してはCo-Zr-Cr合金を用いている。
抗効果膜よりも小さなことを特徴とした磁気シールド膜
が開示されている。高い透磁率を有するシールド材料を
用いた場合、本来磁気抵抗効果膜に取り込まれるべき磁
束をも磁気シールド膜が吸収してしまうため、再生感度
が低下する。これを防止するためのものであり、材料と
してはCo-Zr-Cr合金を用いている。
【０００７】ところで、磁気ディスク装置の小型化によ
り、磁気ヘッドには、トラック幅及び上下シールド間ギ
ャップを縮小し、高記録密度化に対応することが望まれ
ている。また、トラック幅を縮小した場合、それに伴っ
て再生出力が低下するので、磁気抵抗効果素子の高感度
化が必要となってくる。
り、磁気ヘッドには、トラック幅及び上下シールド間ギ
ャップを縮小し、高記録密度化に対応することが望まれ
ている。また、トラック幅を縮小した場合、それに伴っ
て再生出力が低下するので、磁気抵抗効果素子の高感度
化が必要となってくる。
【０００８】磁気抵抗効果膜としては、NiーFe合金やNiー
Co合金の磁気異方性磁性薄膜が用いられてきたが、磁気
抵抗効果素子のより一層の高感度化及び高出力化に対応
する手段として、磁性層と非磁性層とを積層して構成し
た高い磁気抵抗効果を有する磁性多層膜が注目されてい
る。磁性多層膜の中でも、その高い再生感度により最も
注目を集めているのがスピンバルブ膜である。スピンバ
ルブ膜に関する公知文献例としては、例えばRHYSICAL R
EVIEW B 43巻、1297頁、1991年、Journal of applied
physics 69巻、4774頁、1991年、特開平4-358310号公報
等がある。
Co合金の磁気異方性磁性薄膜が用いられてきたが、磁気
抵抗効果素子のより一層の高感度化及び高出力化に対応
する手段として、磁性層と非磁性層とを積層して構成し
た高い磁気抵抗効果を有する磁性多層膜が注目されてい
る。磁性多層膜の中でも、その高い再生感度により最も
注目を集めているのがスピンバルブ膜である。スピンバ
ルブ膜に関する公知文献例としては、例えばRHYSICAL R
EVIEW B 43巻、1297頁、1991年、Journal of applied
physics 69巻、4774頁、1991年、特開平4-358310号公報
等がある。
【０００９】一般的なスピンバルブ膜はNiFe／Cu／(NiF
e or Co)／FeMnの膜構成を有している。スピンバルブ膜
では、反強磁性層に接している磁性層の磁化が固定され
るのに対し、もう一方の磁性層の磁化が外部磁界によっ
て自由に回転し、磁化の反平行状態が実現されることに
より、高い磁気抵抗効果が得られる。
e or Co)／FeMnの膜構成を有している。スピンバルブ膜
では、反強磁性層に接している磁性層の磁化が固定され
るのに対し、もう一方の磁性層の磁化が外部磁界によっ
て自由に回転し、磁化の反平行状態が実現されることに
より、高い磁気抵抗効果が得られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、高記
録密度化に対応する手段として、磁気ヘッドにおいて
は、上下シールド間のギャップ及びトラック幅の縮小化
が図られている。ところが、シールド間のギャップが狭
くなることは、すなわち、磁気抵抗効果素子とシールド
の間隔が近くなることであり、磁気シールド膜の有する
磁気特性が、磁気抵抗効果素子の再生感度及び再生波形
に及ぼす影響が無視できなくなってくる。この問題点
は、記録密度が増大し、絶縁層が薄くなるにつれて顕著
になる。
録密度化に対応する手段として、磁気ヘッドにおいて
は、上下シールド間のギャップ及びトラック幅の縮小化
が図られている。ところが、シールド間のギャップが狭
くなることは、すなわち、磁気抵抗効果素子とシールド
の間隔が近くなることであり、磁気シールド膜の有する
磁気特性が、磁気抵抗効果素子の再生感度及び再生波形
に及ぼす影響が無視できなくなってくる。この問題点
は、記録密度が増大し、絶縁層が薄くなるにつれて顕著
になる。
【００１１】特に、上述したスピンバルブ膜の場合、外
部磁界に応答する磁界応答膜の膜厚が通常の磁気異方性
磁気抵抗効果膜に比べて薄く、磁気シールド膜からの静
磁界の影響も大きくなる。磁気シールド膜は磁区制御さ
れていないので、磁気シールド膜から発する磁界が再生
波形の安定性に悪影響を及ぼす。
部磁界に応答する磁界応答膜の膜厚が通常の磁気異方性
磁気抵抗効果膜に比べて薄く、磁気シールド膜からの静
磁界の影響も大きくなる。磁気シールド膜は磁区制御さ
れていないので、磁気シールド膜から発する磁界が再生
波形の安定性に悪影響を及ぼす。
【００１２】本発明の課題は、不要な磁束を吸収し、分
解能および高周波特性を改善させ、記録密度を向上させ
たＭＲ磁気ヘッドを提供することである。
解能および高周波特性を改善させ、記録密度を向上させ
たＭＲ磁気ヘッドを提供することである。
【００１３】本発明のもう一つの課題は、磁気シールド
膜の影響による再生感度の劣化を阻止し、高い再生出力
が得られるようにしたＭＲ磁気ヘッドを提供することで
ある。
膜の影響による再生感度の劣化を阻止し、高い再生出力
が得られるようにしたＭＲ磁気ヘッドを提供することで
ある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明の磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型磁気変換
素子（以下ＭＲ素子と称する）を含む。前記ＭＲ素子
は、磁気抵抗効果膜と、第１の磁気シールド膜と、第２
の磁気シールド膜とを含む。前記磁気抵抗効果膜は、外
部磁界に応答する磁界応答膜を、少なくとも一つ含んで
いる。前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シ
ールド膜は、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置されてい
る。
ため、本発明の磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型磁気変換
素子（以下ＭＲ素子と称する）を含む。前記ＭＲ素子
は、磁気抵抗効果膜と、第１の磁気シールド膜と、第２
の磁気シールド膜とを含む。前記磁気抵抗効果膜は、外
部磁界に応答する磁界応答膜を、少なくとも一つ含んで
いる。前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シ
ールド膜は、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置されてい
る。
【００１５】前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の
磁気シールド膜の少なくとも一方は、飽和磁束密度が前
記磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜を含ん
でいる。前記磁性膜は、前記磁気シールド膜において、
前記磁界応答膜に近い位置を占める。
磁気シールド膜の少なくとも一方は、飽和磁束密度が前
記磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜を含ん
でいる。前記磁性膜は、前記磁気シールド膜において、
前記磁界応答膜に近い位置を占める。
【００１６】上述したように、第１の磁気シールド膜及
び第２の磁気シールド膜は、磁気抵抗効果膜の両側に配
置されているから、第１の磁気シールド膜及び第２の磁
気シールド膜により、不要な磁束を吸収し、分解能およ
び高周波特性を改善させ、記録密度を向上させることが
できる。
び第２の磁気シールド膜は、磁気抵抗効果膜の両側に配
置されているから、第１の磁気シールド膜及び第２の磁
気シールド膜により、不要な磁束を吸収し、分解能およ
び高周波特性を改善させ、記録密度を向上させることが
できる。
【００１７】第１の磁気シールド膜及び第２の磁気シー
ルド膜の少なくとも一方、例えば第１の磁気シールド膜
は、飽和磁束密度が、磁気抵抗効果膜に含まれる磁界応
答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜を含んでいる。
この磁性膜は、磁気シールド膜において、磁界応答膜に
近い位置を占める。かかる構造によると、第１の磁気シ
ールド膜の影響による磁気ヘッドの再生感度の劣化を阻
止し、再生出力を向上させることができる。
ルド膜の少なくとも一方、例えば第１の磁気シールド膜
は、飽和磁束密度が、磁気抵抗効果膜に含まれる磁界応
答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜を含んでいる。
この磁性膜は、磁気シールド膜において、磁界応答膜に
近い位置を占める。かかる構造によると、第１の磁気シ
ールド膜の影響による磁気ヘッドの再生感度の劣化を阻
止し、再生出力を向上させることができる。
【００１８】飽和磁束密度が、磁気抵抗効果膜に含まれ
る磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜は、第
１の磁気シールド膜、第２の磁気シールド膜または両者
に設けることができる。
る磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜は、第
１の磁気シールド膜、第２の磁気シールド膜または両者
に設けることができる。
【００１９】磁界応答膜は、磁気異方性ＭＲ素子の場合
には、磁気異方性磁性膜が対応し、スピンバルブ膜のよ
うなＧＭＲ膜の場合には、磁化が外部磁界によって回転
する磁性膜（フリー層）が対応する。
には、磁気異方性磁性膜が対応し、スピンバルブ膜のよ
うなＧＭＲ膜の場合には、磁化が外部磁界によって回転
する磁性膜（フリー層）が対応する。
【００２０】また、ＭＲ素子を再生素子とし、誘導型磁
気変換素子を書き込み素子とする複合型磁気ヘッドにお
いては、通常、誘導型磁気変換素子のある側に第２の磁
気シールド膜を配置し、その反対側に第１の磁気シール
ド膜を配置した構造を採る。かかる場合、第１の磁気シ
ールド膜について、その飽和磁束密度を磁界応答膜の飽
和磁束密度よりも小さくする。この構造によれば、誘導
型磁気変換素子の特性に影響を与えない範囲で、第１の
磁気シールド膜の影響による磁気ヘッドの再生感度の劣
化を阻止し、再生出力を向上させることができる。誘導
型磁気変換素子のある側に配置された第２の磁気シール
ド膜は、通常、誘導型磁気変換素子の第１の磁性膜によ
って構成される。
気変換素子を書き込み素子とする複合型磁気ヘッドにお
いては、通常、誘導型磁気変換素子のある側に第２の磁
気シールド膜を配置し、その反対側に第１の磁気シール
ド膜を配置した構造を採る。かかる場合、第１の磁気シ
ールド膜について、その飽和磁束密度を磁界応答膜の飽
和磁束密度よりも小さくする。この構造によれば、誘導
型磁気変換素子の特性に影響を与えない範囲で、第１の
磁気シールド膜の影響による磁気ヘッドの再生感度の劣
化を阻止し、再生出力を向上させることができる。誘導
型磁気変換素子のある側に配置された第２の磁気シール
ド膜は、通常、誘導型磁気変換素子の第１の磁性膜によ
って構成される。
【００２１】一つの態様として、第１の磁気シールド膜
を、２つの磁性膜を非磁性膜によって分離した多層膜構
造とすることも有効である。この場合、磁界応答膜に近
い方の磁性膜の飽和磁束密度を、磁界応答膜の飽和磁束
密度よりも小さくする。磁界応答膜に遠い方の磁性膜の
飽和磁束密度は、磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さ
くてもよいし、大きくてもよい。
を、２つの磁性膜を非磁性膜によって分離した多層膜構
造とすることも有効である。この場合、磁界応答膜に近
い方の磁性膜の飽和磁束密度を、磁界応答膜の飽和磁束
密度よりも小さくする。磁界応答膜に遠い方の磁性膜の
飽和磁束密度は、磁界応答膜の飽和磁束密度よりも小さ
くてもよいし、大きくてもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの拡大断面図を示している。図示の薄膜磁気ヘッド
は、スライダ100の上に読み出し素子として用いられる
ＭＲ素子200及び書き込み素子として用いられる誘導型
磁気変換素子300を有する。
ドの拡大断面図を示している。図示の薄膜磁気ヘッド
は、スライダ100の上に読み出し素子として用いられる
ＭＲ素子200及び書き込み素子として用いられる誘導型
磁気変換素子300を有する。
【００２３】スライダ100はセラミック構造体で構成さ
れ、Al2O3−TiC等でなる基体110の上にAl2O3またはSiO2
等でなる絶縁膜120が設けられている。スライダ100は磁
気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面（以下
ＡＢＳ面と称する）130を有する。スライダ100として
は、磁気ディスクと対向する面側にレール部を設け、レ
ール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイプの外に、
磁気ディスクと対向する面側がレール部を持たない平面
状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面として利用する
タイプ等も知られている。矢印ａは空気の流出方向を示
している。
れ、Al2O3−TiC等でなる基体110の上にAl2O3またはSiO2
等でなる絶縁膜120が設けられている。スライダ100は磁
気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面（以下
ＡＢＳ面と称する）130を有する。スライダ100として
は、磁気ディスクと対向する面側にレール部を設け、レ
ール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイプの外に、
磁気ディスクと対向する面側がレール部を持たない平面
状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面として利用する
タイプ等も知られている。矢印ａは空気の流出方向を示
している。
【００２４】絶縁膜120の上には、第１の磁気シールド
膜400が積層され、第１の磁気シールド膜400の上には、
絶縁膜500が積層されている。絶縁膜500はAl2O3またはS
iO2等でなる。
膜400が積層され、第１の磁気シールド膜400の上には、
絶縁膜500が積層されている。絶縁膜500はAl2O3またはS
iO2等でなる。
【００２５】ＭＲ素子200は絶縁膜500の中に埋設された
形態となっている。ＭＲ素子200は、磁気抵抗効果膜210
とリード導体220とを有する。
形態となっている。ＭＲ素子200は、磁気抵抗効果膜210
とリード導体220とを有する。
【００２６】ここで、磁気抵抗効果膜210を有するＭＲ
素子200の下側に配置される第１の磁気シールド膜400と
して、飽和磁束密度が磁気抵抗効果膜210の飽和磁束密
度よりも小さい低飽和磁束密度材料を用いる。かかる低
飽和磁束密度材料を用いることにより、第１の磁気シー
ルド膜400の影響による磁気ヘッドの再生感度を向上さ
せ、再生出力を向上させることができる。
素子200の下側に配置される第１の磁気シールド膜400と
して、飽和磁束密度が磁気抵抗効果膜210の飽和磁束密
度よりも小さい低飽和磁束密度材料を用いる。かかる低
飽和磁束密度材料を用いることにより、第１の磁気シー
ルド膜400の影響による磁気ヘッドの再生感度を向上さ
せ、再生出力を向上させることができる。
【００２７】誘導型磁気変換素子300は、第１の磁性膜3
10、第２の磁性膜320、コイル膜330、アルミナ等でなる
ギャップ膜340、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成さ
れた絶縁膜350及び保護膜360などを有して、絶縁膜500
の上に積層されている。ＭＲ素子200の上に誘導型磁気
変換素子300を積層した図１の実施例の場合は、通常
は、第１の磁性膜310は下部磁性膜と称され、第２の磁
性膜320は上部磁性膜と称される。第１の磁性膜310及び
第２の磁性膜320の先端部は微小厚みのギャップ膜340を
隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっており、ポー
ル部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行なう。
10、第２の磁性膜320、コイル膜330、アルミナ等でなる
ギャップ膜340、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成さ
れた絶縁膜350及び保護膜360などを有して、絶縁膜500
の上に積層されている。ＭＲ素子200の上に誘導型磁気
変換素子300を積層した図１の実施例の場合は、通常
は、第１の磁性膜310は下部磁性膜と称され、第２の磁
性膜320は上部磁性膜と称される。第１の磁性膜310及び
第２の磁性膜320の先端部は微小厚みのギャップ膜340を
隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっており、ポー
ル部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行なう。
【００２８】第１の磁性膜310は、ＭＲ素子200に対する
第２の磁気シールド膜として機能する。第１の磁性膜31
0及び第２の磁性膜320は、そのヨーク部がポール部Ｐ
１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部において、
磁気回路を完成するように互いに結合されている。絶縁
膜350の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にま
わるように、コイル膜330を形成してある。
第２の磁気シールド膜として機能する。第１の磁性膜31
0及び第２の磁性膜320は、そのヨーク部がポール部Ｐ
１、Ｐ２とは反対側にあるバックギャップ部において、
磁気回路を完成するように互いに結合されている。絶縁
膜350の上に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にま
わるように、コイル膜330を形成してある。
【００２９】図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドに含ま
れるＭＲ素子200の更に詳しい構造を示す拡大断面図で
ある。基体110の上に積層された下地絶縁膜120上に、第
１の磁気シールド膜400、絶縁膜510、ＭＲ素子200、絶
縁膜520、第２の磁気シールド膜（第１の磁性膜)310が
順次積層されている。
れるＭＲ素子200の更に詳しい構造を示す拡大断面図で
ある。基体110の上に積層された下地絶縁膜120上に、第
１の磁気シールド膜400、絶縁膜510、ＭＲ素子200、絶
縁膜520、第２の磁気シールド膜（第１の磁性膜)310が
順次積層されている。
【００３０】ＭＲ素子200を構成する磁気抵抗効果膜210
は、磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したものであって
もよいが、スピンバルブ膜によって構成することが更に
望ましい。図示の磁気抵抗効果膜210はスピンバルブ膜
によって構成されている。このスピンバルブ膜は、磁界
応答膜（第１の強磁性膜)211、非磁性膜212、磁化固定
膜（第２の強磁性膜)213及び反強磁性膜214を含んでい
る。このようなスピンバルブ膜の膜構成の他、他の膜構
成を採用できることは勿論である。
は、磁気異方性磁気抵抗効果膜を利用したものであって
もよいが、スピンバルブ膜によって構成することが更に
望ましい。図示の磁気抵抗効果膜210はスピンバルブ膜
によって構成されている。このスピンバルブ膜は、磁界
応答膜（第１の強磁性膜)211、非磁性膜212、磁化固定
膜（第２の強磁性膜)213及び反強磁性膜214を含んでい
る。このようなスピンバルブ膜の膜構成の他、他の膜構
成を採用できることは勿論である。
【００３１】スピンバルブ膜によって構成される磁気抵
抗効果膜210は、例えば２．５μmのトラック幅に形成さ
れ、その両端にリード導体220が備えられている。リー
ド導体220は、Co−Pt合金膜221及び電極膜222を備えて
いる。Co−Pt合金膜221は、スピンバルブ膜に縦バイア
ス磁界を印加することにより、スピンバルブ膜の磁界応
答膜211の磁区を制御をするために備えられている。
抗効果膜210は、例えば２．５μmのトラック幅に形成さ
れ、その両端にリード導体220が備えられている。リー
ド導体220は、Co−Pt合金膜221及び電極膜222を備えて
いる。Co−Pt合金膜221は、スピンバルブ膜に縦バイア
ス磁界を印加することにより、スピンバルブ膜の磁界応
答膜211の磁区を制御をするために備えられている。
【００３２】図示されたスピンバルブ膜は、具体的に
は、次のような膜構成になる。まず磁界応答膜211は、
約０．１μmの膜厚を持つNiFe膜でなる。磁界応答膜211
の下には約０．０５μmの膜厚を持つＴａ膜でなる下地
膜が形成されている。非磁性膜212は約０．０２５μmの
膜厚を持つＣｕ膜である。磁化固定膜213は、約０．０
５μmの膜厚を持つNiFe膜である。反強磁性膜214は、約
０．１μmの膜厚を持つFeMn膜で構成され、約０．０５
μmの膜厚を持つＴａでなる保護膜を有する。但し、こ
れらの膜構成及び膜厚の数値は一例であり、何ら限定す
るものではなく、他の膜構成を採用できる。
は、次のような膜構成になる。まず磁界応答膜211は、
約０．１μmの膜厚を持つNiFe膜でなる。磁界応答膜211
の下には約０．０５μmの膜厚を持つＴａ膜でなる下地
膜が形成されている。非磁性膜212は約０．０２５μmの
膜厚を持つＣｕ膜である。磁化固定膜213は、約０．０
５μmの膜厚を持つNiFe膜である。反強磁性膜214は、約
０．１μmの膜厚を持つFeMn膜で構成され、約０．０５
μmの膜厚を持つＴａでなる保護膜を有する。但し、こ
れらの膜構成及び膜厚の数値は一例であり、何ら限定す
るものではなく、他の膜構成を採用できる。
【００３３】上述したスピンバルブ膜を有する磁気抵抗
効果膜210について、本発明を適用する場合、第１の磁
気シールド膜400は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽
和磁束密度よりも小さい材料によって構成する。実施例
の場合、磁界応答膜211は、NiFe膜によって構成されて
いるので、第１の磁気シールド膜400として、Ni−Fe合
金よりも飽和磁束密度の小さなNi-Fe-Ta合金を用いる。
Ｔａに代えて、Ｃｒ、ＨｆまたはＲｈ等の他の元素を用
いてもよい。
効果膜210について、本発明を適用する場合、第１の磁
気シールド膜400は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽
和磁束密度よりも小さい材料によって構成する。実施例
の場合、磁界応答膜211は、NiFe膜によって構成されて
いるので、第１の磁気シールド膜400として、Ni−Fe合
金よりも飽和磁束密度の小さなNi-Fe-Ta合金を用いる。
Ｔａに代えて、Ｃｒ、ＨｆまたはＲｈ等の他の元素を用
いてもよい。
【００３４】上述のように、第１の磁気シールド膜400
として低飽和磁束密度材料を用いることにより、絶縁層
510が薄く、かつ、磁界応答膜211の薄いスピンバルブ膜
において、第１の磁気シールド膜400から磁界応答膜211
への静磁界の影響を低減させ、磁界応答膜２１１の磁化
反転の鈍化を阻止し、感度低下を回避できる。これを仮
に、第１の磁気シールド膜400として、飽和磁束密度が
磁界応答膜211の飽和磁束よりも高い高飽和磁束密度材
料を用いると、第１の磁気シールド膜400から磁界応答
膜211への静磁界の影響が強くなり、磁界応答膜211の磁
化反転が鈍り、感度が低下する。
として低飽和磁束密度材料を用いることにより、絶縁層
510が薄く、かつ、磁界応答膜211の薄いスピンバルブ膜
において、第１の磁気シールド膜400から磁界応答膜211
への静磁界の影響を低減させ、磁界応答膜２１１の磁化
反転の鈍化を阻止し、感度低下を回避できる。これを仮
に、第１の磁気シールド膜400として、飽和磁束密度が
磁界応答膜211の飽和磁束よりも高い高飽和磁束密度材
料を用いると、第１の磁気シールド膜400から磁界応答
膜211への静磁界の影響が強くなり、磁界応答膜211の磁
化反転が鈍り、感度が低下する。
【００３５】第１の磁気シールド膜400の透磁率及び飽
和磁束密度が大きすぎる場合には、特開平5-174334号公
報にも記載されていたように、本来、磁気抵抗効果膜21
0に取り込まれる磁束まで磁気シールド膜に吸収される
ため、感度が低下する。
和磁束密度が大きすぎる場合には、特開平5-174334号公
報にも記載されていたように、本来、磁気抵抗効果膜21
0に取り込まれる磁束まで磁気シールド膜に吸収される
ため、感度が低下する。
【００３６】但し、透磁率までかなり小さくすると、磁
気シールド膜としての機能が不充分となり、出力再生波
の半値幅が広くなってしまう。よって、第１の磁気シー
ルド膜400としては、比較的透磁率は高く、飽和磁束密
度の小さな組成材料を用いる。ここでは前記組成系の合
金を用いているが、組成系はこれに限定されるものでは
なく、他にも、例えばNi-Fe-Cr、Ni-Fe-Hf、Ni-Fe-Nb、
Ni-Fe-Rh等のNi−Fe金属系、Co−金属非晶質合金系、Co
-Zr-Mo、Co-Zr-Nb等を用いることが可能である。
気シールド膜としての機能が不充分となり、出力再生波
の半値幅が広くなってしまう。よって、第１の磁気シー
ルド膜400としては、比較的透磁率は高く、飽和磁束密
度の小さな組成材料を用いる。ここでは前記組成系の合
金を用いているが、組成系はこれに限定されるものでは
なく、他にも、例えばNi-Fe-Cr、Ni-Fe-Hf、Ni-Fe-Nb、
Ni-Fe-Rh等のNi−Fe金属系、Co−金属非晶質合金系、Co
-Zr-Mo、Co-Zr-Nb等を用いることが可能である。
【００３７】誘導型磁気変換素子300の第１の磁性膜で
もある第２の磁気シールド膜310は、従来より用いられ
ているNi−Fe合金によって構成できる。従って、誘導型
磁気変換素子300の特性に影響を与えない範囲で、第１
の磁気シールド膜400の影響による磁気ヘッドの再生感
度の劣化を阻止し、再生出力を向上させることができ
る。
もある第２の磁気シールド膜310は、従来より用いられ
ているNi−Fe合金によって構成できる。従って、誘導型
磁気変換素子300の特性に影響を与えない範囲で、第１
の磁気シールド膜400の影響による磁気ヘッドの再生感
度の劣化を阻止し、再生出力を向上させることができ
る。
【００３８】磁気シールド膜の膜厚は、一例として、第
１の磁気シールド膜400が約１μm、第２の磁気シールド
膜（第１の磁性膜)310が約２．５μmである。絶縁膜51
0、520の膜厚は、第１の磁気シールド膜400と磁気抵抗
効果膜210との間の絶縁膜510が約１．２μm、磁気抵抗
効果膜と第２の磁気シールド膜間の絶縁膜520が約１μm
程度である。但し、これらの数値は一例であり、何ら限
定するものではない。
１の磁気シールド膜400が約１μm、第２の磁気シールド
膜（第１の磁性膜)310が約２．５μmである。絶縁膜51
0、520の膜厚は、第１の磁気シールド膜400と磁気抵抗
効果膜210との間の絶縁膜510が約１．２μm、磁気抵抗
効果膜と第２の磁気シールド膜間の絶縁膜520が約１μm
程度である。但し、これらの数値は一例であり、何ら限
定するものではない。
【００３９】図３は本発明に係る磁気ヘッドの別の実施
例を示す断面図である。第１の磁気シールド膜400は、
第１の磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430
とを含んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜42
0によって分離されている。磁性膜410及び磁性膜430の
うち、磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束
密度が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
磁性膜410の飽和磁束密度は磁界応答膜211の飽和磁束密
度よりも小さくとも、大きくともよい。
例を示す断面図である。第１の磁気シールド膜400は、
第１の磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430
とを含んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜42
0によって分離されている。磁性膜410及び磁性膜430の
うち、磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束
密度が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
磁性膜410の飽和磁束密度は磁界応答膜211の飽和磁束密
度よりも小さくとも、大きくともよい。
【００４０】第１の磁性膜410／非磁性膜420／第２の磁
性膜430の具体例としては、Ni-Fe-Ta合金／Ta／Ni-Fe-T
a合金、Ni-Fe-Ta合金／Ta／Fe-Al-Si合金の積層膜等が
ある。Fe-Al-Si合金は、通常、下部シールドに用られる
材料であり、透磁率、飽和磁束密度ともにNi-Fe合金よ
りは大きい。Ni-Fe-Ta合金は、上記のように低飽和磁束
密度を狙ったものである。非磁性膜420としては、Ｔａ
のほか、Ｃｒ等を用いてもよい。
性膜430の具体例としては、Ni-Fe-Ta合金／Ta／Ni-Fe-T
a合金、Ni-Fe-Ta合金／Ta／Fe-Al-Si合金の積層膜等が
ある。Fe-Al-Si合金は、通常、下部シールドに用られる
材料であり、透磁率、飽和磁束密度ともにNi-Fe合金よ
りは大きい。Ni-Fe-Ta合金は、上記のように低飽和磁束
密度を狙ったものである。非磁性膜420としては、Ｔａ
のほか、Ｃｒ等を用いてもよい。
【００４１】第１の磁気シールド膜400を２層の第１の
磁性膜410及び第２の磁性膜430とした目的は、２層の第
１の磁性膜410ー430の間で磁気結合を作ることにより、
第１の磁気シールド膜400から発する磁界を小さくする
ことにある。第１の磁気シールド膜400それ自体は磁区
制御されていないので、その磁化挙動はノイズ源となり
得る。実施例の場合、第１の磁気シールド膜400と磁気
抵抗効果膜210とが絶縁膜510を介して隣接しており、第
１の磁気シールド膜400の発する磁界の影響を磁気抵抗
効果膜210が強く受けた場合、出力再生波形の安定性が
劣化し、ノイズが増大することになる。
磁性膜410及び第２の磁性膜430とした目的は、２層の第
１の磁性膜410ー430の間で磁気結合を作ることにより、
第１の磁気シールド膜400から発する磁界を小さくする
ことにある。第１の磁気シールド膜400それ自体は磁区
制御されていないので、その磁化挙動はノイズ源となり
得る。実施例の場合、第１の磁気シールド膜400と磁気
抵抗効果膜210とが絶縁膜510を介して隣接しており、第
１の磁気シールド膜400の発する磁界の影響を磁気抵抗
効果膜210が強く受けた場合、出力再生波形の安定性が
劣化し、ノイズが増大することになる。
【００４２】第１の磁気シールド膜400を、非磁性膜420
と、その両側に積層された２層の第１の磁性膜410及び
第２の磁性膜430とを有する構成にすると、第１の磁性
膜410ー430の間で磁気結合を作ることができる。このた
め、上述した問題点を解決できる。第１の磁性膜410及
び第２の磁性膜430の膜厚は、それぞれ、約０．５μm、
非磁性膜420は約０．３μm程度である。第１の磁性膜41
0及び第２の磁性膜430と非磁性膜420との組み合わせ数
は更に増加させることもできる。
と、その両側に積層された２層の第１の磁性膜410及び
第２の磁性膜430とを有する構成にすると、第１の磁性
膜410ー430の間で磁気結合を作ることができる。このた
め、上述した問題点を解決できる。第１の磁性膜410及
び第２の磁性膜430の膜厚は、それぞれ、約０．５μm、
非磁性膜420は約０．３μm程度である。第１の磁性膜41
0及び第２の磁性膜430と非磁性膜420との組み合わせ数
は更に増加させることもできる。
【００４３】図４は本発明に係る磁気ヘッドの別の実施
例を示す断面図である。図において、図１〜図３と同一
の構成部分には、同一の参照符号を付して説明を省略す
る。この実施例の特徴は、誘導型磁気変換素子300の第
１の磁性膜（下部磁性膜）を構成する第２の磁気シール
ド膜310が、磁性膜311と、非磁性膜312と、磁性膜313を
含んでいて、磁性膜311と磁性膜313が非磁性膜312によ
って分離されていることである。磁性膜311及び磁性膜3
13のうち、磁界応答膜211に近い方の磁性膜313は、飽和
磁束密度が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さ
い。第１のシールド磁性膜400は、望ましくは、飽和磁
束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
例を示す断面図である。図において、図１〜図３と同一
の構成部分には、同一の参照符号を付して説明を省略す
る。この実施例の特徴は、誘導型磁気変換素子300の第
１の磁性膜（下部磁性膜）を構成する第２の磁気シール
ド膜310が、磁性膜311と、非磁性膜312と、磁性膜313を
含んでいて、磁性膜311と磁性膜313が非磁性膜312によ
って分離されていることである。磁性膜311及び磁性膜3
13のうち、磁界応答膜211に近い方の磁性膜313は、飽和
磁束密度が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さ
い。第１のシールド磁性膜400は、望ましくは、飽和磁
束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
【００４４】この実施例の場合も、第２のシールド磁性
膜310（下部磁性膜）に関して、図３を参照して述べた
作用効果が得られる。
膜310（下部磁性膜）に関して、図３を参照して述べた
作用効果が得られる。
【００４５】図５は本発明に係る磁気ヘッドの別の実施
例を示す断面図である。図１〜図４と同一の構成部分に
は、同一の参照符号を付して説明を省略する。図５の実
施例は、図３に示した実施例と図４に示した実施例の組
み合わせを示している。第１の磁気シールド膜400は、
磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430とを含
んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜420によ
って分離されている。磁性膜410及び磁性膜430のうち、
磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束密度
が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
例を示す断面図である。図１〜図４と同一の構成部分に
は、同一の参照符号を付して説明を省略する。図５の実
施例は、図３に示した実施例と図４に示した実施例の組
み合わせを示している。第１の磁気シールド膜400は、
磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430とを含
んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜420によ
って分離されている。磁性膜410及び磁性膜430のうち、
磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束密度
が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
【００４６】誘導型磁気変換素子300の第１の磁性膜
（下部磁性膜）を構成する第２の磁気シールド膜310
も、磁性膜311と、非磁性膜312と、磁性膜313を含んで
いて、磁性膜311と磁性膜313が非磁性膜312によって分
離されている。磁性膜311及び磁性膜313のうち、磁界応
答膜211に近い方の磁性膜313は、飽和磁束密度が、磁界
応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
（下部磁性膜）を構成する第２の磁気シールド膜310
も、磁性膜311と、非磁性膜312と、磁性膜313を含んで
いて、磁性膜311と磁性膜313が非磁性膜312によって分
離されている。磁性膜311及び磁性膜313のうち、磁界応
答膜211に近い方の磁性膜313は、飽和磁束密度が、磁界
応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
【００４７】図６は本発明に係る磁気ヘッドの別の実施
例を示す断面図である。図において、図１と同一の構成
部分には同一の参照符号を付してある。この実施例の特
徴は、誘導型磁気変換素子300の上に、ＭＲ素子200を積
層したことである。かかる構造であると、誘導型磁気変
換素子300の後にＭＲ素子200を製造できるので、ＭＲ素
子200が、誘導型磁気変換素子300を製造する場合に不可
避の熱処理プロセスの影響を受けない。誘導型磁気変換
素子300は絶縁膜120に形成された凹部内に第１の磁性膜
（下部磁性膜)310を形成し、さらに、第２の磁性膜（上
部磁性膜)320、コイル膜330、アルミナ等でなるギャッ
プ膜340、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶
縁膜350等を形成してある。
例を示す断面図である。図において、図１と同一の構成
部分には同一の参照符号を付してある。この実施例の特
徴は、誘導型磁気変換素子300の上に、ＭＲ素子200を積
層したことである。かかる構造であると、誘導型磁気変
換素子300の後にＭＲ素子200を製造できるので、ＭＲ素
子200が、誘導型磁気変換素子300を製造する場合に不可
避の熱処理プロセスの影響を受けない。誘導型磁気変換
素子300は絶縁膜120に形成された凹部内に第１の磁性膜
（下部磁性膜)310を形成し、さらに、第２の磁性膜（上
部磁性膜)320、コイル膜330、アルミナ等でなるギャッ
プ膜340、ノボラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶
縁膜350等を形成してある。
【００４８】ＭＲ素子200は、誘導型磁気変換素子300の
上部磁性膜320を、第２の磁気シールド膜として用い、
第２の磁気シールド膜320の上に形成された絶縁膜500中
に、磁気抵抗効果膜210を配置し、絶縁膜500の上に第１
の磁気シールド膜400を積層した構造となっている。第
１の磁気シールド膜400の上には保護膜600が積層されて
いる。
上部磁性膜320を、第２の磁気シールド膜として用い、
第２の磁気シールド膜320の上に形成された絶縁膜500中
に、磁気抵抗効果膜210を配置し、絶縁膜500の上に第１
の磁気シールド膜400を積層した構造となっている。第
１の磁気シールド膜400の上には保護膜600が積層されて
いる。
【００４９】図７は図６に示した薄膜磁気ヘッドに含ま
れるＭＲ素子200の更に詳しい構造を示す拡大断面図で
ある。図において、図１〜図６と同一の構成部分には同
一の参照符号を付してある。実施例において、磁気抵抗
効果膜210は図２〜図５を参照して説明したスピンバル
ブ膜によって構成されている。第１の磁気シールド膜40
0は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度より
も小さくなっている。このような第１の磁気シールド膜
400については、既に述べた通りである。
れるＭＲ素子200の更に詳しい構造を示す拡大断面図で
ある。図において、図１〜図６と同一の構成部分には同
一の参照符号を付してある。実施例において、磁気抵抗
効果膜210は図２〜図５を参照して説明したスピンバル
ブ膜によって構成されている。第１の磁気シールド膜40
0は、飽和磁束密度が磁界応答膜211の飽和磁束密度より
も小さくなっている。このような第１の磁気シールド膜
400については、既に述べた通りである。
【００５０】図８は本発明に係る磁気ヘッドの別の実施
例を示す断面図である。第１の磁気シールド膜400は、
磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430とを含
んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜420によ
って分離されている。磁性膜410及び磁性膜430のうち、
磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束密度
が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。磁性
膜410の飽和磁束密度は磁界応答膜211の飽和磁束密度よ
りも小さくとも、大きくともよい。
例を示す断面図である。第１の磁気シールド膜400は、
磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430とを含
んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜420によ
って分離されている。磁性膜410及び磁性膜430のうち、
磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束密度
が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。磁性
膜410の飽和磁束密度は磁界応答膜211の飽和磁束密度よ
りも小さくとも、大きくともよい。
【００５１】図９は本発明に係る磁気ヘッドの別の実施
例を示す断面図である。図において、図１〜８と同一の
構成部分には、同一の参照符号を付して説明を省略す
る。この実施例の特徴は、誘導型磁気変換素子300の上
部磁性膜を構成する第２の磁気シールド膜320が、磁性
膜321と、非磁性膜322と、磁性膜323を含んでいて、磁
性膜321と磁性膜323が非磁性膜322によって分離されて
いることである。磁性膜321及び磁性膜323のうち、磁界
応答膜211に近い方の磁性膜323は、飽和磁束密度が、磁
界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。第１の磁気
シールド膜400は、望ましくは、飽和磁束密度が磁界応
答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
例を示す断面図である。図において、図１〜８と同一の
構成部分には、同一の参照符号を付して説明を省略す
る。この実施例の特徴は、誘導型磁気変換素子300の上
部磁性膜を構成する第２の磁気シールド膜320が、磁性
膜321と、非磁性膜322と、磁性膜323を含んでいて、磁
性膜321と磁性膜323が非磁性膜322によって分離されて
いることである。磁性膜321及び磁性膜323のうち、磁界
応答膜211に近い方の磁性膜323は、飽和磁束密度が、磁
界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。第１の磁気
シールド膜400は、望ましくは、飽和磁束密度が磁界応
答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
【００５２】図１０は本発明に係る磁気ヘッドの別の実
施例を示す断面図である。図１〜図９と同一の構成部分
には、同一の参照符号を付して説明を省略する。図１０
の実施例は、図８に示した実施例と図９に示した実施例
の組み合わせを示している。第１の磁気シールド膜400
は、磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430と
を含んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜420
によって分離されている。磁性膜410及び磁性膜430のう
ち、磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束密
度が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
施例を示す断面図である。図１〜図９と同一の構成部分
には、同一の参照符号を付して説明を省略する。図１０
の実施例は、図８に示した実施例と図９に示した実施例
の組み合わせを示している。第１の磁気シールド膜400
は、磁性膜410と、非磁性膜420と、第２の磁性膜430と
を含んでいる。磁性膜410と磁性膜430は、非磁性膜420
によって分離されている。磁性膜410及び磁性膜430のう
ち、磁界応答膜211に近い方の磁性膜430は、飽和磁束密
度が、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも小さい。
【００５３】誘導型磁気変換素子300の第２の磁性膜(上
部磁性膜)を構成する第２の磁気シールド膜320も、磁性
膜321と、非磁性膜322と、磁性膜323とを含んでいて、
磁性膜321と磁性膜323が非磁性膜322によって分離され
ている。磁性膜321及び磁性膜323のうち、磁界応答膜21
1に近い方の磁性膜323は、飽和磁束密度が、磁界応答膜
211の飽和磁束密度よりも小さい。
部磁性膜)を構成する第２の磁気シールド膜320も、磁性
膜321と、非磁性膜322と、磁性膜323とを含んでいて、
磁性膜321と磁性膜323が非磁性膜322によって分離され
ている。磁性膜321及び磁性膜323のうち、磁界応答膜21
1に近い方の磁性膜323は、飽和磁束密度が、磁界応答膜
211の飽和磁束密度よりも小さい。
【００５４】図６〜図１０に示した実施例の場合も、図
１〜図５に示した実施例と同様の作用効果を奏する。次
に、製造方法を含めて、本発明の実施例を説明する。
１〜図５に示した実施例と同様の作用効果を奏する。次
に、製造方法を含めて、本発明の実施例を説明する。
【００５５】実施例１ 図２に示した磁気ヘッドを得るに当たり、磁気抵抗効果
膜210であるスピンバルブ膜を、イオンビームスパッタ
により成膜した。成膜条件は到達真空度が５×１０-5Pa
以下、成膜時真空度は１．２×１０-2Pa程度、Ａｒガス
流量は７sccm、スパッタガンの加速電圧は３００Ｖ、イ
オン電流は３０mAとした。なお、いずれも成膜時にはお
よそ１００Oeの磁界を印加した。
膜210であるスピンバルブ膜を、イオンビームスパッタ
により成膜した。成膜条件は到達真空度が５×１０-5Pa
以下、成膜時真空度は１．２×１０-2Pa程度、Ａｒガス
流量は７sccm、スパッタガンの加速電圧は３００Ｖ、イ
オン電流は３０mAとした。なお、いずれも成膜時にはお
よそ１００Oeの磁界を印加した。
【００５６】膜構成はTa(0.05μm)／NiFe(0.1μm)／Cu
(0.025μm)／Co(0.03μm)／FeMn(0.1μm)／Ta(0.05μm)
である。この膜構成については、図２を参照して詳しく
説明した通りである。得られた磁気抵抗効果膜のＭＲ変
化率は２．7％、磁界感度は０．５%/Oeであった。第２
の磁気シールド膜310はめっき法により成膜したNi-Fe合
金とした。組成はNi-１８Feのパーマロイ合金である。
(0.025μm)／Co(0.03μm)／FeMn(0.1μm)／Ta(0.05μm)
である。この膜構成については、図２を参照して詳しく
説明した通りである。得られた磁気抵抗効果膜のＭＲ変
化率は２．7％、磁界感度は０．５%/Oeであった。第２
の磁気シールド膜310はめっき法により成膜したNi-Fe合
金とした。組成はNi-１８Feのパーマロイ合金である。
【００５７】第１の磁気シールド膜400の成膜はＲＦマ
グネトロンスパッタを用いて行った。ＲＦマグネトロン
スパッタ成膜条件は到達真空度が１×１０-4Pa以下、成
膜時真空度は４×１０-1Pa程度、Ａｒガス流量は３０sc
cm、ＲＦパワーは１０００Ｗとした。成膜したNi-Fe-Ta
膜のＴａ濃度と磁気特性との関係を図１１〜図１３に示
す。図１１はＴａ濃度と飽和磁束密度との関係を示すグ
ラフ、図１２はＴａ濃度と透磁率との関係を示すグラ
フ、図１３はＴａ濃度と保磁力との関係を示すグラフで
ある。図１１〜図１３において、組成は、図示の濃度
（原子％）のＴａと、Ni-18Fe合金（パーマロイ）とで
なる。
グネトロンスパッタを用いて行った。ＲＦマグネトロン
スパッタ成膜条件は到達真空度が１×１０-4Pa以下、成
膜時真空度は４×１０-1Pa程度、Ａｒガス流量は３０sc
cm、ＲＦパワーは１０００Ｗとした。成膜したNi-Fe-Ta
膜のＴａ濃度と磁気特性との関係を図１１〜図１３に示
す。図１１はＴａ濃度と飽和磁束密度との関係を示すグ
ラフ、図１２はＴａ濃度と透磁率との関係を示すグラ
フ、図１３はＴａ濃度と保磁力との関係を示すグラフで
ある。図１１〜図１３において、組成は、図示の濃度
（原子％）のＴａと、Ni-18Fe合金（パーマロイ）とで
なる。
【００５８】まず、図１１を参照すると、Ｔａ含有量の
増加に伴う飽和磁束密度の低下が認められる。従って、
Ｔａ含有量にしたがった飽和磁束密度の制御が可能であ
る。
増加に伴う飽和磁束密度の低下が認められる。従って、
Ｔａ含有量にしたがった飽和磁束密度の制御が可能であ
る。
【００５９】次に、図１２に示すように、透磁率はＴａ
含有量によって若干の変化を伴う。前述したように、透
磁率が小さくなり過ぎると、磁気シールド膜としての機
能が不充分となり、出力再生波の半値幅が広くなってし
まうので、Ｔａ含有量は、図１１及び図１２の教示に従
い、比較的高い透磁率が得られ、かつ、飽和磁束密度が
小さい範囲となるように選定する。
含有量によって若干の変化を伴う。前述したように、透
磁率が小さくなり過ぎると、磁気シールド膜としての機
能が不充分となり、出力再生波の半値幅が広くなってし
まうので、Ｔａ含有量は、図１１及び図１２の教示に従
い、比較的高い透磁率が得られ、かつ、飽和磁束密度が
小さい範囲となるように選定する。
【００６０】保磁力については、図１３に示すように、
Ｔａ含有量が増えるほど、大きくなる傾向にある。これ
は、磁気シールドとしては、好ましくない傾向である
が、実用上は全く問題がない。
Ｔａ含有量が増えるほど、大きくなる傾向にある。これ
は、磁気シールドとしては、好ましくない傾向である
が、実用上は全く問題がない。
【００６１】表１には比較例として、通常、シールドと
して用いるNi-18Fe合金並びにFe-Al-Si合金の磁気特性
も示す。いずれも膜厚１μmの場合であり、比較のた
め、何れもＲＦマグネトロンスパッタで成膜した。ここ
でFe-Al-Si合金の組成は、原子比率でFe：Al：Si＝86：
5：9である。 本実施例では、第１の磁気シールド膜400として、透磁
率がスピンバルブ膜の磁界応答膜211でもあるNi-18Fe合
金よりもやや大きく、飽和磁束密度がNi-18Fe合金より
も小さな(Ni-18Fe)-7.2Ta合金膜を用いた。なお、同膜
には300℃、２時間、３kOeでの熱処理を施してある。
して用いるNi-18Fe合金並びにFe-Al-Si合金の磁気特性
も示す。いずれも膜厚１μmの場合であり、比較のた
め、何れもＲＦマグネトロンスパッタで成膜した。ここ
でFe-Al-Si合金の組成は、原子比率でFe：Al：Si＝86：
5：9である。 本実施例では、第１の磁気シールド膜400として、透磁
率がスピンバルブ膜の磁界応答膜211でもあるNi-18Fe合
金よりもやや大きく、飽和磁束密度がNi-18Fe合金より
も小さな(Ni-18Fe)-7.2Ta合金膜を用いた。なお、同膜
には300℃、２時間、３kOeでの熱処理を施してある。
【００６２】表２に、第１の磁気シールド膜400を、Ni-
Fe-Ta合金膜とした実施例と、Ni-Fe合金及びFe-Al-Si合
金とした比較例について、磁気ヘッドの再生出力並びに
再生出力波形の半値幅を示す。ＭＲ高さ１．０μm、ト
ラック幅２．５μm、電極間抵抗４０Ω、センス電流８m
A、浮上量７５nmの同一条件とした。
Fe-Ta合金膜とした実施例と、Ni-Fe合金及びFe-Al-Si合
金とした比較例について、磁気ヘッドの再生出力並びに
再生出力波形の半値幅を示す。ＭＲ高さ１．０μm、ト
ラック幅２．５μm、電極間抵抗４０Ω、センス電流８m
A、浮上量７５nmの同一条件とした。
【００６３】表２の結果から、第１の磁気シールド膜40
0として、飽和磁束密度がNi-Fe合金よりも小さい１０kG
未満のNi-Fe-Ta合金膜を用いることにより、スピンバル
ブ膜の磁界応答膜211に対する第１の磁気シールド膜400
からの静磁界の影響が低減し、再生出力が向上すること
がわかる。また、出力再生波形の半値幅はいずれの第１
の磁気シールド膜を用いた場合においても大きな違いは
なく、磁気シールド膜として機能していることが確認さ
れる。
0として、飽和磁束密度がNi-Fe合金よりも小さい１０kG
未満のNi-Fe-Ta合金膜を用いることにより、スピンバル
ブ膜の磁界応答膜211に対する第１の磁気シールド膜400
からの静磁界の影響が低減し、再生出力が向上すること
がわかる。また、出力再生波形の半値幅はいずれの第１
の磁気シールド膜を用いた場合においても大きな違いは
なく、磁気シールド膜として機能していることが確認さ
れる。
【００６４】なお、第１の磁気シールド膜400として飽
和磁束密度及び透磁率が非常に小さな材料を用いると、
当然磁気シールド膜としての機能が不充分となり、出力
再生波形の半値幅が広がることになるので、本実施例の
ように半値幅を広げずに再生出力を向上させられる材料
を選択する必要がある。
和磁束密度及び透磁率が非常に小さな材料を用いると、
当然磁気シールド膜としての機能が不充分となり、出力
再生波形の半値幅が広がることになるので、本実施例の
ように半値幅を広げずに再生出力を向上させられる材料
を選択する必要がある。
【００６５】実施例２ 図３に図示した磁気ヘッドを得るに当たり、磁気抵抗効
果膜210としては実施例１と同様のスピンバルブ膜を用
い、第２の磁気シールド膜310も実施例１と同様にNi-Fe
合金を用いた。第１の磁気シールド膜を、磁性膜410及
び磁性膜430を、非磁性膜420によって分離し、スピンバ
ルブ膜の磁界応答膜211に近い磁性膜430の飽和磁束密度
を、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも低くしてあ
る。
果膜210としては実施例１と同様のスピンバルブ膜を用
い、第２の磁気シールド膜310も実施例１と同様にNi-Fe
合金を用いた。第１の磁気シールド膜を、磁性膜410及
び磁性膜430を、非磁性膜420によって分離し、スピンバ
ルブ膜の磁界応答膜211に近い磁性膜430の飽和磁束密度
を、磁界応答膜211の飽和磁束密度よりも低くしてあ
る。
【００６６】磁性膜410／非磁性膜420／磁性膜430の膜
構成を、Ni-Fe-Ta合金(0.5μm)／Ta(0.3μm)／Ni-Fe-Ta
合金(0.5μm)とした。Ni-Fe-Ta合金は、上記のように低
飽和磁束密度を狙った材料であり、組成は原子比率で(N
i-18Fe)-7.2Taである。
構成を、Ni-Fe-Ta合金(0.5μm)／Ta(0.3μm)／Ni-Fe-Ta
合金(0.5μm)とした。Ni-Fe-Ta合金は、上記のように低
飽和磁束密度を狙った材料であり、組成は原子比率で(N
i-18Fe)-7.2Taである。
【００６７】比較例として、第１の磁気シールド膜400
をFe-Al-Si合金の単層膜とした磁気ヘッドを用意した。
Fe-Al-Si合金は通常下部シールドとして用いている材料
である。
をFe-Al-Si合金の単層膜とした磁気ヘッドを用意した。
Fe-Al-Si合金は通常下部シールドとして用いている材料
である。
【００６８】表３に上記第１の磁気シールド膜を用いた
磁気ヘッドの出力変動並びに再生出力を示す。測定条件
は実施例１と同じである。
磁気ヘッドの出力変動並びに再生出力を示す。測定条件
は実施例１と同じである。
【００６９】表３の結果から、第１の磁気シールド膜材
料として飽和磁束密度の小さなＮｉ-Fe-Ta合金を用いた
場合、出力変動低減に加えて、再生出力が向上すること
が確認できる。
料として飽和磁束密度の小さなＮｉ-Fe-Ta合金を用いた
場合、出力変動低減に加えて、再生出力が向上すること
が確認できる。
【００７０】Ni-Fe-Ta膜のＴａを他の元素、例えばＣ
ｒ、ＨｆまたはＲｈによって置き換えても、同様の結果
が得られる。次にこの点について説明する。
ｒ、ＨｆまたはＲｈによって置き換えても、同様の結果
が得られる。次にこの点について説明する。
【００７１】図１４はNi-Fe-Cr膜のＣｒ、Ni-Fe-Hf膜の
Ｈｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度と飽和磁束密度との
関係を示すグラフ、図１５は、Ni-Fe-Cr膜のＣｒ濃度、
Ni-Fe-Hf膜のＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度と透磁
率との関係を示すグラフ、図１６は、Ni-Fe-Cr膜のＣｒ
濃度、Ni-Fe-Hf膜のＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度
と保磁力との関係を示すグラフである。
Ｈｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度と飽和磁束密度との
関係を示すグラフ、図１５は、Ni-Fe-Cr膜のＣｒ濃度、
Ni-Fe-Hf膜のＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度と透磁
率との関係を示すグラフ、図１６は、Ni-Fe-Cr膜のＣｒ
濃度、Ni-Fe-Hf膜のＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度
と保磁力との関係を示すグラフである。
【００７２】図１４〜図１６において、横軸はＣｒ、Ｈ
ｆまたはＲｈの添加濃度（原子％）であり、残りをNi-1
8Fe合金（パーマロイ）が占める。
ｆまたはＲｈの添加濃度（原子％）であり、残りをNi-1
8Fe合金（パーマロイ）が占める。
【００７３】図１４に示されるように、Ｃｒ、Ｈｆまた
はＲｈの何れを添加した場合も、含有量の増加に伴う飽
和磁束密度の低下が認められる。従って、Ｃｒ、Ｈｆま
たはＲｈの含有量にしたがった飽和磁束密度の制御が可
能である。
はＲｈの何れを添加した場合も、含有量の増加に伴う飽
和磁束密度の低下が認められる。従って、Ｃｒ、Ｈｆま
たはＲｈの含有量にしたがった飽和磁束密度の制御が可
能である。
【００７４】また、図１５に示すように、透磁率はＴａ
含有量によって若干の変化を伴うが、実用上、問題とな
らない範囲である。
含有量によって若干の変化を伴うが、実用上、問題とな
らない範囲である。
【００７５】保磁力については、図１６に示すように、
ＨｆまたはＲｈの含有量が増えるほど、大きくなる傾向
にある。Ｃｒの場合は、１０原子％を越えると、保磁力
が急激に低下するという好ましい結果が得られる。
ＨｆまたはＲｈの含有量が増えるほど、大きくなる傾向
にある。Ｃｒの場合は、１０原子％を越えると、保磁力
が急激に低下するという好ましい結果が得られる。
【００７６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）不要な磁束を吸収し、分解能および高周波特性を
改善させ、記録密度を向上させたＭＲ磁気ヘッドを提供
することができる。 （ｂ）磁気シールド膜の影響による再生感度の劣化を阻
止し、高い再生出力が得られるようにしたＭＲ磁気ヘッ
ドを提供することができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）不要な磁束を吸収し、分解能および高周波特性を
改善させ、記録密度を向上させたＭＲ磁気ヘッドを提供
することができる。 （ｂ）磁気シールド膜の影響による再生感度の劣化を阻
止し、高い再生出力が得られるようにしたＭＲ磁気ヘッ
ドを提供することができる。
【図１】本発明に係る磁気ヘッドの断面図である。
【図２】図１に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
詳しい構造を示す拡大断面図である。
詳しい構造を示す拡大断面図である。
【図３】図１に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
別の例を示す拡大断面図である。
別の例を示す拡大断面図である。
【図４】図１に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
更に別の例を示す拡大断面図である。
更に別の例を示す拡大断面図である。
【図５】図１に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
更に別の例を示す拡大断面図である。
更に別の例を示す拡大断面図である。
【図６】本発明に係る磁気ヘッドの別の実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図７】図６に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
詳しい構造を示す拡大断面図である。
詳しい構造を示す拡大断面図である。
【図８】図６に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
別の例を示す拡大断面図である。
別の例を示す拡大断面図である。
【図９】図６に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子の
更に別の例を示す拡大断面図である。
更に別の例を示す拡大断面図である。
【図１０】図６に示した磁気ヘッドに含まれるＭＲ素子
の更に別の例を示す拡大断面図である。
の更に別の例を示す拡大断面図である。
【図１１】Ni-Fe-Ta膜におけるＴａ濃度と飽和磁束密度
との関係を示すグラフである。
との関係を示すグラフである。
【図１２】Ni-Fe-Ta膜におけるＴａ濃度と透磁率との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図１３】Ni-Fe-Ta膜におけるＴａ濃度と保磁力との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図１４】Ni-Fe-Cr膜におけるＣｒ濃度、Ni-Fe-Hf膜に
おけるＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜におけるＲｈ濃度と飽和
磁束密度との関係を示すグラフである。
おけるＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜におけるＲｈ濃度と飽和
磁束密度との関係を示すグラフである。
【図１５】Ni-Fe-Cr膜におけるＣｒ濃度、Ni-Fe-Hf膜に
おけるＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜におけるＲｈ濃度と透磁
率との関係を示すグラフである。
おけるＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜におけるＲｈ濃度と透磁
率との関係を示すグラフである。
【図１６】Ni-Fe-Cr膜におけるＣｒ濃度、Ni-Fe-Hf膜に
おけるＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度と保磁力との
関係を示すグラフである。
おけるＨｆ濃度及びNi-Fe-Rh膜のＲｈ濃度と保磁力との
関係を示すグラフである。
２００ ＭＲ型磁気変換素子 ２１０ 磁気抵抗効果膜 ２１１ 第１の強磁性膜 ２１２ 非磁性膜 ２１３ 第２の強磁性膜 ２１４ 反強磁性膜 ３００ 誘導型磁気変換素子 ４００ 第１のシールド膜
Claims (21)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果型磁気変換素子を含む磁気
ヘッドであって、 前記磁気抵抗効果型磁気変換素子は、磁気抵抗効果膜
と、第１の磁気シールド膜と、第２の磁気シールド膜を
含み、 前記磁気抵抗効果膜は、外部磁界に応答する磁界応答膜
を、少なくとも一つ含んでおり、 前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シールド
膜は、前記磁気抵抗効果膜の両側に配置されており、 前記第１の磁気シールド膜及び前記第２の磁気シールド
膜の少なくとも一方は、飽和磁束密度が前記磁界応答膜
の飽和磁束密度よりも小さい磁性膜を含んでおり、 前記磁性膜は、前記磁気シールド膜において、前記磁界
応答膜に近い位置を占める磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記磁気シールド膜の一方は、非磁性層と、第１の磁性
膜と、第２の磁性膜とを含み、前記第１の磁性膜及び第
２の磁性膜は前記非磁性膜によって分離されており、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のうち、前記磁
界応答膜に近い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁界応答
膜の飽和磁束密度よりも小さい磁気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項２に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記磁界応答膜に近い前記磁性膜は、飽和磁束密度が１
０kG未満である磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項２に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のうち、前記磁
界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁界応答
膜の飽和磁束密度よりも小さい磁気ヘッド。 - 【請求項５】 請求項４に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記磁界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が１０kG
未満である磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項２に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記磁界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁
界応答膜の飽和磁束密度よりも大きい磁気ヘッド。 - 【請求項７】 請求項１に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記磁気抵抗効果膜は、スピンバルブ膜である磁気ヘッ
ド。 - 【請求項８】 請求項７に記載された磁気ヘッドであっ
て、 前記スピンバルブ膜は、少なくとも、前記磁界応答膜、
非磁性膜、磁化固定膜及び反強磁性膜を含んでおり、 前記磁界応答膜及び前記磁化固定膜は、前記非磁性膜に
よって分離されており、 前記反強磁性膜は、前記磁化固定膜に付着されている磁
気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１に記載された磁気ヘッドであっ
て、 誘導型磁気変換素子を含む磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項９に記載された磁気ヘッドであ
って、 前記誘導型磁気変換素子は、前記磁気抵抗効果型磁気変
換素子と隣接して備えられている磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記第１の磁気シールド膜及び第２の磁気シールド膜の
何れか一方は、前記誘導型磁気変換素子の磁性膜として
共用される磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記第１の磁気シールド膜及び第２の磁気シールド膜の
うち、前記誘導型磁気変換素子の磁性膜として共用され
ない磁気シールド膜は、非磁性層と、第１の磁性膜と、
第２の磁性膜とを含み、前記第１の磁性膜及び第２の磁
性膜は前記非磁性膜によって分離されており、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のうち、前記磁
界応答膜に近い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁界応答
膜の飽和磁束密度よりも小さい磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記磁界応答膜に近い前記磁性膜は、飽和磁束密度が１
０kG未満である磁気ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項１２に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のうち、前記磁
界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁界応答
膜の飽和磁束密度よりも小さい磁気ヘッド。 - 【請求項１５】 請求項１４に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記磁界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が１０kG
未満である磁気ヘッド。 - 【請求項１６】 請求項１２に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記磁界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁
界応答膜の飽和磁束密度よりも大きい磁気ヘッド。 - 【請求項１７】 請求項１１に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記第１の磁気シールド膜及び第２の磁気シールド膜の
うち、前記誘導型磁気変換素子の磁性膜として共用され
る磁気シールド膜は、非磁性層と、第１の磁性膜と、第
２の磁性膜とを含み、前記第１の磁性膜及び第２の磁性
膜は前記非磁性膜によって分離されており、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のうち、前記磁
界応答膜に近い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁界応答
膜の飽和磁束密度よりも小さい磁気ヘッド。 - 【請求項１８】 請求項１７に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記磁界応答膜に近い前記磁性膜は、飽和磁束密度が１
０kG未満である磁気ヘッド。 - 【請求項１９】 請求項１７に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記第１の磁性膜及び前記第２の磁性膜のうち、前記磁
界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁界応答
膜の飽和磁束密度よりも小さい磁気ヘッド。 - 【請求項２０】 請求項１９に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記磁界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が１０kG
未満である磁気ヘッド。 - 【請求項２１】 請求項１７に記載された磁気ヘッドで
あって、 前記磁界応答膜に遠い磁性膜は、飽和磁束密度が前記磁
界応答膜の飽和磁束密度よりも大きい磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05306697A JP3388685B2 (ja) | 1996-04-01 | 1997-03-07 | 磁気ヘッド |
| US08/829,286 US5761011A (en) | 1996-04-01 | 1997-03-31 | Magnetic head having a magnetic shield film with a lower saturation magnetization than a magnetic field response film of an MR element |
| SG1997001030A SG50813A1 (en) | 1996-04-01 | 1997-04-01 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7914496 | 1996-04-01 | ||
| JP8-79144 | 1996-04-01 | ||
| JP05306697A JP3388685B2 (ja) | 1996-04-01 | 1997-03-07 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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